DE69530155D1 - Halbleiteranordnung mit Feldplatte und Leistungswandler mit dieser Halbleiteranordnung - Google Patents

Halbleiteranordnung mit Feldplatte und Leistungswandler mit dieser Halbleiteranordnung

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Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3111827B2 (ja) 1994-09-20 2000-11-27 株式会社日立製作所 半導体装置及びそれを使った電力変換装置
KR100248115B1 (ko) * 1997-05-20 2000-03-15 김덕중 필드 플레이트를 채용한 전력용 반도체소자 및 그 제조방법
JPH11297994A (ja) * 1998-04-07 1999-10-29 Hitachi Ltd 半導体装置
GB2373634B (en) * 2000-10-31 2004-12-08 Fuji Electric Co Ltd Semiconductor device
DE10104264C2 (de) * 2001-01-31 2003-03-13 Infineon Technologies Ag Leistungsdiode mit Feldplatten-Randstruktur
JP3551153B2 (ja) * 2001-02-01 2004-08-04 日産自動車株式会社 半導体装置
JP5162804B2 (ja) * 2001-09-12 2013-03-13 富士電機株式会社 半導体装置
JP3701227B2 (ja) 2001-10-30 2005-09-28 三菱電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6608349B1 (en) * 2001-11-13 2003-08-19 National Semiconductor Corporation Narrow/short high performance MOSFET device design
US6898364B2 (en) * 2002-08-27 2005-05-24 Northrop Grumman Corporation Buffer layer promotion of decrease of one or more strain gradients in optical fiber winding
JP2004158844A (ja) * 2002-10-15 2004-06-03 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP4899290B2 (ja) * 2003-04-10 2012-03-21 富士電機株式会社 逆阻止型半導体装置
DE102004017723B4 (de) * 2003-04-10 2011-12-08 Fuji Electric Co., Ltd In Rückwärtsrichtung sperrendes Halbleiterbauteil und Verfahren zu seiner Herstellung
US7638841B2 (en) 2003-05-20 2009-12-29 Fairchild Semiconductor Corporation Power semiconductor devices and methods of manufacture
DE102004004045B4 (de) * 2004-01-27 2009-04-02 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit temporärem Feldstoppbereich und Verfahren zu dessen Herstellung
JP4992269B2 (ja) * 2006-03-30 2012-08-08 株式会社日立製作所 電力半導体装置
JP4935192B2 (ja) * 2006-05-31 2012-05-23 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2008181988A (ja) * 2007-01-24 2008-08-07 Hitachi Ltd 半導体装置
CN101345254A (zh) * 2007-07-12 2009-01-14 富士电机电子技术株式会社 半导体器件
JP4912353B2 (ja) * 2008-05-16 2012-04-11 三菱電機株式会社 電力用半導体装置およびその製造方法
JP5439901B2 (ja) * 2009-03-31 2014-03-12 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP5748188B2 (ja) 2009-09-29 2015-07-15 富士電機株式会社 半導体装置
JP5656422B2 (ja) * 2010-03-11 2015-01-21 三菱電機株式会社 測定方法
JP5515922B2 (ja) 2010-03-24 2014-06-11 富士電機株式会社 半導体装置
JP5218474B2 (ja) * 2010-05-27 2013-06-26 富士電機株式会社 半導体装置
DE102010024257B4 (de) 2010-06-18 2020-04-30 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleiterbauelement mit zweistufigem Dotierungsprofil
US8319290B2 (en) 2010-06-18 2012-11-27 Fairchild Semiconductor Corporation Trench MOS barrier schottky rectifier with a planar surface using CMP techniques
CN103380411B (zh) * 2011-02-24 2016-10-05 富士胶片株式会社 导电片和触控面板
US8937319B2 (en) 2011-03-07 2015-01-20 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. Schottky barrier diode
JP5979836B2 (ja) * 2011-09-09 2016-08-31 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2013149761A (ja) * 2012-01-18 2013-08-01 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
JP2013055347A (ja) * 2012-11-08 2013-03-21 Sanken Electric Co Ltd 半導体装置
CN104662667B (zh) 2012-11-29 2017-07-11 富士电机株式会社 半导体装置
JP6047429B2 (ja) * 2013-03-08 2016-12-21 株式会社 日立パワーデバイス 半導体装置およびそれを用いた電力変換装置
JP6237064B2 (ja) * 2013-09-30 2017-11-29 サンケン電気株式会社 半導体装置
KR20150088631A (ko) * 2014-01-24 2015-08-03 삼성전기주식회사 터치센서
JP6347308B2 (ja) 2016-02-26 2018-06-27 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
US11127822B2 (en) 2016-02-26 2021-09-21 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
JP6504313B2 (ja) * 2016-03-14 2019-04-24 富士電機株式会社 半導体装置および製造方法
CN109417086B (zh) 2017-01-25 2021-08-31 富士电机株式会社 半导体装置
CN108461541A (zh) * 2017-02-17 2018-08-28 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Igbt的终端结构、igbt器件及其制造方法
JP2018148154A (ja) * 2017-03-09 2018-09-20 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置および電子機器
JP2021185593A (ja) * 2020-05-25 2021-12-09 株式会社 日立パワーデバイス 半導体装置および電力変換装置
JP2022168904A (ja) 2021-04-27 2022-11-09 富士電機株式会社 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL6904619A (de) * 1969-03-25 1970-09-29
JPS57160159A (en) * 1981-03-28 1982-10-02 Toshiba Corp High breakdown voltage planar type semiconductor device
DE3142616A1 (de) * 1981-10-28 1983-05-05 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart "planare transistorstruktur"
DE3220250A1 (de) * 1982-05-28 1983-12-01 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Halbleiterbauelement mit planarstruktur
JPS5976466A (ja) * 1982-10-25 1984-05-01 Mitsubishi Electric Corp プレ−ナ形半導体装置
JPS63138766A (ja) * 1986-11-29 1988-06-10 Nec Kansai Ltd 半導体素子
JPS63227063A (ja) * 1987-03-17 1988-09-21 Tdk Corp 高耐圧半導体装置
JP2812093B2 (ja) * 1992-09-17 1998-10-15 株式会社日立製作所 プレーナ接合を有する半導体装置
JP2850694B2 (ja) * 1993-03-10 1999-01-27 株式会社日立製作所 高耐圧プレーナ型半導体装置
JPH0794704A (ja) * 1993-09-24 1995-04-07 Hitachi Ltd 半導体装置
JP3111827B2 (ja) * 1994-09-20 2000-11-27 株式会社日立製作所 半導体装置及びそれを使った電力変換装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3111827B2 (ja) 2000-11-27
EP0703627A1 (de) 1996-03-27
JPH0888346A (ja) 1996-04-02
US6198126B1 (en) 2001-03-06
US5691553A (en) 1997-11-25
DE69530155T2 (de) 2004-01-15
EP0703627B1 (de) 2003-04-02
US5898199A (en) 1999-04-27

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