DE69003350T2 - Zusammensetzung und Verfahren zur Entfernung von Lotflussmittel auf Kolophoniumbasis. - Google Patents

Zusammensetzung und Verfahren zur Entfernung von Lotflussmittel auf Kolophoniumbasis.

Info

Publication number
DE69003350T2
DE69003350T2 DE90111022T DE69003350T DE69003350T2 DE 69003350 T2 DE69003350 T2 DE 69003350T2 DE 90111022 T DE90111022 T DE 90111022T DE 69003350 T DE69003350 T DE 69003350T DE 69003350 T2 DE69003350 T2 DE 69003350T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
cleaning agent
flux
carbon atoms
general formula
alkyl group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE90111022T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69003350D1 (de
Inventor
Machio Chihara
Jiro Mizuya
Tatsuya Okumura
Takashi Tanaka
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Arakawa Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Arakawa Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Arakawa Chemical Industries Ltd filed Critical Arakawa Chemical Industries Ltd
Publication of DE69003350D1 publication Critical patent/DE69003350D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69003350T2 publication Critical patent/DE69003350T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/26Cleaning or polishing of the conductive pattern
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16Organic compounds
    • C11D3/20Organic compounds containing oxygen
    • C11D3/2068Ethers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D1/00Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
    • C11D1/66Non-ionic compounds
    • C11D1/72Ethers of polyoxyalkylene glycols
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23GCLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G5/00Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents
    • C23G5/02Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents using organic solvents
    • C23G5/032Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents using organic solvents containing oxygen-containing compounds

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft die Verwendung eines Reinigungsmittels zur Entfernung von Lötflußmitteln auf Kolophoniumbasis und insbesondere die Verwendung eines speziellen Reinigungsmittels zur Entfernung von Lötflußmitteln auf Kolophoniumbasis für die Montage.
  • Ein Lötflußmittel auf Kolophoniumbasis wird für die Herstellung von Modulen für gedruckte Schaltkreisplatten, gedruckte Verdrahtungsplatten oder dgl. eingesetzt. Im allgemeinen wir das Löten durchgeführt, um die Vereinigung zwischen dem Substrat und den Nadeln zu fördern und die Oxidation an Kontaktpunkten, die die elektrische Leitfähigkeit verschlechtert, zu verhindern. Flußmittel auf Kolophoniumbasis werden eingesetzt, um das Löten wie gewünscht zu bewerkstelligen. Nach dem Löten wird ein Reinigungsmittel verwendet, um nur das Flußmittel selektiv und vollständig zu entfernen. Wenn das Reinigungsmittel das Flußmittel nicht vollständig entfernt, beeinträchtigt das verbleibende Flußmittel die Lötung, wobei es zu den folgenden Nachteilen: Schaltkreis-Korrosion, Verringerung der elektrischen Isoliereigenschaften auf Plattenoberflächen und schließlicher Zusammenbruch von Schaltkreisen führt. Um derartige potentielle Nachteile zu eliminieren wird das zurückgebliebende Flußmittel, insbesondere der darin vorhandene Aktivator, gewöhnlich mit einem geeigneten Reinigungsmittel entfernt.
  • Bisher sind halogenierte Kohlenwasserstoff-Lösungsmittel wie z.B. Trichlorethylen, Trichlortrifluorethan und ähnliche Flone als Reinigungsmittel zur Entfernung von Flußmitteln auf Kolophoniumbasis verwendet worden. Strenge Vorschriften für die Kontrolle derartiger halogenierter Kohlenwasserstoff-Lösungsmittel sind jedoch niedergelegt worden, um die Probleme hinsichtlich der Umweltverschmutzung, wie z.B. der Zerstörung der Ozonschicht, zu lösen oder zu lindern. Momentan besteht ein dringendes Bedürfnis aus der elektrischen Maschinenindustrie für die Entwicklung von Reinigungsmitteln für Flußmittel als Ersatz für Flone.
  • In den letzten Jahren sind verschiedene Halogen-freie Reinigungsmittel für Flußmittel entwickelt worden, aber es ist kein Reinigungsmittel bereitgestellt worden, das alle Eigenschafts- Anforderungen für Reinigungsmittel, einschließlich Reinigungseigenschaft, den vom Umwelt-Standpunkt akzeptierbaren Standard erfüllende Eigenschaften, Geruch, Entflammbarkeit usw., vollkommen gerecht werden kann. Zum Beispiel beschreibt DE-A- 28 47 691 ein Reinigungsmittel für Flußmittel, das aus Dimethylbenzol (d.h. einem nicht wünschenswerten aromatischen Kohlenwasserstoff), Glykolmonobutylether und Isobutanol besteht.
  • Es ist ein Ziel der vorliegenden Erfindung ein Halogen-freies Reinigungsmittel zur Entfernung von Lötflußmitteln bereitzustellen, das hinsichtlich Reinigungseigenschaft herausragend und hinsichtlich Eigenschaften, die dem Umwelt-Qualitätsstandard genügen, hinsichtlich Geruch, hinsichtlich Entflammbarkeit, usw. im wesentlichen zufriedenstellend ist.
  • Wir haben eine umfangreiche Forschung durchgeführt, um das obige Ziel zu erreichen und haben gefunden, daß ein Reinigungsmittel, das als aktive Bestandteile eine spezielle Glykolether-Verbindung und ein nicht-ionisches Tensid umfaßt, überraschenderweise von den oben erwähnten Problemen frei ist. Auf der Basis dieser neuen Erkenntnis haben wir die vorliegende Erfindung bewerkstelligt.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Reinigungsmittel, das eine Mischung von
  • (A) wenigstens einer Glykolether-Verbindung, die durch die allgemeine Formel (1) dargestellt wird:
  • R¹O-(CH&sub2; )n-R² (1)
  • worin R¹ ein Wasserstoffatom oder eine Alkylgruppe mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen ist, R² für eine Alkylgruppe mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen steht, R³ ein Wasserstoffatom oder eine Methylgruppe bedeutet und n eine ganze Zahl von 2 bis 4 ist, und
  • (B) einem nicht-ionischen Tensid,
  • umfaßt, zur Entfernung eines Lötflußmittels auf Kolophoniumbasis eingesetzt.
  • Die vorliegende Erfindung stellt auch ein Reinigungsverfahren zur Entfernung eines Flußmittels auf Kolophoniumbasis bereit, welches umfaßt das In-Berührung-Bringen des obigen Reinigungsmittels mit dem Flußmittel auf Kolophoniumbasis auf einem Substrat.
  • Beispiele für die Glykolether-Verbindungen der allgemeinen Formel (1), einem der Bestandteile des für die Entfernung von Lötflußmittel auf Kolophoniumbasis gemäß der vorliegenden Erfindung eingesetzten Reinigungsmittels, sind Diethylenglykolmonomethylether, Diethylenglykoldimethylether, Diethylenglykolmonoethylether, Diethylenglykoldiethylether, Diethylenglykolmethylethylether, Diethylenglykolmonopropylether, Diethylenglykoldipropylether, Diethylenglykolmethylpropylether, Diethylenglykolethylpropylether, Diethylenglykolmonobutylether, Diethylenglykoldibutylether, Diethylenglykolmethylbutylether, Diethylenglykolethylbutylether, Diethylenglykolpropylbutylether, Diethylenglykolmonopentylether, Diethylenglykoldipentylether, Diethylenglykolmethylpentylether, Diethylenglykolethylpentylether, Diethylenglykolpropylpentylether, Diethylenglykolbutylpentylether; die entsprechenden Tri- oder Tetraethylenglykolether; und die entsprechenden Di-, Tri- oder Tetrapropylenglykolether usw. Diese Verbindungen sind einzeln verwendbar oder wenigstens zwei von ihnen können in einer geeigneten Kombination eingesetzt werden. Die Glykolether- Verbindungen der Formel (1) sind bekannt oder können durch bekannte Verfahren hergestellt werden.
  • Das nicht-ionische Tensid, ein weiterer Bestandteil des Reinigungsmittels, das erfindungsgemäß für die Entfernung von Lötflußmittel auf Kolophoniumbasis verwendet wird, kann ohne spezielle Beschränkung aus verschiedenen bekannten Tensiden ausgewählt werden, solange es nicht-ionischen Charakter aufweist. Typische Beispiele dafür sind Polyoxyethylenalkylether, in denen die Alkylgruppe mindestens 6 Kohlenstoffatome aufweist, Polyoxyethylenphenylether, Polyoxyethylenalkylphenylether und ähnliche nicht-ionische Tenside auf Polyethylenglykolether-Basis; Polyethylenglykolmonoester, Polyethylenglykoldiester und ähnlich nicht-ionische Tenside auf Polyethylenglykolester-Basis; Addukte von Ethylenoxid und höherem aliphatischen Amin; Addukte von Ethylenoxid und Fettsäureamid; Sorbitanfettsäureester, Zuckerfettsäureester und ähnliche nichtionische Tenside auf mehrwertiger Alkohol-Basis; Fettsäurealkanolamid; die entsprechenden nicht-ionischen Tenside auf Polyoxypropylen-Basis und nicht-ionische Tenside auf Polyoxyethylen-Polyoxypropylen-Copolymer-Basis. Diese nicht-ionischen Tenside können einzeln eingesetzt werden oder wenigstens zwei davon können in Kombination verwendet werden.
  • Unter den oben beispielhaft angegebenen Tensiden sind nichtionische Tenside auf Polyethylenglykolether-Basis im Hinblick auf die Reinigungseigenschaft und Viskosität des Reinigungsmittels wünschenswert und bevorzugter sind bekannte Tenside, die durch die folgende allgemeine Formel (2) dargestellt werden:
  • R-O-(CH&sub2;CH&sub2;O)n-H (2)
  • worin R eine gerad- oder verzweigtkettige Alkylgruppe mit 6 bis 20 Kohlenstoffatomen, vorzugsweise 10 bis 14 Kohlenstoffatomen, eine Phenylgruppe oder eine mit einer gerad- oder verzweigtkettigen Alkylgruppe mit 7 bis 12 Kohlenstoffatomen substituierte Phenylgruppe ist und n für eine ganze Zahl von 2 bis 20, vorzugsweise 5 bis 20, bevorzugter 3 bis 9 steht.
  • Obwohl es hinsichtlich der Verhältnisse von Glykolether-Verbindung (A) und nicht-ionischem Tensid (B) keine spezielle Beschränkung gibt, werden sie gewöhnlich in einem Verhältnis von (A) : (B) = 95 bis 10 Gew.-% : 5 bis 90 Gew.-%, vorzugsweise 90 bis 70 Gew.-% : 10 bis 30 Gew.-% eingesetzt.
  • Das erfindungsgemäß verwendete Reinigungsmittel, das die Glykolether-Verbindung (A) und das nicht-ionische Tensid (B) umfaßt, wird zur Entfernung von Flußmitteln auf Kolophoniumbasis, insbesondere denjenigen für die Montage, verwendet. Durch dieses Reinigungsmittel zu entfernende Flußmittel schließen inaktive Kolophonium-Flußmittel, die im wesentlichen aus Kolophonium, modifiziertem Kolophonium oder ähnlichen Kolophonium- Verbindungen bestehen, und aktive Kolophonium-Flußmittel, die im wesentlichen aus derartigen Kolophonium-Verbindungen, und einem Aktivator, wie z.B. Triethanolaminhydrochlorid, Triethylentetraminhydrochlorid usw. bestehen, ein. Ein bedeutender Effekt wird bei diesem Reinigungsmittel insbesondere dann erzeugt, wenn es zur Entfernung von aktiven Flußmitteln für die Montage eingesetzt wird.
  • Das obige Reinigungsmittel kann durch die folgenden Verfahren mit dem Flußmittel auf Kolophoniumbasis auf einem Substrat in Berührung gebracht werden. Das Reinigungsmittel, das aus den aktiven Bestandteilen, d.h. einer Mischung der Glykolether- Verbindung (A) und dem nicht-ionischen Tensid (B), besteht, wird so, wie es ist, verwendet oder in Form einer wäßrigen Lösung mit einer Konzentration der Mischung der aktiven Bestandteile im Bereich von mehr als 50 Gew.-%, aber weniger als 100 Gew.-%, eingesetzt. Erforderlichenfalls kann das Reinigungsmittel Additive, wie z.B. Entschäumungsmittel, Antikorrosionsmittel oder dgl., enthalten. Wenn ein derartiges Additiv eingesetzt wird, wird es in einer Menge von etwa 0,1 Gew.-% oder weniger, bezogen auf das Gewicht des Reinigungsmittels, zugegeben. Das Substrat kann direkt in die so erhaltene wäßrige Lösung oder in die aktiven Bestandteile per se eingetaucht werden. Alternativ kann die wäßrige Lösung oder die Mischung der aktiven Bestandteile per se über das Substrat gesprüht werden, um es damit zu spülen, oder die aktiven Bestandteile per se oder die wäßrige Lösung können bzw. kann mit dem Flußmittel auf Kolophoniumbasis beim Bürsten mit Hilfe mechanischer Mittel in Kontakt gebracht werden. Ein geeignetes Verfahren wird aus diesen Verfahren ausgewählt.
  • Das erfindungsgemäß verwendete Reinigungsmittel wird unter den Bedingungen eingesetzt, die in Abhängigkeit von der Konzentration der aktiven Bestandteile in dem zu verwendenden Reinigungsmittel, der Art und der Menge des zu entfernenden Flußmittels, der Oberfläche oder der Gestalt des Substrats und dgl. in geeigneter Weise festgelegt werden. Gewöhnlich wird das erfindungsgemäße Reinigungsmittel bei einer Temperatur und für eine Zeitspanne, die zur Entfernung des Flußmittels wirksam sind, mit einem Flußmittel in Berührung gebracht. Die Temperatur für die Reinigung liegt gewöhnlich im Bereich von Raumtemperatur bis etwa 80ºC und beträgt vorzugsweise etwa Raumtemperatur. Zur Entfernung eines Flußmittels auf einem Substrat durch das Eintauchverfahren bei, z.B., Raumtemperatur wird das ein Flußmittel tragende Substrat gewöhnlich etwa 1 bis etwa 5 Minuten in das Reinigungsmittel eingetaucht, wodurch das Flußmittel effektiv entfernt werden kann. Das Eintauchen bei einer höheren Temperatur, die den Flammpunkt nicht übersteigt, kann natürlich die Zeitspanne für die Reinigung verkürzen und die Reinigungseffizienz verbessern.
  • Anschließend an die Reinigungsoperation wird das Substrat dann mit Wasser als Endstufe gewaschen, wodurch das auf dem Substrat verbliebene Reinigungsmittel vollständig weggewaschen wird. Ein derartiges Spülen führt zu einem hohen Reinheitsgrad.
  • Ein derartiges Spülen kann auf verschiedene Weisen durchgeführt werden, wie z.B. durch Halten in laufendes Wasser, Eintauchen in Wasser unter Anwendung von Ultraschallwellen, Sprühen mit Wasser oder dgl. Spülen wird bei einer Temperatur und für eine Zeitspanne, die für die Entfernung des Reinigungsmittels wirksam sind und um dadurch einen hohen Reinheitsgrad zu erzielen, durchgeführt. Das Spülen wird gewöhnlich bei einer Temperatur im Bereich von Raumtemperatur bis etwa 70ºC durchgeführt. Wenn das Spülen durch Abduschen oder Eintauchen durchgeführt wird, beträgt die Zeit für die vollständige Spülung gewöhnlich etwa 30 Sekunden bis etwa 5 Minuten. In jedem Fall wird das Spülen fortgesetzt, bis das Substrat für einen speziellen Zweck ausreichend sauber wird.
  • Das obige Reinigungsmittel kann eine Flußmittel-entfernende Wirkung zeigen, die höher oder zumindest genauso hoch ist, wie herkömmliche Reinigungsmittel vom halogenierten Kohlenwasserstoff-Typ, und kann einen hohen Grad der Flußmittelentfernung erzielen.
  • Die vorliegende Erfindung kann zusätzlich die folgenden Vorteile liefern:
  • (a) Das Reinigungsmittel ist Halogen-frei und führt zu keinem Ozon-Zerstörungsproblem, wie es von den Reinigungsmitteln vom Flon-Typ verursacht wird.
  • (b) Das Reinigungsmittel, das die Glykolether-Verbindung der allgemeinen Formel (1) enthält, ist etwas entzündbar. Jedoch wird kein Explsions-sicheres Reinigungsgerät, das speziell konstruiert ist, benötigt und ein im Handel erhältliches herkömmliches Reinigungsgerät für Flone ist so wie es ist oder leicht modifiziert verwendbar, da die Glykolether-Verbindung einen Flammpunkt oberhalb von 70ºC aufweist und als "Petroleum der dritten Art" wie vom japanischen Feuerdienstgesetz gefordert, klassifiziert ist.
  • (c) Das Reinigungsmittel gibt nur sehr wenig Geruch ab und ist deshalb in dieser Beziehung zufriedenstellend.
  • Erfindungsgemäß wird ein Halogen-freies Lötflußmittel-Reinigungsmittel, das hinsichtlich Reinigungseigenschaft herausragend und hinsichtlich Eigenschaften, die dem Umwelt-Qualitätsstandard hinsichtlich Umweltzerstörung genügen, Entflammbarkeit, Geruch usw., voll zufriedenstellend. Die vorliegende Erfindung stellt auch ein Reinigungsverfahren unter Verwendung des Lötflußmittel-Reinigungsmittels bereit.
  • Die vorliegende Erfindung wird im folgenden detailierter unter Bezugnahme auf die folgenden Beispiele, auf die der Umfang der vorliegenden Erfindung nicht beschränkt ist, beschrieben.
  • BEISPIEL 1
  • Ein Reinigungsmittel wurde durch Zusammenmischen von 90 Gew.- Teilen Diethylenglykoldimethylether und 10 Gew.-Teilen nichtionischem Polyethylenglykolalkylether-Tensid (Handelsbezeichnung "NOIGEN ET-135" ein Tensid der Formel (2), worin R eine verzweigtkettige Alkylgruppe mit 12 mit 14 Kohlenstoffatomen ist und n 9 ist, Produkt der Dai-ichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.) hergestellt.
  • Ein Lötflußmittel auf Kolophoniumbasis (Handelsbezeichnung "Resin Flux #77-25", Produkt von LONCO CO., LTD.) wurde auf die gesamte Oberfläche einer gedruckten Schaltkreisplatte, die aus einem Kupfer-beschichteten Laminat hergestellt war und darauf einen freigelegten Schaltkreis-Teil und einen mit einem Lötresist beschichteten Nichtschaltkreis-Teil aufwies, aufgetragen, dann 2 Minuten bei 130ºC getrocknet und 5 Sekunden bei 260ºC gelötet, um eine Testplatte herzustellen.
  • Die Testplatte wurde bei Raumtemperatur 1 Minute in das vorstehende Reinigungsmittel eingetaucht und der Grad der Entfernung des Flußmittels wurde mit bloßem Auge inspiziert und gemäß den folgenden Kriterien bewertet. Tabelle 1 zeigt die Ergebnisse.
  • A: Das Flußmittel wurde in zufriedenstellendem Maße entfernt.
  • B: Eine kleine Menge des Flußmittels wurde nicht entfernt.
  • C: Eine beträchtliche Menge des Flußmittels wurde nicht entfernt.
  • Anschließend wurde die Testplatte mit Abduschwasser gewaschen und 30 Sekunden bei Raumtemperatur getrocknet und die Reinheit (Konzentration der verbliebenen Ionen) der Testplatte wurde gemäß MIL P 28809 unter Verwendung eines Omega-Meter 600 SE (Handelsbezeichnung für ein Produkt von KENKO CO., LTD.) bestimmt. Tabelle 1 zeigt die Ergebnisse.
  • BEISPIELE 2 BIS 8
  • Der Entfernungsgrad von Flußmittel und die Reinheit der Testplatte wurden auf dieselbe Weise wie in Beispiel 1 beurteilt, mit der Ausnahme, daß die Zusammensetzung des Reinigungsmittels oder die Reinigungstemperatur wie in Tabelle 1 gezeigt geändert wurden. Tabelle 1 zeigt die Ergebnisse.
  • BEISPIELE 9 UND 10
  • Der Grad der Entfernung von Flußmittel und die Reinheit der Testplatte wurden auf dieselbe Weise wie in Beispiel 1 beurteilt, mit der Ausnahme, daß ein nicht-ionisches Polyethylenglykolnonylphenylether-Tensid (Handelsbezeichnung "NOIGEN EA-120", ein Tensid der Formel (2), worin R eine Nonylphenylgruppe darstellt und n 5 ist, Produkt von Dai-ichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd., Beispiel 9) oder ein nicht-ionisches Polyethylenglykoldodecylphenylether-Tensid (Handelsbezeichnung "NOIGEN EA-143", ein Tensid der Formel (2), worin R für eine Dodecylphenylgruppe steht und n 10 ist, Produkt von Dai-ichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd., Beispiel 10) eingesetzt wurde. Tabelle 1 zeigt die Ergebnisse.
  • BEISPIELE 11 BIS 13
  • Der Grad der Entfernung von Flußmittel und die Reinheit der Testplatte wurden auf dieselbe Weise wie in Beispiel 1 beurteilt, mit der Ausnahme, daß ein Polyoxyethylenphenylether (die durchschnittliche Anzahl von Molen an addiertem Ethylenoxid beträgt 7, Beispiel 11), ein Polyoxyethylensorbitanmonolaurat (Handelsbezeichnung "SORGEN TW 20", Produkt von Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd., die durchschnittliche Anzahl von Molen an addiertem Ethylenoxid beträgt 12, Beispiel 12) oder ein Polyoxyethylen-Polyoxypropylen-Blockcopolymer (Handelsbezeichnung "EPAN 420", Produkt von Dai-ichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd., Beispiel 13) eingesetzt wurde.
  • Tabelle 1 zeigt die Ergebnisse. Tabelle 1 Reinigungsmittel-Zusammensetzung Reinigungsgrad Glykolether (Gew.-Teile) Tensid (Gew.-Teile) Reinigungstemperatur Entfernungsgrad Kontaminierung mit Äquivalent NaCl, ug/cm² (ug/inch²) Noigen SORGEN Raumtemperatur (Bemerkung) DEGDME: Diethylenglykoldimethylether DEGDEE: Diethylenglykoldiethylether DEGMBE: Diethylenglykolmonobutylether DPGMME: Dipropylenglykolmonomethylether TPGMME: Tripropylenglykolmonomethylether PEO-ph: Polyoxyethylenphenylether

Claims (15)

1. Verwendung eines Reinigungsmittels, das eine Mischung von
(A) wenigstens einer Glykoletherverbindung, die durch die allgemeine Formel (1) dargestellt wird:
R¹O-(CH&sub2; O)n-R² (1)
worin R¹ ein Wasserstoffatom oder eine Alkylgruppe mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen ist, R² für eine Alkylgruppe mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen steht, R³ ein Wasserstoffatom oder eine Methylgruppe darstellt und n eine ganze Zahl von 2 bis 4 ist, und
(B) wenigstens einem nicht-ionischen Tensid;
umfaßt, für die Entfernung eines Lötflußmittels auf Kolophoniumbasis.
2. Verwendung nach Anspruch 1, bei der das nicht-ionische Tensid ein Tensid ist, das durch die allgemeine Formel (2) dargestellt wird:
R-O-(CH&sub2;CH&sub2;O)n-H (2)
worin R für eine geradkettige oder verzweigte Alkylgruppe mit 6 bis 20 Kohlenstoffatomen, eine Phenylgruppe oder eine Phenylgruppe, die mit einer geradkettigen oder verzweigten Alkylgruppe mit 7 bis 12 Kohlenstoffatomen substituiert ist, steht, und n eine ganze Zahl von 2 bis 20 darstellt.
3. Verwendung nach Anspruch 1 oder 2, bei der die Mischung 95 bis 10 Gew.-% Glykoletherverbindung der allgemeinen Formel (1) und 5 bis 90 Gew.-% nicht-ionisches Tensid umfaßt.
4. Verwendung nach Anspruch 3, bei der die Mischung 90 bis 70 Gew.-% Glykoletherverbindung der allgemeinen Formel (1) und 10 bis 30 Gew.-% nicht-ionisches Tensid umfaßt.
5. Verwendung nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 4, bei der das Reinigungsmittel weiter Wasser enthält.
6. Verwendung nach Anspruch 5, bei der das Reinigungsmittel die Mischung der aktiven Bestandteile (A) und (B) bei einer Konzentration von mehr als 50 Gew.-%, aber weniger als 100 Gew.-%, enthält.
7. Reinigungsverfahren zur Entfernung eines Lötflußmittels auf Kolophonium-Basis, umfassend das Inberührungbringen eines Reinigungsmittels mit dem Flußmittel auf einer gedruckten Verdrahtungsplatte, wobei das Reinigungsmittel eine Mischung von
(A) wenigstens einer Glykoletherverbindung, die durch die allgemeine Formel (1) dargestellt wird:
R¹O-(CH&sub2; O)n-R² (1)
worin R¹ ein Wasserstoffatom oder eine Alkylgruppe mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen ist, R² für eine Alkylgruppe mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen steht, R³ ein Wasserstoffatom oder eine Methylgruppe darstellt und n eine ganze Zahl von 2 bis 4 ist, und
(B) wenigstens einem nicht-ionischen Tensid;
umfaßt.
8. Verfahren nach Anspruch 7, bei welchem das nicht-ionische Tensid ein Tensid ist, das durch die allgemeine Formel
(2) dargestellt wird:
R-O-(CH&sub2;CH&sub2;O)n-H (2)
worin R für eine geradkettige oder verzweigte Alkylgruppe mit 6 bis 20 Kohlenstoffatomen, eine Phenylgruppe oder eine Phenylgruppe, die mit einer geradkettigen oder verzweigten Alkylgruppe mit 7 bis 12 Kohlenstoffatomen substituiert ist, steht, und n eine ganze Zahl von 2 bis 20 darstellt.
9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, bei welchem die Mischung 95 bis 10 Gew.-% Glykoletherverbindung der allgemeinen Formel (1) und 5 bis 90 Gew.-% nicht-ionisches Tensid umfaßt.
10. Verfahren nach Anspruch 9, bei welchem die Mischung 90 bis 70 Gew.-% Glykoletherverbindung der allgemeinen Formel (1) und 10 bis 30 Gew.-% nicht-ionisches Tensid umfaßt.
11. Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 7 bis 10, bei welchem das Reinigungsmittel weiter Wasser enthält.
12. Verfahren nach Anspruch 11, bei welchem das Reinigungsmittel die Mischung der aktiven Bestandteile (A) und (B) bei einer Konzentration von mehr als 50 Gew.-%, aber weniger als 100 Gew.-%, enthält.
13. Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 7 bis 12, bei welchem das Reinigungsmittel mit dem Lötflußmittel auf Kolophonium-Basis auf einer gedruckten Verdrahtungsplatte für eine Zeitspanne und bei einer Temperatur in Berührung gebracht wird, die für die Entfernung des Flußmittels wirksam sind.
14. Verfahren nach Anspruch 13, bei welchem das Reinigungsmittel mit dem Lötflußmittel auf Kolophonium-Basis etwa bei Raumtemperatur in Berührung gebracht wird.
15. Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 7 bis 14, welches weiter die Stufe des Waschens der gedruckten Verdrahtungsplatte mit Wasser umfaßt.
DE90111022T 1989-11-08 1990-06-11 Zusammensetzung und Verfahren zur Entfernung von Lotflussmittel auf Kolophoniumbasis. Expired - Fee Related DE69003350T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29190589 1989-11-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69003350D1 DE69003350D1 (de) 1993-10-21
DE69003350T2 true DE69003350T2 (de) 1994-01-13

Family

ID=17774978

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE90111022T Expired - Fee Related DE69003350T2 (de) 1989-11-08 1990-06-11 Zusammensetzung und Verfahren zur Entfernung von Lotflussmittel auf Kolophoniumbasis.

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP0426943B1 (de)
JP (1) JPH0723479B2 (de)
KR (1) KR0160126B1 (de)
DE (1) DE69003350T2 (de)
ES (1) ES2059890T3 (de)
PT (1) PT94476A (de)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0768547B2 (ja) * 1989-11-21 1995-07-26 花王株式会社 洗浄剤組成物
JPH03198395A (ja) * 1989-12-27 1991-08-29 Toho Chem Ind Co Ltd 洗浄剤組成物
JPH0826350B2 (ja) * 1990-04-19 1996-03-13 三洋化成工業株式会社 超音波洗浄機用洗浄剤
JPH0457899A (ja) * 1990-06-27 1992-02-25 Arakawa Chem Ind Co Ltd ロジン系ハンダフラックスの洗浄剤および該洗浄剤を用いてなるロジン系ハンダフラックスの洗浄方法
JPH0457898A (ja) * 1990-06-27 1992-02-25 Kao Corp 水系洗浄剤組成物
JPH08917B2 (ja) * 1990-06-27 1996-01-10 花王株式会社 洗浄剤組成物
JPH0668118B2 (ja) * 1990-08-06 1994-08-31 第一工業製薬株式会社 洗浄剤組成物
JPH0756039B2 (ja) * 1991-07-04 1995-06-14 第一工業製薬株式会社 洗浄剤組成物
JPH05179294A (ja) * 1991-12-26 1993-07-20 Arakawa Chem Ind Co Ltd 汚染物の洗浄除去剤および汚染物の洗浄除去方法
JPH0624170A (ja) * 1992-03-25 1994-02-01 Sanyo Chem Ind Ltd スクリーン印刷版用洗浄剤
JPH06108097A (ja) * 1992-08-07 1994-04-19 Dr Ok Wack Chem Gmbh 洗浄剤
AU2494092A (en) * 1992-09-03 1994-03-29 Circuit Chemical Products Gmbh Cleaning-agent mixture for cleaning printed circuits and a method of cleaning such circuits
DE4325133A1 (de) * 1993-07-27 1995-02-02 Wack O K Chemie Gmbh Verfahren zum Reinigen von Gegenständen
GB2281909B (en) * 1993-09-21 1997-06-04 Asahi Chemical Ind Propylene glycol cyclohexyl ether derivatives, method of producing same and uses thereof
US5531939A (en) * 1994-03-23 1996-07-02 Amway Corporation Concentrated glass and window cleaning composition and method of use
DE4411677C1 (de) * 1994-04-05 1995-10-26 Mtu Muenchen Gmbh Verfahren zum Entfernen organischer Materialien von Triebwerkskomponenten
ES2126424B1 (es) * 1995-01-19 2000-01-01 Decap 93 S L Procedimiento para la preparacion de suspensiones a altas concentraciones de compuestos organicos e inorganicos.
EP0724011A1 (de) * 1995-01-24 1996-07-31 The Dow Chemical Company Wässrige Reinigungsmittelzusammensetzung
CN113165027B (zh) * 2018-12-05 2023-07-07 花王株式会社 助焊剂残渣的清洗

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3886099A (en) * 1972-03-13 1975-05-27 Griffin Bros Inc Water soluble flux remover
DE2846088A1 (de) * 1978-10-23 1980-04-30 Ries Walter Reinigungsfluessigkeit und deren verwendung zur selbstaendigen oberflaechenreinigung von aeusseren verschmutzungen ausgesetzten koerpern
DE2847691C2 (de) * 1978-11-03 1986-05-22 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Waschflüssigkeit zur Reinigung von Oberflächen gedruckter Schaltungen
JPH0227398B2 (ja) * 1982-04-23 1990-06-15 Asahi Denka Kogyo Kk Senjozaisoseibutsu
FR2582546B2 (fr) * 1984-10-04 1990-04-27 Dow Chemical France Agent de rincage et nettoyage pour ensembles de pulverisation et atomisation, notamment a usage agricole, a base d'un ether de glycol derive du propylene glycol et d'un tensio-actif
JPS6369897A (ja) * 1986-09-11 1988-03-29 第一工業製薬株式会社 プリント基板洗浄用洗浄剤組成物
EP0261718B1 (de) * 1986-09-22 1991-03-06 The Procter & Gamble Company Pastenförmige Reinigungsmittel
CA1310877C (en) * 1987-01-20 1992-12-01 Jeffrey B. Woodson Cleaning gas turbine compressors

Also Published As

Publication number Publication date
JPH03227400A (ja) 1991-10-08
EP0426943A2 (de) 1991-05-15
DE69003350D1 (de) 1993-10-21
PT94476A (pt) 1991-07-05
KR910011101A (ko) 1991-06-29
EP0426943B1 (de) 1993-09-15
ES2059890T3 (es) 1994-11-16
EP0426943A3 (en) 1991-09-04
JPH0723479B2 (ja) 1995-03-15
KR0160126B1 (ko) 1998-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69003350T2 (de) Zusammensetzung und Verfahren zur Entfernung von Lotflussmittel auf Kolophoniumbasis.
DE69113139T2 (de) Mittel und Verfahren zum Entfernen von Lötflussmitteln auf Kolophoniumbasis.
DE3687747T2 (de) Verfahren und mittel zum reinigen von gedruckten schaltungsplatten und/oder gedruckten verdrahtungsplatten, sowie das pruefen von loetmasken.
DE69114930T2 (de) Weichlotflussmittel und Verfahren zu ihrer Verwendung beim Herstellen und Aufsetzen von gedruckten Schaltungsplatten.
EP0595881B1 (de) Verwendung von halogenkohlenwasserstoff-freien reinigungsmitteln zur fluxentfernung von elektronischen und elektrischen baugruppen
DE69004521T2 (de) Reinigungsmittel auf der Basis eines dibasischen Esters und eines Kohlenwasserstofflösungsmittels und Reinigungsverfahren.
DE4314365B4 (de) Reinigungszusammensetzung für Präzisionsteile oder -vorrichtungen
WO1991006690A1 (de) Gemisch zur reinigung von leiterplatten
EP0002725A1 (de) Filmbildende Zusammensetzung zur Beschichtung von Kontaktstiften eines Moduls
DE4013369A1 (de) Neues azeotropes oder azeotropartiges gemisch aus 2,2,2-trifluorethyl-1,1,2,2-tetrafluorethylether und ethanol sowie dessen verwendung
US5330582A (en) Method for cleaning rosin-base solder flux
DE69025594T2 (de) Nichttoxische, nichtentflammbare reiniger zum reinigen von gedruckten schaltungen
DE4002120A1 (de) Neues azeotropartiges loesemittelgemisch und verfahren zur reinigung von elektronischen bauteilen mit hilfe desselben
DE69030423T2 (de) Verfahren zur Reinigung von Lötflussmitteln auf Kolophoniumbasis
WO1994005766A1 (de) Reinigungsmittel zum reinigen von gedruckten schaltungen und elektronischen bauteilen, verfahren zu seiner herstellung und seine verwendung
DE602004013154T2 (de) Reinigungs/spülverfahren
JPH0873893A (ja) 洗浄剤組成物
DE69432702T2 (de) Verfahren zur herstellung von sauberen gegenstaenden
DE69127226T2 (de) Wasserlöslisches Weichlötflussmittel
EP0583719A1 (de) Zusammensetzungen aus 1-Chlor-2,2,2-trifluorethyldifluormethylether und partiell fluorierten Alkanolen
DE69203851T2 (de) Verfahren und vorrichtung zur entfernung von verunreinigungen.
DE2847691A1 (de) Waschfluessigkeit zur reinigung der oberflaeche gedruckter schaltungen
DE69201028T2 (de) Reinigungsmittel.
JP2916800B2 (ja) ロジン系ハンダフラックスの洗浄剤および該洗浄剤を用いてなるロジン系ハンダフラックスの洗浄方法
DE4216414A1 (de) Prozeßflüssigkeit für das Vorverzinnen und Löten

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8328 Change in the person/name/address of the agent

Free format text: BARZ, P., DIPL.-CHEM. DR.RER.NAT., PAT.-ANW., 80803 MUENCHEN

8339 Ceased/non-payment of the annual fee