DE60214992T2 - Mehrbit-prefetch-ausgangsdatenweg - Google Patents

Mehrbit-prefetch-ausgangsdatenweg Download PDF

Info

Publication number
DE60214992T2
DE60214992T2 DE60214992T DE60214992T DE60214992T2 DE 60214992 T2 DE60214992 T2 DE 60214992T2 DE 60214992 T DE60214992 T DE 60214992T DE 60214992 T DE60214992 T DE 60214992T DE 60214992 T2 DE60214992 T2 DE 60214992T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
data
output
bits
signal
signals
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE60214992T
Other languages
English (en)
Other versions
DE60214992D1 (de
Inventor
K. Christopher Boise MORZANO
Wen Boise LI
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Micron Technology Inc
Original Assignee
Micron Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Micron Technology Inc filed Critical Micron Technology Inc
Publication of DE60214992D1 publication Critical patent/DE60214992D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE60214992T2 publication Critical patent/DE60214992T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1051Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
    • G11C7/1066Output synchronization
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/4076Timing circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/409Read-write [R-W] circuits 
    • G11C11/4096Input/output [I/O] data management or control circuits, e.g. reading or writing circuits, I/O drivers or bit-line switches 
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1006Data managing, e.g. manipulating data before writing or reading out, data bus switches or control circuits therefor
    • G11C7/1012Data reordering during input/output, e.g. crossbars, layers of multiplexers, shifting or rotating
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1015Read-write modes for single port memories, i.e. having either a random port or a serial port
    • G11C7/1039Read-write modes for single port memories, i.e. having either a random port or a serial port using pipelining techniques, i.e. using latches between functional memory parts, e.g. row/column decoders, I/O buffers, sense amplifiers
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1051Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 
    • G11C7/222Clock generating, synchronizing or distributing circuits within memory device
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C2207/00Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C2207/22Control and timing of internal memory operations
    • G11C2207/2281Timing of a read operation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Databases & Information Systems (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)
  • Prostheses (AREA)

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich allgemein auf integrierte Schaltungen, um insbesondere auf Datenpfade in einer Speichervorrichtung.
  • Halbleiter-Speichervorrichtungen wie SDRAM-Vorrichtungen werden weithin in Computern und elektronischen Produkten benutzt. Eine SDRAM-Vorrichtung hat typischerweise eine große Anzahl von Speicherzellen, um die Daten zu speichern. Um Daten zu lesen, wird eine Speicher-Leseoperation durchgeführt. Während einer Leseoperation werden Daten aus den Speicherzellen abgerufen und auf einen Datenpad zur Verarbeitung ausgegeben. Der Betrieb des SDRAMs basiert auf einem gemeinsamen Taktsignal.
  • Es gibt zahlreiche Variationen von den SDRAM-Vorrichtungen. In einer Variation hat man Zugang zu den Daten der Speicherzellen und ein Datenbit wird bei jedem Taktzyklus auf den Datenpad ausgegeben. In einer anderen Variation der SDRAM-Vorrichtungen hat man Zugang zu zwei Datenbits und sie werden dann bei jedem Taktzyklus auf den Datenpad ausgegeben; so wird diese Variation von SDRAM-Vorrichtungen allgemein als DDR (double data rate = doppelte Datenrate)-SDRAM-Vorrichtung bezeichnet.
  • Gegenwärtig ist eine neue Variation von SDRAM-Vorrichtungen vom „Joint Electronic Device Engineering Council (JEDEC)„ einer internationalen Organisation, die Standards für integrierte Schaltungsvorrichtungen einschließlich Speichervorrichtungen festlegt, vorgeschlagen worden. Ein Entwurf einer Spezifikation für die SDRAM-Vorrichtung ist vom JEDEC vorgeschlagen worden. In der vorgeschlagenen SDRAM-Vorrichtung oder DDR II-SDRAM-Vorrichtung werden vier Datenbits aus der Speichervorrichtung abgerufen und diese Datenbits werden dann während eines Lesezyklus auf den Datenpad ausgegeben. So gibt eine DDR II-SDRAM-Vorrichtung Daten mit höherer Geschwindigkeit als eine herkömmliche DDR-SDRAM-Vorrichtung aus.
  • US 6, 324, 118 löst die durch höhere Datenraten hervorgerufenen Probleme, indem ein Haltespeicher für Eingabe und Ausgabe bereitgestellt wird, um eine verbesserte Betriebsfrequenztoleranz in Bezug auf die Dateneingabe/Datenausgabe zu ermöglichen.
  • Eine der Aufgaben beim Betrieb einer DDR II-SDRAM-Vorrichtung ist die Implementierung der Vorrichtung, so dass die vier Datenbits aus den Speicherzellen korrekt auf den Datenpad ausgegeben werden. Bei einer DDR-SDRAM-Vorrichtung können, da man gleichzeitig eine Gruppe von zwei Datenbits abruft, zwei Bits aus einer Gruppe in einem Taktzyklus auf den Datenpad ausgegeben werden. Im nächsten Taktzyklus kann auch die nächste Gruppe aus zwei Bits auf die gleiche Art wie die vorige Gruppe auf den Datenpad ausgegeben werden. So werden alle zwei Taktzyklen vier Bits auf den Datenpad ausgegeben, die vier Bits stammen aus zwei verschiedenen Gruppen. In der DDR II-SDRAM-Vorrichtung wird gleichzeitig auf eine Gruppe von vier Bits zurückgegriffen und diese werden auf den Datenpad in zwei Taktzyklen, d.h. zwei Bits in jedem der beiden Taktzyklen ausgegeben. Im Unterschied zum DDR-SDRAM muss man jedoch bei der DDR II-SDRAM-Vorrichtung unterscheiden, dass die vier Bits aus derselben Gruppe stammen, welche beiden der vier Bits in welchem der beiden Taktzyklen ausgegeben werden sollen. Außerdem muss auch eine korrekte Bitreihenfolge bestimmt werden, damit jedes der vier Bits auf den Datenpad in der richtigen Reihenfolge ausgegeben werden.
  • Es besteht ein Bedarf an einer Implementierung in einem SDR II-SDRAM in dem die Daten korrekt aus den Datenzellen auf den Datenpad während des Lesebetriebs ausgegeben werden.
  • Die vorliegende Erfindung stellt entsprechend eine integrierte Schaltung wie sie im Patentanspruch 1 definiert wird und ein Verfahren zum Betrieb einer Speichervorrichtung wie sie in Patentanspruch 10 definiert wird, bereit. Bevorzugte Eigenschaften werden in den abhängigen Ansprüchen festgelegt.
  • Die vorliegende Erfindung kann auf eine SDR II-SDRAM-Vorrichtung angewendet werden, die eine Ausgangsschaltung zur Implementierung des Datentransfers zwischen den Speicherzellen und den Datenpads der Speichervorrichtung aufweist.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist ein Blockdiagramm der Speichervorrichtung nach einer Ausführungsform der Erfindung;
  • 2 ist ein Timingdiagramm der 1 während des Speicherbetriebs bei verschiedenen Latenzeinstellungen;
  • 3 ist ein Blockdiagramm einer Ausgangsschaltung der 1;
  • 4 bis 7 sind Timingdiagramme des Ausgangsschaltungsbetriebs der 3 bei verschiedenen Latenzeinstellungen;
  • 8A bis D sind schematische Diagramme der Eingangswählschaltungen der 3;
  • 9 ist ein schematisches Diagramm eines Haltespeichers der Ausgangsschaltung der 3;
  • 10 ist ein schematisches Diagramm einer Ausgangsstufe der 3;
  • 11 ist ein Blockdiagramm einer Ausgangssteuereinheit der 1;
  • 12 ist ein schematisches Diagramm einer Latenzeingangsschaltung der 11;
  • 13 ist ein schematisches Diagramm einer Ausgangstimingfreischaltschaltung der 11;
  • 14 ist ein schematisches Diagramm eines Ausgangstiminggenerators der 11;
  • 15 ist ein schematisches Diagramm eines Ausbreitungssteuersignalgenerators der 11;
  • 16 ist ein Timingdiagramm des Betriebs der 12 bis 13;
  • 17 ist ein Timingdiagramm des Betriebs der 14 bis 15;
  • 18 ist ein Blockdiagramm eines eine Speichervorrichtung umfassenden Systems nach einer Ausführungsform der Erfindung.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Die folgende ausführliche Beschreibung bezieht sich auf die angehängten dazugehörenden Zeichnungen und zeigt mit Hilfe von Illustrationen spezifische Beispiele, auf die die Erfindung angewendet werden kann. Diese werden ausreichend detailliert beschrieben, damit der Fachmann die Erfindung ausführen kann und verständlicherweise können andere Ausführungsformen benutzt werden.
  • Die 1 ist ein vereinfachtes Blockdiagramm einer Speichervorrichtung 100 nach einer Ausführungsform der Erfindung. In einer Ausführungsform umfasst die Speichervorrichtung 100 einen Hauptspeicher 102. Der Hauptspeicher 102 umfasst typischerweise DRAM-Vorrichtungen, die eine oder mehrere, mit BANK 1-N gekennzeichnete Speicherbanken umfassen. Jede der Speicherbanken BANK 1-N umfassen eine Vielzahl von in Reihen und Spalten angeordneten Speicherzellen. Der Reihen-Dekodierer 1004 und der Spalten-Dekodierer 106 haben Zugang zu individuellen Speicherzellen in den Reihen und Spalten in Antwort auf eine auf Adressbussen und Adressleitungen 110 0-X bereitgestellten Adresse. Die Adressleitungen 110 0-X empfangen eine Vielzahl von Adresssignalen A0-AX. Eine Vielzahl von Eingangsschaltungen 111 0 N und eine Vielzahl von Ausgangsschaltungen 112 0-N stellen die Verbindung zu dem Datenbus oder den Datenleitungen 114 0-N für eine bidirektionnelle Datenkommunikation mit dem Hauptspeicher 102 her. Jede der Datenleitungen 114 0-N stellt eine Vielzahl von Datensignalen oder eine Vielzahl von Datenbits D0-DN bereit. Eine Ausgangssteuereinheit 117 steuert den Takt der Datenausgabe vom Hauptspeicher 102 zu den Datenpads 114 0-N. Eine Speichersteuereinheit 116 kontrolliert den Speicher 100 in Antwort auf Steuerleitungen 118 bereitgestellten Steuersignalen. Die Steuersignale umfassen, sind jedoch nicht begrenzt auf ein externes Taktsignal (CLK), Chipauswahl (CS*), Reihenzugangsabtastung (RAS*), Spaltenzugangsabtastung (CAS*), und Schreibfreigabe (WE*). Die Speichervorrichtung 100 umfasst auch ein Modusregister 119, das programmiert werden kann, um verschiedene Einstellungen für den Betrieb der Speichervorrichtung 100 zu speichern.
  • Der Fachmann versteht, dass die Speichervorrichtung 100 der 1 zusätzliche Schaltungen und Steuersignale umfassen kann und dass die Speichervorrichtung der 1 vereinfacht worden ist, um den Akzent auf die Erfindung zu setzen. Es ist verständlich, dass die obige Beschreibung eines DRAMs darauf hin abzielt, ein allgemeines Verständnis des Speichers bereitzustellen und ist keine vollständige Beschreibung aller Elemente und Kennzeichen einer DRAM-Vorrichtung.
  • Bei der Beschreibung der Erfindung werden Ausdrücke wie Daten, Bits, Bitdaten oder Datenbit austauschbar benutzt, um dasselbe Subjekt zu beschreiben, das die Information oder das Signal ist, das aus dem Hauptspeicher 102 gelesen wird oder in ihn eingelesen wird. Außerdem werden Begriffe wie Leitung und Knoten austauschbar benutzt, sie beziehen sich auf dasselbe Element.
  • Die 2 ist ein Timingdiagramm der 1 während eines Speicherbetriebs bei verschiedenen Latenzeinstellungen. In der 2 stellt CLK das externe Taktsignal dar, das die Speichervorrichtung 100 über eine der Kontrollleitungen 118 der 1 beaufschlagt. In einer Ausführungsform kann die Speichervorrichtung 100 mit dem CLK-Signal funktionieren, das eine Frequenzspanne von 66 Megahertz (66 MHz) bis 300 Megahertz (300 MHz) aufweist. COMMAND stellt einen Befehl dar, mit der die Speichervorrichtung 100 beaufschlagt wird, um gewisse Speicheroperationen wie eine Leseoperation durchzuführen. OTPUT DATA 210 0-3 stellt Ausgangsdaten dar, die auf einer der Leitungen 114 0-N der 1 bereitgestellt werden. Jeder der OUTPUT DATA 210 0-3 stellt Ausgangsdaten bei verschiedenen Latenzeinstellungen dar. Die Latenzeinstellung wird durch Programmierung des Modusregisters 119 der 1 vorgenommen. Verschiedene Latenzeinstellungen stellen verschiedene Timings dafür bereit, wenn ein erstes Datenbit auf einer der Datenleitungen 114 0-N nach der Ausgabe eines Lesebefehls zur Verfügung steht. Wenn die Latenz z.B. auf 2 eingestellt wird, steht ein erstes Datenbit D1 zwei Taktzyklen nach dem READ-Befehl zur Verfügung. Auf der 2 erscheint der READ-Befehl zur Zeit T0 auf, das erste Datenbit D1 von OUTPUT DATE 210-0 steht zur Zeit T2, zwei Taktzyklen nach dem READ-Befehl, zur Verfügung. Auf ähnliche Weise gibt OUTPUT DATA 210 1-3 an, dass, wenn die Latenzeinstellung auf 3, 4 oder 5 eingestellt ist, das erste Datenbit bei T3, T4 oder T5 zur Verfügung steht, was drei, vier oder fünf Taktzyklen nach dem READ-Befehl ist. Die Latenzeinstellung wird in Abhängigkeit von Variablen gewählt, die außerhalb der Speichervorrichtung 100 zu finden sind.
  • Die Speichervorrichtung 100 der 1 kann eine Serie von vier Datenbits in jeder Lesedatenfolge einer Leseoperation ausgeben. In einer Leseoperation prüft der Speichercontroller 116 eine gewisse Kombination von Befehlssignalen wie die Signale RAS*, CAS* und WE*. Wenn die Kombination für eine Leseoperation zulässig ist, wird ein Lesebefehl ausgegeben. Auf der 2 z.B. wird zur Zeit T0, wenn eine Kombination für eine Leseoperation zulässig ist, ein READ-Befehl ausgegeben. Es werden vier Datenbits in den Hauptspeicher 102 (1) eingelesen und zu einer der Ausgangsschaltungen 112 0-N ausgegeben. Das Einlesen von vier Datenbits in den Hauptspeicher 102 kann mit jedem beliebigen konventionellen Leseverfahren ausgeführt werden. Nachdem die vier Datenbits in eine der Ausgabeschaltungen 112 0-N eingelesen sind, werden die Bits seriell zu einer der Datenleitungen 114 0-N ausgegeben. Das Timing der Ausgabe der vier Datenbits zu den Leitungen 114 0-N wird durch eine Ausgabesteuereinheit 117 auf der Basis der Latenzeinstellungen gesteuert. Wie es auf der 2 gezeigt wird, werden vier Datenbits D0-D3 von jedem der OUTPUT DATA 210 0-3 mit verschiedenen Taktzyklen nach dem READ-Befehl auf der Basis der verschiedenen Latenzeinstellungen ausgegeben. Die Ausgabeschaltungen 112 0-N und die Ausgabesteuereinheit 117 und ihre Operationen werden ausführlicher in den folgenden Figuren beschrieben.
  • Die 3 ist ein Blockdiagramm einer der Ausgangsschaltungen 112 0-N der 1. Auf der 3 wird die Ausgangsschaltung 112-0 gezeigt. Die Konstruktionen der anderen Ausgangsschaltungen sind dieselben wie die auf der 3 gezeigten Ausgangsschaltung 112-0. Die Ausgangsschaltung 112-0 hat eine Vielzahl von Ausgangspfaden 310 0-3. Eine Ausgangswähleinheit 350 stellt die Verbindung zu den Ausgangspfaden 310 0-3 über die Leitungen oder Knoten 342 0-3 her. Eine Ausgangsstufe 360 stellt die Verbindung zur Ausgangswähleinheit 350 über die Leitungen 356 her. Die Ausgangsstufe 360 stellt die Verbindungen zu den Leitungen 114-0 her, um eine Vielzahl von Datenbits D0-DN bereitzustellen.
  • Die Ausgangspfade 310 0-3 umfassen eine Vielzahl von Eingangswähleinheit 320 0-3. Eine Vielzahl von ersten Haltespeichern 130 0-3 stellt die Verbindung zu den Eingangswähleinheit 320 0-3 über die Leitungen 322 0-3 her. Eine Vielzahl von zweiten Haltespeichern 340 0-3 stellt die Verbindung zu den ersten Haltespeichern 130 0-3 über die Leitungen 332 0-3 und zu dem Ausgangswähleinheit 350 über die Leitungen 342 0-3 her. Die Ausgangspfade 310 0-3 der Konstruktionen sind dieselben und so hat jeder der Ausgangspfade 310 0-3 dieselben Elemente. Beim Ausgangspfad 310-0 ist z.B. der Eingangswähleinheit 320-0 mit dem ersten Haltespeicher 330-0 über die Leitung 322-0 verbunden. Der zweite Haltespeicher 340-0 verbindet mit dem ersten Haltespeicher 330-0 über die Leitung 332-0 und mit der Ausgangswähleinheit 350 über die Leitung 342-0. Andere Ausgangspfade 310 1-3 haben dieselbe Anordnung wie der Ausgangspfad 310-0.
  • Jede der Eingangswähleinheiten 320 0-3 verbindet mit einer Vielzahl von Eingangsknoten 326, um eine Vielzahl von Datensignalen oder Datenbits D0-D3 zu empfangen. Diese Datenbits sind komplementäre Daten. In anderen Worten, ist jedes der Datenbits das Umgekehrte zu einem wahren Datenbit aus dem Hauptspeicher 102. Die Datenbits D0-D3 werden parallel an den Knoten 326 empfangen. In anderen Worten kommen die Datenbits D0-D3 gleichzeitig aus dem Hauptspeicher 102 an den Knoten 326 an. Jede der Eingangswähleinheiten 320 0-3 verbindet auch mit einer Vielzahl von Wahlleitungen 328 um eine Vielzahl von Wahleinheitssignalen CA0-CA3 zu empfangen. Jeder der ersten Haltespeicher 330 0-3 verbindet auch mit einer Kontrollleitung 334. Jeder der zweiten Haltespeicher 340 0-3 verbindet auch mit einer Kontrollleitung 344. Die Kontrollleitungen 334 und 344 erpfangen eine Vielzahl von Ausbreitungssteuersignalen Q0-Q2. Alle Steuerleitungen 334 des ersten Haltespeichers 330-0 empfangen das Signal Q2. Die Steuerleitungen 344 des zweiten Haltespeichers 340 0-1 empfangen das Signal Q0. Die Steuerleitungen 344 des zweiten Haltespeichers 340 2-3 empfangen das Signal Q1.
  • Die Ausgangswähleinheit 350 umfasst eine Vielzahl von Multiplexern 352 0-3. Jeder der Multiplexer 352 0-3 hat einen Eingang, der mit einem der Knoten 342 0-3 verbunden ist, und einen Ausgang, der mit der Ausgangsstufe 360 über die Leitung 356 verbunden ist. Die Multiplexer 352 0-3 verbinden auch mit einer Vielzahl von Steuerleitungen 354 um eine Vielzahl von Taktsignalen DLL 0-3 zu empfangen.
  • Auf der 3 wählt jeder der Eingangswähleinheiten 320 0-3 eines der vier Datenbits D0-D3 auf den Leitungen 326 aus und überträgt das ausgewählte Bit auf eine der entsprechenden Leitungen 322 0-3. Die Wahl eines Datenbits aus den Bits D0-D3 basiert auf zwei Adresssignalen oder Adressbits, die auf den Leitungen 110 0-X empfangen werden (1). Die auf den Leitungen 110 0-X empfangenen Adressbits sind A0, A1; A3,..., AX. Die Logikwerte (Logik 1 oder Logik 0) der Bits A1 und A0 bestimmen die Wahl der Datenbits durch die Eingangswähleinheiten 320 0-3. Wenn die Logikwerte von A1 und A0 0 und 0 sind, (Binäres 00) dann ist die Wahl der Datenbits durch die Eingangswähleinheiten 320 0-3 jeweils D0, D1, D2 und D3. In anderen Worten, wenn die Kombination von A1 A0 00 ist, wählt die Eingangswähleinheit 320-0 das Bit D0; die Eingangswähleinheit 320-1 das Bit D1; die Eingangswähleinheit 320-2 das Bit D2 und die Eingangswähleinheit 320-3 das Bit D3 aus. Wenn die Kombination von A1 A0 01 ist, dann ist die Reihenfolge der von den Eingangswähleinheiten 320 0-3 ausgewählten Daten jeweils D1, D2 und D3, D0. Wenn die Kombination von A1 A0 10 ist, dann ist die Reihenfolge der von den Eingangswähleinheiten 320 0-3 gewählten Daten jeweils D2, D3, D0 und D1. Wenn die Kombination von A1 A0 11 ist, dann ist die Reihenfolge der von den Eingangswähleinheiten 320 0-3 gewählten Daten jeweils D3, D0, D1 und D2. Wenn die Kombination A1 A0 z.B. 00 ist, dann sind auf der 3 die vier verschiedenen von den Eingangswähleinheiten 320 0-3 auf den Leitungen 322 0-3 gewählten Datenbits jeweils D0, D1, D2 und D3.
  • Die Haltespeicher 330 0-3 und 340 0-3 werden durch die Signale QL0-QL2 gesteuert. Die Haltespeicher 330 0-3 bzw. 340 0-3 übertragen die Datensignale bzw. Datenbits von einem Knoten zu einem anderen Knoten, wenn die Signale QL0-QL2 aktiviert sind. Wenn QL2 aktiviert ist, oder von einem niedrigen Signalniveau (LOW) zu einem hohen Signalniveau (HIGH) übergeht, übertragen die ersten Haltespeicher 330 0-3 Daten von den Knoten 322 0-3 zu den Knoten 332 0-3. Wenn QL0 aktiviert ist, übertragen die zweiten Haltespeicher 340 0-1 Daten von den Knoten 322 0-1 zu den Knoten 342 0-1. Wenn QL1 aktiviert ist, übertragen die zweiten Haltespeicher 340 2-3 Daten von den Knoten 322 2-3 zu den Knoten 342 2-3. In dem obigen Beispiel, nachdem QL0-QL3 aktiviert sind, werden die Bits D0-D3 von den Leitungen 322 0-3 zu den Knoten 332 0-3 und schließlich zu den Knoten 342 0-3 übertragen.
  • Die Ausgangswähleinheit 350 wählt die Datenbits auf den Knoten 342 0-3 und überträgt sie in sequentieller Reihenfolge zur Ausgangsstufe 360. Es werden Taktsignale DLL 0-DLL3 sequentiell aktiviert, um die Datenbits auf die Knoten 342 0-3 und die Ausgangsstufe 360 über die Leitung 356 zu übertragen. So überträgt die Ausgangswähleinheit 350 die Datenbits seriell zur Ausgangsstufe 360. Das erste Datenbit in der Serie, die zur Ausgangsstufe 360 übertragen worden ist, ist das Bit der Datenleitung 342-0 des Ausgangspfads 310-0. Das zweite Datenbit in der Serie, die zur Ausgangsstufe 360 übertragen worden, ist das Bit der Datenleitung 342-1 des Ausgangspfads 310-2. In dieser Struktur stammen die dritten und vierten, zur Ausgangsstufe 360 übertragenen Bits von den Leitungen 342-2 und 342-3. In dem obigen Beispiel ist das erste zur Ausgangsstufe 360 übertragenen Bit D0. Die zweiten, dritten und vierten zur Ausgangsstufe 360 übertragenen Bits sind D1, D2 und D3.
  • Die Ausgangsstufe 360 empfängt die Datenbits auf der Leitung 356 und gibt sie seriell auf die Leitung 114-0 aus. Bei Benutzung desselben obigen Beispiels sind die auf der Leitung 114-0 ausgegebenen Datenbits D0, D1, D2 und D3. Die Ausgangsstufe 360 gibt die Datenbits D0-D3 auf den Ausgangsleitungen 114-0 als wahre Werte aus. In anderen Worten haben die auf der Leitung 114-0 ausgegeben Daten gegenüber den Daten auf der Leitung 326 ein entgegengesetztes Potential. Die Reihenfolge der in dem Beispiel dieser Beschreibung benutzten Datenbits ist D0, D1, D2 und D3. Die Reihenfolge der Datenbits kann jedoch in Abhängigkeit von den Logikwerten der Adressbits A1 und A0, wie es oben beschrieben worden ist, jede beliebige Reilenfolge annehmen. Wenn z.B. die Daten auf den Leitungen 342 0-3 jeweils D1, D2, D3 und D0 sind, dann werden die Datenbits zur Ausgangsstufe 360 in derselben Reihenfolge übertragen. In diesem Fall gibt die Ausgangsstufe 360 auch die auf die Leitung 114-0 ausgegeben Datenbits in derselben Reihenfolge D1, D2, D3 und D0 aus. Zusammengefasst, wenn die Kombination der A1A0-Adressbits 00 ist, dann ist die Ausgabereihenfolge der Daten auf der Leitung 114-0 D0, D1, D2 und D3. Wenn A1A0 01 ist, dann sind die Ausgabedaten D1, D2, D3 und D0. Wenn A1A0 10 ist, dann sind die Ausgabedaten D2, D3, D0 und D1. Wenn A1A0 11 ist, dann sind die Ausgabedaten D3, D0, D1, und D2.
  • Die 4 ist ein Timingdiagramm der Tätigkeit der Ausgangsschaltung 112-0 der 3 mit einer Einstellung Latenz zwei. Auf der 4 stellt das CA-Signal eines der auf der Leitung 328 empfangenen CA0-CA3-Signale dar. Die Signale QL0, QL1 und QL2 stellen dieselben Signale wie die auf den ersten und zweiten Haltespeichern 330 und 340 empfangenen Signale der 3 dar. DLL0, DLL1, DLL2 und DLL3 stellen dieselben Signale wie die auf den Leitungen 354 von der Ausgangswähleinheit 350 empfangenen Signale dar. Die Ausgangsdaten D0, D1, D2 und D3 stellen die Ausgangsdaten D0-D3 auf der Leitung 114-0 dar.
  • Der Betrieb der 3 wird hier in Zusammenhang mit der 4 beschrieben. Unter Bezugnahme auf die 4 wird zum Zeitpunkt T0 ein READ-Befehl ausgegeben. Vier Datenbits werden aus den Speicherzellen 102 (1) abgerufen. Die vier Datenbits werden aufeinander folgend zu den Datenpfaden 310 0-3 der Ausgangsschaltung 112-0 der 3 übertragen. Die Eingangswähleinheiten 320 0-3 der Datenpfade 310 0-3 empfangen die vier Datenbits D0-D3 auf den Leitungen 326. Die vier Datenbits werden auf den Leitungen 326 in ihren komplementären Formen dargestellt. Zum Zeitpunkt TA auf der 4 schaltet das Signal CA auf HIGH um, was es jedem der Eingangswähleinheiten 320 0-3 erlaubt, ein Datenbit aus den vier Bits D0-D3 auf den Leitungen 326 auszuwählen. Die gewählten Datenbits werden zu den Leitungen 322 0-3 übertragen. Mit Dem Ziel die Erfindung zu beschreiben, wird angenommen, dass A1A0 00 ist. Deshalb sind die vier auf die Leitungen 322 0-3 übertragenen Datenbits jeweils D0, D1, D2 und D3. In anderen Worten trägt die Leitung 322-0 das Bit D0; die Leitung 322-1 das Bit D1; die Leitung 322-2 das Bit D2 und die Leitung 322-3 das Bit D3.
  • Bei der Latenz zwei, ist das Signal QL2 schon im Hochbereich (HIGH). Wie es auf der 4 gezeigt ist, ist das QL2-Signal ab Beginn des READ-Befehls in allen Taktzyklen auf HIGH. Da QL2 auf HIGH ist, durchqueren D0-D3 auf den Leitungen 322 0-3 die Haltespeicher 330 0-3 zu den Knoten 332 0-3. Zum Zeitpunkt TA schaltet das QL0-Signal auf HIGH. Das ermöglicht es den Bits D0 und D1 von den Knoten 332 0-1 durch die zweiten Haltespeicher 340 0-1 zu den Knoten 342 0-1 übertragen zu werden. Zum Zeitpunkt TB schaltet das QL1-Signal auf HIGH. Das ermöglicht es den Bits D2 und D3 von den Knoten 332 2-3 durch die zweiten Haltespeicher 340 2-3 zu den Knoten 342 2-3 übertragen zu werden.
  • Eine Ausgangswähleinheit 350 und die Multiplexer 352 0-3 werden durch die Taktsignale DLL0-DLL3 gesteuert. Die DDL0-DLL3-Signale werden sequentiell aktiviert, so dass die Bits D0-D3 auf den Knoten 342 0-3 korrekt auf der Leitung 114-0 auf der Basis der Latenzeinstellungen ausgegeben werden können. Da die Latenzeinstellung sich auf zwei beläuft, tritt eine erste Datenbitausgabe auf der Leitung 114-0 zwei Taktzyklen nach dem READ-Befehl auf. In diesem Fall tritt das erste Datenbit zum Zeitpunkt T2 auf. Um das erste Bit auf den Knoten 342-0 zu überfragen, wird das DLL0-Signal aktiviert. Das erlaubt es dem Bit D0 vom Knoten 342-0 auf den Knoten 356 und anschließend auf die Leitung 114-0 übertragen zu werden. Da es eine Ausbreitungsverzögerung vom Knoten 342-0 zum Knoten 114-0 gibt, wird das Signal DLL0 gerade vor dem Zeitpunkt T2 aktiviert, so dass es, wenn das Bit D0 auf der Leitung 114-0 erscheint, mit der ansteigenden Flanke des Taktsignals CLK zum Zeitpunkt T2 abgeglichen wird. Auf der 4 wird DLL0 vor dem Zeitpunkt T2 aktiviert und auf HIGH umgeschaltet. Das erlaubt es dem Bit D0 (wahrer Wert), mit der ansteigenden Flanke des CLK-Signals zum Zeitpunkt T2 abgeglichen zu werden. Auf ähnliche Weise wird DLL2 vor dem Zeitpunkt T3 aktiviert (HIGH), um es dem Bit D2 zu ermöglichen, mit der ansteigenden Flanke des CLK-Signals zum Zeitpunkt T2 abgeglichen zu werden. Auf gleiche Weise werden die Signale DLL1 und DLL3 jeweils vor den Zeitpunkten T 2,5 und T 3,5 aktiviert (HIGH), um es den Bits D1 und D3 zu ermöglichen, mit den abfallenden Flanken des CLK-Signals zu den Zeitpunkten T 2,5 und T 3,5 abgeglichen zu werden.
  • Die 5 ist ein Timingdiagramm des Betriebs der Ausgangsschaltung 112-0 der 3 mit der der Latenzeinstellung drei. Zum Zeitpunkt der Latenz drei erscheint das erste Bit der Ausgangsdaten auf der Leitung 114-0 drei Taktzyklen nachdem der READ-Befehl ausgegeben worden ist. Auf der 5 erscheint D0 zum Zeitpunkt T3 was drei Taktzyklen vom READ-Befehl zum Zeitpunkt T0 entfernt ist. Zum Zeitpunkt der der Latenz drei werden die auf den Leitungen 326 empfangenen Datenbits D0-D3 auf die Leitung 114-0 auf dieselbe Weise wie bei der Latenz zwei ausgegeben. Der Unterschied zwischen Latenz zwei und Latenz drei ist das Timing der Signale CA, QL0, QL1 und DLL0-DLL3. Da die Ausgangsdaten von der Latenz drei auf der Leitung 114-0 einen Taktzyklus später als die Ausgangsdaten der Latenz zwei erscheinen, wird das Signal CA fast einen Taktzyklus später aktiviert. Auf der 5 wird das Signal CA zum Zeitpunkt TA aktiviert (HIGH), was fast einen Taktzyklus später als der Zeitpunkt TA der 4 ist. QL2 bleibt, wie es der Fall bei der Latenz zwei ist, während des Lesezyklus HIGH. Es werden jedoch andere Signale fast einen Taktzyklus später als wie es auf der 5 gezeigt wird, aktiviert.
  • Die 6 ist ein Timingdiagramm des Betriebs der Ausgangsschaltung 112-0 der 3 mit der Einstellung der Latenz vier. Zum Zeitpunkt der der Latenz vier erscheint das erste Bit der Ausgangsdaten auf der Leitung 114-0 vier Taktzyklen nachdem der READ-Befehl ausgegeben worden ist. Auf der 6 erscheint D0 zum Zeitpunkt T4 was vier Taktzyklen vom READ-Befehl zum Zeitpunkt T0 entfernt ist. Zum Zeitpunkt der Latenz vier werden die auf den Leitungen 326 empfangenen Datenbits D0-D3 auf die Leitung 114-0 auf dieselbe Weise wie bei der Latenz zwei ausgegeben. Es wird jedoch ein anderes Timingschema bereitgestellt, um sicherzustellen, dass das letzte Bit in einer Gruppe von vier Bits und das erste Bit in der nächsten Gruppe von vier Bits auch korrekt ausgegeben werden kann. Deshalb ist das QL2-Signal nicht immer HIGH, wie es der Fall bei den Latenzen zwei und drei ist.
  • Auf der 6 gibt der gestrichelte Teil von QL0 und QL1 Signale von einem vorigen Lesezyklus an. Das gestrichelte Signal bei 600 und 601 gibt vorherige Übergänge von QL0- und QL1-Signalen an. Die Signale bei 604 und 605 sind die augenblicklichen Übergänge von QL0 und QL1 im augenblicklichen Lesezyklus. Das Signal bei 602 ist der augenblickliche Übergang des QL2-Signals. Um sicherzustellen, dass die augenblicklichen Bits D0-D3 des augenblicklichen Lesezyklus nicht mit den vorigen Bits D0-D3 des vorigen Lesezyklus gemischt werden, müssen auf der 3 vorige Bits D0-D3 auf den Knoten 332 0-3 auf die Knoten 342 0-3 übertragen werden, bevor die augenblicklichen Bits D0-D3 am Knoten 332 0-3 ankommen. Deshalb muss QL2 zwischen den Übergängen der QL0-Signale und den Übergangen der QL1-Signale aktiviert werden. In anderen Worten muss QL2 nach einem Übergang von QL0 des vorigen Lesezyklus und vor einem Übergang von QL0 des augenblicklichen Lesezyklus aktiviert werden.
  • Wie es auf der 6 gezeigt wird, macht QL2 einen Übergang bei 602, was nach dem Übergang von QL0 bei 600 und vor einem Übergang von QL0 bei 604 ist. Auf ähnliche Weise ist QL2 bei 602 auch nach dem Übergang von QL1 bei 601 und vor einem Übergang von QL1 bei 605. Deshalb wird, wenn QL2 einen Übergang bei 602 durchführt, das augenblickliche Bit D0-D3 auf den Leitungen 322 0-3 zum Knoten 332 0-3 übertragen. Währenddessen (bei 602) sind die vorigen Bits D0-D3 schon zu den Knoten 342 0-3 über die Übergänge von QL0 und QL1 bei 600 und 601 übertragen. So verarbeitet die Ausgangsschaltung 112-0 die Bits D0-D3 in allen Lesezyklen korrekt durch die korrekte Aktivierung der Signale QL0-QL3 bei der Latenz vier.
  • Die 7 ist ein Timingdiagramm des Betriebs der Ausgangsschaltung 112-0 der 3 mit der Einstellung der Latenz fünf. Zum Zeitpunkt der Latenz fünf erscheint das erste Bit der Ausgangsdaten auf der Leitung 114-0 fünf Taktzyklen nachdem der READ-Befehl ausgegeben worden ist. Auf der 7 erscheint D0 zum Zeitpunkt T5 was fünf Taktzyklen vom READ-Befehl zum Zeitpunkt T0 entfernt ist. Zum Zeitpunkt der Latenz fünf werden die auf den Leitungen 326 empfangenen Datenbits D0-D3 auf die Leitung 114-0 auf dieselbe Weise wie bei der Latenz zwei ausgegeben. Das Timing der Tätigkeit des Ausgangspfads 112-0 bei der Latenz fünf ist der der Latenz vier ähnlich. Ähnlich wie bei der 6, geben gestrichelte Signale in der 7 Signale vom vorigen Lesezyklus an. Auf der 7 wird das Signal QL2 aktiviert oder macht einen Übergang zu HIGH bei 702. Dieser Übergang liegt vor den Übergängen von QL0 und QL1 bei 704 und 705 und nach den Übergängen von QL0 und QL1 bei 700 und 701. Währenddessen (bei 702) sind die vorigen Bits D0-D3 schon zu den Knoten 342 0-3 über die Übergänge von QL0 und QL1 bei 700 und 701 übertragen worden. So verarbeitet die Ausgangsschaltung 112-0 die Bits D0-D3 in allen Lesezyklen korrekt durch die korrekte Aktivierung der Signale QL0-QL3 bei der Latenz fünf.
  • Die 8A bis D sind schematische Diagramme der Eingangswähleinheit 320 0-3 der 3. Jede der Eingangswähleinheiten 320 0-3 der 8A bis D hat eine Vielzahl von Multiplexern 810 0-3. Aus Einfachheitsgründen sind die Referenznummern der Multiplexer zwischen verschiedenen Eingangswähleinheiten 320 0-3 dieselben. In der 8A hat jeder der Multiplexer 810 0-3 einen an eine der entsprechenden Eingangsleitungen 326 angeschlossenen Eingang, der eines der Datenbits D0-D3 empfängt. Die Multiplexer 810 0-3 haben auch eine Vielzahl von an den Knoten 812 angeschlossenen Ausgänge. Ein Speicherelement 814 hat einen ersten, an die Ausgänge der Multiplexer 810 0-3 am Knoten 812 angeschlossenen Speicherknoten und einen zweiten an einen der Knoten 322 0-3 angeschlossenen Speicherknoten. Jeder der Multiplexer 810 0-3 wird von einem auf den Leitungen 328 empfangenen Signale CA0-CA3 gesteuert.
  • Auf den 8B bis D haben die Eingangswähleinheiten 310 1-3 dieselbe Anordnung wie die der Eingangswähleinheit 310-0 der 8A. Die Eingänge 326 der Eingangswähleinheiten 320 0-3 empfangen jedoch die Datenbits D0-D3 in verschiedenen Reihenfolgen. Auf der 8A empfängt der Eingang 326-0, 326-1, 326-2 und 326-3 jeweils D0, D1, D2 und D3 in dieser Reihenfolge. Auf der 8B ist die vom Eingang 326-0, 326-1, 326-2 und 326-3 empfangene Reihenfolge D0-D3 jeweils D1, D2, D3 und D0. Auf der 8C ist die vom Eingang 326-0, 326-1, 326-2 und 326-3 empfangene Reihenfolge D0-D3 jeweils D2, D3, D1 und D0. Auf der 8D ist die vom Eingang 326-0, 326-1, 326-2 und 326-3 empfangene Reihenfolge D0-D3 jeweils D3, D0, D1 und D2.
  • Der Betrieb der Eingangswähleinheiten 320 0-3 der 8A bis D ist der gleiche. Wenn eines der Signale CA 0-3 aktiviert ist, übertragen die entsprechenden, von dem aktivierten CA-Signal gesteuerten Multiplexer eines der Bits D0-D3 von einem der Knoten 326 auf den Knoten 812 und auf einem der Knoten 322 0-3. Auf der 8A z.B. überträgt der Multiplexer 810-0, wenn CA 0 aktiviert oder auf HIGH ist, das Bit D0 vom Knoten 326 zu den Knoten 812 und dem Knoten 322-0. Wenn CA1 aktiviert ist, wird das Bit D1 zum Knoten 322-0 übertragen. Auf ähnliche Weise werden die Bits D2 bzw. D3 zum Knoten 322-0 übertragen, wenn CA2 bzw. CA3 aktiviert sind.
  • Es wird nur eines der Signale CA 0-3 zur Zeit aktiviert. Die Aktivationsreihenfolge der Signale CA 0-3 ist auf den Logikwerten der Adressbits A1 und A0 basiert. Wenn A1A0 00 ist, dann ist CA0 aktiviert; wenn A1 A0 01 ist, dann ist CA1 aktiviert; wenn A1A0 10 ist, dann ist CA2 aktiviert; wenn A 1A0 11 ist, dann ist CA3 aktiviert. Diese Reihenfolge stimmt mit der Reihenfolge der Wahl der Datenbits D0-D3 der 3 überein. Wenn z.B. A1A0 10 ist, dann ist CA2 aktiviert. Auf der 8A überträgt der vom Signal CA2 gesteuerte Multiplexer 810-2 das Bit D2 zum Knoten 322-0. Das Bit D2 ist das erste Bit in der Reihenfolge. Auf der 8B überträgt der auch vom Signal CA2 gesteuerte Multiplexer 810-2 das Bit D3 zum Knoten 322-1. Das Bit D3 ist das zweite Bit in der Reihenfolge. Auf ähnliche Weise übertragen die Multiplexer 810-2 der 8C und 8D die Bits D0 und D1 jeweils zu den Knoten 322-2 und 322-3. So ist das Signal CA2 aktiviert, wenn A1A0 gleich 10 ist, was die Eingangsauswähleinheiten 320 0-3 veranlasst, die Bits D2, D3, D1 und D0 auszuwählen. Dies stimmt mit der Wahl der Eingangsauswähleinheiten 320 0-3 der 3 überein.
  • Die 9 ist ein schematisches Diagramm des Ausgangspfads 310-0 des ersten Haltespeichers 330-0 der 3. Beim Haltespeicher 330-0 ist der Multiplexer 912 mit einem Speicherelement 914 über die Leitung 916 verbunden. Der Multiplexer 912 umfasst einen Eingang D, der an den Knoten 322-0 angeschlossen ist, und einen Ausgang, der an den Knoten 916 angeschlossen ist. Der Multiplexer 912 ist mit der Leitung 334 an ihren Taktgeber oder die CLK-Klemme angeschlossen, um das QL2-Signal zu empfangen. Der Multiplexer 912 ist auch mit der Leitung 915 verbunden, die an einen Ausgang eines Inverters 917 anschließt. Der Inverter 917 empfängt auch das QL2-Signal auf der Leitung 334 und erzeugt ein komplementäres Signal QL2* auf der Leitung 915. Ein Speicherelement 914 hat einen ersten Speicherknoten Q, der an den Knoten 916 und einen Speicherknoten Q* der an die Leitung 332-0 angeschlossen ist. Die 9 zeigt nur den ersten Haltespeicher 330-0 des Ausgangspfads 310-0, andere erste Haltespeicher 330 1-3 und zweite Haltespeicher 340 0-3 von anderen Ausgangspfaden 310 1-3 sind jedoch dieselben wie der Haltespeicher 330-0 der 9. So sind die Funktionen der ersten und zweiten Haltespeicher der 3 dieselben wie die Funktion des Haltespeichers 330-0 der 9
  • Unter Bezugnahme auf die 9 wird der Multiplexer 912 geschlossen, wenn das Signal QL2 nicht aktiviert ist, wodurch verhindert wird, dass Daten oder Signale auf der Leitung 322 über den Multiplexer 912 übertragen werden. Wenn das Signal QL2 aktiviert ist, ist der Multiplexer 912 geöffnet, wodurch es ermöglicht wird, dass Daten oder Signale auf der Leitung 322-0 über den Multiplexer 912 zu den Leitungen 916 und 332-0 übertragen werden. Ein Signal ist aktiviert, wenn es von einem Signalniveau zu einem anderen Signalniveau wechselt. In diesem Fall ist das Signal QL2 aktiviert, wenn es einen Übergang durchführt (oder umschaltet) von einem niedrigen Signalniveau (LOW) zu einem hohen Signalniveau (LOW). So werden auf der 9, wenn QL2 von LOW auf HIGH umschaltet, die Daten auf der Leitung 322-0 zur Leitung 332-0 übertragen. Auf ähnliche Weise werden Daten auf der 3, wenn QL0 und QL1 aktiviert sind, auf den Leitungen 332 0-3 über die Haltespeicher 340 0-3 zu den Leitungen 342 0-3 übertragen.
  • Die 10 ist ein schematisches Diagramm der Ausgangsstufe 360 der 3. Die Ausgangsstufe 360 umfasst ein Speicherelement 1002, das mit dem Knoten 356 verbunden ist, um die Datenbits D0-D3 von der Ausgangswähleinheit 350 zu empfangen. Das Speicherelement 1002 verbindet auch mit einem ersten Eingang eines NOR-Gatters 1004 und einem ersten Eingang eines NAND-Gatters 1006 am Knoten 1008. Ein zweiter Eingang eines NOR-Gatters 1004 verbindet mit einem Speicherelement 1014 beim Knoten 1010. Ein zweiter Eingang eines NAND-Gatters verbindet mit dem Speicherelement 1014 beim Knoten 1012. Der Ausgang des NOR-Gatters 1004 verbindet mit einem Gatter eines p-Kanal-Transistors 1020 über einen Inverter 1016. Der Ausgang des NAND-Gatters 1006 ist mit einem Gatter eines n-Kanal-Transistors 1022 über einen Inverter 1018 verbunden. Der Transistor 1020 hat auch eine Quelle, die mit einer Stromversorgung und einem Drain verbunden ist, der mit einem Datenpad 114-0 verbunden ist. Die Transistoren 1022 haben auch einen Drain, der mit der Erde verbunden ist und eine Qualle, die mit dem Datenpad 1214-0 verbunden ist. Das Signal DLL0 wird am Knoten 1026 bereitgestellt der mit dem Multiplexer 1024 verbunden ist. Der Multiplexer 1024 hat einen Eingang am Knoten 1028 um das Signal QED zu empfangen und einen an den Knoten 1010 angeschlossenen Ausgang.
  • Während des Betriebs empfängt das Speicherelement 1002 die Datenbits D0-D3 in Serie und überträgt sie zum Knoten 1008, welcher der erste Eingang des NOR-Gatters 1004 und des NAND-Gatters 1006 ist. Zu einem gewissen Zeitpunkt, z.B. zum auf der 4 gezeigten Zeitpunkt TB führt DLL0 einen Übergang auf HIGH aus. Das veranlasst den Multiplexer 1024 dazu, das Signal QED zu den Knoten 1010 und 1012 zu übertragen. Das NOR-Gatter 1004 und das NAND-Gatter 1006 bestimmen die Kombination des QED-Signals an den Knoten 1010 und 1012 mit dem Signal am Knoten 1008, so dass entweder der Transistor 1020 oder der Transistor 1022 angeschaltet wird. Wenn der Transistor 1020 angeschaltet ist, wird der Knoten 114-0 zur Stromversorgung (HIGH) gezogen. Wenn der Transistor 1022 angeschaltet ist, wird der Knoten 114-0 zur Erde (LOW) gezogen. HIGH oder LOW am Knoten 114-0 stellt Daten D0-D3 dar, welche invers in Bezug auf einen der entsprechenden komplementären von der Leitung 326 empfangenen Datenbits sind.
  • Die 11 ist ein Blockdiagramm der Ausgangssteuereinheit 117 der 1. Die Ausgangssteuereinheit 117 umfasst eine Latenzeingangsschaltung 1110 die eine Vielzahl von Latenzsignalen LATE 2-LATES auf der Leitung 11121115, ein Lesesignal RDW auf der Leitung 1116 und ein Delayed Locked Loop-Signal CLKDQ auf der Leitung 1118 empfängt. Die Latenzeingangsschaltung 1110 hat eine Vielzahl von Ausgaben auf den Leitungen 11201123 mit dem Ziel, eine Vielzahl von Signalen QED, QSP2, QSP3 und QSP1* bereitzustellen. Eine Ausgangstimingfreischaltschaltung 1130 ist an die Eingangslatenz 1110 über die Leitungen 1118 und 1123 verbunden, um die Signale CLKDQ und QSP* zu empfangen. Die Ausgangstimingfreischaltschaltung 1130 erzeugt ein erstes Freischaltsignal CLKL auf der Leitung 1132 und ein zweites Freischaltsignal CLKH auf der Leitung 1334. Ein Ausgangstiminggenerator 1150 ist mit der Ausgangstimingfreischaltschaltung 1130 über die Leitungen 1132 und 1134 verbunden, um die Signale CLKL und CLKH zu empfangen. Die Signale CLKL und CLKH erlauben es dem Ausgangstiminggenerator 1150, die Timingsignale DLL0-DLL3 auf den Leitungen 15521155 zu erzeugen. Die Signale DLL0-DLL3 werden benutzt, um die Ausgangswähleinheit 350 zu steuern, wie es auf der 3 beschrieben wird. Ein Ausbreitungssteuersignalgenerator 1170 ist mit der Latenzeingangsschaltung 1110 über die Leitungen 1121-1123 und mit der Ausgangstimingschaltung 1150 über die Leitungen 11521155 verbunden, um die Signale QSP2, QSP3, QSP1* und DLL0-DLL3 zu empfangen. Der Ausbreitungssteuersignalgenerator 1170 erzeugt die Signale QL0-QL2 auf den Leitungen 11721174. Die Signale QL0-QL2 werden benutzt, um die ersten und zweiten Haltespeicher 330-0-3 und 340 0-3 der 3 zu aktivieren.
  • In der folgenden Beschreibung bezieht sich ein Flip-Flop auf eine allgemein benutzte Schaltungskomponente, die weitgehend von einem Fachmann verstanden wird. In der folgenden Beschreibung ist das Flip-Flop ein positiv flankengesteuertes Flip-Flop. Ein Fachmann kann jedoch mit Hilfe der Offenbarung der Erfindung leicht ein negativ flankengesteuertes Flip-Flop oder andere Komponenten ähnlicher Art benutzen, um das gleiche Ergebnis zu erhalten. Außerdem bezieht sich in der folgenden Beschreibung, ein „Haltespeicher" oder ein „Durchgangshaltespeicher" auch auf allgemeine Schaltungskomponenten. Ein Haltespeicher wird benutzt, um Daten oder Signale von seinem Eingang zu seinem Ausgang zu übertragen. Die in der folgenden Beschreibung beschriebenen Haltespeicher können dem Haltespeicher 330-0 der 9 ähneln.
  • Die 12 ist ein schematisches Diagramm der Latenzeingangsschaltung 1110 der 11. Die Latenzeingangsschaltung 1110 weist einen Durchgangshaltespeicher (LAT) 1210 und eine Vielzahl von Flip-Flops (FF) 12121214 auf. Der Haltespeicher 1210 und die Flip-Flops 12121214 empfangen das Signal CLKDQ auf der Leitung 1118. Der Haltespeicher 1210 und FF 1212 empfangen das Signal RDW auf der Leitung 1116. Eine Vielzahl von Multiplexern 12161219 empfangen LATE2-LATE5 auf den Leitungen 11121115, um das Signal RDW zum Knoten 1230 zu übertragen. Ein Flip-Flop 1232 hat einen Eingang, der mit dem Knoten 1230 über einen Inverter 1235 verbunden ist. Ein Ausgang des FlipFlops 1232 ist mit einem Eingang eines Haltespeichers 1234 am Knoten 1123 verbunden, der das Signal QSP1* bereitstellt. Der Haltespeicher 1234 hat einen Ausgang, der mit einem Eingang eines Haltespeichers 1236 beim Knoten 1122, der das Signal QSP2 bereitstellt, verbunden ist. Der Knoten 1122 stellt auch das QED-Signal über seriell geschaltete Inverter 1242 und 1244 bereit. Ein Ausgang des Haltespeichers 1236 ist mit dem Knoten 1121 über einen Inverter 1240 verbunden, um das Signal QSP3 bereitzustellen. Die Takteingänge des Flip-Flops 1232 und die Haltespeicher 1234 und 1236 empfangen auch das Signal CLKDQ.
  • RDW ist ein Signal, das von der Speichersteuereinheit 116 erzeugt wird, wenn eine Kombination des Eingangssignale CS*, RZAS* und WE* valid ist. Die Signale LATE2-LATE5 werden auch von der Steuerschaltung 116 auf der Basis der Latenz erzeugt, die in der Speichervorrichtung 100 programmiert ist.
  • Das CLKDQ-Signal wird von einer Delay-Locked Loop der Speichervorrichtung 100 bereitgestellt. Die Delay-Locked Loop wird nicht gezeigt, da es eine übliche Schaltung ist, die eine der weithin bekannten Typen der Delay-Locked Loops aus dem Stand der Technik sein kann.
  • Auf der 12 werden die Signale QSP1*, QSP2 und QSP3 durch die Ausbreitung des Signals RDW durch den Haltespeicher 1210 oder einen der Flip-Flops 12121214 erzeugt. Wenn die Latenzeinstellung zwei ist, dann durchqueren die Signale RDW den Haltespeicher 1216 zu Knoten 1230. Wenn die Latenzeinstellung drei, vier oder fünf ist, dann wird das RDW-Signal zu einem, zwei oder drei der Flip-Flops 12121214 übertragen. Die Signale LATE2-LAT5 steuern die Übertragung des RDW-Signals zum Knoten 1230 durch die Multiplexer 12161219.
  • Der Betrieb der Latenzeingangsschaltung 1110 der 12 wird hier in Zusammenhang mit dem Timingdiagramm der 16 beschrieben. Um die Erfindung darzustellen, wird angenommen, dass die Speichervorrichtung 100 programmiert oder auf eine Latenz von vier eingestellt ist, und so ist nur das LATE4-Signal aktiviert. In diesem Fall wird ein erstes Datenbit am Datenpad 114-0 während vier Taktzyklen erscheinen, nachdem ein Lesebefehl validiert worden ist. Auf der 16 gehen die Signale CLKDQ und CLK bei A und B in Erwartung einer Leseoperation auf HIGH über. Zur Zeit T0 erzeugt ein READ-Befehl einen Übergang zu HIGH (bei C), wodurch ein Beginn einer neuen Leseoperation angegeben wird. Daraufhin schaltet das Signal RDW bei D auf High um. Auf der 12 aktiviert das Signal LATE4, nachdem sich das Signal RDW durch die Flip-Flops 1212 und 1213 ausgebreitet hat, den Multiplexer 1218 um das Signal RDW zum Knoten 1230 auf der 12 zu übertragen. Da das Signal RDW HIGH ist, ist das Signal bei dem Knoten 1230 auch HIGH. Auf der 16 ist der Knoten 1230 in E auf HIGH umgeschaltet. Ein Hoch (HIGH) bei dem Knoten 1230 zwingt dem Ausgang des Inverters 1235 ein LOW auf. Das Signal am Ausgang des Inverters 1235 ist auch das Signal am Eingang des Flip-Flops 1232. Da das CLKDQ auf High ist, erzeugt der Flip-Flop 1232 das Signal LOW an seinem Ausgang am Knoten 1123, was das QSP1*-Signal darstellt. Auf der 16 schaltet QSP1* bei F auf LOW um. Danach breitet sich das Signal am Knoten 1123 durch die Haltespeicher 1234 zum Knoten 1122 und dann durch den Haltespeicher 1236 zum Knoten 1121 aus. Das Signal am Knoten 1122 wird durch das Signal QSP2 dargestellt und das Signal am Knoten 1121 wird durch das Signal QSP3 dargestellt. Auf der 16, wenn das Signal QSP1* am Knoten 1123 LOW ist, veranlasst es das Signal QSP2 bei G auf HIGH umzuschalten und das Signal QSP3 bei H auf HIGH umzuschalten. Außerdem folgt das Signal QED am Knoten 1120 dem Signal QSP2 durch die Inverter 1242 und 1244. Die Signale QSP1*, QSP2 und QSP3 werden als Eingangssignale in andere Schaltungen benutzt, wie es auf der 11 gezeigt wird. Das Signal QED wird als Abtastsignal benutzt um Daten, wie es auf der 10 gezeigt wird, auszugeben.
  • Die 13 ist ein schematisches Diagramm der Ausgangstimingfreischaltschaltung 1130 der 11. Die Ausgangstimingfreischaltschaltung 1130 hat eine Impulsschaltung (PULSE) 1315 die an die Leitung 1123 angeschlossen ist, um das Signal QSP1*, zur Erzeugung eines Haltespeicherrückstellsignals LRST, am Knoten 1317 zu empfangen. Ein Flip-Flop 1320 hat eine Rückstelleingabe RS, eine Takteingabe CLK, eine Dateneingabe D, und eine komplementäre Ausgabe Q und Q*. Die Eingabe RS ist mit dem Knoten 1317 verbunden, um das LRST-Signal zu empfangen. Die CLK-Eingabe ist mit einer Verzögerungseinheit 1314 am Knoten 1312 verbunden, um eine Verzögerungsversion des CLKDQ-Signals zu empfangen. Der Eingang D und der Ausgang Q* sind miteinander verbunden. Der Ausgang Q stellt das Signal CLKL auf der Leitung 1132 durch die Inverter 1316 und 1318 bereit. In Serie geschaltete Haltespeicher 1322 und 1324 empfangen die verzögerte Version des CLKDQ-Signals auf der Leitung 1312 und stellen das Signal CLKH auf der Leitung 1134 bereit. Der Knoten 1134 ist mit dem Eingang D über eine Feedbackschleife verbunden, die einen Inverter 1332 umfasst. Ein Transistor 1328 hat ein Gatter, das an eine Verzögerungseinheit 1330 angeschlossen ist, um eine Verzögerungsversion des LRST- Signals zu empfangen. Der Transistor 1326 hat auch eine Quelle, die an die Erde angeschlossen ist, und einen Drain, der an eine Rückstellklemme RS des Haltespeichers 1324 angeschlossen ist. Wenn das LRST-Signal aktiviert ist (HIGH), schaltet es den Transistor 1328 an und stellt den Haltespeicher 1324 zurück. Wenn der Haltespeicher 1324 rückgestellt ist, schaltet es das Signal CLKH am Knoten 1134 auf LOW um. Das Signal LRST setzt auch den Haltespeicher 1320 auf die gleiche Weise zurück. Wenn das LRST-Signal auf HIGH umgeschaltet ist, schaltet es das Signal CLKL auf dem Knoten 1132 auf LOW um.
  • Auf der 13 werden die Signale CLKH et CLKL auf der Basis des Signals CLKDQ erzeugt. Die Freischaltsignale CLKL und CLKH werden benutzt, um das Signal DLL0-DLL3 zu aktivieren, welche es wiederum ermöglicht, dass Daten zu den Datenpads 114 0-N während der Leseoperation übertragen werden. Um sicherzustellen, dass die Daten bei jeder Leseoperation korrekt übertragen werden, ist das LRST-Signal jedes Mal aktiviert, wenn ein neuer Lesebefehl empfangen wird. Die LRST stellt die Signale CLKH und CLKL zurück, um sicherzustellen, dass die Daten korrekt übertragen werden.
  • Unter erneuter Bezugnahme auf die 16 erzeugt die Impulsschaltung einen Impuls LRST bei I, wenn QSP1* bei F als Ergebnis einer neuen Leseoperation, bei der durch RDW HIGH angegeben wird, auf LOW umschaltet. Wenn das LRST-Signal aktiviert ist, stellt es bei J und K die CLKH- und CLKL-Signale auf LOW um. Nach dem Rücksetzen bei J und K auf LOW, werden die CLKH- und CLKL-Signale bis zu einem anderen Rücksetzen nur durch das CLKDQ-Signal beeinflusst. Das CLKH-Signal übernimmt z.B. seine normalen Übergänge bei L, M und N; Das CLKL-Signal übernimmt z.B. seine normalen Übergänge bei O, P und Q. Wie es auf der 16 gezeigt wird, haben CLKH und CLKL unterschiedliche Phasen. In anderen Worten sind CLKH und CLKL nicht synchron. Die Signale CLKH und CLKL werden benutzt, um den Ausgangstiminggenerator 1150 auf der 14 freizuschalten.
  • Die 14 ist ein schematisches Diagramm des Ausgangstiminggenerators 1150 der 11. Der Ausgangstiminggenerator 1150 hat erste und zweite Timingschaltungen 1410 und 1420. Beide Schaltungen 1410 und 1420 sind auf die gleiche Weise konstruiert und empfangen dasselbe CLKDQ-Signal auf der Leitung 1118. Die Schaltung 1410 hat einen Impulsgenerator 1416, der eine Umkehrfunktion von CLKDQ über einen Inverter 1411 empfängt. Der Impulsgenerator 1416 erzeugt ein Ausgangssignal am Knoten 1413. Das Signal am Knoten 1413 wird auf die Leitungen 1153 oder 1155, die die Signale DLL1 oder DLL3 darstellen, übertragen. Die Übertragung von dem Knoten 1413 zur Leitung 1153 oder 1155 wird durch Multiplexer 1415 oder 1418 gesteuert. Die Multiplexer 1415 und 1418 werden von dem Signal CLKL beim Knoten 1132 gesteuert.
  • Die Schaltung 1420 weist einen Impulsgenerator 1426 auf, der das CLKDQ durch einen Inverter 1411 an seinem Eingang am Knoten 1429 empfängt. Der Impulsgenerator 1426 erzeugt ein Ausgangssignal am Knoten 1423. Das das Signal DLL0 oder DLL2 darstellende Signal am Knoten 1413 wird zu den Leitungen 1153 oder 1155 übertragen. Die Übertragung vom Knoten 1423 zu den Leitungen 1154 oder 1152 wird durch die Multiplexer 1425 oder 1428 gesteuert. Die Multiplexer 1425 und 1428 werden durch das Signal CLKH am Knoten 1134 gesteuert.
  • Im Allgemeinen empfangen die Impulsgeneratoren 1416 und 1426 das CLKDQ-Signal und erzeugen ein Ausgangssignal auf den Knoten 1413 und 1423. Das Signal auf dem Knoten 1413 durchquert die Multiplexer 1415 oder 1418, um sich in die Signale DLL1 oder DLL3 zu verwandeln. So wird in Abhängigkeit von der Phase des CLKL-Signals entweder DLL1 oder DLL3 erzeugt. In anderen Worten werden DLL1 und DLL4 bei alternierenden Phasen des CLKL erzeugt. Auf ähnliche Weise durchquert das Signal auf dem Knoten 1423 die Multiplexer 1425 oder 1428 um sich in die Signale DLL0 oder DLL2 zu verwandeln. So wird in Abhängigkeit von der Phase des CLKL-Signals entweder DLL0 oder DLL2 erzeugt. In anderen Worten werden DLL0 und DLL2 bei alternierenden Phasen des CLKH erzeugt. Die Signale CLKH und CLKL haben nicht dieselbe Phase. Das versetzt sie in die Lage, die Signale DLL0-DLL3 korrekt zu aktivieren, so dass die Reihenfolge der Datenbits D0-D3 korrekt auf den Datenpad 114-0 ausgegeben werden kann.
  • Die 17 ist ein Funktions-Timingdiagramm der 14. Auf der 17 stellen die Signale an den Knoten 1423 und 1413 die Signale an den Ausgängen der Impulsgeneratoren 1416 und 1426 an den Knoten 1423 und 1413 der 14 dar. Die Signale CLK, READ, LRST, CLKH und CLKL sind dieselben Signale wie bei der 16. Wenn das CLKH-Signal bei J auf LOW ist, aktiviert es den Multiplexer 1428, woduch es dem Signal am Knoten 1423 ermöglicht wird, den Inverter 1429 zu durchqueren. Zu dieser Zeit ist das Signal am Knoten 1423 auf LOW und folglich ist das Signal am Ausgang des Inverters 1429 oder das Signal DLL0 auf HIGH. Auf der 17 ist DLL0 bei S0 auf HIGH aktiviert. Wenn das CLKH-Signal bei L auf LOW ist, aktiviert es den Multiplexer 1425, wodurch es dem Signal am Knoten 1423 ermöglicht wird, den Inverter 1427 zu durchqueren. Zu dieser Zeit ist das Signal am Knoten 1413 auf LOW und folglich ist das Signal am Ausgang des Inverters 1427 oder das Signal DLL2 auf HIGH. Auf der 17 ist DLL2 bei S2 auf HIGH umgeschaltet. Zusammengefasst aktiviert das Signal CLKH das Timingsignal DLL0, wenn es einen Übergang ausführt und wenn es einen anderen Übergang ausführt, aktiviert es das Timingsignal DLL2. Die Timingsignale DLL0 und DLL2 werden z.B. auf der 17 während unterschiedlicher Phasen des Freischaltsignals CLKH aktiviert. DLL0 wird bei einer Phase des Signals CLKH aktiviert (wenn das Signal CLKH LOW ist); und DLL2 wird bei einer anderen Phase des Signals CLKH aktiviert (wenn das Signal CLKH HIGH ist). In anderen Worten werden die Timingsignale DLL0 und DLL2 entsprechend einer abnehmenden Flanke und einer ansteigenden Flanke des Freischaltsignals CLKH aktiviert.
  • Wenn das CLKL-Signal bei K auf ähnliche Weise auf LOW ist, aktiviert es den Multiplexer 1418, wodurch es dem Signal am Knoten 1413 ermöglicht wird, den Inverter 1419 zu durchqueren. Zu dieser Zeit ist das Signal am Knoten 1413 auf LOW und folglich ist das Signal am Ausgang des Inverters 1419 oder das Signal DLL1 auf HIGH. Auf der 17 ist DLL1 bei S1 auf HIGH umgeschaltet. Wenn das CLKL-Signal bei O auf HIGH ist, aktiviert es den Multiplexer 1415, wodurch es dem Signal am Knoten 1413 ermöglicht wird, den Inverter 1417 zu durchqueren. Zu dieser Zeit ist das Signal am Knoten 1413 auf LOW und folglich ist das Signal am Ausgang des Inverters 1417 oder das Signal DLL3 auf HIGH. In 17 ist DLL3 bei S3 auf HIGH aktiviert. Zusammengefasst aktiviert das Signal CLKL das Timigsignal DLL1, wenn es einen Übergang ausführt und wenn es einen anderen Übergang ausführt, aktiviert es das Timingsignal DLL3. Die Timingsignale DLL1 und DLL3 werden z.B. auf der 17 während unterschiedlicher Phasen des Freischaltsignals CLKL aktiviert. DLL1 wird bei einer Phase des Signals CLKL aktiviert (wenn das Signal CLKL HIGH ist); und DLL3 wird bei einer anderen Phase des Signals CLKL aktiviert (wenn das Signal CLKL LOW ist). In anderen Worten werden die Timingsignale DLL1 und DLL3 entsprechend einer abnehmenden Flanke und einer ansteigenden Flanke des Freischaltsignals CLKL aktiviert.
  • Auf der 17 gibt, OUTPUT DATA die Datenbits an, die am Datenpad 114- ausgegeben werden. Bei Latenz vier, erscheint das erste Datenbit zum Zeitpunkt T4. Mit dem Ziel, die Erfindung zu beschreiben wird angenommen, dass der Datenausgabe am Datenpad 114-0 eine Datenreihenfolge D0, D1, D2 und D3 folgt. So weisen D0 und D2 gerade und D1 und D3 ungerade Datenbits auf. Im Allgemeinen sind die ebenen Datenbits die ersten und dritten Bits in einer Serie von vier auf dem Datenpad 114-0 ausgegebenen Daten. Ungerade Datenbits sind die zweiten und vierten Datenbits. In diesem Fall werden die geraden Datenbits D0 und D2 ausgegeben nachdem die Timingsignale DLL0 und DLL2 aktiviert sind oder auf HIGH bei verschiedenen Phasen des Freischaltsignals CLKH übergehen. In anderen Worten werden die Bits D0 und D2 bei alternierenden Phasen des Freischaltsignals CLKH ausgegeben. Auf ähnliche Weise werden D1 und D3 ausgegeben nachdem die Timingsignale DLL1 und DLL3 aktiviert sind oder auf HIGH bei verschiedenen Phasen des Freischaltsignals CLKL übergehen. In anderen Worten werden die Bits D1 und D3 bei alternierenden Phasen des Freischaltsignals CLKL ausgegeben.
  • Die 15 ist ein schematisches Diagramm des Ausbreitungssteuersignalgenerators 1170 der 11. Der Ausbreitungssteuersignalgenerator 1170 hat ein NOR-Gatter 1502, um die DLL3 und QSP2-Signale auf den Knoten 1155 und 1122 zu empfangen. Ein Ausgang des NAND-Gatters 1502 ist mit einem Inverter 1504 verbunden, der einen Ausgang hat, der mit dem Knoten 1172 verbunden ist, um das QL0-Signal bereitzustellen. In einer ähnlichen Anordnung empfängt ein NAND-Gatter 1512 die DLL1- und QSP3-Signale am Knoten 1153 und 1121. Der Ausgang des NAND-Gatters 1512 ist mit einem Inverter 1514 verbunden, der einen Ausgang hat, der mit dem Knoten 1173 verbunden ist, um das QL1-Signal bereitzustellen. Der Ausbreitungssteuersignalgenerator 1170 empfängt auch andere Signale wie LATE2, LATE3, QED, QSP1*, DLL0 und DLL3, die durch andere Schaltungen als die oben beschriebenen erzeugt wird. Die Signale LATE2 und LATE3 werden an einem NOR-Gatter 1532 kombiniert. Die Signale DLL0 und DLL2 werden an dem NOR-Gatter 1534 kombiniert. Der Ausgang des NOR-Gatters 1534 ist mit dem Signal QED und QSP1* an dem NOR-Gatter 1536 kombiniert. Das Signal am Ausgang des NOR-Gatters 1532 steuert einen Multiplexer 1544 und ein Gatter eines Transistors 1546. Der Transistor 1546 zieht den Knoten 1174 zu einer Spannungsversorgung, wenn er aktiviert ist. Der Multiplexer überträgt, wenn er aktiviert ist, das Signal am Ausgang des NOR-Gatters 1536 zum Knoten 1174. Das Signal am Knoten 1174 stellt das Signal QL2 dar.
  • In der 15 ist QL2 auf HIGH umgeschaltet, wenn die beiden Signale DLL3 und QSP2 sich auf HIGH befinden. Auf ähnliche Weise wird das QL1-Signal auf HIGH umgeschaltet nur wenn die Signale DLL1 und QSP3 auf HIGH umgeschaltet sind. Wie es oben beschrieben worden ist, ist das QL2-Signal immer aktiviert, wenn die Latenzeinstellung zwei oder drei ist. Wenn auf der 15 entweder das Signal LATE2 oder das Signal LATE3 am Knoten 1112 oder 1113 auf HIGH umgeschaltet ist, wobei entweder eine Latenzeinstellung von zwei oder drei angegeben wird, wird der Ausgang des NOR-Gatters 1532 am Knoten 1540 auf LOW umgeschaltet. Das schaltet den Transistor 1546 an, wodurch der Knoten 1174 auf Spannungsversorgung (HIGH) angeschlossen wird. So befindet sich das Signal QL2 am Knoten 1174 immer auf HIGH wenn sich entweder LAT2 oder LATE3 auf HIGH befindet. Wenn beide Signale LATE2 und LATE3 auf LOW sind, wobei entweder eine Latenzeinstellung von vier oder fünf angegeben wird, wird der Ausgang des NOR-Gatters 1532 am Knoten 1540 auf HIGH umgeschaltet. Das schaltet den Transistor 1546 aus. So hängt das Signal QL2 am Knoten 1174 von den Signalen QED, QSP1*, DLL0 und DLL2 ab.
  • Die 17 zeigt auch ein Timing des Betriebs der 15. In der 17 werden die Signale QL0-QL2 zum geeigneten Zeitpunkt in Bezug auf andere Signale, wie es auf der 15 gezeigt ist, aktiviert oder auf HIGH umgeschaltet. Die Übergänge des Signals QL2 befinden sich zwischen den Übergängen des Signals QL0. Die Übergänge des Signals QL2 befinden sich auch zwischen den Übergängen des Signals QL1. Wie es vorher in der Beschreibung der 6 und 7 beschrieben worden ist, erlaubt es das Timing der Übergänge des Signals QL2 dass die Signale QL0 und QL1 korrekt akiviert werden. Das erlaubt es, dass die Daten während des Lesevorgangs genau verarbeitet werden.
  • Die 18 stellt ein eine Speichervorrichtung umfassendes erfindungsgemäßes System dar. In der Figur umfasst das System 1800 einen Prozessor 1802, der an eine Speichervorrichtung 100 angeschlossen ist. Die Speichervorrichtung 100 der Erfindung wird oben auf der 1 beschrieben. Der Prozessor 1802 stellt der Speichervorrichtung 100 Steuersignale über Steuerleitungen (CONTROL) zur Verfügung. Die Datenkommunikation zwischen dem Prozessor und dem Speicher wird über Datenleitungen oder einen Datenbus (DATA) übertragen, und die Adressen werden dem Speicher über Adressenleitungen oder Adressenbusse (ADDRESS) zur Verfügung gestellt. In einem Beispiel werden der Prozessor 1802 und die Speichervorrichtung 100 auf einem einzigen Chip hergestellt.

Claims (11)

  1. Integrierte Schaltung (100), umfassend: eine Vielzahl von Ausgangspfaden (310) zum Empfangen einer Gruppe von ersten, zweiten, dritten und vierten Datenbits, wobei jeder der Ausgangspfade konfiguriert ist, um die Datenbits parallel zu empfangen; eine Ausgangswähleinheit (350), die mit den Ausgangspfaden zum Empfangen der Datenbits von den Ausgangspfaden verbunden ist; eine Ausgangsstufe (360) zum Empfangen von Datenbits, die von der Ausgangswähleinheit transferiert werden, um die Datenbits an einen Datenanschluss seriell und innerhalb von zwei Zyklen eines Taktsignals auszugeben; eine Einrichtung (360) zum Ausgeben der ersten und der dritten Datenbits seriell zu abwechselnden Phasen eines ersten Freischaltsignals (CLKH); und eine Einrichtung (360) zum Ausgeben der zweiten und der vierten Datenbits in der Serie zu abwechselnden Phasen eines zweiten Freischaltsignals (CLKL), dadurch gekennzeichnet, dass das erste und zweite Freischaltsignal nicht synchronisiert sind.
  2. Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, wobei jeder der Ausgangspfade umfasst: eine Vielzahl von Eingangsknoten (326) zum Empfangen der Datenbits; ein Eingangswähleinheit (320), die mit dem Eingangsknoten zum Erzeugen eines gewählten Datenbits aus den Datenbits verbunden ist; einen ersten Haltespeicher (330), der mit der Eingangswähleinheit verbunden ist, zum Empfangen des gewählten Datenbits; und einen zweiten Haltespeicher (340), der mit dem ersten Haltespeicher verbunden ist, zum Empfangen des gewählten Datenbits von dem ersten Haltespeicher, wobei das gewählte Datenbit von einem Ausgangspfad sich von dem gewählten Datenbit von einem anderen Ausgangspfad unterscheidet.
  3. Integrierte Schaltung nach Anspruch 2, wobei die ersten Haltespeicher (330) der Ausgangspfade durch ein erstes Ausbreitungssteuersignal gesteuert werden, die zweiten Haltespeicher (340) von einer Hälfte der Ausgangspfade durch ein zweites Ausbreitungssteuersignal gesteuert werden, und die zweiten Haltespeicher (340) der anderen Hälfte der Ausgangspfade durch ein drittes Ausbreitungssteuersignal gesteuert werden, wobei die Ausbreitungssteuersignale aktiviert werden, um Datenbits von den Haltespeichern an die Ausgangswähleinheit zu übergeben.
  4. Integrierte Schaltung nach irgendeinem der vorangehenden Ansprüche, wobei Datenbits, die von der Ausgangswähleinheit an die Ausgangsstufe transferiert werden, durch eine Vielzahl von Timingsignalen gesteuert werden, wobei die Timingsignale in einer Sequenz aktiviert werden, um die Gruppe von Bits von Daten von der Ausgangswähleinheit an die Ausgangsstufe seriell zu transferieren.
  5. Integrierte Schaltung nach irgendeinem der vorangehenden Ansprüche, wobei das Taktsignal eine Frequenz in einem Bereich von 66 Megahertz bis 300 Megahertz aufweist.
  6. Integrierte Schaltung nach irgendeinem der vorangehenden Ansprüche, ferner umfassend: eine Vielzahl von Speicherzellen (102) zum Speichern einer Vielzahl von Datenbits; wobei die Vielzahl von Ausgangspfaden ausgelegt sind, um die Gruppe der ersten, zweiten, dritten und vierten Datenbits von den Speicherzellen zu empfangen.
  7. Integrierte Schaltung nach Anspruch 6, wobei jeder der Ausgangspfade konfiguriert ist, um ein Datenbit aus der Gruppe der Datenbits zu wählen, wobei jedes Datenbit, das von jedem der Ausgangspfade gewählt wird, unterschiedlich ist.
  8. Integrierte Schaltung nach Anspruch 7, wobei jeder der Ausgangspfade konfiguriert ist, um ein Datenbit aus den Datenbits gemäß der Logikwerte von Adressenbits der Speicherzellen zu wählen.
  9. Integrierte Schaltung nach Anspruch 6, 7 oder 8, wobei die Ausgangsstufe konfiguriert ist, um die Datenbits gemäß Logikwerten von Adressenbits der Speicherzellen auszugeben.
  10. Verfahren zum Betreiben einer Speichereinrichtung, wobei das Verfahren umfasst: Zugreifen auf M Bits von Daten in Speicherzellen, wobei M größer als zwei ist; Transferieren der M Bits von Daten parallel an eine Ausgangsschaltung; und Ausgeben der M Bits von Daten seriell an einen Datenpfad von der Ausgangsschaltung innerhalb von zwei Zyklen eines Taktsignals und auf Grundlage eines ersten (CLKH) und eines zweiten (CLKL) Freischaltsignals, wobei das erste Freischaltsignal eine Ausgabe von geraden Bits von Daten an den Datenpfad erlaubt, wobei das zweite Freischaltsignal eine Ausgabe von ungeraden Bits von Daten an den Datenpfad erlaubt, dadurch gekennzeichnet, dass das erste und zweite Freischaltsignal nicht synchronisiert sind.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, ferner umfassend: Empfangen von Adressenbits; Bestimmen einer Transfeneihenfolge auf Grundlage von Logikwerten von einigen der Adressenbits; und Transferieren der M Bits von der Ausgangsschaltung an den Datenpfad gemäß der Transfeneihenfolge.
DE60214992T 2001-03-14 2002-03-08 Mehrbit-prefetch-ausgangsdatenweg Expired - Lifetime DE60214992T2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US808506 2001-03-14
US09/808,506 US6556494B2 (en) 2001-03-14 2001-03-14 High frequency range four bit prefetch output data path
PCT/US2002/007668 WO2002089141A1 (en) 2001-03-14 2002-03-08 Multiple bit prefetch output data path

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE60214992D1 DE60214992D1 (de) 2006-11-09
DE60214992T2 true DE60214992T2 (de) 2007-10-18

Family

ID=25198971

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE60214992T Expired - Lifetime DE60214992T2 (de) 2001-03-14 2002-03-08 Mehrbit-prefetch-ausgangsdatenweg

Country Status (8)

Country Link
US (2) US6556494B2 (de)
EP (1) EP1377982B1 (de)
JP (1) JP4080892B2 (de)
KR (1) KR100568646B1 (de)
CN (1) CN100565698C (de)
AT (1) ATE341082T1 (de)
DE (1) DE60214992T2 (de)
WO (1) WO2002089141A1 (de)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003044349A (ja) * 2001-07-30 2003-02-14 Elpida Memory Inc レジスタ及び信号生成方法
JP4812976B2 (ja) * 2001-07-30 2011-11-09 エルピーダメモリ株式会社 レジスタ、メモリモジュール及びメモリシステム
US7549011B2 (en) 2001-08-30 2009-06-16 Micron Technology, Inc. Bit inversion in memory devices
US6785168B2 (en) * 2002-12-27 2004-08-31 Hynix Semiconductor Inc. Semiconductor memory device having advanced prefetch block
KR100518564B1 (ko) * 2003-04-03 2005-10-04 삼성전자주식회사 이중 데이터율 동기식 메모리장치의 출력 멀티플렉싱 회로및 방법
KR100564596B1 (ko) * 2003-12-18 2006-03-28 삼성전자주식회사 멀티비트 데이터의 지연 시간 보상이 가능한 반도체메모리 장치
JP2005182939A (ja) * 2003-12-22 2005-07-07 Toshiba Corp 半導体記憶装置
US7016235B2 (en) * 2004-03-03 2006-03-21 Promos Technologies Pte. Ltd. Data sorting in memories
US7054215B2 (en) * 2004-04-02 2006-05-30 Promos Technologies Pte. Ltd. Multistage parallel-to-serial conversion of read data in memories, with the first serial bit skipping at least one stage
KR100562645B1 (ko) * 2004-10-29 2006-03-20 주식회사 하이닉스반도체 반도체 기억 소자
US7230858B2 (en) * 2005-06-28 2007-06-12 Infineon Technologies Ag Dual frequency first-in-first-out structure
US7349289B2 (en) 2005-07-08 2008-03-25 Promos Technologies Inc. Two-bit per I/O line write data bus for DDR1 and DDR2 operating modes in a DRAM
US7358872B2 (en) * 2005-09-01 2008-04-15 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for converting parallel data to serial data in high speed applications
US7567465B2 (en) * 2007-08-30 2009-07-28 Micron Technology, Inc. Power saving sensing scheme for solid state memory
JP2011058847A (ja) * 2009-09-07 2011-03-24 Renesas Electronics Corp 半導体集積回路装置
KR20110088947A (ko) * 2010-01-29 2011-08-04 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리의 데이터 출력 회로
TWI459401B (zh) * 2011-03-09 2014-11-01 Etron Technology Inc 應用於一記憶體電路內複數個記憶區塊的栓鎖系統
TWI490698B (zh) * 2013-05-10 2015-07-01 Integrated Circuit Solution Inc 高速資料傳輸架構
US9412294B2 (en) 2013-08-22 2016-08-09 Boe Technology Group Co., Ltd. Data transmission device, data transmission method and display device
CN103413516B (zh) * 2013-08-22 2016-03-30 京东方科技集团股份有限公司 数据传输装置、数据传输方法及显示装置
EP3714370B1 (de) * 2017-11-24 2022-01-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Datenbus mit multi-input-pipeline
CN111208867B (zh) * 2019-12-27 2021-08-24 芯创智(北京)微电子有限公司 一种基于ddr读数据整数时钟周期的同步电路及同步方法
CN116705132B (zh) * 2022-02-24 2024-05-14 长鑫存储技术有限公司 数据传输电路、数据传输方法和存储器

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10255459A (ja) 1997-03-10 1998-09-25 Mitsubishi Electric Corp ラインメモリ
JPH11176158A (ja) * 1997-12-10 1999-07-02 Fujitsu Ltd ラッチ回路、データ出力回路及びこれを有する半導体装置
TW430815B (en) * 1998-06-03 2001-04-21 Fujitsu Ltd Semiconductor integrated circuit memory and, bus control method
JP2000076853A (ja) 1998-06-17 2000-03-14 Mitsubishi Electric Corp 同期型半導体記憶装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR100568646B1 (ko) 2006-04-07
ATE341082T1 (de) 2006-10-15
US6556494B2 (en) 2003-04-29
DE60214992D1 (de) 2006-11-09
KR20040041541A (ko) 2004-05-17
JP2004523056A (ja) 2004-07-29
JP4080892B2 (ja) 2008-04-23
CN100565698C (zh) 2009-12-02
EP1377982B1 (de) 2006-09-27
US6600691B2 (en) 2003-07-29
EP1377982A1 (de) 2004-01-07
US20020131313A1 (en) 2002-09-19
US20020186608A1 (en) 2002-12-12
WO2002089141A1 (en) 2002-11-07
CN1543650A (zh) 2004-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60214992T2 (de) Mehrbit-prefetch-ausgangsdatenweg
DE69923769T2 (de) Asynchrones halbleiterspeicher-fliessband
DE102006054998B4 (de) Latenzsteuerschaltung, Halbleiterspeicherbauelement und Verfahren zum Steuern der Latenz
DE10084993B3 (de) Ausgabeschaltung für einen mit doppelter Datenrate arbeitenden dynamischen Speicher mit wahlfreiem Zugriff (DDR DRAM), ein mit doppelter Datenrate arbeitender dynamischer Speicher mit wahlfreiem Zugriff (DDR DRAM), ein Verfahren zum getakteten Auslesen von Daten aus mit doppelter Datenrate arbeitenden dynamischen Speicher mit wahlfreiem Zugriff (DDR DRAM)
DE69838852T2 (de) Verfahren und vorrichtung zur kopplung von signalen zwischen zwei schaltungen, in verschiedenen taktbereichen arbeitend
DE69923634T2 (de) Synchrone Burstzugriffshalbleiterspeicheranordnung
DE102006028683B4 (de) Parallele Datenpfadarchitektur
DE19807298C2 (de) Synchrone Halbleiterspeichereinrichtung
DE60034788T2 (de) Verfahren und schaltung zur zeitlichen anpassung der steuersignale in einem speicherbaustein
DE102008008194A1 (de) Speicherbauelement und Verfahren zum Betreiben eines Speicherbauelements
DE102006020857A1 (de) Integrierter Halbleiterspeicher zur Synchronisierung eines Signals mit einem Taktsignal
DE3742514C2 (de)
DE10010440A1 (de) Synchrones dynamisches Speicherbauelement mit wahlfreiem Zugriff und Verfahren zur CAS-Latenzsteuerung
DE69930586T2 (de) Integrierte Halbleiterspeicherschaltung
DE102007063812B3 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Kommunizieren von Befehls- und Adresssignalen
DE102005010906A1 (de) Taktsignalerzeugungsvorrichtung zur Verwendung in einer Halbleiterspeichervorrichtung und ihr Verfahren
DE102006030373A1 (de) Halbleiterspeichervorrichtung
DE19639972B4 (de) Hochgeschwindigkeitstestschaltkreis für eine Halbleiterspeichervorrichtung
DE112004001676B4 (de) Direktzugriffsspeicher mit Postambel-Datenübernahmesignal-Rauschunterdrückung
DE19649704B4 (de) Synchrone Halbleiterspeichereinrichtung mit einer Ausgabesteuerschaltung mit reduzierter belegter Fläche
DE69823753T2 (de) Synchrone Halbleiter-Speichervorrichtung
DE19954564B4 (de) Steuerungsschaltung für die CAS-Verzögerung
DE102006048972A1 (de) Gezieltes automatisches Auffrischen für einen dynamischen Direktzugriffsspeicher
DE112004001660T5 (de) Echotakt auf Speichersystem mit Warteinformationen
DE19738893A1 (de) Schaltsignalgenerator und diesen verwendendes, synchrones SRAM

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition