DE69927765T2 - Ic-karte und ihre struktur - Google Patents

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Description

  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine IC-Karte und einen mit der IC-Karte verwendeten Rahmen. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung eine IC-Karte und einen mit der IC-Karte verwendeten Rahmen, der eine ebene Spule umfasst, die durch Ausstanzen bzw. Ätzen gebildet wird, wobei eine Leiterbahn mehrmals in im wesentlichen der gleichen Ebene gewickelt ist und wobei Anschlussstellen der ebenen Spule und Elektrodenanschlussstellen eines Halbleiterelements leitend miteinander in der IC-Karte verbunden sind.
  • BESCHREIBUNG DES STANDES DER TECHNIK
  • Eine IC-Karte besteht aus einer ebenen Spule, bei der eine Leiterbahn mehrmals gewickelt ist, und aus einem Halbleiterelement. Die ebene Spule und andere Teile sind von einer Klebschicht aus Polyurethan umhüllt und abgedichtet, die innerhalb einer aus PVC bestehenden Harzschicht ausgebildet ist, die eine vordere und eine hintere Fläche der IC-Karte bildet, und es sind Buchstaben auf einer Oberfläche der Harzschicht gedruckt.
  • Wenn die derart gebildete IC-Karte ein von einem Kartenprozessor gebildetes Magnetfeld passiert, wird durch in der ebenen Spule der IC-Karte hervorgerufene elektromagnetische Induktion elektrische Energie erzeugt. Daher wird das Halbleiterelement durch die erzeugte elektrische Energie gestartet, so dass eine Kommunikation zwischen dem Halbleiterelement der IC-Karte und dem Kartenprozessor über die ebene Spule, die als eine Antenne wirkt, erfolgen kann.
  • Als eine in eine IC-Karte eingebaute herkömmliche ebene Spule ist eine isolierte ebene Spule gegeben, die so geformt ist, dass ein mit Isolierung umhüllter elektrisch leitender Draht gewickelt ist und dass ferner eine ebene Spule vorgesehen ist, die so geformt ist, dass eine Leiterbahn gebildet ist, wenn eine auf einer Harzschicht gebildete Metallfolie geätzt wird.
  • In diesem Zusammenhang ist es für eine weitere Verbreitung von IC-Karten erforderlich, die Kosten für IC-Karten zu reduzieren und es ist ebenfalls erforderlich, sie in Massenproduktion herzustellen. Jedoch ist es bei der vorstehend genannten IC-Karte, bei der die herkömmliche ebene Spule verwendet wird, schwierig die Kosten der ebenen Spule zu reduzieren. Ferner ist es schwierig, IC-Karten in ausreichendem Umfang in Massenproduktion herzustellen.
  • Daher offenbart die japanische, nicht geprüfte Patentveröffentlichung Nr. 6-310324 eine IC-Karte, in die eine ebene Spule eingefügt ist, die durch Ausstanzen gebildet wird.
  • Wie in der vorstehend genannten Patentveröffentlichung vorgeschlagen, können, verglichen mit der IC-Karte, bei welcher die herkömmliche ebene Spule eingebaut ist, durch eine ebene Spule, die durch Ausstanzen gebildet ist, die Kosten für die IC-Karte reduziert und die IC-Karte kann in Massenproduktion hergestellt werden.
  • 50 zeigt eine herkömmliche ebene Spule 100, die durch Ausstanzen gebildet ist. Bei dieser ebenen Spule 100 sind Anschlüsse 102, 104 jeweils innerhalb und außerhalb der Spule ausgebildet.
  • Aufgrund der vorstehend genannten Konstruktion kreuzt ein Draht 114, der einer der Drähte 112, 114 für den Anschluss der Anschlüsse 102, 104 der ebenen Spule 100 an die Elektrodenanschlüsse 108, 110 des Halbleiterelements 106 ist, einen Leitungsdraht 101, der die ebene Spule 100 bildet. Somit werden durch Verwenden von mit Isolierung umhüllten Drähten als Drähte 112, 114 die Kosten erhöht und eine Reduzierung der Kosten für die IC-Karte ist schwierig.
  • Wenn andererseits als Draht 112 ein nicht isolierter Draht verwendet wird, der die ebene Spule 100 nicht kreuzt und wenn als Draht 114 ein mit Isolierung umhüllter Draht verwendet wird, der die ebene Spule 100 kreuzt, ist es erforderlich, zwei Drahtarten zu verwenden, und der Herstellungsvorgang für IC-Karten wird kompliziert. Somit ist es schwierig, die Kosten für IC-Karten zu reduzieren und sie in Massenproduktion herzustellen.
  • Die WO 96/07982 offenbart eine IC-Karte, bei der das Halbleiterelement so innerhalb der ebenen Spule angeordnet ist, dass eine Anschlussverbindung die ebene Spule kreuzen muss.
  • Die JP-A-8287208, die den am nächsten kommenden Stand der Technik repräsentiert, offenbart eine IC-Karte, bei der das Halbleiterelement so oben auf der ebenen Spule angeordnet ist, dass Anschlussverbindungen die ebene Spule nicht kreuzen.
  • Da die Dicke der IC-Karte nicht mehr als 1 mm beträgt, ist es erforderlich, eine sehr dünne IC-Karte zu bilden. Ferner müssen durch Ausstanzen gebildete ebene Spulen leicht zu handhaben sein, wenn sie transportiert werden, und Halbleiterelemente müssen passend in die ebenen Spulen eingebaut sein.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Die durch die vorliegende Erfindung zu erzielende Hauptaufgabe ist es, eine IC-Karte zu schaffen, in die eine durch Ausstanzen gebildete ebene Spule eingebaut ist und bei der die Kosten für die IC-Karte reduziert werden können und ferner die IC-Karte in Massenproduktion hergestellt werden kann.
  • Die zweite durch die vorliegende Erfindung zu erzielende Aufgabe besteht darin, eine IC-Karte zu schaffen, die leicht in Massenproduktion hergestellt und deren Dicke entsprechend reduziert werden kann.
  • Um die vorstehend erstgenannte Aufgabe zu erzielen, haben die Erfinder der vorliegenden Erfindung geforscht und folgendes herausgefunden. Im allgemei nen ist eine Oberfläche eines Halbleiterelements, mit Ausnahme des Bereichs für einen Elektrodenanschluss, mit einer Passivierungsschicht bedeckt, so dass sie elektrisch isoliert ist. Daher kann ein Bereich des Halbleiterelements, mit Ausnahme des Bereichs für den Elektrodenanschluss, mit einer Leiterbahn der ebenen Spule verbunden sein, und wenn der Elektrodenanschluss des Halbleiterelements spulenseitig angeordnet ist, kann der Anschluss der ebenen Spule dicht am Elektrodenanschluss des Halbleiterelements angeordnet sein.
  • Daher haben die Erfinder der vorliegenden Erfindung das Halbleiterelement 106 so angeordnet, dass die Elektrodenanschlüsse 108, 110 leiterbahnseitig 101 bezüglich der ebenen Spule 100 angeordnet sein könnten und die Elektrodenanschlüsse 108, 110 des Halbleiterelements 106 an die Anschlüsse 102, 104 der ebenen Spule 100 über Drähte gebondet werden. Bei dieser IC-Karte ist es nicht erforderlich, den Draht, der die ebene Spule 100 mit dem Halbleiterelement 106 verbindet, zum Zweck der Isolierung zu umhüllen, und es kann ein Wedge-Bondverfahren angewandt werden, das herkömmlicher Weise als Bondverfahren zum Bonden eines Halbleiterelements an eine innere Zuleitung eines Trägerstreifens verwendet wird. Aufgrund dieses Wissens haben die Erfinder die vorliegende Erfindung ausgeführt.
  • Die vorliegende Erfindung schafft eine Baugruppe aus einer ebenen Spule und einem Halbleiter für eine IC-Karte, wobei die ebene Spule eine Leiterbahn umfasst, die mehrmals in im wesentlichen der gleichen Ebene gewickelt ist, wobei die ebene Spule durch Ausstanzen bzw. Ätzen einer Metallplatte gebildet wird, wobei Anschlüsse der ebenen Spule und Elektrodenanschlüsse des Halbleiterelements leitend miteinander verbunden sind, wobei die ebene Spule einen inneren Anschluss, der im Innern der Spule ausgebildet ist, aufweist, mit dem der Elektrodenanschluss des Halbleiterelements, der an der gleichen Seite bezogen auf das Innere und das Äußere der Spule angeordnet ist, leitend verbunden ist, und wobei die ebene Spule auch einen äußeren Anschluss, der außerhalb der Spule ausgebildet ist, aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass das Halblei terelement in einer in der ebenen Spule ausgebildeten Ausnehmung eingesetzt ist.
  • Der in der vorliegenden Erfindung beschriebene Ausdruck „in im wesentlichen der gleichen Ebene" bedeutet, dass die Leiterbahn als Ganzes in der gleichen Ebene gewickelt ist, auch wenn Unregelmäßigkeiten in einem Bereich der Leiterbahn, aus der die ebene Spule besteht, vorhanden sind.
  • Um die vorstehend erstgenannte Aufgabe erzielen zu können, schafft die vorliegende Erfindung eine IC-Karte, welche die Baugruppe der vorliegenden Erfindung umfasst, wobei Enden der ebenen Spule die Anschlüsse der ebenen Spule bilden und wobei das Halbleiterelement so angeordnet ist, dass eine Fläche des Elements, auf der die Elektrodenanschlüsse gebildet sind, der Leiterbahn der ebenen Spule gegenüber liegt, und wobei die jeweiligen Elektrodenanschlüsse des Halbleiterelements, die mit dem inneren und dem äußeren Anschluss der ebenen Spule verbunden sind, jeweils an Stellen angeordnet sind, die neben dem inneren und dem äußeren Anschluss der ebenen Spule liegen.
  • Um die vorstehend genannte Aufgabe lösen zu können, haben die Erfinder der vorliegenden Erfindung das Halbleiterelement 106 mit Bezug auf die ebene Spule 100 so angeordnet, dass eine Ebene des Halbleiterelements 106 an der hinteren Seite hinsichtlich einer Ebene, auf der die Elektrodenanschlüsse 108, 110 gebildet worden sind, halbleiterseitig angeordnet werden konnte und die Elektrodenanschlüsse 108, 110 des Halbleiterelements 106 jeweils an die Anschlüsse 101, 103 der ebenen Spule 100 gebondet wurden. Die Erfinder haben folgendes herausgefunden. Bei dieser IC-Karte ist es nicht erforderlich, die Drähte, welche die ebene Spule 101 mit dem Halbleiterelement 106 verbinden, zum Zweck der Isolierung zu umhüllen, und es kann ein Wedge-Bondverfahren angewandt werden, das herkömmlicher Weise als Bondverfahren zum Bonden des Halbleiterelements an eine innere Zuleitung eines Trägerstreifens verwendet wird.
  • Um die vorgenannte zweite Aufgabe lösen zu können, ist durch die vorliegende Erfindung eine IC-Karte gemäß den Ansprüchen 11 und 21 geschaffen worden.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine Draufsicht zur Erläuterung eines Beispiels der erfindungsgemäßen IC-Karte.
  • 2 ist eine Teil-Querschnittsansicht der in 1 gezeigten IC-Karte.
  • 3 ist eine Draufsicht zur Erläuterung eines Rahmens, bei dem eine Vielzahl ebener Spulen ausgebildet ist.
  • 4(a) bis 4(e) sind schematische Darstellungen zur Erläuterung des Wedge-Bondverfahrens.
  • 5 ist eine Teil-Querschnittsansicht zur Erläuterung eines weiteren Beispiels der erfindungsgemäßen IC-Karte.
  • 6 ist eine Teil-Draufsicht zur Erläuterung eines weiteren Beispiels der erfindungsgemäßen IC-Karte.
  • 7 ist eine perspektivische Teilansicht zur Erläuterung eines Anschlusses einer ebenen Spule, aus der die in den 1, 2, 5 und 6 gezeigte IC-Karte besteht.
  • 8 ist eine Teil-Draufsicht zur Erläuterung eines weiteren Beispiels der erfindungsgemäßen IC-Karte.
  • 9 ist eine perspektivische Teilansicht zur Erläuterung eines Anschlusses einer ebenen Spule, aus der die in der 8 gezeigte IC-Karte besteht.
  • 10 ist eine Teil-Draufsicht zur Erläuterung eines weiteren Beispiels der erfindungsgemäßen IC-Karte.
  • 11 ist eine perspektivische Teilansicht zur Erläuterung eines Anschlusses einer ebenen Spule, aus der die in der 10 gezeigte IC-Karte besteht.
  • 12 ist eine perspektivische Teilansicht zur Erläuterung eines weiteren Beispiels der in 11 gezeigten ebenen Spule.
  • 13 ist eine perspektivische Teilansicht zur Erläuterung eines Endbereichs der Leiterbahn 11 vor Bildung des Anschlusses der ebenen Spule, aus der die in den 7, 9, 11 und 12 gezeigte IC-Karte besteht.
  • 14 ist eine Teil-Querschnittsansicht zur Erläuterung eines weiteren Beispiels der erfindungsgemäßen IC-Karte.
  • 15 ist eine perspektivische Ansicht zur Erläuterung einer Konfiguration des in 14 gezeigten Verbindungselements 30 aus Metall.
  • 16 ist eine Teil-Querschnittsansicht zur Erläuterung eines weiteren Beispiels der erfindungsgemäßen IC-Karte.
  • 17 ist eine Teil-Querschnittsansicht zur Erläuterung einer Konfiguration des Anschlusses 10b (10a) der in 16 gezeigten ebenen Spule.
  • 18 ist eine Teil-Draufsicht zur Erläuterung eines weiteren Beispiels der erfindungsgemäßen IC-Karte.
  • 19 ist eine Teil-Querschnittsansicht zur Erläuterung eines weiteren Beispiels der erfindungsgemäßen IC-Karte.
  • 20 ist eine Teil-Draufsicht zur Erläuterung eines weiteren Beispiels der erfindungsgemäßen IC-Karte.
  • 21 ist eine Teil-Querschnittsansicht zur Erläuterung der in 20 gezeigten IC-Karte.
  • 22 ist eine Teil-Draufsicht zur Erläuterung eines weiteren Beispiels der erfindungsgemäßen IC-Karte.
  • 23 ist eine Teil-Querschnittsansicht zur Erläuterung der in 22 gezeigten IC-Karte.
  • 24 ist eine perspektivische Teilansicht zur Erläuterung eines weiteren Beispiels der erfindungsgemäßen IC-Karte.
  • 25 ist eine perspektivische Teilansicht zur Erläuterung eines weiteren Beispiels der erfindungsgemäßen IC-Karte.
  • 26 ist eine Teil-Draufsicht zur Erläuterung eines weiteren Beispiels der erfindungsgemäßen IC-Karte.
  • 27 ist eine Teil-Draufsicht zur Erläuterung eines weiteren Beispiels der erfindungsgemäßen IC-Karte.
  • 28 ist eine Teil-Querschnittsansicht zur Erläuterung der in 27 gezeigten IC-Karte.
  • 29 ist eine Draufsicht zur Erläuterung eines weiteren Beispiels der erfindungsgemäßen IC-Karte.
  • 30(a) und 30(b) sind Teil-Querschnittsansichten zur Erläuterung der in 29 gezeigten IC-Karte.
  • 31 ist eine Teil-Querschnittsansicht zur Erläuterung einer weiteren Variation der erfindungsgemäßen IC-Karte.
  • 32 ist eine Teil-Draufsicht zur Erläuterung einer weiteren Variation der erfindungsgemäßen IC-Karte.
  • 33 ist eine Teil-Draufsicht zur Erläuterung einer weiteren Variation der erfindungsgemäßen IC-Karte.
  • 34 ist eine Teil-Querschnittsansicht zur Erläuterung einer weiteren Variation der erfindungsgemäßen IC-Karte.
  • 35(a) und 35(b) sind eine Teil-Draufsicht bzw. eine Teil-Querschnittsansicht zur Erläuterung einer weiteren Variation der erfindungsgemäßen IC-Karte.
  • 36 ist eine Teil-Querschnittsansicht zur Erläuterung einer weiteren Variation der erfindungsgemäßen IC-Karte.
  • 37 ist eine perspektivische Teilansicht zur Erläuterung einer weiteren Variation der erfindungsgemäßen IC-Karte.
  • 38(a) und 38(b) sind eine Teil-Draufsicht bzw. eine Teil-Seitenansicht zur Erläuterung einer weiteren Variation der erfindungsgemäßen IC-Karte.
  • 39 ist eine Teil-Draufsicht zur Erläuterung einer weiteren Variation der erfindungsgemäßen IC-Karte.
  • 40 ist eine Teil-Draufsicht zur Erläuterung einer weiteren Variation der erfindungsgemäßen IC-Karte.
  • 41 ist eine Teil-Querschnittsansicht zur Erläuterung der in 40 gezeigten IC-Karte.
  • 42 ist eine Teil-Querschnittsansicht zur Erläuterung einer weiteren Variation der erfindungsgemäßen IC-Karte.
  • 43 ist eine Draufsicht zur Erläuterung einer weiteren Variation der erfindungsgemäßen IC-Karte.
  • 44 ist eine Teil-Querschnittsansicht der in 43 gezeigten IC-Karte.
  • 45 ist eine Draufsicht auf einen bei der in 43 gezeigten IC-Karte verwendeten Baustein 40.
  • 46 ist eine Teil-Draufsicht zur Erläuterung einer weiteren Variation der erfindungsgemäßen IC-Karte.
  • 47(a) bis 47(c) sind Teil-Querschnittsansichten, welche die Entstehung einer weiteren Variation der erfindungsgemäßen IC-Karte zeigen.
  • 48 ist eine perspektivische Ansicht einer Variation.
  • 49 ist eine Teil-Querschnittsansicht einer Variation, bei welcher Vergießharz verwendet wird.
  • 50 ist eine Draufsicht zur Erläuterung einer herkömmlichen IC-Karte.
  • DIE AMMEISTEN BEVORZUGTE AUSFÜHRUNGSFORM
  • 1 ist eine Draufsicht auf ein Beispiel der erfindungsgemäßen IC-Karte. Wie in 1 gezeigt, ist eine rechteckige ebene Spule 10 vorgesehen, bei der eine Leiterbahn 11, deren Dicke nicht weniger als 80 μm beträgt und die durch Ausstanzen gebildet worden ist, mehrmals in im wesentlichen der gleichen Ebene gewickelt ist. Diese ebene Spule 10 ist so aufgebaut, dass die Leiterbahn 11 mehrmals in der gleichen Ebene gewickelt ist, die die Ebene des Ganzen darstellt. Es sind Anschlüsse 10a, 10b vorgesehen, die jeweils an Endbereichen innerhalb bzw. außerhalb der ebenen Spule 10 angeordnet sind. Ferner sind Elektrodenanschlüsse 12a, 12b vorgesehen, die in einem Halbleiterelement 12 von 40 bis 50 μm Dicke gebildet sind und jeweils innerhalb bzw. außerhalb der ebenen Spule 10 angeordnet sind. Hinsichtlich der Anschlüsse 10a, 10b und der Elektrodenanschlüsse 12a, 12b sind die Anschlüsse, die auf der gleichen Seite innen bzw. außen gebildet sind, leitend miteinander verbunden.
  • Bei der in 1 dargestellten IC-Karte weist die ebene Spule 10, in die das Halbleiterelement 12 eingebaut ist, eine Ausnehmung 14 auf, die gebildet wird, wenn die Leiterbahn 11, aus der die ebene Spule 10 besteht, wie in 2 gezeigt, gebogen ist. In dieser Ausnehmung 14 befindet sich das Halbleiterelement 12. Die Leiterbahn 11 kann durch Ausstanzen wie vorstehend beschrieben gebogen werden. Die Ausnehmung 14 ist vorzugsweise so groß ausgebildet, dass das gesamte Halbleiterelement 12 in die Ausnehmung 14 eingesetzt werden kann.
  • In diesem Zusammenhang ist gemäß 1 die Ausnehmung 14 zwischen den Ecken der rechteckigen ebenen Spule 10 ausgebildet, die Ausnehmung 14 kann jedoch an der Ecke der ebenen Spule 10 ausgebildet sein, so dass das Halbleiterelement 12 in der Ausnehmung angeordnet sein kann.
  • Wie in 2 gezeigt, die eine Teil-Querschnittsansicht der in 1 gezeigten IC-Karte ist, sind Anschlussflächen 16 der Anschlüsse 10a, 10b der ebenen Spule 10, die so angeordnet sind, dass Abstände zwischen den Anschlüssen 10a, 10b und dem Halbleiterelement 12 bestehen, durch Zusammendrücken gebildet worden, so dass sich die Anschlussflächen 16 auf im wesentlichen der gleichen Seite befinden können wie die Flächen, an denen die Elektrodenanschlüsse 12a, 12b des Halbleiterelements 12 ausgebildet sind. Bereiche, in denen diese Anschlussflächen 16 ausgebildet sind, weisen im wesentlichen die gleiche Dicke auf wie das in 2 dargestellte Halbleiterelement 12.
  • Wie vorstehend beschrieben, befinden sich bei der in den 1 und 2 gezeigten IC-Karte die Anschlussflächen 16 der Anschlüsse 10a, 10b der ebenen Spule 10 und die Flächen, auf denen die Elektrodenanschlüsse 12a, 12b des Halbleiterelements 12 ausgebildet sind, in im wesentlichen der gleichen Ebene.
  • Daher kann Drahtbonden durch das Wedge- oder das Ball-Bondverfahren erfolgen. Wie in 2 gezeigt, können daher die Anschlüsse 10a, 10b der ebenen Spule 10 mit den Elektrodenanschlüssen 12a, 12b des Halbleiterelements 12 über die aus Gold, Platin oder Aluminium bestehenden Drähte 18 leitend verbunden werden, ohne dass Teile der Drahtschlaufen von der Fläche der ebenen Spule 10 wegragen.
  • Wie in 2 gezeigt, sind die ebene Spule 10, das Halbleiterelement 12 und andere Teile von Klebschichten 22a, 22b aus Polyurethan oder Polyolefin umhüllt und abgedichtet, die im Innern der Harzschichten 20a, 20b gebildet sind, die eine vordere Fläche und eine hintere Fläche der IC-Karte bilden, und es sind Buchstaben auf Oberflächen der Harzschichten gedruckt.
  • Bei der Herstellung der in den 1 und 2 gezeigten IC-Karte wird vorzugsweise ein in 3 dargestellter Rahmen F für die ebene Spule 10 verwendet. Dieser Rahmen F wird durch Ausstanzen einer Metallplatte gebildet, die aus Kupfer, Eisen oder Aluminium bestehen kann. Der Rahmen F weist zwei Schienen 60, 60 auf, die parallel zueinander sind, und ebene Spulen 10, 10... sind längs zwischen den beiden Schienen 60, 60 angeordnet. Die ebenen Spulen 10, 10 ... bestehen aus Leiterbahnen 11, und die äußersten Leiterbahnen 11a sind dicker als andere Leiterbahnen 11, und die Leiterbahn 11a der ebenen Spule 10 ist mit der Leiterbahn 11a der benachbarten ebenen Spule 10 über den Verbindungsbereich 62 verbunden. Aufgrund der vorgenannten Struktur kann die mechanische Festigkeit der ebenen Spule 10 erhöht und die Handhabung des Rahmens F während seines Transports ebenfalls verbessert werden.
  • Bei der ebenen Spule 10 des in 3 gezeigten Rahmens F weist die äußerste Leiterbahn 11a eine dicke Form auf, eine IC-Karte kann jedoch auch unter der Bedingung gebildet werden, dass die Leiterbahn 11a dicker ist als die anderen Leiterbahnen 11. Alternativ kann, wenn der Verbindungsbereich 62 abgeschnit ten ist, die äußerste Leiterbahn 11a abgeschnitten sein, so dass die Leiterbahn 11a genauso dick sein kann, wie die übrigen Leiterbahnen 11.
  • Um die mechanische Festigkeit der ebenen Spule 10 erhöhen zu können, können die Leiterbahnen 11, aus denen die ebene Spule 10 besteht, über die Verbindungsbereiche verbunden werden. Ein Kurzschluss zwischen den Leiterbahnen 11 kann verhindert werden, wenn die Verbindungsbereiche geschnitten werden, bevor sie von den Klebschichten 22a, 22b umhüllt werden, die innerhalb der Harzschichten 20a, 20b gebildet sind, welche an der vorderen und an der hinteren Fläche der IC-Karte gebildet sind.
  • In diesem Zusammenhang kann ein in 3 gezeigter Rahmen F ebenfalls hergestellt werden, indem auf eine Metallplatte aus Metall wie z.B. Kupfer, Eisen oder Aluminium oder eine Metallplatte aus einer Legierung dieser Metalle geätzt wird. Bei einem Rahmen F, der durch Ätzen hergestellt worden ist, kann eine ebene Spule 10 gebildet werden, die aus einer Leiterbahn 11 besteht, die dünner ist als eine Leiterbahn 11 einer durch Ausstanzen gebildeten ebenen Spule.
  • Wenn eine IC-Karte aus dem in 3 gezeigten Rahmen F hergestellt wird, kann das Halbleiterelement 12 in die ebene Spule 10 eingebaut werden, die vom Rahmen F getrennt ist, vorzugsweise wird jedoch das Halbleiterelement 12 in die ebene Spule 10 eingebaut, ohne die Spule 10 vom Rahmen F zu trennen. In diesem Fall wird das Halbleiterelement 12 in jede im Rahmen F gebildete ebene Spule 10 eingebaut, und die Anschlüsse 10a, 10b der ebenen Spule 10 und die Efektrodenanschlüsse 12a, 12b des Halbleiterelements 12 sind durch die Drähte 18, 18 miteinander verbondet.
  • Als nächstes werden die ebene Spule 10 und das Halbleiterelement 12 von den Harzschichten 20a, 20b umhüllt, wobei an einer Seite davon die Klebschichten 22a, 22b ausgebildet sind. Danach wird eine vorab bestimmte Position ausge schnitten, so dass die ebene Spule 10 vom Rahmen F getrennt werden kann. Auf diese Weise kann die IC-Karte erhalten werden.
  • Was das Bondverfahren betrifft, bei dem die Drähte verwendet werden, so wird vorzugsweise das Wedge-Bondverfahren angewandt, da die Wölbungen (die Größe der Drahtschlaufen) der Drähte 18, 18 durch das Wedge-Bondvertahren so weit reduziert werden können, dass sie so klein wie möglich sind. Dieses Wedge-Bondverfahren kann realisiert werden, wenn das in 4 gezeigte Wedge-Bondgerät verwendet wird. Dieses Wedge-Bondgerät wird im allgemeinen als Herstellungsgerät für Halbleiter benutzt.
  • Bei dem durch das vorstehend genannte Wedge-Bondgerät durchgeführte Bonden wird ein Keil 24 in eine Position über einen der zu bondenden Anschlüsse gebracht (dieser zu bondende Anschluss wird im Folgenden als Bond-Anschluss bezeichnet). Ein vorderes Ende des von einer Klemme 26 gehaltenen Drahtes 18 wird schräg in einen vorderen Endbereich dieses Keils 24 eingeführt, wie in 4(a) dargestellt. Dieser Keil 24 wird gesenkt, so dass er eine „Kontaktbondung" ausführt, indem das vordere Ende des Drahtes 18 auf die Anschlussfläche gedrückt wird, wie in 4(b) dargestellt.
  • Während der Keil 24 in eine Richtung des anderen Bondanschlusses bewegt wird, der auf im wesentlichen der gleichen Ebene wie der Ebene eines Bondanschlusses gebildet ist, wird die Klemme 26 geöffnet, so dass der Draht 18 zum anderen Bondanschluss geführt wird, wie in 4(c) dargestellt. Danach wird das vordere Ende des Drahtes 18 mittels „Kontaktbonden" mit Druck auf die Anschlussfläche des anderen Bondanschlusses gebondet, wie in 4(d) dargestellt.
  • Danach wird der Draht 18 durch die Klemme 26 gehalten und gezogen. Danach wird der Draht 18 wie in 4(e) dargestellt abgeschnitten. Auf diese Weise ist der Vorgang des Bondens beendet.
  • Wenn eine Folge von Vorgängen, wie in den 4(a) bis 4(e) dargestellt, wiederholt wird, kann der Vorgang des Bondens der Reihe nach durchgeführt werden.
  • Gemäß dem vorstehend genannten Wedge-Bondverfahren wird der vordere Endbereich des durch die Klemme 26 gehaltenen Drahtes 18 schräg in den vorderen Endbereich des Keils 24 eingeführt, wie in 4 dargestellt. Folglich kann, wenn der Draht 18, dessen vorderer Endbereich durch Kontaktbonden an einen der Bondanschlüsse gebondet worden ist, zu dem anderen Bondanschluss geführt wird, die Wölbung (die Größe einer Schlaufe) des Drahtes 18 so reduziert werden, dass sie so klein wie möglich ist.
  • Angesichts des vorstehend Genannten können, wie in 2 dargestellt, die Anschlüsse 10a, 10b der ebenen Spule 10 und die Elektrodenanschlüsse 12a, 12b des Halbleiterelements 12 über die Drähte 18, 18 leitend miteinander verbunden werden, ohne dass ein Teil einer Schlaufe von der Fläche der ebenen Spule 10 wegragt.
  • Bei dem in 2 gezeigten schlaufenförmigen Draht 18 können folgende Probleme auftreten. Wenn die ebene Spule 10, das Halbleiterelement 12 und andere Teile von den Harzschichten 20a, 20b umhüllt sind, wobei an einer Seite davon die Klebschichten 22a, 22b gebildet sind, wird der schlaufenförmige Bereich des Drahtes 18 in eine Strömungsrichtung des Klebers verformt, und der durch „Kontaktbonden" gebondete Bereich des Drahtes 18 wird abgestreift und dann der Draht 18 abgeschnitten. Aufgrund des vorstehend Gesagten besteht die Möglichkeit, dass der Draht 18 die Leiterbahn 11 der ebenen Spule 10 berührt. Um eine Verformung und dergleichen des schlaufenförmigen Drahtes 18 zu verhindern, wird vorzugsweise der „kontaktgebondete" Bereich des Drahtes 18, der an den Anschluss 10b der ebenen Spule 10 und den Elektrodenanschluss 12b des Halbleiterelements 12 „kontaktgebondet" ist, durch Harz 15, 15 fixiert, insbesondere durch Harz, das durch ultraviolette Strahlen gehärtet wird.
  • In diesem Zusammenhang ist das Bonden des Drahtes 18 nicht auf das vorgenannte Wedge-Bondverfahren begrenzt, sondern es kann auch ein Ball-Bondverfahren angewandt werden.
  • Bei der in den 1 und 2 dargestellten IC-Karte erfolgt das Bonden durch die Drähte 18, 18, um die Anschlüsse 10a, 10b der ebenen Spule 10 mit den Elektrodenanschlüssen 12a, 12b des Halbleiterelements 12 leitend zu verbinden. Die Dicke des Halbleiterelements 12 beträgt 40 bis 50 μm, das heißt, das Gewicht des Halbleiterelements 12 ist gering. Daher kann das Halbleiterelement 12 durch die Drähte 18, 18 ausreichend gehalten werden.
  • In dem Fall, in dem das Halbleiterelement 12 nicht nur durch die vorgenannten Drähte 18, 18 gehalten werden kann und Probleme bei der Fertigung auftreten, können zwischen den Leiterbahnen 11 und Kontaktflächen 23a, 23b wie in 6 gezeigt Drähte 25, 25 zum Halten des Halbleiterelements 12 vorgesehen sein. In diesem Fall sind die zum Halten des Halbleiterelements 12 vorgesehenen Flächen 23a, 23b an Positionen außerhalb und innerhalb der ebenen Spule 10 auf einer Fläche angeordnet, auf der die Elektrodenanschlüsse 12a, 12b des Halbleiterelements 12 ausgebildet sind.
  • In diesem Zusammenhang weist die in 6 gezeigte Struktur zwei Drähte 25 zum Halten auf. Solange jedoch das Halbleiterelement 12 durch einen Draht 25 in ausreichendem Maß gehalten werden kann, kann auch nur ein Draht 25 vorgesehen sein.
  • Die Anschlussfläche 16 der Anschlüsse 10a, 10b der in den 1 bis 6 gezeigten ebenen Spule 10 kann im wesentlichen die gleiche Fläche sein, die zusammengedrückt wird, wie die Fläche, auf der die Elektrodenanschlüsse 12a, 12b des Halbleiterelements 12 gebildet sind, und die Konfiguration der Anschlussfläche 16 kann willkürlich bestimmt sein. Vorzugsweise sollte jedoch die Konfiguration der Anschlüsse 10a, 10b der in den 1, 2 und 6 gezeigten ebenen Spule 10 die in 7 gezeigte Konfiguration aufweisen. Die Anschlussfläche 16 des in 7 gezeigten Anschlusses 10a 10(b) wird durch Zusammendrücken gebildet und ist unter der Bedingung vergrößert worden, dass ihre Breite die der Leiterbahn 11 aufweist. Daher ist es möglich, einen Bereich in ausreichendem Maße zu gewährleisten, in dem die Anschlussfläche 16 mit dem Anschluss des im wesentlichen parallel zur Leiterbahn 11 angeordneten Drahtes 18 verbunden ist.
  • Die Anschlüsse 10a, 10b der ebenen Spule 10 können folgendermaßen mit den Elektrodenanschlüssen 12a, 12b des Halbleiterelements 12 verbunden werden. Die Anschlüsse 10a, 10b der ebenen Spule 10 sind vom Halbleiterelement 12 getrennt und an Positionen nahe der Elektrodenanschlüsse 12a, 12b angeordnet, die sich innerhalb und außerhalb der ebenen Spule befinden, und die derart angeordneten Anschlüsse 10a, 10b der ebenen Spule 10 sind mit den Elektrodenanschlüssen 12a, 12b verbunden. 8 zeigt den Fall, bei dem die Drähte 18, 18, welche die Anschlüsse 10a, 10b mit den Elektrodenanschlüssen 12a, 12b verbinden, in eine Richtung senkrecht zur Leiterbahn 11 verlaufen.
  • Vorzugsweise weisen die Anschlüsse 10a, 10b der in 8 gezeigten ebenen Spule 10 die in 9 gezeigte Konfiguration auf. Die Breite der Anschlussfläche 16, die zusammengedrückt worden ist, des in 9 gezeigten Anschlusses 10a (10b) wird so vergrößert, dass die Breite der Anschlussfläche 16 größer ist als die der Leiterbahn 11. Daher ist die Anschlussfläche 16 groß genug, wenn sie mit einem Ende des Drahtes 18 verbunden ist, der in einer Richtung senkrecht zur Leiterbahn 11 verläuft.
  • Was den schlaufenförmigen in 2 gezeigten Draht 18 betrifft, besteht die Möglichkeit, dass der Draht 18 in eine Strömungsrichtung des Klebers verformt wird, wenn der Draht 18 von den Klebschichten 22a, 22b, die an einer Seite der Harzschichten 20a, 20b gebildet sind, umhüllt und abgedichtet wird. Insbesondere besteht die Möglichkeit, dass der verformte Draht 18 die Leiterbahn 11 berührt, wenn ein Abstand zwischen dem Draht 18 und der Leiterbahn 11, aus der die ebene Spule 10 besteht, gering ist. Um das vorstehend genannte Problem lösen zu können, wird vorzugsweise, wie in 10 dargestellt, ein Wandbereich 27 in einem Bereich der Anschlussfläche 16 an der der Leiterbahn 11 gegenüberliegenden Seite in den Anschlüssen 10a, 10b, die sich innerhalb und außerhalb der ebenen Spule 10 befinden, gebildet. Durch diesen Wandbereich 27 kann das Strömen von Kleber in Bereiche nahe der Anschlüsse 10a, 10b reduziert werden, wenn der Draht 18 von den Klebschichten 22a, 22b umhüllt ist. Daher kann verhindert werden, dass der Draht 18 die Leiterbahn 11 berührt und verformt wird.
  • Vorzugsweise weisen die Anschlüsse 10a, 10b der in 10 gezeigten ebenen Spule 10 die in 11 gezeigte Konfiguration auf. Bei den in 11 gezeigten Anschlüssen 10a, 10b ist eine Anschlussfläche 16 gebildet, die zusammengedrückt ist, so dass der Endbereich der Leiterbahn 11 vergrößert werden kann, unter der Bedingung, dass die Breite der Leiterbahn 11 beibehalten wird, und ein Wandbereich 27 ist vertikal in einem Bereich auf der der Leiterbahn 11 gegenüberliegenden Seite vorgesehen.
  • Es ist möglich, Anschlüsse 10a, 10b wie in 12 gezeigt anstelle der in 11 gezeigten Anschlüsse 10a, 10b der ebenen Spule 10 zu verwenden. Bei den in 11 gezeigten Anschlüssen 10a, 10b ist eine Anschlussfläche 16 gebildet, die zusammengedrückt wird, so dass der Endbereich der Leiterbahn 11 vergrößert werden kann, unter der Bedingung, dass die Breite der Leiterbahn 11 beibehalten wird, und Wandbereiche 27a, 27b sind ferner an beiden Seiten der Anschlussfläche 16 gebildet. Gemäß den in 12 gezeigten Anschlüssen 10a, 10b ist es möglich, eine ausreichend große Anschlussfläche 16 zu gewährleisten, die mit dem Endbereich des Drahtes 18 verbunden ist, der sich im wesent lichen parallel zur Leiterbahn 11 erstreckt, und es ist möglich, den Kleberfluss in Bereichen nahe der Anschlüsse 10a, 10b zu reduzieren, wenn der Draht 18 von den Klebschichten 22a, 22b umhüllt ist. Daher kann verhindert werden, dass der Draht 18 die Leiterbahn 11 berührt und verformt wird. Selbst wenn der Draht 18 leiterbahnseitig verformt sein sollte, kann durch den leiterbahnseitig gebildeten Wandbereich verhindert werden, dass der Draht 18 die Leiterbahn 11 berührt.
  • Jeder der in den 7, 9, 11 und 12 gezeigten Anschlüsse 10a (10b) kann gebildet werden, indem der Endbereich der Leiterbahn 11, aus der die ebene Spule 10 besteht, zusammengedrückt wird. Da die durch Zusammendrücken gebildeten Anschlüsse 10a, 10b über den Draht 18 gebondet werden, um die Anschlüsse 10a, 10b leitend mit dem Draht 18 zu verbinden, werden die Anschlussflächen 16 der Anschlüsse 10a, 10b vorzugsweise vergoldet oder palladiniert.
  • Da die Konfigurationen der Anschlüsse 10a, 10b kompliziert sind, ist es jedoch schwierig, nur die Anschlussflächen 16 zu vergolden bzw. zu palladinieren. Daher findet vorzugsweise ein Vergolden bzw. Palladinieren vorab in einem Endbereich der Leiterbahn 1 statt, die, wie in 13 gezeigt, zusammengedrückt ist. Eine Gold- oder Palladiumschicht, die vorab mittels Galvanisieren aufgebracht worden ist, kann die Anschlussflächen 16 der vergrößerten Anschlüsse 10a, 10b während des Zusammendrückens im wesentlichen bedecken.
  • Bei der vorstehend beschriebenen IC-Karte sind die Anschlüsse 10a, 10b der ebenen Spule 10 und die Elektrodenanschlüsse 12a, 12b des Halbleiterelements 12 durch die aus Gold, Platin oder Aluminium bestehenden Drähte 18 verbunden, deren elektrische Leitfähigkeit hoch ist. Da jedoch die Drähte 18, 18 dünn sind, ist der elektrische Widerstand der Drähte 18, 18 höher als der der Leiterbahn 11, aus der die ebene Spule 10 besteht. Folglich kann das Problem auftreten, dass Strom, der in der ebenen Spule 10 durch elektromagnetische Induktion erzeugt worden ist, in nicht ausreichender Weise zum Halbleiterelement 12 weiter geleitet wird.
  • Um das vorstehend genannte Problem lösen zu können, werden die Anschlüsse 10a, 10b der ebenen Spule 10 und die Elektrodenanschlüsse 12a, 12b des Halbleiterelements 12 vorzugsweise durch bandförmige Verbindungselemente 30 aus Metall miteinander verbunden, wie in 14 gezeigt.
  • Die Breite dieses bandförmigen Verbindungselements 30 aus Metall ist ungefähr die gleiche wie die der Leiterbahn 11, und dieses bandförmige Verbindungselement 30 aus Metall besteht aus einem Metall wie Kupfer, Gold oder Aluminium, deren elektrische Leitfähigkeit hoch ist. Dieses Verbindungselement 30 aus Metall kann ein flaches Blech sein, vorzugsweise wird jedoch ein Blech verwendet, dessen mittlerer Bereich erhaben ist, wie in 15 dargestellt. Der Grund dafür ist, dass in der ebenen Spule 10 durch einen Koeffizientenunterschied der Wärmeausdehnung zwischen der ebenen Spule 10 und dem Halbleiterelement 12 erzeugte Spannung durch dieses Verbindungselement 30 aus Metall, dessen mittlerer Bereich kuppelförmig ist, absorbiert werden kann, und dass ferner durch Biegen der IC-Karte in der ebenen Spule 10 erzeugte Spannung ebenfalls durch dieses Verbindungselement 30 aus Metall absorbiert werden kann. Beide Endbereiche 30a, 30b dieses in 15 gezeigten Verbindungselements 30 aus Metall sind flach ausgebildet und jeweils mit den Anschlüssen 10a (10b) der ebenen Spule 10 und den Elektrodenanschlüssen 12a (12b) des Halbleiterelements 12 verbunden.
  • In diesem Fall, in dem das Verbindungselement 30 aus Metall aus Kupfer besteht, erfolgt die Verbindung der beiden Anschlüsse folgendermaßen. Die Anschlussfläche des Verbindungselements 30 aus Metall ist vergoldet oder verzinnt, und die Elektrodenanschlüsse 12a, 12b des Halbleiterelements 12 und die Anschlüsse 10a, 10b der ebenen Spule 10 sind vergoldet, und beide zu verbindenden Anschlüsse werden erhitzt und durch „Kontaktbonden" gebondet, so dass sie über die dadurch gebildete eutektische Legierung miteinander verbunden sind. Andererseits können in dem Fall, in dem das Verbindungselement 30 aus Metall aus Gold oder Aluminium besteht, beide Anschlüsse miteinander verbunden werden, ohne dass eine Galvanisierung auf der Anschlussfläche des Verbindungselements 30 aus Metall stattfindet. Es ist auch möglich, beide Anschlüsse miteinander zu verbinden, indem ein elektrisch leitender Kleber verwendet wird.
  • In diesem Zusammenhang ist es natürlich erforderlich, den erhabenen Bereich 30c in einer geeigneten Größe auszubilden, damit er nicht von der ebenen Spule 10 wegragt.
  • Um einen elektrischen Widerstandswert des Verbindungsbereichs zwischen den Anschlüssen 10a, 10b der ebenen Spule 10 und den Elektrodenanschlüssen 12a, 12b des Halbleiterelements 12 reduzieren zu können, können der Anschluss 10b (10a) und der Elektrodenanschluss 12b (12a) wie in 16 gezeigt direkt miteinander verbunden werden. Die vorgenannte Verbindung kann folgendermaßen erfolgen. Die Elektrodenanschlüsse 12a, 12b des Halbleiterelements 12 sind vergoldet und die Anschlüsse 10a, 10b der ebenen Spule 10 sind mit einem Metall wie Gold oder Zinn überzogen. Sie werden erhitzt und zusammengedrückt, so dass sie miteinander verbunden werden können, indem zwischen ihnen eine eutektische Legierung gebildet wird. Die beiden Anschlüsse können auch dadurch miteinander verbunden werden, dass ein elektrisch leitender Kleber verwendet wird.
  • Damit in diesem Fall die Anschlüsse 10b (10a) mit den Elektrodenanschlüssen 12b (12a) leitend verbunden werden können, ist vorzugsweise ein Vorsprung 32, der zusammengedrückt wird, wenn er den Elektrodenanschluss 12b (12a) des Halbleiterelements 12 berührt, auf der Anschlussfläche des Anschlusses 10b (10a) gebildet, wie in 17 dargestellt.
  • In dem Fall, in dem die Elektrodenanschlüsse 12b, 12a des Halbleiterelements 12 und die Anschlüsse 10a, 10b der ebenen Spule 10 wie in 16 gezeigt direkt miteinander verbunden sind, konzentriert sich eine in der ebenen Spule 10 erzeugte Spannung an den Verbindungsbereichen beider Anschlüsse durch den Einfluss des Biegens und Erhitzens der IC-Karte, und beide Anschlüsse werden voneinander getrennt. Um die Spannungskonzentration auf die Verbindungsbereiche beider Anschlüsse zu mindern, ist es vorzuziehen, Spannung absorbierende Bereiche zum absorbieren von Spannung, die an der ebenen Spule 10 an Stellen gegeben ist, die sich in der Nähe der Anschlüsse 10a, 10b der ebenen Spule 10 befinden, vorzusehen.
  • Was den vorstehend genannten Spannung absorbierenden Bereich betrifft, wird der in 18 dargestellte gebogene Bereich 34 vorzugsweise als Spannung absorbierender Bereich vorgesehen, da dieser gebogene Bereich 34 leicht durch Ausstanzen gebildet werden kann. Wenn dieser gebogene Bereich 34 vorhanden ist, kann Spannung, die an der ebenen Spule 10 gegeben ist, durch das Ausdehnen und Zusammenziehen des gebogenen Bereichs 34 absorbiert werden. Daher kann an den Verbindungsbereichen beider Anschlüsse vorhandene Spannung reduziert werden.
  • Die in der ebenen Spule 10 gebildete Ausnehmung 14 wird gebildet, wenn die Leiterbahn 11 gebogen wird. Ferner kann die Ausnehmung 14 in der ebenen Spule 10 so geformt sein, dass ein mittlerer Bereich der Leiterbahn 11 zusammengedrückt wird, da die Leiterbahn 11 dicker ist als das Halbleiterelement 12, so dass die Ausnehmung 14 wie in 19 dargestellt gebildet sein kann. In diesem Fall können die ebene Spule 10 und das Halbleiterelement 12 in der Mitte der IC-Karte in Dickenrichtung angeordnet sein. Daher kann die IC-Karte dünn hergestellt werden. In diesem Zusammenhang sind in diesem Fall das Halbleiterelement 12 und der Draht 18 in einem Dickenbereich t der Leiterbahn 11 angeordnet.
  • In diesem Zusammenhang wird ein Bereich der Leiterbahn 11, der zusammengedrückt worden ist, dünner als andere Bereiche der Leiterbahn 1, wie in 19 gezeigt, dadurch entstehen jedoch keine Probleme bei dem elektrischen Widerstand der Leiterbahn 11 selbst.
  • Bei der vorstehend beschriebenen IC-Karte wird die Ausnehmung 14 gebildet, indem die Leiterbahn 11, aus der die ebene Spule 10 besteht, gebogen oder zusammengedrückt wird. Wie jedoch in den 20 und 21 dargestellt, können dann, wenn ein Bereich nahe dem Ende der Leiterbahn 11 in Dickenrichtung der IC-Karte gebogen und der Endbereich zusammengedrückt wird, die jeweiligen Anschlussflächen 16 der Anschlüsse 10a, 10b der ebenen Spule 10 so geformt werden, dass sie in im wesentlichen der gleichen Ebene liegen wie die Ebene, welche die Formfläche umfasst, auf der die Elektrodenanschlüsse 12a, 12b des Halbleiterelements 12 gebildet sind, ohne dass die Ausnehmung 14 in der ebenen Spule 10 gebildet wird.
  • Gemäß den 20 und 21 klebt, wenn die Anschlüsse 10a, 10b der ebenen Spule 10 und die Elektrodenanschlüsse 12a, 12b des Halbleiterelements 12 über die Drähte 18, 18 miteinander verbondet sind, die Leiterbahn 11 der ebenen Spule 10, die durch eine obere Fläche des Halbleiterelements 12 verläuft, nicht am Halbleiterelement 12. Vorzugsweise wird jedoch folgendes Verfahren durchgeführt. Wie in den 22 und 23 gezeigt, werden, nachdem die Leiterbahn 11 der ebenen Spule 10, die durch eine obere Fläche des Halbleiterelements 12 verläuft, durch die Klebschicht 36 an das Halbleiterelement 12 geklebt worden ist, die Anschlüsse 10a, 10b der ebenen Spule 10 und die Elektrodenanschlüsse 12a, 12b des Halbleiterelements 12 über Drähte miteinander verbondet. Wenn die Leiterbahn 11 der ebenen Spule 10 durch die Klebschicht 36 an das Halbleiterelement 12 geklebt worden ist, kann durch das Bonden eine Positionierung leicht durchgeführt werden.
  • In diesem Zusammenhang wird selbst bei dem in den 1 bis 19 gezeigten Fall vorzugsweise folgende Vorgehensweise angewandt. Nachdem die Leiterbahn 1 der ebenen Spule 10 durch die Klebschicht 36 an das Halbleiterelement 12 geklebt worden ist, werden die Anschlüsse 10a, 10b der ebenen Spule 10 und die Elektrodenanschlüsse 12a, 12b des Halbleiterelements 12 miteinander verbunden.
  • Bei der in 6 gezeigten Struktur wird zur Halterung des Halbleiterelements 12 der Draht 25 zwischen dem Halbleiterelement 12 und der Leiterbahn 11 der ebenen Spule 10 gespannt. Jedoch ist es bei der Leiterbahn 11, deren Breite schmal ist, schwierig, ein Ende des Drahtes 25 mit der Leiterbahn 11 zu verbinden. In diesem Fall wird vorzugsweise folgender Verfahrensschritt angewandt. Wie in 24 dargestellt, ist die Anschlussfläche des Anschlusses 10b (10a) der ebenen Spule 10, die zusammengedrückt worden ist, vergrößert worden, und der mit dem Elektrodenanschluss 12b (12a) des Halbleiterelements 12 und dem mit der haltenden Kontaktfläche 23b (23a) verbundenen Draht 25 verbundene Draht 18 mit dem Anschluss 10b (10a) der ebenen Spule 10 verbunden. Bei diesem Anschluss 10b (10a) der ebenen Spule 10 ist eine C-förmige Ausnehmung 33 vorgesehen, in die ein Endbereich eingeführt wird, der den Elektrodenanschluss 12b (12a) des Halbleiterelements 12 aufweist und der ebenfalls die Kontaktfläche 23b (23a) für den haltenden Draht aufweist. Wenn der Endbereich des Halbleiterelements 12 in diese Ausnehmung 33 eingeführt wird, wird der Anschluss 10b (10a) der ebenen Spule 10 entlang der Endkante des Endbereichs des Halbleiterelements 12 so vergrößert, dass der Anschluss 10b (10a) den Endbereich des Halbleiterelements 12 umgibt, wobei der Elektrodenanschluss 12b (12a) mit dem Anschluss 10b (10a) der ebenen Spule 10 verbunden ist. Aufgrund des vorstehend Gesagten kann das Halbleiterelement 12 leicht positioniert werden und darüber hinaus kann die Länge des Drahtes 18 und des haltenden Drahtes 25 reduziert werden. In diesem Fall ist es ebenfalls vorzuziehen, dass der Draht 18 und der Draht 25 miteinander verbondet werden, nachdem das Halbleiterelement 12 und die Leiterbahn 11 der ebenen Spu le 10 durch die Klebschicht 36 miteinander verklebt worden sind, wie in den 22 und 23 dargestellt.
  • Wenn ferner der Draht 18 und der Stützdraht 25 in einer geraden Linie parallel zur Leiterbahn 11 wie in 24 gezeigt verlaufen, können beide Drähte leicht verbondet und das Halbleiterelement 12 gehalten werden, wodurch eine gute Balance aufrechterhalten wird.
  • Bei der in 10 gezeigten Struktur ist ein Wandbereich 27 an der Seite der Anschlüsse 10b, 10b der ebenen Spule 10 vorgesehen. Durch diesen Wandbereich 27 ist es möglich, das Fließen von Kleber in Bereiche nahe der Anschlüsse 10a, 10b der ebenen Spule 10 zu reduzieren, wenn der Draht 18 von den Klebschichten 22a, 22b umhüllt ist. Somit kann eine Verformung des Drahtes 18 verhindert werden. Andererseits kann, um die Verformung des Drahtes 18 durch Reduzieren des Kleberflusses in einen Bereich nahe des Elektrodenanschlusses 12b (12a) des Halbleiterelements 12 verhindern zu können, vorzugsweise ein U-förmiger Bereich 40, in dem sich der Elektrodenanschluss 12b (12a) des Halbleiterelements 12 befindet, in einem vergrößerten Bereich 38 ausgebildet sein, der sich in der Mitte der Leiterbahn 11 befindet, die durch eine obere Fläche des Halbleiterelements 12 verläuft, wie in 25 gezeigt. Wenn der Draht 18 durch Bilden des vergrößerten Bereichs 38 geschützt worden ist, wird der in 9 gezeigte Anschluss 10b (10a) vorzugsweise als Anschluss 10b (10a) der ebenen Spule 10 verwendet. Bei diesem Anschluss 10b (10a) ist die Breite der Anschlussfläche 16, die durch Zusammendrücken gebildet worden ist, breiter als die der Leiterbahn 11. Daher ist die Anschlussfläche 16 groß genug, wenn sie mit einem Endbereich des Drahtes 18 verbunden wird, der in eine Richtung senkrecht zur Leiterbahn 11 verläuft.
  • Selbst bei dem in 25 gezeigten Fall ist es vorzuziehen, dass die durch „Kontaktbonden" gebondeten Bereiche zwischen den Anschlüssen 10a, 10b der ebenen Spule 10 und den Elektrodenanschlüssen 12a, 12b des Halbleiterele ments 12 mittels Harz 15, 15 fixiert werden, wie in 5 gezeigt, insbesondere mittels durch ultraviolette Strahlen gehärtetes Harz, da die Verformung des Drahtes 18 weiter verhindert werden kann, wenn die durch „Kontaktbonden" gebondeten Bereiche mittels Harz fixiert sind.
  • Selbst bei der in 25 gezeigten Struktur ist es vorzuziehen, dass das Halbleiterelement 12 und die Leiterbahn 11 der ebenen Spule 10 durch die Klebschicht 36 miteinander verklebt werden und dann der Draht 18 gebondet wird.
  • Bei der vorstehend beschriebenen IC-Karte ist die die ebene Spule 10 bildende Leiterbahn 11 dicker als das Halbleiterelement 12. Wenn allerdings das Halbleiterelement 12 im wesentlichen genauso dick ist wie die Leiterbahn 11, kann die IC-Karte wie in 26 gezeigt verwendet werden, wobei das Halbleiterelement 12 so angeordnet ist, dass die die Elektrodenanschlüsse 12a, 12b bildenden Flächen auf der Leiterbahn 11 mit Bezug auf die ebene Spule 10 angeordnet sein können, und die Elektrodenanschlüsse 12a, 12b des Halbleiterelements 12 sind jeweils mit den Anschlüssen 10a, 10b der Halbleiterspule 10 über Drähte 18, 18 verbunden, ohne dass die Anschlüsse 10a, 10b zusammengedrückt werden. In diesem Fall ragt manchmal ein Bereich der Schlaufe jedes Drahtes 18, 18 von der Leiterbahn 11 weg, dies jedoch nur in geringem Maße. Folglich können die Drähte 18, 18 durch die an einer Seite der Harzschichten 20a, 20b gebildeten Klebschichten 22a, 22b in ausreichendem Maße abgedichtet werden und die durch den Vorgang des Abdichtens hervorgerufene Verformung ist so gering, dass dadurch keine Probleme entstehen.
  • Damit die Schlaufen der Drähte 18, 18 so klein wie möglich gehalten werden können und damit ferner das Verbonden der Drähte erleichtert wird, wird vorzugsweise die in 27 gezeigte Struktur angewandt, bei der die Anschlüsse 10a, 10b der ebenen Spule 10, die breiter sind als die Leiterbahn 11, mittels der Klebschicht 36 an Bereiche geklebt werden, die nahe der Elektrodenanschlüsse 12a, 12b des Halbleiterelements 12 liegen und dann werden die Anschlüsse 10a, 10b jeweils mit den Elektrodenanschlüssen 12a, 12b über die Drähte 18, 18 verbunden. Wie in 28 gezeigt, ist die durch diesen Draht 18 gebildete Schlaufe kleiner als die durch den Draht 18 in 26 gebildete Schlaufe. Daher können die an einer Seite der Harzschichten 20a, 20b gebildeten Klebschichten 22a, 22b zum Abdichten der Drähte 18 dünn ausgebildet sein.
  • Um eine Spannung der ebenen Spule 10 absorbieren zu können und um verhindern zu können, dass beide Anschlüsse, die verbunden sind, getrennt werden, wenn die Anschlüsse 10a, 10b der ebenen Spule 10 mit dem Halbleiterelement 12 über die Klebschichten 23 verklebt werden, kann ein Spannung absorbierender Bereich wie der in 18 gezeigte gebogene Bereich 34 in der Leiterbahn 11 nahe den Anschlüssen 10a, 10b der ebenen Spule 10 ausgebildet sein.
  • In diesem Zusammenhang kann selbstverständlich das Halbleiterelement 12 mit der Leiterbahn 11 der ebenen Spule 10, die durch die Formfläche der Elektrodenanschlüsse 12a, 12b des Halbleiterelements 12 verläuft, über die Klebschicht 36 verklebt werden.
  • Unterschiede zwischen der in 29 und der in 1 dargestellten IC-Karte werden im Folgenden erläutert.
  • Was das in der in 30 gezeigten Ausnehmung 14 angeordnete Halbleiterelement 12 betrifft, ist eine an der Rückseite mit Bezug auf die Formfläche der Elektrodenanschlüsse 12a, 12b gegebene Ebene auf die Leiterbahn 11 aufgebracht, die eine Grundfläche der Ausnehmung 14 bildet. Dieses Halbleiterelement 12 kann einfach auf die Leiterbahn 11 aufgebracht werden, jedoch kann, wenn dieses Halbleiterelement 12 durch Kleber an der Leiterbahn 11 verklebt wird, eine Positionierung der Elektrodenanschlüsse 12a, 12b des Halbleiterelements 12 ohne weiteres durchgeführt werden.
  • 30(a) zeigt ein Beispiel, bei dem die Ausnehmung 14, deren Tiefe größer ist als die Dicke des Halbleiterelements 12, in der Leiterbahn 11 der ebenen Spule 10 gebildet ist. Bei diesem Beispiel wird der Anschluss 10b (10a) der ebenen Spule 10 zusammengedrückt, damit die Anschlussfläche 16 der Anschlüsse 10b (10a) der ebenen Spule 10 im wesentlichen die gleiche Ebene aufweist, wie die Formfläche der Elektrodenanschlüsse 12a, 12b des Halbleiterelements 12. Wenn die Tiefe der Ausnehmung 14 größer ist als die Dicke des Halbleiterelements 12, wie vorstehend beschrieben, kann ein Wegragen der Schlaufe des Drahtes 18 zum Verbinden beider Anschlüsse von der ebenen Spule 10 so gering wie möglich gehalten werden.
  • Andererseits zeigt 30(b) ein Beispiel, bei dem die Tiefe der Ausnehmung 14, die in der Leiterbahn 11 der ebenen Spule 10 gebildet ist, der Dicke des Halbleiterelements 12 im wesentlichen gleich ist. Bei diesem Beispiel ist die Anschlussfläche 16 des Anschlusses 10b (10a) der ebenen Spule 10 der Formfläche der Elektrodenanschlüsse 12a, 12b des Halbleiterelements 12 im wesentlichen gleich. Daher kann der Vorgang des Zusammenpressens des Anschlusses 10b (10a) der ebenen Spule 10 ausgelassen werden.
  • Wie vorstehend beschrieben sind bei den in den 29, 30(a), 30(b) gezeigten IC-Karten die Anschlussflächen 16 der Anschlüsse 10a, 10b der ebenen Spule 10 den Formflächen der Elektrodenanschlüsse 12a, 12b des Halbleiterelements 12 im wesentlichen gleich. Daher kann das Drahtbonden durch das Wedge- oder das Ball-Bondverfahren durchgeführt werden. Wie in 2 gezeigt, können daher, während die von der Fläche der ebenen Spule 10 wegragende Schlaufe so klein wie möglich gehalten ist, die Anschlüsse 10a, 10b der ebenen Spule 10 und die Elektrodenanschlüsse 12a, 12b des Halbleiterelements 12 durch die aus Gold, Platin oder Aluminium bestehenden Drähte 18, 18 leitend miteinander verbunden werden.
  • Auf gleiche Weise wie in 2 gezeigt, können gemäß den 30(a) und 30(b), während die von der Fläche der ebenen Spule 10 wegragende Schlaufe so klein wie möglich gehalten ist, die Anschlüsse 10a, 10b der ebenen Spule 10 und die Elektrodenanschlüsse 12a, 12b des Halbleiterelements 12 durch die Drähte 18, 18 leitend miteinander verbunden werden.
  • Um die Verformung der Drähte 18 zu vermeiden, werden, wie in 31 dargestellt, die durch „Kontaktbonden" gebondeten Bereiche des Anschlusses 10b der ebenen Spule 10 und der Elektrodenanschluss 12b des Halbleiterelements 12 vorzugsweise durch Harz 15, 15 fixiert, insbesondere durch mittels ultravioletter Strahlen gehärtetes Harz.
  • In den in den 29 bis 31 gezeigten ebenen Spulen 10 können sich die Anschlussflächen 16 der Anschlüsse 10a, 10b, die zusammengedrückt worden sind, in im wesentlichen der gleichen Ebene befinden wie derjenigen, welche die Formflächen der Elektrodenanschlüsse 12a, 12b des Halbleiterelements 12 umfasst, und die Konfigurationen können willkürlich bestimmt sein. Vorzugsweise sind die Anschlüsse 10a, 10b der in den 29, 30(a), 31 gezeigten ebenen Spulen 10 gemäß der in 7 gezeigten Anschlusskonfiguration ausgebildet.
  • Die Anschlüsse 10a, 10b der ebenen Spule 10 können jeweils mit den Elektrodenanschlüssen 12a, 12b des Halbleiterelements 12 so verbunden sein, dass die Anschlüsse 10a, 10b an Stellen nahe der innerhalb und außerhalb der ebenen Spule 10 angeordneten Elektrodenanschlüsse 12a, 12b angeordnet sind, die wegen des Einsatzes des Bond-Geräts einen Abstand zum Halbleiterelement 12 aufweist, und diese Anschlüsse 10a, 10b werden mit den Elektrodenanschlüssen 12a, 12b verbunden. 32 zeigt den Fall, bei dem die Drähte 18, 18 zum Verbinden beider Anschlüsse in einer Richtung senkrecht zur Leiterbahn 11 verlaufen.
  • Wenn die Anschlüsse 10a, 10b der in 32 gezeigten ebenen Spule 10 zusammengedrückt werden, wird vorzugsweise der in 9 gezeigte Anschluss verwendet.
  • Es kann ein Problem auftreten, bei dem in der ebenen Spule 10 durch elektromagnetische Induktion erzeugter Strom in nicht ausreichendem Maße zum Halbleiterelement 12 übertragen wird. Um das vorgenannte Problem lösen zu können, werden die Anschlüsse 10a, 10b der ebenen Spule 10 und die Elektrodenanschlüsse 12a, 12b des Halbleiterelements 12 vorzugsweise durch ein bandförmiges Verbindungselement 30 aus Metall wie in 34 gezeigt auf die gleiche Weise verbunden wie bei dem in 14 gezeigten Beispiel.
  • In den 29 bis 34 sind keine Ausnehmungen 14 in Bereichen nahe der Anschlüsse 10a, 10b der ebenen Spulen 10 gebildet. Wie jedoch in den 35(a) und 35(b) gezeigt, kann die Ausnehmung 14 nahe dem Anschluss 10b (10a) gebildet sein. Bei diesen Ansichten ist die Bodenfläche der Ausnehmung 14 größer als die bei dem Fall, bei dem die Ausnehmung 14 nicht nahe dem Anschluss 10b (10a) gebildet ist. Daher kann Drahtbonden durchgeführt werden, unter der Voraussetzung, dass das Halbleiterelement 12 stabil auf die Bodenfläche der Ausnehmung 14 aufgebracht ist.
  • Die in der ebenen Spule 10 gebildete Ausnehmung 14 ist so geformt, dass die Leiterbahn 11 gebogen ist. Da die Leiterbahn 11 dicker ist als das Halbleiterelement 12 wird andererseits auf die gleiche Weise wie in 19 gezeigt, ein mittlerer Bereich der Leiterbahn 11 zusammengedrückt, so dass die Ausnehmung 14 wie in 36 gezeigt gebildet werden kann. In diesem Fall können die ebene Spule 10 und das Halbleiterelement 12 in der Mitte der IC-Karte in Dickenrichtung positioniert sein. Daher kann die IC-Karte dünn geformt sein. In diesem Fall sind das Halbleiterelement 12 und der Draht 18 in einem Dickenbereich t der Leiterbahn 11 untergebracht.
  • Ferner können die Anschlüsse 10a, 10b der ebenen Spule 10 folgendermaßen zusammengesetzt sein. Wie in 37 gezeigt, ist die Anschlussfläche des Anschlusses 10b (10a), die zusammengedrückt worden ist, der ebenen Spule 10 vergrößert, und der Draht 18, dessen eines Ende mit dem Elektrodenanschluss 12b (12a) des Halbleiterelements 12 verbunden ist, kann am anderen Ende mit dem Anschluss 10b (10a) verbunden werden. Bei diesem Anschluss 10b (10a) der ebenen Spule 10 ist eine C-förmige Ausnehmung 33 gebildet, in die ein Endbereich des Halbleiterelements 12 mit dem Elektrodenanschluss 12b (12a) eingeführt ist. Wenn der Endbereich des Halbleiterelements 12 in diese Ausnehmung 33 eingeführt wird, vergrößert sich der Anschluss 10b (10a) entlang einer Endkante des Endbereichs des Halbleiterelements 12 so, dass der Endbereich des Halbleiterelements 12 mit dem Elektrodenanschluss 12b (12a), der mit dem Anschluss 10b (10a) der ebenen Spule 10 verbunden ist, umhüllt ist. Aufgrund der vorgenannten Anordnung kann das Halbleiterelement 12 leicht positioniert werden und es kann die Länge des Drahtes 18 verkürzt werden. Daher wird vorzugsweise die vorstehend genannte Anordnung verwendet. Auch in diesem Fall ist es vorzuziehen, dass der Draht 18 gebondet wird, nachdem das Halbleiterelement 12 und die Leiterbahn 11 der ebenen Spule 10 miteinander durch Kleber verklebt worden sind.
  • Die 38(a) und 38(b) zeigen ein Beispiel, bei dem einer 10b der Anschlüsse der ebenen Spule 10 zusammengedrückt wird, so dass die Ausnehmung 14 als ein Einsetzbereich des Halbleiterelements 12 gebildet wird, und die Anschlussfläche des Anschlusses 10b wird weiter vergrößert und das Halbleiterelement 12 wird am Anschluss 10b befestigt. Am Anschluss 10b werden der Elektrodenanschluss 12b des Halbleiterelements 12 und der Anschluss 10b durch einen gemeinsamen oder einen umhüllten Draht miteinander verbunden. Der zweite Anschluss 10a der ebenen Spule 10 und der Elektrodenanschluss 12a des Halbleiterelements 12 werden über den Draht 18 so miteinander verbunden, dass der Draht 18 die Leiterbahnen 11, die sich zwischen den Anschlüssen 10a und 10b befinden, in senkrechter Richtung kreuzt. Der Anschluss 10a wird zusammengedrückt, und gleichzeitig wird ein Bereich der Leiterbahn 11, durch den der Draht verläuft, zusammengedrückt, so dass die Durchgangsausnehmung 14a gebildet wird. Aufgrund der vorgenannten Struktur ragt der Draht 18 nicht von einem Dickenbereich der Leiterbahn 11 weg. Wenn ein Isolierharz, das ein elektrisch isolierendes Material ist, zumindest in einem Bereich an der Innenfläche der Ausnehmung 14a aufgetragen wird, durch den der Draht 18 verläuft, oder wenn alternativ ein Isolierband mit elektrisch isolierender Eigenschaft an diesen Bereich geklebt wird, kann selbst dann eine Verbindung hergestellt werden, wenn ein gemeinsamer Draht 18 verwendet wird, ohne dass ein elektrischer Kurzschluss erzeugt wird.
  • 39 zeigt ein Beispiel, bei dem ein mittlerer Bereich der Leiterbahn 11, mit Ausnahme der Anschlüsse 10a, 10b, zusammengedrückt ist, so dass die Ausnehmung 14 in einem Einsetzbereich gebildet ist, in den das Halbleiterelement 12 eingesetzt wird. Das Halbleiterelement 12 ist in die Ausnehmung 14 eingesetzt. Um das Halbleiterelement 12 einsetzen zu können, ist die Breite der Ausnehmung 14 breiter erstellt worden, als die Breite der Leiterbahn 11, und die Leiterbahn 11 neben dem Einsetzbereich ist außerhalb der Ausnehmung 14 angeordnet. Auch in diesem Fall sind die Anschlüsse 10a, 10b zusammengedrückt, so dass sich die Flächen auf der gleichen Ebene wie die der Ausnehmung 14 befinden können, und gleichzeitig wird ein Bereich der Leiterbahn 11, der sich zwischen dem Einsetzbereich und den Anschlüssen 10a, 10b befindet und vom Draht 18 gekreuzt wird, zusammengedrückt, so dass die Durchgangsausnehmung gebildet ist. Auf diese Weise ragt der die Anschlüsse 10a, 10b mit den Elektrodenanschlüssen 12a, 12b des Halbleiterelements 12 verbindende Draht 18 nicht von einem Dickenbereich der Leiterbahn 11 weg. In diesem Zusammenhang wird vorzugsweise ein umhüllter Draht als Draht 18 verwendet, der die Elektrodenanschlüsse 12a, 12b mit den Anschlüssen 10a, 10b verbindet. Wenn die Innenfläche der Durchgangsausnehmung mit einem elektrisch isolierenden Material überzogen ist, kann eine Verbindung durch einen gemeinsamen Draht 18 hergestellt werden.
  • Wenn das Halbleiterelement 12 klein ist, kann es in die Ausnehmung 14, die auf der Leiterbahn 11 durch Zusammendrücken geformt worden ist, eingesetzt werden.
  • Das Verfahren, durch das das Halbleiterelement 12 in die Ausnehmung 14 aufgenommen worden ist, ist dahingehend vorteilhaft, dass eine ebene Normspule 10 ungeachtet der Größe des Halbleiterelements 12 gebildet werden kann. Wenn das Halbleiterelement 12 kleiner als die Breite der durchlaufenden Leiterbahn 11 der ebenen Spule 10 ist, wird vorzugsweise ein Verfahren angewandt, bei dem das Halbleiterelement 12 in die Ausnehmung 14 eingesetzt wird.
  • Bei den vorstehend beschriebenen IC-Karten ist die Leiterbahn 11, aus der die ebene Spule 10 besteht, gebogen oder zusammengedrückt, um so die Ausnehmung 14 bilden zu können. Jedoch können, wie in den 40 und 41 gezeigt, wenn ein Bereich nahe dem Ende der Leiterbahn 1 zusammengedrückt und das Ende der Leiterbahn 11 zusammengedrückt wird, die Anschlussflächen 16 der Anschlüsse 10a, 10b der ebenen Spule 10 in im wesentlichen der gleichen Ebene verlaufen wie diejenige, welche die Formebene umfasst, auf der die Elektrodenanschlüsse 12a, 12b des Halbleiterelements 12 gebildet sind.
  • Gemäß den 40 und 41 kann, wenn die Anschlüsse 10a, 10b der ebenen Spule 10 und die Elektrodenanschlüsse 12a, 12b des Halbleiterelements 12 miteinander durch die Drähte 18, 18 verbondet sind, die Positionierung des Drahtbondens leicht ausgeführt werden, indem die Leiterbahn 11 der ebenen Spule 10, die auf einer unteren Fläche des Halbleiterelements 12 verläuft, an das Halbleiterelement 12 geklebt wird. Daher ist es vorzuziehen, die Leiterbahn 11 an das Halbleiterelement 12 zu kleben.
  • In diesem Zusammenhang können, wenn eine Biegegröße in einem Bereich nahe der Leiterbahn 11 eingestellt wird, die entsprechenden Anschlussflächen 16 der Anschlüsse 10a, 10b der ebenen Spule 10 in im wesentlichen der gleichen Ebene wie die Formebenen sein, auf denen die Elektrodenanschlüsse 12a, 12b des Halbleiterelements 12 gebildet sind, ohne dass ein Zusammendrücken erfolgt.
  • Bei der vorgenannten IC-Karte ist die die ebene Spule 10 bildende Leiterbahn 11 dicker als das Halbleiterelement 12. Wenn das Halbleiterelement 12 im wesentlichen genauso dick ist wie die Leiterbahn 11, kann die folgende IC-Kartenanordnung Anwendung finden. Wie in 42 dargestellt, ist das Halbleiterelement 12 so angeordnet, dass eine Ebene, die entgegengesetzt zur Formebene ist, auf der die Elektrodenanschlüsse 12a, 12b gebildet sind, leiterbahnseitig mit Bezug auf die ebene Spule 10 angeordnet ist und dass die Anschlüsse 10a, 10b mit den Elektrodenanschlüssen 12a, 12b über die Drähte 18, 18 verbunden sind, ohne die Anschlüsse 10a, 10b der ebenen Spule 10 zusammen zu drücken. In diesem Fall ragen Bereiche der Drähte 18, 18 von der Leiterbahn 11 weg, dies jedoch nur in geringem Maße. Daher können die Drähte 18, 18 in ausreichender Weise durch die Klebschichten 22a, 22b, die an einer Seite der Harzschichten 20a, 20b gebildet sind, abgedichtet werden und während des Abdichtens wird eine Verformung selten hervorgerufen.
  • Bei den in den 29 bis 42 erläuterten IC-Karten werden die Drähte 18 bzw. die bandförmigen Verbindungselemente 30 aus Metall für die Verbindung der ebenen Spulen 10 und der Halbleiterelemente 12 verwendet. Wie in 43 gezeigt, ist es jedoch möglich, einen Baustein 40 einzusetzen, bei dem das Halbleiterelement 12 in Harz gegossen ist. Dieser Baustein 40 wird folgendermaßen durch Harz geformt. Wie in den 44 und 45 gezeigt, sind Zuleitungen 46, 46 vorgesehen, die über Lötperlen 44, 44 und die Elektrodenanschlüsse 12a, 12b des Halbleiterelements 12 verbunden sind. Harzgießen wird durchgeführt, so dass die an den Enden der Zuleitungen gebildeten Anschlussbereiche 47, 47 frei bleiben können.
  • Die dadurch gebildeten Anschlussbereiche 47, 47 des Bausteins 40 werden mit den Anschlüssen 10a, 10b der ebenen Spule 10 verbunden. Die Verbindung beider Anschlüsse erfolgt folgendermaßen. Die Anschlussflächen der Anschlussbereiche 47, 47 sind vergoldet oder verzinnt und die Elektrodenanschlüsse 12a, 12b des Halbleiterelements 12 und die Anschlüsse 10a, 10b der ebenen Spule 10 sind vergoldet, und beide zu verbindenden Anschlüsse werden erhitzt und mittels „Kontaktbonden" verbunden, so dass sie über die somit gebildete eutektische Legierung miteinander verbunden werden. Andererseits können in dem Fall, in dem die Anschlussbereiche 47, 47 aus Aluminium bestehen, beide Anschlüsse miteinander verbunden werden, ohne dass die Anschlussflächen der Anschlussbereiche 47, 47 mit einem Metallüberzug versehen werden. Es ist auch möglich, beide Anschlüsse miteinander zu verbinden, indem ein elektrisch leitfähiger Kleber verwendet wird.
  • Wie in 43 gezeigt, ist eine Ausnehmung gegeben, in die der Baustein 40 eingesetzt wird, während die Leiterbahn 11 in einem Bereich der ebenen Spule 10 gebogen wird, in den der Baustein 40 eingesetzt ist.
  • Bei der vorstehend erläuterten IC-Karte sind die Anschlüsse (Bond-Flächen) 12a, 12b des Halbleiterelements 12 an beiden Seiten mit Bezug auf die Richtung gebildet, in welche die mehrmals gewickelte Leiterbahn 11 der ebenen Spule 10 verläuft. Andererseits sind die Bond-Flächen 12a, 12b des Halbleiterelements 12 bei der in 46 gezeigten IC-Karte an einer Seite mit Bezug auf die Richtung gebildet, in welche die Leiterbahn 11 der ebenen Spule 10 verläuft. Bei diesem Beispiel ist ein Anschluss 10a (zum Beispiel der Anschluss am äußeren Ende) der ebenen Spule 10 außerhalb des Halbleiterelements 12 angeordnet und verläuft zu einer Position, die dem anderen Anschluss 10b (zum Beispiel dem Anschluss am inneren Ende) der ebenen Spule 10 entspricht. Die Anschlüsse 10a, 10b bestehen aus Flächen, die gebondet werden können. Das Bonden erfolgt zwischen den Flächen und den Elektrodenanschlüssen 12a, 12b des Halbleiterelements 12 nahe den Anschlüssen 10a, 10b über die Drähte 18, 18. In diesem Zusammenhang kann, im Gegensatz zu dem vorstehend Gesagten, das andere Ende 10b der ebenen Spule 10 innerhalb des Halbleiterelements 12 angeordnet sein.
  • Die 47(a) bis 47(c) zeigen ein Herstellungsverfahren, bei dem das Halbleiterelement 12 mittels Dichtharz eingegossen und fixiert worden ist, und das dadurch gebildete Halbleiterelement 12 ist von den Harzschichten 20a, 20b umhüllt, so dass die IC-Karte gebildet werden kann. Zunächst wird, wie in 47(a) gezeigt, die Leiterbahn 11, aus der die ebene Spule 10 besteht, zusammengedrückt, so dass die Ausnehmung 14 gebildet ist. Das Halbleiterelement 12 wird in diese Ausnehmung 14 eingesetzt. Als nächstes werden, wie in 47(b) gezeigt, das Halbleiterelement 12 und der Einsetzbereich für das Halbleiterelement mittels Dichtharz 50 eingeformt. In diesem Fall wird vorzugsweise das Spritzpressverfahren eingesetzt. 48 ist eine perspektivische Ansicht eines Zustands des Halbleiterelements nach dem Formen. Dann werden Klebschichten 22a, 22b an der oberen und der unteren Fläche der ebenen Spule 10 aufgebracht und die ebene Spule 10 wird zwischen den Harzschichten 20a, 20b angeordnet. Auf diese Weise ist die IC-Karte entstanden.
  • In diesem Zusammenhang kann, wenn das Halbleiterelement 12 mittels Harz abgedichtet worden ist, das Dichtharz mittels Einformung wie in den 47(a) bis 47(c) gezeigt geformt werden. Es ist jedoch möglich, Dichtharz durch Vergießen 52 zu formen, wobei der Umriss davon in 49 dargestellt ist.
  • Wenn das Halbleiterelement 12 wie vorstehend beschrieben durch Harz abgedichtet worden ist, kann das Halbleiterelement 12 verstärkt werden, und die auf das Halbleiterelement 12 während des Herstellungsvorgangs der Laminierung, bei der das Halbleiterelement 12 und die ebene Spule 10 von den Harzschich ten 20a, 20b umhüllt werden, ausgeübte Spannung kann dadurch reduziert werden. Daher ist es möglich, die Rissbildung bei Halbleiterelementen 12 zu vermeiden, das heißt, es kann eine Beschädigung des Halbleiterelements 12 verhindert werden. Selbst dann, wenn die IC-Karte nach ihrer Herstellung eingesetzt wird, ist es möglich, die Stärke der auf die IC-Karte einwirkenden Spannung beim Biegen zu reduzieren. Daher kann eine Beschädigung des Halbleiterelements verhindert werden.
  • INDUSTRIELLE MÖGLICHKEITEN
  • Gemäß der ertindungsgemäßen IC-Karte und des Rahmens für die IC-Karte können die Anschlüsse der durch Ausstanzen gebildeten ebenen Spule und die Elektrodenanschlüsse des Halbleiterelements leicht miteinander verbunden werden, ohne dass die Verbindungsdrähte auf der ebenen Spule kreuzen. Daher können die Kosten für die IC-Karte und den Rahmen der IC-Karte gesenkt werden und die IC-Karte und der Rahmen der IC-Karte können in Massenproduktion hergestellt werden.
    • 10
    ebene Spule
    10a, 10b
    Anschluß der ebenen Spule
    11
    Leiterbahn
    12
    Anschluß des Halbleiterelements 12
    12a, 12b
    Anschluß des Halbleiterelements 12
    14
    Ausnehmung
    16
    Anschlußfläche des Anschlusses 10b (10a)
    18
    Draht
    20a, 20b
    Harzschicht
    22a, 22b
    Klebschicht
    25
    (Hilfs-) Draht
    27
    Wandbereich
    30
    Verbindungselement aus Metall
    32
    Vorsprung
    33
    Ausnehmung
    40
    Baustein
    44
    Lötperlen
    46
    Zuleitung
    47
    Anschlussbereich
    50
    Dichtharz (Formharz)
    52
    Dichtharz (Vergießharz)
    54
    Verbindungsabschnitt
    60
    Schiene
    62
    Verbindungsabschnitt

Claims (25)

  1. Baugruppe aus einer ebenen Spule und einem Halbleiter für eine IC-Karte, wobei die ebene Spule (10) eine Leiterbahn (11) umfasst, die mehrmals in im wesentlichen der gleichen Ebene gewickelt ist, wobei die ebene Spule (10) durch Ausstanzen bzw. Ätzen einer Metallplatte gebildet wird, wobei Anschlüsse (10a, 10b) der ebenen Spule und Elektrodenanschlüsse (12a, 12b) des Halbleiterelements (12) leitend miteinander verbunden sind, wobei die ebene Spule (10) einen inneren Anschluss (10b), der im Innern der Spule ausgebildet ist, aufweist, mit dem der Elektrodenanschluss (12b) des Halbleiterelements (12), der an der gleichen Seite im Hinblick auf das Innere und das Äußere der Spule (10) angeordnet ist, leitend verbunden ist, und wobei die ebene Spule (10) auch einen äußeren Anschluss (10a), der außerhalb der Spule (10) ausgebildet ist, aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiterelement in einer in der ebenen Spule (10) ausgebildeten Ausnehmung eingesetzt ist.
  2. Baugruppe für eine IC-Karte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausnehmung in der ebenen Spule (10) durch Biegen bzw. Zusammendrücken eines Mittelbereichs der die ebene Spule (10) bildenden Leiterbahn (11) geformt ist.
  3. Baugruppe für eine IC-Karte nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass einer der inneren und der äußeren Anschlüsse (10a) als ein Montagebereich geformt ist, in den das Halbleiterelement (12) eingesetzt wird.
  4. Baugruppe für eine IC-Karte nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Montagebereich als die Ausnehmung (14) geformt ist, deren Breite breiter ist als diejenige der Leiterbahn (11) und durch Zusammendrücken der Leiterbahn (11) gebildet ist, und dass eine Durchgangsausnehmung (14a) in einem Bereich der Leiterbahn (11) gebildet ist, der durch einen zwischen einem der Anschlüsse und dem anderen Anschluss (10a, 10b) befindlichen Zwischenbe reich verläuft, wo der Bonddraht (18) für die Verbindung des anderen Anschlusses (10b) mit dem Elektrodenanschluss (12b) des Halbleiterelements kreuzt.
  5. Baugruppe für eine IC-Karte nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens eine Innenfläche der Durchgangsausnehmung (14a), auf welcher der Bonddraht (18) verläuft, mit einem elektrisch isolierenden Material überzogen ist.
  6. Baugruppe für eine IC-Karte nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass ein Mittelbereich wenigstens einer Leiterbahn (11), die durch einen zwischen dem Anschluss (10b) und dem äußeren Anschluss (10a) befindlichen Zwischenbereich verläuft, im Montagebereich (14) ausgebildet ist, in dem das Halbleiterelement auf der Leiterbahnfläche montiert ist.
  7. Baugruppe für eine IC-Karte nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Montagebereich (14) als die Ausnehmung ausgebildet ist, deren Breite breiter ist als diejenige der Leiterbahn (11), und die in der Leiterbahn (11) gebildet wird, indem diese zusammengedrückt wird, und dass eine Durchgangsausnehmung (14a) in einem Bereich der Leiterbahn (11) gebildet ist, der durch einen zwischen dem Montagebereich (14) und einem der Anschlüsse (10a) befindlichen Zwischenbereich verläuft, wo der Bonddraht (18) kreuzt und auch in einem Bereich der Leiterbahn (11) ausgebildet ist, der durch einen zwischen dem Montagebereich (14) und dem anderen Anschluss (10b) befindlichen Zwischenbereich verläuft, wo der Bonddraht (18) kreuzt.
  8. Baugruppe für eine IC-Karte nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass eine Vielzahl von ebenen Spulen (10) der gleichen Konfiguration fortlaufend zwischen zwei parallelen Schienen (60) in Längsrichtung der Schienen angeordnet ist.
  9. Baugruppe für eine IC-Karte nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass eine äußerste Leiterbahn (11a) der Leiterbahnen (11), welche die ebene Spule (10) bilden, dicker ist als andere Leiterbahnen (11).
  10. Baugruppe für eine IC-Karte nach den Ansprüchen 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass die äußersten Leiterbahnen (11a) der ebenen Spule (10), die nebeneinander angeordnet sind, über einen Verbindungsbereich (62) verbunden sind.
  11. IC-Karte, mit: einer Baugruppe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass Enden der ebenen Spule (10) die Anschlüsse der ebenen Spule bilden und dass das Halbleiterelement (12) so angeordnet ist, dass die Fläche des Elements (12), auf der die Elektrodenanschlüsse (12a, 12b) ausgebildet sind, oder die Rückseite des Elements (12) gegenüber der Fläche, auf der die Elektrodenanschlüsse (12a, 12b) ausgebildet sind, neben der Leiterbahn (11) der ebenen Spule (10) liegt, wobei die Elektrodenanschlüsse (12a, 12b) des Halbleiterelements an Stellen angeordnet sind, die sich jeweils neben dem inneren Anschluss (10b) und dem äußeren Anschluss (10a) der ebenen Spule (10) befinden.
  12. IC-Karte nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die ebene Spule (10) und das Halbleiterelement (12) zwischen Harzschichten (20) angeordnet sind, die jeweils eine vordere und eine hintere Fläche der IC-Karte bilden und von einer Klebschicht (22) umhüllt und abgedichtet sind, die im Innern der Harzschichten (20) gebildet ist.
  13. IC-Karte nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Anschlüsse (10a, 10b) der ebenen Spule zusammengedrückt werden, so dass sich die Anschlüsse (10a, 10b) der ebenen Spule in im wesentlichen der gleichen Ebene befinden, wie die Ebene der Fläche des Halbleiterelements (12), auf der die Elektrodenanschlüsse (12a, 12b) ausgebildet sind.
  14. IC-Karte nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass sich die Anschlüsse (10a, 10b) der ebenen Spule, die zusammengedrückt worden ist, entlang Kanten der Endbereiche des Halbleiterelements (12) ausdehnen, so dass die Anschlüsse (10a, 10b) der ebenen Spule die Endbereiche des Halbleiterelements (12) umgeben können, in denen ein Elektrodenanschluss (12a, 12b), der mit dem Anschluss (10a, 10b) der ebenen Spule verbunden ist, angeordnet ist.
  15. IC-Karte nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die in der ebenen Spule (10) ausgebildete Ausnehmung gebildet wird, wenn die Leiterbahn (11) der ebenen Spule (10) gebogen wird.
  16. IC-Karte nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die in der ebenen Spule (10) ausgebildete Ausnehmung gebildet wird, indem der Mittelbereich der Leiterbahn (11), welche die ebene Spule (10) bildet, zusammengedrückt wird.
  17. IC-Karte nach einem der Ansprüche 11 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Anschlüsse (10a, 10b) der ebenen Spule und der Elektrodenanschluss (12a, 12b) des Halbleiterelements durch einen schlaufenförmigen Bonddraht (18), ein bandförmiges Verbindungselement (30) aus Metall oder direkt miteinander verbunden sind.
  18. IC-Karte nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Spule (10) direkt mit dem Halbleiterelement (12) verbunden ist und dass die ebene Spule (10) einen Spannung absorbierenden Abschnitt (34) zur Aufnahme von in der ebenen Spule (10) in einem Bereich nahe des Anschlusses (10a, 10b) erzeugter Spannung umfasst.
  19. IC-Karte nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindung mittels Bonddraht durch Ball-oder Wedge-Bonden entsteht.
  20. IC-Karte nach einem der Ansprüche 11 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass der Elektrodenanschluss (12b) des Halbleiterelements, der mit dem äußeren Anschluss (10b) der ebenen Spule verbunden ist, außerhalb der ebenen Spule (10) angeordnet ist.
  21. IC-Karte, mit: einer Baugruppe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiterelement (12) so in Harz eingegossen ist, dass ein Verbindungsabschnitt, der an einem Ende einer mit dem Elektrodenanschluss verbundenen Zuleitung ausgebildet ist, frei bleibt, wobei mit dem inneren und dem äußeren Anschluss der ebenen Spule (10) verbundene Verbindungsabschnitte der Zuleitungen jeweils an Stellen neben dem inneren und dem äußeren Anschluss (10a, 10b) der Spule angeordnet sind, und wobei die Verbindungsabschnitte der Zuleitungen mit den Anschlüssen der ebenen Spule, die sich bezogen auf die Innen- und die Außenseite der Spule auf der gleichen Seite befinden, leitend verbunden sind.
  22. IC-Karte, mit: einer Baugruppe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass einer der inneren und äußeren Anschlüsse (10a, 10b) als die Ausnehmung ausgebildet ist, in die das Halbleiterelement (12) auf der Anschlussfläche eingesetzt ist und dass die im Montagebereich eingesetzten Elektrodenanschlüsse (12a, 12b) des Halbleiterelements mit den inneren und äußeren Anschlüssen durch Drahtbonden (18) jeweils elektrisch leitend verbunden sind.
  23. IC-Karte nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausnehmung (14) durch Zusammendrücken gebildet ist, wobei ihre Breite breiter ist als die der Leiterbahn (11), und dass eine Durchgangsausnehmung (14a) in einem Bereich der Leiterbahn (11) gebildet ist, der in der Mitte zwischen einem und dem anderen Anschluss verläuft, wobei ein Bonddraht (18) für die Verbindung des anderen Anschlusses (10a) mit dem Elektrodenanschluss (12a) des Halbleiterelements diesen Bereich kreuzt.
  24. IC-Karte, mit: einer Baugruppe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein mittlerer Bereich von wenigstens einer Leiterbahn (11), die durch den zwischen dem inneren Anschluss (10b) und dem äußeren Anschluss (10a) befindlichen Zwischenbereich verläuft, in der Ausnehmung (14) ausgebildet ist, in der das Halbleiterelement auf der Fläche der Leiterbahn (11) eingesetzt ist, und dass der innere und der äußere Anschluss mit den Anschlüssen des Halbleiterelements (12) durch Drahtbonden elektrisch leitend verbunden sind.
  25. IC-Karte nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, dass die Breite der Ausnehmung (14) breiter ist als diejenige der Leiterbahn (11) und in der Leiterbahn (11) gebildet ist, indem diese zusammengedrückt wird, und dass eine Durchgangsausnehmung (14) in einem Bereich der Leiterbahn (11) gebildet ist, der durch einen zwischen dem Montagebereich (14) und einem der Anschlüsse (10a) befindlichen Zwischenbereich verläuft, wo der Bonddraht (18) kreuzt und auch in einem Bereich der Leiterbahn (11) gebildet ist, der durch einen zwischen dem Montagebereich (14) und dem anderen Anschluss (10b) befindlichen Zwischenbereich verläuft, wo der Bonddraht (18) kreuzt.
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3484356B2 (ja) * 1998-09-28 2004-01-06 新光電気工業株式会社 Ｉｃカード及びｉｃカード用アンテナ並びにｉｃカード用アンテナフレーム
JP2001188891A (ja) * 2000-01-05 2001-07-10 Shinko Electric Ind Co Ltd 非接触型ｉｃカード
JP3809056B2 (ja) * 2000-09-14 2006-08-16 新光電気工業株式会社 Ｉｃカード
JP2002319011A (ja) * 2001-01-31 2002-10-31 Canon Inc 半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子写真装置
DE10117994A1 (de) * 2001-04-10 2002-10-24 Orga Kartensysteme Gmbh Trägerfolie für elektronische Bauelemente zur Einlaminierung in Chipkarten
DE10122416A1 (de) * 2001-05-09 2002-11-14 Giesecke & Devrient Gmbh Verfahren und Halbzeug zur Herstellung einer Chipkarte mit Spule
JP4789348B2 (ja) * 2001-05-31 2011-10-12 リンテック株式会社 面状コイル部品、面状コイル部品の特性調整方法、ｉｄタグ、及び、ｉｄタグの共振周波数の調整方法
WO2003007232A1 (en) * 2001-07-12 2003-01-23 Sokymat S.A. Lead frame antenna
JP4114446B2 (ja) * 2002-09-13 2008-07-09 ソニー株式会社 アンテナ装置及びこれを用いた読み出し書き込み装置、情報処理装置、通信方法並びにアンテナ装置の製造方法
JP4141857B2 (ja) * 2003-02-18 2008-08-27 日立マクセル株式会社 半導体装置
US7397672B2 (en) * 2003-08-05 2008-07-08 Lintec Corporation Flip chip mounting substrate
TWI457835B (zh) * 2004-02-04 2014-10-21 Semiconductor Energy Lab 攜帶薄膜積體電路的物品
US7061769B1 (en) * 2005-03-11 2006-06-13 Jung-Che Chang USB/OTG-interface storage card
KR100956683B1 (ko) * 2007-09-20 2010-05-10 삼성전기주식회사 수소발생장치의 전극연결방법 및 그것을 이용한수소발생장치
JP5248224B2 (ja) * 2008-07-09 2013-07-31 リンテック株式会社 電子回路及びｉｃタグ
CN113921238A (zh) * 2018-01-12 2022-01-11 乾坤科技股份有限公司 电子装置及其制作方法
CN109192470A (zh) * 2018-08-27 2019-01-11 昆山联滔电子有限公司 一种线圈装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62104128A (ja) * 1985-10-31 1987-05-14 Toshiba Corp 位置検出装置
JPS63104128A (ja) 1986-10-21 1988-05-09 Nec Corp 端末装置における画面フオ−マツトデ−タ格納方式
JPH06310324A (ja) 1993-04-21 1994-11-04 Nippon Mektron Ltd 平面コイル
FR2716281B1 (fr) * 1994-02-14 1996-05-03 Gemplus Card Int Procédé de fabrication d'une carte sans contact.
DE4431606A1 (de) * 1994-09-05 1996-03-07 Siemens Ag Chipkartenmodul für eine kontaktlose Chipkarte und Verfahren zu deren Herstellung
DE4437721A1 (de) * 1994-10-21 1996-04-25 Giesecke & Devrient Gmbh Kontaktloses elektronisches Modul
DE4446369A1 (de) * 1994-12-23 1996-06-27 Giesecke & Devrient Gmbh Datenträger mit einem elektronischen Modul
US5671525A (en) * 1995-02-13 1997-09-30 Gemplus Card International Method of manufacturing a hybrid chip card
JP2814477B2 (ja) * 1995-04-13 1998-10-22 ソニーケミカル株式会社 非接触式ｉｃカード及びその製造方法
DE19527359A1 (de) * 1995-07-26 1997-02-13 Giesecke & Devrient Gmbh Schaltungseinheit und Verfahren zur Herstellung einer Schaltungseinheit
KR100480522B1 (ko) * 1995-08-01 2005-08-31 오스트리아 카드 플라스틱카르텐 운트 아우스바이스시스템게젤샤프트 엠베하 컴포넌트보유모듈및코일을갖는데이터캐리어와이데이터캐리어의제조방법
KR19990076679A (ko) 1995-12-22 1999-10-15 펠릭스 노벨 비접촉식 기술에서 사용하기 위한 칩카드의 제조방법
DE19710144C2 (de) * 1997-03-13 1999-10-14 Orga Kartensysteme Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Chipkarte und nach dem Verfahren hergestellte Chipkarte
US6255725B1 (en) * 1998-05-28 2001-07-03 Shinko Electric Industries Co., Ltd. IC card and plane coil for IC card
DE19923807A1 (de) * 1999-05-19 2000-11-23 Deutsche Telekom Ag Verfahren zur Erhöhung der Sicherheit bei digitalen Unterschriften

Also Published As

Publication number Publication date
ATE307363T1 (de) 2005-11-15
KR100594829B1 (ko) 2006-07-03
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DE69927765D1 (de) 2006-03-02
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NO994964D0 (no) 1999-10-12
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CN1256776A (zh) 2000-06-14
CN1217396C (zh) 2005-08-31
HK1028660A1 (en) 2001-02-23

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