DE60100652T2 - Unbrennbare Harzzusammensetzung, Prepreg, mehrschichtige Platte, metallbedeckte mehrschichtige Platte, Leiterplatte und mehrschichtige Leiterplatte - Google Patents

Unbrennbare Harzzusammensetzung, Prepreg, mehrschichtige Platte, metallbedeckte mehrschichtige Platte, Leiterplatte und mehrschichtige Leiterplatte Download PDF

Info

Publication number
DE60100652T2
DE60100652T2 DE60100652T DE60100652T DE60100652T2 DE 60100652 T2 DE60100652 T2 DE 60100652T2 DE 60100652 T DE60100652 T DE 60100652T DE 60100652 T DE60100652 T DE 60100652T DE 60100652 T2 DE60100652 T2 DE 60100652T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
silicone oligomer
resin
prepreg
oligomer
solution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE60100652T
Other languages
English (en)
Other versions
DE60100652D1 (de
Inventor
Nozomu Yuki-shi Takano
Tomio Shimodate-shi Fukuda
Masato Shimidate-shi Miyatake
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Publication of DE60100652D1 publication Critical patent/DE60100652D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE60100652T2 publication Critical patent/DE60100652T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00—Use of pretreated ingredients
    • C08K9/04—Ingredients treated with organic substances
    • C08K9/06—Ingredients treated with organic substances with silicon-containing compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/145—Organic substrates, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/296—Organo-silicon compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
    • H05K1/0373—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement containing additives, e.g. fillers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0104—Properties and characteristics in general
    • H05K2201/012—Flame-retardant; Preventing of inflammation
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0137—Materials
    • H05K2201/0162—Silicon containing polymer, e.g. silicone
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0206—Materials
    • H05K2201/0209—Inorganic, non-metallic particles
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/901—Printed circuit
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31511—Of epoxy ether
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31511—Of epoxy ether
    • Y10T428/31515—As intermediate layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31511—Of epoxy ether
    • Y10T428/31515—As intermediate layer
    • Y10T428/31522—Next to metal
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31652—Of asbestos
    • Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31721—Of polyimide
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31855—Of addition polymer from unsaturated monomers
    • Y10T428/31859—Next to an aldehyde or ketone condensation product
    • Y10T428/31862—Melamine-aldehyde

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Reinforced Plastic Materials (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Description

  • Hintergrund der Erfindung
  • 1. Erfindungsgebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine nicht-brennbare Harzzusammensetzung, und ein Prepreg, eine laminierte Platte, eine metallumhüllte laminierte Platte, eine gedruckte Leiterplatte und eine mehrschichtige gedruckte Leiterplatte, welche diese verwenden, und die man geeigneterweise für eine Vielzahl elektronischer Materialien einsetzt.
  • 2. Beschreibung verwandter Techniken
  • Den meisten Harzzusammensetzungen, die man für eine Vielzahl elektronischer Vorrichtungen verwendet, verleiht man Nichtbrennbarkeit, um diese bei Feuer sicher zu machen. Um Harzzusammensetzungen nicht-brennbar zu machen, hat man eine Vielzahl von Verfahren eingesetzt, wobei Bromverbiridurigen aufgrund ihrer ausgezeichneten Nichtbrennbarkeit eine breite Anwendung gefunden haben.
  • Es besteht jedoch die Möglichkeit, dass Bromverbindungen Verbindungen mit hoher Toxizität bilden. Da ferner die Menschen sich über Umweltzerstörungsprobleme in einem globalen Maßstab sehr bewusst geworden sind, wurden nicht-brennbare Systeme, welche Bromverbindungen ersetzen, in Erwägung gezogen.
  • Andererseits hat man herkömmlicherweise als Lötmaterial der aufmontierten Teile hauptsächlich Lötmaterialien auf Sn-Pb-Basis verwendet. Da diese den Boden bei der Müllverarbeitung verschmutzen können, wurden Lötmaterialien ohne die Verwendung von Pb in Erwägung gezogen.
  • Wenn man die Berichte zu Pb-freien Lötmaterialien analysiert, so erhöht sich der Schmelzpunkt, und es ist daher denkbar, dass die "Reflow"-Temperatur ebenfalls ansteigen würde.
  • Unter diesen Umständen erfordern Harzzusammensetzungen, die man von heute an für elektronische Materialien einsetzt und in denen keine Bromverbindungen verwendet werden, gleichzeitig eine höhere Wärmebeständigkeit als bei bisher hergestellten Harzzusammensetzungen.
  • Als ein Bromverbindungen ersetzendes Verfahren zum Nicht-brennbarmachen von Stoffen wurden herkömmlicherweise Phosphor- und Stickstoffver- bindungen zugegeben und in die Harzgerüste eingeführt. Dies ist beispielsweise in der am 22. Oktober 1997 eingereichten japanischen Patentanmeldung (Offenlegungsschrift Hei 11-124489) und der am 05. Januar 1998 eingereichten japanischen Patentanmeldung (japanische Offenlegungsschrift Hei 11-199753) offenbart. Um die Nichtbrennbarkeit mit Phosphor und Stickstoff sicherzustellen, ist es erforderlich, dass man diese in einem gewissen Maße vermischt.
  • Wenn man diese zur Sicherung der Nichtbrennbarkeit vermischt, gab es jedoch dahingehend Probleme, dass die Wasserabsorptionsrate zunimmt, die Wärmebeständigkeit abnimmt, und dergleichen.
  • Als ein Verfahren zum Nichtbrennbarmachen von Stoffen, bei dem der Umfang, in dem Phosphor und Stickstoff eingeführt werden, reduziert ist, gibt es ein Metallhydrate verwendendes Verfahren. Beispielsweise wird in der am 18. Dezember 1997 eingereichten japanischen Patentanmeldung (japanische Offenlegungsschrift Hei 11-181243) eine Technologie offenbart, bei der Stoffe unter Verwendung von hydratisiertem Aluminiumoxid nicht-brennbar gemacht werden.
  • Da Metalihydrate jedoch Wasser abfangen, welches einen Kühleffekt beim Brennen ausübt, gab es das Problem, dass sich die Wärmebeständigkeit schnell verringert, wenn man Volumina dieser in einem gewissen Ausmaß beimengt.
  • Der Grund für die Abnahme der Wärmebeständigkeit bei der Verwendung von Metallhydraten liegt darin, dass die Temperatur, bei der die Metallhydrate Wasser freisetzen, unterhalb der Schmelztemperatur der Lötmasse liegt.
  • Man geht davon aus, dass diese Tendenz bei Pb-freien Lötmassen, bei denen man einen Anstieg der Schmelztemperatur auf höhere Werte erwartet, signifikanter ist.
  • Als Verfahren zum Erhöhen der Wärmebeständigkeit mit Metallhydraten offenbart die am 06. Juli 1999 eingereichte japanische Patentanmeldung (japanische Offeniegungsschrift Hei 11-181305) ein verfahren, welches Magnesiumhydroxid einsetzt, dessen Wasserfreisetzungstemperatur vergleichsweise hoch (etwa 340°C) ist.
  • Es gab jedoch dahingehend ein Problem, dass Magnesiumhydroxid im Hinblick auf seine Säurebeständigkeit unterlegen ist. Darüber hinaus offenbaren die am 06. Juli 1999 eingereichte japanische Patentanmeldung (japanische Offenlegungsschrift Hei 11-181380) und die am 03. Februar 1998 eingereichte japanische Patentanmeldung (japanische Offenlegungsschrift Hei 11-217467) ein Verfahren zur Silan-Behandlung der Oberfläche eines Metallhydrats mit einem Silanverbindungsmonomer, welches den Zweck hat, die Dispergierung des Metallhydrats, die Zugfestigkeit, und die Dehnung zu erhöhen.
  • Jedoch war hinsichtlich des Silanverbindungsmonomers eine erhöhte Wärmebeständigkeit des Metallhydrats nicht zu erkennen angesichts der Tatsache, dass die Wärmebeständigkeit des Monomers selbst gering ist und der Wirkungsgrad der Oberflächenbehandlung für das Metallhydrat niedrig ist.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine nicht-brennbare Harzzusammensetzung, eine laminierte Platte und eine gedruckte Leiterplatte bereitzustellen, die eine hohe Wärmebestänäigikeit aufweisen und keine Bromverbindungen erfordern.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine nichtbrennbare Harzzusammensetzung bereitgestellt, die ein Siliconoligomer, ein Metallhydrat und ein Harzmaterial als wesentliche komponenten umfasst, worin das Metallhydrat mindestens 20 Gew.-% der gesamten Feststoffe der Harzzusammensetzung ausmacht.
  • Der Ausdruck "gesamte Feststoffe", wie er hier verwendet wird, bezieht sich auf anorganischen Füllstoff, Harze, Härtungsmittel und Härtungsbeschleuniger, die man beliebig auswählen kann.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine nichtbrennbare Zusammensetzung bereitgestellt, die mindestens ein Harzmaterial enthält, das man aus einer Gruppe auswählt, die aus einem Epoxyharz, einem Polyimidharz, einem Triazinharz, einem Phenolharz, einem Melaminharz und einem denaturierten Harz unter Denaturierung dieser Harze besteht.
  • Ferner stellt die vorliegende Erfindung eine nicht-brennbare Harzzusammensetzung zur Verfügung, worin das Metallhydrat eine mit einem Siliconoligomer behandelte Oberfläche aufweist.
  • Ferner stellt die vorliegende Erfindung eine nicht-brennbare Harzzusammensetzung zur Verfügung, die ein Aluminiumhydroxid als Metallhydrat enthält.
  • Ferner stellt die vorliegende Erfindung eine nicht-brennbare Harzzusammensetzung zur Verfügung, worin der mittlere Teilchendurchmesser des Aluminiumhydroxids 5 μm oder weniger ist.
  • Ferner stellt die vorliegende Erfindung eine nicht-brennbare Harzzusammensetzung zur Verfügung, die Magnesiumhydroxid als Metallhydrat enthält.
  • Ferner stellt die vorliegende Erfindung eine nicht-brennare Harzzusammensetzung zur Verfügung, die Calciumhydroxid als Metallhydrat enthält.
  • Ferner stellt die vorliegende Erfindung eine nicht brennbare Harzzusammensetzung zur Verfügung, worin das Ende des Siliconoligomers eine Silanolgruppe aufweist, die in der Lage ist, mit der Oberfläche des Metallhydrats zu reagieren.
  • Ferner stellt die vorliegende Erfindung eine nicht-brennbare Harzzusammensetzung zur Verfügung, worin der Polymerisationsgrad des Siliconoligomers 2 bis 7.000 beträgt.
  • Ferner stellt die vorliegende Erfindung eine nicht-brennbare Harzzusammensetzung zur Verfügung, worin das Siliconoligomer eine aromatische Gruppe enthält.
  • Ferner stellt die vorliegende Erfindung eine nicht-brennbare Harzzusammensetzung zur Verfügung, worin jede Siloxaneinheit des Siliconoligomers eine aromatische Gruppe oder mehrere enthält.
  • Ferner stellt die vorliegende Erfindung ein Prepreg, das unter Gebrauch der nicht-brennbaren Harzzusammensetzung hergestellt wird, eine laminierte Platte, die unter Gebrauch des Prepregs hergestellt wird, eine metallumhüllte laminierte Platte, die unter Gebrauch der laminierter Platte hergestellt wird und eine gedruckte Leiterplatte, die unter Gebrauch der metallumhüllten laminierten Platte hergestellt wird, zur Verfügung.
  • Ein weiterer Aspekt der vorliegenden Erfindung stellt ein Verfahren zur Herstellung einer nicht-brennbaren Harzzusammensetzung zur Verfügung, welches Verfahren umfasst: ein Metallhydrat wird einer Verarbeitungslösung beigemischt, die ein Siliconoligomer enthält; und dann werden andere Harzkomponenten der Lösung beigemischt.
  • Ferner stellt die vorliegende Erfindung eine nicht-brennbare Harzzusammensetzung unter Verwendung von Aluminiumhydroxid als Metallhydrat zur Verfügung.
  • Durch Verwendung der erfindungsgemäßen nicht-brennbaren Harzzusammensetzung kann man ein Prepreg, eine laminierte Platte, eine kupferumhüllte laminierte Platte, eine gedruckte Leiterplatte und eine mehrschichtige Leiterplatte herstellen, die in den letzten Jahren angestrebt wurden, eine ausgezeichnete Nichtbrenrbarkeit ohne die Verwendung von Brom aufweisen und eine hohe Wärmebeständigkeit zeigen.
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft einen Gegenstand, der in der japanischen Patentanmeldung mit der Nummer 2000-313720, eingereicht am 13. Oktober 2000, enthalten ist, deren Offenbarung hier in ihrer Gesamtheit durch Bezugnahme ausdrücklich inkorporiert wird.
  • Detaillierte Beschreibung der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine nicht-brennbare Harzzusammensetzung, eine laminierte Platte und eine gedruckte Leiterplatte, welche eine Zusammensetzung verwenden, die ein Metallhydrat und ein Siliconoligomer, aber keine Bromverbindungen enthält. Im folgenden wird die vorliegende Erfindung beschrieben.
  • Ein Metallhydrat beinhaltet gemäß der vorliegenden Erfindung Metallhydroxide, insbesondere Aluminiumhydroxid, Magnesiumhydroxid und Calciumhydroxid, die man herkömmlicherweise in nicht-brennbaren Harzzusammensetzungen verwendet und die bekannt sind, ist aber nicht darauf begrenzt.
  • Im Hinblick auf die Wärmebeständigkeit, die Nichtbrennbarkeit und die Dispersionseigenschaften der Partikel, ist es bevorzugt, dass der mittlere Teilchendurchmesser des Metallhydroxids 10 μm oder weniger beträgt. Wenn darüber hinaus Aluminiumhydroxid als Metallhydrat verwendet wird, ist es besonders bevorzugt, Aluminiumhydroxid zu verwenden, dessen mittlerer Teilchendurchmesser 5 μm oder weniger beträgt, da dessen Wasserfreisetzungstemperatur und Wärmebeständigkeit hoch sind. Der Minimalwert des Teilchendurchmessers ist nicht speziell begrenzt, da er von der Korngrößenverteilung abhängt, liegt jedoch vorzugsweise bei 0,5 μm oder mehr. Beträgt er weniger als 0,5 μm, ist die Viskosität zum Zeitpunkt des Imprägnierens ("varnishing") hoch und es kommt zu einer signifikanten Verringerung der Fluidität des Harzes.
  • Darüber hinaus kann man diese Metallhydrate und andere anorganische Füllstoffe in Kombination verwenden. Die Arten und Formen der anorganischen Füllstoffe, die man in Kombination mit den Metallhydraten verwendet, sind nicht spezifisch begrenzt. Beispielsweise verwendet man Calciumcarbonat, Aluminiumoxid, Titanoxid, Glimmer, Aluminiumcarbonat, Magnesiumsilikat, Aluminiumsilikat, Siliziumoxid und eine Vielzahl von Einkristallarten (whiskers), wie kurze Glasfasern, Aluminiumborat und Siliziumcarbid. Ferner kann man ein paar Arten dieser in Kombination verwenden.
  • Das Mischvolumen des anorganischen Füllstoffs beträgt vorzugsweise 20 bis 80 Gew.-% bezüglich der gesamten Feststoffe der Harzzusammensetzung. Unter diesen beträgt das Metallhydrat 20 Gew.-% oder mehr bezüglich der gesamten Feststoffe der Harzzusammensetzung.
  • Ein Siliconoligomer enthält in der vorliegenden Erfindung mindestens eine Art von Einheiten, die man unter einer bifunktionellen Siloxaneinheit (R2SiO2/2), trifunktionellen Siloxaneinheit (RSiO3/2) (in der Formel bedeutet R eine organische Gruppe, wobei die R-Gruppen im Siliconoligomer identisch oder unterschiedlich sein können.), und einer tetrafunktionellen Siloxaneinheit (SiO4/2) auswählt. Darüber hinaus hat das Siliconoligomer eine funktionelle Gruppe oder mehrere, die mit der Hydroxygruppe an dessen Ende reagiert.
  • Es ist bevorzugt, dass der Polymerisationsgrad 2 bis 7.000, stärker bevorzugt 2 bis 100, besonders bevorzugt 2 bis 70 beträgt.
  • Man berechnet den Polymerisationsgrad aus dem zahlengemittelten Molekulargewicht, das unter Gebrauch einer Kalibrierungsprobe des Standards Polystyrol oder Polyethylenglycol über das Polymer-Molekulargewicht (im Falle eines geringen Polymerisationsgrades) oder durch Gelpermeations-Chromatographie gemessen wird.
  • Hinsichtlich R wählt man vorzugsweise eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen oder eine aromatische Gruppe, wie eine Phenylgruppe. Um die Wärmebeständigikeit weiter zu fördern, ist es jedoch stärker bevorzugt, dass das Verhältnis der aromatischen Gruppen erhöht wird. Es ist besonders bevorzugt, dass die jeweilige Siloxaneinheit des Siliconoligomers eine aromatische Gruppe oder mehrere enthält, und es ist besonders bevorzugt, dass sie eine Phenylgruppe enthält.
  • Als mit der Hydroxygruppe reagierende funktionelle Gruppe kann man eine Silanolgruppe, eine Alkoxygruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen, eine Acyloxygruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen, ein Halogen, wie Chlor oder dergleichen, mit der Ausnahme von Brom, anführen.
  • Ein Siliconoligomer kann man erfindungsgemäß erhalten, indem man eine Silanverbindung der folgenden allgemeinen Formel (I) hydrolysiert und eine Polykondensation durchführt.
  • In der Formel bedeutet X ein Halogen, wie Chlor, mit der Ausnahme von Brom, oder -OR, worin R eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen oder eine Alkylcarbonylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen bedeutet, R' bedeutet eine organische Gruppe, wie Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen oder eine Phenylgruppe, n bezeichnet eine ganze Zahl von 0 bis 2). R'nSiX4-n (I)
  • Silanverbindungen der allgemeinen Formel (I) sind konkret Silanverbindungen mit 4 Funktionalitäten (im folgenden bedeutet Funktionalität in einer Silanverbindung, dass diese eine funktionelle Gruppe aufweist, die eine Kondensationsreaktion eingeht), beispielsweise die Folgenden: Si(OCH3)4, Si(OC2H5)4, Si(OC3H7)4, Si(OC4H9)4, Monoalkyltrialkoxysilane, wie die Folgenden: H3CSi(OCH3)3, H5C2Si(OCH3)3, H7C3Si(OCH3)3, H9C4Si(OCH3), H3CSi(OC2H5)3, H5C2Si(OC2H5)3, H7C3Si(OC2H5)3, H9C4Si(OC2H5)3, H3CSi(OC3H7)3, H5C2Si(OC3H7)3, H7C3Si(OC3H7)3, H9C4Si(OC3H7)3, H3CSi(OC4H9)3, H5C2Si(OC4H9)3, H7C3Si(OC4H9)3, H9C4Si(OC4H9)3, Phenyltrialkoxysilane, wie die Folgenden: PhSi(OCH3)3, PhSi(OC2H5)3, PhSi(OC3H7)3, PhSi(OC4H9)3, (worin Ph eine Phenylgruppe bedeutet. Im folgenden als die gleiche bezeichnet, wie sie dargestellt ist).
  • Monoalkyltriacyloxysilane, wie die Folgenden: (H3CCOO)3SiCH3, (H3CCOO)3SiC2H5, (H3CCOO)3SiC3H7, (H3CCOO)3SiC4H9, trifunktionelle Silanverbindungen, z. B. Monoalkyltrihalogensilane, wie die Folgenden: Cl3SiCH3, Cl3SiC2H5, Cl3SiC3H7, Cl3SiC4H9, Dialkyldialkoxysilane, wie die Folgenden: (H3C)2Si(OCH3)2, (H5C2)2Si(OCH3)2, (H7C3)2S(CH3)2, (H9C4)2Si(OCH3)2, (H3C)2Si(OC2H5)2, (H5C2)2Si(OC2H5)2, (H7C3)2Si(OC2H5)2, (H9C4)2Si(OC2H5)2, (H3C)2Si(OC3H7)2, (H5C2)2Si(OC3H7)2, (H7C3)2Si(OC3H7)2, (H9C4)2Si(OC3H7)2, (H3C)2Si(OC4H9)2, (H5C2)2Si(OC4H9)2, (H7C3)2Si(OC4H9)2, (H9C4)2Si(OC4H9)2, Diphenyldialkoxysilane, wie die Folgenden: Ph2Si(OCH3)2, Ph2Si(OC2H5)2, Dialkyldialkoxysilane, wie die Folgenden: (H3CCOO)2Si(CH3)2, (H3CCOO)2Si(C2H5)2, (H3CCOO)3Si(C3H7)2, (H3CCOO)2Si(C4H9)2 und bifunktionelle Silanverbindungen z. B. Alkyldihalogensilane, wie die Folgenden. Cl2Si(CH3)2, Cl2Si(C2H5)2, Cl2Si(CH3)2, Cl2Si(C2H5)2,
  • Als Silanverbindung der allgemeinen Formel (I) kann man gemäß der Erfindung irgendeine tetrafunktionelle Silanverbindung, trifunktionelle Silanverbindung, bifunktionelle Silanverbindung oder deren Mischung auf geeignete Weise verwenden.
  • Zur Förderung der Wärmebeständigkeit ist es bevorzugt, Silanverbindungen mit einer aromatischen Gruppe zu verwenden. Es ist besonders bevorzugt, eine Phenyltrialkoxysilanverbindung mit einer Phenylgruppe und eine Diphenyldialkoxysilanverbindung zu verwenden.
  • Hinsichtlich des Gebrauchsvolumens der Verbindung mit einer Phenylgruppe ist es bevorzugt, dass sie in einem Verhältnis von 5 bis 100 mol%, bezüglich der gesamten Silanverbindung eingesetzt wird. Es ist besonders bevorzugt, sie in einem Verhältnis von 50 bis 100 mol% zu verwenden.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird das Siliconoligomer durch Hydrolysieren der Silanverbindung der allgemeiner. Formel (I) und Durchführen einer Polykondensationsreaktion hergestellt.
  • Als zu diesem Zeitpunkt verwendeter Katalysator sind anorganische Säuren wie Salzsäure, Schwefelsäure, Phosphorsäure, Salpetersäure und Fluorsäure (fluoric acid); und organische Säuren, wie Oxalsäure, Maleinsäure, Sulfonosäure und Ameisensäure bevorzugt, aber man kann auch basische Katalysatoren, wie Ammoniak und Trimethylammonium einsetzen.
  • Hinsichtlich dieser Katalysatoren verwendet man ein geeignetes Volumen gemäß dem Volumen der Silanverbindung der allgemeinen Formel (I). Man verwendet sie jedoch vorzugsweise im Bereich von 0,001 bis 1,0 mol bezüglich l mol der Silanverbindung der allgemeinen Formel (I).
  • Ferner kann zum Zeitpunkt dieser Reaktion Wasser vorliegen. Das Volumen des Wassers wird ebenfalls auf geeignete Weise bestimmt. Bei zu viel Wasser kann die Konservierungsstabilität der Beschichttungsflüssigkeit abnehnmen. Daher betragt das Wasservolumen vor vorzugsweise 0 bis 5 mol bezüglich 1 mol hydrolytischer Gruppe (beispielsweise Alkoxygruppe), welche die Silanverbindung der allgemeinen Formen (I) aufweist. Es liegt stärker bevorzugt im Bereich von 0,5 bis 2 mol.
  • Ferner ist es bevorzugt, dass die zuvor beschriebene Hydrolyse und Polykondensation in einem Lösungsmittel durchgeführt wird. Das Lösungsmittel ist nicht speziell begrenzt. Man erhält das Siliconoligomer durch geeigne tes Mischen und Rühren von Silanverbindung, Katalysator, Wasser und Lösungsmittel. Zu diesem Zeitpunkt ist die Konzentration der Silanverbindung, die Reaktionstemperatur, die Reaktionsdauer und dergleichen nicht speziell begrenzt.
  • Diese Siliconoligomere bedecken die Oberfläche des Metallhydrats und erhöhen die Temperatur, bei der das Metallhydrat von ihm selbst zurückgehaltenes Wasser freisetzt. Üblicherweise kann man die Temperatur, bei der das Metallhydrat Wasser freisetzt, über den Verlust beim Erhitzen, mit einem Rasterkalorimeter oder über thermische Zersetzungs-Gaschromatographie an dem Metallhydrat messen. Die Temperatur, bei der es Wasser freisetzt, unerscheidet sich in stärkerem Umfang in Abhängigkeit von der Art, der Form und dergleichen des Metallhydrats. Wenn man Aluminiumhydroxid als Metallhydrat verwendet, erhöht sich durch die Behandlung mit dem zuvor beschriebenen Siliconoligomer die Temperatur am einige °C bis einige zehn °C.
  • Das Volumen des Siliconoligomers beträgt vorzugsweise 0,01 bis 20 Gew.-Teile, stärker bevorzugt 0,1 bis 10 Gew.-Teile bezüglich 100 Gew.-Teilen des anorganischen Füllstoffs angesichts der Wärmebestandigkeit der erfindungsgemäßen Harzzusammensetzung.
  • Darüber hinaus kann man in der vorliegenden Erfindung eine Vielzahl von Kupplungsmitteln oder dergleichen, abgesehen vor den Siliconoligomeren, in Kombination verwenden. Als Kupplungsmittel kann man Kupplungsmittel auf Silanbasis, Kupplungsmittel auf Titanatbasis und dergleichen anführen.
  • Als Kupplungsmittel auf Silanbasis kann man im allgemeinen ein Kupplungsmittel auf Epoxysilanbasis, ein Kupplungsmittel auf Aminosilanbasis, ein Kupplungsmittel auf kationischer Silanbasis, ein Kupplungsmittel auf Vinylsilanbasis, ein Kupplungsmittel auf Acrylsilanbasis, ein Kupplungsmittel auf Vinylsilanbasis, ein Kupplungsmittel auf der Basis deren Komposits und dergleichen anführen.
  • Wenn man diese Kupplungsmittel in Kombination verwendet, unterliegen die Mischverhältnisse keinen speziellen Begrenzungen, aber es ist bevorzugt, dass das Gewichtsverhältnis des Kupplungsmittels und des Siliconoligomers auf einen Bereich von 0,001 : 1 bis 1 : 0,001 eingestellt wird. Ferner ist es besonders bevorzugt, es auf einen Bereich von 0,001 : 1 bis 1 : 1 einzustellen.
  • Das in der vorliegenden Erfindung verwendete Harzmaterial ist nicht speziell beschränkt, unter der Voraussetzung, dass es kein Brom enthält. Als Harzmaterial kann man beispielsweise ein Epoxyharz, ein Polyimidharz, ein Triazinharz, ein Phenolharz, ein Melaminharz, die denaturierten Substanzen dieser Harze und dergleichen verwenden.
  • Darüber hinaus kann man hinsichtlich dieser Harze zwei Arten in Kombination verwenden, ferner eine Vielzahl von Härtungsmitteln, Härtungsbeschleunigern und dergleichen je nach Bedarf zugeben und diese auch als Lösung in einem Lösungsmittel zumischen.
  • Das Mischvolumen wird über das Verhältnis bezüglich des Volumens an organischem Füllstoff bestimmt, der ein Metallhydrat enthält. Es ist bevorzugt, dass das gesamte Mischvolumen des Härtungsmitteis und des Härtungsbeschleunigers, die man je nach Harz und Bedarf verwendet, im Bereich von 20 Gew.-% bis 80 Gew.-% der gesamten Feststoffe der Harzzusammensetzung liegt.
  • Im Hinblick auf das Gleichgewicht an Eigenschaften, wie Wärmebeständigkeit, Feuchtigkeitsbeständigkeit, Kosten und dergleichen ist es bevorzugt, ein Epoxyharz zu verwenden.
  • Als Epoxyharz verwendet man beispielsweise vorzugsweise ein Epoxyharz vom Bisphenoltyp, ein Epoxyharz vom Novolaktyp, ein Epoxyharz mit aliphatischer Kette, epoxydiertes Polybutadien, ein Epoxyharz vom Glycidylestertyp, ein Epoxyharz vom Glycidylamintyp und dergleichen und besonders bevorzugt verwendet man Epoxyharze vom Bisphenoltyp, wie Epoxyharz vom Bisphenol A-Typ, Epoxyharz vom Bisphenol F-Typ, Epoxyharz vom Bisphenol S-Typ und dergleichen und Epoxyharze vom Novolaktyp, wie Epoxyharz vom Kresol-Novolaktyp, Epoxyharz vom Bisphenol A-Novolaktyp, Epoxyharz vom Salicylaldehyd-Phenolnovolaktyp und dergleichen. Unter dem Gesichtspunkt einer erhöhten Wärmebeständigkeit ist es besonders bevorzugt, ein Epoxyharz vom Bisphenol A-Novolaktyp, ein Epoxyharz vom Kresol-Novolaktyp oder ein Epoxyharz vom Salicylaldehyd-Phenol-Novolaktyp zu verwenden. Diese Harze kann man einzeln verwenden oder zwei oder mehr Arten dieser Harze in Kombination.
  • Als Härtungsmittel kann man eine Vielzahl herkömmlich bekannter Arten einsetzen. Wenn man beispielsweise ein Epoxyharz als Harz verwendet, ist ein Härtungsmittel für den Gebrauch beispielsweise ein multifunktionelles Phenol, wie Dicyandiamid, Diaminodiphenylmethan, Diaminodiphenylsulfon, Phthalsäureanhydrid, Pyromeliitsäureanhydrid, Phenol-Novolak und Kresol-Novolak. Bei diesen Härtungsmitteln kann man auch verschiedene Arten in Kombination verwenden.
  • Die Arten der Härtungsbeschleuniger und deren Mischvolumina sind nicht speziell begrenzt; beispielsweise kann man eine Verbindung auf Imidazolba sis, eine Verbindung auf organischer Phosphorbasis, ein tertiäres Amin, ein quaternäres Ammononiumsalz oder zwei oder mehr Arten dieser in Kombination verwenden.
  • Das Lösungsmittel wird oft zur Verdünnung dieser lackbildenden Harzmaterialien, Metallhydrate, Siliconoligomere und dergleichen verwendet. Dieses Lösungsmittel ist nicht speziell begrenzt, aber man kann beispielsweise Aceton, Methylethylketon, Toluol, Xylol, Methylisobutylketon, Ethylacetat, Ethylenglycol-Monomethylether, N,N-Dimethylformamid, Methanol und Ethanol anführen. Diese Lösungsmittel kann man einzeln oder in einer Mischung von mehreren Arten verwenden.
  • Darüber hinaus ist die Feststoffkonzentration des Lackes (varnish) nicht begrenzt und kann in Abhängigkeit von den Harzzusammensetzungen, anorganischen Füllstoffen, den Mischvolumina und dergleichen geeignet verändert werden. Es ist jedoch bevorzugt, dass sie im Bereich von 50 Gew.-% bis 85 Gew.-% liegt. Wenn der Feststoffanteil unterhalb von 50 Gew.-% liegt, besteht eine Neigung zu geringerer Lack-Viskosität und der Harzanteil des Prepregs ist zu gering. Wenn der Feststoffanteil oberhalb von 85 Gew.-% liegt, besteht die Tendenz, dass das Erscheinungsbild des Prepregs und dergleichen sich infolge der erhöhten Viskosität des Lacks und dergleichen verschlechtern.
  • Die Behandlungsverfahren für die Oberfläche des Metallhydrats zum Zeitpunkt der Lackbildung sind nicht speziell begrenzt: man kann ein Metallhydrat, das mit dem zuvor beschriebenen Siliconoligomer behandelt wurde, verwenden; man kann ein Siliconoligomer mit einem Harz und einem Metalihydrat zum Zeitpunkt der Lackbildung vermischen; oder man kann die Lackbildung, so wie sie ist, durchführen, nachdem das Metallhydrat in die Behandlungsflüssigkeit eingebracht wurde, in die man das Siliconoligomer und dergleicrten zuvor eingebracht hatte und führt dann eine Rührbehandlung durch.
  • Ein Prepreg für eine gedruckte Leiterplatte erhält man, indem man die jeweiligen Komponenten mischt, unter Erhalt eines Lacks, das Basismaterial mit dem erhaltenen Lack imprägniert und im bereich von 80°C bis 20°C im Trockenofen trocknet.
  • Das Basismaterial, das man bei der Herstellung einer Metall(folien)umhüllten laminierten Platte und einer (mehrschichtigen) gedruckten Leiterplatte verwendet, unterliegt keinen speziellen Beschränkungen; üblicherweise verwendet man jedoch Materialien auf Faserbasis, beispielsweise ein gewebtes oder ein nicht gewebtes Textilerzeugnis.
  • Als Fasergrundmaterial kann man beispielsweise anorganische Fasern, wie Glas, Aluminiumoxid, Asbest, Bor, Siliziumoxid-Aluminiumoxidglas, Siliziumoxidglas, Si-Ti-C-O-Faser-verstärktes SiC (Chiranofaser), Siliziumcarbid, Siliziumnitrid, Zirkonium und organische Fasern, wie Aramid, Polyetheretherketon, Polyehterimid, Polyethersulfon, Kohlenstoff, Cellulose und dergleichen verwenden. Diese kann man einzeln oder zwei oder mehrere Arten in Kombination verwenden. Ein besonders bevorzugtes Fasergrundmaterial ist ein gewogenes Gewebe aus Glasfaser.
  • Eine laminierte Platte kann man erhalten, indem man je nacrt Dicke der herzustellenden laminierten Platte Prepreglagen übereinander legt. Dieses kann zusammen mit einem anderen Prepreg in Kombination verwendet werden. Berücksichtigt man einen Kontakt der laminierten Oberfläche mit einer Flamme, ist es bevorzugt, dass ein nicht brennbares erfindungsgemäßes Prepreg als Oberflächenschicht aufgebracht wird.
  • Mann stelle die metallumhüllte laminierte Platte her, indem man eine Metallfolie mit dem Prepreg belagert, erhitzt und bei 150 bis 200°C Druck im Bereich von 1,0 MPa bis 8,0 MPa aufgibt. Die Metallfolie unterliegt keinen speziellen Beschränkungen, jedoch verwendet man Kupferfolie vorzugsweise unter elektrischen und ökonomischen Gesichtspunkten.
  • Eine gedruckte Leiterplatte kann man dann mit einem üblicherweise eingesetzten Verfahren, wie einem Subtraktionsverfahren (Abziehverfahren), durch Perforieren und dergleichen behandeln.
  • Man kann ein Prepreg, eine metallaminierte Platte und eine gedruckte Leiterplatte gemäß der vorliegenden Erfindung als Material einer mehrschichtigen Leiterplatte verwenden.
  • Wenn man erfindungsgemäß eine laminierte Platte unter Einsatz eines Metallhydrats und eines Siliconoligomers in Kombination herstellt, erzielt man Nichtbrennbarkeit, obwohl keine Bromverbindung verwendet wird, und kann die Abnahme der Wärmebeständigkeit, die durch Beimengen eines Metallhydrats auftritt, unterdrücken.
  • Im folgenden werden Beispiele für die vorliegende Erfindung beschrieben.
  • Beispiel 1
  • 40 g Tetramethoxysilan und 93 g Methanol wurden in einem Glasgefäß vermischt, das mit einem Rührer, einem Kondensator und einem Thermometer ausgestattet war, wobei man eine Lösung erhielt.
  • Zu der erhaltenen Lösung gab man 0,47 g Essigsäure und 18,9 g destilliertes Wasser und rührte 8 Stunden bei 50°C, um ein Siliconoligomer zu synthetisieren. Der mittlere Polymerisationsgrad des erhaltenen Siliconoligomers betrug 20.
  • Man sollte anmerken, dass der mittlere Polymerisationsgrad aus dem zahlengemittelten Molekulargewicht berechnet wurde, das man unter Verwendung einer Kalibrationskurve des Standards Polystyrol über die GelpermeationsChromatographie bestimmte.
  • Zu dem erhaltenen Oligomer gab man Methylethylketon, um eine Silicon-Oligomer-Lösung mit einem Feststoffgehalt von 25 Gew.-% herzustellen.
  • Wie im folgenden angegeben, wurde ein Harz, ein Härtungsmittel, ein Härtungsbeschleuniger, ein Metallhydrat und ein Siliconoligomer mit der erhaltenen Siliconoligomer-Lösung vermischt und dann Methylethylketon zugegeben, um einen Lack mit einem Feststoffgehalt von 70 Gew.-% herzustellen.
    Epoxyharz vom Bisphenol A-Typ (Ep1001, hergestellt von Oil Chemical Shell Epoxy, Co., Ltd.; Epoxyäquivalent: 466) 30,0 Gew.-Teile
    Epoxyharz vom Orthocresol-Novolaktyp (ESCN-195, hergestellt von Sumitomo Chemical, Co., Ltd.; Epoxyäquivalent: 195) 70,0 Gew.-Teile
    Dicyandiamid 5,0 Gew.-Teile
    2-Ethyl-4-methylimidazol 0,5 Gew.-Teile
    Aluminiumhydroxid (CL310, hergestellt von Sumitomo Chemical, Co., Ltd.) 155,0 Gew.-Teile
    Siliconoligomerlösung (25 Gew.-%) 4,0 Gew.-Teile
  • Beispiel 2
  • Ähnlich wie in Beispiel 1 mischte man 40 g Trimethoxymethylsilan und 93 g Methanol und erhielt eine Lösung. Zu der erhaltenen Lösung gab man 0,53 g Essigsäure und 15,8 g destilliertes Wasser und rührte dann 8 Stunden bei 50°C, um ein Siliconoligomer zu synthetisieren. Der mittlere Polymerisationsgrad des erhaltenen Oligomers betrug 15. Zu dem erhaltenen Oligomer gab man Methylethylketon, um eine Siliconoligomerlösung mit einem Feststoffgehalt von 25 Gew.-% herzustellen. Ein Lack wurde ähnlich wie in Beispiel 1 unter Verwendung der erhaltenen Siliconoligomerenlösung hergestellt.
  • Beispiel 3
  • Ähnlich wie in Beispiel 1 mischte man 20 g Dimethoxydimethylsilan, 25 g Tetramethoxysilan und 105 g Methanol und erhielt eine Lösung. Zu der erhaltenen Lösung gab man 0,60 g Essigsäure und 17,8 g destilliertes Wasser und rührte 8 Stunden bei 50°C, um ein Siliconoligomer zu synthetisieren. Der mittlere Polymerisationsgrad des erhaltenen Oligomers betrug 30. Zu dem erhaltenen Oligomer gab man Methylethylketon, um eine Siliconoligomerlösung mit einem Feststoffgehalt von 25 Gew.-% herzustellen. Ähnlich wie in Beispiel 1 stellte man einen Lack her unter Verwendung der erhaltenen Siliconoligomerlösung.
  • Beispiel 4
  • Ähnlich wie in Beispiel 1 mischte man 20 g Trimethoxymethylsilan, 22 g Tetramethoxysilan und 93 g Methanol und erhielt eine Lösung. Zu der erhaltenen Lösung gab man 0,52 g Essigsäure und 18,3 g destilliertes Wasser und rührte dann 8 Stunden bei 50°C, um ein Siliconoligomer zu synthetisieren. Der mittlere Polymerisationsgrad des erhaltenen Oligomers betrug 25. Zu dem erhaltenen Oligomer gab man Methylethylketon, um eine Siliconoligomerlösung mit einem Feststoffgehalt von 25 Gew.-% herzustellen. Ähnlich wie in Beispiel 1 stellt man einen Lack her unter Verwendung der erhaltenen Siliconoligomerlösung.
  • Beispiel 5
  • Ähnlich wie in Beispiel 1 mischte man 10 g Dimethoxymethylsilan, 10 g Trimethoxysilan, 20 g Tetramethoxysilan und 93 g Methanol und erhielt eine Lösung. Zu der erhaltenen Lösung gab man 0,52 g Essigsäure und 16,5 g destiliertes Wasser und rührte dann 8 Stunden bei 50°C, um ein Siliconoligomer zu synthetisieren. Der mittlere Polymerisationsgrad des erhaltenen Oligomers betrug 23. Zu dein erhaltenen Oligomer gab man Methylethylketon, um eine Siliconoligomerlösung mit einem Feststoffgehalt von 25 Gew.-% herzustellen. Ähnlich wie in Beispiel 1 stellt man einen Lack her unter Verwendung der erhaltenen Siliconoligomerlösung.
  • Beispiel 6
  • Ähnlich wie in Beispiel 1 mischte man 40 g Tetraethoxysilan und 93 g Methanol und erhielt eine Lösung. Zu der erhaltenen Lösung gab man 0,34 g Essigsäure und 13,8 g destilliertes Wasser und rührte dann 8 Stunden bei 50°C, um ein Siliconoligomer zu synthetisieren. Der mittlere Polymerisationsgrad des erhaltenen Oligomers betrug 13. Zu dem erhaltenen Oligomer gab man Methylethylketon, um eine Siliconoligomerlösung mit einem Feststoffgehalt von 25 Gew.-% herzustellen. Ähnlich wie in Beispiel 1 stellt man einen Lack her unter Verwendung der erhaltenen Siliconoligomerlösung.
  • Beispiel 7
  • Ähnlich wie in Beispiel 1 mischte man 40 g Diphenyldimethoxysilan und 10 g Methanol und erhielt eine Lösung. Zu der erhaltenen Lösung gab man 0,20 g Essigsäure und 6,0 g destilliertes Wasser und rührte dann 1 Stunde bei 25°C, um ein Siliconoligomer zu synthetisieren. Der mittlere Polymerisationsgrad des erhaltenen Oligomers betrug 2. Zu dem erhaltenen Oligomer gab man Methylethylketon, um eine Siliconoligomerlösung mit einem Feststoffgehalt von 25 Gew.-% herzustellen. Ähnlich wie in Beispiel 1 stellt man einen Lack her unter Verwendung der erhaltenen Siliconoligomerlösung.
  • Beispiel 8
  • Ähnlich wie in Beispiel 1 mischte man 40 g Diphenyldimethoxysilan und 10 g Methanol und erhielt eine Lösung. Zu der erhaltenen Lösung gab man 0,20 g Essigsäure und 6,0 g destilliertes Wasser und rührte dann 8 Stunden bei 50°C, um ein Siliconoligomer zu synthetisieren. Der mittlere Polymerisationsgrad des erhaltenen Oligomers betrug 8. Zu dem erhaltenen Oligomer gab man Methylethylketon, um eine Siliconoligomerlösung mit einem Feststoffgehalt von 25 Gew.-% herzustellen. Ähnlich wie in Beispiel 1 stellt man einen Lack her unter Verwendung der erhaltenen Siliconoligomerlösung.
  • Beispiel 9
  • Ähnlich wie in Beispiel 1 mischte man 40 g Phenyltrimetrtoxysilan und 10 g Methanol und erhielt eine Lösung. Zu der erhaltenen Lösung gab man 0,24 g Essigsäure und 11,0 g destilliertes Wasser und rührte dann 8 Stunden bei 50°C, um ein Siliconoligomer zu synthetisieren. Der mittlere Polymerisationsgrad des erhaltenen Oligomers betrug 12. Zu dem erhaltenen Oligomer gab man Methylethylketon, um eine Siliconoligomerlösung mit einem Feststoffgehalt von 25 Gew.-% herzustellen. Ähnlich wie in Beispiel 1 stellt man einen Lack her unter Verwendung der erhaltenen Siliconoligomerlösung.
  • Beispiel 10
  • Ähnlich wie in Beispiel 1 mischte man 40 g Diphenyltrimethoxysilan und 10 g Methanol und erhielt eine Lösung. Zu der erhaltenen Lösung gab man 0,18 g Essigsäure und 5,5 g destilliertes Wasser und rührte dann 8 Stunden bei 50°C, um ein Siliconoligomer zu synthetisieren. Der mittlere Polymerisationsgrad des erhaltenen Oligomers betrug 10. Zu dem erhaltenen Oligomer gab man Methylethylketon, um eine Siliconoligomerlösung mit einem Feststoffgehalt von 25 Gew.-% herzustellen. Ähnlich wie in Beispiel 1 stellt man einen Lack her unter Verwendung der erhaltenen Siliconoligomerlösung.
  • Beispiel 11
  • Ähnlich wie in Beispiel 1 mischte man 40 g Phenyltriethoxysilan und 10 g Methanol und erhielt eine Lösung. Zu der erhaltenen Lösung gab man 0,20 g Essigsäure und 9,0 g destilliertes Wasser und rührte dann 8 Stunden bei 50°C, um ein Siliconoligomer zu synthetisieren. Der mittlere Polymerisationsgrad des erhaltenen Oligomers betrug 9. Zu dem erhaltenen Oligomer gab man Methylethylketon, um eine Siliconoligomerlösung mit einem Feststoffgehalt von 25 Gew.-% herzustellen. Ähnlich wie in Beispiel 1 stellt man einen Lack her unter Verwendung der erhaltenen Siliconoligomerlösung.
  • Beispiel 12
  • Ähnlich wie in Beispiel 1 mischte man 20 g Diphenyldimethoxysilan, 20 g Tetramethoxysilan und 10 g Methanol und erhielt eine Lösung. Zu der erhaltenen Lösung gab man 0,25 g Essigsäure und 12,5 g destilliertes Wasser und rührte dann 8 Stunden bei 50°C, um ein Siliconoligomer zu synthetisieren. Der mittlere Polymerisationsgrad des erhaltenen Oligomers betrug 15. Zu dem erhaltenen Oligomer gab man Methylethylketon, um eine Siliconoligomerlösung mit einem Feststoffgehalt von 25 Gew.-% herzustellen. Ähnlich wie in Beispiel 1 stellt man einen Lack her unter Verwendung der erhaltenen Siliconoligomerlösung.
  • Beispiel 13
  • Ähnlich wie in Beispiel 1 mischte man 20 g Diphenyldimethoxysilan, 20 g Dimethoxydimethyisilan und 10 g Methanol und erhielt eine Lösung. Zu der erhaltenen Lösung gab man 0,28 g Essigsäure und 9,0 g destilliertes Wasser und rührte dann 8 Stunden bei 50°C, um ein Siliconoligomer zu synthetisieren. Der mittlere Polymerisationsgrad des erhaltenen Oligomers betrug 8. Zu dem erhaltenen Oligomer gab man Methylethylketon, um eine Siliconoligomerlösung mit einem Feststoffgehalt von 25 Gew.-% herzustellen. Ähnlich wie in Beispiel 1 stellt man einen Lack her unter Verwendung der erhaltenen Siliconoligomerlösung.
  • Beispiel 14
  • Ähnlich wie in Beispiel 1 mischte man 20 g Diphenyldimethoxysilan, 20 g Trimethoxymethylsilan und 10 g Methanol und erhielt eine Lösung. Zu der erhaltenen Lösung gab man 0,25 g Essigsäure und 11,0 g destilliertes Wasser und rührte dann 8 Stunden bei 50°C, um ein Siliconoligomer zu synthetisieren. Der mittlere polymerisationsgrad des erhaltenen Oligomers betrug 10. Zu dem erhaltenen Oligomer gab man Methylethylketon, um eine Siliconoligomerlösung mit einem Feststoffgehalt von 25 Gew.-% herzustellen. Ähnlich wie in Beispiel 1 stellt man einen Lack her unter Verwendung der erhaltenen Siliconoligomerlösung.
  • Beispiel 15
  • Ähnlich wie in Beispiel 1 mischte man 20 g Diphenyldimethoxysilan, 20 g Phenyltrimethoxysilan und 10 g Methanol und erhielt eine Lösung. Zu der erhaltenen Lösung gab man 0,30 g Essigsäure und 5,9 g destilliertes Wasser und rührte dann 8 Stunden bei 50°C, um ein Siliconoligomer zu syn thetisieren. Der mittlere Polymerisationsgrad des erhaltenen Oligomers betrug 6. Zu dem erhaltenen Oligomer gab man Methylethylketon, um eine Siliconoligomerlösung mit einem Feststoffgehalt von 25 Gew.-% herzustellen. Ähnlich wie in Beispiel 1 stellt man einen Lack her unter Verwendung der erhaltenen Siliconoligomerlösung.
  • Beispiel 16
  • Zu der in Beispiel 7 erhaltenen Siliconoligomerlösung gab man γ-Glycidoxipropyltrimethoxysilan (Handelsname: A-187, hergestellt von Nippon Unicar, Co., Ltd.) als Silankupplungsmittel und Methylethylketon im Verhältnis von 50 : 50 (Gewichtsverhältnis), um eine Siliconoligomer/Silankupplungsmittel-Lösung mit einem Feststoffgehalt von 25 Gew.-% herzustellen.
  • Auf ähnliche Weise wie in Beispiel 1 stellte man einen Lack unter Verwendung der erhaltenen Siliconoligomer/Silankupplungsmittel-Lösung anstelle der Siliconoligomerlösung des Beispiels 1 her.
  • Beispiel 17
  • Zu der in Beispiel 7 erhaltenen Siliconoligomerlösung gab man Isopropyltris(dioctylpyrophosphat)titanat (Handelsname: KR46B, hergestellt von Ajinomoto, Co., Inc.) als Titanat-Kupplungsmittel und Methylethylketon im Verhältnis von 50 : 50 (Gewichtsverhältnis), um eine Siliconoligomer/Silankupplungsmittel-Lösung mit einem Feststoffgehalt von 25 Gew.-% herzustellen.
  • Auf ähnliche Weise wie in Beispiel 1 stellte man einen Lack unter Verwendung der erhaltenen Siliconoligomer/Silankupplungsmittel-Lösung anstelle der Siliconoligomerlösung des Beispiels 1 her.
  • Beispiel 18
  • Auf ähnliche Weise wie in Beispiel 7 stellte man einen Lack her, abgesehen davon, dass ein Magnesiumhydroxid anstelle des Aluminiumhydroxids als Metallhydrat verwendet wurde.
  • Beispiel 19
  • Auf ähnliche Weise wie in Beispiel 7 stellte man einen Lack her, abgesehen davon, dass man Calciumhydroxid anstelle von Aluminiumhydroxid als Metallhydrat verwendete.
  • Beispiel 20
  • Auf ähnliche Weise wie in Beispiel 7 stellte man einen Lack her, abgesehen davon, dass man 100 Gew.-Teile Aluminiumhydroxid und 55 Gew.-Teile Magnesiumhydroxid als Metallhydrate verwendete.
  • Beispiel 21
  • Auf ähnliche Weise wie in Beispiel 7 stellte man einen Lack her, abgesehen davon, dass man 100 Gew.-Teile eines Epoxyharzes vom Orthocresol-Novolaktyp als Epoxyharz (ESCN-195, hergestellt von Sumitomi Chemical; Epoxyäquivalent: 195) und 55 Gew.-Teile eines Phenyl-Novolakharzes (HP-850N, hergestellt von Hitachi Chemical Co., Ltd.; Hydroxygruppen-Äquivalent: 108) anstelle des Dicyandiamid verwendete.
  • Beispiel 22
  • Auf ähnliche Weise wie in Beispiel 7 stellte man einen Lack her, abgesehen davon, dass das Mischvolumen des Aluminiumhydroxids 230 Gew.-Teile betrug.
  • Beispiel 23
  • Auf ähnliche Weise wie in Beispiel 7 stellte man einen Lack her, abgesehen davon, dass das Mischvolumen des Aluminiumhydroxids 400 Gew.-Teile betrug.
  • Beispiel 24
  • Zu dem in Beispiel 7 erhaltenen Siliconoligomer gab man Methanol und erhielt eine Siliconoligomer-Behandlungslösung mit einem Feststoffgehalt von 3 Gew.-%. Zu der erhaltenen Behandlungslösung gab man das gleiche Volumen Aluminiumhydroxid wie in Beispiel 21, rührte 1 Stunde bei 25°C und trocknete dann 3 Stunden bei 80°C, wodurch man ein mit einem Siliconoligomer behandeltes Aluminiumhydroxid erhielt. Auf ähnliche Weise wie in Beispiel 21 wurde ein Lack hergestellt unter Verwendung des erhaltenen behandelten Aluminiumhydroxids.
  • Beispiel 25
  • Zu dem in Beispiel 7 erhaltenen Siliconoligomer gab man Methylethylketon und erhielt eine Siliconoligomer-Behandlungslösung mit einem Feststoffgehalt von 5 Gew.-%. Zu der erhaltenen Behandlungslösung gab man das gleiche Volumen an Aluminiumhydroxid wie in Beispiel 21, rührte eine Stunde bei 25°C, um eine Lösung zu erhalten, und setzte dann die Lösung dazu ein, einen Lack auf ähnliche Weise wie in Beispiel 21 zu gewinnen.
  • Vergleichsbeispiel 1
  • Man stellte einen Lack her, ohne eine Siliconoligomer-Lösung zu dem Lack des Beispiels 1 beizumengen.
  • Vergleichsbeispiel 2
  • Man stellte einen Lack auf ähnliche Weise wie in Beispiel 1 her, abgesehen davon, dass man 1 Gew.-Teil γ-Glycidoxypropyltrimethoxysilan (Pro duktbezeichnung: A-187, hergestellt von Nippon Unicar, Co., Ltd.) anstelle des Siliconoligomers des Beispiels 1 verwendete.
  • Vergleichsbeispiel 3
  • Man stellte einen Lack auf ähnliche Weise wie in Beispiel 1 her, abgesehen davon, dass man 1 Gew.-Teil Isopropyltris(dioctylpyrophosphat)titanat (Handelsname: KR46B, hergestellt von Ajinomoto, Co., Ltd.) anstelle des Siliconoligomers des Beispiels 1 verwendete.
  • Vergleichsbeispiel 4
  • Auf ähnliche Weise wie in Beispiel 7 stellte man einen Lack her, abgesehen davon, dass man 1 Gew.-Teil Diphenyldimethoxysilan-Verbindung anstelle des Siliconoligomers des Beispiels 7 beimengte.
  • Vergleichsbeispiel 5
  • Man stellte einen Lack her, indem man die 155 Gewichtsanteile des Aluminiumhydroxids im Lack des Beispiels 1 auf 20 Gewichtsanteile reduzierte.
  • Beispiel 26 und Vergleichsbeispiel 6
  • Eine Glastextilstruktur (#2116, E-Glas) mit einer Dicke von etwa 0,1 mm wurde mit den in den Beispielen 1–25 und den Vergleichsbeispielen 1–5 hergestellten Lacken imprägniert, dann erhitzt und bei 150°C 3 bis 10 Minuten getrocknet, wodurch man Prepregs mit 43 Gew.-% Harz erhielt.
  • Man stapelte vier der erhaltenen Prepregs übereinander und legte eine mit Kupfer umhüllte laminierte Platte mit einer Dicke von 18 μm auf beide Seiten der gestapelten Prepregs und presste dann 90 Minuten bei 170°C und 4,0 MPa, um eine laminierte Platte herzustellen, die auf beiden Seiten mit Kupfer umhüllt war.
  • Man bewertete die erhaltenen Platten hinsichtlich ihrer Nichtbrennbarkeit und Wärmebeständigkeit. Die Ergebnisse sind in den Tabellen 1 bis 4 angegeben.
  • Die Testverfahren waren wie folgt:
    Nichtbrennbarkeit: eine laminierte Platte, auf der die gesamte Oberfläche geätzt war, wurde gemäß dem Vertikaltest in Übereinstimmung mit den UL-94-Normen bewertet.
    Wärmebeständigkeit: mit einer auf beiden Seiten kupferumhüllten laminierten Platte, die auf eine Größe von 50 mm × 50 mm zurechtgeschnitten wurde, wurde der Zeitraum gemessen, bis die laminierte Platte gequollen war, nachdem die laminierte Platte auf geschmolzenem Lötmetall bei 260°C bzw. 288°C schwamm.
  • Das Quellen der laminierten Platte zeigt ein Ablösen der Grenzfläche zwischen Glas und Harz, einen Riß oder ein Ablösen zwischen den Schichten des Prepregs ("tube") an.
  • Tabelle 1
    Figure 00200001
  • Tabelle 2
    Figure 00200002
  • Tabelle 3
    Figure 00210001
  • Tabelle 4
    Figure 00210002
  • Darüber hinaus wurden hinsichtlich Beispiel 1 die zuvor beschriebenen Tests ausgeführt, indem man innere Schichtschaltkreise in den laminierten Platten vorsah, die hergestellten Prepregs ähnlich wie die Prepregs auf beiden Seiten anordnete und eine mehrschichtige Plätte herstellte.
  • Im Ergebnis wurde bestätigt, dass sowohl die Nichtbrennbarkeit als auch die Wärmebeständigkeit der mehrschichtigen Platte ziemlich gute Ergebnisse aufwies, die mit den zuvor beschriebenen Ergebnissen vergleichbar waren.
  • An den zuvor beschriebenen Ergebnissen sieht man, dass die Beispiele 1 bis 25 die UL 94V-0-Norm erfüllen und die Wärmebeständigkeit bei 260°C und die Wärmebeständigkeit bei 288°C ziemlich gut ist.
  • Man sollte verstehen, dass dies nur eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung ist und es ist beabsichtigt, alle Änderungen und Modifikationen der erfindungsgemäßen Beispiele, die hier zum Zwecke der Offenbarung gewählt würden, abzudecken, die nicht vom Erfindungsgedanken und -bereich abweichen.

Claims (15)

  1. Prepreg, das eine nicht-brennbare Harzzusammensetzung umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass die Harzzusammensetzung ein Siliconoligomer, ein Metallhydrat und ein Harzmaterial umfasst, worin das Metallhydrat 20 Gew.-% oder mehr der gesamten Feststoffe der Harzzusammensetzung ausmacht.
  2. Prepreg gemäss Anspruch 1, worin das Harzmaterial aus einer Gruppe ausgewählt wird, die aus einem Epoxyharz, einem Polyimidharz, einem Trinazinharz, einem Phenolharz, einem Melaminharz und denaturierten Harzen davon besteht.
  3. Prepreg gemäss Anspruch 1, worin das Metallhydrat eine Oberfläche aufweist, die mit einem Siliconoligomer bearbeitet wurde.
  4. Prepreg gemäss Anspruch 1, worin das Metallhydrat ein Aluminiumhydroxid beinhaltet.
  5. Prepreg gemäss Anspruch 4, worin das Aluminiumhydroxid einen mittleren Teilchendurchmesser von 50 m oder weniger aufweist.
  6. Prepreg gemäss Anspruch 1, worin das Metallhydrat Magnesiumhydroxid beinhaltet.
  7. Prepreg gemäss Anspruch 1, worin das Metallhydrat Calciumhydroxid beinhaltet.
  8. Prepreg gemäss Anspruch 1, worin ein Ende des Siliconoligomers eine Silanolgruppe aufweist, die in der Lage ist, mit der Oberfläche eines Metallhydrats zu reagieren.
  9. Prepreg gemäss Anspruch 1, worin der Polymerisationsgrad des Siliconoligomers im Bereich von 2 bis 7.000 liegt.
  10. Prepreg gemäss Anspruch 1, worin das Siliconoligomer eine aromatische Gruppe aufweist.
  11. Prepreg gemäss Anspruch 1, worin jede Siloxaneinheit des Siliconoligomers mindestens eine aromatische Gruppe aufweist.
  12. Laminierte Platte, die unter Verwendung des Prepregs gemäss einem der Ansprüche 1 bis 11 hergestellt wurde.
  13. Metallumhüllte, laminierte Platte, die unter Verwendung des Prepregs gemäss einem der Ansprüche 1 bis 11 hergestellt wurde.
  14. Gedruckte Leiterplatte, die unter Verwendung der laminierten Platte gemäss Anspruch 12 oder der metallumhüllten laminierten Platte gemäss Anspruch 13 hergestellt wurde.
  15. Mehrschichtige gedruckte Leiterplatte, die unter Verwendung des Prepregs gemäss einem der Ansprüche 1 bis 11 hergestellt wurde.
DE60100652T 2000-10-13 2001-10-12 Unbrennbare Harzzusammensetzung, Prepreg, mehrschichtige Platte, metallbedeckte mehrschichtige Platte, Leiterplatte und mehrschichtige Leiterplatte Expired - Lifetime DE60100652T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000313720 2000-10-13
JP2000313720 2000-10-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE60100652D1 DE60100652D1 (de) 2003-10-02
DE60100652T2 true DE60100652T2 (de) 2004-06-24

Family

ID=18793092

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE60100652T Expired - Lifetime DE60100652T2 (de) 2000-10-13 2001-10-12 Unbrennbare Harzzusammensetzung, Prepreg, mehrschichtige Platte, metallbedeckte mehrschichtige Platte, Leiterplatte und mehrschichtige Leiterplatte

Country Status (9)

Country Link
US (1) US6706409B2 (de)
EP (1) EP1197514B1 (de)
JP (3) JP5186221B2 (de)
KR (2) KR100572532B1 (de)
CN (1) CN1212354C (de)
AT (1) ATE248203T1 (de)
DE (1) DE60100652T2 (de)
SG (1) SG108282A1 (de)
TW (2) TW200423831A (de)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002155127A (ja) * 2000-11-22 2002-05-28 Nippon Kayaku Co Ltd エポキシ樹脂組成物及びそれを硬化してなる有機・無機複合体
JP2003003076A (ja) * 2001-06-22 2003-01-08 Hitachi Chem Co Ltd 難燃性樹脂組成物、それを用いたプリプレグ、金属箔張積層板及びプリント配線板
US7332229B2 (en) 2002-04-15 2008-02-19 Zeon Corporation Varnish, shaped item, electrical insulating film, laminate, flame retardant slurry and process for producing flame retardant particles and varnish
DE602005017509D1 (de) * 2004-11-26 2009-12-17 Lg Chemical Ltd Nicht-halogene flammenhemmende epoxidharzzusammensetzung und prepreg sowie kupferkaschiertes laminat damit
US7851536B2 (en) * 2005-09-15 2010-12-14 Rutgers, The State University Flame-retardant coating
US8524841B2 (en) * 2006-09-29 2013-09-03 Nippon Shokubai Co., Ltd. Curable resin composition, optical material, and method for controlling optical material
EP2086307B1 (de) * 2006-11-20 2019-07-10 Monsanto Technology LLC Pflanzenwachstum und bildgebungsvorrichtung sowie entsprechendes verfahren
JP4888719B2 (ja) * 2007-07-13 2012-02-29 東レ・デュポン株式会社 銅張り板
JP5539706B2 (ja) * 2009-12-16 2014-07-02 旭化成ケミカルズ株式会社 プリプレグ、金属箔張積層板、及びプリント配線板
JP5930549B2 (ja) * 2011-06-09 2016-06-08 住友精化株式会社 不燃フィルム、不燃フィルム用分散液、不燃フィルムの製造方法、太陽電池バックシート、フレキシブル基板、及び、太陽電池
CN104119639B (zh) * 2013-04-24 2016-08-03 台光电子材料(昆山)有限公司 无卤素树脂组合物及应用其的铜箔基板及印刷电路板
CN106364067B (zh) * 2016-08-29 2021-10-12 上海国纪电子材料有限公司 一种p10覆铜板
CN114026102A (zh) * 2019-07-18 2022-02-08 巴斯夫欧洲公司 孪生单体组合物及其介电膜
KR102601266B1 (ko) * 2021-04-19 2023-11-13 주식회사 액시드 난연성 필름 및 난연성 필름을 위한 코팅 조성물
KR102807057B1 (ko) * 2021-06-18 2025-05-15 (주)엠케이켐앤텍 폴리실록산 난연성 코팅제, 난연성 폴리실록산, 이의 제조방법 및 이로부터 제조된 난연물품
JP7594819B2 (ja) 2022-10-25 2024-12-05 共立エレックス株式会社 自己消火性を有する樹脂材料

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4686135A (en) * 1985-01-29 1987-08-11 Hiraoka & Co., Ltd. Composite sheet material
US4666765A (en) * 1985-10-02 1987-05-19 Caldwell James M Silicone coated fabric
JPS62143953A (ja) 1985-12-18 1987-06-27 Shin Etsu Chem Co Ltd 低発煙性ゴム組成物
JPS6322853A (ja) * 1987-02-13 1988-01-30 Hitachi Ltd シリコ−ンフエノ−ル系化合物の組成物、及びその用途
JP2550808B2 (ja) * 1991-08-23 1996-11-06 日立電線株式会社 難燃性電気絶縁組成物および難燃性電線・ケーブル
CN1100816C (zh) * 1995-06-27 2003-02-05 日立化成工业株式会社 印刷线路板用预浸坯料、树脂漆以及树脂组合物，及用其制成的印刷线路用层压板
JP4164883B2 (ja) * 1997-08-19 2008-10-15 日立化成工業株式会社 印刷配線板用樹脂組成物及びそれを用いたプリプレグ、金属張り積層板
AU733739B2 (en) 1997-10-01 2001-05-24 Kyowa Chemical Industry Co., Ltd. Flame retardant resin composition
JP3297014B2 (ja) 1997-10-01 2002-07-02 協和化学工業株式会社 難燃性樹脂組成物
JP4245197B2 (ja) * 1997-10-08 2009-03-25 日立化成工業株式会社 印刷配線板用プリプレグの製造方法及びこれを用いた金属張積層板
JP3611435B2 (ja) 1997-10-22 2005-01-19 住友ベークライト株式会社 難燃性樹脂組成物、これを用いたプリプレグ及び積層板
JPH11181243A (ja) 1997-12-18 1999-07-06 Hitachi Chem Co Ltd 難燃性エポキシ樹脂組成物及びこの組成物を用いた電気部品
JPH11181380A (ja) 1997-12-19 1999-07-06 Mitsui Chem Inc 難燃性接着剤組成物
JPH11199753A (ja) 1998-01-05 1999-07-27 Toshiba Chem Corp 積層用難燃性樹脂組成物
JPH11217467A (ja) 1998-02-03 1999-08-10 Yazaki Corp ノンハロゲン難燃性樹脂組成物
EP0960855A1 (de) 1998-05-29 1999-12-01 Martinswerk GmbH für chemische und metallurgische Produktion Nicht-hygroskopisches thermisch stabiles Aluminiumhydroxid
CA2272448A1 (en) 1998-05-29 1999-11-29 Martinswerk Gmbh Fur Chemische Und Metallurgische Produktion Non-hygroscopic thermally stable aluminium hydroxide
JP4399061B2 (ja) 1999-10-13 2010-01-13 東レ・ダウコーニング株式会社 難燃性ポリオレフィン系樹脂組成物、その製造方法および難燃性ケーブル
JP3460820B2 (ja) * 1999-12-08 2003-10-27 日本電気株式会社 難燃性エポキシ樹脂組成物
JP2001226676A (ja) * 2000-02-14 2001-08-21 Kansai Research Institute 難燃剤、その製造方法及び難燃樹脂組成物
JP4872160B2 (ja) * 2000-03-21 2012-02-08 日立化成工業株式会社 誘電特性に優れる樹脂組成物並びにこれを用いて作製されるワニス、ワニスの製造方法、プリプレグ及び金属張積層板
JP4365987B2 (ja) * 2000-05-15 2009-11-18 協和化学工業株式会社 積層板用材料および電機および電子機器用樹脂組成物およびその成型品
JP3664124B2 (ja) * 2000-10-13 2005-06-22 日立化成工業株式会社 難燃性樹脂組成物、それを用いたプリプレグ、積層板、金属張積層板、印刷配線板及び多層印刷配線板

Also Published As

Publication number Publication date
EP1197514B1 (de) 2003-08-27
CN1350031A (zh) 2002-05-22
DE60100652D1 (de) 2003-10-02
JP5186221B2 (ja) 2013-04-17
TW200423831A (en) 2004-11-01
KR20020029639A (ko) 2002-04-19
JP2008179819A (ja) 2008-08-07
KR100572532B1 (ko) 2006-04-24
ATE248203T1 (de) 2003-09-15
KR100570924B1 (ko) 2006-04-13
US6706409B2 (en) 2004-03-16
TWI293320B (de) 2008-02-11
JP2011099113A (ja) 2011-05-19
US20020068173A1 (en) 2002-06-06
CN1212354C (zh) 2005-07-27
JP2012122081A (ja) 2012-06-28
KR20040111217A (ko) 2004-12-31
EP1197514A1 (de) 2002-04-17
TWI293544B (de) 2008-02-11
SG108282A1 (en) 2005-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60100652T2 (de) Unbrennbare Harzzusammensetzung, Prepreg, mehrschichtige Platte, metallbedeckte mehrschichtige Platte, Leiterplatte und mehrschichtige Leiterplatte
DE69614857T2 (de) Prepreg für gedruckte leiterplatten, harzlack, harzzusammensetzung und laminat für gedruckte leiterplatten
DE60025883T2 (de) Epoxidharz-Zusammensetzung, Prepreg und mehrschichtige Platte für gedruckte Schaltungen
DE112007001047B4 (de) Harzzusammensetzung, Prepreg, Laminat und Leiterplatte
KR101429839B1 (ko) 프리프레그용 에폭시 수지 조성물, 프리프레그, 및 다층 프린트 배선판
DE60320004T2 (de) Harzzusammensetzung für leiterplatte und lack, prepreg und metallplattiertes laminat unter verwendung davon
JP4697144B2 (ja) プリプレグ用エポキシ樹脂組成物およびプリプレグ、多層プリント配線板
DE10333250A1 (de) Prepreg und Laminat
DE112010001422B4 (de) Phosphorhaltiges Phenolnovolakharz, selbiges umfassendes Härtungsmittel und Epoxyharzzusammensetzung
DE60131384T2 (de) Harzzusammensetzung mit exzellentem dielektrischem verhalten, verfahren zur herstellung einer harzzusammensetzung, mit der zusammensetzung hergestellter lack, verfahren zur herstellung des lacks, mit dem lack hergestellte schichtplatten sowie metallbeschichtetes laminat
JP4277123B2 (ja) 印刷配線板用樹脂組成物、プリプレグ、積層板、及びこれを用いたプリント配線板
DE60016823T2 (de) Interlaminarer isolierender Klebstoff für mehrschichtige gedruckte Leiterplatte
EP1036811A1 (de) Prepreg und laminierte Platte
DE69929483T2 (de) Epoxidharzzusammensetzung für gedruckte Leiterplatte und diese enthaltende gedruckte Leiterplatte
DE69221250T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Laminaten aus hitzehärtbarem Polyphenyloxid/-epoxid
DE69610771T2 (de) Epoxidharzzusammensetzung für gedrückte leiterplatten und damit hergestellte schichtstoffplatten
US6544652B2 (en) Cyanate ester-containing insulating composition, insulating film made therefrom and multilayer printed circuit board having the film
DE69916119T2 (de) Klebstoffbeschichtete kupferfolie, kupferverkleidetes laminat und bedruckte leiterplatte beide hieraus hergestellt
DE102005051611B4 (de) Wärmehärtende Harzzusammensetzung, und Verfahren zur Herstellung eines Prepreg,einer metallbeschichteten, laminierten Platte und einer Platine mit gedruckter Schaltung unter Verwendung derselben
AT522851A2 (de) Harzzusammensetzung, Harzfilm, Metallfolie mit Harz, Prepreg, Metallkaschiertes Laminat und gedruckte Leiterplatte
DE60131778T2 (de) Lack für laminat oder prepreg, mit diesem lack erhaltenes laminat oder prepreg und mit diesem laminat oder prepreg hergestellte leiterplatte
DE3026709A1 (de) Epoxidharzmasse, damit impraegnierte glasfaserbahnen und daraus hergestellte isolierende substrate
JPH0722718A (ja) 印刷配線板用エポキシ樹脂組成物、印刷配線板用プリプレグの製造方法及びコンポジット積層板の製造方法
DE69402898T2 (de) Cyanat-Harzzusammensetzung und kupferbeschichteter Schichtstoff unter Benutzung dieser Zusammensetzung
JP5241279B2 (ja) 無機フィラー

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition