CN1217396C - Ic卡及ic卡框架 - Google Patents

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Abstract

一种能够低成本大批量生产的IC卡，包括通过穿孔或蚀刻方式形成的平面线圈，在平面线圈10中，导线11在基本相同的平面内环绕多次，平面线圈10具有一个用于确定半导体元件12的安装区域的凹槽14，平面线圈10还具有在线圈外部和内部分别形成的外部端子和内部端子，半导体元件12的电极端子12a、12b的形成表面或与形成表面相反的平面与平面线圈10的导线11相对，且该电极端子12a、12b分别位于邻近平面线圈10的外部和内部端子10a和10b的位置，电极端子12a、12b与平面线圈10的端子10a、10b电连接。

Description

IC卡及IC卡框架
技术领域
本发明涉及一种IC卡及IC卡中使用的框架。具体来说，本发明涉及一种IC卡及具有通过穿孔或蚀刻形成的平面线圈的IC卡中使用的框架，在该框架中，导线在基本相同的平面上环绕多次，在IC卡中平面线圈的端子和半导体元件的电极端子彼此电连接。
背景技术
IC卡包括平面线圈(在平面线圈中导线被环绕多次)和半导体元件。聚氨基甲酸酯构成的粘合层将平面线圈和其它部分封闭并密封，在由PVC构成的树脂膜内部形成粘合层，树脂膜形成IC卡的前表面和后表面，在树脂膜的表面印上字母。
当这样形成的IC卡通过IC卡处理器形成的磁场时，由在IC卡平面线圈中引起的电磁感应产生电能。因此，由所产生的电能启动半导体元件，以便能够通过起天线作用的平面线圈在IC卡的半导体元件和IC卡处理器之间进行通讯。
关于IC卡中并入的传统的平面线圈，具有一个绝缘平面线圈，该绝缘线圈是用环绕绝缘保护电线的方式形成的，还具有一个平面线圈，该平面线圈是用当对树脂膜上形成的金属箔进行蚀刻时形成导线的方式形成的。
在这样的连接中，为了提高IC卡的普及，必须降低IC卡的成本，也必须大批量生产IC卡。然而，在使用传统平面线圈的上述IC卡情况中，难以降低平面线圈的成本。也难以充分地大批量生产IC卡。
因此，日本未审批的专利公开号6-310324公开了一种IC卡，IC卡中并入了通过穿孔形成的平面线圈。
如上述专利公开文本中所提出的，与并入传统的平面线圈的IC卡相比，当通过穿孔形成平面线圈时，能够降低IC卡的成本，并能够大批量生产IC卡。
图50表示通过穿孔形成的传统的平面线圈100。在该平面线圈100中，分别在线圈的内部和外部形成端子102和104。
由于上述的结构，导线114，用于将平面线圈100的端子102、104与半导体元件106的电极端子108、110连接起来的导线112、114之一，跨过形成平面线圈100的导线101。因此，当导线112、114使用绝缘导线时，成本增加，难以降低IC卡的成本。
另一方面，当不跨过平面线圈100的导线112使用非绝缘线，而跨过平面线圈100的导线114使用绝缘线时，必须使用两种类型的导线，IC卡的制造过程变得复杂。因此，难以降低IC卡的成本及大批量生产IC卡。
因为IC卡的厚度不能超过1mm，必须形成非常薄的IC卡。另外，当运输通过穿孔形成的平面线圈时，这些线圈必须容易处理，半导体元件必须正确地并入到平面线圈中。
发明内容
本发明要实现的第一个任务是提供一种IC卡，IC卡中并入通过穿孔(punching)形成的平面线圈，IC卡的成本能够得到降低，另外，IC卡能够易于大批量生产。
本发明要实现的第二个任务是提供一种IC卡的框架，该种框架能够易于大批量生产和运输，进一步，薄的IC卡能够使用该种框架。另外，本发明要实现的第二个任务是提供一种IC卡，该种IC卡能够易于大批量生产，其厚度能够适当地减少。
为了实现上述的第一个任务，本发明的发明人已经调查并发现了下面的事实。一般情况下，半导体元件表面除了电极端子外覆盖有钝化膜，以便进行电绝缘。因此，半导体元件部分除了电极端子外能够与平面线圈的导线接触，当半导体元件的电极端子设置在平面线圈的侧面时，能够靠近半导体元件的电极端子设置平面线圈的端子。
因此，本发明的发明人设置半导体元件106，以便电极端子108、110能够相对于平面线圈100位于导线101侧面，用导线将半导体元件106的电极端子108、110焊接到平面线圈100的端子102、104上。在这样的IC卡中，为了绝缘，不必覆盖将半导体元件106与平面线圈100相连的导线，并且能够采用一种楔形(wedge)焊接方法，该方法是传统的用做将半导体元件焊接到引线框架的内引入线连接线上的一种焊接方法。
为了实现上述的第一个任务本发明提供了一种IC卡，包括：平面线圈，在平面线圈中，导线在基本相同的平面内环绕多次，通过穿孔或蚀刻形成平面线圈，该平面线圈具有一个用于确定半导体元件的安装区域的凹槽；具有电极端子的半导体元件，平面线圈的端部电连接到电极端子上，其中平面线圈包括在线圈内部形成的内部端子和在线圈外部形成的外部端子，半导体元件以这样的方式设置，以便其上形成有电极端子的元件表面与平面线圈的导线相对，连接到平面线圈内部端子和外部端子的半导体元件的各个电极端子分别位于邻近平面线圈内部端子和外部端子的位置，半导体元件的电极端子与位于相对于线圈内部和外部相同侧的平面线圈的相应端子电连接。
为了实现上述的第一个任务，本发明的发明人相对于平面线圈100设置了半导体元件106，以便在相对于平面(该平面上形成电极端子108、110)后侧的半导体元件的平面能够位于导线101侧面，半导体元件106的电极端子108、110分别焊接到平面线圈100的端子101、103。本发明的发明人发现下面的事实。在这样的IC卡中，为了绝缘不必覆盖导线，该导线将到半导体元件106连接平面线圈101，并且能够采用一种楔形焊接方法，该方法是传统的用做将半导体元件焊接到引线框架的内引入线连接线上的一种焊接方法。
为了实现上述的第一个任务，本发明提供了一种IC卡，包括：平面线圈，在平面线圈中，导线在基本相同的平面内环绕多次，平面线圈通过穿孔或蚀刻形成，该平面线圈具有一个用于确定半导体元件的安装区域的凹槽；具有电极端子的半导体元件，平面线圈的端部电连接到该电极端子上，其中平面线圈包括在线圈内部形成的内部端子和在线圈外部形成的外部端子，半导体元件以这样的方式设置，以便在相对于其上形成电极端子的一平面的后侧上的半导体元件的平面与平面线圈的导线相对，连接到平面线圈内部端子和外部端子的半导体元件的各个电极端子分别位于邻近平面线圈内部端子和外部端子的位置，半导体元件的电极端子与位于相对于平面线圈内部和外部相同侧的平面线圈的端子电连接。
在本发明中，为了实现上述的第一个任务，通过穿孔或蚀刻形成平面线圈，在平面线圈中，导线在基本相同的平面内环绕多次，该平面线圈具有一个用于确定半导体元件的安装区域的凹槽。在IC卡中，平面线圈的端子与半导体元件的电极端子彼此电连接，平面线圈包括在线圈内部形成的内部端子和在线圈外部形成的外部端子，半导体元件要经过树脂模压，以便能够暴露出与电极端子连接的引入线连接线一端形成的连接部分，与平面线圈的内部端子和外部端子连接的引入线连接线相应的连接部分位于线圈的内部和外部，引入线连接线的连接部分与位于相对于线圈内部和外部相同侧的平面线圈的端子电连接。
为了实现第二个任务，本发明提供了一种IC卡使用的框架，用于制作具有平面线圈的IC卡，在平面线圈中，导线在基本相同的平面内环绕多次，平面线圈通过穿孔或蚀刻形成，该平面线圈具有一个用于确定半导体元件的安装区域的凹槽，平面线圈的端子和半导体元件的电极端子彼此电连接，其中平面线圈包括在线圈内部形成的内部端子，位于相对于线圈的内部和外部相同侧的半导体元件的电极端子与内部端子电连接，平面线圈也包括在线圈外部形成的外部端子。
本发明中描述的词组“在基本相同的平面内”表示：即使在构成平面线圈的部分导线中形成了不规则性，导线总体上在相同的平面内环绕。
附图说明
图1表示根据本发明IC卡一个例子的平面图。
图2是图1所示IC卡的部分剖视图。
图3表示其中形成多个平面线圈的框架平面图。
图4(a)到4(e)表示楔形焊接方法的示意图。
图5表示根据本发明IC卡另一个例子的部分剖视图。
图6表示根据本发明IC卡另一个例子的部分剖视图。
图7表示包括图1、2、5和6所示IC卡平面线圈端子的部分视图。
图8表示根据本发明IC卡又一个例子的平面图。
图9表示包括图8所示IC卡的平面线圈端子的部分视图。
图10表示根据本发明IC卡又一个例子的部分平面图。
图11表示包括图10所示IC卡的平面线圈端子的部分视图。
图12表示图11所示平面线圈另一个例子的部分视图。
图13表示在形成包括图7、9、11和12所示IC卡平面线圈的端子之前导线11端部的部分视图。
图14表示根据本发明IC卡又一个例子的部分剖视图。
图15表示图14所示金属连接件30构成的透视图。
图16表示根据本发明IC卡又一个例子的部分剖视图。
图17表示图16所示平面线圈端子10b(10a)构成的部分剖视图。
图18表示根据本发明IC卡又一个例子的部分平面图。
图19表示根据本发明IC卡又一个例子的部分剖视图。
图20表示根据本发明IC卡又一个例子的部分平面图。
图21表示图20所示IC卡的部分剖视图。
图22表示根据本发明IC卡又一个例子的部分平面图。
图23表示图22所示IC卡的部分剖视图。
图24表示根据本发明IC卡又一个例子的部分视图。
图25表示根据本发明IC卡又一个例子的部分视图。
图26表示根据本发明IC卡又一个例子的部分平面图。
图27表示根据本发明IC卡又一个例子的部分平面图。
图28表示图27所示IC卡的部分剖视图。
图29表示根据本发明IC卡又一个例子的平面图。
图30(a)和30(b)表示图29所示IC卡的部分剖视图。
图31表示根据本发明IC卡另一个变形的部分剖视图。
图32表示根据本发明IC卡又一个变形的部分平面图。
图33表示根据本发明IC卡又一个变形的部分平面图。
图34表示根据本发明IC卡又一个变形的部分剖视图。
图35(a)和35(b)分别表示根据本发明IC卡又一个变形的部分平面图和部分剖视图。
图36表示根据本发明IC卡又一个变形的部分剖视图。
图37表示根据本发明IC卡又一个变形的部分视图。
图38(a)和38(b)分别表示根据本发明IC卡又一个变形的部分平面图和部分侧视图。
图39表示根据本发IC卡明又一个变形的部分平面图。
图40表示根据本发明IC卡又一个变形的部分平面图。
图41表示图49所示IC卡的部分剖视图。
图42表示根据本发明IC卡又一个变形的部分平面图。
图43表示根据本发明IC卡又一个变形的平面图。
图44是图43所示IC卡的部分剖视图。
图45表示图43所示IC卡中使用的模块体40的平面图。
图46表示根据本发明IC卡又一个变形的部分平面图。
图47(a)到47(c)表示根据本发明IC卡又一个变形的形成过程部分剖视图。
图48是一个变形的透视图。
图49是一个变形的部分剖视图，其中使用了封装树脂。
图50是传统IC卡的平面图。
具体实施方式
图1表示根据本发明IC卡一个例子的平面图。如图1所示，有一个矩形平面线圈10，在平面线圈10中，导线11在基本相同的平面内环绕多次，导线通过穿孔的方式形成，其厚度不小于80μm。该平面线圈10以这样的方式构成，导线在相同的平面内(该平面总体上是相同的平面)环绕多次。有端子10a、10b，这两个端子分别设置在平面线圈10内部和外部的端部。另外，有电极端子12a、12b，这两个端子在厚度为40到50μm的半导体元件12内形成，分别位于平面线圈10内部和外部。关于端子10a、10b和电极端子12a、12b，在相对于内部和外部方向的相同侧形成的端子彼此电连接。
在图1所示的IC卡中，在并入半导体元件12的平面线圈10中，具有一个凹槽14，如图2所示，当构成平面线圈10的导线11弯曲时，形成该凹槽。在该凹槽14中，设置半导体元件12。如上所述，通过穿孔能够弯曲导线11。最好凹槽14形成这样的大小，以便整个半导体元件12能够插入凹槽14中。
在这样的连接中，在图1中，在矩形平面线圈10的转角之间形成凹槽14，然而，可以在平面线圈10的转角处形成凹槽14，以便半导体元件12能够设置在凹槽14中。
如图2所示，图2是图1所示IC卡的部分剖视图，设置平面线圈10，而在端子10a、10b和半导体元件12之间留有间隙，在平面线圈10的端子10a、10b中，通过挤压方式形成连接表面16，以便连接表面16能够与形成半导体元件12的电极端子12a、12b的表面基本在相同的一侧。形成这些连接表面16的部分具有基本与图2所示半导体元件相同的厚度。
如上所述，在图1和2所示的IC卡中，平面线圈10端子10a、10b的连接表面16和形成半导体元件电极端子12a、12b的形成表面基本在相同的平面内。因此，如图2所示，通过由金、铂或铝制成的导线18，能够将平面线圈10的端子10a、10b电连接到半导体元件12的端子12a、12b，而导线回路部分不会突起于平面线圈10的表面。
如图2所示，平面线圈10、半导体元件12和其它部分通过由聚氨基甲酸酯或聚烯烃制成的粘合层22a、22b封闭并密封，粘合层22a、22b在树脂膜20a、20b的内部形成，树脂膜20a、 20b形成IC卡的前表面和后表面，在树脂膜的表面上印制字母。
当制造图1和2所示的IC卡时，最好使用图3所示的平面线圈10的框架F。通过对由铜、铁或铝制成的金属板进行穿孔，形成该框架F。在框架F中，具有两个彼此平行的轨道60、60，在两个轨道60、60之间纵向设置平面线圈10、10……。平面线圈10、10…包括导线11，最外侧的导线11a比其它导线11粗，平面线圈的导线11a通过连接部分62与相邻平面线圈10的导线11a相连接。由于上述的结构，能够增强平面线圈的机械强度，进一步当运输框架时，能够改善框架F的搬运特性。
在图3所示框架F的平面线圈10中，最外侧的导线11a形成较粗，但是，可以在导线11a比其它导线11粗的情况下，形成IC卡。另外，当断开连接部分62时，可以断开最外侧导线11a，以便导线11a的厚度与其它导线11的厚度相同。
为了增强平面线圈10的机械强度，可以通过连接部分连接构成平面线圈10的导线11。由在IC卡前表面和后表面形成的树脂膜20a、20b内部形成的粘合层22a、22b将连接部分封闭之前，断开连接部分时，能够避免导线11之间的短路。
在这样的连接中，通过在由金属(如铜、铁或铝)制造的金属平板上，或由这些金属合金制造的金属平板上进行蚀刻，也能够制造图3所示的框架F。通过蚀刻制造的框架F能够形成包括导线11的平面线圈10，导线11比通过穿孔形成的平面线圈的导线11细。
当由图3所示的框架F制造IC卡时，可以将半导体元件12并入与框架F分离的平面线圈10中，然而，最好，将半导体元件12并入平面线圈10中，而不将平面线圈10与框架F分离。在这样情况下，将半导体元件12并入在框架F中形成的每个平面线圈10中，通过导线18、18将平面线圈10的端子10a、10b焊接到半导体元件12的电极端子12a、12b。
然后，通过树脂膜20a、20b封闭平面线圈10和半导体元件12，在该树脂膜的一侧形成粘合层22a、22b。之后，切掉预定的部位，以便平面线圈10能够与框架F分离。用这样的方法，能够获得IC卡。
关于使用导线的焊接方法，最好采用楔形(wedge)焊接方法，因为通过楔形焊接方法，能够将导线18、18的膨胀(导线回路的大小)降低到最小程度。当采用图4所示的楔形焊接装置时，能够实现楔形焊接方法。该楔形焊接装置是通常用做制造半导体的装置。
在用上述的楔形焊接装置进行的焊接工作中，将楔形24移到端子之一上面的位置，以进行焊接(以后，将要被焊接的这个端子称为焊接端子)。如图4(a)所示，将由夹持器(clamper)26保持的导线18的前端偏斜插入楔形24的前端部。降低楔形24，并借助于压力将导线18的前端部接触焊接到连接表面上，如图4(b)所示。
接着，楔形24在与一个焊接端子的平面基本相同的平面内形成的其它焊接端子的方向中移动时，张开夹持器26，以便将导线18引导到其它的焊接端子，如图4(c)所示。然后，借助于压力将导线18的前端接触焊接到其它焊接端子的连接表面，如图4(d)所示。
接着，通过夹持器26夹持并拉紧导线18。然后，切断导线18，如图4(e)所示。用这样的方法，完成了焊接操作。
当重复图4(a)到4(e)所示的一系列操作时，能够连续进行焊接操作。
根据上述的楔形焊接方法，如图4所示，由夹持器26夹持的导线18的前端部偏斜插入楔形24的前端部。因此，当将导线18(其前端部接触焊接到焊接端子之一)引导到其它的焊接端子时，能够将导线18的膨胀(回路的大小)减小到最低程度。
基于上述，如图2所示，能够通过导线18、18将平面线圈10的端子10a、10b和半导体元件12的电极端子12a、12b电连接，而回路部分不会突起于平面线圈10的表面。
在图2所示的环形导线18中，可能遇到下面的问题。当通过树脂膜20a、20b(在树脂膜20a、20b的一侧形成粘合层22a、22b)封闭平面线圈10、半导体元件12和其它部分时，在粘合剂的流动方向中，导线18的回路型部分被扭曲，使导线18的接触焊接部分脱离，并进一步切断导线18。基于上述，有导线18与平面线圈10的导线11相接触的可能。为了避免环形导线18的扭曲和其它问题，最好，导线18接触焊接到平面线圈10的端子10b和半导体元件12的电极端子12b，导线18的接触焊接部分通过树脂15、15，特别是由紫外线硬化的树脂来固定。
在这样的连接中，导线18的焊接不限于上述的楔形焊接方法，可以采用球压焊方法。
在图1和2所示的IC卡中，为了用半导体元件12的电极端子12a、12b电连接平面线圈10的端子10a、10b，用导线18进行焊接。半导体元件12的厚度是40到50μm，即，半导体元件12的重量小。因此，通过导线18能够充分地支持半导体元件12。
在只用上述导线18不能支持半导体元件12，并且在制造过程中出现问题的情况下，可以在导线11和焊盘23a、23b之间形成用于支持半导体元件12的支持导线25、25，如图6所示。在这样情况下，在一个表面(在该表面上形成半导体元件12的电极端子12a、12b)上的平面线圈10内部和外部位置处形成用于支持支持导线25、25的焊盘23a、23b。
在这样的连接中，在图6所示的结构中，具有两个支持导线25。然而，只要由一个支持导线25能够充分地支持半导体元件12，可以形成一个支持导线25。
图1到6所示的平面线圈10端子10a、10b的连接表面16可以与形成半导体元件12电极端子12a、12b的表面是基本相同的表面，连接表面16要经过挤压，连接表面16的结构可以任意确定。然而，最好，图1、2和6所示的平面线圈10端子10a、10b的结构形成图7所示的结构。图7所示端子10a(10b)的连接表面16通过挤压的方式形成，在其宽度保持导线11宽度的情况下延伸。因此，能够充分保证在其中连接表面16与基本平行于导线11设置的导线18端子相连接的一个连接部分。
如下所述，平面线圈10的端子10a、10b可以与半导体元件12的电极端子12a、12b相连。平面线圈10的端子10a、10b与半导体元件12相分离，并设置在靠近位于平面线圈10内部和外部电极端子12a、12b的位置处，这样设置的平面线圈10的端子10a、10b与电极端子12a、12b相连。图8表示将端子10a、10b与电极端子12a、12b相连的导线18在垂直于导线11方向上伸展的情况。
最好，图8所示的平面线圈10的端子10a、10b形成图9所示的结构。图9所示端子10a(10b)的连接表面16(该表面要经受挤压)的宽度以这样的方式延伸，以便连接表面16的宽度大于导线11的宽度。因此，当连接表面16与在垂直于导线11方向伸展的导线18的一端相连时，连接表面足够大。
关于图2所示的环形导线18，当导线18由在树脂膜20a、20b的一侧形成的粘合层22a、22b封闭和密封时，会有导线18在粘结剂流动方向上被扭曲的可能性。特别是，当导线18和构成平面线圈10的导线11之间的间隙变小时，会有被扭曲的导线18与导线11接触的可能性。为了解决上述的问题，最好，在位于平面线圈10内部和外部的端子10a、10b中，在导线11相对一侧的连接表面16的一部分中形成一墙壁部分27，如图10所示。通过该墙壁27，当导线18由粘合层22a、22b封闭时，能够减少靠近端子10a、10b部分中粘结剂的流动。因此，能够避免导线18与导线11接触，以及避免导线18被扭曲。
最好，图10所示平面线圈10的端子10a、10b形成图11所示的结构。在图11所示的端子10a、10b中，具有所形成的连接表面16，该表面要经受挤压，以便在保持导线11宽度的情况下，能够使导线11的端部延伸，在与导线11相对一侧的部分中垂直形成墙壁27。
能够使用图12所示的端子10a、10b代替图11所示的平面线圈10的端子10a、10b。在图12所示的端子10a、10b中，有所形成的连接表面16，该表面要经受挤压，以便在保持导线11宽度的情况下，能够使导线11的端部延伸，进一步在连接表面16的两侧形成墙壁27a、27b。根据图12所示的端子10a、10b，能够保证足够大的连接表面16与基本平行于导线11伸展的导线18的端部相连，当由粘合层22a、22b封闭导线18时，能够减少靠近端子10a、10b部分中粘结剂的流动。因此，能够避免导线18与导线11接触，以及避免导线18被扭曲。即使当导线18被扭曲到导线11那一侧时，通过在导线11侧面形成的墙壁也能够避免导线18与导线11接触。
通过挤压构成平面线圈10导线11的端部，能够形成图7、9、11和12所示的任何一种端子10a(10b)。因为通过挤压的方式形成的端子10a、10b，用导线18焊接，为了用导线18可靠地连接端子10a、10b，端子10a、10b的连接表面16最好经过金或钯电镀。
然而，由于端子10a、10b的结构复杂，只在连接表面16上难以进行金或钯电镀。因此，最好，在如图3所示的要经过挤压的导线11的部分端部中预先进行金或钯电镀。在挤压过程中，通过电镀方式预先形成的一层金或钯基本上能够覆盖延伸端子10a、10b的连接表面16。
在上述描述的IC卡中，由高导电率的金、铂或铝制成的导线18将平面线圈的端子10a、10b和半导体元件12的电极端子12a、12b连接起来。然而，由于导线18较细，导线18的电阻高于构成平面线圈10导线11的电阻。因此，可以引起这样的问题：通过电磁感应在平面线圈10中产生的电能不能充分地传送到半导体元件12。
为了解决上述问题，最好，由扁平型金属连接件30连接平面线圈10的端子10a、10b与半导体元件12的电极端子12a、12b，如图14所示。
该扁平型金属连接件30的宽度大约与导线11的宽度相同，该扁平型金属连接件由诸如铜、金或铝之类的金属制成，其导电率高。该金属连接件30可以是平直薄板，然而，最好使用薄板，其中间部分形成拱顶型，如图15所示。原因是通过该金属连接件30能够吸收在平面线圈10中，平面线圈10和半导体元件12之间热膨胀系数差产生的应力，中间部分形成拱顶型，进一步，当IC卡受到弯曲时平面线圈10中产生的应力也能够由该金属连接件30吸收。图15所示的该金属连接件30的两个端部30a、30b形成平板，并分别与平面线圈10的端子10a(10b)和半导体元件12的端子12a(12b)相连。
在这样情况下，当金属连接件30由铜制成时，两端的连接制作如下。金属连接件30的连接表面镀金、锡或焊锡，半导体元件12的电极端子12a、12b和平面线圈10的端子10a、10b镀金，对要连接的两个端子进行加热及接触焊接，以便通过这样形成的易熔合金将它们彼此连接起来。另一方面，在金属连接件30由金或铝制成的情况下，在金属连接件30的连接表面上不进行金属电镀，就能够将两个端子彼此连接起来。通过使用导电粘结剂也能够将两个端子彼此连接起来。
当然，在这样的连接中，必须将拱顶型部分30c形成适当的大小，以便它不会突出于平面线圈10。
为了减小平面线圈10端子10a、10b和半导体元件12电极端子12a、12b之间连接部分的电阻值，可以将端子10b(10a)和电极端子12b(12a)直接彼此相连，如图16所示。上述的连接能够如下实现。半导体元件12的电极端子12a、12b镀金，平面线圈10的端子10a、10b镀上诸如金、锡和焊锡之类的金属。对它们进行加热及挤压，以便通过在它们之间形成易熔合金能够将它们彼此连在一起。另外，通过使用导电的粘结剂能够将两个端子彼此相连。
在这样的情况下，为了使端子10b(10a)与电极端子12b(12a)可靠地相连，最好，在端子10b(10a)的连接表面上形成一个突起32，当突起与半导体元件12的电极端子12b(12a)接触时受到挤压，如图17所示。
在半导体元件12的电极端子12a、12b与平面线圈10的端子10a、10b彼此直接连在一起的情况下，如图16所示，由IC卡弯曲和对IC卡加热的影响，在平面线圈10中产生的应力集中在两个端子的连接部分，两个端子彼此分离。为了减少应力在两个端子连接部分的集中，最好在靠近平面线圈10端子10a、10b的位置设置吸收作用到平面线圈10应力的应力吸收部分。
关于上述的应力吸收部分，最好为应力吸收部分设置图18所示的弯曲部分34，因为通过穿孔容易形成弯曲部分34。当设置该弯曲部分34时，通过弯曲部分34的扩展和收缩能够吸收作用到平面线圈10的应力。因此，能够减小两个端子连接部分的应力。
当导线11弯曲时，形成了平面线圈10中形成的凹槽14。进一步，可以以这样的方式在平面线圈10中形成凹槽14，以便因为导线11的厚度大于半导体元件12的厚度，因而能够形成图19所示的凹槽14，导线11的中间部分受到挤压。在这样情况下，平面线圈10和半导体元件12能够在厚度方向中位于IC卡的中央。因此，IC卡能够做得很薄。在这样的连接中，在这样情况下，半导体元件12和导线18容纳在导线11厚度的范围内。
在这样的连接中，已经受到挤压的一部分导线11变得比导线11的其它部分细，如图19所示。然而，导线11本身的电阻不会出现问题。
在以上描述的IC卡中，通过弯曲或挤压构成平面线圈10的导线11形成凹槽14。然而，如图20和21所示，当在IC卡厚度方向上弯曲靠近导线11端部的一部分、并且端部要经受挤压时，能够使平面线圈10端子10a、10b的各个连接表面16与包括形成半导体元件12电极端子12a、12b形成表面的平面基本上在相同的平面上，而不会在平面线圈10中形成凹槽14。
在图20和21中，当通过导线18、18将平面线圈10的端子10a、10b与半导体元件12的电极端子12a、12b彼此焊接在一起时，不会使平面线圈10的导线11粘附到半导体元件12，该导线11穿过半导体元件12的上表面。然而，最好采用下面的步骤。如图22和23所示，通过粘合层36已经使穿过半导体元件12上表面的平面线圈10的导线11粘附到半导体元件12之后，通过导线将平面线圈10的端子10a、10b与半导体元件12的电极端子12a、12b彼此焊接在一起。当通过粘合层36使平面线圈10的导线11粘附到半导体元件12时，在焊接过程中能够很容易地进行定位。
在这样的连接中，即使在图1到19所示的情况下，也最好采用下面的步骤。通过粘合层36已经使平面线圈10的导线11粘附到半导体元件11之后，将平面线圈10的端子10a、10b与半导体元件12的电极端子12a、12b彼此连在一起。
在图6所示的结构中，为了支持半导体元件12，支持导线25在半导体元件12和平面线圈10的导线11之间伸展。然而，在导线11宽度较窄的情况下，将支持导线25的一端连接到导线11比较困难。在这样情况下，最好采用下面的步骤。如图24所示，延伸已经受过挤压的平面线圈10端子10b(10a)的连接表面，将连接半导体元件12电极端子12b(12a)的导线18和连接支持焊盘23b(23a)的支持导线25连接到平面线圈10的端子10b(10a)。在平面线圈10的端子10b(10a)中，具有C-型凹槽33，具有半导体元件12电极端子12b(12a)、同时具有支持导线焊盘23b(23a)的一个端部插入该凹槽中。当半导体元件12的端部插入该凹槽33时，平面线圈10的端子10b(10a)沿半导体元件12的端部边缘以这样的方式延伸，以便端子10b(10a)封闭具有与平面线圈10端子10b(10a)相连的电极端子12b(12a)的半导体元件12的端部。基于上述，能够容易地使半导体元件12定位，进一步能够缩短导线18和支持导线25的长度。另外，在这样情况下，最好，在通过图22和23所示的粘合层36已经使半导体元件12与平面线圈10的导线11彼此粘结在一起之后，将导线18和支持导线25彼此焊在一起。
进一步，当导线18和支持导线25与导线11平行、以直线方式伸展时，如图24所示，能够容易焊接两条导线，并能够支持半导体元件12保持良好的平衡。
在图10所示的结构中，在平面线圈10端子10a、10b的侧面具有墙壁部分27。当由粘合层22a、22b封闭导线18时，通过该墙壁部分27，能够减少在靠近平面线圈10端子10a、10b的部分中粘结剂的流动。因此，能够避免导线18的扭曲。另一方面，为了通过减少在靠近半导体元件12电极端子12b(12a)的部分中粘结剂的流动，来避免导线18的扭曲，最好在设置在导线11(该导线穿过半导体元件12的上表面)中间的延伸部分38中形成U-型部分40，半导体元件12的电极端子12b(12a)位于该U-型部分中，如图25所示。当导线18由形成延伸部分38保护时，图9所示的端子10b(10a)最好用做平面线圈10的端子10b(10a)。在该端子10b(10a)中，连接表面16的宽度大于导线11的宽度，该连接表面已经通过挤压方式形成。因此，当连接表面16与在垂直于导线11方向中伸展的导线18的端部相连时，连接表面16足够大。
即使在图25所示的情况下，最好平面线圈10端子10b和半导体元件12电极端子12b之间的接触焊接部分通过树脂15、15来固定，如图5所示，特别是，通过紫外线硬化的树脂，因为当由树脂固定接触焊接部分时，能够进一步避免导线18的扭曲。
即使在25所示的结构中，最好通过粘合层36使半导体元件12与平面线圈10的导线11彼此粘附在一起，然后焊接导线18。
在上述的IC卡中，形成平面线圈10的导线11比半导体元件12厚。然而，当半导体元件12的厚度基本上与导线11的厚度相同时，能够使用图26所示的IC卡，其中设置半导体元件12，以便电极端子12a、12b的形成表面能够相对于平面线圈10位于导线11侧面，通过导线18、18使半导体元件12的电极端子12a、12b分别与平面线圈10的端子10a、10b相连，而不用挤压端子10a、10b。在这样情况下，每根导线18、18的一部分环路有时突出于导线11，然而，突出量小。因此，通过在树脂膜20a、20b一侧形成的粘合层22a、22b能够充分地密封导线18、18，在密封过程中引起的扭曲很小，以致不会出现问题。
为了最大程度地减少导线18、18的环路，以及为了使导线的焊接工作更容易，最好采用图27所示的结构，在图27中，通过粘合层36使平面线圈10的端子10a、10b(其宽度大于导线11的宽度)粘结到靠近半导体元件12电极端子12a、12b的部分，然后通过导线18、18将端子10a、10b分别与电极端子12a、12b相连。如图28所示，导线18形成的环路小于图26所示导线18形成的环路。因此，在树脂膜20a、20b的一侧形成的、用于密封导线18的粘合层22a、22b能够作得很薄。
为了吸收作用到平面线圈10的应力，以及当通过粘合层23使平面线圈10的端子10a、10b粘结到半导体元件12时，避免两个端子(结合在一起的)分离，可以在靠近平面线圈10端子10a、10b的导线11中形成诸如图18所示弯曲部分34之类的应力吸收部分。
在这样的连接中，当然，可以通过粘合层36使半导体元件12粘结到平面线圈10的导线11上，该平面线圈的导线11穿过半导体元件12电极端子12a、12b的形成表面。
下面将说明图29所示IC卡和图1所示IC卡之间的区别。
关于设置在图30所示凹槽14中的半导体元件12，将相对于电极端子12a、12b形成表面相反一侧上的平面放置在形成凹槽14底表面的导线11上。可以简单地将半导体元件12放置在导线11上，然而，当通过粘结剂使该半导体元件12粘结到导线11时，能够容易地进行半导体元件12电极端子12a、12b的定位。
图30(a)表示了一个例子，其中在平面线圈10的导线11中形成凹槽14，凹槽14的深度大于半导体元件12的厚度。在该例子中，为了使平面线圈10端子10b(10a)连接表面16基本上与半导体元件12电极端子12a、12b的形成表面在相同的平面上，平面线圈10的端子10b(10a)要经受挤压。当如上所述的凹槽14深度大于半导体元件12的厚度时，能够将突出于平面线圈10、用于连接两端子导线18环路的突起尽可能减小到最低程度。
另一方面，图30(b)表示了一个例子，其中凹槽14的深度基本上与半导体元件12的厚度相同，在平面线圈10的导线11中形成该凹槽14。在该例子中，平面线圈10端子10b(10a)的连接表面16基本上与半导体元件12电极端子12a、12b的形成表面相同。因此，能够省去平面线圈10-端子10b(10a)的挤压过程。
如上所述，在图29、30(a)、30(b)所示的IC卡中，平面线圈10端子10a、10b的连接表面16基本上与半导体元件12电极端子12a、12b的形成表面相同。因此，能够通过楔形焊接(wedge bonging)或球压焊接(ball bonding)的方法进行导线的焊接。因此，如图2所示，当将突出于平面线圈10表面的环路突起减小到最低程度时，能够通过由金、铂或铝制成的导线18、18将平面线圈10端子10a、10b与半导体元件12电极端子12a、12b电连接。
用与图2所示相同的方式，在图30(a)和30(b)中，当将突出于平面线圈10表面的环路突起减小到最低程度时，能够通过导线18、18将平面线圈10的端子10a、10b与半导体元件12的电极端子12a、12b彼此电连接。
为了避免导线18的扭曲，最好，用图31所示的树脂15、15，特别是用由紫外线硬化的树脂固定平面线圈10端子10b与半导体元件12电极端子12b的接触焊接部分。
在图29到31所示的平面线圈10中，端子10a、10b(已经受到挤压)的连接表面16可以与包括半导体元件12电极端子12a、12b形成表面的表面基本上在相同的平面内，结构可以任意确定。最好，图29、30(a)、31所示的平面线圈10的端子10a、10b形成图7所示的端子结构。
平面线圈10的端子10(a)、10(b)可以按这样的方式分别与半导体元件12的电极端子12a、12b相连，以便在靠近位于平面线圈10内部和外部的电极端子12a、12b的位置上设置端子10a、10b，因为焊接装置的操作，平面线圈10远离半导体元件12，这些端子10a、10b与端子12a、12b相连。图32表示用于连接两端子的导线18、18在垂直于导线11方向上伸展的情况。
当图32所示的平面线圈10的端子10a、10b要经受挤压时，最好使用图9所示的端子。
可能有这样的问题：通过电磁感应在平面线圈10中产生的电能不能充分地传送到半导体元件12。为了解决上述问题，最好，用与图14所示的例子相同的方式，通过扁平型金属连接件30连接平面线圈10的端子10a、10b与半导体元件12的电极端子12a、12b，如图34所示。
在图29到34中，在靠近平面线圈10端子10a、10b部分中没有形成凹槽14。然而，如图35(a)和35(b)，可以靠近端子10b(10a)形成凹槽14。在这些图中，凹槽14的底表面大于靠近端子10b(10a)没有形成凹槽14的壳体底表面。因此，在将半导体元件12稳定地放置在凹槽14底表面的情况下，能够进行导线的焊接。
以这样的方式形成在平面线圈10中形成的凹槽14，以便弯曲导线11。除此，由于导线11比半导体元件12厚，用与图19所示相同的方式，导线11的中间部分要经受挤压，以便能够形成图36所示的凹槽14。在这样情况下，能够在厚度方向上将平面线圈10和半导体元件12设置在IC卡的中央。因此，IC卡能够作得较薄。在这样情况下，将半导体元件12和导线18容纳在导线11厚度t的范围内。
进一步，可以按下面的方式构成平面线圈10的端子10a、10b。如图37所示，使平面线圈10端子10b(10a)(已经受到挤压)的连接表面伸展，导线18，其一端与半导体元件12的电极端子12b(12a)相连，另一端可以与端子10b(10a)相连。在平面线圈10的这个端子10b(10a)中，形成有C-型凹槽33，具有电极端子12b(12a)的半导体元件12的一端插在该凹槽中。当半导体元件12的一端插在该凹槽33时，端子10b(10a)按这样的方式沿半导体元件12端部的端边缘延伸，以便围绕具有电极端子12b(12a)的半导体元件12的端部，电极端子12b(12a)与平面线圈10的端子10b(10a)相连。由于上述的设置，能够很容易地使半导体元件12定位，能够缩短导线18的长度。因此，最好使用上述的设置。另外在这样情况下，最好，通过粘结剂已经使半导体元件12与平面线圈10的导线11彼此粘结在一起之后，焊接导线18。
图38(a)和38(b)表示了一个例子，其中平面线圈10的端子之一10b要经受挤压，以便形成凹槽14作为半导体元件12的安装部分，端子10b的连接表面进一步延伸，半导体元件12安装在端子10b上。在端子10b上，通过普通导线或绝缘线将半导体元件12的电极端子12b与端子10b彼此连在一起。通过导线18以这样的方式将平面线圈10的另一个端子10a和半导体元件12的电极端子12a彼此连在一起，以便导线18在垂直方向上跨过导线11，导线11置于端子10a和10b之间。端子10a要经受挤压，同时，一部分导线11(导线穿过的该部分导线)要经受挤压，以便形成直通凹槽14a。由于上述的结构，导线18不会突出导线11厚度的范围。当在凹槽14a的内表面至少一部分(导线18穿过的那部分)覆盖电绝缘材料的绝缘树脂时，或当使具有电绝缘特性的绝缘纸带粘附到该部分时，能够实现连接，即使使用普通导线18，也不会引起短路。
图39表示了一个例子，其中除了端子10a、10b外，导线11的中间部分也要经受挤压，以便形成凹槽14作为安装半导体元件12的安装部分。在该凹槽14中，安装半导体元件12。为了安装半导体元件12，使凹槽14的宽度大于导线11的宽度，将邻近安装部分的导线11设置在凹槽14的外部。另外在这样情况下，端子10a、10b要经受挤压，以便表面能够与凹槽14的表面在相同的水平面，同时，导线11的一部分要经受挤压，导线11的该部分置于安装部分和端子10a、10b之间并由导线18跨过，以便形成直通-凹槽。在这样的方式中，将端子10a、10b与半导体元件12电极端子12a、12b相连的导线18不会突出于导线11厚度的范围。在这样的连接中，对用于连接电极端子12a、12b与端子10a、10b的导线18来说，最好使用绝缘线。当用电绝缘材料覆盖直通凹槽的内表面时，能够通过普通导线18实现连接。
当半导体元件12的尺寸较小时，能够将半导体元件12并入到通过挤压方式在导线11上形成的凹槽14中。
半导体元件12并入到凹槽14中的该方法的优点是：不论半导体元件12的大小都能够形成标准的平面线圈10。当半导体元件12具有较小的宽度时，该宽度是通过平面线圈10导线11的宽度，最好使用将半导体元件12并入到凹槽14中的方法。
在上述描述的IC卡中，使构成平面线圈10的导线11弯曲或经受挤压，以便形成凹槽14。然而，如图40和41所示，当使靠近导线11的一部分弯曲、导线11的端部要经受挤压时，能够使平面线圈10端子10a、10b的连接表面16基本上与包括形成半导体元件12电极端子12a、12b形成平面的表面在相同的平面上。
在图40和41中，当通过导线18、18将平面线圈10端子10a、10b与半导体元件12的电极端子12a、12b彼此焊在一起时，通过安排平面线圈10的导线11能够容易地进行导线焊接的定位，平面线圈10的导线11在半导体元件12的下表面通过，粘附到半导体元件12上。因此，最好使导线11粘附到半导体元件12上。
在这样的连接中，当调整靠近导线11部分中的焊接量时，不进行挤压，能够使平面线圈10端子10a、10b各个连接表面16基本上与形成半导体元件12电极端子12a、12b的形成平面在相同的平面上。
在上述的IC卡中，形成平面线圈10的导线11比半导体元件12厚。当半导体元件12的厚度基本上与导线11的厚度相同时，可以采用下面的IC卡设置。如图42所示，以这样的方式设置半导体元件12，以便与形成电极端子12a、12b形成平面相反的平面位于相对于平面线圈10的导线11侧面，端子10a、10b通过导线18、18与电极端子12a、12b相连，而不在平面线圈10的端子10a、10b上进行挤压。在这样情况下，部分导线18、18突出于导线11，然而突出量很小。因此，通过在树脂膜20a、20b的一侧形成的粘合层22a、22b能够充分密封导线18、18，在密封过程中很少引起扭曲。
在图29到42解释的IC卡中，导线18或扁平型金属连接件30用于连接平面线圈10和半导体元件12。然而，如图43所示，能够使用模块体40，在该模块体中用树脂模压半导体元件。如下所述，该模块体40要经受树脂模压。如图44和45所示，有引入线连接线46、46，该连接线通过焊锡块44、44和半导体元件12的电极端子12a、12b连接。进行树脂模压，以便能够暴露在引入线连接线端部形成的连接部分47。
将这样形成的模块体40的连接部分47连接到平面线圈10的端子10a、10b。按下面的方式进行两个端子的连接。连接部分47、47的连接表面镀金、锡或焊锡，半导体元件12的电极端子12a、12b和平面线圈10的端子10a、10b镀金，对要相连的两个端子进行加热及接触焊接，以便通过这样形成的易熔合金将它们彼此连接在一起。另一方面，在连接部分47、47由铝作成的情况下，在连接部分47、47的连接表面上不进行金属电镀，就能够将两个端子彼此连在一起。也能够通过使用导电粘结剂将两个端子彼此连在一起。
如图43所示，在并入模块体40的平面线圈的一部分形成有凹槽，当导线11弯曲时，模块体40插入该凹槽中。
在以上说明的IC卡中，在相对于平面线圈10(该平面线圈环绕多次)的导线11延伸方向的两侧形成半导体元件12的端子(焊接焊盘)12a、12b。另一方面，在图46所示的IC卡中，在相对于平面线圈10导线11延伸方向的一侧形成半导体元件12的焊接焊盘12a、12b。在该例子中，平面线圈10的一个端子10a(例如，外端端子)设置在半导体元件12的外部，并延伸到与平面线圈10的另一个端子10b(例如，内部端子)对应的位置。端子10a、10b包括焊盘，在该焊盘上能够进行焊接。通过导线18、18、在焊盘和位于靠近端子10a、10b的半导体元件12电极端子12a、12b之间进行焊接。在这样的连接中，与上述情况相反，平面线圈10的另一个端子10b可以设置在半导体元件的内部。
图47(a)到47(c)表示制作过程，其中对半导体元件12进行模压并通过密封树脂进行固定，通过树脂膜20a、20b封闭这样模压的半导体元件12，以便能够形成IC卡。首先，如图47(a)所示，挤压构成平面线圈10的导线11，以便形成凹槽14。接着，如图47(b)所示，通过密封树脂50在半导体元件12和半导体元件安装部分上进行模压。在这样情况下，最好，进行传递模压。图48表示模压后半导体元件状态的透视图。接着，在平面线圈10的上下表面形成粘合层22a、22b，平面线圈10置于树脂膜20a、20b之间。用这样的方法，形成了IC卡。
在这样的连接中，当通过树脂密封半导体元件12时，可以通过图47(a)到47(c)所示的模压方式形成密封树脂。然而，能够通过封装52的方式形成密封树脂，封装的外形如图49所示。
如上所述，当通过树脂密封半导体元件12时，能够增强半导体元件12的强度，能够减少在分层制作过程中作用到半导体元件12的应力强度，在分层结构中半导体元件12和平面线圈10由树脂膜20a、20b封闭。因此，能够避免半导体元件12破裂，即能够避免半导体元件12的损坏。即使制作IC卡之后使用IC卡时，当IC卡弯曲时，能够减少作用到IC卡的应力强度。因此，能够避免半导体元件受到损坏。
根据本发明的IC卡和IC卡框架，能够容易地使通过穿孔形成的平面线圈端子与半导体元件的电极端子彼此相连，而不需要在平面线圈上跨过连接导线。因此，能够降低IC卡和IC卡框架的成本，能够大批量生产IC卡及框架。

Claims (39)

1、一种IC卡，包括：一个平面线圈，在该平面线圈中，导线在基本相同的平面内环绕多次，该平面线圈具有一个用于确定半导体元件的安装区域的凹槽；具有电极端子的半导体元件，该平面线圈的端部与该电极端子电连接，其中该平面线圈包括在线圈内部形成的内部端子和在线圈外部形成的外部端子，
该半导体元件被安装在该凹槽中，其安装方式为：在其上形成电极端子的半导体元件的表面与平面线圈的导线相对，连接到平面线圈内部端子和外部端子的半导体元件的各个电极端子分别位于邻近平面线圈内部端子和外部端子的位置，半导体元件的电极端子与位于相对于线圈内部和外部相同侧的平面线圈的相应端子电连接。
2、根据权利要求1所述的IC卡，其中平面线圈和半导体元件被置于分别形成IC卡前表面和后表面的树脂膜之间，并由树脂膜内部形成的粘合层封闭和密封。
3、根据权利要求1所述的IC卡，其中平面线圈的端子要经受挤压，以便平面线圈的端子能够与其上形成电极端子的半导体元件表面的平面基本在相同的平面内。
4、根据权利要求3所述的IC卡，其中已经经过挤压的平面线圈的端子沿半导体元件端部的边缘延伸，以便平面线圈的端子能够围绕半导体元件的端部，在半导体元件中设置了连接到平面线圈端子的电极端子。
5、根据权利要求1所述的IC卡，其中当弯曲平面线圈的导线时，可形成在平面线圈中形成的凹槽。
6、根据权利要求1所述的IC卡，其中通过在形成平面线圈导线的中间部分进行挤压，可在平面线圈中形成凹槽。
7、根据权利要求1所述的IC卡，其中通过环路-型焊接导线将平面线圈的端子与半导体元件的电极端子彼此连在一起，形成焊接导线的环路，以便焊接导线的环路不会突出于平面线圈的厚度范围。
8、根据权利要求7所述的IC卡，其中通过楔形焊接方法实现焊接导线的连接。
9、根据权利要求7所述的IC卡，其中通过球压焊接方法实现焊接导线的连接。
10、根据权利要求1所述的IC卡，其中通过扁平型金属连接件将平面线圈的端子与半导体元件的电极端子彼此相连。
11、根据权利要求1所述的IC卡，其中平面线圈的端子与半导体元件的电极端子直接彼此相连。
12、根据权利要求11所述的IC卡，其中平面线圈包括应力吸收部分，用于吸收在靠近端子的一部分中平面线圈内产生的应力。
13、根据权利要求1所述的IC卡，其中连接到平面线圈内部端子和外部端子的半导体元件的电极端子分别位于平面线圈的内部和外部。
14、根据权利要求1所述的IC卡，其中平面线圈具有一个表面，半导体元件具有一个上表面，将该半导体元件安装在该平面线圈的凹槽中，使得该半导体元件的上表面与该平面线圈的表面位于大致相同的平面内。
15、一种IC卡，包括：一个平面线圈，在该平面线圈中，导线在基本相同的平面内环绕多次，该平面线圈具有一个用于确定半导体元件的安装区域的凹槽；具有电极端子的半导体元件，该平面线圈的端部电连接到该电极端子，其中该平面线圈包括在线圈内部形成的内部端子和在线圈外部形成的外部端子，
该半导体元件被安装在该凹槽中，其安装方式为：在相对于形成电极端子的平面后侧的半导体元件的平面与平面线圈的导线相对，连接到平面线圈内部端子和外部端子的半导体元件的各个电极端子分别位于邻近平面线圈内部端子和外部端子的位置，半导体元件的电极端子与位于相对于线圈内部和外部相同侧的平面线圈的端子电连接。
16、根据权利要求15所述的IC卡，其中平面线圈和半导体元件被置于形成IC卡前表面和后表面的树脂膜之间，并由在树脂膜内形成的粘合层密封。
17、根据权利要求15所述的IC卡，其中弯曲构成平面线圈的导线以在平面线圈中形成凹槽。
18、根据权利要求15所述的IC卡，其中挤压构成平面线圈的导线的中间部分以在平面线圈中形成凹槽。
19、根据权利要求15所述的IC卡，其中通过环路-型焊接导线将平面线圈的端子与半导体元件的电极端子彼此相连。
20、根据权利要求19所述的IC卡，其中通过楔形焊接方法实现焊接导线的连接。
21、根据权利要求19所述的IC卡，其中通过球压焊接方法实现焊接导线的连接。
22、根据权利要求15所述的IC卡，其中通过扁平型金属连接件将平面线圈的端子与半导体元件的电极端子彼此相连。
23、根据权利要求15所述的IC卡，其中与平面线圈的内部端子和外部端子相连的半导体元件的电极端子分别位于平面线圈的内部和外部。
24、根据权利要求15所述的IC卡，其中平面线圈具有一个表面，半导体元件具有一个上表面，将该半导体元件安装在该平面线圈的凹槽中，使得该半导体元件的上表面与该平面线圈的表面位于大致相同的平面内。
25、一种IC卡，其中包括在基本相同的平面内环绕多次的导线的平面线圈，该平面线圈具有一个用于确定半导体元件的安装区域的凹槽，该平面线圈的端子与半导体元件的电极端子彼此电连接，其中该平面线圈包括在线圈内部形成的内部端子和在线圈外部形成的外部端子，半导体元件由树脂模压成型，并使得在与所述各电极端子相连接的引入线连接线的一端处形成的一个连接部分暴露出来，该各引入线连接线的连接部分分别位于邻近于线圈内部端子和外部端子的位置，且该各连接部分分别与相对于平面线圈的内部侧和外部侧而言与其在同侧的平面线圈的内部端子或外部端子电连接。
26、一种IC卡，其中包括在基本相同的平面内环绕多次的导线的平面线圈，该平面线圈具有一个用于确定半导体元件的安装区域的凹槽，该平面线圈的端子与半导体元件的电极端子彼此电连接，其中该平面线圈包括在线圈内部形成的内部端子和在线圈外部形成的外部端子，在该内部端子和外部端子之一上形成安装部分，半导体元件被安装在该作为安装部分的端子表面上，通过导线焊接的方式，将安装在安装部分中的半导体元件的电极端子分别与平面线圈的内部端子和外部端子电连接。
27、根据权利要求26所述的IC卡，其中通过挤压的方式将安装部分形成凹槽，该凹槽的宽度大于导线的宽度，在穿过平面线圈的作为安装部分的端子与另一个端子之间的一部分导线中形成直通凹槽，其中用于连接平面线圈的该另一个端子与半导体元件的电极端子的焊接导线跨过该部分导线。
28、一种IC卡，其中包括在基本相同的平面内环绕多次的导线的平面线圈，该平面线圈具有一个用于确定半导体元件的安装区域的凹槽，该平面线圈的端子与半导体元件的电极端子彼此电连接，其中该平面线圈包括在线圈内部形成的内部端子和在线圈外部形成的外部端子，在内部端子和外部端子之间通过的至少一根导线的中间部分形成安装部分，在该安装部分中，在该导线上安装半导体元件，通过导线焊接的方式，将安装在安装部分中的半导体元件与平面线圈的内部端子和外部端子彼此电连接。
29、根据权利要求28所述的一种IC卡，其中由凹槽形成的安装部分是通过挤压导线在导线中形成的，该安装部分的宽度大于导线的宽度，在穿过安装部分和平面线圈的端子之一之间的一部分导线中形成直通凹槽，焊接导线跨过该部分导线，同时在穿过安装部分和平面线圈的另一个端子之间的一部分导线中也形成直通凹槽，焊接导线跨过该部分导线。
30、一种用于制作具有平面线圈的IC卡的IC卡框架，其中在该框架的纵向方向上的两个并行轨道之间连续设置结构相同的多个平面线圈；该平面线圈中的导线在基本相同的平面内环绕多次，通过穿孔和蚀刻形成平面线圈，所述的平面线圈具有用于确定半导体元件的安装区域的凹槽，该平面线圈的端子和半导体元件的电极端子彼此电连接，其中该平面线圈包括在线圈内部形成的内部端子，位于相对于线圈的内部和外部相同侧的半导体元件的电极端子电连接到该内部端子，平面线圈也包括在线圈外部形成的外部端子。
31、根据权利要求30所述的IC卡框架，其中通过弯曲形成平面线圈的导线，可在平面线圈中形成凹槽。
32、根据权利要求30所述的IC卡框架，其中通过挤压形成平面线圈的导线的中间部分形成可在平面线圈中形成的凹槽。
33、根据权利要求30所述的IC卡框架，其中在内部端子和外部端子之一中形成安装部分，半导体元件安装在该作为安装部分的端子表面上。
34、根据权利要求33所述的IC卡框架，其中由凹槽形成的安装部分是通过挤压导线而在导线中形成的，该安装部分的宽度大于导线的宽度，在穿过平面线圈的作为安装部分的端子与另一个端子之间的一部分导线中形成直通凹槽，用于将平面线圈的该另一个端子与半导体元件的电极端子相连的焊接导线跨过该部分导线。
35、根据权利要求34所述的IC卡框架，其中焊接导线通过的直通凹槽的至少一个内表面用电绝缘材料覆盖。
36、根据权利要求30所述的IC卡框架，其中穿过置于内部端子和外部端子之间中间部分的至少一根导线的中间部分形成安装部分，在该安装部分中，将半导体元件安装在该导线的表面。
37、根据权利要求36所述的IC卡框架，其中由凹槽形成的安装部分是通过挤压导线而在导线中形成的，安装部分的宽度大于导线的宽度，在穿过安装部分和平面线圈的端子之一之间的一部分导线中形成直通-凹槽，焊接导线跨过该部分导线，在穿过安装部分和平面线圈的另一个端子之间的一部分导线中也形成直通-凹槽，焊接导线跨过该部分导线。
38、根据权利要求30所述的IC卡框架，其中在形成平面线圈的导线中，最外侧导线比其它导线粗。
39、根据权利要求30所述的IC卡框架，其中平面线圈的最外侧导线通过连接部分连接，这些最外侧的导线彼此相邻。
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