DE3787616T2 - Halbleiterspeicheranordnung. - Google Patents

Halbleiterspeicheranordnung.

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DE3787616T2 DE87117482T DE3787616T DE3787616T2 DE 3787616 T2 DE3787616 T2 DE 3787616T2 DE 87117482 T DE87117482 T DE 87117482T DE 3787616 T DE3787616 T DE 3787616T DE 3787616 T2 DE3787616 T2 DE 3787616T2
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  • Dram (AREA)
  • Memory System (AREA)

Description

  • Diese Erfindung bezieht sich auf eine Hochgeschwindigkeits- Halbleiterspeichervorrichtung, die geeignet ist, seriell Datenzugriffin einem Nibble- oder Bytemodus auszuführen.
  • Üblicherweise sind in einer Hochgeschwindigkeitsspeichervorrichtung (die im folgenden als DRAM bezeichnet wird) n Paare von Datenbusleitungen zur Dateneingabe und Datenausgabe vorgesehen, um n bit-Daten zu übertragen. Das heißt, die n bit-Daten werden zuerst in einem Pufferspeicher gespeichert, der in der Nähe eines Datenausgabeschaltkreises angeordnet ist, und auf ein Ausgabesignal aus einem n bit-Schieberegister ansprechend werden Daten aus dem Pufferschaltkreis sequentiell ausgelesen und dann über einen Datenausgabeschaltkreis nach außen geführt. In einem andern Typ von DRAM nach dem Stand der Technik ist nur ein einziges Paar Datenbusleitungen, jeweils zur Datenein- und ausgabe vorgesehen. In diesem Fall werden n bit-Daten, die aus einer Zelle mit einer Vielzahl unterteilter Abschnitte ausgelesen werden, zuvor in n Pufferschaltkreise gespeichert, die in einer vom Datenausgabeschaltkreis weit entfernten Stellung entlang der Datenbusleitungen angeordnet sind. Die Pufferschaltkreise werden, ansprechend auf ein Ausgabesignal von einem n bit-Schieberegister sequentiell mit den Datenbusleitungen gekoppelt, und erlauben es so, Ausgabedaten aus den Pufferschaltkreisen über den Datenausgabeschaltkreis nach außen zu führen.
  • Im Datenschreibmodus beider Arten von DRAM, werden Daten über den Dateneingabeschaltkreis in einer Richtung übertragen, die zur derjenigen des Datenausgabemodus entgegengesetzt ist, und in den n Pufferkreisen auf dieselbe Weise wie im Datenauslesemodus gespeichert.
  • Fig. 1 und 2 sind Blockdiagramme von DRAMs nach dem Stand der Technik, die Datenzugriff im Fall von n = 8 ausführen das heißt im Bytemodus.
  • Fig. 1 zeigt ein Beispiel eines DRAMs, wie offenbart in GBA- 2 141 849, in welchem insgesamt 16 Paare von Datenbusleitungen, umfassend acht Paare von Datenbusleitungen 151 zur Dateneingabe und acht Paare Datenbusleitungen 152 zur Datenausgabe vorgesehen sind, und ein Zellenfeld 153 in acht Blocks unterteilt ist. Zur Zugriffszeit ist es möglich, unabhängig auf ein Bit jedes Blocks zuzugreifen. So kann auf 8 Bit gleichzeitig zugegriffen werden. Eingabe-/Ausgabepuffer 154 sind mit dem Zellenfeld 153 verbunden, und ein Ausgabedatenauswahlmultiplexer 155 dient dazu, Daten aus acht Paaren von Ausgabedatenbusleitungen 151 zur Datenauslesezeit sequentiell auswählen. Die vom Datenausauswahlmultiplexer 155 ausgewählten Daten werden dem Ausgabetreiber 156 zugeführt, welcher seinerseits die Daten über einen Datenausgabeanschluß 157 nach außen führt. Die dem Dateneingabeanschluß 158 zugeführten Daten werden dem Eingabedatenauswahlmultiplexer 160 über den Eingabetreiber 159 zugeführt. Der Eingabedatenauswahlmultiplexer 160 dient dazu, im Datenschreibmodus auswahlweise und sequentiell Daten vom Eingabetreiber 159 acht Paaren von Eingabedatenbusleitungen 152 zuzuführen. Das 8 bit- Schieberegister 161 erzeugt, ansprechend auf ein Grundtaktsignal Φ, Taktsignale, die zum Steuern des Auswahlbetriebs des Ausgabedatenauswahlmultiplexers 155 und Eingabedatenauswahlmultiplexers 160 verwendet werden.
  • Fig. 2 zeigt ein Beispiel eines DRAMs, in dem zwei Paare Datenbusse 171 und 172 jeweils zur Dateneingabe und -ausgabe vorgesehen sind, und ein Zellenfeld 173 in acht Blocks unterteilt ist, wie im Fall von Fig. 1. Eingabe-/Ausgabepuffer 174 sind jeweils mit acht Blocks des Zellenfelds 173 verbunden. Der Ausgabetreiber 175 führt Daten über einen Datenausgabeanschluß 176 nach außen. Die dem Dateneingabeanschluß 177 zugeführten Daten werden dem Eingabetreiber 178 zugeführt. Der Eingabe- /Ausgabeauswahlmultiplexer 179 überträgt wahlweise und sequentiell Daten aus acht Eingabe-/Ausgabepuffern 174 zum Ausgabedatenbus 171 im Datenausgabemodus, und überträgt sequentiell Daten des Eingabedatenbus 172 auf acht Eingabe/Ausgabepuffer 174 im Datenschreibmodus. Das 8 bit-Schieberegister 180 erzeugt, ansprechend auf das Taktsignal Φ, Taktsignale, die zum Steuern des Auswahlbetriebs des Eingabe/Ausgabepufferauswahlmultiplexers 174 verwendet werden.
  • Im in Fig. 1 gezeigten DRAM werden im Datenauslesemodus Ausgabedaten in einer Stufe ausgewählt, die unmittelbar vor dem Ausgabetreiber 176 gelegen ist, und im Datenschreibmodus Eingabedaten in einer Stufe ausgewählt, die unmittelbar hinter dem Eingabetreiber 159 gelegen ist. Auf diese Weise kann Hochgeschwindigkeitsauslese und -schreib-Betrieb erreicht werden. Jedoch ist eine große Zahl Datenbusleitungen notwendig; in diesem Beispiel werden 16 Paare Datenbusleitungen benötigt. Selbst wenn Datenbusleitungen zum Dateneingeben und -ausgeben gemeinsam verwendet werden, müssen trotzdem acht Paare Datenbusleitungen bereitgestellt werden. Aus diesem Grund ist es notwendig, ein großes Verdrahtungsfeld um das Speicherzellenfeld zur Schaltkreisintegration vorzusehen, wodurch die Chipfläche vergrößert wird.
  • Im Gegenteil dazu werden im Fig. 2 gezeigten DRAM Eingabe-/- Ausgabedaten in einer Stufe in der Nähe des Eingabe-/Ausgabe- (I/O-)Puffers 174 ausgewählt, und daher sind in diesem Beispiel nur zwei Paare von Datenbusleitungen notwendig. Wenn außerdem Datenbusleitungen zur Dateneingabe und -ausgabe zusammen benutzt werden, muß nur ein Paar Datenbusleitungen verwendet werden. Folglich kann es bei diesem DRAM vermieden werden, die Chipfläche zur Schaltkreisintegration zu vergrößern. Nachdem jedoch die Datenauswahl in einer Stufe ausgeführt wird, die weit vom Eingabe/Ausgabetreiber entfernt ist, werden Daten, die entlang der langen Datenbusleitungen übertragen werden, verzögert, was es schwierig macht, Hochgeschwindigkeitsdatenauslese und -schreibvorgänge zu erreichen. Daher ist es in der Speichervorrichtung nach dem Stand der Technik, die zum seriellen Datenzugriff geeignet ist, nicht möglich, die Chipfläche zur Schaltkreisintegration zu verringern, und gleichzeitig die Betriebsgeschwindigkeit beim Datenauslesen und -schreiben zu vergrößern.
  • Die US-A-4 608 670 offenbart Speicherblocks, die mit in zwei Gruppen unterteilten Puffern ausgestattet und dazu vorgesehen sind, einen der Puffer in jeder Gruppe auszuwählen und den gewählten Puffer mit einem entsprechenden Datenbus zu verbinden. Ein Decoder ist vorgesehen, um einen der Datenbusse auszuwählen und den ausgewählten Datenbus mit einer Dateneingabe-/-ausgabeleitung zu verbinden. Dieser Decoder wird auf Grundlage von Daten betrieben, die in einem anderen Puffer gespeichert sind. Diese Auswahlvorgänge der Puffer werden gleichzeitig ausgeführt.
  • Es ist Aufgabe dieser Erfindung, eine Halbleiterspeichervorrichtung zu schaffen, die geeignet ist, seriellen Zugriff zu bewirken, und in der die Chipfläche gering gehalten ist und in der Hochgeschwindigkeitsbetrieb erreicht werden kann.
  • Diese Aufgabe wird durch eine Halbleiterspeichervorrichtung gelöst, umfassend mindestens eine Speicherzellenfeldeinrichtung mit N Speicherblocks; Treibereinrichtungen; eine Mehrzahl von Datenbussen; Datenauswahleinrichtungen zum Verbinden eines der Datenbuse mit der Treibereinrichtung; und Steuereinrichtungen zum Zuführen von Steuersignaien zu den Datenauswahleinrichtungen in jedem Betriebszyklus, wodurch die Datenbusse sequentiell mit der Treibereinrichtung über die Datenausauswahleinrichtung verbunden werden, wodurch Serielldaten bezüglich der Speicherzellenfeldeinrichtung über die Datenbuse übertragen werden können, dadurch gekennzeichnet, daß außerdem N Puffer vorgesehen sind, die jeweils mit N Speicherblocks verbunden sind; daß die N Puffer in n Puffergruppen unterteilt sind; n Pufferauswahleinrichtungen vorgesehen sind, die jeweils zwischen einer entsprechenden Puffergruppe und einem entsprechenden Datenbus zum sequentiellen Auswählen der Puffer in der Puffergruppe und Verbinden des gewählten Puffers mit einem ausgewählten Datenbus geschaltet sind; und die Steuereinrichtung außerdem Steuersignale zu n Pufferauswahleinrichtungen führt, um die n Pufferauswahleinrichtungen so zu steuern, daß jede Pufferauswahl geändert wird, während ein entsprechender Datenbus von der Treibereinrichtung getrennt wird, um die nächste Datenübertragung vorzubereiten.
  • In dieser Erfindung sind die Puffer- und Datenauswahlschaltkreise jeweils mit den Eingabe-/Ausgabepufferschaltkreisen und den Eingabe-/Ausgabetreiberschaltkreisen verbunden, und Daten mit einer Vielzahl von Bits werden zwischen dem Puffer und den Treiberschaltkreisen über einen der Datenbusse zeitaufteilend übertragen. Dies ermöglicht es, die Chipfläche zu verringern und Hochgeschwindigkeitsbetrieb zu erreichen. Die Steuereinrichtung nach der Erfindung steuert die n zweiten Multiplexeinrichtungen so, daß jede Pufferauswahl geändert wird, während ein entsprechender Datenbus von der Treibereinrichtung getrennt wird, um die nächste Datenübertragung vorzubereiten. Es ist daher möglich, den Zeitraum, während dem die Treibereinrichtung und ein gewählter Datenbus verbunden sind, zu verringern, selbst wenn eine relativ große Zeitverzögerung in jedem Datenbus herrscht.
  • Diese Erfindung kann vollständig aus der folgenden detaillierten Beschreibung verstanden werden, die in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen ausgeführt wird, wobei:
  • Fig. 1 ein Schaltdiagramm eines DRAM nach dem Stand der Technik mit Datenauswahlmultiplexern ist;
  • Fig. 2 ein Schaltdiagramm eines DRAM nach dem Stand der Technik mit einem Pufferauswahlmultiplexer ist;
  • Fig. 3 ein Schaltdiagramm eines DRAMs nach einer Ausführungsform dieser Erfindung ist;
  • Fig. 4-6 Signalwellenformdiagramme sind, die den Betrieb des in Fig. 3 gezeigten DRAMs illustrieren;
  • Fig. 7 ein Schaltdiagramm eines Datenauswahlmultiplexers ist, der in Fig. 3 gezeigt ist;
  • Fig. 8 ein Schaltdiagramm eines Datenauswahldemultiplexers ist, der in Fig. 3 gezeigt ist;
  • Fig. 9 ein Schaltdiagramm eines Pufferauswahlmultiplexers ist, der in Fig. 3 gezeigt ist;
  • Fig. 10 ein Schaltdiagramm eines Teils eines steuersignalerzeugenden Schaltkreises ist, der in Fig. 3 gezeigt ist und zum Erzeugen der Taktsignale Φ1-Φ4 dient;
  • Fig. 11 ein Schaltdiagramm eines Taktgenerators ist, der in Fig. 10 gezeigt ist;
  • Fig. 12 ein Schaltdiagramm eines Teils eines steuersignalerzeugenden Schaltkreises ist, der in Fig. 3 gezeigt ist und der zum Erzeugen der Taktsignale Φ5-Φ12 dient;
  • Fig. 13 ein Schaltdiagramm eines DRAM nach einer weiteren Ausführungsform dieser Erfindung ist;
  • Fig. 14A, 14B und 15 Signalwellenformdiagramme sind, die den Betrieb des in Fig. 13 gezeigen DRAMs illustrieren;
  • Fig. 16 ein Schaltdiagramm eines Datenauswahlmultiplexers ist, der in Fig. 13 gezeigt ist;
  • Fig. 17 ein Schaltdiagramm eines Pufferauswahlmultiplexers ist, der in Fig. 13 gezeigt ist;
  • Fig. 18 ein Schaltdiagramm eines Teils eines steuersignalerzeugenden Schaltkreises ist, der in Fig. 13 gezeigt ist und zum Erzeugen von Taktsignalen Φ21 und Φ22 dient;
  • Fig. 19 ein Schaltdiagramm eines Blockgenerators ist, der in Fig. 18 gezeigt ist;
  • Fig. 20-22 Schaltdiagramme von Schaltkreisabschnitten des steuersignalerzeugenden Schaltkreises sind, der in Fig. 13 gezeigt ist und zum Erzeugen von Taktsignalen Φ23-Φ30 dient; und
  • Fig. 23-29 Schaltdiagramme von DRAMs nach einer weiteren Ausführungsform dieser Erfindung sind.
  • Die Ausführungsformen dieser Erfindung werden nun bezugnehmend auf die Zeichnungen beschrieben.
  • Fig. 3 ist ein Schaltdiagramm einer dynamischen Halbleiterspeichereinrichtung (DRAM) entsprechend einer ersten Ausführungsform der Erfindung; der DRAM hat eine Speicherkapazität von 4 Mbit und führt zum Serielldatenzugriff in einem 8 bit- Seriellmodus aus.
  • Der DRAM umfaßt ein Zellenfeld 10 mit dynamischen (nicht gezeigten) 4M bit-Speicherzellen, die in acht Blocks unterteilt sind. Im Zellenfeld 10 werden 1 bit-Daten aus jedem Block auf Grundlage eines Eingabeadreßsignals (Zeilen- und Spaltenadressen) zur Zugriffszeit ausgelesen. So werden 4 bit-Daten gemeinsam parallel ausgelesen. Der DRAM umfaßt außerdem I/O-Puffer 11A bis 11H, denen Daten zugeführt werden, die in das Zellenfeld 10 geschrieben oder von ihm ausgelesen werden sollen, vier Auslesedatenbusse 12A bis 12D, jeweils gebildet aus einem Paar Datenleitungen zum Übertragen komplementärer Daten, und vier Daten-Schreibbussen 13A und 13B, die jeweils aus einem Paar Datenleitungen gebildet sind. Es sind I/O-Pufferauswahlmultiplexer 14A bis 14D vorgesehen, von denen jeder geschaltet ist, um zwei entsprechende I/O-Puffer 11A bis 11H zu steuern, ansprechend auf Taktsignale Φ5, Φ6; Φ7, Φ8; Φ9, Φ10; und Φ11, Φ12. Das heißt, im Datenauslesemodus werden Daten aus zweien der I/O-Puffer 11A bis 11H sequentiell ausgewählt und einem entsprechenden Datenauslesebus 12A bis 12D zugeführt, und im Datenschreibmodus werden Daten aus einem der Schreibbusse 13A bis 13D sequentiell entsprechend zwei I/O-Puffern 11A bis 11H ausgewählt. Der Ausgabedatenauswahlmultiplexer 15 wählt Sequentielldaten von vier Datenbussen 12A bis 12D aus, ansprechend auf Taktsignale Φ1-Φ4, und gibt die gewählten Daten Bit für Bit aus. Die durch den Ausgabedatenauswahlmultiplexer 15 ausgewählten Daten werden dem Datenausgabeanschluß 17 über den Ausgabetreiber 16 zugeführt. Die dem Dateneingabeanschluß 18 zugeführten Daten werden dem Eingabedatenauswahldemultiplexer 20 über den Eingabetreiber 19 zugeführt. Der Eingabedatendemultiplexer (DMPX) 20 führt wahlweise und sequentiell Daten vom Eingabetreiber 19 zu vier Schreibdatenbussen 13, ansprechend auf Taktsignale Φ1-Φ4 aus dem Steuerschaltkreis 21, welcher Taktsignale Φ1-Φ12 erzeugt.
  • Der Steuerschaltkreis 21 ist so geschaltet, daß er ein Zeilenadressstrobesignal RAS, ein Spaltenadressstrobesignal CAS und Zeilen- und Spaltenadreßsignale erhält, um Taktsignale Φ1-Φ12 zu erzeugen, je nach Schreibmodus, Auslesemodus oder Schreib-/Auslesemodus. Der Steuerschaltkreis 21 umfaßt Zeilenadresspuffer 21-1 zum Erzeugen von Signalen A10R, , A9R und , ansprechend auf ein Zeilenadreßsignal und Zeilenadressstrobesignal RAS, einen Spaltenadresspuffer 21-2 zum Erzeugen von Signalen A10C, , SSET und , ansprechend auf ein Spaltenadreßsignal und ein Spaltenadressstrobesignal ; einen Grundtaktgenerator 21-3 Φ und , ansprechend auf das Spaltenadressstrobesignal CAS und einen Taktsignalgenerator 21-4 zum Erzeugen von Taktsignalen Φ1-Φ12, ansprechend auf Ausgabesignale von den Puffern 21-1, 21-2 und dem Taktgenerator 21-3.
  • Das Signal SSET wird aktiviert, wenn ein Schieberegister bezüglich der Kopfadresse für seriellen Zugriff gesetzt ist.
  • Nun wird der serielle Betrieb im Byte-Modus des oben beschriebenen DRAM erklärt. Fig. 4 ist ein Zeitdiagramm, das den Datenauslesebetrieb im Byte-Modus darstellt. Zuerst wird ein vorbestimmtes Zeilenadreßsignal einem (nicht gezeigten) Adresseingabeanschluß zugeführt, ansprechend auf das Abfallen eines von außen zugeführten Zeilenadressstrobesignals RAS. Dann wird das Kopfadressensignal einer Spaltenadresse, die im Bytemodus ausgelesen werden soll, dem Adresseneingabeanschluß ansprechend auf den beginnenden Abfall eines von außen zugeführten Spaltenadressstrobesignals zugeführt. Entsprechend der Adresse, die durch das Zeilenadress- und Spaltenkopfadreßsignal ausgewählt ist, werden 8 bit-Daten aus dem Zellenfeld 10 über den Leseverstärker ausgelesen. 8 bit der Ausleseadresse werden jeweils I/O-Puffern 11A-11H parallel zugeführt; im Gegensatz dazu wird in einem Zustand vor dem anfänglichen Abfall des Spaltenadressstrobesignals CAS das Steuersignal SSET auf Null-Niveau gesetzt. Zu dieser Zeit wird der anfängliche Zustand des Steuerschaltkreises 21 unbedingt bestimmt. Dann erzeugt der Steuerschaltkreis 21 ein Grundtaktsignal Φ synchron mit dem Signal CAS und erzeugt sequentielle Taktsignale Φ1-Φ12 zu den in Fig. 4 gezeigten Zeitpunkten.
  • Vor der Zeit t1 in Fig. 4 sind die Niveaus der Taktsignale Φ1-Φ12 nicht festgelegt. In Fig. 4 sind die entsprechenden Bereiche schraffiert. Wenn die Zeit t1 erreicht ist, steigt das Taktsignal Φ1 auf "1"-Niveau. Zu dieser Zeit werden die Taktsignale Φ5, Φ7 und das Taktsignal Φ1 jeweils auf "1"-Niveau gesetzt. Wenn die Taktsignale Φ5, Φ7, Φ9 und Φ11 auf "1"-Niveau gesetzt sind, werden Daten aus den I/O-Puffern 11A, 11C, 11E und 11G, welche jeweils erste der gepaarten I/O-Puffer sind, jeweils durch die I/O-Pufferwahlmultiplexer 14A bis 14D ausgewählt und als Komplementärbitdaten entsprechenden Auslesedatenbussen 12A bis 12D zugeführt. Wenn außerdem das Taktsignal Φ1 auf "1"-Niveau ist, werden Daten vom Datenbus 12A über den Ausgabedatenauswahlmultiplexer 15 ausgewählt. Daher werden in einer Zyklusperiode des Basistaktsignals Φ von der Zeit t1 an Daten aus dem I/O-Puffer 11A als Daten des ersten Bits über den Ausgabetreiber 16 und den Datenausgabeanschluß 17 ausgegeben.
  • Zum Zeitpunkt t2 wird das Taktsignal Φ1 auf "0"-Niveau gesetzt, und das Taktsignal Φ2 steigt auf "1"-Niveau. Wenn das Taktsignal Φ2 auf "1"-Niveau ist, werden Daten vom Datenbus 12B über den Ausgabedatenrwahlmultiplexer 15 ausgewählt. Daher werden in einer Zyklusperiode des Grundtaktsignals Φ von der Zeit Φ2 an Daten vom I/O-Puffer 11C als Daten des zweiten Bits über den Treiber 16 und den Datenausgabeanschluß 17 ausgegeben.
  • Auf gleiche Weise wie oben beschrieben, werden durch den Datenwahlmultiplexer 15 Daten vom I/O-Puffer 11E als Daten des dritten Bits in einer Zyklusperiode des Grundtaktsignals Φ von der Zeit t3 an ausgewählt und ausgegeben, und Daten vom I/O-Puffer 11G werden als Daten des vierten Bits in einer Zyklusperiode des Grundtaktsignals Φ von der Zeit t4 an ausgewählt und ausgegeben. Daher sind nach der Zeit t4 Daten von den I/O-Puffern 11A, 11C, 11E und 11G abgeleitet.
  • Zur Zeit t2, nachdem eine Zyklusperiode des Grundtaktsignals Φ von der Zeit t1 an verstrichen ist, und Daten vom I/O-Puffer 11A durch den Ausgabedatenwahlmultipleser gewählt worden sind, fällt das Taktsignal Φ5 auf "0"-Niveau und das Taktsignal Φ6 steigt auf "1"-Niveau. Anders als im vorigen Fall werden, wenn das Taktsignal Φ6 auf "1"-Niveau ist, Daten vom I/O-Puffer 11B über den Ausgabepufferwahlmultiplexer 14A ausgewählt, und die ausgewählten Daten werden als gepaarte oder komplementäre Daten dem Datenbus 12A durchgeführt. Die gepaarten oder komplementären Daten vom Datenbus 12A werden durch den Ausgabedatenwahlmultiplexer 15 zu einer Zeit t5 ausgewählt, welche gegenüber der Zeit t2 um drei Zyklusperioden des Taktsignals Φ verzögert ist, und als Daten des fünften Bits synchron mit dem Taktsignal Φl ausgegeben. Auf ähnliche Weise wird zu einer Zeit t3, nachdem eine Zyklusperiode des Grundtaktsignals Φ von der Zeit t2 an verstrichen ist und Daten vom I/O-Puffer 11C durch den Ausgabepufferwahlmultiplexer 15 ausgewählt worden sind, das Taktsignal Φ7 auf "0"-Niveau gesetzt, und das Taktsignal auf Φ8 steigt auf "1"- Niveau. Anders als im vorigen Fall werden Daten vom I/O-Puffer 11D durch den I/O-Pufferwahlmultiplexer 14B ausgewählt, wenn das Taktsignal Φ8 auf "1"-Niveau ist. Die ausgewählten Daten werden als gepaarte oder komplementäre Daten dem Datenbus 12B zugeführt. Die gepaarten Daten auf dem Datenbus 12B werden durch den Ausgabedatenwahlmultiplexer 15 zu einer Zeit t6 ausgewählt, die um drei Zyklusperioden des Taktsignals Φ gegenüber der Zeit t3 verzögert ist, und als Daten des sechsten Bits synchron mit dem Taktsignal Φ2 ausgegeben.
  • Auf die gleiche Weise wie oben beschrieben fällt das Taktsignal Φ9 auf "0"-Niveau und Φ10 steigt auf "1"-Niveau zur Zeit t4, und das Taktsignal Φ11 fällt auf "0"-Niveau, und das Taktsignal Φ12 steigt auf "1"-Niveau zur Zeit t5. Zu den Zeiten t7 und t8, welche jeweils um drei Zyklusperioden des Taktsignals Φ gegenüber den Zeiten t4 und t5 verzögert sind, werden Daten von den I/O-Puffern 11F und 11H durch Ausgabedatenwahlmultiplexer 15 ausgewählt und als Daten des siebten und achten Bits synchron mit Taktsignalen Φ3 und Φ4 ausgegeben. Daher werden Daten von I/O-Puffern 11B, 11D, 11F und 11H nach einer Zeit t8 ausgegeben.
  • Im DRAM der obigen Ausführungsform können Daten im Bytemodus ausgelesen werden. Es müssen nur acht Datenbusse vorgesehen werden, die insgesamt vier Auslesedatenbusse und vier Datenschreibbusse umfassen. Das heißt, die Anzahl der Datenbusse wird halbiert bezüglich derjenigen, die im in Fig. 1 gezeigten Stand der Technik verwendet wird. Dies erlaubt es, die Verdrahtungsfläche zur Schaltkreisintegration gegenüber der im Schaltkreis von Fig. 1 benötigten zu halbieren und dadurch die Chipfläche zu verringern. So werden Daten vom Datenbus 12A bis 12D wahlweise durch den Ausgabedatenwahlmultiplexer 15 synchron mit Taktsignalen Φ1 mit Φ4 ausgegeben. In diesem Fall zum Beispiel wurden die Daten dem Datenbus 12B über I/O-Pufferwahlmultiplexer 14B drei Zyklusperioden (3T) vor der Datenauswahl durch den Ausgabedatenwahlmultiplexer 15 zugeführt, wie zum Beispiel durch das Taktsignal Φ8 angegeben. Das heißt, ein Zeitintervall, welches von der Datenauswahl durch den Wahlmultiplexer 14B bis zur Übertragung der ausgewählten Daten in die Eingangsstufe eines Wahlmultiplexers 15 und ihrer zeitweisen Verriegelung darin zur Verfügung gestellt wird, ist ausreichend lang gewählt (3T) . Daher können durch den Wahlmultiplexer 14B ausgewählte Daten dem Wahlmultiplexer 15 innerhalb der zur Verfügung gestellten Zeit stabil übertragen werden. Somit wird der Hochgeschwindigkeits-Seriellzugriffsbetrieb durch eine Zeitverzögerung nicht gestört, die entstehen kann, wenn Daten durch den langen Datenbus übertragen werden. Das heißt, ein Hochgeschwindigkeits-Datenauslesebetrieb kann ausgeführt werden.
  • Fig. 5 ist ein Zeitdiagramm, das ein Beispiel des Datenschreibvorgangs im Bytemodus darstellt. In diesem Fall ist der Grundbetrieb derselbe wie im Auslesemodus. Jedoch ist die Datenübertragungsrichtung im Datenschreibmodus entgegengesetzt zu der im Datenauslesemodus, und daher werden Taktsignale Φ5 bis Φ12 vom Steuerschaltkreis 21 zu Zeiten erzeugt, die von denen in Fig. 4 gezeigten unterschiedlich sind.
  • Daten auf Schreibdatenbussen 13A bis 13D können durch I/O-Pufferwahlmultiplexer 14A bis 14D synchron mit Taktsignalen -5 bis Φ12 ausgewählt werden. Nachdem der I/O-Wahlmultiplexer 14D während eines Zeitraums von vier Zyklen 4T nach deren Schreibauswahl durch den Wahldemultiplexer 20 betrieben wird, wie zum Beispiel durch das Taktsignal Φ7 dargestellt, wird ein Zeitraum zur Verfügung gestellt, der hinreichend lang ist, so daß durch den Wahldemultiplexer 20 ausgewählte Daten zum Wahlmultiplexer 14B über den Schreibdatenbus 13B übertragen und in der Eingangsstufe des Wahlmultiplexers 14B zeitweise verriegelt werden können. Dies verhindert, daß die in der Datenübertragung über den langen Datenbus auftretende Zeitverzögerung den Hochgeschwindigkeits-Zugriffsbetrieb stört. Das heißt, Daten können mit hoher Geschwindigkeit geschrieben werden.
  • Im allgemeinen können in Seriellzugriffs-DRAMs Datenschreib- und Auslesevorgänge in einer Periode von sequentiell-seriellen Zugriffsvorgängen ausgeführt werden. In einem solchen Fall kann der Steuerschaltkreis 21 so gestaltet sein, daß er Taktsignale Φ5 bis Φ12 zu Zeiten erzeugt, die vom Zeitdiagramm in Fig. 6 angegeben werden. Entsprechend dem Zeitdiagramm werden Daten vom I/O-Puffer ausgewählt und dem Datenauslesebus zugeführt in einem Zeitraum von zwei Zyklen (2T), bevor Daten vom Datenauslesebus durch den Datenauswahlmultiplexer 15 im Datenauslesebetrieb gewählt werden. Im Gegensatz dazu werden im Datenschreibbetrieb Schreibdaten vom Eingabedatenwahldemultiplexer 20 dem Schreibdatenbus in einem Zeitraum von zwei Zyklen (2T) vor der Auswahl der Daten vom Schreibdatenbus durch den I/O-Puffermultiplexer im Datenschreibbetrieb zugeführt. Daher kann sowohl im Datenschreibals auch im Datenlesemodus ein Zeitraum von zwei Zyklen zum Übertragen von Daten über den Datenbus zur Verfügung gestellt werden. Auch in diesem Fall wird bei Datenübertragung über den langen Datenbus auftretende Zeitverzögerung den Hochgeschwindigkeits-Seriellzugriffsbetrieb nicht stören.
  • Fig. 7 ist ein Schaltkreisdiagramm, das den detaillierten Aufbau eines Ausgabedatenwahlmultiplexers 15 der obigen Ausführungsform darstellt. Wie in Fig. 7 gezeigt, umfaßt der Wahlmultiplexer 15 Invertierer 30A1 bis 30A4 zum Invertieren von Taktsignalen Φ1 bis Φ4 und gepaarte CMOS-Übertragungsgates 31A1 bis 31A4 und 31B1 bis 31B4, die mit vier Auslesedatenbussen 12A bis 12D verbunden sind, welche je ein Paar von Datenleitungen haben, und deren Leitungszustände über Taktsignale Φ1 bis Φ4 und Signale gesteuert werden, die durch Invertieren der Taktsignale durch die Invertierer 30A1 bis 30A4 erhalten werden. Jeweils erste Enden jedes der CMOS Gates sind gemeinsam mit der Eingabeseite des Ausgabetreibers 16 verbunden. Nur das Paar von CMOS Übertragungsgates, welches Taktsignale bei einem "1"-Niveau erhält, kann leitend gemacht werden, wodurch es ein Paar Datenbusleitungen des Datenbusses 12A, 12B, 12G oder 12D aktiviert, welches mit dem Paar leitender CMOS Übertragungsgatter verbunden sind.
  • Fig. 8 ist ein Schaltkreisdiagramm, das den detaillierten Aufbau des Eingabedatenwahldemultiplexers 20 in der obigen Ausführungsform zeigt. Ähnlich zum Ausgabedatenwahlmultiplexer 15 umfaßt der Eingabedatenwahldemultiplexer 20 Invertierer 30B1 bis 30B4 zum Invertieren von Taktsignalen Φ1 bis Φ4 und gepaarte CMOS Übertragungsgates 31C1 bis 31C4 und 31D1 bis 31D4, welche mit vier Schreibdatenbussen 13A bis 13D verbunden sind, die jeweils ein Paar von Datenleitungen haben, und deren Übertragungszustände durch Taktsignale Φ1 bis Φ4 und Signale gesteuert werden, die durch Invertieren der Taktsignaie durch Invertierer 30A1 bis 30A4 erhalten werden. Zusätzlich umfaßt er n Schaltkreise 34A1 bis 34A4, die je aus zwei Invertierern 32A1 bis 32A4 und 33A1 bis 33A4 gebildet sind. Nur das Paar CMOS Übertragungsgates, das Taktsignale bei einem "1"-Niveau erhält, kann leitend gemacht werden, wodurch es ein Paar Datenbusleitungen des Datenbusses 13A, 13B, 13C oder 13D aktiviert, welches mit dem Paar der leitenden CMOS Übertragungsgates verbunden sind.
  • Fig. 9 ist ein Schaltkreisdiagramm, das den detaillierten Aufbau eines I/O-Pufferwahlmultiplexers 14A zeigt, der in der obigen Ausführungsform verwendet wird. Der Aufbau und Betrieb der anderen Wahlmultiplexer 14B bis 14D sind ähnlich zu denjenigen des Wahlmultiplexers 14A. Wie in Fig. 9 gezeigt, umfaßt der Wahlmultiplexer 14A Invertierer 35A und 35B zum Invertieren von Taktsignalen Φ5 und Φ6 und gepaarte CMOS Übertragungsgates 36A1 und 36A2 und 36B1 und 36B2, welche mit zwei Paaren von I/O-Datenleitungen und I/O-Puffern 11A und 11B verbunden sind, und deren Leitungszustände durch Taktsignale Φ5 und Φ6 und Signale gesteuert werden, die durch Invertieren der Taktsignale durch Invertierer 35A und 35B erhalten werden. Nur das Paar von CMOS Übertragungsgates, das ein Taktsignal bei einem "1"-Niveau erhält, kann leitend gemacht werden, wodurch es I/O-Puffer 11A oder 11B aktiviert, die mit dem Paar leitender CMOS Übertragungsgates verbunden sind.
  • Fig. 10 ist ein Schaltkreisdiagramm, das den detaillierten Aufbau eines Schaltkreisabschnittes zeigt, der Teil des Schaltkreises 21 der obigen Ausführungsform ist und zum Erzeugen von Taktsignalen Φ1 bis Φ4 dient. Der Schaltkreisabschnitt umfaßt vier seriell geschaltete Taktsignalerzeugungsschaltkreise 40A bis 40D, wobei ein Ausgabetaktsignal vom Taktsignalerzeugungsschaltkreis 40D in der vierten Stufe zum Taktsignalerzeugungsschaltkreis 40A der ersten Stufe rückgekoppelt wird. Jeder der Taktsignalerzeugungsschaltkreise wird mit dem Grundtaktsignal Φ und dem invertierten Grundtaktsignal versorgt, welche im Steuerschaltkreis 21 synchron erzeugt werden mit dem Spaltenadressstrobesignal , dem Steuersignal SSET und dem invertierten Steuersignal . Außerdem werden dem Taktsignalerzeugungsschaltkreis 40A der ersten Stufe invertierte Adreßsignale und A10C der höchstwertigen Bits der 11 bit-Zeilenadressen OR bis und der 11 bit-Spaltenadressen A0C bis A10C zugeführt. Auch den Taktsignalerzeugungsschaltkreisen 40B, 40C und 40D der zweiten, dritten und vierten Stufe werden jeweils Signale A10R und , und A10C und A10R und A10C zugeführt. Wenn die Signale SSET und auf "0" bzw. "1" -Niveau in diesem Schaltkreis sind, wird nur das Ausgabetaktsignal Φ1 vom Taktsignalerzeugungsschaltkreis 40A der ersten Stufe, der die Signale und erhält, auf "1"-Niveau gesetzt, und die Taktsignale Φ2 bis Φ4 von den anderen Taktsignalerzeugungsschaltkreisen werden alle auf "0"-Niveau gesetzt, wenn A10R = A10C = 0. Danach wird das "1"-Niveau-Signal sequentiell zur letzteren Stufe übertragen, ansprechend auf das Grundtaktsignal Φ, um Taktsignale Φ1 bis Φ4 zu erzeugen, wie in den Zeitdiagrammen von Fig. 4-6 gezeigt.
  • Fig. 11 ist ein Schaltkreisdiagramm, das den detaillierten Aufbau des Taktsignalerzeugungsschaltkreises 40A im Schaltkreis von Fig. 10 zeigt. Der Taktsignalerzeugungsschaltkreis 40A umfaßt einen Halbbitschiebeschaltkreis 43 zum Verschieben des Signals Φ4 von der vorherigen Stufe um eine Periode, die einem halben Bit des Signals Φ entspricht, einen Halbbitschiebeschaltkreis 46 zum Verschieben des Ausgabesignals vom Schiebeschaltkreis 46 um ein halbes Bit des Signals Φ und einen getakteten NAND-Schaltkreis 47. Der Schiebeschaltkreis 43 umfaßt einen getakteten Invertierer zum Invertieren des Signals Φ4 synchron mit dem Taktsignal Φ und einen Endschaltkreis 42, der geschaltet ist, um ein Ausgabesignal vom Invertierer 41 zu erhalten. Der Schiebeschaltkreis 46 umfaßt einen getakteten Invertierer 44 zum Invertieren eines Ausgabesignals vom Schiebeschaltkreis 42 und einen Endschaltkreis 45, der geschaltet ist, um ein Ausgabesignal vom Invertierer 44 zu erhalten. Der NAND-Schaltkreis 47 wird nur dann betrieben, wenn ein Steuersignal SSET auf "0"-Niveau ist, und erzeugt ein Ausgabesignal zu einem Endschaltkreis 42, ansprechend auf Adreßsignale AIOR und A10C. Im taktsignalerzeugenden Schaltkreis der ersten Stufe 40A erzeugt der NAND- Schaltkreis 47 ein Ausgabesignal von "0"-Niveau, falls die Adreßsignale A10R und A10C auf "1"-Niveau gesetzt sind, wenn die Steuersignale SSET und SSET auf "0"- bzw. "1"-Niveau sind, und das Ausgabesignal mit "0"-Niveau wird dem Endschaltkreis 42 des Schiebeschaltkreises 43 zugeführt. Wenn danach das Grundtaktsignal Φ auf "1"-Niveau steigt, um den Schiebeschaltkreis 46 zu aktivieren, steigt sein Ausgabetaktsignal Φ1 auf "1"-Niveau. In diesem Fall ist ein beliebiges Eingabeadreßsignal, das dem NAND-Schaltkreis 47 zugeführt wird, in jedem der taktsignalerzeugenden Schaltkreise 40B bis 40D, außer in dem der ersten Stufe, auf "0"-Niveau, so daß ein Ausgabesignal von jedem NAND-Schaltkreis 47 von "1"-Niveau ist. Wenn das Grundtaktsignal Φ auf "1"-Niveau steigt, wird daher der Schiebeschaltkreis 46 in Betrieb gesetzt und erzeugt ein Taktsignal von "0"-Niveau erzeugt. Außerdem wird, nachdem das Signal SSET auf "1"-Niveau gesetzt ist, der NAND- Schaltkreis in jedem der taktsignalerzeugenden Schaltkreise inaktiv gesetzt. Dann wird ein "1"-Niveau-Zustand dem taktsignalerzeugenden Schaltkreis 40 in der nachgeschalteten Stufe übertragen. Die taktsignalerzeugenden Schaltkreise 40B bis 40D sind aufgebaut wie der taktsignalerzeugende Schaltkreis 40A und werden wie er betrieben.
  • Fig. 12 ist ein Schaltkreisdiagramm, das den detaillierten Aufbau eines Schaltkreisabschnitts des Steuerschaltkreises 21 in der obigen Ausführungsform zeigt, welcher Taktsignale Φ5- Φ12 erzeugt. Insgesamt vier Schaltkreise mit demselben Schaltkreisaufbau sind vorgesehen. Das heißt, der Steuerschaltkreis umfaßt einen Halbbit-Schiebeschaltkreis 53 zum Schieben eines Eingangssignales um eine Periode, die einem halben Bit von Signal A entspricht, einen Halbbit-Schiebeschaltkreis 56 zum Verschieben eines Ausgabesignals vom Schiebeschaltkreis 53 um ein halbes Bit vom Signal A, einen Invertierer 57 zum Rückkoppeln eines Ausgabesignals vom Schiebeschaltkreis 56 zu einem Eingangsanschluß des Schiebeschaltkreises 53, einen getakteten Invertierer 58 und einen Invertierer 59 zum Invertieren eines Ausgabesignals des Schiebeschaltkreises 56. Der Schiebeschaltkreis 53 umfaßt einen getakteten Invertierer 51 zum Invertieren eines Eingabesignals synchron mit dem Signal A und einen Endschaltkreis 52, der geschaltet ist, um ein Ausgabesignal vom Invertierer 51 zu erhalten. Der Schiebeschaltkreis 56 umfaßt einen getakteten Invertierer 54 zum Invertieren eines Ausgabesignals vom Schiebeschaltkreis 53 synchron mit dem Signal A und einen Endschaltkreis 55, der geschaltet ist, um ein Ausgabesignal vom Invertierer 54 zu erhalten. Der Invertierer 58 ist geschaltet, um ein Zeilenadreßsignal A9R zu erhalten, ein Eingabesignal ansprechend auf das Steuersignal SSET zu invertieren und dem Endschaltkreis 52 des Schiebeschaltkreises 52 ein Ausgabesignal zuzuführen. Falls im seriellen Modus des Schaltkreises von Fig. 12 die Taktsignale Φ5 bis Φ12 zu Datenauslesezeitpunkten erzeugt werden, werden Signale Φ1 bis Φ4 den vier entsprechenden Schaltkreisen als Eingabesignal A zugeführt, wie in Tabelle 1 gezeigt. Tabelle 1
  • Wie aus Tabelle 1 klar ersichtlich, werden Ausgabesignale Φ5, Φ7, Φ9 und Φ11 als Ausgabesignale Φi von den entsprechenden Schieberegistern 46 bereitgestellt, und die Signale Φ6, Φ8, Φ10 und Φ12 werden als Ausgabesignal Φ(i+1) vom entsprechenden Invertierer 59 bereit-gestellt. Außerdem zeigt Tabelle 2 einen Fall, in dem Taktsignale Φ5 bis Φ12 zu Datenschreibzeiten im seriellen Modus erzeugt werden, und Tabelle 3 zeigt einen Fall, in dem Taktsignale Φ5 bis Φ12 zu Datenlese-/- Schreib-Zeiten im seriellen Modus erzeugt werden. Tabelle 2 Tabelle 3
  • Fig. 13 ist ein Schaltkreisdiagramm eines DRAMs nach einer zweiten Ausführungsform dieser Erfindung, der einen Bytemoduszugriff ausführt und eine 4Mbit-Speicherkapazität hat, ähnlich wie die Ausführungsform von Fig. 3. Der DRAM umfaßt ein Zellenfeld 10, unterteilt in acht Blocks, I/O-Puffer 11A bis 11H zum zeitweiligen Speichern von Auslesedaten, die vom Zellenfeld 10 zugeführt werden, oder zum Einschreiben von Daten in dieses Zellenfeld, zwei Auslesedatenbusse 12A und 12B mit jeweils einem Paar von Datenleitungen, zwei Schreibdatenbusse 13A und 13B mit jeweils einem Paar von Datenleitungen, I/O-Pufferwahlmultiplexer 14E und 14F, die jeweils mit entsprechenden vier I/O-Puffern 11A bis 11D oder 11E bis 11H verbunden sind, Ausgabedatenwahlmultiplexer 15B, einen Ausgabetreiber 16, der geschaltet ist, um Daten zu erhalten, die vom Ausgabedatenwahlmultiplexer 15B ausgewählt sind, einen Datenausgabeanschluß 16, einen Dateneingabeanschluß 18, einen Eingabetreiber 19, einen Eingabedatenwahlmultiplexer 20B und einen Steuerschaltkreis 21B zum Erzeugen von Taktsignalen Φ21 bis Φ30. Jeder I/O-Pufferwahlmultiplexer 14E bis 14F wählt sequentiell aus vier I/O-Puffern 11A bis 11D oder 11E bis 11H aus und führt die ausgewählten Daten dem entsprechenden Auslesedatenbus 12A oder 12B im Datenauslesemodus zu, und überträgt sequentiell Daten vom entsprechenden Schreibdatenbus 13A oder 13B auf die entsprechenden I/O-Puffer 11A bis 11D oder 11E bis 11H im Datenschreibmodus. Der Ausgabedatenwahlmultiplexer 15B wählt Daten von zwei Datenbussen 12A und 12B entsprechend Taktsignalen Φ21 und Φ22 aus, um Daten Bit für Bit zu erzeugen, und der I/O-Wahlmultiplexer 21B führt in den Datenschreibmodi wahlweise Daten vom Eingabetreiber 19 zu einem von zwei Datenbussen 13A und 13B entsprechend den Taktsignalen Φ21 und Φ22.
  • Ähnlich zur Ausführungsform von Fig. 3 ist der Steuerschaltkreis 21 geschaltet, um ein Zeilenadressstrobesignal , ein Spaltenadressstrobesignal und Zeilen- und Spaltenadreßsignale zu erhalten und Taktsignale Φ21 und Φ22 entsprechend diesen Eingabesignalen sowie ein Zustandssignal zu erzeugen, das den Datenauslesebetrieb, Datenschreibbetrieb oder Datenschreib-/Auslesebetrieb darstellt.
  • Nachdem die Zeitverzögerungen beim Übertragen von Daten auf den Datenbussen 12A, 12B und 13A, 13B relativ kurz sind, verglichen mit dem Fall der in Fig. 3 gezeigten Ausführungsform, ist es im DRAM dieser Ausführungsform nicht nötig, viel Achtsamkeit zu verwenden auf die Zeitdifferenzen zwischen den Taktsignalen Φ23 bis Φ30 zum Steuern des I/O-Pufferwahlmultiplexers 14E und 14F und den Taktsignalen Φ21 und Φ22, die zum Steuern des Ausgabedatenwahlmultiplexers 15D oder des Eingabedatenwahldemultiplexers 20B dienen.
  • Fig. 14A und 14B zeigen ein Zeitdiagramm, das den Datenauslese- oder Datenlese-/Schreibbetrieb im Bytemodus darstellt, und Fig. 15 ist ein Zeitdiagramm, das ein Beispiel des Datenschreibbetriebs im Bytemodus darstellt.
  • Der Grundbetrieb des DRAM dieser Ausführungsform ist im wesentlichen derjenige der Ausführungsform von Fig. 3. In dieser Ausführungsform wählt jeder I/O-Pufferwahlmultiplexer 14E und 14F sequentiell aus einem der vier I/O-Puffer 11A bis 11D oder 11E bis 11H. Vier I/O-Puffer 11A bis 11D oder 11E bis 11H werden sequentiell ausgewählt, um Daten im Datenauslesebus 12A bis 12B im Datenauslesebetrieb zuzuführen, und Daten vom Schreibdatenbus 13A oder 13B werden wahlweise den I/O- Puffern 11A bis 11D oder 11E bis 11H im Datenschreibbetrieb zugeführt. Daher kann auch im DRAM dieser Ausführungsform der Datenauslese-, Schreib- oder Lese-/Schreib-Betrieb im Bytemodus ausgeführt werden. Außerdem müssen in diesem Fall nur vier Datenbusse verwendet werden, zwei Datenauslesebusse und zwei Datenschreibbusse, und daher kann die Verdrahtungsfläche dieser Ausführungsform gegenüber derjenigen der Ausführungsform von Fig. 3 halbiert werden.
  • Im Datenauslese- oder Lese-/Schreib-Betrieb, wie in den Zeitdiagrammen von Fig. 14a und 14b gezeigt, wird ein Zeitraum von zwei Zyklen des Grundtaktsignals Φ zur Verfügung gestellt, um vom Auswahlmultiplexer 14E oder 14F ausgewählte Daten zum Ausgabedatenwahlmultiplexer 15B über den Datenbus 12A oder 12B zu übertragen, oder durch den Eingabedatenmultiplexer 20B ausgewählte Daten zum Wahlmultiplexer 14E oder 14F über den Datenbus 13A oder 13B zu übertragen. Daher stört die Zeitverzögerung, welche beim Übertragen von Daten entlang des langen Datenbusses auftritt, den Hochgeschwindigkeits-Seriellbetrieb nicht. Das heißt, es kann ein Hochge-Schwindigkeits-Datenauslese- oder Lese-/Schreib- Betrieb erreicht werden. Außerdem ist beim Datenschreibbetrieb, gezeigt im Zeitdiagramm von Fig. 15, ein Zeitraum von vier Zyklen des Grundtaktsignals Φ vorgesehen, wodurch ein Hochgeschwindigkeits-Datenschreibbetrieb erreicht wird.
  • Fig. 16 ist ein Schaltdiagramm, welches den detaillierten Aufbau des Ausgabedatenwahlmultiplexers 15B in der obigen Ausführungsform zeigt. Wie in Fig. 16 gezeigt, umfaßt der Wahlmultiplexer 15B Invertierer 30C1 und 30C2 zum Invertieren von Taktsignalen Φ21 und Φ22 und gepaarte CMOS-Übertragungsgates 31E1 und 31F1 und 31E2 und 31F2, die jeweils mit zwei Datenauslesebussen 12B und 12A verbunden sind. Die Leitungszustände der CMOS-Übertragungsgates werden durch Taktsignale Φ21 und Φ22 sowie Signale gesteuert, die durch Invertieren der Taktsignale durch Invertierer 30C1 und 30C2 erreicht werden. Ein Ausgabedatenwahlmultiplexer 15B ist ähnlich zum Wahlmultiplexer 15 von Fig. 7, außer daß die Anzahl von Übertragungsgates zusammen mit der Zahl der Datenbusse verringert ist. Außerdem ist der Eingabedatenwahlmultiplexer 20B dieser Ausführungsform ähnlich zu dem Datenwahlmultiplexer 20, der in Fig. 8 gezeigt ist, außer, daß die Invertierer, CMOS-Übertragungsgates und Verriegelungsschaltkreise in einer Anzahl entsprechend zu derjenigen von Datenbussen vorgesehen sind.
  • Fig. 17 ist ein Schaltkreisdiagramm, das den detaillierten Aufbau des I/O-Pufferwahlmultiplexers 14E in dieser Ausführungsform zeigt. Der Wahlmultiplexer umfaßt Invertierer 35C bis 35F und vier Paare von CMOS-Übertragungsgates 36C1, 36C2, 36D1, 36D2, 36E1, 36E2, und 36F1, 36F2, die jeweils mit I/O- Puffern 11A bis 11D verbunden sind. Die Leitungszustände der CMOS-Übertragungsgates werden durch Taktsignale Φ23 bis Φ26 und invertierte Signale gesteuert, die durch Invertieren der Taktsignale durch Invertierer 35C bis 35F erhalten werden. In diesem Fall ist der I/O-Pufferwahlmultiplexer 14F ähnlich zum Wahllmultiplexer 14 von Fig. 9, außer, daß die Anzahl von Invertierern und CMOS-übertragungsgates zusammen mit der Anzahl von I/O-Puffern erhöht ist, welche mit ihnen verbunden sind, so daß vier I/O-Puffer 11A bis 11D ausgewählt werden.
  • Fig. 18 zeigt den detaillierten Aufbau des Schaltkreisabschnittes des Steuerschaltkreises 21B dieser Ausführungsform, der die Taktsignale Φ21 und Φ22 zeigt. In diesem Schaltkreisabschnitt sind zwei taktsignalerzeugende Schaltkreise 60A und 60B von gleichem Aufbau seriell geschaltet, wobei ein Ausgabetaktsignal Φ22 vom taktsignalerzeugenden Schaltkreis 60B der nachgeschalteten Stufe zum taktsignalerzeugenden Schaltkreis 60A der vorherigen Stufe rückgekoppelt wird. Jeder der taktsignalerzeugenden Schaltkreise 60A und 60B ist so geschaltet, daß er das Grundtaktsignal Φ und ein daraus invertiertes Signal erhält, welche synchron mit dem Spaltenadressstrobesignal , und den Steuersignalen SSET und den davon invertierten Signalen erzeugt werden. Der taktsignalerzeugende Schaltkreis 60A der vorigen Stufe ist so geschaltet, daß er die höchstwertige Bitadresse A10C der 11- bit-Spaltenadressen AOC bis A10C erhält, und der taktsignalerzeugende Schaltkreis 60B der nachgeschalteten Stufe ist so geschaltet, daß er das invertierte Adressensignal A10C der Bitadresse A10C erhält. Wenn die Steuersignale SSET und jeweils auf "0"- und "1"-Niveau sind, stellt der taktsignalerzeugende Schaltkreis 60A der vorigen Stufe, der Adressen A10C erhält, ein Ausgabetaktsignal Φ21 auf "1"-Niveau bereit, wodurch ein Ausgabesignal Φ22 vom taktsignalerzeugenden Schaltkreis 60B der nachgeschalteten Stufe auf "0"- Niveau gesetzt wird, wenn A10C = "1". Dann wird das Signal von "1"-Niveau zum Schaltkreis 60B der nachgeschalteten Stufe synchron mit dem Grundtaktsignal Φ übertragen, und so werden Taktsignale Φ21 und Φ22 erzeugt, wie durch die Zeitdiagramme von Fig. 14A, 14B und 15 dargestellt.
  • Fig. 19 ist ein Schaltkreisdiagramm, das den detaillierten Aufbau des taktsignalerzeugenden Schaltkreises 60A im Schaltkreis von Fig. 18 zeigt. Der Schaltkreis umfaßt einen Halbbitschiebeschaltkreis zum Verschieben des Taktsignals Φ22 um ein halbes Bit von Signal , einen Halbbitschiebeschaltkreis 66 zum Verschieben eines Ausgabesignals von Schiebeschaltkreis 63 um ein halbes Bit des Signals Φ und einen getakteten Invertierer 67. Der Schiebeschaltkreis 63 umfaßt einen getakteten Invertierer zum Invertieren des Signals Φ22 synchron mit dem Taktsignal Φ und einen Endschaltkreis 62, der so geschaltet ist, daß er ein Ausgabesignal des Invertierers 61 erhält, und der Schiebeschaltkreis 66 umfaßt einen getakteten Invertierer 64 zum Invertieren eines Ausgabesignals vom Schiebeschaltkreis 63 und einen Endschaltkreis 65, der so geschaltet ist, daß er ein Ausgabesignal des Invertierers 64 erhält. Der getaktete Invertierer 67 wird nur in Betrieb gesetzt, wenn das Steuersignal SSET auf "0"-Niveau ist, und führt dem Endschaltkreis 62 des Schiebeschaltkreises 63 ein Ausgabesignal zu, ansprechend auf das Adreßsignal A10C oder . Es sei angenommen, daß das Adreßsignal A10C, welches dem taktsignalerzeugenden Schaltkreis 60A zugeführt wird, auf "1"-Niveau gesetzt ist, wenn die Steuersignale SSET und jeweils auf "0"- und "1"-Niveaus sind. Dann erzeugt der getaktete Invertierer ein Ausgabesignal von "0"-Niveau, welches wiederum dem Endschaltkreis 62 des Schiebeschaltkreises 63 zugeführt wird. Wenn das Grundtaktsignal Φ auf "1"-Niveau steigt, wird danach der Schiebeschaltkreis 66 aktiviert, um ein Ausgabetaktsignal Φ21 von "1"-Niveau zu erzeugen. In diesem Fall ist im taktsignalerzeugenden Schaltkreis 60B der hinteren Stufe das Adreßsignal , welches dem getakteten Invertierer 67 zugeführt wird, auf "0"-Niveau, und ein Ausgabesignal des Invertierers 67 wird auf "1"-Niveau gehalten. Wenn unter dieser Bedingung das Grundtaktsignal Φ auf "1"-Niveau steigt, um den Schiebeschaltkreis 66 zu aktivieren, wird das Ausgabetaktsignal Φ22 auf "1"-Niveau gesetzt. Nachdem das Signal SSET auf "1"-Niveau steigt, wird der getaktete Invertierer 67 jedes taktsignalerzeugenden Schaltkreises 60A und 60B außer Betrieb gesetzt, und der "1"-Niveau-Zustand wird auf den taktsignalerzeugenden Schaltkreis 60B der nachgeschalteten Stufe übertragen, ansprechend auf das Grundtaktsignal Φ.
  • Fig. 20-22 sind Schaltkreisdiagramme, die den detaillierten Aufbau der Schaltkreisabschnitte zeigen, welche im Steuerschaltkreis 21B dieser Ausführungsform vorgesehen sind, um Taktsignale Φ23 bis Φ30 zu erzeugen. Im Steuerschaltkreis 21B sind zwei Schaltkreise mit dem Schaltkreisaufbau von Fig. 20 vorgesehen, vier Schaltkreise mit dem Schaltkreisaufbau von Fig. 21 und acht Schaltkreise mit dem Schaltkreisaufbau von Fig 22.
  • Der Schaltkreis von Fig. 20 umfaßt einen Halbbitschiebeschaltkreis 73 zum Verschieben eines Eingangssignals um ein halbes Bit des Signals , einen Halbbitschiebeschaltkreis 76 zum Verschieben eines Ausgabesignals vom Schiebeschaltkreis 73 um ein halbes Bit des Signals D, einen Invertierer 67 zum Rückkoppeln eines Ausgabesignals vom Schiebeschaltkreis 76 zum Schiebeschaltkreis 73 als Eingabesignal, und einen getakteten Invertierer 68. Der Schiebeschaltkreis 73 umfaßt einen getakteten Invertierer 71 zum Invertieren eines Eingabesignals synchron mit dem Signal und einen Endschaltkreis 72, der so geschaltet ist, daß er ein Ausgabesignal vom Invertierer 71 erhält, und der Schiebeschaltkreis 76 umfaßt einen getakteten Invertierer 74 zum Invertieren eines Ausgabesignals vom Schiebeschaltkreis 73 synchron mit dem Signal D und einen Endschaltkreis 75, der so geschaltet ist, daß er ein Ausgabesignal vom Invertierer 74 erhält. Der getaktete Invertierer 78 ist so geschaltet, daß er als Eingabesignal ein Spaltenadreßsignal A10C erhält, dieses Eingabesignal entsprechend dem Steuersignal SSET invertiert und das Ausgabesignal dem Endschaltkreis 72 des Schiebeschaltkreises 73 zuführt.
  • Taktsignale Φ21 und Φ22 werden jeweils als Signal B zwei Schaltkreisen im Schaltkreisaufbau von Fig. 20 zugeführt. Der Betrieb des Schaltkreises ist ähnlich zu des Schaltkreises von Fig. 12. Im Schaltkreis, welcher das Taktsignal Φ21 als Signal B erhält, wird das Taktsignal Φ31 als Ausgabesignal c vom Schiebeschaltkreis 76 erzeugt, und im Schaltkreis, der das Taktsignal Φ22 als Signal ß erhält, wird das Taktsignal Φ32 als Ausgabesignal C erzeugt. Die Beziehung zwischen Eingabe- und Ausgabesignalen B und C vom Schaltkreis von Fig. 20 ist in Tabelle 4 gezeigt. Tabelle 4
  • Der Schaltkreis von Fig. 21 umfaßt einen Halbbitschiebeschaltkreis 83 zum Verschieben eines Eingabesignals um ein halbes Bit von Signal D, einen Halbbitschiebeschaltkreis 76 zum Verschieben eines Ausgabesignals vom Schiebeschaltkreis 82 um ein halbes Bit von Signal D, einen Invertierer 87 zum Rückkoppeln eines Ausgabesignals vom Schiebeschaltkreis 76 zum Schiebeschaltkreis 82 als Eingabesignal, einen getakteten NAND-Schaltkreis 88 und einen Invertierer 89 zum Invertieren eines Ausgabesignals des Schiebeschaltkreises 86. Der Schiebeschaltkreis 83 umfaßt einen getakteten Invertierer 81 zum Invertieren eines Eingabesignals synchron mit dem Signal D und einen Endschaltkreis 82, der so geschaltet ist, daß er ein Ausgabesignal des Invertierers 81 erhält, und der Schiebeschaltkreis 86 umfaßt einen getakteten Invertierschaltkreis zum Invertieren eines Ausgabesignals des Schiebeschaltkreises 83 synchron mit dem Signal D und einen Ausgabeschaltkreis 85, der geschaltet ist, um ein Ausgabesignal des Invertierers 84 zu erhalten. Der getaktete NAND-Schaltkreis 88 ist so geschaltet, daß er ein Zeilenadreßsignal A9R oder ein invertiertes Zeilenadreßsignal A9R und ein Zeilenadreßsignal A10R oder ein invertiertes Zeilenadreßsignal A10R als Eingangssignale erhält, und er wird entsprechend dem Steuersignal SSET betrieben, um dem Endschaltkreis 82 des Schiebeschaltkreises 83 ein Ausgabesignal zuzuführen.
  • Es sind vier Schaltkreise mit dem Schaltkreisaufbau von Fig. 21 vorgesehen. Im ersten Schaltkreis wird das Taktsignal Φ31 als Signal D und die Adreßsignale und als Adreßsignale dem NAND-Schaltkreis 88 zugeführt, im zweiten Schaltkreis wird das Taktsignal als Signal D und die Adreßsignale A9R und als Adreßsignale dem NAND-Schaltkreis 88 zugeführt, im dritten Schaltkreis wird das Taktsignal Φ32 als Signal D und die Adreßsignale und als Adreßsignale dem NAND-Schaltkreis 88 zugeführt, und im vierten Schaltkreis wird das Taktsignal als Signal D und die Adreßsignale A9R und als Adreßsignale dem NAND-Schaltkreis 88 zugeführt.
  • Die Tabelle 5 zeigt die Beziehung zwischen den Eingabe- und Ausgabesignalen des Schaltkreises von Fig. 21. Tabelle 5 Zeilenadresse
  • Wie in Tabelle 5 gezeigt, werden im ersten Schaltkreis, in welchem das Taktsignal Φ31 als Signal D und die Adreßsignale und als Adreßsignale dem NAND-Schaltkreis 88 zugeführt werden, Taktsignale Φ32 bzw. als Ausgabesignale E bzw. F aus dem Schiebeschaltkreis 86 und dem Invertierer 39 erzeugt. Im zweiten Schaltkreis, in welchem das Taktsignal als Signal D und die Adreßsignale A9R und A10R als Adreßsignale dem NAND-Schaltkreis 88 zugeführt werden, werden Taktsignale bzw. Φ35 als Ausgabesignale E und F vom Schieberegister 86 und dem Invertierer 89 erzeugt. Im dritten Schaltkreis, in welchem das Taktsignal Φ31 als Signal D und die Adreßsignale und als Adreßsignale dem NAND- Schaltkreis 88 zugeführt werden, werden Taktsignale Φ34 bzw. als Ausgabesignale E und F vom Schiebeschaltkreis 86 und dem Invertierer 89 erzeugt. Im vierten Schaltkreis, in welchem das Taktsignal als Signal D und die Adreßsignale A9R und A10R als Adreßsignale dem NAND-Schaltkreis 88 zugeführt werden, werden Taktsignale Φ36 bzw. je als Ausgabesignale E und F vom Schiebeschaltkreis 86 und dem Invertierer 89 erzeugt.
  • Der Schaltkreis von Fig. 22 umfaßt einen Verzögerungsschaltkreis 91 zum Verzögern eines Signals G um einen vorbestimmten Zeitraum, einen Invertierer 92 zum Invertieren eines Ausgabesignals des Verzögerungsschaltkreises 91, einen NAND-Schaltkreis 93, geschaltet, um ein Ausgabesignal vom Invertierer 92 und ein Signal G zu erhalten, einen Verzögerungsschaltkreis 94 zum Verzögern eines Signals H um einen vorbestimmten Zeitraum, einen Invertierer 95 zum Invertieren eines Ausgabesignals vom Verzögerungsschaltkreis 94, einen NAND-Schaltkreis 96, geschaltet, um ein Ausgabesignal vom Invertierer 95 und das Signal H zu erhalten, einen NAND-Schaltkreis 97, geschaltet, um Signale I und J zu erhalten, einen Invertierer 98 zum Invertieren eines Ausgabesignals des NAND-Schaltkreises 97, einen NAND-Schaltkreis 99, der so geschaltet ist, daß er ein Ausgabesignal des NAND-Schaltkreises 97 und das Steuersignal SSET erhält, und einen NAND-Schlatkreis 100, der so geschaltet ist, daß er ein Ausgabesignal des NAND-Schaltkreises 98 und das Steuersignal erhält. Außerdem sind zwei NAND-Schaltkreise 101 und 102 vorgesehen, um einen Flip-Flop 103 zu bilden. Eingabe- und Ausgabeanschlüsse des NAND- Schaltkreises 101 sind jeweils mit Ausgabe- und Eingabeanschlüssen des NAND-Schaltkreises 102 verbunden, und die NAND- Schaltkreise 101 und 102 sind jeweils so geschaltet, daß sie Ausgabesignale von den NAND-Schaltkreisen 93 und 99 und Ausgabesignale von den NAND-Schaltkreisen 86 und 91 erhalten.
  • Wenn die vom Schaltkreis von Fig. 20 abgeleiteten Taktsignale Φ31 und Φ22, die vom Schaltkreis von Fig. 21 abgeleiteten Taktsignale Φ33 und Φ36 und die invertierten Signale dieser Signale jeweils als Eingabesignale G, H, E und J dem Schaltkreis von Fig. 22 zugeführt werden, kann eines der Taktsignale Φ23 bis Φ30 als Ausgabesignal K von Flip-Flop 103 abgeleitet werden.
  • Die Tabelle 6 zeigt die Beziehung zwischen Eingabe- und Ausgabesignal von acht Schaltkreisen, welche den Schaltkreisaufbau haben, der in Fig. 22 gezeigt ist, und verwendet werden, um die Taktsignale Φ23 bis Φ30 zu erzeugen, um den Datenauslese- oder -lese/schreib-Betrieb im Seriellmodus der Ausführungsform von Fig. 13 auszuführen. Tabelle 6
  • Auf ähnliche Weise zeigt die Tabelle 7 die Beziehung zwischen Eingabe- und Ausgabesignalen von acht Schaltkreisen, welche den in Fig. 22 gezeigten Schaltkreisaufbau haben und verwendet werden, um Taktsignale Φ23 bis Φ30 zum Ausführen des Datenschreibbetriebs im Seriellmodus in der Ausführungsform von Fig. 13 auszuführen. Tabelle 7
  • Fig. 23 ist ein Schaltkreisdiagramm, das den Schaltkreisaufbau eines DRAM nach einem dritten Ausführungsform dieser Erfindung zeigt. In der Ausführungsform von Fig. 3 sind Datenbusse zweigeteilt: In Auslesedatenbusse 12A bis 12D und Schreibdatenbusse 13A bis 13D. Im DRAM dieser Ausführungsform jedoch werden die Datenbusse 110A bis 110D sowohl zum Datenauslesen als auch zum Schreiben verwendet. In diesem Fall wird der I/O-Datenwahlmultiplexer 120, welcher wahlweise Daten von und zu den Datenbussen 110A bis 110B zuführen kann, an Stelle des Ausgabedatenwahlmultiplexers 15 und des Eingabedatenwahlmultiplexers 20 in Fig. 2 verwendet.
  • Fig. 24 ist ein Schaltkreisdiagramm, welches den Schaltkreisaufbau eines DRAMs nach einer vierten Ausführungsform dieser Erfindung zeigt. Der DRAM dieser Erfindung kann erreicht werden, indem die Ausführungsform von Fig. 13 auf die gleiche Weise modifiziert wird, wie die Ausführungsform von Fig. 23 modifiziert worden ist. In der Ausführungsform von Fig. 13 sind Datenbusse zweigeteilt: in Datenauslesebusse 12A und 12D und Dateneinlesebusse 13A und 13D, aber in diesem DRAM dieser Ausführungsform werden Datenbusse 110A und 110D sowohl zum Datenauslesen als auch zum Schreiben verwendet. In dieser Ausführungsform wird auch der I/O-Datenwahlmultiplexer 21B, der wahlweise Daten von und zu den Datenbussen 110A und 110B zuführen kann, an Stelle des Ausgabedatenwahlmultiplexers 15B und des Eingabedatenwahlmultiplexers 20B in Fig. 3 verwendet.
  • Fig. 25 ist ein Schaltkreisdiagramm, das den Schaltkreisaufbau eines DRAM nach einer fünften Ausführungsform dieser Erfindung zeigt. In der Ausführungsform von Fig. 3 sind die Datenbusse zum Datenauslesen und Datenschreiben jeweils aus einem Paar von Datenleitungen gebildet. Im DRAM dieser Ausführungsform jedoch ist jeder Datenbus durch eine einzige Datenleitung gebildet. Dadurch kann die Verdrahtungsfläche und somit die Chipgröße verringert werden.
  • Fig. 26 ist ein Schaltkreisdiagramm, das den Schaltkreisaufbau eines DRAMs nach einer sechsten Ausführungsform dieser Erfindung zeigt. Diese Ausführungsform kann erreicht werden, indem die Ausführungsform von Fig. 13 auf gleiche Weise verändert wird, wie die Ausführungsform von Fig. 25 verändert worden ist. Das heißt, daß im DRAM dieser Erfindung Datenbusse 12A, 12B, 13A und 13B jeweils durch eine einzige Datenleitung gebildet werden, und somit die Chipfläche verringert wird.
  • Fig. 27 ist ein Schaltkreisdiagramm, das den Schaltkreisaufbau eines DRAM nach einer siebten Ausführungsform dieser Erfindung zeigt. Diese Ausführungsform kann erreicht werden, indem die Ausführungsform von Fig. 23 auf dieselbe Weise verändert wird, wie die Ausführungsform von Fig. 25 verändert worden ist.
  • Fig. 28 ist ein Schaltkreisdiagramm, das einen Schaltkreisaufbau eines DRAM nach einer achten Ausführungsform dieser Erfindung zeigt. Diese Ausführungsform kann erreicht werden, indem die Ausführungsform von Fig. 24 auf dieselbe Weise verändert wird, wie die Ausführungsform von Fig. 25 verändert worden ist. Die geringste Anzahl von Datenleitungen, oder nur zwei Datenleitungen werden bei dieser Ausführungsform verwendet. Mit den DRAMs der dritten bis achten Ausführungsform kann die Verdrahtungsfläche für die Datenbusse gegenüber dem Stand der Technik verringert werden, und somit die Chipfläche verringert werden. Dafür wird zum Übertragen der Daten über die Datenbusse eine ausreichend lange Zeit zur Verfügung gestellt, die es ermöglicht, den Datenauslese- und Schreib-Betrieb auszuführen.
  • Diese Erfindung ist nicht auf die oben beschriebenen Ausführungsformen beschränkt und kann verändert werden, ohne den technischen Bereich dieser Erfindung zu verlassen. Zum Beispiel ist der Serielldatenzugriffsbetrieb im Bytemodus erklärt worden. Jedoch ist es auch möglich, Seriellzugriff in Einheiten von 4 bit oder im Nibble-Modus, oder in anderen Bit-Zahlen auszuführen.
  • Außerdem wird in der obigen Ausführungsform die Bytemodusadressierung ausgeführt, um Daten von 1 bit-Struktur zu behandeln, es ist jedoch auch möglich, Daten von n bit-Struktur zu behandeln. Um zum Beispiel die Ausführungsform von Fig. 23 in einem DRAM von n bit-Struktur zu verändern, sind, wie in Fig. 29 gezeigt, n Zellenfelder 10 bis 10n vorgesehen, n Gruppen von I/O-Puffern 11A1 bis 11H1, . . . , und 11An bis 11Hn, n Gruppen von Wahlmultiplexen 14A1 bis 14B1, . . . , und 14An bis 14Dn, n Wahlmultiplexern 120&sub1; bis 120n, und ein Steuerschaltkreis 21C zum Steuern der Wahlmultiplexer. Außerdem sind n Mengen von Datenbussen 110A1 bis 110B1, . . . , und 110An bis 110Dn zwischen den n Gruppen von Wahlmultiplexern 14A1 bis 14D1, . . . , und 14An bis 14Dn geschaltet, und n Wahlmultiplexer 120&sub1; und 120n und Eingabe- und Ausgabetreiber 16&sub1; bis 19&sub1; bis 16n und 19n sind jeweils mit den Wahlmultiplexern 120&sub1; bis 120n verbunden. In Fig. 29 werden dieselben Bezugszahlen wie in Fig. 27 verwendet, um Teile zu bezeichnen, die denjenigen von Fig. 23 entsprechen. Der Steuerschaltkreis 21C ist ähnlich zum Steuerschaltkreis 21 von Fig. 3, außer daß Adresspuffer 21C-1 und 21C-2 vorgesehen sind, um AiR, , AiC, und (i-1)R zu erzeugen, ansprechend auf die Signale , und Adreßsignale. In diesem Fall können Taktsignale vom Steuerschaltkreis 21C gemeinsam für entsprechende Datenpaare verwendet werden, die n Mengen von Datenbussen 110 A1 bis 110 D1, . . . , und 110An bis 110Dn umfassen.

Claims (6)

1. Halbleiterspeichervorrichtung umfassend mindestens eine Speicherzellenfeldeinrichtung (10; 10t bis 10n) mit N Speicherblocks; eine Treibereinrichtung (16, 19); eine Vielzahl von Datenbussen (12A bis 12D, 13A bis 13D); eine Datenauswahleinrichtung (15, 20, 120, 120n) zum Verbinden eines der Datenbusse mit der Treibereinrichtung (16, 19) und eine Steuereinrichtung (21, 21B, 21C) zum Zuführen von Steuersignalen zur Datenauswahleinrichtung (15, 20, 120, 120&sub1; zu 120n) in jedem Betriebszyklus, wodurch die Datenbusse (120A bis 120D, 13A bis 13D) sequentiell mit der Treibereinrichtung (16, 19) über die Datenauswahleinrichtung (15, 20, 120, 120&sub1; bis 120n) verbunden werden, wodurch Serielldaten bezüglich der Speicherzellenfeldeinrichtung (10, 10&sub1; bis 10n) über die Datenbusse (12A bis 12D, 13A bis 13D) übertragen werden, dadurch gekennzeichnet, daß außerdem N Puffer (11A bis 11H) vorgesehen sind, die jeweils mit N Speicherblocks verbunden sind; daß die N Puffer (11A bis 11H) in n Puffergruppen unterteilt sind; n Pufferauswahleinrichtungen (14A bis 17D) vorgesehen sind, jeweils geschaltet zwischen eine entsprechende Puffergruppe und einen entsprechenden Datenbus (12A bis 12D, 13A bis 13D) zum sequentiellen Auswählen der Puffer (11A bis 11H) in einer entsprechenden Puffergruppe und zum Verbinden des gewählten Puffers mit einem entsprechenden Datenbus, und die Steuereinrichtung (21, 21B, 21C) außerdem Steuersignale den n Pufferwahleinrichtungen (14A bis 14D) zuführt, um die n Pufferwahleinrichtungen (14A bis 14D) so zu steuern, daß jede Pufferwahl geändert wird, während ein entsprechender Datenbus von der Treibereinrichtung (16, 19) abgeschaltet wird, um die nächste Datenübertragung vorzubereiten.
2. Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Datenauswahleinrichtung einen ersten und zweiten Multiplexer (15 und 20) umfaßt, die jeweils mit den Datenbussen (12A bis 12D, 13A bis 13D) verbunden sind, und die Treibereinrichtung Eingabe- und Ausgabetreiberschaltkreise (16 und 19) umfaßt, die jeweils mit dem ersten und zweiten Multiplexer (15 und 20) verbunden sind.
3. Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Treibereinrichtung Eingabe- und Ausgabetreiberschaltkreise (16 und 19) umfaßt, die gemeinsam mit der Datenauswahleinrichtung (15; 20; 120; 12&sub1; bis 12n) verbunden sind.
4. Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Datenbus (12A bis 12D; 13A bis 13D) ein Paar Datenleitungen umfaßt.
5. Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Datenbus (12A bis 12D, 13A bis 13D) eine einzige Datenleitung umfaßt.
6. Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnete daß die Speicherzellenfeldeinrichtung M Speicherzellenfelder (10&sub1; bis 10n) mit je N Speicherblocks umfaßt, M Datenauswahleinrichtungen (120&sub1; bis 120n), die jeweils über die Datenbusse (110A&sub1; bis 110C&sub1;, . . . , 110An bis 110Dn) mit den M Speicherzellenfeldern (10&sub1; bis 10n) verbunden sind, N Puffer (11A&sub1; bis 11H&sub1; . . . , 11An bis 11Hn) , die in N Gruppen für jedes Speicherfeld unterteilt sind, und eine Pufferauswahleinrichtung (14A&sub1; bis 14D&sub1; , . . . , 1EP.
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