DE19860650A1 - Chip-Satz-Speichersteuervorrichtung mit Datenausblend-Maskenfunktion - Google Patents

Chip-Satz-Speichersteuervorrichtung mit Datenausblend-Maskenfunktion

Info

Publication number
DE19860650A1
DE19860650A1 DE19860650A DE19860650A DE19860650A1 DE 19860650 A1 DE19860650 A1 DE 19860650A1 DE 19860650 A DE19860650 A DE 19860650A DE 19860650 A DE19860650 A DE 19860650A DE 19860650 A1 DE19860650 A1 DE 19860650A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
data
signal
data strobe
memory
memory module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19860650A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19860650B8 (de
DE19860650B4 (de
Inventor
Joo Sun Choi
Seok Cheol Yoon
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SK Hynix Inc
Original Assignee
Hyundai Electronics Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hyundai Electronics Industries Co Ltd filed Critical Hyundai Electronics Industries Co Ltd
Publication of DE19860650A1 publication Critical patent/DE19860650A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19860650B4 publication Critical patent/DE19860650B4/de
Publication of DE19860650B8 publication Critical patent/DE19860650B8/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1051Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
    • G11C7/1066Output synchronization
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1006Data managing, e.g. manipulating data before writing or reading out, data bus switches or control circuits therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Memory System (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft eine Chip-Satz-Speichersteuervorrich­ tung mit einer Datenausblend-Maskenfunktion.
Das DDR-Verfahren betrifft herkömmlicherweise ein Verfahren zum Auslesen von Daten aus einer Speichervorrichtung basierend auf einer ansteigenden Flanke und einer abfallenden Flanke eines Haupttaktsignals und zum Einschreiben der Daten in die Speichervorrichtung. Zusätzlich wird bei dem DDR-Verfahren ein Datenausblendsignal bzw. Daten-Strobe-Signal basierend auf einem Rückübertragungs- bzw. Echotakts verwendet, um einen Hochgeschwindigkeitsbetriebsbereich über die Speichervorrich­ tung zu erreichen.
Das Daten-Strobe-Signal erzeugt einen Echotakt in derselben Weise wie das Ausgangssignal eines ersten Datenausgangspuffers bei der Abgabe der Daten, und in der Chip-Satz-Speichersteuer­ vorrichtung werden die Daten in Abhängigkeit von dem Daten- Strobe-Signal gelesen.
In Fig. 1 bezeichnen die Bezugszeichen 12 bis 18 Speichermodu­ le, die jeweils eine Vielzahl von Speichereinrichtungen ent­ halten. Das Bezugszeichen 10 stellt eine Chip-Satz-Speicher­ steuervorrichtung dar. Die Speichereinrichtungen sind jeweils Dual-In-line-Speichereinrichtungen bzw. in einem Doppelreihen­ gehäuse enthaltene Speichereinrichtungen. Daher stellt das Speichermodul ein Dual-In-line-Speichermodul dar. Als Spei­ chereinrichtung wird im allgemeinen ein SDRAM verwendet. Vor­ zugsweise wird hierfür ein DDR-SDRAM verwendet.
Die Speicher-Satz-Speichersteuervorrichtung gibt einen Maskie­ rungstakt CLK ab, und der Haupttakt wird an jeden der Dual-In-line- Speichereinrichtungen 12, 14, 16 und 18 angelegt. Bei jedem Dual-In-line-Speichermodul wird ein Datensignal DQ emp­ fangen und abgegeben, wobei das Datensignal DQ synchron zu dem Haupttakt ist. Das Datensignal DQ in Fig. 1 zeigt einen Fall, bei dem die Daten aus dem Dual-In-line-Speichermodul ausgele­ sen werden.
Ein Daten-Strobe-Signal bzw. Datenausblendsignal ist in Fig. 1 mit DS dargestellt.
Falls ein Daten-Strobe-Signal nicht vorgesehen ist, ist dieje­ nige Zeit, welche von denjenigen Daten gebraucht wird, die von dem am nächsten zu der Chip-Satz-Speichersteuervorrichtung 10 gelegenen Dual-In-line-Speichermodul 12 abgegeben werden, um die Speichersteuervorrichtung zu erreichen, unterschiedlich zu derjenigen Zeit, welche von denjenigen Daten gebraucht wird, welche von dem am weitesten entfernt gelegenen Dual-In-line- Speichermodul 18 abgegeben werden, um die Speichersteuervor­ richtung zu erreichen. Das gleiche ist der Fall, wenn Daten ausgehend von der Speichersteuervorrichtung an die Speichermo­ dule angelegt werden.
Da die Zeit, welche gebraucht wird, bis die Daten von jedem Dual-In-line-Speichermodul abgegeben sind, die gleiche ist wie diejenige Zeit, welche erforderlich ist, bis die Daten die Speichersteuervorrichtung erreichen, ist es möglich, einen Hochgeschwindigkeitsbetrieb des Speichers zu implementieren, wenn ein Daten-Strobe-Signal verwendet wird.
Jedoch besteht bei dem Daten-Strobe-Verfahren ein Problem dar­ in, daß die Ausgangsdatenmaske (DQM: DQ-Maske), bei der es sich um eine wichtige Funktion des SDRAM handelt, nicht ver­ wendet werden kann.
Im Lese-Betriebsmodus steuert nämlich das herkömmliche SDRAM nicht selektiv das Daten-Strobe-Signal beim Betrieb der Aus­ gangsdatenmaske DQM. Im Schreib-Betriebsmodus tritt dasselbe Problem auf.
Die oben beschriebenen Probleme werden im folgenden unter Be­ zugnahme auf Fig. 2A und 2B im Detail erläutert.
Fig. 2A zeigt, daß keine Daten-Strobe-Maskierungsfunktion vor­ handen ist. Jedes Speichermodul enthält eine Vielzahl von DDR- SDRAMs. Jedes der Speichermodule 20 und 22 enthält dieselbe Anzahl von DDR-SDRAMs und benützt gemeinsam einen Datenbus DQ, eine Daten-Strobe DS und eine Ausgangsdatenmaske DQM. Die Aus­ gangsdaten bestehen aus 8-Byte.
Die Arbeitsweise der in Fig. 2A dargestellten Schaltungsanord­ nung wird im weiteren unter Bezugnahme auf die Fig. 2B erläu­ tert.
In Fig. 2B wird angenommen, daß die Datenblocklänge bzw. Burst-Länge 8 beträgt.
Das Bezugszeichen CLK stellt einen Maskentakt dar, DQ_M1 stellt Daten dar, die von einem ersten Speichermodul abgegeben werden, und DQ_M2 entspricht Daten, welche von einem zweiten Speichermodul 22 abgegeben werden. Das Bezugszeichen DQM steht für ein Ausgangsdaten-Maskierungssignal, QS_M1 stellt ein Da­ ten-Strobe-Signal dar, welches von dem ersten Speichermodul 20 abgegeben wird, QS_M2 stellt ein Daten-Strobe-Signal dar, wel­ ches von dem zweiten Speichermodul 22 abgegeben wird, und QS BUS stellt einen Ausgangsdaten-Strobe-Bus dar.
Auf die Daten wird von dem ersten Modul 20 während der ersten bis dritten Zeitperiode des Haupttakts zugegriffen, und auf die Daten des zweiten Moduls 22 wird während der vierten und fünften Zeitperiode des Takts zugegriffen.
Die von dem ersten Modul abgegebenen Daten werden entsprechend einem Ausgangsdaten-Maskierungssignal DQM maskiert. In diesem Falle wird jedoch, während das Daten-Strobe-Signal QS_M1 von dem ersten Speichermodul 20 kontinuierlich in dem Be­ triebszustand verbleibt, das Daten-Strobe-Signal QS_M2 von dem zweiten Speichermodul 22 freigegeben bzw. aktiviert. Da die Speichermodule 20 und 22 gemeinsam den Ausgangsdaten-Strobe- Bus QS BUS verwenden bzw. benutzen, kann es zu einer Konkur­ renzsituation bezüglich des Busses an dem Abschnitt "A" kom­ men.
Beim Betrieb der Ausgangsdatenmaskierung DQM ist es nämlich bei der herkömmlichen Schaltungsanordnung unmöglich, das Da­ ten-Strobe-Signal selektiv zu steuern.
Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Chip-Satz-Speichersteuervorrichtung zu schaffen, die eine Da­ ten-Strobe-Maskierungsfunktion aufweist, welche die oben ge­ nannten Probleme bzw. Nachteile beim herkömmlichen Stand der Technik beseitigt.
Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Chip-Satz-Speichersteuervorrichtung zu schaffen, welche eine Daten-Strobe-Maskierungsfunktion besitzt, die in der Lage ist, eine umgekehrte Kompatibilität einer DQM-Funktion zu implemen­ tieren, indem zusätzlich ein Pin in einem DDR-SDRAM instal­ liert wird und ein Daten-Strobe-Signal maskiert wird.
Zur Lösung der oben genannten Aufgaben wird eine Chip-Satz- Speichersteuervorrichtung geschaffen, die eine Daten-Strobe- Maskierungsfunktion entsprechend einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung besitzt, welches ein erstes bis N-te Speichermodule enthält, die synchron zu einem Taktsignal betrieben werden, das ausgehend von der Chip-Satz-Speicher­ steuervorrichtung abgegeben wird, wobei die von jedem Spei­ chermodul abgegebenen Daten durch ein Datenmaskierungssignal maskiert werden, welches von der Chip-Satz-Speichersteuervor­ richtung abgegeben wird, und wobei der Betrieb der von jedem Speichermodul abgegebenen Daten durch ein Daten-Strobe-Signal gesteuert wird, welches von jedem Speichermodul abgegeben wird.
Zur Lösung der oben genannten Aufgaben wird ferner eine Chip- Satz-Speichersteuervorrichtung mit einer Daten-Strobe-Maskie­ rungsfunktion entsprechend einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung geschaffen, welche ein erstes bis N-te Speichermodule enthält, die synchron zu einem Taktsignal be­ trieben werden, das von der Chip-Satz-Speichersteuervorrich­ tung abgegeben wird, wobei die Daten, welche in jedes Spei­ chermodul eingegeben werden, durch ein Datenmaskierungssignal maskiert werden, das von der Chip-Satz-Speichersteuervorrich­ tung abgegeben wird, und wobei der Betrieb der in jedes Spei­ chermodul eingegebenen Daten durch ein Daten-Strobe-Signal gesteuert wird, das von jedem Speichermodul abgegeben wird.
Bei der ersten und zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gibt die Chip-Satz-Speichersteuervorrichtung ein Daten-Strobe-Maskierungssignal ab, welches den Betrieb des Daten-Strobe-Signals steuert bzw. kontrolliert.
Zusätzliche Vorteile, Aufgabenstellungen und sonstige erfin­ dungswesentliche Merkmale der Erfindung werden im weiteren aus der folgenden Beschreibung deutlich.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich im Vergleich zu den herkömmlichen Schaltungsanordnungen aus den beigefügten Patentansprüchen.
Die vorliegende Erfindung wird aus der folgenden Beschreibung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
Es zeigen:
Fig. 1 ein Blockdiagramm eines Systems, das eine herkömm­ liche Speichersteuervorrichtung und Speichermodule enthält;
Fig. 2A und 2B zeigen ein Blockdiagramm und ein Signalablaufdia­ gramm zur Erklärung eines Problems bei einem System, das keine Daten-Strobe-Maskierungsfunktion besitzt;
Fig. 3 ein Blockdiagramm des Systems mit einer Daten- Strobe-Maskierungsfunktion gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 4 ein Signalablaufdiagramm zur Erklärung einer Funk­ tion eines Ausgangsdaten-Maskierungssignals;
Fig. 5 ein Signalablaufdiagramm zur Erklärung einer Funk­ tion eines Daten-Strobe-Maskierungssignals; und
Fig. 6A und 6B ein Blockdiagramm und ein Signalablaufdiagramm zur Erklärung des Aufbaus eines Chip-Satzes und eines Betriebes desselbigen entsprechend der vorliegenden Erfindung.
Die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Bezug­ nahme auf die beigefügten Zeichnungen werden im weiteren be­ schrieben.
Fig. 3 zeigt ein System mit einer Daten-Strobe-Maskierungs­ funktion entsprechend der vorliegenden Erfindung.
In Fig. 3 stellen die Referenzzahlen 26 bis 32 Speichermodule dar, die eine Vielzahl von Speichereinrichtungen enthalten, und das Bezugszeichen 24 stellt eine Chip-Satz-Speichersteuer­ vorrichtung dar. Jede der Speichereinrichtungen ist eine kon­ ventionelle bzw. herkömmliche Dual-In-line-Speichereinrich­ tung. Als Speichereinrichtung wird im allgemeinen ein SDRAM verwendet, jedoch sollte vorzugsweise ein DDR-SDRAM benutzt werden.
Bei der vorliegenden Erfindung legt die Chip-Satz-Speicher­ steuervorrichtung 24 einen Maskierungstakt CLK jeweils an die Dual-In-line-Speichermodule 26, 28, 30, 32 an. Jedes der Dual- In-line-Speichermodule 26, 28, 30, 32 gibt ein Ausgangsdaten­ signal DQ synchron zu dem Master- bzw. Haupttakt ab. Im Unter­ schied zu dem herkömmlichen Stand der Technik enthält das DDR- SDRAM gemäß der vorliegenden Erfindung ein Daten-Strobe-Mas­ kierungspin DSM zur Maskierung des Daten-Strobe-Signals.
Fig. 4 zeigt ein Signalablaufdiagramm bzw. Signalformdiagramm zur Erklärung der Funktionsweise eines Ausgangsdaten-Maskie­ rungssignals, und Fig. 5 ist ein Signalablaufdiagramm zur Er­ klärung der Funktionsweise eines Daten-Strobe-Maskierungssi­ gnals.
Wenn ein Lesebefehl beim Takt 0 eingegeben wird, wird das Da­ ten-Strobe-Signal DS unter der Annahme, daß die CAS-Latenzzeit bzw. CAS-Zugriffszeit 3 beträgt, beim Takt bzw. Taktzeitpunkt 2 von einer hohen Impedanz hin zu einer niedrigen Impedanz übertragen. Beim Taktzeitpunkt 3 bzw. beim Takt 3 wird als nächstes die ersten Daten bzw. das erste Datum oder Datenbit abgegeben, und daraufhin werden die Daten sequentiell bzw. der Reihe nach bei der ansteigenden Flanke und der abfallenden Flanke des Master- bzw. Haupttakts abgegeben, wie in Fig. 4 gezeigt ist.
Im weiteren wird der Fall beschrieben, daß die zweiten und dritten Daten abgegeben werden, wenn die Länge des Datenblocks 4 beträgt. Falls die Ausgangsdatenmaskierungs-Latenzzeit bzw. -Zugriffszeit (DQM-Latenz) 1,5 beträgt, werden die zweiten und dritten Daten DQ entsprechend einem hochpegeligen Ausgangsda­ ten-Maskierungssignals DQM, welches bei dem Takt 2 eingegeben wird, maskiert.
Gleichzeitig mit der abfallenden Flanke des Takts 3,5 und der ansteigenden Flanke des Takts 4 blendet die Speichersteuervor­ richtung 24 die Daten in Abhängigkeit von dem Datenausblend- bzw. Daten-Strobe-Signal DS aus. Die Speichersteuervorrichtung ist demzufolge über den Zeitpunkt zu unterrichten, wenn die Ausgangsdaten DQ maskiert werden. Für den in Fig. 3 gezeigten Fall wird die Speichersteuervorrichtung nicht über den Zeit­ punkt unterrichtet, wenn die Daten maskiert werden. Das Aus­ gangsdaten-Maskierungssignal DQM kann dementsprechend das Da­ ten-Strobe-Signal DS nicht steuern.
Bei der vorliegenden Erfindung wird daher zur Maskierung des Daten-Strobe-Signals für das DDR-SDRAM ein Daten-Strobe-Mas­ kierungspin DSM zusätzlich verwendet.
Wie in Fig. 5 gezeigt ist, steuert das Ausgangsdaten-Maskie­ rungssignal DQM lediglich die Maskierung in bezug auf die Aus­ gangsdaten DQ, und das Daten-Strobe-Maskierungssignal DSM steuert nur das Daten-Strobe-Signal DS. Wie beispielsweise in Fig. 5 gezeigt ist, werden die dritten und vierten Daten durch das Daten-Strobe-Maskierungssignal DQM maskiert. Zusätzlich wird das Daten-Strobe-Signal DS durch das Daten-Strobe-Maskie­ rungssignal DSM gesteuert, um dadurch einen Burst- bzw. Daten­ block-Stopp zu implementieren bzw. umzusetzen.
Die vorliegende Erfindung wird unter Bezugnahme auf die Fig. 6A und 6B im folgenden detailliert erklärt.
Wie in Fig. 6A gezeigt, enthalten die Speichermodule 34 und 36 jeweils eine Vielzahl von DDR-SDRAMs.
Genauso wie in Fig. 2A benutzen die Speichermodule 34 und 36 gemeinsam den Datenbus DQ, das Daten-Strobe-Signal DS und das Ausgangsdaten-Maskierungssignal DQM mit der Ausnahme, daß zu­ sätzlich ein Ausgangs-Strobe-Maskierungspin QSM zusätzlich vorgesehen ist. Die Ausgangs-Strobe-Maskierungssignale benach­ barter DDR-SDRAMs in jedem Speichermodul werden miteinander verbunden. Zusätzlich werden die Daten-Strobe-Maskierungssi­ gnale benachbarter Speichermodule gemeinsam verwendet.
Fig. 6B zeigt ein Signalablaufdiagramm für die in Fig. 6A ge­ zeigte Schaltungsanordnung.
Fig. 6B zeigt den Fall, daß die Länge des Datenblocks 8 be­ trägt.
Das Bezugszeichen CLK stellt einen Maskierungstakt dar, DQ_M1 stellt Daten dar, welche von dem ersten Speichermodul 34 abge­ geben werden, DQ_M2 entspricht Daten, die von dem zweiten Speichermodul 36 abgegeben werden, DQM stellt ein Ausgangsda­ ten-Maskierungssignal dar, QSM_B entspricht einem Daten-Stro­ be-Maskierungssignal, und der Buchstabe B steht für einen ak­ tiven Zustand, wenn das Daten-Strobe-Maskierungssignal einen niedrigen Signalpegel aufweist. Zusätzlich steht das Bezugs­ zeichen QS_M2 für ein Daten-Strobe-Signal von dem ersten Spei­ chermodul 34, und QS_M2 steht für ein Daten-Strobe-Signal von dem zweiten Speichermodul 36, und schließlich stellt QS BUS ein Ausgangsdaten-Strobe-Signal dar.
Bei den Taktzeitpunkten bzw. Taktimpulsen 0, 1, 2 wird auf die Daten des ersten Speichermoduls 34 zugegriffen, und auf die Daten des zweiten Speichermoduls 36 wird bei den Takten 3 und 4 zugegriffen. Der Auslesebetrieb des ersten Moduls 34 wird durch das Ausgangsdaten-Maskierungssignal DQM maskiert. Das Daten-Strobe-Signal QS_M1 und das Daten-Strobe-Signal QS_M2 werden durch das Daten-Strobe-Maskierungssignal QSM_B gesteu­ ert.
Die Chip-Satz-Speichersteuervorrichtung empfängt ein Datum bzw. Daten in Abhängigkeit von den Daten-Strobe-Signalen QS_M1 und QS_M2. Da das Ausgangsdaten-Strobe-Signal QSM_B die Daten- Strobe-Signale QS_M1 und QS_M2 der Module 34 und 36 unabhängig voneinander steuert, kann eine Bus-Konkurrenzsituation bzw. eine Konkurrenz für den Zugriff auf den Bus nicht auftreten.
Bei der obigen Beschreibung wurde der Fall, daß die Daten von dem Speichermodul ausgelesen werden, nicht erläutert. Der Fall, daß die Daten in das Speichermodul eingeschrieben wer­ den, ist genauso wie der oben beschriebene Fall. Wenn die Da­ ten in das Speichermodul eingeschrieben werden, wird das Da­ ten-Strobe-Signal von der Speichersteuervorrichtung abgegeben.
Wie oben beschrieben, ist es bei der vorliegenden Erfindung möglich, eine Maskierungsfunktion der abgegebenen Daten bei der ansteigenden Flanke und abfallenden Flanke des Takts in dem DDR-SDRAM zu implementieren, indem man das Daten-Strobe- Verfahren durch zusätzliches Vorsehen des Ausgangs-Strobe-Mas­ kierungspins entsprechend anpaßt.
Bei der vorliegenden Erfindung wird zusätzlich ein lückenloser Betrieb in dem Datenauslese-Betriebsmodus implementiert bzw. umgesetzt, indem man eine Buskollision der Daten verhindert.

Claims (15)

1. System mit:
einer Chip-Satz-Speichersteuervorrichtung (24), die eine Daten-Strobe-Maskierungsfunktion aufweist, und
einem ersten bis N-ten Speichermodul (26, 28, 30, 32), die synchron zu einem Taktsignal (CLK) betrieben werden, das von der Chip-Satz-Speichersteuervorrichtung (24) ab­ gegeben wird,
wobei die von jedem Speichermodul (26, 28, 30, 32) abge­ gebenen Daten durch ein Daten-Maskierungssignal maskier­ bar sind, das von der Chip-Satz-Speichersteuervorrichtung (24) abgegeben wird, wobei der Betrieb der Daten, die von jedem Speichermodul (26, 28, 30, 32) abgegeben werden, durch ein Daten-Strobe-Signal steuerbar ist, das von je­ dem Speichermodul (26, 28, 30, 32) abgegeben wird.
2. System nach Anspruch 1, bei dem die Chip-Satz-Speicher­ steuervorrichtung (24) ein Daten-Strobe-Maskierungssignal abgibt, welches den Betrieb des Daten-Strobe-Signals steuert.
3. System nach Anspruch 1 oder 2, bei dem jedes Speichermo­ dul (26, 28, 30, 32) eine Vielzahl von SDRAMs enthält.
4. System nach Anspruch 3, bei dem jedes SDRAM einen Daten- Strobe-Maskierungssignalpin zum Empfang des Daten-Strobe- Maskierungssignals enthält.
5. System nach Anspruch 1 oder 2, bei dem jedes Speichermo­ dul (26, 28, 30, 32) eine Vielzahl von DDR-SDRAMs ent­ hält.
6. System nach Anspruch 5, bei dem das DDR-SDRAM einen Da­ ten-Strobe-Maskierungssignalpin zum Empfang des Daten- Strobe-Maskierungssignals enthält.
7. System mit:
einer Chip-Satz-Speichersteuervorrichtung (24), das eine Daten-Strobe-Maskierungsfunktion aufweist, und einem ersten bis N-ten Speichermodule, welche synchron zu einem Taktsignal betreibbar sind, das von der Chip-Satz-Spei­ chersteuervorrichtung (24) abgegeben wird,
wobei die Daten, die in jedes Speichermodul (26, 28, 30, 32) eingegeben werden, durch ein Datenmaskierungssignal maskierbar sind, das von der Chip-Satz-Speichersteuervor­ richtung (24) abgegeben wird, und wobei der Betrieb der in jedes Speichermodul (26, 28, 30, 32) eingegebenen Da­ ten durch ein Daten-Strobe-Signal steuerbar ist, welches von jedem Speichermodul abgegeben wird.
8. System nach Anspruch 7, bei dem die Chip-Satz-Speicher­ steuervorrichtung ein Daten-Strobe-Maskierungssignal zur Steuerung des Betriebs des Daten-Strobe-Signals abgibt.
9. System nach Anspruch 7 oder 8, bei dem jedes Speichermo­ dul (26, 38, 30, 32) eine Vielzahl von SDRAMs enthält.
10. System nach Anspruch 9, bei dem das SDRAM einen Daten- Strobe-Maskierungssignalpin zum Empfang des Daten-Strobe- Maskierungssignals enthält.
11. System nach Anspruch 7 oder 8, bei dem jedes Speichermo­ dul (24, 26, 28, 30, 32) eine Vielzahl von DDR-SDRAMs enthält.
12. System nach Anspruch 11, bei dem das DDR-SDRAM einen Da­ ten-Strobe-Maskierungssignalpin zum Empfang des Daten- Strobe-Maskierungssignals enthält.
13. System mit:
einem ersten bis N-ten Speichermodulen (26, 28, 30, 32) mit einer Vielzahl von Speichereinrichtungen, und
einer Chip-Satz-Speichersteuervorrichtung (24) zur Steue­ rung des Betriebs des ersten bis N-ten Speichermoduls, wobei die Chip-Satz-Speichersteuervorrichtung eine Daten- Strobe-Maskierungsfunktion aufweist,
wobei die ersten bis N-ten Speichermodule (26, 28, 30, 32) synchron mit einem Taktsignal (CLK) betreibbar sind, welches von der Chip-Satz-Speichersteuervorrichtung (24) abgegeben wird,
wobei die Daten, welche von jedem Speichermodul abgegeben werden, durch ein Datenmaskierungssignal maskiert werden, das von der Chip-Satz-Speichersteuervorrichtung (24) ab­ gegeben wird,
wobei der Betrieb der Daten, welche von jedem Speichermo­ dul (26, 28, 30, 32) abgegeben werden, durch ein Daten- Strobe-Signal gesteuert wird, das von jedem Speichermodul abgegeben wird,
wobei die Chip-Satz-Speichersteuervorrichtung (24) ein Daten-Strobe-Maskierungssignal abgibt, welches den Be­ trieb des Daten-Strobe-Signals steuert, und
wobei jede der Speichereinrichtungen einen Daten-Strobe- Maskierungssignalpin zum Empfang des Daten-Strobe-Maskie­ rungssignals enthält.
14. System nach Anspruch 13, bei dem jedes Speichermodul (26, 28, 30, 32) eine Vielzahl von SDRAMs enthält.
15. System nach Anspruch 13, bei dem jedes Speichermodul eine Vielzahl von DDR-SDRAMs enthält.
DE19860650A 1997-12-29 1998-12-29 Synchrone Halbleiter-Speichervorrichtung mit einer Chip-Satz-Speichersteuervorrichtung mit Datenausblend-Maskenfunktion Expired - Fee Related DE19860650B8 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR97-77437 1997-12-29
KR1019970077437A KR100364127B1 (ko) 1997-12-29 1997-12-29 칩-세트

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE19860650A1 true DE19860650A1 (de) 1999-07-01
DE19860650B4 DE19860650B4 (de) 2010-01-14
DE19860650B8 DE19860650B8 (de) 2010-07-29

Family

ID=19529571

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19860650A Expired - Fee Related DE19860650B8 (de) 1997-12-29 1998-12-29 Synchrone Halbleiter-Speichervorrichtung mit einer Chip-Satz-Speichersteuervorrichtung mit Datenausblend-Maskenfunktion

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6286077B1 (de)
JP (1) JP3468140B2 (de)
KR (1) KR100364127B1 (de)
CN (1) CN100580803C (de)
DE (1) DE19860650B8 (de)
TW (1) TW507125B (de)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4025002B2 (ja) * 2000-09-12 2007-12-19 株式会社東芝 半導体記憶装置
KR100360408B1 (ko) * 2000-09-16 2002-11-13 삼성전자 주식회사 독출동작시 데이터 스트로브 신호와 동일한 신호를출력하는 데이터 마스킹핀을 갖는 반도체 메모리장치 및이를 구비하는 메모리 시스템
US6662279B2 (en) * 2001-03-07 2003-12-09 Micron Technology, Inc. DQ mask to force internal data to mask external data in a flash memory
US7177379B1 (en) 2003-04-29 2007-02-13 Advanced Micro Devices, Inc. DDR on-the-fly synchronization
US6940768B2 (en) * 2003-11-04 2005-09-06 Agere Systems Inc. Programmable data strobe offset with DLL for double data rate (DDR) RAM memory
US7508722B2 (en) * 2004-01-27 2009-03-24 Micron Technology, Inc. Memory device having strobe terminals with multiple functions
US7116600B2 (en) * 2004-02-19 2006-10-03 Micron Technology, Inc. Memory device having terminals for transferring multiple types of data
CN100433189C (zh) * 2004-08-09 2008-11-12 凌阳科技股份有限公司 同步动态随机存取存储器的数据交换电路与方法
KR100568546B1 (ko) 2004-10-19 2006-04-07 삼성전자주식회사 메모리 시스템, 반도체 메모리 장치, 및 이 시스템과장치의 출력 데이터 스트로우브 신호 발생 방법
US7139207B2 (en) * 2005-02-25 2006-11-21 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memory interface methods and apparatus
KR100747759B1 (ko) * 2006-08-16 2007-08-08 연세대학교 산학협력단 플래시 메모리 장치 및 그 인터페이스 장치
US8868873B2 (en) * 2007-09-27 2014-10-21 Rambus Inc. Reconfigurable memory system data strobes
US8332876B2 (en) * 2008-11-20 2012-12-11 Ati Technologies Ulc Method, system and apparatus for tri-stating unused data bytes during DDR DRAM writes
EP2845196A4 (de) * 2012-05-01 2015-12-02 Hewlett Packard Development Co Verpackte speicherchips mit gemeinsamer chipauswahlleitung
US9053768B2 (en) * 2013-03-14 2015-06-09 Gsi Technology, Inc. Systems and methods of pipelined output latching involving synchronous memory arrays
US20180293025A1 (en) * 2014-11-10 2018-10-11 Sony Corporation Interface circuit, memory device, information processing system, and interface circuit controlling method
US10854284B1 (en) 2016-12-06 2020-12-01 Gsi Technology, Inc. Computational memory cell and processing array device with ratioless write port
US10943648B1 (en) 2016-12-06 2021-03-09 Gsi Technology, Inc. Ultra low VDD memory cell with ratioless write port
US10770133B1 (en) 2016-12-06 2020-09-08 Gsi Technology, Inc. Read and write data processing circuits and methods associated with computational memory cells that provides write inhibits and read bit line pre-charge inhibits
US10847213B1 (en) 2016-12-06 2020-11-24 Gsi Technology, Inc. Write data processing circuits and methods associated with computational memory cells
US10249362B2 (en) 2016-12-06 2019-04-02 Gsi Technology, Inc. Computational memory cell and processing array device using the memory cells for XOR and XNOR computations
US10847212B1 (en) 2016-12-06 2020-11-24 Gsi Technology, Inc. Read and write data processing circuits and methods associated with computational memory cells using two read multiplexers
US10725777B2 (en) 2016-12-06 2020-07-28 Gsi Technology, Inc. Computational memory cell and processing array device using memory cells
US10860320B1 (en) 2016-12-06 2020-12-08 Gsi Technology, Inc. Orthogonal data transposition system and method during data transfers to/from a processing array
US10891076B1 (en) 2016-12-06 2021-01-12 Gsi Technology, Inc. Results processing circuits and methods associated with computational memory cells
US11227653B1 (en) 2016-12-06 2022-01-18 Gsi Technology, Inc. Storage array circuits and methods for computational memory cells
US10777262B1 (en) 2016-12-06 2020-09-15 Gsi Technology, Inc. Read data processing circuits and methods associated memory cells
US10958272B2 (en) 2019-06-18 2021-03-23 Gsi Technology, Inc. Computational memory cell and processing array device using complementary exclusive or memory cells
US10930341B1 (en) 2019-06-18 2021-02-23 Gsi Technology, Inc. Processing array device that performs one cycle full adder operation and bit line read/write logic features
US10877731B1 (en) 2019-06-18 2020-12-29 Gsi Technology, Inc. Processing array device that performs one cycle full adder operation and bit line read/write logic features

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5218684A (en) * 1987-09-04 1993-06-08 Digital Equipment Corporation Memory configuration system
US5513135A (en) 1994-12-02 1996-04-30 International Business Machines Corporation Synchronous memory packaged in single/dual in-line memory module and method of fabrication
US5850368A (en) * 1995-06-01 1998-12-15 Micron Technology, Inc. Burst EDO memory address counter
US5587961A (en) 1996-02-16 1996-12-24 Micron Technology, Inc. Synchronous memory allowing early read command in write to read transitions
JPH10241362A (ja) * 1997-02-25 1998-09-11 Mitsubishi Electric Corp 同期型半導体記憶装置及び論理半導体装置
KR100238242B1 (ko) * 1997-04-22 2000-01-15 윤종용 반도체 메모리장치의 동작 제어장치

Also Published As

Publication number Publication date
TW507125B (en) 2002-10-21
US6286077B1 (en) 2001-09-04
DE19860650B8 (de) 2010-07-29
CN100580803C (zh) 2010-01-13
KR19990057386A (ko) 1999-07-15
JP3468140B2 (ja) 2003-11-17
CN1233836A (zh) 1999-11-03
DE19860650B4 (de) 2010-01-14
JPH11312119A (ja) 1999-11-09
KR100364127B1 (ko) 2003-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19860650A1 (de) Chip-Satz-Speichersteuervorrichtung mit Datenausblend-Maskenfunktion
DE19882486B4 (de) Synchroner, nicht-flüchtiger Seitenmodus-Speicher
DE69716112T2 (de) Taktanpassung mit feinregelung
DE19652310C2 (de) Halbleiterspeichervorrichtung, die ein asynchrones Signal verwendet
DE3909896C2 (de)
DE10330812B4 (de) Halbleiterspeichermodul
DE69217761T2 (de) Lese- und Schreibschaltung für einen Speicher
DE4200758C2 (de) Halbleiterspeichereinrichtung und Verfahren zur Steuerung des Betriebs derselben
DE3687787T2 (de) Speicherzugriff-steuerungsschaltung.
DE69619620T2 (de) Synchroner Halbleiterspeicher mit einem systemzyklusabhängigen Schreibausführungszyklus
DE3022118C2 (de) Ansteuerschaltung für ein Zeichen/Graphik-Anzeigegerät
DE2703578A1 (de) Videospeicher
DE10210904A1 (de) Speichermodul, zugehöriges Speichersystem und Taktsignalerzeugungsverfahren
DE19503596A1 (de) Datenausgabepuffer einer Halbleiterspeichervorrichtung
DE10125724B4 (de) Speichersystem, Speicherbauelement und Speicherdatenzugriffsverfahren
DE19954564B4 (de) Steuerungsschaltung für die CAS-Verzögerung
DE10215362A1 (de) Integrierter Speicher mit einem Speicherzellenfeld mit mehreren Speicherbänken und Schaltungsanordnung mit einem integrierten Speicher
DE102004060348A1 (de) Halbleiterspeichervorrichtung und Gehäuse dazu, und Speicherkarte mit Verwendung derselben
DE19752664C2 (de) Synchrone Halbleitervorrichtung mit Speicherchips in einem Modul zur Steuerung eines Freigabesignals als Auslöser beim Lesen von Daten
DE69616626T2 (de) Direktspeicherzugriffssteuerung
DE69223714T2 (de) Halbleiter-Speichereinrichtung und Verfahren zur Output-Kontrolle
DE68908318T2 (de) Halbleiterspeicher mit Serieneingang/Serienausgang.
DE19511259A1 (de) Video-RAM und Verfahren zur Ausgabe von seriellen Daten
DE69023395T2 (de) Arbitrierungsschaltung.
DE69421156T2 (de) Steuerverfahren für eine Halbleiterspeicherschaltung

Legal Events

Date Code Title Description
OR8 Request for search as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8105 Search report available
8110 Request for examination paragraph 44
8364 No opposition during term of opposition
8381 Inventor (new situation)

Inventor name: YOON, SEOK CHEOL, ICHON, KYONGGI, KR

Inventor name: CHOI, JOO SUN, ICHON, KYONGGI, KR

8396 Reprint of erroneous front page
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20140701