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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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Die
vorliegende Erfindung betrifft eine Bezugsspannungs-Erzeugungsschaltung,
die in integrierten Halbleiterschaltkreisen Anwendung findet und
einen Anschaltabschnitt mit niedrigem Stromverbrauch zum Wiederanschalten
eines Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitts der Bezugsspannungs-Erzeugungsschaltung
aufweist.
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Die
Bezugsspannungs-Erzeugungsschaltung ist eine wichtige Schaltung
mit einer Vielzahl verschiedener Anwendungsmöglichkeiten. Auf dem Fachgebiet
ist eine Bezugsspannungs-Erzeugungsschaltung bekannt, die einen
Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt zum Erzeugen einer Bezugsspannung
und einen Anschaltabschnitt zum Wiederanschalten des Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitts
aufweist. Mit einer derartigen Konfiguration ist es selbst dann,
wenn der Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt beim Anlegen von Strom
oder infolge des Einflusses, der durch eine Störung oder Ähnliches verursacht wird, versehentlich
in den Aus-Zustand übergeht,
möglich,
den Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt wieder anzuschalten und
eine normale Bezugsspannung zu erzeugen.
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Solange
der Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt normal arbeitet, befindet
sich der Anschaltabschnitt im Ruhezustand in Bereitschaft, anders
ausgedrückt,
braucht der Anschaltabschnitt nicht in Betrieb zu sein. Wenn allerdings
kontinuierlich und stetig Strom im Anschaltabschnitt fließt, führt dies
zu einem Problem, dass nämlich
der Stromverbrauch stark zunimmt. In dem USA-Patent Nr. 5,969,549
ist eine Lösung
für dieses
Problem dargestellt.
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Dementsprechend
besteht wie bei den oben erwähnten
USA-Patenten eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, den
Stromverbrauch einer Bezugsspannungs-Erzeugungsschaltung zu reduzieren,
indem nach dem Anschalten des Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitts der im Anschaltabschnitt
fließende
stationäre
Strom verringert wird.
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Um
diese Aufgabe zu lösen,
verwendet die vorliegende Erfindung die folgenden Anschaltabschnitts-Konfigurationen
für Bezugsspannungs-Erzeugungsschaltungen
mit einem Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt, der eine Stromspiegelschaltung
aufweist und so ausgeführt
ist, dass er eine Bezugsspannung erzeugt, und einem Anschaltabschnitt
zum Wiederanschalten des Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitts.
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Eine
erfindungsgemäße Bezugsspannungs-Erzeugungsschaltung
weist einen Anschaltabschnitt auf, wobei der Anschaltabschnitt enthält: einen
Eingangstransistor, der so ausgeführt ist, dass er an seinem
Gate eine Spannung an einem Knoten empfängt, die mit dem Betrag eines
Stroms variiert, der in einem Zweig der Stromspiegelschaltung in dem
Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt fließt, einen Inverter, der eine
Drain-Spannung des Eingangstransistors umkehrt, einen Ausgangstransistor, der
dem Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt einen Anschaltstrom zuführt, um
den Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt
in Reaktion auf eine Ausgangsspannung von dem Inverter wieder anzuschalten,
und einen Strombegrenzungstransistor, der in Serie an den Eingangstransistor
angeschlossen ist, um nach Abschluss des Wiederanschaltens des Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitts
von dem Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt eine verringerte Gate-Quellenspannung
zu empfangen und den Fluss eines Stroms in dem Eingangstransistor
zu begrenzen.
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Eine
zweite Bezugsspannungs-Erzeugungsschaltung gemäß einem ersten Beispiel, das
zum besseren Verständnis
der Erfindung angeführt
wird, weist einen Anschaltabschnitt auf, wobei der Anschaltabschnitt
enthält:
Transistoren mit einer ersten und einer zweiten Polarität, die an
ihrem jeweiligen Gate eine Spannung an einem Knoten empfangen, die
mit dem Betrag eines Stroms variiert, der in einem Zweig der Stromspiegelschaltung
in dem Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt fließt, und die über ihre
Drains miteinander verbunden sind, sowie einen Ausgangstransistor
zum Erhöhen
einer Gate-Quellenspannung,
die beide den Stromspiegel bildenden Transistoren gemeinsam haben,
um als Reaktion auf eine Spannung, die den Drains dieser Eingangstransistoren
mit der ersten und der zweiten Polarität gemeinsam ist, den Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt
wieder anzuschalten.
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Eine
dritte Bezugsspannungs-Erzeugungsschaltung gemäß einem zweiten Beispiel, das
zum besseren Verständnis
der Erfindung angeführt
wird, umfasst einen Anschaltabschnitt, wobei der Anschaltabschnitt
einen Eingangstransistor enthält,
der so ausgeführt
ist, dass er an seinem Gate eine Spannung an einem Knoten empfängt, die
mit dem Betrag eines Stroms variiert, der in einem Zweig der Stromspiegelschaltung
in dem Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt fließt, einen Inverter, der eine Drain-Spannung
des Eingangstransistors umkehrt, einen Ausgangstransistor, der dem
Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt
einen Anschaltstrom zuführt,
um den Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt in Reaktion auf eine
Ausgangsspannung von dem Inverter wieder anzuschalten, einen Schalter, der
in Serie an den Eingangstransistor angeschlossen ist und nach Abschluss
des Wiederanschaltens des Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitts einen Stromfluss
in dem Eingangstransistor trennt, und einen Steuertransistor, der
an seinem Gate die gleiche Spannung wie eine Spannung empfängt, die
an dem Eingangstransistor-Gate empfangen worden ist, um eine Eingangsspannung
des Inverters zu verschieben und nach Abschluss des Wiederanschaltens
des Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitts den Anschaltstrom zu unterbrechen.
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Eine
vierte Bezugsspannungs-Erzeugungsschaltung gemäß einem dritten Beispiel, das
zum besseren Verständnis
der Erfindung angeführt
wird, umfasst einen Anschaltabschnitt, wobei der Anschaltabschnitt
enthält:
einen Eingangstransistor, der so ausgeführt ist, dass er an seinem
Gate eine Spannung an einem Knoten empfängt, die mit dem Betrag eines
Stroms variiert, der in einem Zweig der Stromspiegelschaltung in
dem Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt fließt, einen Inverter, der eine Drain-Spannung
des Eingangstransistors umkehrt, einen Ausgangstransistor, der dem
Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt
einen Anschaltstrom zuführt,
um den Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt in Reaktion auf eine
Ausgangsspannung von dem Inverter wieder anzuschalten, einen ersten Schalter,
der nach Abschluss des Wiederanschaltens des Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitts
das Eingangstransistor-Gate von dem Knoten in dem Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt
trennt, einen ersten Steuertransistor, der an seinem Gate die gleiche
Spannung wie eine Spannung empfängt,
die an dem Eingangstransistor-Gate empfangen worden ist, um die
Eingangstransistor-Gatespannung zu verschieben und nach Abschluss
des Wiederanschaltens des Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitts den Fluss eines
Stroms in dem Eingangstransistor zu unterbrechen, einen zweiten
Schalter, der nach Abschluss des Wiederanschaltens des Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitts
einen Eingang des Inverters von einem Drain des Eingangstransistors trennt,
und einen zweiten Steuertransistor, der an seinem Gate die gleiche
Spannung wie eine Spannung empfängt,
die an dem Eingangstransistor-Gate empfangen worden ist, um eine
Eingangsspannung des Inverters zu verschieben und nach Abschluss
des Wiederanschaltens des Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitts den
Anschaltstrom zu unterbrechen, der von dem Ausgangstransistor zugeführt worden
ist.
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Eine
fünfte
Bezugsspannungs-Erzeugungsschaltung gemäß einem vierten Beispiel, das
zum besseren Verständnis
der Erfindung angeführt
wird, umfasst einen Anschaltabschnitt, wobei der Anschaltabschnitt
einen Transistor enthält,
der an seinem Gate eine Spannung an einem Knoten empfängt, die
mit dem Betrag eines Stroms variiert, der in einem Zweig der Stromspiegelschaltung
in dem Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt fließt, und der dem Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt
einen Anschaltstrom zuführt,
um den Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt in Reaktion auf die Spannung
wieder anzuschalten. Zudem wird eine Spannung, die niedriger ist
als die Spannung der Stromversorgung des Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitts
an eine Quelle des Transistors angelegt.
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KURZE BESCHREIBUNG DER
ZEICHNUNGEN
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1 ist
ein Schaltbild einer Bezugsspannungs-Erzeugungsschaltung gemäß der erfindungsgemäßen Ausführungsform.
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2 ist
ein Schaltbild einer Bezugsspannungs-Erzeugungsschaltung gemäß einem
ersten Beispiel, das zum besseren Verständnis der Erfindung angeführt ist.
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3 ist
ein Schaltbild einer Bezugsspannungs-Erzeugungsschaltung gemäß einem
zweiten Beispiel, das zum besseren Verständnis der Erfindung angeführt ist.
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4 ist
ein Schaltbild einer Bezugsspannungs-Erzeugungsschaltung gemäß einem
dritten Beispiel, das zum besseren Verständnis der Erfindung angeführt ist.
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5 ist
ein Schaltbild einer Bezugsspannungs-Erzeugungsschaltung gemäß einem
vierten Beispiel, das zum besseren Verständnis der Erfindung angeführt ist.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
DER ERFINDUNG
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Anhand
der Zeichnungen werden nachstehend die Ausführungsform und Beispiele beschrieben,
die zum besseren Verständnis
der Erfindung angeführt
sind.
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AUSFÜHRUNGSFORM
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Aus 1 geht
hervor, dass eine Bezugsspannungs-Erzeugungsschaltung nach der erfindungsgemäßen Ausführungsform
aus einem Anschaltabschnitt 10 und einem Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt 20 besteht.
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Der
Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt 20 umfasst zwei PMOS-Transistoren 21 und 22,
zwei NMOS-Transistoren 23 und 24 und einen Widerstand 25.
Das Gate und der Drain des PMOS-Transistors 21 sind an
einen Ausgangsanschluss für
eine Bezugsspannung VREF angeschlossen, und die Quelle des PMOS-Transistors 21 ist
an eine Stromversorgung VDD angeschlossen. Das Gate, der Drain und
die Quelle des PMOS- Transistors 22 sind
an den VREF-Ausgangsanschluss, einen Knoten NC bzw. die Stromversorgung
VDD angeschlossen. Zusammen bilden die PMOS-Transistoren 21 und 22 einen
Stromspiegel. Das Gate, der Drain und die Quelle des NMOS-Transistors 23 sind an
den Knoten NC, den VREF-Ausgangsanschluss bzw. einen Knoten NA angeschlossen.
Das Gate, der Drain und die Quelle des NMOS-Transistors 24 sind an
den Knoten NA, den Knoten NC bzw. eine Stromversorgung VSS (Grundstromversorgung)
angeschlossen. Der Widerstand 25 ist zwischen dem Knoten
NA und der Stromversorgung VSS angeschlossen.
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Der
Anschaltabschnitt 10 besteht aus einem NMOS-Transistor 11,
zwei PMOS-Transistoren 12 und 15,
einem Widerstand 13 und einem Inverter 14. Das
Gate, der Drain und die Quelle des NMOS-Transistors 11 sind
an den Knoten NA, einen Knoten NB bzw. die Stromversorgung VSS angeschlossen.
Das Gate und der Drain des PMOS-Transistors 12 sind
an den Knoten NC bzw. an den Knoten NB angeschlossen und die Quelle
des PMOS-Transistors ist über den
Widerstand 13 an die Stromversorgung VDD angeschlossen.
Mit dem Inverter 14 wird eine Spannung am Knoten NB umgekehrt.
Das Gate, der Drain und die Quelle des PMOS-Transistors 15 sind
an einen Ausgang des Inverters 14, den Knoten NC bzw. die
Stromversorgung VDD angeschlossen.
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Nachstehend
wird die Funktionsweise der vorliegenden Bezugsspannungs-Erzeugungsschaltung
beschrieben. Wenn Strom anliegt, fließt zuerst in dem Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt 20 ein
Strom 11 in einer Serienschaltung des PMOS-Transistors 22 und
des NMOS-Transistors 24, und es wird die Gate-Quellenspannung
(Vgs) des NMOS-Transistors 24 ermittelt. Darüber hinaus
fließt ein
Strom 12 in einer Serienschaltung des PMOS-Transistors 21,
des NMOS-Transistors 23 und des Widerstands 25,
und es wird eine Spannung (12 × R)
am Widerstand 25 erzeugt. Diese Spannungen, d. h. Vgs und
12 × R
werden zusammengeführt,
wodurch zwei Spannungsabgleichpunkte entstehen. Einer ist ein Grundspannungs-Abgleichpunkt
und der andere ein Abgleichpunkt für die normale VREF. Wenn die
Bezugsspannung VREF zur Grundspannung wird, fließt kein Strom in dem Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt.
Dadurch hält
der Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt 20 den Betrieb an.
Dann muss der Anschaltabschnitt 10 für den Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt
wieder in seinen normalen Zustand zurückkehren.
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Wenn
sich der Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt 20 im anormalen
Betriebszustand befindet, funktioniert der Anschaltabschnitt 10 so, dass
der Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt 20 wieder
in seinen normalen Betriebszustand zurückkehren kann. Nachdem Energie
zugeführt
wurde, fließt
im anormalen Zustand kein Strom im Be zugsspannungs-Erzeugungsabschnitt 20,
wodurch sich Knoten NA auf der Seite eines Endes des Widerstands 25 der
Grundspannung nähert.
Weiterhin verringert sich die Gate-Quellenspannung des NMOS-Transistors 24,
sodass kein Strom im NMOS-Transistor 24 fließt. Zu diesem
Zeitpunkt ist die Spannung von Knoten NA ebenfalls die Gate-Spannung des NMOS-Transistors 11,
sodass der NMOS-Transistor 11 auch dazu neigt, in den abgeschalteten
Zustand einzutreten. Im Ergebnis dessen nimmt die Spannung des Knotens
NB zu und die Ausgangsspannung des Inverters 14 ab. Daher
steigt die Gate-Quellenspannung des PMOS-Transistors 15 an,
wodurch der PMOS-Transistor 15 in den leitenden Zustand
versetzt wird und ein Strom in dem PMOS-Transistor 15 zu
fließen
beginnt. Dies erzeugt eine Gate-Quellenspannung für den NMOS-Transistor 23,
und es beginnt ein Strom auch in dem Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt 20 zu
fließen.
In diesem Zustand arbeitet der Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt 20 normal,
weshalb der Anschaltabschnitt 10 im Ruhezustand in Bereitschaft
ist. Zu diesem Zeitpunkt ist das Gate des PMOS-Transistors 12 des
Anschaltabschnitts 10 an den Knoten NC angeschlossen und
der Spannungswert von Knoten NC steigt, sodass die Gate-Quellenspannung des PMOS-Transistors 12 abnimmt.
Dadurch sinkt der Ein-Widerstand des PMOS-Transistors 12,
wodurch der Stromfluss im NMOS-Transistor 11 begrenzt wird.
Demzufolge wird es durch die vorliegende Ausführungsform ermöglicht,
den Strom des Anschaltabschnitts 10, wenn sich dieser im
Ruhezustand in Bereitschaft befindet, zu verringern, wodurch sich
Bezugsspannungs-Erzeugungsschaltungen mit geringem Stromverbrauch
realisieren lassen.
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BEISPIEL 1
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Ausgehend
von 2 wird nun ein erstes Beispiel der Erfindung beschrieben. 2 ist
ein Schaltbild, das eine Konfiguration einer Bezugsspannungs-Erzeugungsschaltung
gemäß dem ersten
Beispiel zeigt. Das vorliegende Beispiel ist dadurch gekennzeichnet,
dass es eine andere Konfiguration des Anschaltabschnitts aufweist
als die Ausführungsform.
Das heißt,
der Anschaltabschnitt 30 nach dem vorliegenden Beispiel
besteht aus zwei NMOS-Transistoren 31 und 33,
einem Widerstand 32 und einem PMOS-Transistor 34.
Wie bei der Ausführungsform besteht
der Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt 40 aus dem vorliegenden
Beispiel aus zwei PMOS-Transistoren 41 und 42,
zwei NMOS-Transistoren 43 und 44 und
einem Widerstand 45.
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Wenn
ein anormaler abgeglichener Zustand nach dem Zuführen von Energie eintritt,
nimmt der Stromwert des Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitts 40 wie
bei der Ausführungsform
ab, wodurch die Gate-Spannung des NMOS-Transistors 44 abfällt. Da
das Gate des NMOS-Transistors 44 dem NMOS-Transistor 31 und
dem PMOS-Transistor 34 gemeinsam ist, sinkt der Stromwert
des NMOS-Transistors 31 und der Stromwert des PMOS-Transistors 34 nimmt
zu. Dementsprechend wächst
die Gate-Spannung des NMOS-Transistors 33 allmählich, der
NMOS-Transistor 33 tritt in den Ein-Zustand ein und führt dazu,
dass ein Strom zu fließen
beginnt. Der Drain des NMOS-Transistors 33 ist an die Gates der
PMOS-Transistoren 41 und 42 angeschlossen, die
gemeinsam einen Stromspiegel des Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitts 40 bilden,
was zur Folge hat, dass deren Gate-Spannung abfällt. Dadurch werden die PMOS-Transistoren 41 und 42 eingeschaltet,
woraufhin auch der Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt 40 eingeschaltet
wird, sodass die Bezugsspannung VREF normal erzeugt werden kann.
Wenn sich andererseits der Anschaltabschnitt 30 im Ruhezustand
in Bereitschaft befindet, steigt die Gate-Spannung des NMOS-Transistors 31 so
weit an, dass der Ein-Zustand
erreicht wird und im Ergebnis dessen die Gate-Spannung des NMOS-Transistors 33 abfällt und
der NMOS-Transistor 33 in den abgeschalteten Zustand eintritt.
Weiterhin nimmt auch die Gate-Spannung des PMOS-Transistors 34 zu
und sein Ein-Widerstand wächst,
wodurch es ermöglicht
wird, dass der in dem NMOS-Transistor 31 fließende Strom
begrenzt wird. Dementsprechend ermöglicht es das vorliegende Beispiel,
den Strom des Anschaltabschnitts 30, wenn sich dieser im
Ruhezustand in Bereitschaft findet, zu senken, wodurch sich Bezugsspannungs-Erzeugungsschaltungen
mit geringem Stromverbrauch realisieren lassen.
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BEISPIEL 2
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Auf
der Grundlage von 3 wird nachstehend ein zweites
erfindungsgemäßes Beispiel
beschrieben. Bei 3 handelt es sich um ein Schaltbild
einer Konfiguration einer Bezugsspannungs-Erzeugungsschaltung gemäß dem zweiten
Beispiel. Das vorliegende Beispiel ist dadurch gekennzeichnet, dass
es einen anderen Aufbau des Anschaltabschnittes als beim ersten
Beispiel aufweist. Das heißt,
der Anschaltabschnitt 50 des vorliegenden Beispiels besteht
aus einem Schalter 51, zwei NMOS-Transistoren 52 und 56,
einem Widerstand 53, einem Inverter 54 und einem
PMOS-Transistor 55. Wie beim ersten Beispiel besteht der
Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt 60 des vorliegenden
Beispiels aus zwei PMOS-Transistoren 61 und 62,
zwei NMOS-Transistoren 63 und 64 und einem Widerstand 65.
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Wenn
nach dem Zuführen
von Energie ein anormal abgeglichener Zustand einsetzt, wird beim vorliegenden
Beispiel wie auch schon beim ersten Beispiel der Stromwert des Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitts 60 geringer,
wodurch die Gate-Spannung des NMOS-Transistors 64 abfällt. Die
Gate-Spannung des NMOS-Transistors 52 nähert sich der Grundspannung
und der NMOS-Transistor 52 tritt in den abgeschalteten
Zustand ein, da Schalter 51 geschlossen ist. In diesem
Fall ist die Drain-Spannung des NMOS-Transistors 52 an einen Eingang
des Inverters 54 angeschlossen, weshalb die Gate-Spannung des PMOS-Transistors 55 abfällt und
dazu führt,
dass PMOS-Transistor 55 in den leitenden Zustand eintritt
und ein Strom im PMOS-Transistor 55 zu fließen beginnt.
Dies führt
zur Erhöhung der
Gate-Spannung des NMOS-Transistors 63, wodurch Strom in
dem Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt 60 zu fließen beginnt.
In einem solchen Zustand wird die Bezugsspannung VREF in dem Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt 60 normal
erzeugt, weshalb der Anschaltabschnitt 50 im Ruhezustand
in Bereitschaft versetzt wird. Zu diesem Zeitpunkt ist der Schalter 51 offen
und der Strom des Anschaltabschnitts 50 vollständig abgeschaltet.
Darüber
hinaus wird der NMOS-Transistor 56 in den leitenden Zustand
versetzt, weshalb die Eingangsspannung des Inverters 54 sich
der Grundspannung nähert
und der PMOS-Transistor 55 in den abgeschalteten Zustand
eintritt. Dementsprechend wird es durch das vorliegende Beispiel
ermöglicht,
den Strom des Anschaltabschnitts 50, wenn sich dieser im
Ruhezustand in Bereitschaft befindet, reduziert, wodurch sich Bezugsspannungs-Erzeugungsschaltungen
mit niedrigem Stromverbrauch realisieren lassen.
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BEISPIEL 3
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Ausgehend
von 4 wird nachstehend ein drittes Beispiel der Erfindung
beschrieben. Bei 4 handelt es sich um ein Schaltbild,
das den Aufbau einer Bezugsspannungs-Erzeugungsschaltung gemäß dem dritten
Beispiel darstellt. Das vorliegende Beispiel ist dadurch gekennzeichnet,
dass es einen anderen Aufbau des Anschaltabschnitts als beim zweiten
Beispiel aufweist. Das heißt,
ein Anschaltabschnitt 70 nach dem vorliegenden Beispiel
besteht aus drei NMOS-Transistoren 71, 72 und 76,
einem Widerstand 73, einem Inverter 74, einem PMOS-Transistor 75 und
zwei Schaltern 77 und 78. Wie das zweite Beispiel
hat ein Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt 80 des vorliegenden Beispiels
eine Konfiguration, die aus zwei PMOS-Transistoren 81 und 82,
zwei NMOS-Transistoren 83 und 84 und
einem Widerstand 85 besteht.
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Wenn
ein anormaler abgeglichener Zustand eintritt, nimmt beim vorliegenden
Beispiel genauso wie beim zweiten Beispiel der Stromwert des Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitts 80 ab,
wodurch die Gate-Spannung des NMOS-Transistors 84 abfällt. Zu
diesem Zeitpunkt treten der Schalter 78 sowie die NMOS-Transistoren 72 und 76 in
den abgeschalteten Zustand ein, da das Gate von jedem NMOS-Transistor 72 und 76 dem
NMOS-Transistor 84 gemeinsam ist. Hierbei ist auch der
Schalter 77 geschlossen und es fließt kein Strom in dem NMOS-Transistor 71,
und der PMOS-Transistor 75 tritt in den leitenden Zustand
ein. Dies bewirkt, dass ein Strom in dem PMOS-Transistor 75 zu
flie ßen
beginnt. Aus diesem Grund nimmt die Gate-Spannung des NMOS-Transistors 83 zu
und es beginnt ein Strom in dem Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt 80 zu
fließen.
In diesem Zustand befindet sich der Anschaltabschnitt 70 in
Bereitschaft. Zu diesem Zeitpunkt öffnen sich im Anschaltabschnitt 70 die Schalter 77 und 78 und
die NMOS-Transistoren 72 und 76 treten
in den leitenden Zustand ein. Dadurch nähert sich die Gate-Spannung
des NMOS-Transistors 71 der Grundspannung an, und der NMOS-Transistor 71 wird
abgeschaltet. Des Weiteren wird zu diesem Zeitpunkt die Eingangsspannung
des Inverters 74 auch die Grundspannung, wodurch der PMOS-Transistor 75 in
den abgeschalteten Zustand versetzt wird. Dementsprechend wird es
durch das vorliegende Beispiel möglich,
den Strom im Anschaltabschnitt 70 zu verringern, wenn sich
der Anschaltabschnitt 70 in Bereitschaft befindet, wodurch
die Herstellung von Bezugsspannungs-Erzeugungsschaltungen mit niedrigem
Stromverbrauch realisierbar ist.
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BEISPIEL 4
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Ausgehend
von 5 wird nun ein viertes erfindungsgemäßes Beispiel
beschrieben. Bei 5 handelt es sich um ein Schaltbild,
das den Aufbau einer Bezugsspannungs-Erzeugungsschaltung gemäß dem vierten
Beispiel darstellt. Das vorliegende Beispiel ist wie folgt gekennzeichnet:
Der Anschaltabschnitt 90 dieses Beispiels wird lediglich
von einem PMOS-Transistor 91 gebildet, und die Quelle des PMOS-Transistors 91 ist
an eine Stromversorgung VDDD angeschlossen, die im Unterschied zu
der Stromversorgung VDD eines Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitts 100 eine
ausreichend niedrige Spannung aufweist. Genau wie die vierte Ausführungsform
besteht der Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt 100 aus
zwei PMOS-Transistoren 101 und 102, zwei NMOS-Transistoren 103 und 104 und
einem Widerstand 105.
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Wie
bei dem dritten Beispiel verringert sich auch beim vorliegenden
Beispiel beim Einsetzen eines anormalen abgeglichenen Zustands der
Stromwert des Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitts 100,
in dessen Ergebnis die Gate-Spannung des NMOS-Transistors 104 abfällt. Zu
diesem Zeitpunkt tritt der PMOS-Transistor 91 in den leitenden
Zustand ein, da das Gate des PMOS-Transistors 91 ebenfalls für den NMOS-Transistor 104 fungiert,
wodurch bewirkt wird, dass ein Strom in dem PMOS-Transistor 91 zu
fließen
beginnt. Dies erhöht
die Gate-Spannung des NMOS-Transistors 103, sodass ein
Strom in dem Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitt 100 zu
fließen
beginnt. In diesem Zustand befindet sich der Anschaltabschnitt 90 in
Bereitschaft. Jetzt nimmt die Gate-Spannung des PMOS-Transistors 91 zu. Darüber hinaus
ist es möglich,
dass der PMOS-Transistor 91 zufrieden
stellend in den Abschaltzustand eintreten kann, da die Quelle des
PMOS-Transistors 91 an die Spannung VDDD angeschlossen
ist, die ausreichend niedriger ist als die Spannung VDD der Stromversorgung
des Bezugsspannungs-Erzeugungsabschnitts 100. Dementsprechend
wird es durch das vorliegende Beispiel ermöglicht, den Strom des Anschaltabschnitts 90 zu
reduzieren, wenn sich dieser in Bereitschaft befindet, wodurch die
Herstellung von Bezugsspannungs-Erzeugungsschaltungen mit niedrigem
Stromverbrauch realisierbar wird.