JPH0551264A - 板状セラミツクの製造方法 - Google Patents
板状セラミツクの製造方法Info
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- JPH0551264A JPH0551264A JP3237259A JP23725991A JPH0551264A JP H0551264 A JPH0551264 A JP H0551264A JP 3237259 A JP3237259 A JP 3237259A JP 23725991 A JP23725991 A JP 23725991A JP H0551264 A JPH0551264 A JP H0551264A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁器成形体を積み重ねて焼成する場合におけ
る相互の融着や反りを良好に防止する。 【構成】 平均粒径の小さいセラミック材料粉末から成
る第１の層１１の両主面にこれよりも平均粒径の大きい
セラミック材料粉末から成る第２及び第３の層１２、１
３を設けた成形体１０を用意する。複数枚の成形体１０
を積み重ねて一度に焼成する。
る相互の融着や反りを良好に防止する。 【構成】 平均粒径の小さいセラミック材料粉末から成
る第１の層１１の両主面にこれよりも平均粒径の大きい
セラミック材料粉末から成る第２及び第３の層１２、１
３を設けた成形体１０を用意する。複数枚の成形体１０
を積み重ねて一度に焼成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁器コンデンサ、磁器バ
リスタ等のための板状セラミックの製造方法に関する。
リスタ等のための板状セラミックの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁器コンデンサ、磁器バリスタ等の素体
として用いられる板状セラミックの従来の代表的な製造
方法として、板状未焼成セラミック成形体を準備し、こ
の表面に融着防止用粉末を付着させた状態で、該成形体
を複数枚積み重ねて焼成する方法がある。しかし、この
製造方法は、成形体表面への融着防止用粉末の付着状態
が均一になりにくいため融着防止の効果が小さく、また
セラミックに反りが生じやすいという欠点を有する。こ
のような欠点を改善するため、特公平３−２８２１号公
報に示されるように、セラミックと同一組成から成る粗
粒子をセラミック材料中に１〜４重量％混入して成形体
を作成し、これを積み重ねて焼成する方法が提案されて
いる。
として用いられる板状セラミックの従来の代表的な製造
方法として、板状未焼成セラミック成形体を準備し、こ
の表面に融着防止用粉末を付着させた状態で、該成形体
を複数枚積み重ねて焼成する方法がある。しかし、この
製造方法は、成形体表面への融着防止用粉末の付着状態
が均一になりにくいため融着防止の効果が小さく、また
セラミックに反りが生じやすいという欠点を有する。こ
のような欠点を改善するため、特公平３−２８２１号公
報に示されるように、セラミックと同一組成から成る粗
粒子をセラミック材料中に１〜４重量％混入して成形体
を作成し、これを積み重ねて焼成する方法が提案されて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、セラミ
ックと同一組成の粗粒子をセラミック材料中に混入して
成形体を作成し焼成する上記製造方法は、焼成後のセラ
ミック内部に混入粗粒子に起因する巨大結晶粒子が点在
して結晶粒子径に著しいバラツキが生じ、従来の製造方
法によるセラミックに比べて磁器の抗折強度が低下する
という欠点を有する。また、この方法を粒界絶縁型半導
体磁器コンデンサに適用すると、板状セラミック素体の
両主面に形成された対向電極間に存在する前記巨大結晶
粒子により、該対向電極間の絶縁破壊電圧が低下する。
ックと同一組成の粗粒子をセラミック材料中に混入して
成形体を作成し焼成する上記製造方法は、焼成後のセラ
ミック内部に混入粗粒子に起因する巨大結晶粒子が点在
して結晶粒子径に著しいバラツキが生じ、従来の製造方
法によるセラミックに比べて磁器の抗折強度が低下する
という欠点を有する。また、この方法を粒界絶縁型半導
体磁器コンデンサに適用すると、板状セラミック素体の
両主面に形成された対向電極間に存在する前記巨大結晶
粒子により、該対向電極間の絶縁破壊電圧が低下する。
【０００４】そこで、本発明の目的は、抗折強度や絶縁
破壊電圧の低下を伴うことなく、セラミック焼成時の融
着や反りの発生を回避することが可能な板状セラミック
の製造方法を提供することにある。
破壊電圧の低下を伴うことなく、セラミック焼成時の融
着や反りの発生を回避することが可能な板状セラミック
の製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、セラミック材料粉末から成る少なくとも第
１及び第２の層を有し、前記第２の層が前記第１の層の
セラミック材料粉末と同一の組成を有するが、前記第１
の層のセラミック材料粉末よりも大きい平均粒径を有す
るセラミック材料から成り、且つ前記第２の層が前記第
１の層の少なくとも一方の主面を被覆するように形成さ
れている板状成形体を複数枚形成する工程と、一方の板
状成形体の前記第２の層が他方の板状成形体の前記第１
又は第２の層に接触するように前記複数枚の板状成形体
を積み重ねて焼成する工程とを有することを特徴とする
板状セラミックの製造方法に係わるものである。なお、
平均粒径の大きいセラミック材料粉末から成る第２及び
第３の層を第１の層の一方及び他方の主面に設けること
が望ましい。
の本発明は、セラミック材料粉末から成る少なくとも第
１及び第２の層を有し、前記第２の層が前記第１の層の
セラミック材料粉末と同一の組成を有するが、前記第１
の層のセラミック材料粉末よりも大きい平均粒径を有す
るセラミック材料から成り、且つ前記第２の層が前記第
１の層の少なくとも一方の主面を被覆するように形成さ
れている板状成形体を複数枚形成する工程と、一方の板
状成形体の前記第２の層が他方の板状成形体の前記第１
又は第２の層に接触するように前記複数枚の板状成形体
を積み重ねて焼成する工程とを有することを特徴とする
板状セラミックの製造方法に係わるものである。なお、
平均粒径の大きいセラミック材料粉末から成る第２及び
第３の層を第１の層の一方及び他方の主面に設けること
が望ましい。
【０００６】
【作用】本発明に係わる第２の層は平均粒径の大きなセ
ラミック材料粉末から成るので、粗い表面を有する。従
って、板状成形体を積み重ねた時に、第２の層が相手側
の板状成形体に多数の突出部で点接触状態に接する。従
って、焼成後に焼結板状セラミックを容易に分離するこ
とができる。第２の層は従来の融着防止用粉末と同様な
機能を有するが、相互間に粉末として介在しているので
はなく、第１の層に一体化されているので、均一性が良
い。このため板状成形体が相互に均一に接触し、焼成時
の反りが少なくなる。第１の層は第２の層よりも平均粒
径の小さいセラミック材料粉末から成り、粗粒子が混在
されていないので、粗粒子に基づく抗折強度の低下や絶
縁破壊電圧の低下が生じない。第３の層は第２の層と同
様の作用を有する。
ラミック材料粉末から成るので、粗い表面を有する。従
って、板状成形体を積み重ねた時に、第２の層が相手側
の板状成形体に多数の突出部で点接触状態に接する。従
って、焼成後に焼結板状セラミックを容易に分離するこ
とができる。第２の層は従来の融着防止用粉末と同様な
機能を有するが、相互間に粉末として介在しているので
はなく、第１の層に一体化されているので、均一性が良
い。このため板状成形体が相互に均一に接触し、焼成時
の反りが少なくなる。第１の層は第２の層よりも平均粒
径の小さいセラミック材料粉末から成り、粗粒子が混在
されていないので、粗粒子に基づく抗折強度の低下や絶
縁破壊電圧の低下が生じない。第３の層は第２の層と同
様の作用を有する。
【０００７】
【実施例】次に、図１及び図２を参照して本発明の実施
例に係わるチタン酸ストロンチウム系半導体磁器コンデ
ンサのセラミック素体の製造方法を説明する。まず、チ
タン酸ストロンチウムを主成分とするセラミック材料を
平均粒径１〜２μｍに粉砕した第１のセラミック材料粉
末を用意し、これにバインダ−としてポリビニルアルコ
−ル（ＰＶＡ）を加え、造粒して粒径約５０μｍの第１
のセラミック造粒粉末を得る。同様に、第１のセラミッ
ク材料粉末と同一組成であるが、第１のセラミック材料
粉末よりも大きい２０μｍ〜２５μｍの平均粒径を有す
る第２のセラミック材料粉末を用意し、これにバインダ
−を加え、造粒して粒径約５０μｍの第２のセラミック
造粒粉末を得る。
例に係わるチタン酸ストロンチウム系半導体磁器コンデ
ンサのセラミック素体の製造方法を説明する。まず、チ
タン酸ストロンチウムを主成分とするセラミック材料を
平均粒径１〜２μｍに粉砕した第１のセラミック材料粉
末を用意し、これにバインダ−としてポリビニルアルコ
−ル（ＰＶＡ）を加え、造粒して粒径約５０μｍの第１
のセラミック造粒粉末を得る。同様に、第１のセラミッ
ク材料粉末と同一組成であるが、第１のセラミック材料
粉末よりも大きい２０μｍ〜２５μｍの平均粒径を有す
る第２のセラミック材料粉末を用意し、これにバインダ
−を加え、造粒して粒径約５０μｍの第２のセラミック
造粒粉末を得る。
【０００８】次に、成型用型内に、第２のセラミック造
粒粉末を入れて一旦加圧成形し、引き続いて、該成形用
型内の成形体上に第１のセラミック造粒粉末を入れて一
旦加圧成形し、さらに該成形用型内の成形体上に再び第
２のセラミック造粒粉末を入れて加圧成形することによ
って、図１に示す直径８ｍｍの３層構造を成す円板状成
形体１０を複数枚形成した。この成形体１０は中央に第
１のセラミック材料粉末からなる第１の層１１を有し、
この両主面に第２のセラミック材料粉末からなる第２及
び第３の層１２、１３を有する。第１、第２及び第３の
層１１、１２、１３の焼成前の厚さは、それぞれ１．０
ｍｍ、０．２５ｍｍ、０．２５ｍｍである。
粒粉末を入れて一旦加圧成形し、引き続いて、該成形用
型内の成形体上に第１のセラミック造粒粉末を入れて一
旦加圧成形し、さらに該成形用型内の成形体上に再び第
２のセラミック造粒粉末を入れて加圧成形することによ
って、図１に示す直径８ｍｍの３層構造を成す円板状成
形体１０を複数枚形成した。この成形体１０は中央に第
１のセラミック材料粉末からなる第１の層１１を有し、
この両主面に第２のセラミック材料粉末からなる第２及
び第３の層１２、１３を有する。第１、第２及び第３の
層１１、１２、１３の焼成前の厚さは、それぞれ１．０
ｍｍ、０．２５ｍｍ、０．２５ｍｍである。
【０００９】次に、図１に示す成形体１０を１０枚積み
重ねて炉に入れ、窒素９９容積％＋水素１容積％の雰囲
気中で、１４５０℃、１５時間の焼成を行なった。
重ねて炉に入れ、窒素９９容積％＋水素１容積％の雰囲
気中で、１４５０℃、１５時間の焼成を行なった。
【００１０】次に、焼結された円板状セラミックを水に
入れ、超音波振動を与えたところ、１０枚ともきれいに
分離した。焼結された円板状セラミックの中心線上の平
均表面粗さＲａは０．５μｍであった。また、円板状セ
ラミックの反りはほとんど生じなかった。
入れ、超音波振動を与えたところ、１０枚ともきれいに
分離した。焼結された円板状セラミックの中心線上の平
均表面粗さＲａは０．５μｍであった。また、円板状セ
ラミックの反りはほとんど生じなかった。
【００１１】複数枚の成形体１０を積み重ねた時には、
図２に原理的に示すように、一方の成形体１０ａの第２
の層１２が他方の成形体１０ｂの第３の層１３又は第２
の層１２と点接触する。従って、焼結によって融着が生
じても比較的容易に分離できる。また、粗粒子から成る
第２及び第３の層は成形層であって均一性を有するため
に焼成時に反りの発生が少なく、且つ抗折強度の低下が
少ない。
図２に原理的に示すように、一方の成形体１０ａの第２
の層１２が他方の成形体１０ｂの第３の層１３又は第２
の層１２と点接触する。従って、焼結によって融着が生
じても比較的容易に分離できる。また、粗粒子から成る
第２及び第３の層は成形層であって均一性を有するため
に焼成時に反りの発生が少なく、且つ抗折強度の低下が
少ない。
【００１２】次に、焼結体の両主面にＢｉ2 Ｏ3 を塗布
し、１２５０℃で２時間熱処理した後、該焼結体の両主
面に電極を設けて磁器コンデンサを完成させる。一対の
電極間には粗粒子が不均一に介在しないので、絶縁破壊
電圧の低下が少ない。
し、１２５０℃で２時間熱処理した後、該焼結体の両主
面に電極を設けて磁器コンデンサを完成させる。一対の
電極間には粗粒子が不均一に介在しないので、絶縁破壊
電圧の低下が少ない。
【００１３】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 磁器コンデンサに限ることなく、磁器バリスタ
等にも適用可能である。（２） 成形体１０の第１、第
２及び第３の層１１、１２、１３を３枚の磁器生シート
の積層で形成することができる。 （３） 第１の層１１の一方の主面に第２の層１２のみ
を設け、第３の層１３を省くことができる。 （４） 第２及び第３の層１２、１３のセラミック材料
粉末の平均粒径を第１の層１１のセラミック材料粉末の
平均粒径の５〜１５倍程度好ましくは１０倍程度にする
ことが望ましい。
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 磁器コンデンサに限ることなく、磁器バリスタ
等にも適用可能である。（２） 成形体１０の第１、第
２及び第３の層１１、１２、１３を３枚の磁器生シート
の積層で形成することができる。 （３） 第１の層１１の一方の主面に第２の層１２のみ
を設け、第３の層１３を省くことができる。 （４） 第２及び第３の層１２、１３のセラミック材料
粉末の平均粒径を第１の層１１のセラミック材料粉末の
平均粒径の５〜１５倍程度好ましくは１０倍程度にする
ことが望ましい。
【００１４】
【発明の効果】上述から明らかなように本発明によれ
ば、複数の成形体の積み重ね焼成時における融着や反り
を防止することができる。
ば、複数の成形体の積み重ね焼成時における融着や反り
を防止することができる。
【図１】本発明の実施例に係わる磁器コンデンサのため
の成形体を説明的に示す断面図である。
の成形体を説明的に示す断面図である。
【図２】積み重ねた２枚の成形体の境界を原理的に示す
正面図である。
正面図である。
１０ 成形体 １１ 第１の層 １２ 第２の層 １３ 第３の層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/15
Claims (2)
- 【請求項１】 セラミック材料粉末から成る少なくとも
第１及び第２の層を有し、前記第２の層が前記第１の層
のセラミック材料粉末と同一の組成を有するが、前記第
１の層のセラミック材料粉末よりも大きい平均粒径を有
するセラミック材料から成り、且つ前記第２の層が前記
第１の層の少なくとも一方の主面を被覆するように形成
されている板状成形体を複数枚形成する工程と、 一方の板状成形体の前記第２の層が他方の板状成形体の
前記第１又は第２の層に接触するように前記複数枚の板
状成形体を積み重ねて焼成する工程とを有することを特
徴とする板状セラミックの製造方法。 - 【請求項２】 セラミック材料粉末から成る第１、第２
及び第３の層から成り、前記第２及び第３の層は前記第
１の層のセラミック材料粉末と同一組成を有するが、前
記第１の層のセラミック材料粉末よりも大きい平均粒径
のセラミック材料から成り、前記第２の層は前記第１の
層の一方の主面を被覆し、前記第３の層は前記第１の層
の他方の主面を被覆している板状成形体を複数枚形成す
る工程と、 前記複数枚の板状成形体を積み重ねて焼成する工程とか
ら成る板状セラミックの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3237259A JPH0551264A (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 板状セラミツクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3237259A JPH0551264A (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 板状セラミツクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0551264A true JPH0551264A (ja) | 1993-03-02 |
Family
ID=17012758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3237259A Withdrawn JPH0551264A (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 板状セラミツクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0551264A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2367694A (en) * | 2000-04-10 | 2002-04-10 | Murata Manufacturing Co | Monolithic ceramic substrate, manufacture and design methods therefor, and device. |
| EP1418797A2 (en) * | 2002-11-11 | 2004-05-12 | Ngk Spark Plug Co., Ltd | Wiring board and process of producing the same |
| JP2008252089A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-10-16 | Toda Kogyo Corp | フェライト成形シート、焼結フェライト基板およびアンテナモジュール |
| KR20160042708A (ko) * | 2014-10-10 | 2016-04-20 | 삼성전기주식회사 | 다층 세라믹 기판 및 그 제조 방법 |
-
1991
- 1991-08-23 JP JP3237259A patent/JPH0551264A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2367694A (en) * | 2000-04-10 | 2002-04-10 | Murata Manufacturing Co | Monolithic ceramic substrate, manufacture and design methods therefor, and device. |
| GB2367694B (en) * | 2000-04-10 | 2002-08-21 | Murata Manufacturing Co | Monolithic ceramic substrate manufacturing and designing methods therefor and electronic device |
| EP1418797A2 (en) * | 2002-11-11 | 2004-05-12 | Ngk Spark Plug Co., Ltd | Wiring board and process of producing the same |
| EP1418797A3 (en) * | 2002-11-11 | 2006-01-04 | Ngk Spark Plug Co., Ltd | Wiring board and process of producing the same |
| JP2008252089A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-10-16 | Toda Kogyo Corp | フェライト成形シート、焼結フェライト基板およびアンテナモジュール |
| KR20160042708A (ko) * | 2014-10-10 | 2016-04-20 | 삼성전기주식회사 | 다층 세라믹 기판 및 그 제조 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981112 |