DE69333792T2 - Halbleiteranordnung - Google Patents

Halbleiteranordnung Download PDF

Info

Publication number
DE69333792T2
DE69333792T2 DE69333792T DE69333792T DE69333792T2 DE 69333792 T2 DE69333792 T2 DE 69333792T2 DE 69333792 T DE69333792 T DE 69333792T DE 69333792 T DE69333792 T DE 69333792T DE 69333792 T2 DE69333792 T2 DE 69333792T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
data
column
registers
semiconductor memory
units
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69333792T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69333792D1 (de
Inventor
Haruki Toda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Publication of DE69333792D1 publication Critical patent/DE69333792D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69333792T2 publication Critical patent/DE69333792T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1051Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1006Data managing, e.g. manipulating data before writing or reading out, data bus switches or control circuits therefor
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1015Read-write modes for single port memories, i.e. having either a random port or a serial port
    • G11C7/103Read-write modes for single port memories, i.e. having either a random port or a serial port using serially addressed read-write data registers
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1072Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers for memories with random access ports synchronised on clock signal pulse trains, e.g. synchronous memories, self timed memories

Landscapes

  • Dram (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Description

  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleiter-Speichervorrichtung, und insbesondere eine Halbleiter-Speichervorrichtung, die für einen taktsynchronen Direktzugriffsspeicher geeignet ist, der Daten mit hoher Geschwindigkeit und beliebig ausgeben kann.
  • Hintergrund der Erfindung
  • Aufgrund des kürzlich erzielten Fortschritts bei höheren Verarbeitungsgeschwindigkeiten wurde ein Mikroprozessor mit einer primären Speichervorrichtung angegeben, die eine große Kapazität hat. Zusammen mit der primären Speichervorrichtung hoher Kapazität ist eine Speichervorrichtung vorgeschlagen worden, die für einen Datenzugriff mit hoher Geschwindigkeit befähigt ist, wobei gleichzeitig die Beliebigkeitscharakteristika des Datenzugriffs geopfert werden, um das Problem des Engpasses hinsichtlich der niedrigen Verarbeitungsgeschwindigkeit infolge der niedrigen Zugriffsgeschwindigkeit seitens der externen Speichervorrichtung zu lösen.
  • Ein Beispiel der oben beschriebenen Speichervorrichtung wurde von den gleichen Erfindern in der japanischen Patentanmeldung Nr. 3-255354 (JP-A-5002873) vorgeschlagen, in der eine Adresse innerhalb einer vorgegebenen Anzahl von Zyklen eines dem System gelieferten Grundtaktes beschafft wird, und in der eine weitere Dateneingabe und -Ausgabe eine vorgegebene Anzahl von Zyklen nach dem Zyklus beginnt, in dem die Adresse angefordert wurde. Darüber hinaus offenbart die japanische Patentanmeldung Nr. 4-638135 eine Speichervorrichtung, die mit internen Datenregistern ausgestattet ist und wie folgt arbeitet: eine Gruppe von Zugriffsdaten wird vorübergehend in den internen Registern für den Datenzugriff zwischen der Außenseite und den Speicherzellen gespeichert. Die in den Registern zu speichernden Daten werden durch Verwürfelungsschaltungen ausgewählt, d.h. eine Verwürfelungssteuerschaltung steuert die Verwürfelungsschaltungen, so dass Zugriffsdaten zyklisch in den entsprechenden Registern bei einer vorgegebenen Sequenz für jeden Zyklus eines Taktsignals gespeichert werden können. Ferner werden die Daten zwischen der Außenseite und den Registern über einen Eingangs-/Ausgangspuffer eingegeben und ausgegeben. Als Reaktion auf eine Kopfadresse, die den Beginn des Datenzugriffs anzeigt, wird eine vorgegebene Auswahlsequenz der Verwürfelungsschaltungen bestimmt.
  • Die oben angegebene Halbleiter-Speichervorrichtung wird im folgenden im einzelnen unter Bezug auf 4 beschrieben. In 4 wählt ein Spaltendecodierer 1 einen der Zellenblöcke CB1 bis CB5 eines Speicherkerns 2 aus. Jeder der Zellenblöcke CB1 bis CB5 hat vier Spalten CM1 bis CM4. Daten, die in den vier Spalten CM1 bis CM4 einer der Zellenblöcke CB1 bis CB5 (vom Spaltendecodierer 1 ausgewählt) gespeichert sind, werden gleichzeitig in die Datenleitungen DLN ausgegeben. Die Daten in den Datenleitungen DLN werden übertragen und lesen/schreiben über einen Datenpuffer 4 in die/aus den Datenleitungen RWD. Die Lese-/Schreib-Datenleitungen RWD sind über die Verwürfelungsschaltungen 61 bzw. 62 mit den Datenregistern 51 und 52 verbunden. Eine Verwürfelungssteuerschaltung 7 steuert die zwei Verwürfelungsschaltungen 61 und 62, so daß die Daten in der Lese-/Schreib-Datenleitung RWD selektiv 2-bitweise in den Datenbereichen R1, R2, R3 und R4 der Datenregister 51 bzw. 52 gespeichert werden können. Die in den Datenregistern 51 und 52 gespeicherten Daten werden von einem Datenauswahlabschnitt 9 ausgewählt und dann durch einen Datenausgabepuffer 8 als Datenausgabesignal ausgegeben.
  • Im folgenden wird der in 4 gezeigte Betrieb der Speichervorrichtung beschrieben.
  • Ein Block der fünf Zellenblocks CB1 bis CB5 der Speicherzelle 2 wird vom Spaltendecodierer 1 ausgewählt. Die Daten aus den vier Spalten CM1 bis CM4 des ausgewählten Blocks werden gleichzeitig in die Datenleitungen DLN ausgelesen und dann über den Datenspeicher 4 in die Lese-/Schreib-Datenleitungen RWD übertragen. Die vier Bitdaten werden über die Verwürfelungsschaltungen 61 und 62 und gesteuert von der Verwürfelungssteuerschaltung 7 selektiv 2-bitweise in den Datenbereichen R1, R2, R3 und R4 der Datenregister 51 bzw. 52 gespeichert. Die Zugriffssequenz der Datenbereiche R1, R2, R3 und R4 der Datenregister 51 und 52 ist beispielsweise die folgende: R1, R2, R3 und R4. Die in den Datenbereichen R1, R2, R3 und R4 gespeicherten Daten werden vom Datenauswahlabschnitt 9 ausgewählt, dem Datenausgabepuffer 8 übertragen und von dort als Datenausgabesignal ausgegeben.
  • Die oben beschriebene Halbleiter-Speichervorrichtung ist jedoch insofern problematisch, als es unmöglich ist, einen Datenzutritt zu starten, der von einem beliebigen Bit der Spalten CM1 bis CM4 beginnt, wenn Daten mit mehr als vier Bit (die Anzahl der Datenbereiche) aus den Datenbereichen R1, R2, R3 und R4 der Datenregister 51 und 52 ausgegeben werden müssen. Der Grund ist der folgende: da die vom Spaltendecodierer 1 ausgewählten Spalten CM1 bis CM4 festeingestellt sind, wenn auf 8-Bitdaten zugegriffen wird, ist es unmöglich, 8-Bitdaten darzustellen, indem einfach 2 Sätze 8-Bitdaten kombiniert werden. Mit anderen Worten, es ist unmöglich, einen kontinuierlichen 8-Bit-Zugriff zu erzielen. Wenn beispielsweise die Zugriffssequenz "3"-"4"-"5"-"6"-"7"-"8"-"1"-"2" erforderlich ist, wird die Zugriffssequenz unweigerlich als "3"-"4"-"1"-"2"-"5"-"6"-"7"-"8" oder "3"-"4"-"1"-"2"-"7"-"8"-"5"-"6" bestimmt. Obwohl sich dieses Problem lösen lässt, indem großformatigere Register verwendet werden oder indem die Zugriffsgeschwindigkeit geopfert wird, bringt dieses Verfahren ein anderes Problem mit sich, nämlich dass sich die Speichercharakteristika der synchronen Speichervorrichtung verschlechtern.
  • Andere Anordnungen gemäß dem Stand der Technik schließen Dokument EP-A-0 212 545 ein, welches in 3 ein DRAM zeigt, das in einem Nibble- bzw. Halb-Byte-Modus zur Verwendung eines zeitaufteilungsmultiplexierten Busses arbeitet. Das Speicherzellen-Array ist aufgeteilt in zwei Gruppen, wobei jede mit ihrem eigenen Datenbus versehen ist und Leseverstärker jeder Zelle zu Ausgangspuffern gruppiert sind.
  • Dokument EP-A-0 154 314 offenbart eine Dateneingabe-/Ausgabeschaltung für ein DRAM, welche erste und zweite Daten-Latches hat (Verriegelungsschaltungen) und erste und zweite Datenbusse. Sie arbeitet in einem Zwei-Takt-Zyklus. Wenn eines der Latches Daten an den Datenausgabepuffer ausgibt, latcht bzw. zwischenspeichert die andere Latch-Schaltung neue Daten und befindet sich in einem Bereitschaftszustand. Eine Zugriffszeit zum Ausgeben von Daten aus der Bit-Leitung zu den Datenbussen wird in dieser Anordnung stark reduziert, obwohl nur zwei Datenbusse verwendet werden. Demgemäss kann der durch die Datenbusse belegte Chip-Bereich vorteilhaft reduziert werden.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine verbesserte taktsynchrone Halbleiter-Speichervorrichtung mit einer hohen Zugriffsgeschwindigkeit anzugeben, mit deren Hilfe auf Daten in Spaltenbits, die die Anzahl der Register übersteigen, trotz der kleinen Anzahl der Register kontinuierlich zugegriffen werden kann, und die Spaltenadresse, von der der Zugriff beginnt, ferner frei gewählt werden kann.
  • Um das oben erwähnte Ziel zu erreichen, stellt die vorliegende Erfindung eine Halbleiterspeichereinrichtung bereit, die umfasst: ein Speicherzellen-Array, das sich aus einer Vielzahl von Speicherzellen zusammensetzt, die in einem eine Vielzahl von mit Datenleitungen verbindbaren Spalten einschließenden Matrixmuster angeordnet sind; eine Datenregistervorrichtung, die mit einem ersten und einem zweiten Register versehen ist, von denen jedes a Einheiten von 1-Bit Datenregistern hat, wobei a eine ganze Zahl größer als Eins ist; eine Verwürfelungsvorrichtung, die vorgesehen ist zum Verbinden von Datenleitungen von ausgewählten, in der Datenregistervorrichtung zu speichernden Daten zu den ersten und zweiten Registern; eine Steuervorrichtung zum Auswählen zweiter Spaltensätze, wobei jeder Satz a Spalten umfasst, aus der Vielzahl von Spalten für jeweilige a Zyklen eines Taktes in Übereinstimmung mit einer Leseadresse, die der Steuervorrichtung zugeführt wird, und zum Auswählen von a Einheiten von Daten aus 2a Einheiten von Daten der ausgewählten beiden Spaltensätze zum Speichern in einem von dem ersten und zweiten Register durch die Verwürfelungsvorrichtung abwechselnd alle a Zyklen auf der Basis einer Abfolge von Leseadressen; und eine Datenausgabevorrichtung zum Abtasten und Ausgeben von Daten von den 2a Einheiten der 1-Bit Datenregister in Folge.
  • Die Datenausgabevorrichtung kann zum Ausgeben von Daten synchron zu einem von außen eingegebenen Takt eingerichtet sein. Die Steuervorrichtung kann eine Vielzahl von Spaltenauswahlleitungen umfassen, von denen jede einen Spaltensatz auswählt. Die Spalten können mit den Ein-Bit-Datenregistern jeweils über eine Datenübertragungsleitung verbunden sein. Die Datenübertragungsleitung kann 2a Einheiten von Datenübertragungsleitungen einschließen. Vorzugsweise kann die Steuervorrichtung eingerichtet sein zum Ausführen einer ersten Steueroperation ansprechend auf eine Kopfspaltenadresse für Ausgabedaten, wobei 2a Einheiten von Daten von zwei Spaltensätzen übertragen werden zu 2a Einheiten der Datenübertragungsleitung durch Aktivieren der Spaltenauswahlleitungen zum Auswählen des Spaltensatzes einschließlich einer Spalte entsprechend der Lesespaltenadresse und ferner der Spaltenauswahlleitungen zum Auswählen des Satzes von Spalten einschließlich Spalten entsprechend den Spaltenadressen, die aufeinander in Folge auszuwählen sind.
  • Ferner kann die Steuervorrichtung eingerichtet sein zum Ausführen einer zweiten Steueroperation, wobei irgendein gegebener Spaltendatenwert als Kopfdatenwert für jeden der a Zyklen durch Auswählen von a Einheiten von Daten aus den 2a Einheiten von Daten auf 2a Einheiten von Datenübertragungsleitungen ausgegeben wird, durch Speichern der ausgewählten Daten in a Einheiten der 1-Bit Datenregister (R1 bis R4) der Datenregistervorrichtungen (51; 52), zu welchen Daten in der vorangehenden Datenübertragungsoperation keine Daten gespeichert worden sind, in der Ausgabeabfolge und durch Wiederholen der oben beschriebenen Operation.
  • Die Verwürfelungsvorrichtung kann sich aus einer ersten Verwürflungsschaltungseinheit zusammensetzen, die zwischen dem Datenpuffer und der ersten Registergruppe (51) verbunden ist, und einer zweiten Verwürfelungsschaltungseinheit, die zwischen dem Datenpuffer und der zweiten Registergruppe verbunden ist. Vorzugsweise ist die Zahl a 2 oder 3.
  • In der erfindungsgemäßen Halbleiter-Speichervorrichtung kann auf Spaltendaten, deren Anzahl die Anzahl der auf der Ausgangsseite angeordneten Datenregister übersteigt, kontinuierlich direkt zugegriffen werden, ungeachtet der Anzahl der Datenregister, und des weiteren kann eine beliebige Zugriffsstartadresse bestimmt werden.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist ein Blockdiagramm, das eine Ausführungsform der Halbleiter-Speichervorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigt,
  • 2 ist ein Zeitdiagramm zur unterstützenden Erläuterung des Betriebs der in 1 gezeigten Halbleiter-Speichervorrichtung,
  • 3 ist ein Blockdiagramm, das eine weitere Ausführungsform der Halbleiter-Speichervorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigt,
  • 4 ist ein Blockdiagramm, das eine Halbleiter-Speichervorrichtung der gleichen Erfinder zeigt, die in einer früheren Anmeldung offenbart ist.
  • Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
  • Die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung sind im folgenden unter Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
  • 1 ist ein Blockdiagramm, das eine Ausführungsform der Halbleiter-Speichervorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigt. In der Zeichnung enthält ein Speicherzellenarray MCA mehrere Speicherzellen, die in einem Matrix-Muster angeordnet sind. An das Speicherzellenarray MCA werden von einem Zeilendecodierer RD Decodierungssignale angelegt. Wie in 1 gezeigt ist, weisen die Spalten b11, b12, b21, b22, b31, b32, b41, b42, ..., bn/2)1, b(n/2)2, die das Speicherzellenarray 1 bilden, ein Paar komplementärer Bitleitungen auf. Die Daten auf den Bitleitungen können gelesen werden, indem die Bitleitungsdaten mit Leseverstärkern abgetastet werden. Die Spalten b11, b12, b21, b22, b31, b32, b41, b42, ..., bn/2)1, b(n/2)2 sind jeweils mit Spalten-Gates 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, ..., 1n – 1, 1n verbunden. Die Spalten-Gates 11 bis 1n werden jeweils mit Spaltenauswahlleitungen C1 bis Cn/2 ein- oder ausgeschaltet. Zwei der Spaltenauswahlleitungen werden durch eine Spalten-Gate-Gruppenauswahlschaltung CGS ausgewählt. Zwei Spalten-Gates werden von der einzigen ausgewählten Spaltenauswahlleitung eingeschaltet. Die Daten in den Spalten b11, b12, ..., bn/2)1, b(n/2)2 werden durch die Spalten-Gates 11 bis 1n auf die Datenleitungen DLN übertragen. Eine Verwürfelungssteuerschaltung 10 steuert die Verwürfelungsschaltungen 61 und 62 und wählt ferner zwei Spaltenauswahlleitungen C1 bis Cn/2 durch die Spalten-Gate-Gruppenauswahlschaltung CGS aus. Der Verwürfelungssteuerschaltung 10 wird eine Leseadresse AREAD geliefert.
  • Im folgenden ist der Betrieb der so konstruierten Speichervorrichtung beschrieben.
  • Wenn die Spaltenauswahlleitung C1 aktiviert ist, werden durch die Spalten-Gates 11 und 12 zwei Daten in den Spalten b11 und b12 zu den Datenleitungen DLN ausgegeben. Gleichermaßen werden, wenn die Spaltenauswahlleitung C2 aktiviert ist, durch die Spalten-Gates 13 und 14 zwei Daten in den Spalten b21 und b22 zu den Datenleitungen DLN ausgegeben. Gleichermaßen werden, wenn die Spaltenauswahlleitung Cn/2 aktiviert ist, durch die Spalten-Gates 1n – 1 und 1n zwei Daten in den Spalten b(n/2)1 und b(n/2)2 zu den Datenleitungen DLN ausgegeben.
  • Hier werden zwei der Spaltenauswahlleitungen C1 bis Cn/2 gleichzeitig durch die Verwürfelungssteuerschaltung 10 aktiviert. Infolgedessen können vier der Spalten-Gates 11 bis 1n ausgewählt werden, so dass 4-Bitdaten von den vier Spalten zu den Datenleitungen DLN ausgegeben werden. In diesem Falle werden die Spaltenauswahlleitungen C1 bis Cn/2 so ausgewählt, dass zur Verhinderung von Datenstörungen mehrere Daten nicht zu den gleichen Datenleitungen DLN ausgegeben werden. So werden beispielsweise die Spaltenauswahlleitungen C1 und C3 nicht gleichzeitig gewählt.
  • Die auf die Datenleitungen DLN übertragenen 4-Bitdaten werden durch den Datenpuffer 4 verstärkt und dann zu den Lese-/Schreib-Datenleitungen RWD übertragen. Zwei Bits jeder der zu den Lese-/Schreib-Datenleitungen RWD übertragenen 4-Bitdaten, wie oben beschrieben, werden durch die Verwürfelungsschaltungen 61 bzw. 62 ausgewählt und dann in Datenbereichen R1 und R2 eines Datenregisters 51 bzw. in Datenbereichen R3 und R4 eines Datenregisters 52 gespeichert, oder, gesteuert von der Verwürfelungssteuerschaltung 10, zu den Verwürfelungsschaltungen 61 und 62. Die Daten in den Bereichen R1, R2, R3 und R4 der Datenregister 51 und 52 werden durch einen Datenauswahlabschnitt 9 ausgewählt und dann über einen Datenausgangspuffer 8 als Datenausgabe nach außen ausgegeben.
  • 2 ist ein Zeitdiagramm, das die oben beschriebene Operation als Sequenz bezüglich der Zeit zeigt. In 2 bezeichnet (A) einen Basistakt CLK, (B) ein Spaltenadressenauswahlsignal/CAS, (C) Daten, wie e.g. Daten, die in den Datenbereichen R1 bzw. R2 zu speichern sind, (D) bezeichnet einen Zeitablauf, an dem Daten in den Datenbereichen R1 bzw. R2 gespeichert werden, (E) bezeichnet einen Zeitablauf, an dem Daten in den Datenbereichen R3 bzw. R4 gespeichert werden, (F) bezeichnet Daten, wie e.g. Daten, die in den Datenbereichen R3 bzw. R4 zu speichern sind, (G), (H) und (I) bezeichnen die Zustände von Ausgang 1, Ausgang 2 bzw. 3, die als Datenausgabe erhalten wurden, und (J) bezeichnet den jeweiligen Zustand der Spaltenauswahlleitungen C1 bis Cn/2.
  • Die Auswahl der Spaltenauswahlleitungen C1 bis Cn/2 wird für jeden Zyklus "1", "3", "5", "7", ... des Taktes CLK neu durchgeführt. Die Daten in den neu gewählten Spalten b11 bis b(n/2)2 werden in den Lese-/Schreib-Datenleitungen RWD etwa nach zwei Zyklen zu deterministischen Daten. Die 2(C) und (F) zeigen diese deterministischen Daten. Jedes dieser Einzeldaten kann bestimmt werden, indem 4-bitweise übertragen wird. Zwei von den vier Bit werden in den Datenregistern 51 bzw. 52 gespeichert. Daher sind in 2 die Daten für jedes Datenregister 51 oder 52 gezeigt. Hier zeigt die 2(C) 4-Bitdaten, die 2-Bitdaten enthalten, und in den Datenbereichen R1 und R2 des Datenregisters 51 gespeichert werden. 2 (F) zeigt ferner 4-Bitdaten, die 2-Bitdaten enthalten, und in den Datenbereichen R3 und R4 des Datenregisters 52 gespeichert werden. Wenn diese Daten in den Datenregistern 51 und 52 zu dem Zeitpunkt, an dem sie bestimmt wurden, gespeichert wurden, ist es möglich, diese Daten durch Zugriff auf die in den Datenbereichen R1, R2, R3 und R4 gespeicherten Daten sequentiell unter Verwendung des Datenauswahlabschnitts 9 nach außen auszugeben. Die 2(D) und (E) zeigen den zeitlichen Ablauf, an dem die Daten in den Datenregistern 51 und 52 unter Steuerung durch die Verwürfelungssteuerschaltung 10 gespeichert werden. Wenn sich im einzelnen ein Datenspeichersignal auf einem "H"-Pegel befindet, werden die Daten in den Datenbereichen R1, R2, R3 und R4 der Datenregister 51 und 52 gehalten. Wenn sich andererseits ein Datenspeichersignal auf dem "T"-Pegel befindet, werden die Daten der 4-Bitdaten in den Lese-/Schreib-Datenleitungen RWD in den Datenbereichen R1, R2, R3 und R4 der Datenregister 51 und 52 in Übereinstimmung mit den Verwürfelungsschaltungen 61 und 62 gespeichert.
  • Die Datenausgabe 1 kann von einer Adresse erhalten werden, die in Reaktion auf das Taktsignal CLK "1" wie folgt bestimmt wird: die Spaltenadressenauswahlleitungen C1 bis Cn/2, die die bestimmte Kopfadresse enthalten, und die Spaltenadressenauswahlleitungen C1 bis Cn/2, die diesen in der Ausgangssequenzrichtung benachbart sind, werden selektiv, von der Verwürfelungssteuerschaltung 10 gesteuert, aktiviert. Infolgedessen werden die entsprechenden Spalten-Gates 11, 12, 13, ..., 1n gewählt, so dass in die Datenleitungen DLN 4- Bitdaten ausgegeben werden. Diese Daten werden vom Datenspeicher 4 abgetastet, um die Lese-/Schreib-Datenleitung RWD zu bestimmen, wie in 2(C) gezeigt ist. Daten, die in der 4-Bitdatenausgabe 1 die ersten zwei Bit darstellen, werden durch die Verwürfelungsschaltung 61 mit dem in 2(D) dargestellten Zeitablauf in den Datenbereichen R1 und R2 gespeichert. Danach aktiviert die Verwürfelungssteuerschaltung 10, in Reaktion auf den Takt "3", zwei Zyklen nach dem Zyklus, an dem die Kopfadresse bestimmt wurde, auch wenn von außen keine Adresse bestimmt wurde, auf die gleiche Weise die Spaltenauswahlleitungen, wie in dem Fall, in dem die dritte Adresse des Ausgangs 1 von außen bestimmt wurde. 2(F) zeigt den Zustand, in dem die Daten in die Datenleitungen DLN eingelesen und weiter von den Lese-/Schreib-Datenleitungen RWD bestimmt werden. Die dritten und vierten Bit des 4-Bitausgangs 1, die wie oben beschrieben, bestimmt werden, werden von der Verwürfelungsschaltung 62 in den Datenbereichen R3 und R4 der Datenregister gespeichert, wie in 2(E) gezeigt ist. Die gleiche Operation wird in der Folge für alle zwei Zyklen des Taktsignals CLK wiederholt.
  • Andererseits wird auf die Daten, die in den Datenregistern 51 und 52 gespeichert sind, in der Reihenfolge der Datenbereiche R1, R2, R3 und R4 über das Taktsignal CLK zugegriffen, wie in 2(A) gezeigt ist. Nachdem sie zu den Lese-/Schreib-Datenleitungen RWD übertragen wurden, werden die Daten in Übereinstimmung mit der Adressensequenz, die von der Verwürfelungssteuerschaltung 10 erwartet wird, in den Datenregistern 51 und 52 gespeichert. Es ist daher möglich, die Daten in der erwarteten Sequenz auszugeben. Wenn andererseits die Kopfadresse einer Reihe von Daten erneut bestimmt wird, können die Daten als Ausgabe 2 oder 3 ausgegeben werden, wie in den 2(H) bzw. (I) gezeigt ist. Wenn es im einzelnen erforderlich ist, die Daten, beginnend mit einer neuen Adresse in Reaktion auf das Taktsignal CLK "12", auszugeben, wird von außen in Reaktion auf das Taktsignal CLK 9 eine neue Kopfadresse bestimmt. Dann können neue Daten auf die gleiche Weise, wie oben beschrieben, übertragen werden; die Daten werden bestimmt, wie in A in 2(C) gezeigt, in den Datenbereichen R1 und R2 gespeichert und weiter kontinuierlich zum Ausgang 1 ausgegeben.
  • Bevor aber eine Reihe von Daten des Ausgangs 2 ausgegeben wird, wird für Ausgang 3 eine neue Kopfadresse bestimmt. Und die Daten des Ausgangs 3 werden, beginnend mit dem Datenbereich R3 des Datenregisters 52, ausgegeben. Die Reihenfolge der Datenübertragung ist die gleiche wie bei den Ausgängen 1 und 2. Die neue Kopfadresse wird in der Zeile des Taktsignals "11" festgelegt. Die 4-Bitdaten einschließlich der Kopfadresse werden in den Lese-/Schreibdatenleitungen RWD bestimmt, wie B in 2(F) zeigt. Die zwei Bit der 4-Bitdaten werden von der Verwürfelungsschaltung 62 ausgewählt und in den Datenbereichen R3 und R4 des Datenregisters 52 mit dem in 2(E) gezeigten Zeitablauf gespeichert. Auf die gleiche Weise werden die 4-Bitdaten für jedes der zwei Zyklen übertragen und weitere 2 Bit der Daten werden ausgewählt. Für eine kontinuierliche Ausgabe einer Reihe von Daten wird die oben angegebene Sequenz wiederholt.
  • Wenn des weiteren eine Reihe von 8-Bitdaten ausgegeben wird, wählt die Verwürfelungssteuerschaltung 10 die Spaltenauswahlleitungen C1 bis Cn/2 und die Verwürfelungsschaltungen 61 bzw. 62 nacheinander wie folgt aus: Die Beschreibung erfolgt hier unter der Bedingung, dass die in 1 gezeigten Spaltenauswahlleitungen C1 bis C4 der Datenfolge einer Reihe von 8-Bitdaten entsprechen.
  • Der Modus, in dem auf die 8-Bitdaten reihum zugegriffen wird, wird zunächst erläutert. Im vorliegenden Fall sind acht Kopfadressen vorhanden. Tabelle 1 zeigt die Beziehung zwischen den acht seriellen und zyklischen Zugriffsmoden, die nach den acht Kopfadressen klassifiziert sind, einem Paar auszuwählender Auswahlleitungen C1 bis C4, unter den 2-Bit-Lese-/Schreibdatenleitungen RWD auszuwählender 2-Bit-Lese-/Schreibdatenleitungen RWD, in denen die 4-Bitdaten bestimmt wurden, und die Datenbereiche R1 bis R4 der Datenregister 51 bzw. 52.
  • TABELLE 1
    Figure 00130001
  • Der Modus, in dem auf drei Adressenbits, die für die 8-Bitdatenreihe repräsentativ sind, zugegriffen wird, indem aufeinanderfolgend "0" und "1", unabhängig vom Übertragbit bzw. Carry-Bit des am wenigsten signifikanten Bit, wiederholt wird, ist im folgenden erläutert. In dieser Zugriffssequenz wiederholt das am wenigsten signifikante Bit "0" und "1" abwechselnd für jeden Zyklus, das zweite Bit wiederholt "0" und "1" für alle zwei Zyklen als "00110011", und das dritte Bit wiederholt "0" und "1" für alle vier Zyklen als "0000111100001111". Tabelle 2 zeigt eine ähnliche Beziehung unter den acht seriellen und zyklischen Zugriffsmoden, die gemäß den acht Kopfadressen klassifiziert sind, ein Paar auszuwählender Spaltenauswahlleitungen C1 bis C4, unter den Lese-/Schreibdatenleitungen RWD auszuwählende 2-Bit-Lese-/Schreibdatenleitungen RWD, in denen die 4-Bitdaten bestimmt wurden, und die Datenbereiche R1 bis R4 der Datenregister 51 bzw. 52.
  • TABELLE 2
    Figure 00140001
  • Vom Funktionsstandpunkt her ist die Auswahl (A) der Spaltenauswahlleitungen C1 bis Cn/2 und die Verbindung (B) der ausgewählten Lese-/Schreibdatenleitungen RWD zu den Datenbereichen R1, R2, R3 und R4 der Datenregister 51 und 52 in den Tabellen 1 und 2 in der gleichen Spalte gezeigt. Die Operationszeitabläufe sind jedoch voneinander verschieden. Ferner werden die durch die Spaltenauswahlleitungen C1 bis Cn/2 ausgewählten und übertragenen Daten danach den Datenbereichen R1, R2, R3 und R4 hinzugefügt, wie in dem in 2 gezeigten Zeitdiagramm dargestellt ist.
  • Ferner ist in der obigen Ausführungsform die Anzahl der Spalten b11 bis b(n/2)2, die mit den Datenleitungen DLN gleichzeitig durch die Spaltenauswahlleitungen C1 bis Cn/2 verbunden sind, zwei. Im tatsächlichen System ändert sich die Zahl jedoch in Übereinstimmung mit der Zeit, die dafür benötigt wird, um beginnend mit den Spalten b11 bis b(n/2)2 bis zu den Lese-/Schreibdatenleitungen RWD die Daten zu bestimmen.
  • 3 zeigt eine weitere Ausführungsform der Halbleiter-Speichervorrichtung der vorliegenden Erfindung, die auf der Grundlage des oben dargestellten Standpunktes konfiguriert ist. In 3 werden von den Spaltenauswahlleitungen C1, C2, ... durch die Spalten-Gates 11, 12, 13, ... gleichzeitig zwei Sätze der in den Spalten b11, b23, b13, b21, b22, b23, ... gespeicherten Daten 3-bitwise ausgewählt. Daher sind sechs Datenleitungen DLN und sechs Lese-/Schreibdatenleitungen RWD vorhanden. Außerdem ändert sich die Bitzahl der Datenregister 51 entsprechend den Datenbereichen R1, R2 und R3 auf 3 Bit und gleichermaßen ändert sich auch die Zahl der Bit der Datenregister 53 entsprechend den Datenbereichen R4, R5 und R6 auf 3 Bit.
  • Wie oben beschrieben, werden in der in 3 beschriebenen Konfiguration zwei Sätze der Spalten b11, b12 und b13, die Spalten b31, b32 und b33, die Spalten b41, b42 und b43 gleichzeitig von den Spalten-Gates 11, 12 und 13 gewählt und dann zu den Datenleitungen DLN als 6-Bitdaten ausgegeben. Die ausgegeben 6-Bitdaten werden über den Datenpuffer 4 zu den Lese-/Schreibdatenleitungen RWD übertragen und sie werden weiter über die Verwürfelungsschaltungen 62 bzw. 62 zu den Datenregistern 51 und 52 3-bitweise übertragen und gespeichert. Die gespeicherten Daten können über den Datenpuffer 8 durch Auswahl der Datenbereiche R1, R2, R3, R4, R5 und R6 der Datenregister 51 und 52 durch den Datenauswahlabschnitt 9 nach außen ausgegeben werden. In dieser Ausführungsform werden die Adressen für jeweils drei Zyklen aktualisiert.
  • Wenn die Daten von den Spalten innerhalb a Zyklen (a gleich einer ganzen Zahl) bis genau vor die Register übertragen werden, beträgt im allgemeinen die Anzahl der durch eine Spaltenauswahlleitung ausgewählten Spalten a. Wenn daher zwei Spaltenauswahlleitungen gleichzeitig ausgewählt werden, können 2a Bitdaten übertragen werden. Hier werden, obwohl die Anzahl der Ausgangsregister 2a ist, die Daten selektiv in den a Einheits-Registern gespeichert, indem a Bitdaten unter den 2a Bitdaten ausgewählt werden. Wie oben beschrieben, ist es möglich, auf eine größere Anzahl einer Reihe von Daten, als es der Anzahl der Ausgangsregister entspricht, zuzugreifen, indem die zwei Spaltenauswahlleitungen für jeden der a Zyklen ausgewählt werden.
  • Wie oben beschrieben, ist der Betrieb in Übereinstimmung mit der erfindungsgemäßen Halbleiter-Speichervorrichtung in dem synchronen System, das derart ist, dass die Daten während einer Datenübertragungsgrundzeit von a Zyklen des Grundtaktsignals von den Spalten des Speicherzellenarray zu den Ausgangsregistern übertragen werden, der folgende: die Daten werden von den Spalten von a Bit gleichzeitig durch Auswahl einer Spaltenauswahlleitung übertragen. Bei der Übertragung der Daten für jeden a Zyklus, werden 2a Bitdaten durch die Auswahl von zwei Spaltenauswahlleitungen übertragen. Wie oben beschrieben, werden die a Bitdaten selektiv in den a Einheits-Ausgangsregistern der 2a Einheits-Ausgangsregister gespeichert. Da a Bitdaten immer in den 2a Bitdaten vorhanden sind, die von einer beliebigen gegebenen Adresse übertragen werden, ist es daher möglich, Daten in den a Einheits-Registern in einer vorgegebenen Datenzugriffssequenz für jeden a Zyklus zu speichern. Mit anderen Worten, es kann eine neue Kopfadresse für jeden a Zyklus eingestellt werden und des weiteren kann, unabhängig von der Anzahl der Datenübertragungsleitungen und der Datenregister, auf eine Reihe von Daten kontinuierlich zugegriffen werden, wodurch ein optimaler synchroner Datenzugriff ermöglicht wird.
  • Wie oben beschrieben, kann in der erfindungsgemäßen Halbleiter-Speichervorrichtung kontinuierlich auf eine größere Anzahl von Spaltendaten zugegriffen werden, als es der Anzahl der auf der Ausgangsseite angeordneten Datenregister entspricht, und zwar unabhängig von der Anzahl der Datenregister, und ferner kann jede Zugriffstartadresse bestimmt werden.

Claims (10)

  1. Halbleiterspeichereinrichtung, umfassend: ein Speicherzellen-Array (MCA), das sich aus einer Vielzahl von Speicherzellen zusammensetzt, die in einem eine Vielzahl von mit Datenleitungen (DLN; RWD) verbindbaren Spalten (b11, b12, ...) einschließenden Matrixmuster angeordnet sind; eine Datenregistervorrichtung (51, 52), die mit einem ersten (51) und einem zweiten (52) Register versehen ist, von denen jedes a Einheiten von 1-Bit Datenregistern (R1 bis R4) hat, wobei a eine ganze Zahl größer als Eins ist; eine Verwürfelungsvorrichtung (61, 62), die vorgesehen ist zum Verbinden von Datenleitungen (RWD; DLN) von ausgewählten, in der Datenregistervorrichtung (51, 52) zu speichernden Daten zu den ersten (51) und zweiten (52) Registern; eine Steuervorrichtung (CGS; 10; C1, C2, ...; 11, 12, ...) zum Auswählen zweiter Spaltensätze, wobei jeder Satz a Spalten umfasst, aus der Vielzahl von Spalten für jeweilige a Zyklen eines Taktes (CLK) in Übereinstimmung mit einer Leseadresse (AREAD), die der Steuervorrichtung (10) zugeführt wird, und zum Auswählen von a Einheiten von Daten aus 2a Einheiten von Daten der ausgewählten beiden Spaltensätze zum Speichern in einem von dem ersten und zweiten Register (51, 52) durch die Verwürfelungsvorrichtung (61, 62) abwechselnd alle a Zyklen auf der Basis einer Abfolge von Leseadressen; und eine Datenausgabevorrichtung (9, 8) zum Abtasten und Ausgeben von Daten von den 2a Einheiten der 1-Bit Datenregister (R1 bis R4) in Folge.
  2. Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 1, wobei die Datenausgabevorrichtung eingerichtet ist zum Ausgeben von Daten synchron zu einem von außen eingegebenen Takt (CLK).
  3. Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 2, wobei die Steuervorrichtung eine Vielzahl von Spaltenauswahlleitungen (C1, C2, ...) umfasst, von denen jede einen Spaltensatz auswählt.
  4. Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 3, wobei die Spalten (b11, b12, ...) mit den 1-Bit Datenregistern (R1 bis R4) jeweils über eine Datenübertragungsleitung (DLN) verbunden sind.
  5. Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 4, wobei die Datenübertragungsleitung (DLN) 2a Einheiten von Datenübertragungsleitungen (DLN) einschließt.
  6. Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 5, wobei die Steuervorrichtung (CGS; 10; 61, 62; C1, C2, ...; 11, 12, ...) eingerichtet ist zum Ausführen einer ersten Steueroperation ansprechend auf eine Kopfspaltenadresse für Ausgabedaten, wobei 2a Einheiten von Daten von zwei Spaltensätzen übertragen werden zu 2a Einheiten der Datenübertragungsleitung durch Aktivieren der Spaltenauswahlleitungen (C1, C2, ...) zum Auswählen des Spaltensatzes einschließlich einer Spalte entsprechend der Lesespaltenadresse und ferner der Spaltenauswahlleitungen zum Auswählen des Satzes von Spalten einschließlich Spalten entsprechend den Spaltenadressen, die aufeinander in Folge auszuwählen sind.
  7. Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 6, wobei die Steuervorrichtung (CGS; 10; 61, 62; C1, C2, ...; 11, 12, ...) eingerichtet ist zum Ausführen einer zweiten Steueroperation, wobei irgendein gegebener Spaltendatenwert als Kopfdatenwert für jeden der a Zyklen durch Auswählen von a Einheiten von Daten aus den 2a Einheiten von Daten auf 2a Einheiten von Datenübertragungsleitungen ausgegeben wird, durch Speichern der ausgewählten Daten in a Einheiten der 1-Bit Datenregister (R1 bis R4) der Datenregistervorrichtungen (51; 52), zu welchen Daten in der vorangehenden Datenübertragungsoperation keine Daten gespeichert worden sind, in der Ausgabeabfolge und durch Wiederholen der oben beschriebenen Operation.
  8. Halbleiterspeichereinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Verwürfelungsvorrichtung (61, 62) sich aus einer ersten Verwürfelungsschaltungseinheit (61) zusammensetzt, die zwischen dem Datenpuffer (4) und der ersten Registergruppe (51) verbunden ist, und einer zweiten Verwürfelungsschaltungseinheit (62), die zwischen dem Datenpuffer (4) und der zweiten Registergruppe (52) verbunden ist.
  9. Halbleiterspeichereinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1, 2, 6 und 7, wobei die Zahl a 2 ist.
  10. Halbleiterspeichereinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1, 2, 6 und 7, wobei die Zahl a 3 ist.
DE69333792T 1992-08-28 1993-08-27 Halbleiteranordnung Expired - Lifetime DE69333792T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23058392 1992-08-28
JP4230583A JP2825401B2 (ja) 1992-08-28 1992-08-28 半導体記憶装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69333792D1 DE69333792D1 (de) 2005-05-19
DE69333792T2 true DE69333792T2 (de) 2006-03-09

Family

ID=16910019

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69333792T Expired - Lifetime DE69333792T2 (de) 1992-08-28 1993-08-27 Halbleiteranordnung
DE69321544T Expired - Lifetime DE69321544T2 (de) 1992-08-28 1993-08-27 Halbleiterspeicheranordnung
DE69332420T Expired - Lifetime DE69332420T2 (de) 1992-08-28 1993-08-27 Halbleiterspeicheranordnung

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69321544T Expired - Lifetime DE69321544T2 (de) 1992-08-28 1993-08-27 Halbleiterspeicheranordnung
DE69332420T Expired - Lifetime DE69332420T2 (de) 1992-08-28 1993-08-27 Halbleiterspeicheranordnung

Country Status (5)

Country Link
US (2) US5392254A (de)
EP (3) EP1231606B1 (de)
JP (1) JP2825401B2 (de)
KR (1) KR0136747B1 (de)
DE (3) DE69333792T2 (de)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6085283A (en) * 1993-11-19 2000-07-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Data selecting memory device and selected data transfer device
JP2982618B2 (ja) * 1994-06-28 1999-11-29 日本電気株式会社 メモリ選択回路
JP3351692B2 (ja) * 1995-09-12 2002-12-03 株式会社東芝 シンクロナス半導体メモリ装置
JP3406790B2 (ja) 1996-11-25 2003-05-12 株式会社東芝 データ転送システム及びデータ転送方法
JPH10188556A (ja) * 1996-12-20 1998-07-21 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
US6925086B2 (en) * 2000-12-12 2005-08-02 International Business Machines Corporation Packet memory system
JP6239078B1 (ja) * 2016-11-04 2017-11-29 ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション 半導体記憶装置および読出し方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59180871A (ja) * 1983-03-31 1984-10-15 Fujitsu Ltd 半導体メモリ装置
JPH0787037B2 (ja) * 1984-03-02 1995-09-20 沖電気工業株式会社 半導体メモリ回路のデータ書込方法
JPS6240693A (ja) * 1985-08-16 1987-02-21 Fujitsu Ltd ニブル・モ−ド機能を有する半導体記憶装置
JPH0740430B2 (ja) * 1986-07-04 1995-05-01 日本電気株式会社 メモリ装置
JPS63239675A (ja) * 1986-11-27 1988-10-05 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JPH03205689A (ja) * 1990-01-08 1991-09-09 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
JP2799042B2 (ja) * 1990-06-08 1998-09-17 株式会社東芝 半導体記憶装置
DE4118804C2 (de) * 1990-06-08 1996-01-04 Toshiba Kawasaki Kk Serienzugriff-Speicheranordnung
JPH0831271B2 (ja) * 1990-09-20 1996-03-27 松下電器産業株式会社 メモリ
JP2740063B2 (ja) * 1990-10-15 1998-04-15 株式会社東芝 半導体記憶装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE69333792D1 (de) 2005-05-19
DE69332420D1 (de) 2002-11-21
JP2825401B2 (ja) 1998-11-18
DE69332420T2 (de) 2003-06-18
KR940004639A (ko) 1994-03-15
EP0588129B1 (de) 1998-10-14
EP0844616A3 (de) 1999-05-26
US5392254A (en) 1995-02-21
EP1231606B1 (de) 2005-04-13
EP0844616A2 (de) 1998-05-27
EP0588129A2 (de) 1994-03-23
KR0136747B1 (ko) 1998-04-29
EP0844616B1 (de) 2002-10-16
DE69321544T2 (de) 1999-04-01
EP0588129A3 (de) 1994-12-21
EP1231606A1 (de) 2002-08-14
DE69321544D1 (de) 1998-11-19
US5508970A (en) 1996-04-16
JPH0676563A (ja) 1994-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69535672T2 (de) Synchrone NAND DRAM Architektur
DE2819571C2 (de)
DE3804938C2 (de) Bildverarbeitungseinrichtung
DE1901343C3 (de) Datenverarbeitungsanlage zur Ausführung von Mateirenrechnungen
DE3687787T2 (de) Speicherzugriff-steuerungsschaltung.
DE3587750T2 (de) Peripheriegerät für Bildspeicher.
DE69217761T2 (de) Lese- und Schreibschaltung für einen Speicher
DE3788747T2 (de) Halbleiterspeicher.
DE2703578A1 (de) Videospeicher
DE3207210A1 (de) Monolithische speichervorrichtung
DE68919781T2 (de) Videospeicheranordnung.
DE2803989A1 (de) Wahlfreie zugriffsspeichervorrichtung fuer digitale daten
DE3787616T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung.
DE3928902A1 (de) Halbleiterspeicher und verfahren zum betreiben desselben
DE4022149C2 (de)
DE69020764T4 (de) Speicheradressierung.
DE2531382A1 (de) Halbleiterspeicher zum blockorientierten lesen und schreiben
EP0013697A1 (de) Auffrischung benötigendes seitenorganisiertes Speichersystem
DE68925569T2 (de) Dynamischer Video-RAM-Speicher
DE3200880A1 (de) Halbleiterspeicher
DE2415600C2 (de)
DE69021617T2 (de) Speicher, der verteiltes Laden von Datenleitungen verwendet.
DE69330923T2 (de) Verschachteltes Speichersystem
DE69333792T2 (de) Halbleiteranordnung
DE3343348A1 (de) Anordnung zur datenuebertragung zwischen mehreren prozessoren und einem speicher

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition