DE60324870D1 - Gerät und Bestrahlungsverfahren für einen geladenen Teilchenstrahl - Google Patents

Gerät und Bestrahlungsverfahren für einen geladenen Teilchenstrahl

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Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6787772B2 (en) * 2000-01-25 2004-09-07 Hitachi, Ltd. Scanning electron microscope
JP3968334B2 (ja) * 2002-09-11 2007-08-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置及び荷電粒子線照射方法
JP4627771B2 (ja) * 2002-09-11 2011-02-09 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
JP4383950B2 (ja) * 2004-04-23 2009-12-16 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線調整方法、及び荷電粒子線装置
JP4299195B2 (ja) 2004-06-28 2009-07-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置及びその光軸調整方法
JP4620981B2 (ja) 2004-08-10 2011-01-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子ビーム装置
JP4310250B2 (ja) * 2004-08-30 2009-08-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線調整方法及び荷電粒子線装置
JP4657740B2 (ja) * 2005-01-26 2011-03-23 キヤノン株式会社 荷電粒子線光学系用収差測定装置、該収差測定装置を具備する荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法
JP2006302523A (ja) * 2005-04-15 2006-11-02 Jeol Ltd 走査像観察機能を有した透過電子顕微鏡
JP2009505368A (ja) * 2005-08-18 2009-02-05 シーイービーティー・カンパニー・リミティッド 電子カラムの電子ビームエネルギー変換方法
EP1783811A3 (de) * 2005-11-02 2008-02-27 FEI Company Korrektor zur Korrektion von chromatischen Aberrationen in einem korpuskularoptiachen Apparat
JP4299293B2 (ja) * 2005-11-17 2009-07-22 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電ビーム描画装置
JP2007187538A (ja) 2006-01-13 2007-07-26 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置及びそれを用いた画像取得方法
JP4988216B2 (ja) * 2006-02-03 2012-08-01 株式会社日立ハイテクノロジーズ 収差補正装置を搭載した荷電粒子線装置
JP2007218711A (ja) * 2006-02-16 2007-08-30 Hitachi High-Technologies Corp 電子顕微鏡装置を用いた計測対象パターンの計測方法
US8026491B2 (en) * 2006-03-08 2011-09-27 Hitachi High-Technologies Corporation Charged particle beam apparatus and method for charged particle beam adjustment
JP4881661B2 (ja) * 2006-06-20 2012-02-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
JP4789260B2 (ja) * 2006-08-23 2011-10-12 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 荷電粒子ビーム装置及びアパーチャの軸調整方法
EP1914786A3 (de) 2006-10-20 2010-08-04 JEOL Ltd. Teilchenstrahlsystem
JP4945267B2 (ja) * 2007-02-28 2012-06-06 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子顕微鏡
JP4945463B2 (ja) * 2008-01-18 2012-06-06 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
EP2128885A1 (de) 2008-05-26 2009-12-02 FEI Company Quelle für geladene Teilchen mit integriertem Energiefilter
JP5302595B2 (ja) 2008-08-06 2013-10-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 傾斜観察方法および観察装置
JP4431624B2 (ja) * 2008-08-25 2010-03-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線調整方法、及び荷電粒子線装置
JP5506699B2 (ja) * 2009-01-15 2014-05-28 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電ビーム装置
WO2011013342A1 (ja) 2009-07-27 2011-02-03 株式会社日立ハイテクノロジーズ パターン評価方法、その装置、及び電子線装置
US8294117B2 (en) * 2009-09-18 2012-10-23 Mapper Lithography Ip B.V. Multiple beam charged particle optical system
JP2010016007A (ja) * 2009-10-22 2010-01-21 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線調整方法及び荷電粒子線装置
EP2325862A1 (de) 2009-11-18 2011-05-25 Fei Company Korrektor für axiale Aberrationen einer teilchenoptischen Linse
JP5378185B2 (ja) 2009-12-08 2013-12-25 株式会社日立ハイテクノロジーズ 集束イオンビーム装置、及び集束イオンビーム加工方法
EP2378537B1 (de) 2010-04-19 2014-02-12 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Verfahren zum Betreiben einer Teilchenstrahlvorrichtung
EP2385542B1 (de) * 2010-05-07 2013-01-02 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Elektronenstrahlvorrichtung mit Dispersionskompensation und Betriebsverfahren dafür
JP5792509B2 (ja) * 2010-07-05 2015-10-14 株式会社日立ハイテクサイエンス 荷電粒子ビーム装置及び試料加工方法
EP2405460B1 (de) * 2010-07-09 2013-02-20 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Elektronenstrahlvorrichtung mit Verkippungs- und Dispersionskompensation sowie Betriebsverfahren dafür
JP5735262B2 (ja) * 2010-11-12 2015-06-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子光学装置及びレンズ収差測定方法
JP5364112B2 (ja) * 2011-01-25 2013-12-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
JP5581248B2 (ja) * 2011-03-08 2014-08-27 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査電子顕微鏡
EP2511936B1 (de) 2011-04-13 2013-10-02 Fei Company Verzerrungsfreie Stigmation eines TEM
JP5896870B2 (ja) * 2012-09-21 2016-03-30 日本電子株式会社 走査電子顕微鏡
JP6138454B2 (ja) 2012-10-29 2017-05-31 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
US8921782B2 (en) * 2012-11-30 2014-12-30 Kla-Tencor Corporation Tilt-imaging scanning electron microscope
US8993980B1 (en) * 2013-10-22 2015-03-31 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Dual stage scanner for ion beam control
US9583306B2 (en) 2014-12-09 2017-02-28 Hermes Microvision Inc. Swing objective lens
JP6677519B2 (ja) * 2016-02-03 2020-04-08 日本電子株式会社 電子顕微鏡および収差測定方法
US10157727B2 (en) 2017-03-02 2018-12-18 Fei Company Aberration measurement in a charged particle microscope
JP2019164886A (ja) 2018-03-19 2019-09-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ ビーム照射装置
TWI744671B (zh) * 2018-08-03 2021-11-01 日商紐富來科技股份有限公司 電子光學系統及多射束圖像取得裝置
EP3488851A1 (de) 2018-10-03 2019-05-29 AVM Biotechnology, LLC Immunoablative therapien
JP7292968B2 (ja) * 2019-05-14 2023-06-19 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム装置
US11804357B2 (en) * 2021-09-30 2023-10-31 Fei Company Electron optical module for providing an off-axial electron beam with a tunable coma

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS502354B1 (de) * 1970-12-25 1975-01-25
JPS502354A (de) 1973-05-15 1975-01-10
JPS5176953A (en) 1974-12-27 1976-07-03 Hitachi Ltd vfo kairo
DD134582A1 (de) * 1978-01-19 1979-03-07 Eberhard Hahn Verfahren und einrichtung zur justierung einer elektronenstrahlbearbeitungsanlage
JPS5854784Y2 (ja) 1978-09-25 1983-12-14 株式会社日立製作所 立体走査電子顕微鏡
JPS5548610A (en) 1978-10-03 1980-04-07 Nakamura Seisakusho:Kk Dial indicator
US4475044A (en) * 1979-04-23 1984-10-02 Hitachi, Ltd. Apparatus for focus-deflecting a charged particle beam
JPS5628433A (en) * 1979-08-15 1981-03-20 Erionikusu:Kk Display distortion corrector for electron beam device
JPS57118357A (en) * 1981-01-14 1982-07-23 Jeol Ltd Objective lens for scan type electron microscope
US4465934A (en) * 1981-01-23 1984-08-14 Veeco Instruments Inc. Parallel charged particle beam exposure system
JPS5894251A (ja) 1981-11-30 1983-06-04 Fujitsu Ltd 情報伝送方式
NL8304217A (nl) * 1983-12-07 1985-07-01 Philips Nv Automatisch instelbare electronenmicroscoop.
JPH0233843A (ja) 1988-07-25 1990-02-05 Hitachi Ltd 走査電子顕微鏡
JPH02236936A (ja) * 1989-03-08 1990-09-19 Mitsubishi Electric Corp 荷電ビーム装置
NL9100294A (nl) * 1991-02-20 1992-09-16 Philips Nv Geladen deeltjesbundelinrichting.
US5369279A (en) * 1992-06-04 1994-11-29 Martin; Frederick W. Chromatically compensated particle-beam column
JPH06215714A (ja) * 1992-06-05 1994-08-05 Hitachi Ltd 電界放出型透過電子顕微鏡
JP3109785B2 (ja) * 1993-12-21 2000-11-20 株式会社日立製作所 走査電子顕微鏡の自動焦点合わせ装置
JPH09129543A (ja) * 1995-11-01 1997-05-16 Nikon Corp 荷電粒子線転写装置
US5627373A (en) * 1996-06-17 1997-05-06 Hewlett-Packard Company Automatic electron beam alignment and astigmatism correction in scanning electron microscope
US6060711A (en) * 1997-01-27 2000-05-09 Nikon Corporation Charged-particle optical systems and pattern transfer apparatus comprising same
KR19980079377A (ko) * 1997-03-25 1998-11-25 요시다쇼이치로 하전립자선 전사장치
JPH10275581A (ja) * 1997-03-28 1998-10-13 Nikon Corp 荷電粒子光学系
US6064071A (en) * 1997-04-23 2000-05-16 Nikon Corporation Charged-particle-beam optical systems
JP3754186B2 (ja) * 1997-08-18 2006-03-08 株式会社トプコン 電子線光学装置
DE19739290A1 (de) * 1997-09-08 1999-03-11 Ceos Gmbh Verfahren zur Beseitigung axialer Bildfehler erster, zweiter und dritter Ordnung bei Korrektur des Öffnungsfehlers dritter Ordnung in elektronen-optischen Systemen
EP0999573B1 (de) * 1998-11-06 2006-06-28 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Strahlrohr für geladene Teilchen
DE69939309D1 (de) 1999-03-31 2008-09-25 Advantest Corp Teilchenstrahlgerät zur schrägen Beobachtung einer Probe
US6614026B1 (en) * 1999-04-15 2003-09-02 Applied Materials, Inc. Charged particle beam column
US6452175B1 (en) 1999-04-15 2002-09-17 Applied Materials, Inc. Column for charged particle beam device
DE19926927A1 (de) * 1999-06-14 2000-12-21 Ceos Gmbh Elektrostatischer Korrektor zur Beseitigung des Farbfehlers von Teilchenlinsen
US6538249B1 (en) * 1999-07-09 2003-03-25 Hitachi, Ltd. Image-formation apparatus using charged particle beams under various focus conditions
JP3688160B2 (ja) * 1999-09-17 2005-08-24 株式会社日立製作所 走査電子顕微鏡
WO2001033603A1 (fr) 1999-10-29 2001-05-10 Hitachi, Ltd. Appareil a faisceau electronique
DE60045439D1 (de) * 2000-01-24 2011-02-10 Integrated Circuit Testing Saüle für eine Ladungsträgerstrahlvorrichtung
EP1150327B1 (de) * 2000-04-27 2018-02-14 ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Mehrstrahl Ladungsträgerstrahlvorrichtung
JP2001357811A (ja) * 2000-06-12 2001-12-26 Hitachi Ltd 走査形荷電粒子顕微鏡、並びに走査形荷電粒子顕微鏡の焦点合わせ方法及び非点収差補正方法
DE10044199B9 (de) * 2000-09-07 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Ablenkanordnung und Projektionssystem für geladene Teilchen
DE10109965A1 (de) * 2001-03-01 2002-09-12 Zeiss Carl Teilchenoptische Linsenanordnung und Verfahren unter Einsatz einer solchen Linsenanordnung
JP3984019B2 (ja) * 2001-10-15 2007-09-26 パイオニア株式会社 電子ビーム装置及び電子ビーム調整方法
JP2003151484A (ja) * 2001-11-15 2003-05-23 Jeol Ltd 走査型荷電粒子ビーム装置
US7223974B2 (en) * 2002-05-22 2007-05-29 Applied Materials, Israel, Ltd. Charged particle beam column and method for directing a charged particle beam
US6930308B1 (en) * 2002-07-11 2005-08-16 Kla-Tencor Technologies Corporation SEM profile and surface reconstruction using multiple data sets
JP3968334B2 (ja) * 2002-09-11 2007-08-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置及び荷電粒子線照射方法
EP1489641B1 (de) * 2003-06-18 2019-08-14 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Ablenksystem für geladene Teilchen

Also Published As

Publication number Publication date
EP2023373A3 (de) 2012-01-25
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US6956211B2 (en) 2005-10-18
US7408172B2 (en) 2008-08-05
US7282722B2 (en) 2007-10-16
US20040119022A1 (en) 2004-06-24
JP2004127930A (ja) 2004-04-22
US20050253083A1 (en) 2005-11-17
US20080042074A1 (en) 2008-02-21

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