DE3716868C2 - Integrierte Schaltung mit hohem Integrationsgrad - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine integrierte Schaltung gemäß dem Oberbegriff des Hauptanspruchs.

Es ist Halbleiterschaltungen mit hohem Integrations­ grad bekannt, die auch als LSI-Schaltungen bezeichnet werden, die eine Vielzahl von Standardzellen umfassen. Das Standardzellen-Layout der integrierten Schaltung verwendet die Standardzelle als Konstruktionssystem. Bei den bekannten Schaltungsanordnungen ist in der Zelle nur eine interne Verbindung von Elementen ausgeführt, wobei die Verbindungen zwischen den Zellen als außerhalb der Zellen angeordnete Verbindungsleitun­ gen ausgeführt sind. Die Standardzellen enthalten ein logisches Grundelement oder zusammengesetzte Gatter, wie Inverter, NAND-, NOR- oder dergleichen und außerdem verschiedene Flip-Flop-Schaltungen, wie D-FF, JK-FF. Um ein logisches Gesamtsystem zu bilden, sind die genann­ ten Zellen miteinander verbunden, jedoch ist bei den bekannten LSI-Schaltungen die Leitungsverbindung zwi­ schen den Zellen konstant und unabhängig von der Art der zu übertragenden Signale.

Die herkömmlichen Standardzellen der oben beschriebenen Art sind in einer Schaltung mit hohem Integrationsgrad in sehr feiner Struktur ausgebildet, so daß die Lei­ tungsverbindung zwischen den Zellen ebenfalls sehr klein bzw. dünn wird. Im Falle von Taktleitungen oder entsprechenden Leitungsverbindungen, die mit einer ho­ hen Anzahl von Leitungsausgängen (fan-out) in Verbin­ dung stehen und über die gesamte Oberfläche eines Halb­ leiterchips verdrahtet sind, entsteht durch die fein ausgebildeten Leitungsverbindungen das Problem der Elektronenwanderung und das Auftreten einer entspre­ chenden Widerstandskomponente. Dies bedeutet, daß bei einer Verengung der Leitungsverbindung ein hoher Strom­ fluß zu den Leitungsverbindungen nötig ist, um den La­ dungszufluß und die Endladung vorzunehmen, wo eine große Last vorhanden ist. Die Elektronenwanderung nimmt entsprechend zu und die Leitungskapazität nimmt ab, jedoch, sofern die Kapazität der Last groß ist, nimmt die Kapazität im ganzen nicht in dem Umfang ab und der Leitungswiderstand nimmt unerwünschterweise zu. Wird dagegen die Leitungsbreite für eine spezielle Signal­ leitung erhöht, bedeutet dies, daß die Verdrahtung bzw. die Leitungsverbindung insgesamt komplizierter und da­ durch die automatische Verdrahtung verzögert wird.

Aus der DE 34 08 747 A1 ist eine integrierte Schaltung gemäß dem Oberbegriff bekannt. Diese Schaltung enthält in den Standardzellenbereichen ausschließlich jeweils die Spannungsversorgungsleitung und die Masseleitung.

Aus der EP 0 154 998 A2 ist eine integrierte Schaltung offenbart, bei der über einem aktivem Halbleiterbereich eines MOS-Kondensators eine Signalleitung verläuft. Diese Signalleitung dient dazu, eine Speicherkapazität auszubilden, um die Zugriffszeit zu verkürzen.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde eine Schaltung vorzuschlagen, bei der bei Signal­ leitungen, die mit hoher Last beaufschlagt werden, die Elektronenwanderung bei gleichzeitiger Beibe­ haltung hoher Integrationsdichte gering gehalten wird.

Die Erfindung wird nachfolgend an Hand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt

Fig. 1 eine Standardzelle einer erfindungsgemäßen in­ tegrierten Schaltungsanordnung,

Fig. 2 einen Ausschnitt aus einer Standardzellen um­ fassenden integrierten Schaltungsanordnung mit hohem Integrationsgrad gemäß der Erfindung und

Fig. 3 eine herkömmliche Anordnung einer integrierten Schaltungsanordnnung.

Ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der Erfindung wird an Hand der Fig. 1 und 2 näher beschrieben. In Fig. 1 ist eine Versorgungsleitung 1, eine Masseleitung 3 und eine Standardzelle 4 dargestellt, die geeignet ist, ihre lateralen Abmessungen entsprechend der jeweiligen Funktion zu än­ dern, wobei die vertikalen Abmessungen konstant bleiben.

Eine Taktleitung 2 ist zwischen der Versorgungsleitung 1 und der Masseleitung 3 innerhalb der Standardzelle 4 angeordnet.

Fig. 2 zeigt ein Standardzellensystem mit hohem Inte­ grationsgrad unter Verwendung der Standardzelle 4 von Fig. 1.

Nachfolgend wird die Funktionsweise näher erläutert. In einem derartigen Standardzellensystem mit hohem Inte­ grationsgrad (LSI-Schaltungsanordnung) ist die Taktlei­ tung 2 wie in Fig. 2 dargestellt in der Standardzelle 4 angeordnet, so daß die Breite des Leitungs­ netzes eines Leitungsbandes 5 begrenzt werden kann un­ abhängig von der Taktleitung 2. Die Taktleitung wird in einer erforderlichen Breite ausgeführt, während die übliche Verdrahtung dünn ausgebildet sein kann, so daß eine Elektronenwanderung und eine Signalstörung auf Grund einer Widerstandskomponente der Leitungsver­ bindung verhindert wird.

Wie in Fig. 1 dargestellt, ist die Taktleitung 2 zwi­ schen der Masseleitung 3 und der Versorgungsleitung 1 angeordnet, wobei dort ein p-Kanal-Transistor und ein n-Kanal-Transistor in der Zelle 4 ausgespart wird.

Die vorliegende Erfindung ist nicht nur auf die Takt­ leitung anwendbar, sondern auch für andere Signalleitungen, die einer höheren Belastung aus­ gesetzt sind, z. B. Signalleitungen für die Initialisierung der gesamten Schaltungsanordnung.

Um die Unterschiede gegenüber dem Stand der Technik zu veranschaulichen, ist in Fig. 3 ein Aus­ schnitt aus einer herkömmlichen integrierten Schal­ tungsanordnung mit hohem Integrationsgrad dargestellt. Auch hier sind eine Versorgungsleitung 1, eine Taktlei­ tung 2, eine Masseverbindung 3, Standardzellen 4 und Verdrahtungsbereiche 5 dargestellt. Bei diesem Stand der Technik ist die Verbindung zwischen den Standardzellen 4 ausschließlich durch außerhalb der Zellen verlaufende Verbindungsleitungen ausgeführt.

Claims (3)

1. Integrierte Schaltung mit hohem Integrationsgrad mit

• - mehreren Standardzellenbereichen, die eine Vielzahl von in horizontaler Richtung neben­ einander angeordneten Standardzellen (4) enthält,
• - einer Spannungsversorgungsleitung (1) und einer Masseleitung (3) in dem jeweiligen Standardzellen­ bereich,
• - einem Verdrahtungsbereich (5), der zwischen je zwei Standardzellenbereichen angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß eine für hohe elektrische Belastung bestimmte Signalleitung (2) in dem jeweiligen Standardzellen­ bereich angeordnet ist, und eine Breite aufweist, die größer ist als die Breite der Verdrahtungsleitung in dem Verdrahtungsbereich (5).

2. Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die für hohe Belastung bestimmte Signalleitung die Taktsignalleitung (2) bildet.

3. Integrierte Schaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß im Standardzellenbereich die Taktsignalleitung (2) zwischen der Versorgungsleitung (1) und der Masseleitung (3) angeordnet ist.