DE4409718A1 - Kondensator für ein Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen Kondensator für ein Halb­ leiterbauelement nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1, speziell auf einen Kondensator vom Stapeltyp, sowie auf ein Verfahren zu seiner Herstellung.

In einer aus einem Transistor und einem Kondensator bestehenden Speicherzelle eines dynamischen Halbleiterspeichers mit wahl­ freiem Zugriff (DRAM) bewirkt ein Anwachsen der Zellenkapazität eine Verbesserung der Lesefähigkeit der Speicherzelle sowie eine Reduktion des Ausmaßes an alphateilchenverursachten Fehlern, wodurch sich die Speichereigenschaften der Zelle ver­ bessern. Während sich die DRAM-Integrationsdichte ungefähr alle drei Jahre vervierfacht, erhöht sich die entsprechende Chip­ fläche lediglich um das 1,4-fache. Die von einer Speicher­ einheitszelle benötigte Zellenkapazität sollte in der normalen Größenordnung bleiben, wobei sich die Speichereinheitszellen­ fläche um ein Drittel verringert. Dementsprechend besteht die Gefahr, daß sich die Zellenkapazität verringert und sich damit die elektrischen Eigenschaften des Speicherbauelementes ver­ schlechtern. Die Zellenkapazität einer Speichereinheitszelle sollte daher innerhalb eines begrenzten Flächenbereiches möglichst hoch gehalten werden.

Es begegnet großen Schwierigkeiten, eine ausreichend hohe Zellenkapazität innerhalb des begrenzten Flächenbereiches für eine herkömmliche Kondensatorstruktur sicherzustellen. Um dem zu begegnen, werden eine Vielzahl von Verfahren zur dreidimen­ sionalen Gestaltung der Kondensatorstruktur zwecks Erhöhung der Zellenkapazität vorgeschlagen. Dabei gibt es Grundstrukturen dreidimensionaler Kondensatoren, wie den Grabenkondensator, den Stapelkondensator und den Stapel/Graben-Kondensator. Der Gra­ benkondensator ist zur Bereitstellung einer großen Kapazität vorteilhaft, er verschlechtert jedoch die Bauelementcharakteri­ stika aufgrund eines komplexen parasitären Transistoreffektes, wie des parasitären MOS-Transistoreffektes, der an der Graben­ oberfläche existiert, oder aufgrund des Leckstroms zwischen den Gräben. Außerdem muß das Herstellungsverfahren sehr genau sein. Im Gegensatz dazu besitzt der Stapelkondensator verglichen mit dem Grabenkondensator einen geringeren parasitären Transistor­ effekt und ist einfach herzustellen. Jedoch ist die Kapazität des Stapelkondensators bei hoher Integrationsdichte nachteili­ gerweise nicht ausreichend groß. Dementsprechend wird ein Kon­ densator benötigt, der in einem einfachen Prozeß der Bau­ elementherstellung erzeugt werden kann und eine hohe Zellen­ kapazität sicherstellt.

T. Ema et al. haben einen Kondensator mit Rippenstruktur vor­ geschlagen, um den obigen Anforderungen zu genügen (siehe T. Erna et al., 3-dimensional stacked capacitor cell for 16M and 64M DRAM, IEDM, 1988, S. 592-595). Der rippenstrukturierte Kondensator ist eine Art von Stapelkondensator und besitzt eine Speicherelektrode, die aus mehreren leitfähigen Schichtteilen aufgebaut ist, wobei die leitfähigen Schichtteile durch Ab­ standsschichten voneinander beabstandet gehalten werden. Auf diese Weise können sowohl die Seitenflächen als auch die Unter- und die Oberseiten der leitfähigen Schichtteile als effektive Elektrodenfläche Verwendung finden, wobei die leitfähigen Schichtteile durch eine einzige Schicht oder durch eine Schichtfolge aus mehreren Schichten gebildet sein können. Da die Zellenkapazität hierbei leicht steuerbar ist, stellt der rippenstrukturierte Kondensator eine vorteilhafte Struktur dar.

Beispielsweise kann ein Halbleiterspeicherbauelement mit rippenstrukturiertem Kondensator eine Speicherelektrode be­ sitzen, bei der sich vier Schichtteile einer ersten leitfähigen Schicht symmetrisch nach allen Seiten mittig um einen Source- Bereich eines Transistors herum erstrecken, wobei vier Ab­ standsschichten zum Separieren der vier Schichtteile der ersten leitfähigen Schicht gebildet sind und bei der weiter durch Verbinden der Kanten der vier leitfähigen Schichtteile eine zylindrische Säule aus der ersten leitfähigen Schicht geformt sowie die gesamte Speicherelektrodenfläche mit einem dielektri­ schen Film überzogen und überall auf dem dielektrischen Film eine Plattenelektrode gebildet ist.

Unter Bezugnahme auf die Fig. 1 bis 3 wird zunächst ein Verfahren zur Herstellung rippenstrukturierter Kondensatoren des herkömmlichen Halbleiterbauelementes erläutert, wie es von T. Ema et al. offenbart wurde. Bezugnehmend auf Fig. 1 ist ein Halbleitersubstrat (10) durch eine Feldoxidschicht (12) in einen aktiven Bereich und einen Isolationsbereich unterteilt, und im aktiven Bereich sind Schalttransistoren ausgebildet, die jeweils aus einem Source-Bereich (14), einem Drain-Bereich (16) sowie einer Gate-Elektrode (18) bestehen. In Verlängerung einer Gate-Elektrode eines angrenzenden Transistors wird hierbei eine jeweilige Wortleitung (18′) auf dem Feldoxidfilm (12) gebildet. Daraufhin wird über das Halbleitersubstrat (10) ganz flächig eine erste Ätzstoppschicht (31) mittels Abscheiden von Sili­ ziumnitrid (Si₃N₄) aufgebracht, um einen späteren Ätzprozeß stoppen zu können und die Gate-Elektroden (18) sowie die Wort­ leitungen (18′) zu isolieren. Dann werden ganzflächig auf der Ätzstoppschicht (31) seriell abwechselnd jeweils eine erste Isolationsschicht (32) und eine erste leitfähige Schicht (34) abgeschieden, so daß z. B. eine Struktur mit vier Rippen ent­ steht, bei der die erste Isolationsschicht vier Schichtteile und die erste leitfähige Schicht drei Schichtteile beinhaltet. Anschließend wird ein photolithographischer Prozeß zur Kontakt­ locherzeugung über dem Source-Bereich (14) ausgeführt, um Kontaktlöcher (36) zu bilden, welche einen jeweiligen Source- Bereich (14) freilegen. Als Isolationsmaterial zur Bildung der ersten Isolationsschicht (32) wird hierbei beispielsweise Siliziumdioxid (SiO₂) verwendet, während als leitfähiges Material zur Bildung der ersten leitfähigen Schicht (34) z. B. störstellendotiertes polykristallines Silizium eingesetzt wird.

Bezugnehmend auf Fig. 2 wird dasselbe leitfähige Material, aus dem die erste leitfähige Schicht (34) besteht, in einer vorbe­ stimmten Dicke ganz flächig auf die resultierende Struktur auf­ gebracht, um eine zweite leitfähige Schicht (35) zu erzeugen. Die zweite leitfähige Schicht (35) ist mit den Source-Bereichen (14) des Halbleitersubstrats (10) über das jeweilige Kontakt­ loch (36) sowie mit der ersten leitfähigen Schicht (34) über die Seitenwände der Kontaktlöcher (36) elektrisch verbunden.

Bezugnehmend auf Fig. 3 werden die zuvor aufgebrachten Schich­ ten, d. h. die erste Isolationsschicht (32) sowie die erste und die zweite leitfähige Schicht (34 und 35), durch Ausführen eines photolithographischen Prozesses unter Verwendung eines (nicht gezeigten) speicherelektrodenbildenden Maskenmusters strukturiert, um eine Speicherelektrodenstruktur auszubilden. Daraufhin wird das zwischen der ersten und der zweiten leit­ fähigen Schicht (34 und 35) verbliebene Isolationsmaterial durch einen Naßätzprozeß entfernt, so daß eine jeweilige Speicherelektrode (100) entsteht. Dabei schützt die erste Ätzstoppschicht (31) den zuvor erzeugten Transistor vor einer Beschädigung durch das Ätzmittel während der Durchführung des Naßätzprozesses. Anschließend werden ein dielektrischer Film (110) über die ganze Oberfläche der Speicherelektroden (100) sowie zur Erzeugung einer Plattenelektrode (120) ein leit­ fähiges Material ganz flächig auf der resultierenden Struktur abgeschieden. Dann werden durch einen photolithographischen Prozeß über den Drain-Bereichen (16) diese freilegende Kon­ taktlöcher erzeugt. Eine zweite Ätzstoppschicht (42) und eine zweite Isolationsschicht (44) werden nacheinander ganzflächig auf die resultierende Struktur aufgebracht, wonach die Drain- Bereiche (16) wieder teilweise freigelegt werden. Anschließend wird ein leitfähiges Material ganz flächig auf der resultieren­ den Struktur zur Erzeugung einer dritten leitfähigen Schicht abgeschieden, wonach zur Bildung einer Bitleitung (50) ein photolithographischer Prozeß unter Verwendung eines (nicht gezeigten) Maskenmusters durchgeführt wird.

Für ein Halbleiterspeicherbauelement mit rippenstrukturiertem Kondensator, wie er durch dieses herkömmliche Verfahren herge­ stellt wird, werden abwechselnd mehrere leitfähige und isolie­ rende Schichten auf einem Halbleitersubstrat abgeschieden und die Isolationsschicht später weggeätzt. Die oberen, seitlichen und unteren Oberflächen der leitfähigen Schichten werden dann als effektive Kondensatorfläche benutzt, wodurch ein Konden­ sator mit hoher Kapazität auf einer kleinen Halbleitersubstrat­ fläche gebildet werden kann, wie es für eine hohe Integrations­ dichte erwünscht ist.

Zur Erzeugung des rippenstrukturierten Kondensators ist jedoch ein Prozeß zum Ätzen der Mehrschichtfolge aus abwechselnd einer leitenden und einer isolierenden Schicht erforderlich, wobei zu beachten ist, daß diese einzelnen Schichten beträchtlich unter­ schiedliche selektive Ätzraten besitzen. Die leitfähige Schicht und die Isolationsschicht könnend daher nicht in einem einzigen Ätzschritt entfernt werden. Vielmehr ist ein für die jeweilige Schicht jeweils geeigneter Ätzschritt erforderlich, was die Herstellung aufwendig macht und eine erhöhte Prozeßdauer erfor­ dert, wodurch sich wiederum der Durchsatz verringert. Normaler­ weise wird als Ätzprozeß zur Separierung der leitfähigen Schicht in die einzelnen Speicherelektroden für jede Zellenein­ heit ein Trockenätzprozeß verwendet. Wenn sich das zu ätzende Objekt während des Ätzprozesses verändert, muß der Trockenätz­ prozeß jedoch so geführt werden, daß die Ätzquelle entsprechend des Ätzselektivitätsmaßes verändert wird. Zudem wird die leit­ fähige Schicht zur Erhöhung der Zellenkapazität zweifach oder noch öfter abgeschieden. Die Verbindung der leitfähigen Schichtteile untereinander erzeugt jeweils eine Kontaktober­ fläche, auf der sich ein natürlicher Oxidfilm bilden kann, was die elektrischen Eigenschaften des Speicherbauelementes ver­ schlechtert. Außerdem erhöht sich die Höhe des höchstgelegenen Kondensatorteils über der Substratoberfläche mit zwecks Vergrö­ ßerung der Zellenkapazität größer werdender Rippenanzahl. Dies ruft Schwierigkeiten bei der Stufenbedeckung hervor, wenn der Metallisierungsprozeß durchgeführt wird, was die Zuverlässig­ keit des Speicherbauelements herabsetzt.

In der Patentschrift US 5.142.639 ist ein verbesserter Konden­ sator mit Rippenstruktur offenbart. Fig. 4 stellt einen Quer­ schnitt des in dieser US-Patentschrift gezeigten Kondensators dar, wobei gleiche Bezugszeichen wie in den Fig. 1 bis 3 gleiche funktionelle Elemente bezeichnen. Bezugnehmend auf Fig. 4 beinhaltet das Halbleiterspeicherbauelement mit einem solchen rippenstrukturierten Kondensator eine erste Isolations­ schicht (20), eine zweite Isolationsschicht (21), jeweilige Speicherelektroden (25), eine dielektrischen Film (26) sowie eine Plattenelektrode (27) auf einer Isolationsschicht (19), welche jeweilige Gate-Elektroden (18) und Wortleitungen (18′) isoliert, wobei eine hierarchische Struktur vorliegt, bei der der dielektrische Film (26) und Speicherelektrodenteile (25) bereichsweise übereinander geschichtet sind.

Im Gegensatz zu dem im Zusammenhang mit den Fig. 1 bis 3 beschriebenen herkömmlichen Verfahren besteht bei diesem Beispiel die speicherelektrodenbildende Rippenstruktur aus einer einzigen leitfähigen Schicht, so daß ein Leckstrom auf­ grund eines zwischenliegenden Materials, wie eines natürlichen Oxidmaterials, verhindert werden kann. Jedoch können die außenliegenden Seitenflächen der Speicherelektroden nicht als effektive Kondensatorflächen benutzt werden, was der Erhöhung der Zellenkapazität Grenzen setzt.

Weitere verbesserte Kondensatoren mit Rippenstruktur sind in den Patentschriften US 4.974.040 (von Taguchi et al.), US 5.071.781 (von Seo et al.), US 5.053.351 sowie US 5.164.337 (von Ogawa et al.) offenbart. Bei den dort gezeigten Kondensa­ toren wird jedoch die verbesserte speicherelektrodenbildende Rippenstruktur durch Aufbringen mehrerer leitfähiger Schichten erzeugt, was den Herstellungsvorgang aufwendig macht und die Bauelementeigenschaften aufgrund des sich bildenden natürlichen Oxidfilms verschlechtert.

Der Erfindung liegt als technisches Problem die Bereitstellung eines Kondensators für ein Halbleiterbauelement mit hoher Zu­ verlässigkeit, der eine hohe Kapazität aufweist und mit ge­ ringem Aufwand herstellbar ist, sowie eines Verfahrens zu seiner Herstellung zugrunde.

Dieses Problem wird durch einen Kondensator für ein Halbleiter­ bauelement mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 sowie durch ein Verfahren zu seiner Herstellung mit den Merkmalen des Pa­ tentanspruchs 5 gelöst. Da die Speicherelektrode aus einer einzigen leitfähigen Schicht gefertigt ist, vereinfacht sich das zugehörige Herstellungsverfahren, und Leckströme durch zwischenliegendes Material, wie z. B. ein natürlicher Oxidfilm, werden verhindert. Gleichzeitig wird durch die spezielle Ge­ staltung des mittleren Speicherelektrodenabschnitts mit einem konvexen, sich nach außen vasenförmig ausbauchenden, mittig hohlen Bereich die Speicherelektrodenoberfläche vor allem in horizontaler Richtung erhöht, so daß eine vergleichsweise hohe Kapazität vorliegt. Des weiteren stehen sowohl die oberen als auch die seitlichen und die unteren Außenflächenabschnitte der Speicherelektrode als effektive Kondensatorfläche zur Ver­ fügung, was auf einfache Weise die Zellenkapazität erhöht.

Insgesamt läßt sich so ein Kondensator mit zuverlässiger Funktion und hoher Kapazität erhalten.

Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unter­ ansprüchen angegeben. Beispielsweise werden die im unteren Bau­ elementbereich gebildeten Komponenten durch die Bildung der Schicht aus einem dritten Material, wie dies nach Anspruch 7 vorgesehen ist, während eines beliebigen isotropen Ätzvorgangs geschützt. Eine Vorgehensweise nach Anspruch 9 hat des weiteren den Vorteil einer in einfacher Weise möglichen Kontaktloch­ erzeugung sowie einer einfachen Bildung des konvexen Elektro­ denabschnitts. Diese einfache Herstellung des konvexen Spei­ cherelektrodenabschnitts wird weiter durch die spezielle Schichtdickenwahl nach Anspruch 10 unterstützt. Wird gemäß Anspruch 11 verfahren, so wird die untere Schicht aus dem zweiten Material zusammen mit der anderen Schicht aus dem zweiten Material sowie der Schicht aus dem ersten Material entfernt, um den unteren Teil des konvexen Abschnitts der Speicherelektrodenstruktur freizulegen. Mit einer Verfahrens­ ausgestaltung nach Anspruch 12 erhält die Speicherelektroden­ struktur eine Mehrzahl von konvexen Bereichen, was die Zellen­ kapazität erhöht. Durch die in Anspruch 13 angegebene Vor­ gehensweise läßt sich der konvexe Speicherelektrodenabschnitt in lateraler Richtung ausdehnen, was bis zu dem Maße möglich ist, daß die Peripherie der benachbarten Struktur nicht be­ einträchtigt wird.

Bevorzugte, nachfolgend beschriebene Ausführungsformen der Er­ findung sowie die zu deren besserem Verständnis oben beschrie­ benen herkömmlichen Ausführungsformen sind in den Zeichnungen dargestellt. Hierbei zeigen:

Fig. 1 bis 3 Querschnitte zur Erläuterung eines herkömmlichen Ver­ fahrens zur Herstellung eines rippenstrukturierten Kondensators für ein Halbleiterbauelement,

Fig. 4 einen Querschnitt zur Veranschaulichung eines modifi­ zierten herkömmlichen rippenstrukturierten Konden­ sators für ein Halbleiterbauelement,

Fig. 5 einen Querschnitt zur Veranschaulichung eines erfin­ dungsgemäßen Kondensators für ein Halbleiterbau­ element,

Fig. 6 bis 10 Querschnitte zur Veranschaulichung eines ersten er­ findungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung des Kondensators von Fig. 5,

Fig. 11 und 12 Querschnitte zur Veranschaulichung eines zweiten er­ findungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung eines weiteren erfindungsgemäßen Kondensators für ein Halbleiterbaulelement und

Fig. 13 und 14 Querschnitte zur Veranschaulichung eines dritten erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung eines weiteren erfindungsgemäßen Kondensators für ein Halbleiterbauelement.

Nachfolgend wird die Erfindung detaillierter unter Bezugnahme auf die dazugehörigen Fig. 5 bis 14 erläutert, wobei funktions­ gleiche Elemente wie in den Fig. 1 bis 4 mit den gleichen Bezugszeichen versehen sind.

Bezugnehmend auf Fig. 5 besteht bei dem dortigen Halbleiter­ speicherbauelement eine jede Speicherelektrode (105) aus einem unteren Abschnitt, der mit einem vorbestimmten Bereich, hier z. B. dem Source-Bereich (14) eines Transistors, eines Halb­ leitersubstrats (10), in welchem eine darunterliegende Struk­ tur, hier z. B. ein Transistor, ausgebildet ist, verbunden ist, sowie aus einem sich von dem unteren Abschnitt nach oben erstreckenden Körper. Der Mittelabschnitt des Körpers bein­ haltet einen konvexen, sich laterial nach außen ausbauchenden und mittig hohlen Bereich und ist auf diese Weise vasenförmig gestaltet, wodurch sich die Oberfläche der Speicherelektrode erhöht. Am obenliegenden Abschnitt des Körpers ist eine sich horizontal erstreckende Rippenstruktur gebildet. Auf die gesamte freiliegende Oberfläche, d. h. auf den innenliegenden und außenliegenden Flächen jeder Speicherelektrode (105) ist unter Zwischenfügung eines dielektrischen Films (115) eine Plattenelektrode (125) aufgebracht. Bei der in Fig. 5 ge­ zeigten Speicherelektrode (105) grenzen die Unterseite eines unteren Teils des konvexen Bereichs sowie ein Teil des unter dem konvexen Bereich liegenden Abschnitts an eine Isolations­ schicht (30) und eine Ätzstoppschicht (31) an, die sich auf dem Halbleitersubstrat (10) befinden. Wie in Fig. 5 dargestellt, ist der dielektrischer Film (115) an der Innenseite, an der Außenseite und um den über dem konvexen Bereich liegenden oberen Abschnitt des Speicherelektrodenkörpers herum ausge­ bildet, wobei alle diese Speicherelektrodenflächenbereiche dementsprechend als effektive Kondensatorflächen zur Verfügung stehen.

Nachfolgend wird ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Her­ stellung dieses Kondensators unter Bezugnahme auf die Fig. 6 bis 10 genauer erläutert.

Fig. 6 veranschaulicht den Schritt zur Erzeugung von Tran­ sistoren auf dem Halbleitersubstrat (10). Genauer gesagt wird zunächst zur Festlegung eines aktiven Gebietes und eines Iso­ lationsgebietes eine Feldoxidschicht (12) auf dem Halbleiter­ substrat (10) erzeugt. Dann wird ganz flächig auf die resul­ tierende Struktur zur Bildung eines Gate-Oxidfilms ein Oxidfilm aufgebracht, wonach zur Bildung von Gate-Elektroden ein leit­ fähiges Material auf dem Oxidfilm abgeschieden wird. Der Oxidfilm und die leitfähige Schicht werden dann durch einen photolithographischen Prozeß strukturiert, so daß die Gate- Elektroden (18) entstehen. Gleichzeitig werden auf der Feld­ oxidschicht (12) Wortleitungen (18, 18′) erzeugt, die jeweils mit der Gate-Elektrode eines benachbarten Transistors verbunden sind. Anschließend wird, wenn ohne Beschränkung der Allge­ meinheit das Halbleitersubstrat als p-dotiert angenommen wird, die resultierende Struktur ganz flächig mit n-leitenden Ionen unter Verwendung der Gate-Elektroden (18) als Maske dotiert, um Source-Bereiche (14) und Drain-Bereiche (16) zu erzeugen, wo­ durch Transistoren mit jeweils einem Source-Bereich (14), einem Drain-Bereich (16) und einer Gate-Elektrode (18) entstehen. Daraufhin wird ganz flächig auf dem mit den Transistoren ver­ sehenen Halbleitersubstrat (10) ein Isolationsmaterial, z. B. ein Hochtemperaturoxid (HTO) erzeugt, so daß eine die Transi­ storen isolierende Isolationsschicht (30) gebildet wird.

Fig. 7 veranschaulicht einen Schritt zum aufeinanderfolgenden Aufbringen einer Schicht (33) aus einem ersten Material sowie einer Schicht (37) aus einem zweiten Material jeweils ganz­ flächig auf das Halbleitersubstrat (10). Zuvor wird zwecks Er­ zeugung einer Ätzstoppschicht (31) ganzflächig auf der mit den Transistoren versehenen resultierenden Struktur eine Silizium­ nitridschicht in einer Dicke von ungefähr 20 nm bis 50 nm abge­ schieden. Dann werden zur Bildung der Schicht (33) aus dem ersten Material sowie der Schicht (37) aus dem zweiten Material nacheinander ein erstes Material und ein zweites Material, deren Ätzraten bezüglich eines ersten isotropen Ätzprozesses unterschiedlich und bezüglich eines zweiten isotropen Ätz­ prozesses ähnlich sind, in einer Dicke von ungefähr 100 nm bis 1000 nm abgeschieden. Wenn beispielsweise Borphosphorsilikatglas (BPSG) als erstes Material verwendet wird, kann als zweites Material ein Hochtemperaturoxid (HTO) benutzt werden. Wenn BPSG als erstes Material für die Schicht (33) verwendet wird, kann die Oberfläche für den nachfolgenden Prozeß durch einen Pla­ narisierungsprozeß geglättet werden, d. h. durch einen BPSG- Aufschmelzprozeß, was bevorzugt ist. Es ist außerdem vorzugs­ weise vorgesehen, die Dicke der Schicht (33) aus dem ersten Material größer, z. B. doppelt so groß oder noch mehr, zu wählen als diejenige einer später aufzubringenden ersten leitfähigen Schicht (Bezugszeichen 41 in Fig. 9) zur Erzeugung erster Kondensatorelektroden. Als die beiden Materialien für die Schicht (33) aus dem ersten Material und die Schicht (37) aus dem zweiten Material (sie seien mit "A" und "B" bezeichnet) sind solche zu verwenden, die bezüglich eines vorbestimmten anisotropen Ätzvorgangs dieselbe Ätzrate und bezüglich eines vorbestimmten ersten isotropen Ätzprozesses unterschiedliche Ätzraten aufweisen (es ist bevorzugt, daß die Ätzrate von "B" achtmal größer als die Ätzrate von "A" oder noch größer ist). Wenn durch ein Naßätzverfahren ein isotroper Ätzprozeß durchge­ führt wird, bei dem ein Ätzmittel wie sogenanntes SC1, das aus einer Mischung von NH₄OH, H₂O₂ und H₂O in einem Verhältnis von 1 : 4 : 20 besteht, das eine bezüglich des vorbestimmten isotropen Ätzprozesses viel höhere Ätzrate für die Schicht (33) aus dem ersten Material wie für die Schicht (37) aus dem zweiten Material aufweist, verwendet wird, ist es wünschenswert, als Schicht (33) aus dem ersten Material eine BPSG-Schicht und als Schicht (37) aus dem zweiten Material eine HTO-Schicht zu benutzen (hierbei beträgt die Ätzrate der HTO-Schicht bezüglich SC1 ungefähr 0,44 nm/min und diejenige der BPSG-Schicht ungefähr 3,52 nm/min). Wenn ein isotropes Ätzen mittels eines Naßätzver­ fahrens unter Verwendung von Flußsäure (HF) durchgeführt wird, ist es wünschenswert, als Schicht (33) aus dem ersten Material eine Spin-on-glass(SOG)-Schicht und als Schicht (37) aus dem zweiten Material eine HTO-Schicht zu verwenden (hierbei beträgt die Ätzrate der SOG-Schicht bezüglich HF ungefähr 500 nm/min bis 900 nm/min und diejenige der HTO-Schicht ungefähr 9 nm/min. Als Material für die Ätzstoppschicht (31) wird bevorzugt ein solches verwendet, dessen Ätzrate von derjenigen des ersten Materials hinsichtlich desjenigen vorbestimmten isotropen Ätzvorgangs verschieden ist, mit dem beabsichtigt ist, die Schicht aus dem ersten Material teilweise zu entfernen. Als derartiges Ätzstoppschichtmaterial eignet sich daher z. B. das oben erwähnte Nitrid. Darüber hinaus kann die Zellenkapazität durch Verändern der Prozeßdauern zum Abscheiden der Schichten aus dem ersten und zweiten Material eingestellt werden. Wenn ein Kondensator nach Bildung einer Bitleitung erzeugt wird, kann die Dicke der Schichten (33 und 37) aus dem ersten und aus dem zweiten Material erhöht werden, wodurch sich die Zellen­ kapazität vergrößern läßt.

Fig. 8 veranschaulicht einen Schritt zur Erzeugung von Kon­ taktlöchern (39) sowie von Aussparungsbereichen (38). Die über den jeweiligen Source-Bereichen (14) der Transistoren liegenden Schichtbereiche werden unter Verwendung eines (nicht gezeigten) Maskenmusters zur Kontaktlocherzeugung entfernt, um zu errei­ chen, daß durch das jeweils gebildete Kontaktloch (39) ein Speicherelektrodenkontakt zum Source-Bereich (14) des jeweili­ gen Transistors erzielbar ist. Wenn das erste und das zweite Material für die Schichten (33 und 37) dieselbe Ätzrate be­ züglich eines anisotropen Ätzprozesses zur Erzeugung der Kontaktlöcher (39) aufweisen, braucht das Ätzgas aufgrund der Änderung des Ätzobjektes im Gegensatz zu dem herkömmlichen Verfahren nicht geändert werden, was die Herstellung verein­ facht. Um die Kontaktlöcher (39) zu erzeugen, wird nach Durch­ führung eines isotropen Ätzens durch ein Naßätzverfahren ein anisotropes Ätzen durch ein Trockenätzverfahren ausgeführt. Die Kontaktlöcher (39) werden daher mit großer Apartur in ihrem oberen Bereich ausgebildet, um einer Hohlraumbildung vorzu­ beugen, die ansonsten in dem nachfolgenden Prozeß auftreten könnte.

Daraufhin wird unter Verwendung eines Naßätzverfahrens ein erster isotroper Ätzprozeß mit der Schicht (33) aus dem ersten Material als Ätzobjekt ganz flächig über der resultierenden Struktur durchgeführt, um den jeweiligen Aussparungsbereich (38) zu erzeugen. In diesem ersten isotropen Ätzprozeß wird nämlich der durch das Kontaktloch (39) jeweils freigelegte Seitenbereich der Schicht (33) aus dem ersten Material teil­ weise geätzt und entfernt. Mit Aussparungsbereich (38) ist dabei ein Bereich gemeint, in welchem der freiliegende Sei­ tenbereich der Schicht (33) aus dem ersten Material lateral zurückgeätzt wurde. Zur Erzeugung des Aussparungsbereichs (38) wird bei diesem Beispiel ein Naßätzprozeß unter Verwendung von SC1 für eine Zeitdauer von 20 bis 50 Minuten durchgeführt.

Fig. 9 veranschaulicht einen Schritt zur Erzeugung von Spei­ cherelektroden. Nach Abschluß der Schrittfolge von Fig. 8 wird hierbei zunächst ein leitfähiges Material, z. B. störstellen­ dotiertes polykristallines Silizium zur Erzeugung einer ersten leitfähigen Schicht (41) mit einer Dicke, die ungefähr halb so groß ist wie die Dicke der Schicht aus dem ersten Material und z. B. ungefähr 50 nm bis 500 nm beträgt, ganzflächig auf der re­ sultierenden Struktur abgeschieden. Dann wird durch Anwendung eines (nicht gezeigten) Maskenmusters eine Photoresiststruktur (43) zur Erzeugung der Speicherelektroden aufgebracht. Unter Verwendung der Photoresiststruktur als Ätzmaske wird die erste leitfähige Schicht (41) in einzelne Zelleneinheiten unterteilt, um die Speicherelektroden (Bezugszeichen 105 in Fig. 10) zu fertigen. Bei dem oben erwähnten herkömmlichen Verfahren müssen zur Erzeugung der Speicherelektroden mehrere leitfähige und isolierende Schichten mit voneinander sehr unterschiedlichen Ätzraten durch einen für jede Schicht jeweils geeigneten Ätz­ vorgang geätzt werden, was deren Herstellung aufwendig macht und die Prozeßdauer verlängert. Im Gegensatz dazu ist der Herstellungsvorgang bei dem erfindungsgemäßen Beispiel sehr viel einfacher und die Prozeßdauer ist beträchtlich verkürzt, da lediglich die erste leitfähige Schicht (41) zu ätzen ist.

Fig. 10 veranschaulicht einen Schritt zur Erzeugung eines dielektrischen Films (115) und einer jeweiligen Plattenelektro­ de (125). Dazu werden zunächst alle verbliebenen Teile der Schichten (33 und 37) aus dem ersten und dem zweiten Material mittels Durchführung eines zweiten isotropen Ätzvorgangs durch ein Naßätzverfahren ganz flächig über der mit den Speicherelek­ troden (105) versehenen Struktur beseitigt, so daß auch die außenliegenden Seitenflächen der Speicherelektroden (105) freigelegt werden. Der Naßätzprozeß wird hierbei für ungefähr 5 bis 50 Minuten unter Verwendung eines Naßätzmittels durchge­ führt, bezüglich dem die Schichten aus dem ersten und dem zweiten Material ähnliche Ätzraten aufweisen, z. B. LAL500, gepuffertes Oxidätzmittel (BOE, d. h. eine Mischung von NH₄F und HF) oder grenzflächenaktives, gepuffertes Oxidätzmittel (SBOE, d. h. eine Mischung von NH₄F und HF mit einem Zusatz eines grenzflächenaktiven Stoffes). Dann wird zur Erzeugung des dielektrischen Films (115) auf der gesamten Oberfläche der Speicherelektroden (105) ein Isolationsmaterial, z. B. eine Nitrid/Oxid-Schichtung (NO), eine Oxid/Nitrid/Oxid-Schichtung (ONO) oder Tantalpentoxid (Ta₂O₅), abgeschieden. Anschließend wird auf die gesamte resultierende Struktur zur Bildung einer zweiten leitfähigen Schicht ein leitfähiges Material, z. B. störstellendotiertes polykristallines Silizium, aufgebracht. Dann wird unter Anwenden eines (nicht gezeigten) Maskenmusters zur Plattenelektrodenbildung ein photolithographischer Prozeß ausgeführt, um jeweils die Plattenelektrode (125) zu erzeugen. Im vorliegenden Beispiel werden durch den zweiten Naßätzprozeß alle restlichen Teile der Schichten (33 und 37) aus dem ersten und dem zweiten Material entfernt, so daß sowohl alle innen­ liegenden als auch alle außenliegenden Oberflächenbereiche der Speicherelektroden (105), die zuvor mit den Schichten aus dem ersten und dem zweiten Material in Kontakt sind, freigelegt werden, was die effektive Kondensatorfläche vergrößert.

Anhand der Fig. 11 und 12 wird nachfolgend die erfindungs­ gemäße Herstellung eines zweiten erfindungsgemäßen Kondensators für ein Halbleiterbauelement beschrieben. Bei diesem Beispiel verlaufen die Herstellungsprozesse analog zu denjenigen des vorigen Beispiels, mit der Ausnahme, daß eine zusätzliche Schicht aus dem zweiten Material aufgebracht wird, bevor die Schicht aus dem ersten Material des vorangegangenen Beispiels gebildet wird.

Fig. 11 veranschaulicht einen Schritt zur Erzeugung eines je­ weiligen Kontaktloches (39) und eines jeweiligen Aussparungs­ bereiches (38). Entsprechend der zu Fig. 6 beschriebenen Vor­ gehensweise werden hierbei zunächst nacheinander auf dem mit Transistoren versehenen Halbleitersubstrat (10) die Isolations­ schicht (30) sowie die Ätzstoppschicht (31) aufgebracht. Dann wird zuerst ganz flächig über der resultierenden Struktur eine erste Schicht (37a) aus dem zweiten Material aufgebracht, bevor auf dieser ersten Schicht (37a) aus dem zweiten Material nach­ einander die Schicht (33) aus dem ersten Material sowie eine zweite Schicht (37b) aus dem zweiten Material gebildet werden. Dabei werden für die Schicht aus dem ersten Material sowie die erste und zweite Schicht (37a und 37b) aus dem zweiten Material dieselben Materialien verwendet, wie dies im Zusammenhang mit Fig. 6 oben erläutert wurde. Insbesondere ist es bevorzugt, BPSG beispielsweise für die Schicht (33) aus dem ersten Ma­ terial sowie HTO für die erste und die zweite Schicht (37a und 37b) aus dem zweiten Material zu verwenden. Anschließend er­ folgt die Bildung der Kontaktlöcher (39) auf dieselbe Weise wie im Zusammenhang mit Fig. 8 oben erläutert durch Entfernen des über den Source-Bereichen (14) der Transistoren abgeschiedenen Materials. Zur Erzeugung des jeweiligen Aussparungsbereiches (38) wird dann ein erster Naßätzprozeß ganz flächig über der resultierenden Struktur ausgeführt, bei dem die Schicht (33) aus dem ersten Material das Ätzobjekt ist.

Fig. 12 veranschaulicht einen Schritt zur Vervollständigung der Kondensatorbildung. Nachdem die zu Fig. 11 beschriebene Schrittfolge ausgeführt worden ist, werden die Speicherelek­ troden (105) in derselben Weise erzeugt, wie dies zu den Fig. 9 und 10 beschrieben wurde. Dann werden alle verbliebenen Teile der Schicht (33) aus dem ersten Material sowie der ersten und der zweiten Schicht (37a und 37b) aus dem zweiten Material durch ein zweites Naßätzverfahren beseitigt. Anschließend wer­ den über den gesamten Flächen der Speicherelektroden (105) ein dielektrischer Film (115) und eine jeweilige Plattenelektrode (125) aufgebracht, was die Kondensatorerzeugung vervollstän­ digt.

Demgemäß wird bei diesem Ausführungsbeispiel die effektive Kon­ densatorfläche zusätzlich dadurch erhöht, daß der unterseitige Teil des konvexen Bereichs, d. h. des sich nach außen ausbau­ chenden Bereichs, der jeweiligen Speicherelektrode (105) aufgrund der vorangegangenen Bildung der ersten Schicht (37a) aus dem zweiten Material, die später wieder entfernt wird, dann freiliegt, während im Vergleich hierzu dieser Bereich bei dem vorangegangenen Beispiel der Fig. 5 bis 10 in Kontakt mit der Ätzstoppschicht (31) bleibt und daher dort nicht zur effektiven Kondensatorfläche beiträgt.

Nachfolgend wird anhand der Fig. 13 und 14 ein erfindungs­ gemäßes Verfahren zur Herstellung eines dritten erfindungsge­ mäßen Kondensators für ein Halbleiterbauelement erläutert. Bei diesem Beispiel entsprechen die Herstellungsschritte denjenigen des Beispiels gemäß der Fig. 6 bis 10 mit der Ausnahme, daß durch Wiederholung des dortigen ersten Naßätzvorgangs der je­ weilige Aussparungsbereich für die Bildung der Speicherelektro­ den weiter lateral ausgedehnt wird.

Fig. 13 veranschaulicht einen Schritt zur Erzeugung dieser Aussparungsbereiche. Über der resultierenden Struktur mit den Kontaktlöchern (39), wie sie gemäß der oben zu den Fig. 6 bis 9 beschriebenen Vorgehensweise erhalten wird, wird ganz­ flächig ein erster Naßätzprozeß mit der Schicht (31) aus dem ersten Material als Ätzobjekt durchgeführt, um zunächst den jeweiligen Aussparungsbereich zu erzeugen, wie er in Fig. 8 gezeigt ist (das Bezugszeichen 38 in Fig. 8 bezeichnet den Bereich, der dem Bezugszeichen B1 in Fig. 13 entspricht). Daraufhin wird ausgehend von dem Aussparungsbereich (B1) ein weitergehender Aussparungsbereich (B2) ausgeformt, indem der erste Naßätzvorgang erneut durchgeführt wird. Der Aussparungs­ bereich (B2) kann sich dabei, indem der erste Naßätzvorgang wiederholt wird, lateral so weit erstrecken, wie dies möglich ist, ohne die Anordnung der angrenzenden peripheren Struktur (z. B. einer Bitleitung, wenn nach der Kondensatorbildung eine Bitleitung angeordnet wird) zu stören.

Fig. 14 zeigt einen Schritt zur Vervollständigung der Kon­ densatorbildung. Nachdem die Aussparungsbereiche (B2) erzeugt wurden, werden die Speicherelektroden (105), der dielektrische Film (115) sowie die jeweilige Plattenelektrode (125) in der­ selben Weise erzeugt, wie dies im Zusammenhang mit Fig. 10 beschrieben wurde, was die Kondensatorbildung vervollständigt.

Bei diesem Ausführungsbeispiel ist die effektive Kondensator­ fläche aufgrund der tieferen Ausbildung des Aussparungsbe­ reiches (B2) vergrößert. Da diese zusätzliche Kondensatorfläche hauptsächlich in horizontaler Richtung liegt, kann die Zellen­ kapazität sogar ohne wesentliche Zunahme der Speicherelektro­ denhöhe und damit der Stufenbedeckungsproblematik in vertikaler Richtung erhöht werden. Diese Technik der vertieften Bildung des Aussparungsbereichs kann außerdem mit der Herstellungs­ technik gemäß der Fig. 11 und 12 kombiniert werden.

Gemäß der erfindungsgemäßen Vorgehensweise zur Herstellung eines Kondensators für ein Halbleiterbauelement werden ganz­ flächig auf ein Halbleitersubstrat, das eine untenliegende Struktur beinhaltet (z. B. einschließlich einer Bitleitung, wenn eine solche Bitleitung vor der Bildung von Transistoren und Kondensatoren aufgebracht wurde), zur sequentiellen Erzeugung einer Schicht aus einem ersten Material sowie einer Schicht aus einem zweiten Material ein erstes und ein zweites Material ab­ geschieden, deren Ätzraten sich bezüglich eines vorbestimmten anisotropen Ätzvorgangs entsprechen, deren Ätzraten jedoch bezüglich eines vorbestimmten isotropen Ätzvorgangs voneinander verschieden sind. Anschließend wird jeweils ein Kontaktloch zur Freilegung eines Teils eines Source-Bereiches eines Transistors eingebracht. Dann wird jeweils ein konvexer, sich mit lateraler Richtungskomponente erstreckender Aussparungsbereich durch teilweises Entfernen einer der beiden durch das Kontaktloch freigelegten Schichten aus dem ersten und dem zweiten Material unter Verwendung eines ersten isotropen Ätzverfahrens gebildet. Anschließend wird zur Erzeugung von Speicherelektroden ein leitfähiges Material abgeschieden, wonach sämtliche verblie­ benen Teile der Schichten aus dem ersten und dem zweiten Material durch einen zweiten isotropen Ätzprozeß beseitigt werden. Die äußere Seitenwand der Speicherelektrode, welche zuvor in Kontakt mit den Schichten aus dem ersten und dem zweiten Material war, liegt dadurch frei, was auf einfache Weise die Zellenkapazität erhöht. Zu dieser Zellenkapazität­ serhöhung trägt also bei, daß die außenseitige Speicherelektro­ denoberfläche als effektive Kondensatorfläche herangezogen werden kann. Während bei dem herkömmlichen Verfahren für ein anisotropes Ätzen ein Trockenätzvorgang mehrmalig ausgeführt werden muß (da bei dem herkömmlichen Verfahren das Ätzgas mit der Änderung des Ätzobjekts variiert werden muß), ist dieser Trockenätzprozeß bei der Erfindung auf einen einmaligen Vorgang reduziert, was den Herstellungsvorgang insgesamt vereinfacht. Da zudem die Speicherelektroden aus einer einzigen leitfähigen Schicht gebildet werden, werden Leckströme aufgrund zwischen­ liegenden Materials, wie eines natürlichen Oxidfilms, verhin­ dert, und die Speicherelektrodenfläche in horizontaler Richtung kann erhöht werden. Die Speicherelektrodenhöhe und damit das Stufenbedeckungsproblem in vertikaler Richtung vergrößern sich daher nicht wesentlich, so daß der nachfolgende Metallisie­ rungsprozeß mit hoher Zuverlässigkeit durchführbar ist. Als Gesamtergebnis ist es folglich möglich, ein hochintegriertes Halbleiterspeicherbauelement mit hoher Zuverlässigkeit und vergleichsweise geringem Herstellungsaufwand zu fertigen. Es versteht sich, daß der Fachmann im Rahmen der durch die bei­ gefügten Patentansprüche festgelegten Erfindung weitere Modi­ fikationen der oben beschriebenen Ausführungsformen, insbeson­ dere hinsichtlich der jeweiligen detaillierten Gestaltung der Speicherelektroden, vorzunehmen vermag.

Claims (16)

1. Kondensator für ein Halbleiterbauelement, mit

• - einer aus einer einzigen leitfähigen Schicht gefertigten Speicherelektrode (105), welche aus einem mit einem vor­ bestimmten Bereich eines Halbleitersubstrats (10) in Kontakt befindlichen unteren Abschnitt sowie einem sich von diesem unteren Abschnitt nach oben erstreckenden, mittig hohlen Körper besteht,
• - einem auf die Innen- und die Außenseite der Speicher­ elektrode (105) aufgebrachten dielektrischen Film (115) und
• - einer auf den dielektrischen Film (115) aufgebrachten Plattenelektrode (125),

dadurch gekennzeichnet, daß

• - der Speicherelektrodenkörper in einem mittleren Abschnitt wenigstens einen kapazitätserhöhenden, konvex ausgebauchten Bereich aufweist.

2. Kondensator nach Anspruch 1, weiter dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Speicherelektrodenkörper in seinem obersten Abschnitt eine sich in horizontaler Richtung erstreckende Rippenstruktur aufweist.

3. Kondensator nach Anspruch 1 oder 2, weiter dadurch gekennzeichnet, daß die außenliegende Unterseite des konvexen Bereichs und die seitliche Außenfläche des unter dem konvexen Bereich liegenden unteren Abschnitts in Kontakt mit einer auf dem Halbleitersubstrat (10) gebildeten Struktur sind.

4. Kondensator nach Anspruch 1 oder 2, weiter dadurch gekennzeichnet, daß der dielektrische Film (115) und die Plattenelektrode (125) sich auch entlang der außenliegenden Unterseite des konvexen Bereichs erstreckend ausgebildet sind.

5. Verfahren zur Herstellung eines Kondensators für ein Halbleiterbauelement, gekennzeichnet durch folgende Schritte zur Erzeugung eines Kondensators nach einem der Ansprüche 1 bis 4:

• - aufeinander folgendes Aufbringen eines ersten und eines zweiten Materials mit bezüglich eines ersten isotropen Ätzprozesses unterschiedlichen Ätzraten ganz flächig auf ein Halbleitersubstrat (10), auf dem ein aus einem Source- Bereich (14), einem Drain-Bereich (16) und einer Gate- Elektrode (18) bestehender Transistor und eine diesen isolierende Isolationsschicht (30) erzeugt wurden, um Schichten (33, 37) aus dem ersten und dem zweiten Material zu bilden,
• - Ätzen der über dem Source-Bereich (14) befindlichen Teile der Schichten (33 und 37) aus dem ersten und dem zweiten Material sowie der Isolationsschicht (30) zur Erzeugung eines den Source-Bereich (14) teilweise freilegenden Kon­ taktloches (39),
• - teilweises, isotropes Ätzen des durch das Kontaktloch (39) freigelegten Seitenbereiches der Schicht (33) aus dem ersten Material durch den ersten isotropen Ätzprozeß zur Erzeugung eines sich lateral erstreckenden, konvexen Aussparungsbe­ reiches (38),
• - Aufbringen einer ersten leitfähigen Schicht (41) ganzflächig auf die resultierende Struktur einschließlich des Kontakt­ loches (39) und des konvexen Aussparungsbereiches (38),
• - Strukturieren der ersten leitfähigen Schicht (41) in ein­ zelne Zelleneinheiten zur Bildung eines Speicherelektroden­ musters (105),
• - Entfernen der Schichten (33 und 37) aus dem ersten und dem zweiten Material zur Freilegung des Speicherelektroden­ musters (105) und
• - Aufbringen eines dielektrischen Films (115) und einer Plattenelektrode (125) auf das Speicherelektrodenmuster (105).

6. Verfahren nach Anspruch 5, weiter dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Schritt zum Entfernen der Schichten (33 und 37) aus dem ersten und dem zweiten Material mittels eines zweiten isotropen Ätzvorgangs unter Verwendung eines Ätzmittels durchgeführt wird, bezüglich dem die Schichten (33 und 37) aus dem ersten und dem zweiten Material ähnliche Ätzraten auf­ weisen.

7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, weiter gekennzeich­ net durch einen Schritt zum Aufbringen eines dritten Materials auf die Isolationsschicht zur Bildung einer Schicht (31) aus dem dritten Material vor dem Aufbringen der Schicht (33) aus dem ersten Material.

8. Verfahren nach Anspruch 7, weiter dadurch gekenn­ zeichnet, daß als drittes Material ein solches verwendet wird, das bezüglich irgendeines Naßätzprozesses eine von denjenigen des ersten und des zweiten Materials unterschiedliche Ätzrate aufweist.

9. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 8, weiter dadurch gekennzeichnet, daß das erste Material, das bezüglich des ersten isotropen Ätzprozesses eine von derjenigen des zweiten Materials unterschiedliche Ätzrate aufweist, bezüglich eines vorbestimmten anisotropen Ätzprozesses dieselbe Ätzrate besitzt wie das zweite Material.

10. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 9, weiter dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Schichten (33 und 37) aus dem ersten und dem zweiten Material mehr- als doppelt so groß ist wie diejenige der ersten leitfähigen Schicht (41).

11. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 10, weiter gekennzeichnet durch einen Schritt zum Aufbringen einer unten­ liegenden Schicht (37a) aus dem zweiten Material durch Abschei­ den des zweiten Materials vor dem Schritt des aufeinander­ folgenden Aufbringens der Schichten (33, 37) aus dem ersten und dem zweiten Material.

12. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 11, weiter dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des aufeinanderfolgen­ den Aufbringens der Schichten (33 und 37) aus dem ersten und dem zweiten Material wenigstens einmal wiederholt wird.

13. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 12, weiter dadurch gekennzeichnet, daß der erste isotrope Ätzprozeß wenigstens einmal wiederholt wird, um die laterale Ausdehnung des konvexen Aussparungsbereiches (38) zu erhöhen.

14. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 13, weiter dadurch gekennzeichnet, daß das Kontaktloch (39) durch einen anisotropen Ätzprozeß erzeugt wird.

15. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 13, weiter dadurch gekennzeichnet, daß das Kontaktloch (39) mittels Durch­ führung eines isotropen Ätzvorgangs und eines anschließenden anisotropen Ätzvorgangs erzeugt wird.