DE4317926C2 - Speichervorrichtung mit Testfunktion - Google Patents

Speichervorrichtung mit Testfunktion

Info

Publication number
DE4317926C2
DE4317926C2 DE4317926A DE4317926A DE4317926C2 DE 4317926 C2 DE4317926 C2 DE 4317926C2 DE 4317926 A DE4317926 A DE 4317926A DE 4317926 A DE4317926 A DE 4317926A DE 4317926 C2 DE4317926 C2 DE 4317926C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
data
output
signal
read
memory cells
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE4317926A
Other languages
English (en)
Other versions
DE4317926A1 (de
Inventor
Yuto Ikeda
Yoshinori Inoue
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of DE4317926A1 publication Critical patent/DE4317926A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE4317926C2 publication Critical patent/DE4317926C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/14Implementation of control logic, e.g. test mode decoders
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/12015Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details comprising clock generation or timing circuitry

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Speichervorrichtung mit Testfunktion. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung eine Speichervorrichtung mit verminderter Testzeit für Speicherzellen in einem Testmodus.
Im allgemeinen ist eine Speichervorrichtung, wie ein dynamischer Speicher mit wahlfreiem Zugriff (DRAM) mit einer Schaltung zum Testen der Funktion von jeder Speicherzelle, die ein Speicher­ zellenfeld bilden, versehen.
Fig. 6 ist ein Blockschaltbild mit einem Beispiel einer Speichervorrichtung. In Fig. 6 umfaßt ein Speicherzellen­ feld 11 eine Mehrzahl von Speicherzellen (nicht gezeigt), die zweidimensional in Zeilen- und Spaltenrichtung angeordnet sind. Datenleseschaltungen 1 bis 4, die Datenlesevorrichtungen dar­ stellen, reagieren auf ein Lesesteuersignal ΦR, nachfolgend be­ schrieben, das von einer Wellenform-Gestaltungsschaltung 9 be­ reitgestellt wird, zum simultanen Lesen von Daten aus jeweiligen ausgewählten Speicherzellen aus den das Speicherzellenfeld 11 bildenden Speicherzellen, zum Verstärken der gelesenen Daten, und zum nachfolgenden Anlegen der verstärkten Daten als Daten D1 bis D4 an eine Datenverarbeitungsschaltung 5.
Wenn ein Modusbezeichnungssignal (Modusbestimmungssignal) ΦT, das von einer nicht gezeigten Signalquelle erzeugt wird, einen norma­ len Betriebsmodus bestimmt, dient die Datenverarbeitungsschaltung 5 als Datenauswahlschaltung, zum Auswählen eines beliebigen der Daten D1 bis D4 als Reaktion auf ein Adreßsignal ΦA mit vier Bit, das von einer nicht gezeigten Adreßsignalquelle angelegt wird, zum Bereitstellen der ausgewählten Daten als Lesedaten DR. Wenn das Modusbezeichnungssignal ΦT einen Testmodus bestimmt, dient die Datenverarbeitungsschaltung 5 als Exklusive-ODER-(EXOR)-Schaltung und erzeugt das Signal DR, das anzeigt, ob alle der vier Daten D1 bis D4 gleich sind, oder ob mindestens eines von diesen sich von den übrigen unterscheidet. Die Datenverarbeitungsschaltung 5 wird an späterer Stelle im Detail beschrieben.
Die von der Datenverarbeitungsschaltung 5 bereitgestellten Daten DR werden an eine Datenausgabeschaltung 6 angelegt. Die Datenaus­ gabeschaltung 6 stellt die oben erwähnten Daten DR als Ausgabe­ daten DO bereit, zu einem Zeitpunkt, der durch ein Ausgabesteuer­ signal ΦC bestimmt wird, das von einer Ausgabesteuerschaltung 7 bereitgestellt wird, zum Bereitstellen der Daten DO nach außen über einen externen Ausgabeanschluß 8. Die Datenausgabeschaltung 6 und die Ausgabesteuerschaltung 7 werden unten im Detail beschrieben.
Ein Zeilenadreßpulssignal (), das von einer nicht gezeigten Signalquelle erzeugt wird, wird an eine Zeitgebergeneratorschal­ tung 10 (Timing-Generatorschaltung) angelegt, die ein vorbe­ stimmtes Timingsignal ΦR, erzeugt, das mit dem -Signal synchronisiert ist, zum Anlegen von diesem an die Wellenform­ gestaltungsschaltung 9.
Die Wellenformgestaltungsschaltung 9 umfaßt zwei Stufen von Konvertern (nicht gezeigt) und formt die Wellenform des oben erwähnten Timingsignals ΦR, zum Erzeugen des Lesesteuersignals ΦR und zum Anlegen von diesem an die Ausgabesteuerschaltung 7 sowie an die Datenleseschaltungen 1 bis 4, wie oben beschrieben. Die Ausgabesteuerschaltung 7 erzeugt das oben beschriebene Ausgabesteuersignal ΦC auf der Basis des Lesesteuersignals ΦR.
Die Fig. 7, 8 und 9 sind schematische Darstellungen mit Bei­ spielen des Aufbaues der Datenverarbeitungsschaltung 5, der Da­ tenausgabeschaltung 6 bzw. der Ausgabesteuerschaltung 7, und die Fig. 10 und 11 sind Signalpulsdiagramme mit dem Betrieb der in Fig. 6 gezeigten herkömmlichen Speichervorrichtung. Unter Bezug auf die Fig. 6 bis 11 wird der Betrieb der herkömmlichen Speichervorrichtung nachfolgend im Detail beschrieben.
Im normalen Betriebsmodus wird angenommen, daß sich das Modus­ bestimmungssignal ΦT auf niedrigem (L)-Pegel befindet. Daher ist in Fig. 7 ein Schalttransistor 57 eines Schaltkreises 82 in der Datenverarbeitungsschaltung 5 ausgeschaltet, als Reaktion auf das Signal ΦT, während ein Schalttransistor 58 des Schaltkreises 82 als Reaktion auf ein durch einen Inverter 59 invertiertes Signal des Signals ΦT eingeschaltet ist.
Auch werden im normalen Betriebsmodus vier Bit (ΦA1, ΦA2, ΦA3, ΦA4) des Adreßsignales ΦA an die Steuereingänge der Schalt­ transistoren 51 bis 54 einer Auswahlschaltung 81 angelegt, so daß nur einer von diesen eingeschaltet ist. Folglich wird nur ein Datum aus den vier Eingabedaten D1 bis D4, entsprechend dem ein­ geschalteten Schalttransistor als Lesedatum DR über den entspre­ chenden Transistor und den Transistor 58 des Schaltkreises 82 ausgegeben.
Andererseits wird angenommen, daß sich im Testmodus das Modus­ bestimmungssignal ΦT auf hohem (H)-Pegel befindet. Daher wird in Fig. 7 der Schalttransistor 57 des Schaltkreises 82 in der Daten­ verarbeitungsschaltung 5 als Reaktion auf das Signal ΦT einge­ schaltet, während der Schalttransistor 58 des Schaltkreises 82 als Reaktion auf ein durch einen Inverter 59 invertiertes Signal des Signals ΦT ausgeschaltet wird.
Im Testmodus ist das Adreßsignal ΦA zum Auswählen von Lesedaten ungültig, und die oben beschriebene Datenauswahl (Datenselektion) wird nicht durchgeführt. Statt dessen werden die vier Daten D1 bis D4 über eine Exklusiv-ODER-Verknüpfung durch ein EX-OR-Gatter 55 in einer logischen Verarbeitungsschaltung 83 verknüpft, und das Er­ gebnis wird als Lesedatum DR über einen Inverter 56 und einen Transistor 57 ausgegeben. Als Ergebnis, wenn alle vier Daten D1 bis D4, wie aus dem Speicherzellenfeld ausgelesen, miteinander übereinstimmen, wird ein Lesedatum DR mit H-Pegel bereitgestellt, und in den anderen Fällen wird das Lesedatum DR auf L-Pegel be­ reitgestellt.
Das Ausgabesteuersignal ΦC, das von der Ausgabesteuerschaltung 7, die zwei Stufen von Invertern 71 und 72 umfaßt, wie in Fig. 9 gezeigt, bereitgestellt wird, ist ein Steuersignal, das auf L-Pegel inaktiv ist, und es wird angenommen, daß es im inaktiven Zustand während eines Zeitraumes ist, der dem Lesen von Daten einer sogenannten ungültigen Adresse (ungültigen Daten) im Spei­ cherzellenfeld 11 entspricht, auf der Basis des Lesesteuersignals ΦR in Synchronisation mit dem -Signal.
Wie in Fig. 10 gezeigt, wo der Betrieb im normalen Operationsmodus gezeigt ist, ist das Lesedatum DR (Fig. 10(b)) ein ungültiges Datum entsprechend einer ungültigen Adresse während der Periode, während der das Ausgabesteuersignal ΦC (Fig. 10(a)) sich auf L-Pegel befindet, so daß das Ausgabesignal DO (Fig. 10(c)) der Datenausgabeschaltung 6, die, wie in Fig. 8 gezeigt, ein NAND-Gatter 61 sowie einen Inverter 62 aufweist, in einem Hochimpe­ danzzustand (Hi-Z) gehalten wird.
Wenn sich die Adresse des Lesedatums von ungültig auf gültig ändert, ändert sich das Lesedatum DR von einem ungültigen Datum in ein gültiges Datum (Fig. 10(b)). Das Steuersignal ΦC (Fig. 10(a)) steigt auf H-Pegel an, zu einem Zeitpunkt, der vorab definiert worden ist, in einen aktiven Zustand. Als Ergebnis erzeugt die Datenausgabeschaltung 6 aus Fig. 8 das Datum DR, das von der Datenverarbeitungsschaltung 5 angelegt worden ist, und das nach außen als Ausgabedatum DO (Fig. 10(c)) ausgegeben wird.
Wie in Fig. 11 gezeigt, wo der Betrieb im Testmodus gezeigt ist, entspricht der grundsätzliche Betrieb dem aus Fig. 10, mit der Ausnahme, daß das Lesedatum DR (Fig. 11(b)) nicht das aus den vier Daten D1 bis D4 ausgewählte ist, sondern das, das durch eine EX- OR-Verknüpfung der Daten D1 bis D4 erhalten wird. Allerdings ist festzustellen, daß die für die EX-OR-Operation benötigte Zeit eine Verzögerung um einen gewissen Zeitraum mit sich bringt, zu dem Zeitpunkt, daß sich das Lesedatum DR von ungültig auf gültig im Testmodus ändert, bezüglich der Zeitgebung einer derartigen Ände­ rung des Lesedatums DR im normalen Betriebsmodus.
Auch besitzt im Testmodus das Ausgabesteuersignal ΦC dieselbe Wellenform wie im normalen Betriebsmodus, wie durch die durch­ gezogene Linie gezeigt (Fig. 11(a)), was zu einer teilweisen Aus­ gabe des ungültigen Datums DR als Ausgabedatum DO aus der Daten­ ausgabeschaltung 6 führt, wie durch die durchgezogene Linie in Fig. 11(c) gezeigt.
Das folgende Problem entsteht in der herkömmlichen Speichervor­ richtung mit dem oben beschriebenen Aufbau. Wenn im Testmodus das Lesedatum DR von ungültig auf gültig zu dem in Fig. 11(b)) gezeigten Zeitpunkt wechselt (der Zeitpunkt ist später als im normalen Betriebsmodus aus Fig. 10(b)), wird ein Teil des ungül­ tigen Datums einmal als Ausgabedatum DO ausgegeben, wie durch die durchgezogene Linie in Fig. 11(c) gezeigt, da die Wellenform des Ausgabesteuersignals ΦC festgelegt ist. Die Zeit, die zum Ändern des einmal bereitgestellten ungültigen Datums in ein gültiges Da­ tum benötigt wird, führt zu einer deutlichen Verzögerung beim Ausgeben des ursprünglichen gültigen Datums. Daher entsteht bei der oben beschriebenen herkömmlichen Speichervorrichtung das Problem, daß die Zugriffszeit auf gültige Daten im Testmodus lang wird, was zu einer langen benötigten Zeit für einen Funktionstest der Speichervorrichtung führt.
Wenn daher die Zeitgebung, zu der das Ausgabesteuersignal ΦC an­ steigt, wie durch die unterbrochene Linie in Fig. 11(a) verzögert wird, ändert sich das Ausgabedatum DO im Hochimpedanzzustand in ein gültiges Datum zu dem Zeitpunkt, der durch die unterbrochene Linie aus Fig. 11(c) angezeigt ist, so daß die Ausgabe von ungül­ tigen Daten, wie oben beschrieben, verhindert werden kann, und folglich eine Verzögerung im Lesezeitpunkt während des Testmodus verringert werden kann.
Die Verzögerung im Anstieg des Ausgabesteuersignals ΦC führt allerdings zu einer Verzögerung im Anstieg des Signals ΦC auch im normalen Betriebsmodus, so daß das Problem entsteht, daß ein Hochgeschwindigkeitsbetrieb der Speichervorrichtung im normalen Betriebsmodus schwierig durchzuführen ist.
Aus der DE 36 39 169 A1 ist eine Speichervorrichtung bekannt, bei der ebenfalls die Ausgabe von Lesedaten und Testdaten durch einen festgelegten Zeitablauf eines Steuersignals gesteuert wird. Eine Ausgabe ungültiger Testdaten ist daher auch bei dieser Speichervorrichtung möglich.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Speichervorrichtung zu anzugeben, die die für einen Funktionstest für Speicherzellen im Testmodus benötigte Zeit verringert, ohne daß ein Hochgeschwin­ digkeitsbetrieb im normalen Betriebsmodus beeinträchtigt wird.
Die Aufgabe wird durch die Speichervorrichtung nach den Patentanspruch 1 gelöst.
Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
Bei der Speichervorrichtung ist der Zeitpunkt der Datenausgabe aus der Datenverarbeitungsschaltung im Testmodus gegenüber dem normalen Betrieb verzögert, wodurch eine Ausgabe von ungültigen Daten nach außen verhindert wird, und folglich der Zeitpunkt, zu dem gültige Daten nach außen ausgegeben werden, vorverschoben wird.
Zusätzlich wird bei der Speichervorrichtung der Zeitpunkt von aus der Datenverarbeitungsschaltung ausgegebenen Daten im Testmodus um eine gewisse Zeit verzögert, die benötigt wird, damit die Daten­ verarbeitungsschaltung eine logische Operation durchführen kann, wodurch eine Verringerung der Zugriffszeit im Testmodus gestattet wird.
Es folgt die Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren.
Von den Figuren zeigen:
Fig. 1 ein Blockschaltbild mit einer Speichervorrichtung gemäß einer Ausführungsform;
Fig. 2 ein Schaltbild mit einem Detail der in Fig. 1 gezeigten Verzögerungsschaltung;
Fig. 3 ein Signalpulsdiagramm mit dem Betrieb der in Fig. 2 gezeigten Verzögerungsschaltung;
Fig. 4 ein Signalpulsdiagramm mit dem Betrieb der in Fig. 1 gezeigten Ausführungsform;
Fig. 5 ein Blockschaltbild mit einer Speichervorrichtung ge­ mäß einer weiteren Ausführungsform;
Fig. 6 ein Blockschaltbild mit einem Beispiel einer herkömm­ lichen Speichervorrichtung;
Fig. 7 ein Schaltbild mit einem Detail der in Fig. 6 gezeigten Datenverarbeitungsschaltung;
Fig. 8 ein Schaltbild mit einer Detaildarstellung der in Fig. 6 gezeigten Datenausgabeschaltung;
Fig. 9 ein Schaltbild mit einem Detail der in Fig. 6 gezeigten Ausgabesteuerschaltung;
Fig. 10 ein Signalpulsdiagramm mit dem Betrieb im normalen Be­ triebsmodus beim in Fig. 6 gezeigten herkömmlichen Bei­ spiel; und
Fig. 11 ein Signalpulsdiagramm mit dem Testmodusbetrieb des in Fig. 6 gezeigten herkömmlichen Beispiels.
Nachfolgend wird eine Ausführungsform unter Bezug auf die Zeichnung beschrieben.
Fig. 1 ist ein Blockschaltbild mit einer Speichervorrichtung gemäß einer Ausführungsform. Die in Fig. 1 gezeigte Ausführungsform entspricht der in Fig. 6 gezeigten herkömmlichen Speichervor­ richtung mit Ausnahme der folgenden Punkte, und eine Beschreibung der gemeinsamen Bestandteile wird nicht wiederholt.
Bei der in Fig. 1 gezeigten Ausführungsform ist eine Verzöge­ rungsschaltung 12 anstelle der Wellenformgestaltungsschaltung 9 aus Fig. 6 zwischen der Timing-Generatorschaltung 10 und der Ausgabesteuerschaltung 7 vorgesehen. Die Verzögerungsschaltung 12 und die Ausgabesteuerschaltung 7 bilden eine Steuerschaltung, die den Zeitpunkt verzögert, wenn die Datenausgabeschaltung 6 Daten von der Datenverarbeitungsschaltung 5 an den Ausgabeanschluß 8 im Testmodus anlegt, gegenüber dem Zeitpunkt der Datenausgabe an den Ausgabeanschluß 8 im normalen Betrieb. Die Verzögerungsschaltung 12 besitzt die Funktion zum Verzögern des Anstiegs eines Timing-Signals ΦR′ im Testmodus als Reaktion auf ein Modusbestimmungs­ signal ΦT aus einer nicht gezeigten Signalquelle, und weist ins­ besondere den in Fig. 2 beispielhaft gezeigten Aufbau auf. Fig. 3 ist ein Signalpulsdiagramm zum schematischen Verdeutlichen des Betriebs der Verzögerungsschaltung 12 aus Fig. 2.
Im Normalbetrieb, wenn sich das Modusbestimmungssignal ΦT (Fig. 3(a)) auf L-Pegel befindet, wird das Signal ΦT auf H-Pegel durch einen Inverter 121 invertiert und kontinuierlich an einem Eingang eines NOR-Gatters 122 angelegt. An den anderen Eingang des NOR-Gatters 122 wird das Signal ΦR, (Fig. 3(b)) aus der Timing-Generatorschaltung 10 angelegt, und das NOR-Gatter 122 erzeugt ein Signal, welches im normalen Betriebsmodus stets auf L-Pegel steht.
Das Signal auf L-Pegel wird über eine Inverterschaltung 123 invertiert, die drei Stufen von Invertern aufweist, und wird kon­ tinuierlich als Signal auf H-Pegel an einen Eingang eines NAND-Gatters 124 angelegt. An den anderen Eingang des NAND-Gatters 124 wird das Timing-Signal ΦR′ direkt angelegt. Als Ergebnis wird ein invertiertes Signal des Signals ΦR′ aus dem NAND-Gatter 124 er­ halten, welches weiter durch einen Inverter 125 invertiert wird und als Lesesteuersignal ΦR (Fig. 3(c)) ausgegeben wird. Genauer gesagt, wie in der linken Hälfte des Signalpulsdiagramms in Fig. 3 gezeigt, wird eine Verzögerungsoperation durch die Verzögerungs­ schaltung 12 nicht im normalen Betriebsmodus durchgeführt, bei dem sich das Modusbestimmungssignal ΦT auf L-Pegel befindet, was dazu führt, daß das Timing-Signal ΦR′ so wie es ist ausgegeben wird, als Lesesteuersignal ΦR′.
Im Testmodus, wo das Modusbestimmungssignal ΦT (Fig. 3(a)) sich auf H-Pegel befindet, wird das Signal ΦT auf L-Pegel invertiert, durch den Inverter 121, und durchgehend an einen Eingang des NOR-Gatters 122 angelegt.
Als Ergebnis dient das NOR-Gatter 122 als Inverter zum Invertieren des Timing-Signals ΦR′′ das an dessen anderen Eingang angelegt ist. Die Inverter 121 und 122 entsprechen der Wellenformgestal­ tungsschaltung 9 im herkömmlichen Beispiel aus Fig. 6.
Genauer gesagt, wenn das Timing-Signal ΦR′ sich auf L-Pegel be­ findet, wenn das Signal ΦT auf H-Pegel steht (Fig. 3(b)), be­ finden sich beide Eingänge des NOR-Gatters 122 auf L-Pegel, so daß der Ausgang des NOR-Gatters 122 auf H-Pegel gebracht wird. Der Ausgang auf H-Pegel wird durch die Inverterschaltung 123 auf L-Pegel invertiert und an einen Eingang des NAND-Gatters 124 an­ gelegt. Da das Signal ΦR′ am anderen Eingang des NAND-Gatters 124 ebenfalls auf L-Pegel steht, wird der Ausgang des NAND-Gatters 124 auf H-Pegel gebracht, wiederum durch den Inverter 125 invertiert und so als Lesesteuersignal ΦR auf L-Pegel ausgegeben (Fig. 3(c)).
Wenn das Timing-Signal ΦR′ auf H-Pegel wechselt, wenn sich das Signal ΦT auf H-Pegel befindet (Fig. 3(b)), wechselt der Ausgang des NOR-Gatters 122 gleichzeitig von H-Pegel zu L-Pegel. Die Änderung im Ausgang des NOR-Gatters 122 wird zu einem Eingang des NAND-Gatters 124 übertragen, mit einer Verzögerung um eine gewisse Zeitperiode, über die Inverterschaltung 123.
Wenn das Signal ΦR′ auf H-Pegel wechselt, ändert sich der andere Eingang des NAND-Gatters 124 ebenfalls auf H-Pegel, während eine Übertragung des Wechsels zu einem Eingang des NAND-Gatters 124 wie oben beschrieben verzögert wird, wodurch der Ausgang des NAND-Gatters 124 auf H-Pegel während einer gewissen Zeitperiode (eines gewissen Zeitraums) verbleibt (Verzögerungszeitperiode). Wenn diese Verzögerungszeitperiode nach dem Wechsel von ΦR′ abgelaufen ist, entsteht der Zustand, daß zwei Eingänge des NAND-Gatters 124 beide auf H-Pegel stehen, wodurch der Ausgang des NAND-Gatters 124 auf L-Pegel geändert wird. Diese Änderung wird auf H-Pegel durch den Inverter 125 invertiert und als Lesesteuersignal ΦR ausgegeben.
Das bedeutet, wie in der rechten Hälfte des Signalpulsdiagramms in Fig. 3 gezeigt, daß, wenn sich im Testmodus das Modusbestimmungs­ signal ΦT auf H-Pegel befindet, der Anstieg des Timing-Signals ΦR′ auf H-Pegel um eine gewisse Zeitperiode durch die Verzöge­ rungsschaltung 12 verzögert wird, wie durch die durchgezogene Linie in Fig. 3(c) gezeigt, und als Lesesteuersignal ΦR ausge­ geben wird.
Wenn das Signal ΦR′ weiter auf L-Pegel wechselt, wird der andere Eingang des NAND-Gatters 124 sofort auf H-Pegel gebracht, so daß der Ausgang des NAND-Gatters 124 simultan auf H-Pegel gebracht wird. Diese Änderung wird zu einem Wechsel auf L-Pegel durch den Inverter 125 invertiert. Insbesondere fällt im Testmodus das Le­ sesteuersignal ΦR simultan mit dem Abfall des Timing-Signals ΦR′ (Fig. 3(b) und (c).
Fig. 4 ist ein Signalpulsdiagramm mit dem gesamten Betrieb der in Fig. 1 gezeigten Ausführungsform. Der Betrieb im normalen Be­ triebsmodus der Ausführungsform aus Fig. 1 entspricht dem beim herkömmlichen Beispiel, da das Timing-Signal ΦR′ das an die Ausgabesteuerschaltung 7 angelegt wird, ein Signal mit denselben Zeitpunkten (Timing) wie beim Timing-Signal ΦR im herkömmlichen Beispiel ist, wie in Zusammenhang mit den Fig. 6 und 10 be­ schrieben. Daher wird eine Beschreibung nicht wiederholt, und nur der Betrieb im Testmodus wird nachfolgend beschrieben.
Im Testmodus werden vier Daten D1 und D4 aus dem Speicherzellen­ feld 11 wie im Normalbetrieb gelesen, um durch eine EX-OR-Ver­ knüpfung durch die EX-OR-Schaltung 55 (Fig. 7) verknüpft zu werden. Da die EX-OR-Operation eine gewisse Zeitdauer benötigt, wird der Zeitpunkt, wenn das Lesedatum DR (Fig. 4(c)) sich von ungültig auf gültig im Testmodus ändert, um die gewisse Zeit­ periode verzögert, verglichen mit dem Zeitpunkt im normalen Betriebsmodus.
Gemäß dieser Ausführungsform wird daher der Zeitpunkt der Akti­ vierung des Lesesteuersignals ΦR um die gewisse Zeitperiode im Testmodus verzögert (die durchgezogene Linie in Fig. 4(a)) gegenüber dem normalen Zeitpunkt (die durchbrochene Linie in Fig. 4(a)), wodurch das von der Ausgabesteuerschaltung 7 erzeugte Ausgabesteuersignal ΦC ebenfalls um die gewisse Zeitperiode (die durchgezogene Linie in Fig. 4(b)) gegenüber dem Normalbetrieb (die durchbrochene Linie in Fig. 4(b)) verzögert wird. Folglich wird eine teilweise (partielle) Ausgabe von ungültigen Daten (die unterbrochene Linie in Fig. 4(d)) nicht durch die Datenausgabe­ schaltung 6 bewirkt, ungleich dem herkömmlichen Beispiel, so daß alleingültige Daten als Ausgabedaten DO (durchgezogene Linie in Fig. 4(d)) ausgegeben werden.
Insbesondere, wie bei diesem Beispiel in Fig. 4 zu sehen, wird das Lesesteuersignal ΦR um eine gewisse Zeitperiode verzögert, um eine teilweise Ausgabe von ungültigen Daten zu verhindern, ver­ glichen mit der Verzögerungszeitperiode der Ausgabe von gültigen Daten, bewirkt durch eine teilweise Ausgabe von ungültigen Daten, für den Fall, daß das Lesesteuersignal ΦR nicht verzögert wird. Mit anderen Worten, da eine längere Zeitperiode als die Verzöge­ rungszeitperiode durch die Datenverarbeitungsschaltung zum Ändern von ungültigen Daten in gültige Daten benötigt wird, nachdem die ungültigen Daten einmal bereitgestellt worden sind, führt eine Verzögerung des Timings des Ausgabesteuersignals um die oben be­ schriebene Verzögerungszeitperiode dazu, daß das Timing der Aus­ gabe von gültigen Daten nach vorn verlegt wird. Folglich kann eine Zugriffszeit im Testmodus, also die für einen Funktionstest in der Speichervorrichtung benötigte Zeit, verringert werden.
Obwohl in der obigen Ausführungsform ein Fall beschrieben wurde, bei dem ein ausgewähltes Datum DR aus den vier Daten D1 bis D4 im normalen Betriebsmodus bereitgestellt wurde, und ein EX-OR-ver­ knüpftes Datum DR im Testmodus erzeugt wurde, ist die Anzahl von Daten nicht auf den Fall dieser Ausführungsform beschränkt. Die vorliegende Erfindung ist auf einen Fall anwendbar, bei dem die Anzahl von ausgegebenen Daten geringer als die Anzahl von aus dem Speicherzellenfeld ausgelesenen Daten ist, beispielsweise auf einen Fall, wo ein Ausgabedatum aus acht aus dem Speicherzellen­ feld ausgelesenen Daten erzeugt wird, oder wobei zwei Ausgabedaten aus acht aus den Speicherzellenfeld ausgelesenen Daten erzeugt werden.
Fig. 5 ist ein Blockschaltbild mit einer Ausführungsform, bei der zwei Ausgabedaten aus acht aus dem Speicherzellenfeld ausgelesenen Daten erzeugt werden. Bei dieser Ausführungsform werden vier Daten D1a bis D4a, die aus dem Speicherzellenfeld 11 durch die Datenle­ seschaltungen 1a bis 4a ausgelesen wurden, in einer Datenverar­ beitungsschaltung 5a verarbeitet, während vier Daten D1b bis D4b, die aus dem Speicherzellenfeld 11 durch Datenleseschaltungen 1b bis 4b ausgelesen wurden, in der anderen Datenverarbeitungsschal­ tung 5b verarbeitet werden. Es wird angenommen, daß die Datenver­ arbeitungsschaltungen 5a und 5b denselben Aufbau wie die in Fig. 7 gezeigte Datenverarbeitungsschaltung 5 aufweisen. Die Datenver­ arbeitungsschaltungen 5a und 5b werden durch ein Adreßsignal Φa und ein Modusbestimmungssignal Φc betrieben, die gemeinsam daran angelegt werden.
Ein Lesedatum DRa, das von der Datenverarbeitungsschaltung 5a erzeugt wird, wird an eine Datenausgabeschaltung 6a angelegt und als Ausgabedatum DOa über einen Anschluß 8a ausgegeben, während ein Lesedatum DRb, das von der Datenverarbeitungsschaltung 5b bereitgestellt wird, an eine Datenausgabeschaltung 6b angelegt wird und als Ausgabedatum Dob an einen Anschluß 8b ausgegeben wird. Es wird angenommen, daß die Datenausgabeschaltungen 6a und 6b denselben Aufbau wie die in Fig. 8 gezeigte Datenausgabe­ schaltung 6 aufweisen. Der weitere Aufbau und Betrieb ist derselbe wie die Ausführungsform aus Fig. 1.
Selbst wenn zwei Ausgabedaten parallel aus acht Lesedaten erzeugt werden, wird daher eine gemeinsame Steuerung des Zeitpunktes der jeweiligen Datenausgabe im Testmodus durch eine einzelne Verzöge­ rungsschaltung 12 die Ausgabe von ungültigen Daten in jeweiligen Ausgängen verhindern, wodurch die Zugriffszeit für gültige Daten verringert wird.
Wie oben beschrieben, entsprechend der obigen Ausführungsformen, ist eine Ausgabesteuerschaltung geschaffen, die das Timing von aus der Datenverarbeitungsschaltung im Testmodus ausgegebenen Daten verringert, gegenüber dem normalen Betriebsmodus, wodurch eine Ausgabe von ungültigen Daten nach außen im Testmodus verhindert wird, und dadurch erlaubt wird, daß das Timing der Ausgabe von gültigen Daten nach außen beschleunigt wird und entsprechend einer Zugriffszeit im Testmodus verringert wird.

Claims (6)

1. Speichervorrichtung mit Testfunktion, mit
einer Mehrzahl von Speicherzellen (11),
einer Datenlesevorrichtung (1-4), die mit den Speicherzellen verbunden ist, zum Lesen von Daten aus jeweiligen aus der Mehrzahl von Speicherzellen ausgewählten Speicherzellen und zum Ausgeben der gelesenen Daten an einem Ausgang,
einer Datenverarbeitungsvorrichtung (5, 6, 8) mit einem Eingang, der mit dem Ausgang der Datenlesevorrichtung verbunden ist, und mit einer Datenausgabevorrichtung (6) zum Ausüben einer vorbestimmten logischen Operationsverarbeitung auf die aus den ausgewählten Speicherzellen ausgelesenen Daten zum Konvertieren der gelesenen Daten im Testmodus in Daten, deren Anzahl geringer als die der gelesenen Daten ist und zum Ausgeben der gelesenen oder der konvertierten Daten aus der Datenausgabevorrichtung (6), und
einer Steuervorrichtung (80), die ein Ausgabe an die Datenausgabevorrichtung (6) zum Definieren des Zeitpunkts der Datenausgabe ausgibt, so daß der Zeitpunkt der Ausgabe der konvertierten Daten aus der Datenverarbeitungsvorrichtung im Testmodus verglichen mit der Ausgabe der gelesenen Daten im normalen Betriebsmodus verzögert wird.
2. Speichervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Datenverarbeitungsvorrichtung (5, 6, 8) mindestens ein Datum aus den aus den ausgewählten Speicherzellen ausgelesenen Daten auswählt, um das ausgewählte Datum im normalen Betriebsmodus auszugeben.
3. Speichervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Datenverarbeitungsvorrichtung (5, 6, 8) aufweist:
eine logische Verarbeitungsvorrichtung (83) zum Ausüben der logischen Operationsverarbeitung auf die aus den ausgewählten Speicherzellen ausgelesenen Daten,
eine Vorrichtung (81) zum Auswählen von mindestens einem Datum aus den aus den ausgewählten Speicherzellen ausgelesenen Daten, und
einer Schaltvorrichtung (82), die auf ein extern angelegtes Modusbestimmungssignal (ΦT) reagiert, zum Auswählen und Bereitstellen eines Ausgangssignals der Auswahlvorrichtung, wenn der normale Betriebsmodus bestimmt ist, und zum Auswählen und Bereitstellen eines Ausgangssignals der logischen Operationsvorrichtung, wenn der Testmodus bestimmt ist.
4. Speichervorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die vorbestimmte logische Operationsverarbeitung eine Exklusiv-ODER-Verknüpfung ist.
5. Speichervorrichtung nach einem der Ansprüche 1-4, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuervorrichtung (80) eine Ausgabesteuervorrichtung (7), die auf ein extern angelegtes Timing-Signal (ΦR′) mit dem Ausgeben des Ausgabesignals an die Datenausgabevorrichtung (6) reagiert, und
eine Verzögerungsvorrichtung (12) zum Verzögern des Timing- Signals (ΦR′) im Testmodus verglichen mit dem normalen Betriebsmodus zum verzögerten Ausgeben des Ausgabesignals an die Datenausgabevorrichtung (6) aufweist.
6. Speichervorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Verzögerungsvorrichtung (12) aufweist:
eine Verzögerungsschaltungsvorrichtung (121-123), die nur aktiviert wird, wenn der Testmodus bestimmt ist, als Reaktion auf ein extern angelegtes Testmodussignal (ΦT), und
eine AND-Vorrichtung (124, 125) zum Ausüben einer AND-Verknüpfung auf das extern angelegte Timing-Signal (ΦR′) und ein Ausgangssignal der Verzögerungsschaltung.
DE4317926A 1992-06-05 1993-05-28 Speichervorrichtung mit Testfunktion Expired - Fee Related DE4317926C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4145749A JP3007475B2 (ja) 1992-06-05 1992-06-05 メモリ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE4317926A1 DE4317926A1 (de) 1993-12-09
DE4317926C2 true DE4317926C2 (de) 1996-04-04

Family

ID=15392269

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4317926A Expired - Fee Related DE4317926C2 (de) 1992-06-05 1993-05-28 Speichervorrichtung mit Testfunktion

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5361230A (de)
JP (1) JP3007475B2 (de)
KR (1) KR960010963B1 (de)
DE (1) DE4317926C2 (de)
IT (1) IT1271544B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10143455A1 (de) * 2001-09-05 2003-04-03 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Testen von zu testenden Schaltungseinheiten mit erhöhter Datenkompression für Burn-in

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6130654A (ja) * 1984-07-21 1986-02-12 Kanto Tokushu Seikou Kk アルミニウム連続鋳造用ロ−ルシエル鋼
US5455517A (en) * 1992-06-09 1995-10-03 International Business Machines Corporation Data output impedance control
JPH06275100A (ja) * 1993-03-19 1994-09-30 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
JPH06334513A (ja) * 1993-05-13 1994-12-02 Intel Corp データ処理装置
JP2806210B2 (ja) * 1993-06-15 1998-09-30 富士通株式会社 マイクロプロセッサ
JP2820016B2 (ja) * 1993-12-28 1998-11-05 日本電気株式会社 電子回路
US5579326A (en) * 1994-01-31 1996-11-26 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Method and apparatus for programming signal timing
US5572535A (en) * 1994-07-05 1996-11-05 Motorola Inc. Method and data processing system for verifying the correct operation of a tri-state multiplexer in a circuit design
CA2200843C (en) * 1994-09-23 2006-01-17 Miriam Coller A marking composition
JPH0973775A (ja) * 1995-09-01 1997-03-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
JP3607439B2 (ja) * 1996-11-11 2005-01-05 株式会社日立製作所 半導体集積回路装置
KR100222970B1 (ko) * 1997-01-29 1999-10-01 윤종용 전자장치의 테스트모드 수행방법
US6418547B1 (en) * 1998-02-26 2002-07-09 Micron Technology, Inc. Internal guardband for semiconductor testing
KR20020031874A (ko) * 2000-10-24 2002-05-03 이철수 비밀잉크 조성물 및 그 발색 조성물
KR20020065961A (ko) * 2001-02-08 2002-08-14 이철수 위조 및 변조 불가 보안용지 및 그 발색도포구
US6675273B2 (en) 2001-05-31 2004-01-06 International Business Machines Corporation Memory circuitry with auxiliary word line to obtain predictable array output when an invalid address is requested
FR2854967B1 (fr) * 2003-05-13 2005-08-05 St Microelectronics Sa Procede et dispositif d'identification d'un mode de fonctionnement d'un dispositif controle, par exemple un mode test d'une memoire eeprom
KR100583152B1 (ko) * 2004-02-19 2006-05-23 주식회사 하이닉스반도체 데이터 억세스타임 측정모드를 갖는 반도체 메모리 소자
CN104932961B (zh) * 2015-05-28 2019-01-11 广东小天才科技有限公司 检测终端设备中数据线邦定断路的方法和装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4608669A (en) * 1984-05-18 1986-08-26 International Business Machines Corporation Self contained array timing
JPS61289449A (ja) * 1985-06-18 1986-12-19 Nec Corp 高速メモリ診断処理装置
US4630239A (en) * 1985-07-01 1986-12-16 Motorola, Inc. Chip select speed-up circuit for a memory
JPS62170094A (ja) * 1986-01-21 1987-07-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶回路
JPH03250348A (ja) * 1990-02-28 1991-11-08 Nec Corp メモリの診断方式

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10143455A1 (de) * 2001-09-05 2003-04-03 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Testen von zu testenden Schaltungseinheiten mit erhöhter Datenkompression für Burn-in
DE10143455B4 (de) * 2001-09-05 2005-12-15 Infineon Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zum Testen von zu testenden Schaltungseinheiten mit erhöhter Datenkompression für Burn-in

Also Published As

Publication number Publication date
US5361230A (en) 1994-11-01
KR960010963B1 (ko) 1996-08-14
ITMI931153A1 (it) 1994-12-01
KR940006148A (ko) 1994-03-23
JP3007475B2 (ja) 2000-02-07
IT1271544B (it) 1997-05-30
JPH05342114A (ja) 1993-12-24
ITMI931153A0 (it) 1993-06-01
DE4317926A1 (de) 1993-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4317926C2 (de) Speichervorrichtung mit Testfunktion
DE69826863T2 (de) Verfahren und vorrichtung zur abstimmung eines zur verrieglung digitaler signalen gebrauchten taktsignals und speichervorrichtung die sie verwendet
DE3727688C2 (de) Halbleiterspeichersystem
DE2828726C2 (de) Monolithische integrierte Schaltungsstruktur mit einer Speichervorrichtung
DE3928902A1 (de) Halbleiterspeicher und verfahren zum betreiben desselben
DE2703578A1 (de) Videospeicher
DE3207210A1 (de) Monolithische speichervorrichtung
DE19860650A1 (de) Chip-Satz-Speichersteuervorrichtung mit Datenausblend-Maskenfunktion
DE3114924C2 (de) Schneller Zeittaktsignalgenerator
DE3618136C2 (de)
DE60100612T2 (de) Synchrone Halbleiterspeichervorrichtung
DE3200880A1 (de) Halbleiterspeicher
EP0111741A2 (de) Integrierte Halbleiterschaltung mit einem dynamischen Schreib-Lese-Speicher
DE4100052C2 (de) Schaltung für den Sensorverstärker eines Halbleiterspeichers
DE4018296A1 (de) Elektrische schaltung fuer einen parallelschreibtest eines breiten mehrfachbytes in einer halbleiterspeichereinrichtung
DE2832673A1 (de) Tastenfeldcodiersystem
DE2236382C3 (de) Anordnung zum Normieren der Höhe von Schriftzeichen
DE3700403A1 (de) Halbleiterspeichereinrichtung
DE4200782A1 (de) Klein-reglereinheit
DE4233249A1 (de) Dualportspeicher
DE4226073C2 (de) Vorrichtung zur Erzeugung von Daten und Betriebsverfahren für die Vorrichtung
DE10316128B4 (de) Synchroner Halbleiterbaustein und Verfahren zum Einstellen einer Datenausgabezeit
DE19634967A1 (de) Halbleiterspeicher mit Hochgeschwindigkeitsauslesung
DE3815549C2 (de)
DE102005053486B4 (de) Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines n-Bit Ausgangszeigers, Halbleiterspeicher und Verfahren

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee