DE60126960T2 - Verbesserter rissunterbrecher für halbleiterchips - Google Patents
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Description
- ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
- 1. Erfindungsgebiet
- Die vorliegende Offenbarung betrifft die Halbleiterherstellung und insbesondere ein Verfahren zum Reduzieren des Risikos von Rissen in Halbleiterchips.
- 2. Beschreibung des verwandten Stands der Technik
- Halbleiterchips werden auf einem Siliciumwafer ausgebildet. Die Chips werden auf dem Wafer nebeneinander plaziert, und nachdem die Herstellungsprozesse abgeschlossen sind, wird der Wafer zertrennt, indem er entlang Kerben geschnitten wird. Dies trennt die Chips voneinander. Die Zerlegungsprozesse können in die Chips eine Beanspruchung einführen. Diese Beanspruchung kann verursachen, daß durch die Halbleiterchipstruktur hinweg durch die Beanspruchung Risse entstehen. Risse können auch aufgrund latenter Beanspruchungen in der Halbleiterchipstruktur entstehen. Risse bilden sich in der Regel entlang Grenzflächen, beispielsweise zwischen Metallstrukturen und dielektrischen Materialien. Einige Teile der Halbleiterstrukturen sind für eine Rißausbreitung besonders anfällig.
- Unter Bezugnahme auf
1A wird eine Teilquerschnittsansicht einer Metallstruktur gemäß dem Stand der Technik gezeigt. Ein Substrat10 enthält Diffusionsgebiete12 , die Teil von Bauelementen oder Komponenten wie etwa Transistoren, Kondensatoren, Widerständen usw. sind. Ein Erste-Ebene-Kontakt14 verbindet das Diffusionsgebiet12 mit einer ersten Metalleitung16 . Die erste Metalleitung16 läuft in die Ebene der Seite hinein und aus dieser heraus und wird beispielsweise zum Herstellen von Verbindungen zwischen Bauelementen auf der Substratebene oder zu höheren Metallschichten eingesetzt. Ein weiterer Kontakt18 verbindet die Metalleitung16 mit einer Metalleitung20 , die ebenfalls in die Ebene der Seite hinein und aus ihr heraus läuft. Der Kontakt22 wird zum Herstellen von Verbindungen zwischen der Metalleitung20 und höheren Metallschichten verwendet. In diesem Fall enthalten höhere Metallschichten einen Anschlußdurchkontakt (TV-Terminal via)24 , der über einen Kontakt22 mit der Metalleitung20 verbunden ist. Der Anschlußdurchkontakt24 wird in der Regel zum Bereitstellen eines Testsondenkontaktbereichs und eines Bereichs zum Verbinden von Zuleitungen zum elektrischen Verbinden des Chips mit einem Systemträger zum Kapseln des Chips verwendet. - Die in
1A gezeigte Struktur ist für eine Rißausbreitung anfällig. In dem Chip vorliegende oder durch Prozesse wie etwa Zerlegen induzierte Beanspruchungen bewirken, daß sich Risse entlang der Struktur in den Bereichen26 ausbreiten. Risse entstehen an der Grenzfläche zwischen dem dielektrischen Material28 , beispielsweise Siliciumdioxid, und Metalleitungen/-kontakten. Risse, die sich entlang des Substrats10 ausbreiten, haben das Potential, im Laufe der Zeit Chipausfälle zu verursachen. Risse legen außerdem Metalleitungen und -kontakte für die Umgebung frei, was Korrosion/Oxidation verursachen kann, die die Chipleistung herabsetzen. - Unter Bezugnahme auf
1B wird eine Draufsicht an einer Sektionslinie 1B-1B der Struktur nach dem Stand der Technik von1A gezeigt. Die Kontakte14 (18 und/oder22 ) sind von kreisförmiger Gestalt und kontaktieren einen kleinen Bereich von Metalleitungen (z.B.16 und20 ) und/oder einen Anschlußdurchkontakt (24 ). Diese Bereichsfehlanpassung bietet sich für Beanspruchungskonzentrationen an, die über die Zeit hinweg für die Zuverlässigkeit des Chips abträglich sein können. - Aus
US 6,424,051 B1 ist ein Halbleiterchip umfassend eine Rißstopstruktur bekannt mit einer ersten und einer zweiten Leitung, angeordnet über einem Substrat, und mit mehreren ersten und zweiten Kontakten, zwischen dem Substrat und der ersten und zweiten Leitung angeordnet. Die Oberseite der Rißstopstruktur ist mit dielektrischem Material bedeckt. Dementsprechend laufen an der Oberseite des Halbleiterchips entstehende Risse möglicherweise nicht entlang der Rißstopstruktur weiter. - Es besteht demnach ein Bedarf an einem verbesserten Rißstopdesign, das einen Riß dazu zwingt, sich entlang der Rißstopstruktur auszubreiten. Ein weiterer Bedarf besteht für ein Rißstopdesign, das einen Luftrißstop enthält.
- KURZE DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
- Diese Aufgaben werden durch die Halbleiterchips gemäß den unabhängigen Ansprüchen 1, 2 und 3 gelöst. Beispielhafte bevorzugte Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen 4 bis 8 beansprucht.
- Ein Halbleiterchip gemäß der vorliegenden Erfindung enthält ein Substrat und eine Rißstopstruktur. Die Rißstopstruktur enthält eine über dem Substrat angeordnete erste Leitung und mindestens zwei mit dem Substrat und mit der ersten Leitung verbundene erste Kontakte. Die mindestens zwei ersten Kontakte sind voneinander beabstandet und verlaufen longitudinal entlang einer Länge der ersten Leitung. Eine zweite Leitung ist über einem Abschnitt der ersten Leitung angeordnet, und mindestens zwei zweite Kontakte sind mit der ersten Leitung und der zweiten Leitung verbunden. Die mindestens zwei zweiten Kontakte sind voneinander beabstandet und verlaufen longitudinal entlang einer Länge der zweiten Leitung. Die Rißstopstruktur liefert mehrere Kontakte auf jeder Ebene, um die Rißfestigkeit zu verbessern.
- Ein weiterer Halbleiterchip der vorliegenden Erfindung enthält ein Substrat und eine Rißstopstruktur. Die Rißstopstruktur enthält eine über dem Substrat angeordnete erste Leitung, und mindestens zwei erste Kontakte sind mit dem Substrat und mit der ersten Leitung verbunden. Die mindestens zwei ersten Kontakte sind voneinander beabstandet und verlaufen longitudinal entlang einer Länge der ersten Leitung. Eine zweite Leitung ist über einem Abschnitt der ersten Leitung angeordnet, und mindestens zwei zweite Kontakte sind mit dem Substrat verbunden. Die mindestens zwei zweiten Kontakte sind voneinander beabstandet und verlaufen longitudinal entlang einer Länge der ersten Leitung. Ein dielektrisches Material umgibt die Rißstopstruktur, und das dielektrische Material enthält einen luftgefüllten Graben über der zweiten Leitung, um die Rißwachstumsfestigkeit zu verbessern.
- Bei alternativen Ausführungsformen können die mindestens zwei ersten Kontakte drei Kontakte enthalten. Die mindestens zwei zweiten Kontakte können drei Kontakte enthalten. Der Chip kann ein die Rißstopstruktur umgebendes dielektrisches Material enthalten, und das dielektrische Material kann einen luftgefüllten Graben über der zweiten Leitung enthalten. Die zweite Leitung kann einen Anschlußdurchkontakt zum Testen des Chips enthalten.
- Der Chip kann weiter eine über einem Abschnitt der zweiten Leitung angeordnete dritte Leitung und mindestens zwei mit der zweiten Leitung und der dritten Leitung verbundene dritte Kontakte enthalten, wobei die mindestens zwei dritten Kontakte voneinander beabstandet sind und longitudinal entlang einer Länge der dritten Leitung verlaufen. Die dritte Leitung kann einen Anschlußdurchkontakt enthalten. Die erste und zweite Metalleitung und die mindestens zwei ersten Kontakte und die mindestens zwei zweiten Kontakte können eine schlangenförmige Struktur bilden. Die schlangenförmige Struktur befindet sich bevorzugt neben einem Zerlegungskanal des Chips. Die mindestens zwei ersten Kontakte und die mindestens zwei zweiten Kontakte können über die ganze Länge der ersten Metalleitung verlaufen.
- Diese und weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der folgenden ausführlichen Beschreibung von veranschaulichenden Ausführungsformen davon, die in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen zu lesen ist.
- KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
- Die vorliegende Offenbarung präsentiert im Detail die folgende Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die folgenden Figuren. Es zeigen:
-
1A eine Teilquerschnittsansicht eines Halbleiterchips gemäß dem Stand der Technik; -
1B eine Querschnittsdraufsicht an der Schnittlinie 1B-1B des Halbleiterchips von1A gemäß dem Stand der Technik; -
2 eine Teilquerschnittsansicht eines Halbleiterchips mit einer verbesserten Rißstopstruktur gemäß der vorliegenden Erfindung; -
3A und3B Querschnittdraufsichten des Halbleiterchips von2 an der Schnittlinie 3-3 mit kontinuierlichen Kontakten (3A ) und getrennten Kontaktabschnitten (3B ) gemäß der vorliegenden Erfindung; -
4 eine Teilquerschnittsansicht eines Halbleiterchips mit Kombinationen unterschiedlicher Anzahlen von Kontaktleitungen auf verschiedenen Ebenen des Chips gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; -
5 eine Draufsicht auf eine Halbleiterchipstruktur mit einer schlangenförmigen Kontaktanordnung gemäß der vorliegenden Erfindung; und -
6 eine Teilquerschnittsansicht eines Halbleiterchips mit einer Rißstopstruktur halb aus Luft, halb aus Metall, gemäß der vorliegenden Erfindung. - AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMEN
- Die vorliegende Erfindung enthält eine in Halbleiterbauelementen ausgebildete Struktur zum Reduzieren einer Rißausbreitung. Risse, die durch latenten Stress oder durch einen durch Zerlegen induzierten Stress verursacht werden, können zu Chipausfällen und reduzierter Chipausbeute führen. Die vorliegende Erfindung erhöht die Rißstopfestigkeit durch Verwendung zusätzlicher Linien von Kontakten anstelle herkömmlicher einzelner Kontakte. Zudem kann eine schlangenförmige oder versetzte Kontaktstruktur verwendet werden. Die vorliegende Erfindung verwendet auch eine Luftstopstruktur, die einen luftgefüllten Graben zum Reduzieren potentieller Rißprobleme bereitstellt.
- Nunmehr in spezifischem Detail auf die Zeichnungen bezugnehmend, in denen gleiche Bezugszahlen in den mehreren Ansichten ähnliche oder identische Elemente identifizieren, und anfänglich auf
2 wird eine Teilquerschnittsansicht eines Halbleiterchips100 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gezeigt. Der Halbleiterchip100 kann einen Speicherchip enthalten, wie etwa beispielsweise ein DRAM-(Dynamic Random Access Memory)-Bauelement, einen SRAM (static RAM), einen SDRAM (synchronous SDRAM) usw. Der Halbleiterchip100 kann auch eingebettete DRAM-Bauelemente, Prozessoren, anwendungsspezifische Chips oder ein beliebiges anderes Halbleiterbauelement enthalten. - Der Chip
100 enthält ein Substrat102 . Das Substrat102 kann monokristallines Silicium, Gallium-Arsenid, Germanium, Silicium-auf-Isolator (SOI) oder ein beliebiges anderes Substratmaterial enthalten. Das Substrat102 ist in der Regel auf einem aus Substratmaterial ausgebildeten Wafer enthalten. Der Wafer wird verarbeitet, um wie in der Technik bekannt gleichzeitig mehrere Chips100 herzustellen. Das Substrat102 wird dotiert und/oder geätzt und gefüllt, um darin mehrere verschiedene Bauelemente103 auszubilden. Beispielsweise können die Bauelemente103 Transistoren, Kondensatoren, Isolationsgräben, Widerstände, Induktoren, Dioden oder eine beliebige andere Komponente oder ein beliebiges anderes Bauelement enthalten, die oder das mit integrierten Schaltungen verwendet wird. - Eine dielektrische Schicht
106 wird durch bekannte Verfahren über dem Substrat102 ausgebildet und gemäß der vorliegenden Erfindung strukturiert. Kontakte104 werden ausgebildet, indem die dielektrische Schicht106 so strukturiert wird, daß sie zwei oder mehr Kontakte zu einem gleichen Bauelement oder zu verschiedenen Bauelementen, die auf dem Substrat102 ausgebildet sind, enthält. Bei einer Ausführungsform enthält die dielektrische Schicht106 ein Oxid wie etwa Siliciumdioxid. Kontakte104 werden bevorzugt durch Abscheiden eines Metalls, wie etwa Aluminium, Wolfram, Kupfer usw. ausgebildet. Kontakte und/oder Metalleitungen können Diffusionsbarriereschichten enthalten, wie sie in der Technik bekannt sind, beispielsweise kann eine dünne Schicht aus TaN auf Leitungskontaktlöchern oder Metalleitungsgräben vor dem Abscheiden von Metall abgeschieden werden. - Eine weitere dielektrische Schicht
114 wird abgeschieden und strukturiert, um einen Graben zum Abscheiden der Metalleitung108 auszubilden. Die Metalleitung108 erstreckt sich in die Ebene der Seite hinein und aus dieser heraus. Die Metalleitung108 kann beispielsweise als eine Bitleitung in einem Speicherbauelement verwendet werden. - Eine weitere dielektrische Schicht
115 wird ausgebildet und strukturiert, um Kontaktlöcher oder Gräben zum Ausbilden von Kontakten116 herzustellen. Die Kontakte116 enthalten zwei oder mehr Kontakte, die mit der Metalleitung108 verbunden sind. Noch eine weitere dielektrische Schicht120 wird ausgebildet und strukturiert, um einen Graben zum Abscheiden einer Metalleitung112 herzustellen. Die Metalleitung112 verläuft in die Ebene der Seite hinein und aus dieser heraus und ist mit Kontakten116 verbunden. Die dielektrischen Schichten122 und126 werden analog ausgebildet und strukturiert. Die Kontakte124 und die Metalleitung128 werden abgeschieden, um die Struktur zu beenden. Vorteilhafterweise werden mehrere Linien von Kontakten auf jeder Ebene der Struktur verwendet, damit sie als eine Rißstopstruktur fungieren. Wie oben beschrieben, sind Ränder von Metalleitungen und Kontakten bevorzugt versetzt, um den Flächeninhalt zu vergrößern und das Rißausbreitungsrisiko zu reduzieren. Die Metalleitungen108 ,112 und128 und die Kontakte104 ,116 und124 werden bevorzugt aus einem Metall, wie etwa beispielsweise Aluminium, Wolfram, Kupfer usw. ausgebildet. Alternativ können Kontakte und Metalleitungen aus einem leitenden Material wie etwa dotiertem Polysilicium ausgebildet werden. Die dielektrischen Schichten können ein Oxid wie etwa Silicumoxid enthalten. - Die Metalleitung
128 enthält bevorzugt einen Anschlußdurchkontakt (TV)130 , der verwendet wird, um den Chip100 mit nicht gezeigter Chipkapselung zu verbinden und/oder um einen Sondenanschluß zum Testen des Chips100 bereitzustellen. Ein Fenster123 (TV-Fenster) wird geöffnet, um Zugang zum TV130 zu gestatten, um für das Testen des Chips zu sorgen. - Unter Bezugnahme auf die
3A und3B wird eine an der Schnittlinie 3-3 genommene Draufsicht des Chips100 gezeigt. Wie veranschaulichend in3A gezeigt, sind zwei Kontakte116 nebeneinander ausgebildet und verlaufen longitudinal entlang Metalleitungen108 und112 . Die vorliegende Erfindung zieht auch den Einsatz von mehr als zwei Linien von Kontakten in Betracht, wenn benachbarte Metalleitungen (z.B. zwischen Metalleitung108 und112 ) eine Breite (z.B. W1 oder W2) aufweisen, die ausreicht, um diese zusätzlichen Kontakte zu unterstützen, beispielsweise wie für die Kontakte222 in4 gezeigt. Die Metallschichten sind im Vergleich zu den dünnen Kontaktlinien zwischen jeder Metallschicht bevorzugt breiter. Ein Grund dafür ist, ein potentielles Unterfüllen der Kontakte während der Herstellung zu vermeiden. Zur weiteren Verbesserung der Rißstopfestigkeit wird eine zweite oder sogar dritte Linie von Kontakten verwendet (falls sie in die Breite (W1 und W2) der oberen (112 ) und unteren Metalleitungen (108 ) passen). Die Kontakte116 und die Metalleitung108 sind in Umrißlinien gezeigt, um anzuzeigen, daß sie sich unter der Metalleitung112 befinden. - Die Kontakte
116 sind mit einer Entfernung d beabstandet. d kann eingestellt werden, um Metalleitungen (darüber oder darunter) oder Strukturen auf dem Substrat102 zu berücksichtigen, die elektrisch durch Kontakte verbunden werden müssen. Es wird bevorzugt, daß die Entfernung d zwischen Kontakten116 vorliegt, damit man einen vergrößerten Flächeninhalt zwischen den dielektrischen Schichten erhält (z.B. den dielektrischen Schichten106 ,115 ,122 von2 und den Kontakten104 ,116 und124 von2 ). Der vergrößerte Flächeninhalt hilft beim Reduzieren des Risikos der Rißausbreitung. - Die Metalleitung
108 ist mit Kontakten116 verbunden. Bevorzugt fallen Stirnoberflächen111 der Kontakte116 mit Stirnoberflächen113 von Metalleitung108 (oder Stirnoberflächen115 von Metalleitung112 ) zusammen. Diese Fehlausrichtung gestattet einen zusätzlichen Flächeninhalt zwischen dem die Kontakte umgebenden dielektrischen Material und der oder den Metalleitung(en) und reduziert das Risiko der Rißausbreitung durch Schichten des Chips. - Es versteht sich, daß die Anzahl der Kontakte auf jeder Ebene variieren kann. Beispielsweise kann, wie in
4 gezeigt, eine erste Ebene zwei Linien von Kontakten220 enthalten, eine nächste Ebene kann drei Linien von Kontakten222 enthalten und eine dritte Ebene kann zwei Linien von Kontakten224 enthalten. Ein dielektrisches Material209 umgibt die Rißstoffstruktur. Andere Kombinationen von Anzahlen von Kontakten auf jeder Ebene oder auf verschiedenen Ebenen werden ebenfalls in Betracht gezogen. Es ist weiterhin zu verstehen, daß die Kontakte entlang der Längsrichtung der Metalleitung verlaufen, in der die Kontakte verbunden sind, wie in3A und3B gezeigt. Diese Kontakte können über die ganze Länge der Metalleitung (siehe z.B.3A und5 ) oder über einen kleinen Abschnitt oder über kleine Abschnitte (siehe3B ) verlaufen. - Unter Bezugnahme auf
5 ist eine Draufsicht auf eine Metalleitung208 und Kontakte202 und204 gezeigt, wobei obere Schichten entfernt sind, um eine schlangenförmige Struktur zu enthüllen. Bei bevorzugten Ausführungsformen werden Kontakte versetzt oder in einer schlangenförmigen Struktur ausgebildet. Die Kontakte202 und204 sind auf der Metalleitung208 für den Chip100 gezeigt. In -
5 mäandrieren die Metalleitungen208 entlang der Oberfläche des Chips100 , und Kontakt202 ist um eine Entfernung d von Kontakt204 versetzt. Ein dielektrisches Material209 umgibt die Rißstopstruktur210 . In einer bevorzugten Ausführungsform halten die Kontakte202 und204 eine Entfernung d trotz Änderungen bei Abmessungen von Metalleitung208 zwischeneinander aufrecht. Diese schlangenförmige Anordnung reduziert das Rißausbreitungsrisiko und kann in Verbindung mit einer beliebigen und allen der Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung verwendet werden. Bei einer bevorzugten Ausführungsform kann die schlangenförmige Struktur bei oder in der Nähe eines Zerlegungskanals oder eines Schnitts207 verwendet werden. Auf diese Weise wird die Rißstopstruktur an einem Ort mit dem höchsten Rißbildungsrisiko verwendet. Die schlangenförmige Struktur kann auch durch den Chip hindurch verwendet werden. Die schlangenförmige Struktur kann eine regelmäßige Periodizität oder eine unregelmäßige Periodizität enthalten und kann Strukturen oder Strukturmerkmale des nahebei gelegenen Chips100 aufnehmen. - Unter Bezugnahme auf
6 wird ein halb mit Metall und halb mit Luft gefüllter Rißstop300 gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gezeigt. Eine Anschlußdurchkontaktätzung kann verwendet werden, damit ein Teil der Rißstopstruktur300 mit Luft gefüllt wird (z.B. Rißstop halb aus Metall und halb aus Luft). Vorteilhafterweise sind eine Kontaktschicht und eine Metallschicht aus der Struktur eliminiert (siehe z.B.2 ). Die Tiefe, die von den eliminierten Kontakten und der Metalleitungsstruktur ausgefüllt worden wäre, wird nun von Luft eingenommen, um den Luftrißstop306 zu bilden. Ein Luftrißstop306 verbessert die Rißfestigkeit signifikant. Im Vergleich zu2 entfallen bei der Struktur von6 Metalleitung128 und Kontakte124 , um ein TV-Herunterätzen zur Metalleitung112 zu gestatten. Die Metalleitung112 fungiert nun als ein Anschlußdurchgangsloch. Die TV-Ätzung wird verwendet, um einen Abschnitt des Metalls der Metalleitung112 wegzuätzen, so daß es keine Besorgnis hinsichtlich verbleibenden Oxids auf der Oberseite der Metalleitung112 gibt. Dieser Ätzprozess kann eine TV-Ätzung beinhalten, die verwendet wird, um Passivierung von Lasersicherungen zu entfernen.
Claims (8)
- Halbleiterchip, umfassend: ein Substrat (
103 ); und eine von einem dielektrischen Material (106 ,114 ,115 ,120 ;209 ) umgebene Rißstopstruktur, wobei die Rißstopstruktur folgendes umfaßt: eine über dem Substrat (103 ) angeordnete erste Leitung (108 ); mindestens zwei mit dem Substrat (103 ) und der ersten Leitung (108 ) verbundene erste Kontakte (104 ), wobei die mindestens zwei ersten Kontakte (104 ) longitudinal entlang einer Länge der ersten Leitung (108 ) verlaufen und in einer Richtung senkrecht zu der Länge der ersten Leitung (108 ) voneinander beabstandet sind, wobei die mindestens zwei ersten Kontakte (104 ) in eine erste dielektrische Schicht eingebettet sind und die erste Leitung (108 ) in eine zweite dielektrische Schicht eingebettet ist; eine über einem Abschnitt der ersten Leitung (108 ) angeordnete zweite Leitung (112 ); mindestens zwei mit der ersten Leitung (108 ) und der zweiten Leitung (112 ) verbundene zweite Kontakte (116 ), wobei die mindestens zwei zweiten Kontakte (116 ) longitudinal entlang einer Länge der zweiten Leitung (112 ) verlaufen und in einer Richtung senkrecht zu der Länge der zweiten Leitung (112 ) voneinander beabstandet sind, wobei die mindestens zwei zweiten Kontakte (116 ) in eine dritte dielektrische Schicht eingebettet sind und die zweite Leitung (112 ) in eine vierte dielektrische Schicht eingebettet ist, wobei das dielektrische Material eine weitere, über der vierten dielektrischen Schicht liegende dielektrische Schicht enthält und wobei ein luftgefüllter Graben (306 ) in der weiteren dielektrischen Schicht vorgesehen ist, wobei der luftgefüllte Graben (306 ) die zweite Leitung (112 ) freilegt. - Halbleiterchip, umfassend: ein Substrat; und eine von einem dielektrischen Material umgebene Rißstopstruktur, wobei die Rißstopstruktur folgendes umfaßt: eine über dem Substrat angeordnete erste Leitung; mindestens zwei mit dem Substrat und der ersten Leitung verbundene erste Kontakte, wobei die mindestens zwei ersten Kontakte longitudinal entlang einer Länge der ersten Leitung verlaufen und in einer Richtung senkrecht zu der Länge der ersten Leitung voneinander beabstandet sind, wobei die mindestens zwei ersten Kontakte in eine erste dielektrische Schicht eingebettet sind und die erste Leitung in eine zweite dielektrische Schicht eingebettet ist; eine über einem Abschnitt der ersten Leitung angeordnete zweite Leitung; mindestens zwei mit der ersten Leitung und der zweiten Leitung verbundene zweite Kontakte, wobei die mindestens zwei zweiten Kontakte longitudinal entlang einer Länge der zweiten Leitung verlaufen und in einer Richtung senkrecht zu der Länge der zweiten Leitung voneinander beabstandet sind, wobei die mindestens zwei zweiten Kontakte in eine dritte dielektrische Schicht eingebettet sind und die zweite Leitung in eine vierte dielektrische Schicht eingebettet ist, wobei das dielektrische Material eine weitere, über der vierten dielektrischen Schicht liegende dielektrische Schicht enthält und wobei ein Anschlußdurchkontaktfenster (
123 ) in der weiteren dielektrischen Schicht vorgesehen ist, wobei das Fenster Zugang zu der zweiten Leitung weiteren dielektrischen Schicht vorgesehen ist, wobei das Fenster Zugang zu der zweiten Leitung ermöglicht. - Halbleiterchip, umfassend: ein Substrat (
103 ); und eine von einem dielektrischen Material (106 ,114 ,115 ,120 ;209 ) umgebene Rißstopstruktur, wobei die Rißstopstruktur folgendes umfaßt: eine über dem Substrat (103 ) angeordnete erste Leitung (108 ); mindestens zwei mit dem Substrat (103 ) und der ersten Leitung (108 ) verbundene erste Kontakte (104 ;220 ), wobei die mindestens zwei ersten Kontakte (104 ;220 ) longitudinal entlang einer Länge der ersten Leitung (108 ) verlaufen und in einer Richtung senkrecht zu der Länge der ersten Leitung (108 ) voneinander beabstandet sind, wobei die mindestens zwei ersten Kontakte (104 ;220 ) in eine erste dielektrische Schicht eingebettet sind und die erste Leitung (108 ) in eine zweite dielektrische Schicht (114 ) eingebettet ist; eine über einem Abschnitt der ersten Leitung (108 ) angeordnete zweite Leitung (112 ); mindestens zwei mit der ersten Leitung (108 ) und der zweiten Leitung (112 ) verbundene zweite Kontakte (116 ;222 ), wobei die mindestens zwei zweiten Kontakte (116 ;222 ) longitudinal entlang einer Länge der zweiten Leitung (112 ) verlaufen und in einer Richtung senkrecht zu der Länge der zweiten Leitung (112 ) voneinander beabstandet sind, wobei die mindestens zwei zweiten Kontakte (116 ;222 ) in eine dritte dielektrische Schicht (115 ) eingebettet sind und die zweite Leitung (112 ) in eine vierte dielektrische Schicht (120 ) eingebettet ist, eine über einen Abschnitt der zweiten Leitung (112 ) angeordnete dritte Leitung (128 ); mindestens zwei mit der zweiten Leitung (112 ) und der dritten Leitung (128 ) verbundene dritte Kontakte (124 ;224 ), wobei die mindestens zwei dritten Kontakte (124 ;224 ) longitudinal entlang einer Länge der dritten Leitung (128 ) verlaufen und in einer Richtung senkrecht zu der Länge der dritten Leitung (128 ) voneinander beabstandet sind, wobei die mindestens zwei dritten Kontakte (124 ;224 ) in eine fünfte dielektrische Schicht (122 ) eingebettet sind und die dritte Leitung (128 ) in eine sechste dielektrische Schicht (126 ) eingebettet ist, wobei ein Anschlußdurchkontaktfenster (123 ) in der sechsten dielektrischen Schicht (126 ) vorgesehen ist, wobei das Fenster (123 ) Zugang zu der dritten Leitung ermöglicht. - Chip nach Anspruch 1 oder 2, wobei die mindestens zwei ersten Kontakte (
104 ) drei Kontakte enthalten. - Chip nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die mindestens zwei zweiten Kontakte drei Kontakte (
222 ) enthalten. - Chip nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die erste (108) und zweite Leitung (
112 ) und die mindestens zwei ersten Kontakte (104 ) und die mindestens zwei zweiten Kontakte (116 ) eine schlangenförmige Struktur bilden. - Chip nach Anspruch 6, wobei die schlangenförmige Struktur neben einem Zerlegungskanal des Chips liegt.
- Chip nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die mindestens zwei ersten Kontakte (
104 ) und die mindestens zwei zweiten Kontakte (116 ) über die ganze Länge der ersten Leitung (108 ) verlaufen.
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