DE3137741A1 - Verfahren zum herstellen von einkristallen - Google Patents

Verfahren zum herstellen von einkristallen

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DE3137741A1
DE3137741A1 DE19813137741 DE3137741A DE3137741A1 DE 3137741 A1 DE3137741 A1 DE 3137741A1 DE 19813137741 DE19813137741 DE 19813137741 DE 3137741 A DE3137741 A DE 3137741A DE 3137741 A1 DE3137741 A1 DE 3137741A1
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DE19813137741
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Theodorus Josephus 5621 Eindhoven Berben
Johannes Petrus Maria Damen
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Koninklijke Philips NV
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Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Description

fc ·\Philips'ßloeilampanfabrieken, Eindhovön.·' ·Ι .· ::..· .;»;·:
PHN 9850 ^ 1O.Q.19ö1
Verfahren zum Herstellen von Einkristallen
■ . Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen
eines Einkristalls eines zusammengesetzten Oxids durch allmähliche Erstarrung einer Schmelze.
In der japanischen Patentanmeldung Kokai Nr. 50-I319OO ist eine Abwandlung des Bridgem&n-Verfahrens beschrieben, mit welchem Verfahren ein Einkristall eines zusammengesetzten Oxids durch allmähliche Erstarrung einer Schmelze hergestellt wird, wobei die Erstarrung von einem Einkristall ausgeht, der zunächst mit der Schmelze in Berührung ist, mit welchem Verfahren der Schmelze im Erstarrungsverfahren Komponenten zugesetzt werden, deren Konzentrationen in der Schmelze abnehmen.
Mit dem ursprünglichen Brid.geman-Verfahren wird ein Einkristall gezüchtet, indem eine bestimmte Schmelzmenge in einem vertikalen, zylindrischen Tiegel von unten an langsam erstarrt. Yenn nunmehr die Schmelze zum Züchten eines zusammengesetzten Oxids aus einem Mehrkomponentensystem besteht, wird die Erstarrungstemperatur von der Zusammensetzung abhängig sein. In dem Fall unterscheidet sich dabei die Zusammensetzung des Feststoffs von der der Schmelze, aus der er auskristallisiert. Dies ist z.B. der Fall bei MnZn-Ferrit. So ist eine Schmelze von 50 Mol$> ZnFe2Or und 50 Mol$ MnFe3Oj, im Gleichgewicht mit einem Kristall, der aus 57 MoI^ ZnFe3O2+ und k3 Mol$ MnFe3O^ be-
steht. Der Zinkgehalt später auskristallisierenden Werkstoffs nimmt dadurch ab, dass der Schmelze immer zuviel Zink entzogen wird. Hierdurch entsteht ein Zusammensetzungsgradient in der Wachstumsrichtung des Kristalls. Dieser Gradient bewirkt Spannungen, die Versetzungen und Risse verursachen können. In einem Kristall mit einem derartigen Zusammensetzungsgradienten weisen die aus diesem Einkristall geschnittenen c heiben verschiedene magnetische Eigensc ·ciff --auf. Dies bedeutet, dass jneL-1 nur diejenigen Scheibe: . ■.
9850 .:^r..· ·..· '." " :_: .;. 10.9.1981
aus der Mitte des Einkristalls herausgeschnitten werden, verwendbar sind, wodurch sich der Preis des brauchbaren Materials stark erhöht. Da MnZn-Ferritscheiben ein sehr wichtiger Grundwerkstoff ist, aus dem die Schreib/Leseköpfe z.B. für Verwendung in Videorekordern, in grossen Mengen angefertigt werden, sind sowohl die Rissempfindlichkeit ■ der Scheiben als auch die Streuung in den magnetischen Eigenschaften äusserst unerwünscht.
Zum Züchten von Einkristallen mit einer einheitlicheren Zusammensetzung wurde die bekannte Abwandlung des Bridgeman-Verfahrens entwickelt, die das Konstanthalten der Schmelzzusammensetzung während des Wachstums durch die Zugabe von genau soviel ZnO und Fe „0„ je Zeiteinheit, wie die zu grossen Mengen in bezug auf die Flüssigkeitszusammensetzung, die je Zeiteinheit aus der Flüssigkeit im Feststoff verschwinden, bezweckt. Hierzu wird einer Schmelze von 6OO g (MnZn)1Fe3O. allmählich 8 g Granulat zugesetzt,
das aus gesinterten Partikeln mit 87 Mol$ FeJD und I3 Mol$
ZnO besteht. Obgleich dieses abgewandelte Verfahren tat- '
sächlich zu einem besseren Ergebnis führt (die Zusammen- i
Setzung hat einen Gradienten über die ersten 75$ des . !
Gewichts des gezüchteten Kristalls von nicht mehr als 4 Mol$ statt der früheren 10 Mol$, ist es dennoch verbesserbar. :
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein i
abgewandeltes Bridgeman-Verfahren anzugeben, das-, zum Züchten von Einkristallen zusammengesetzter Oxide mit niedrigeren Gradienten in der Zusammensetzung führt.
Diese Aufgabe wird beim erfindungsgemässen Verfahren dadurch gelöst," dass Kristallwachstum mit einer Schtnelzmeiifte mit einem Gewicht gestartet wird, das höchstens 25 /& des Gewichts des zu züchtenden Kristalls beträgt und beim Erstarrungsverfahren geschmolzenes Material' der gleichen Zusammenseztung wie das Material, das aus der Schmelze erstarrt, in derartigen Mengen der Schmelze zugesetzt wird,
dass die Gesamtmenge der Schmelze während des ganzen Verfahrens im wesentlichen konstant bleibt.
Es zeigt sich, dass mit Hilfe eines erfindungsge-
mässen Verfahrens Einkristalle zusammengesetzter Oxide,
PHN 9850 ' / .· : :: : *..··* 10.9.1981
z.B. MnZn-Ferrit-Einkrist.alle gezüchtet werden können, deren Zusammensetzung über Dreiviertel der Länge des gezüchteten Kristalls einen Gradienten von nicht mehr als 1 Mol$ hat, was eine wesentliche Verbesserung im Ergebnis des Verfahrens eingangs erwähnter Art bedeutet. Diese Verbesserung basiert darauf, dass die Schmelzmenge am Anfang des Kristallwachstums in bezug auf die Masse des zu züchtenden Kristalls gering ist (unter 25$, vorzugsweise 5 bis 10$). Sobald eine Menge dieser Schmelze erstarrt ist, wird eine gleiche Menge mit gleicher Zusammensetzung zugesetzt: Die Gesamtmenge der Schmelze, die in bezug auf die Masse des zu züchtenden Kristalls gering ist, bleibt im wesentlichen das ganze Verfahren hindurch konstant. Dies fördert stark die Homogenität der Schmelze. Dagegen wird beim bekannten Verfahren am Anfang des Kristallwachstumsverfahrens eine Werkstoff menge geschmolzen, die nahezu gleich der Masse des zu züchtenden Kristalls ist. Die mit diesem bekannten Verfahren benutzte Schmelzmenge verringert sich progressiv während des Wachstums und die Schmelzzusammen-
setzung wird im wesentlichen dadurch konstant gehalten, ι.
dass mit der erforderlichen Geschwindigkeit diejenigen Ί
Komponenten der Schmelze zugesetzt werden, die daraus erstarrt sind (insgesamt einige Prozent des Gesamtgewichts). Dieses bekannte Verfahren ist stark vom vertikalen Werkstofftransport durch die Schmelze zum Aufrechterhalten der j
Homogenität der Schmelze abhängig. Denn je grosser die Schmelzmenge, umso träger ist der Werkstofftransport durch die Masse und umso geringer die Möglichkeit einer wirklichen Homogenität in der Schmelze zu erreichen, Die Zugabe von Werkstoff zur Schmelze während :
des Wachstums soll die Schmelze möglichst wenig stören. Eine Ausführungsform eines erfindungsgemässen Verfahrens ist dadurch gekennzeichnet, dass der zuzugebende Werkstoff die Ausgangsform von Granulat hat, das vor dem Erreichen der Schmelze schmilzt und in einem besonderen Fall die Oberfläche der Schmelze tropfenweise erreicht. Auf diese Weise ist die Störung gering und möglichst weit vom wachsenden Kristall entfernt.
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Eine tropfenweise Zugabe kann auf praktische Weise dadurch verwirklicht werden, dass das Material allmählich einem über der Oberfläche der Schmelze angeordneten offenen Behälter zugeführt wird, der auf einer Temperatur gehalten wird, die zumindest gleich der Schmelztemperatur des Werkstoffs ist, wobei die Werkstoffmenge, die dem Behälter je Zeiteinheit zugeführt wird, gleich der Menge geschmolzenen -Werkstoffs ist, die den Behälter verlässt. Das im Behälter zum Schmelzen gebrachte Material kann aus dem Behälter auf
W verschiedene Weise der Schmelze zugeführt werden. Der Behälter kann beispielsweise mit einem Boden mit kleinen Offnungen oder mit einem "überlauf versehen sein. Die geschmolzenen Tropfen können direkt in die Schmelze fallen oder längs eines Drahtes oder durch eine Rinne der Wand des Tiegels zugeführt werden, in dem das Kristallwachstum erfolgt, und dann längs der Wand in Richtung auf die Schmelzoberfläche gleiten.
Wenn das Material in Form (zu) grosser Stücke in
den Behälter geschüttet wird, können die Stücke den Boden des Behälters beschädigen. Auch können sie bei ihrem Fall Spritzer verursachen, wobei die hochspritzenden Tropfen in kälteren Teilen der Zuführungsanlage durch Erstarrung Verstopfungen herbeiführen können. Ausserdem bewirkt jedes grosse Werkstoffstück einen sprunghaften Temperaturabfall, weil das Anwärmen und Schmelzen des Werkstoffstücks viel Wärme · erfordert.
Die Zuführung des Werkstoffs in Pulverform statt als Brocken kann jedoch auch Probleme geben: a) Pulver haftet leicht an den Wänden der Zuführungsanlage, b) durch Schornsteinwirkung im Zuführungsrohr zurückbleibendes Pulver. Sowohl a) als auch b) können zu Verstopfungen führen. Nach einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemässen Verfahrens wird der Werkstoff in Kornform zugeführt. Insbesondere, wenn die Körner einen Durchmesser nicht unter 0,2 mm und nicht über k mm besitzen, zeigt es sich, dass • die erwähnten Probleme nicht auftreten. Wenn die Körner kleiner als 0,2 mm sind, ist ihr Charakter zu pulverig, wodurch die selbstreinigende Wirkung der Körner (an der
Wand der Zuführungsanlage haftende Körner werden durch später ankommende Körner verschoben) herabgesetzt. Körner grosser als k mm sind neben einer geringeren Genauigkeit bei der Dosierung auch zu teuer bei der Herstellung und können den erwähnten Temperaturabfalleffekt verursachen. Wo der Durchmesser des in der Zuführungsanlage verwendeten Rohres vorzugsweise das Dreifache bis Fünffache des Korndurchmessers ist, würden sie weiter ein Rohr mit einem unpraktisch grossen Durchmesser erfordern. Das Wachstumsverfahren nach der Erfindung wird mit einer beschränkten
Schmelzmenge gestartet. Die Menge darf jedoch nicht zu I
klein sein, vorzugsweise nicht unter 5$ der Masse des zu züchtenden Kristalls. Bei einer zu geringen Schmelzmenge ist
1. die Störung zu gross, wenn neuer Werkstoff zugesetzt wird, denn thermische und rheologische Störungen sowie Zusammensetzungsschwankungen in der Schmelze beeinflussen das Kristallisationsverfahren und
2. hat eine Schwankung in der Kristallisationsgeschwindigkeit einen zu starken Einfluss auf die Menge und Zusam-
mensetzung der Schmelze.
Je nach Wahl einer grösseren Schmelzmenge nähert sich das Verfahren mehr dem ursprünglichen Bridgeman-Verfahren. Zufriedenstellende Ergebnisse werden mit einer
Schmelze erreicht, die 10$ der Masse des schliesslich gene
züchteten Kristalls beträgt.
Die beschränkte Füllung des Tiegels am Anfang des Verfahrens bietet einen zusätzlichen Vox* teil. Beim Schmelzen von Ferrit wird Gas frei. Für ein übliches Bridgeman-Verfahren wird der Tiegel ganz gefüllt. Wenn diese Ladung zu schnell geschmolzen wird, fliesst die brausende Masse über den Rand des Tiegels. Beim erfindungsgemässen Verfahren ist eine so geringe Anfangsladung im Tiegel vorhanden, dass auch bei starkem Brausen die Masse den Tiegelrand nicht erreicht.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachstehend anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen
Fig. 1 eine schematische Darstellung eines Geräts, das sich zum Anwenden der vorliegenden Erfindung eignet, und
PHN 9850 >" % :" 10.9.1981
• · » Z
Fig. 2 eine graphische Darstellung, die die Variation in der Zusammensetzung (Mol$) bei verschiedenen longitudinalen Positionen eines MnZn-Ferrit-Einkristails angibt, der mit Hilfe des erfindungsgemässen Verfahrens gezüchtet ist. ' Das erfindungsgeraässe Verfahren kann vorteilhaft mit Hilfe des in Fig. 1 dargestellten Geräts durchgeführt werden. Es enthält folgende Teile:
Ofenkessel· (i) mit Isolierung
Heizelement (2) (Graphit oder ¥iderstandsdraht) Eintrittsöffnung (3) für gegebenenfalls zu verwendendes Schutzgas zum Schützen des Heizelementes (2)
Al2O3-ROlIr (4)
Kristailwachstumsraum -(.5) (mit einem oxidierenden Gas gefüllt) Tiegelhalter (6) (als Unterstützung von (7)) Pl·atintiegel (7) mit einem Auslauf in ein Keimrohr (2i) Tropfpiatte (8)
Zuführungsrohr (9)
Behälter (io)
Abdeckplatte (11)
Abschlusstein (12) (Al2O3)
Füllrohr mit.Trichter (13)
Vorratsmagezin"mit einem Granulat (15) 0*0 Schüttelfüller (16)
Wägeanlage (i7) ·
Schüttelrinne (18)
Ausgangsmischung (Pulver) (19)
Überlauföffnung (20)
Keimrohr (21) mit Keimkristall
Tragrohr (22) aus Aluminiumoxid
Das erfindungsgemässe Verfahren wird anhand des Wachstums eines (MnZn)-Ferrit-Einkristalls beschrieben.
Es eignet sich jedoch auch zum Züchten von Einkristallen anderer Zusammensetzungen, insbesondere zusammengesetzter Oxide wie Orthoferrite und Granate.
" Ein aus einem früher hergestel^en Einkristall geschnittener Keimkristall·, bei dem die Längsrichtung eine für eine bestimmte Anwendung gewünschte krista^ographische Richtung besitzt, wird in dem Keimrohr 21 angeordnet.
PHN 9850 /Γ λ 10.9.1981
450 g Pulver mit der Zusamprens*§t>z|in*2f-A^: -,-"*. ; ο Ι ο / / 4
den Platintiegei
7 eingeführt,
der in den Ofen V in den Tiegelhalter 6 gestellt wird. - - Die gewählte Menge von ^50 g hängt mit der Anforderung zusammen, dass am Anfang von Kristallwachstum eine Flüssigkeitssäule mit einer ausreichenden Höhe über dem Keimkristall stehen muss. Es zeigt sich, dass in der Praxis eine Höhe zwischen 10 und 50 mm genügt. Das Vorratsmagazin lh wird mit 6000 g Granulat gefüllt (Zusammensetzung B:
M Mn„ ^oZn_ 00Fe0 ^/rO.). Während des Kristallwachstums wird 0,62 0,32 x,Oo M-
so viel B zugegeben, wie zum Konstanthalten der Höhe der Flüssigkeitssäule erforderlich ist. Das Granulat 15 besteht aus Partikeln mit Durchmessern von 0,k bis 1,2 mm. Sie werden dadurch hergestellt, dass ein Pulver mit 10$ des Gewichts an Wasser und 5$ Bindemittel in einer Schale gemischt wird, durch ein Sieb gepresst und anschliessend in einer Trommel gerollt wird. Die gewünschte Fraktion wird abgesiebt, bei einer Temperatur zwischen etwa 1000 und
12000C in Luft vorgesintert und erneut abgesiebt. Der Ofenkessel 1 (Fig. 1) wird angeheizt, bis der
obere Teil zumindest ab der Mitte des Keimkristalls im j
Keimrohr 21 bis zum Behälter 10 eine Temperatur über der j
Schmelztemperatur von MnZn-Ferrit und der untere Teil eine Temperatur unter der Schmelztemperatur hat. (Hierbei liegt *
die Mitte des Keimkristalls etwa in der Mitte des Ofens, l
wenn der Tiegel 7 in der höchsten Stellung steht). Diese · ■ /-^ Temperaturen liegen beispielsweise 30°C über bzw. 40°C unter dem Schmelzpunkt von MnZn-Ferrit. Der in der Ubergangszone auftretende Temperaturgradient muss so klein sein, dass Risse im Kristall vermieden werden. Im Kristallzüchtraum wird eine oxidierende Gasatmosphäre (die bei Mn-Zn-Ferrit eine Sauerstoffatmosphäre ist) aufrechterhalten, während das Heizelement 2, wenn es aus Metall besteht, beispielsweise in einer Wasserstoffgasatmosphäre liegen kann. Der Druck der Sauerstoffgasatmosphäre beträgt 1 bar und die Durchflussgeschwindigkeit des Sauerstoffs wird vorzugsweise so langsam gewählt, dass-ein minimaler oder kein Austausch mit der im Tiegel über der Schmelze aufgebauten Gasatmos- g
to
phäre erfolgt. Diese MassnaÜme'.v.ei'ziSge.rt „Wsentlich die Verdampfung leicht verdampfender komponenten"aus der Schmelze und trägt also zum Konstantbleiben der Schmelzzusammensetzung bei. Ohne diese Massnahme verdampft leicht ZnO aus der Schmelze, wenn ein MnZn-Ferrit-Einkristall gezüchtet wird.
Das·Zuführungsrohr 9 ragt durch die Abdeckplatte 11, die auf dem Tiegel 7 befestigt ist, und wird von ihr festgeklemmt. Der Tiegelhalter 6 ist mit einem Aluminiumoxidtragrohr 22 verbunden, das aus dem unteren Ende des Ofens herausragt, an welcher Stelle es mit einem (nicht dargestellten) Mechanismus verbunden ist, der das Tragrohr- 22 in einer Richtung bewegen kann. Der Tiegel 7 wird mit einer Geschwindigkeit von etwa 1cm/h nach oben bewegt, bis die Mitte des Keimrohrs 21 in einer Stellung angelangt ist, in der alles Ferrit-Startgemisch 19 und die Hälfte des Keimkristalls geschmolzen ist. Diese Position wird bei vorausgehenden Zyklen empirisch bestimmt. Man bringt den Tiegel 7 nach unten mit einer Geschwindigkeit von einigen mm/h.
Der restliche Teil des Keims fängt zu wachsen an.
Venn der Tiegel 7 so weit abgesunken ist, dass der Einkristall bis auf etwa der halben Höhe des konusförmigen Teils des Tiegels 7 vorhanden ist, startet man die Zuführung von Granulat 15 aus dem Vorratsmagazin 14. Wenn ·.".
der Kristall über diesen Pegel hinauswächst, wird die Menge des erstarrenden Werkstoffs nicht mehr in bezug auf die Anfangsmenge der Schmelze vernachlässigbar klein sein und die Zusammensetzung der Schmelze wird einen Gradienten aufweisen. Die Gewichtsverminderung der Flüssigkeit wird beim Züchten in der oberen Hälfte des Konus des Tiegels 6 ausgeglichen. Wächst der Werkstoff einmal im zylinderförmigen Teil des Tiegels 7» in dem die Kristallisationsgeschwindigkeit linear ist, so kann die Geschwindigkeit der Zugabe des Granulats 15 derart fein geregelt werden, dass die Geschwindigkeit der Granulatzugabe gleich der Erstarrungsgeschwindigkeit des Werkstoffs ist, so dass die Menge der Schmelze und ihre Zusammensetzung konstant bleiben, wodurch ein Kristall erzeugt wird, der in der Zucht-
PHN 9850 .">"·*; *« - -- . 10.9.1981
richtung eine einheitliche Zusammensetzung* besitzt. Nachdem
das Letzte der 6000 g des Granulats 15 aus dem Vorrats- '
i * magazin 15 ausgegeben ist, wird der Tiegel 7 noch etwa
10 Stunden mit der Wachstumsgesclrwindigkeit nach unten κ transportiert, um die restlichen k-50 g der Flüssigkeit die Möglichkeit zum Erstarren zu geben. Danach wird der Ofenkessel 1 sehr allmählich abgekühlt. Nach dem Erkalten wird der Platintiegel 7 aus dem Ofen 1 entfernt und vom ■ Kristall abgeschält, um den Kristall freizumachen. Das Granulat 15 wird während der Züchtung wie folgt zugegeben:
Das Granulat 15 wird in das Füllrohr 13 über eine Schüttelrinne 18 gebracht, die mit einem Schüttelfüller verbunden ist. Der Schüttelfüller 16 steht auf einer Wägeanlage I7.
Durch Einstellung der Amplitude des Schüttelfüllers 16 durch Regelung der Speisespannung des Schüttelmachanismus kann eine bestimmte Füllgeschwindigkeit erzeugt werden. Mit diesem System ist es möglich, das Granulat 15 mit einer stetigen Geschwindigkeit in den Behälter 10 einzugeben, so dass keine grossen TemperaturSchwankungen innerhalb des Tiegels 6 auftreten können.
Das aus dem Füller 16 zugeführte Granulat I5 fällt in den Behälter 10 und schmilzt dort. Geschmolzene Ferrit-Zusammensetzung B wird aus dem Behälter 10 durch die Überlauföffnung 20 zugeführt und fällt dabei auf die Tropfplatte 8. Die Tropfplatte 8 ist im Tiegel 6 derart angeordnet, dass Tropfen längs der Tiegelwand nach unten fliessen. Die Tropfplatte 8 hat eine wesentliche Funktion im Rahmen der Erfindung, weil diese Platte die Zinkverdampfung mit beschränkt, Einfallen der Körner in die Schmelze verhindert und besser als ein Führungsdraht arbeitet, um direktes Einfallen von Tropfen von zu grosser Höhe zu verhindern.
In Fig. 2 ist die Qualität eines mit dem erfindungsgemässen Verfahren gezüchteten MnZn-Ferrit-Einkristalls dargestellt. Auf der vertikalen Achse ist die Qualität 100 l/L aufgetragen, worin 1 der Abstand zwischen einer
IO ... O I O / / H I
9850 ..nj;.. „% ■„. .. 10.9.1981
Stelle im Kristall zum Punkt, an dem das Wachstum anfing, und L die Gesamtlänge des Kristalls ist, wobei die Zusammensetzung auf der horizontalen Achse aufgetragen ist. Daraus geht hervor, dass über gut Dreiviertel der Länge
5 die Zusammensetzung innerhalb von 1 Mol$ konstant ist.
Der Kristallteil mit der nahezu konstanten Zusammensetzung wird in Scheiben gesägt, die danach weiter verarbeitet werden. Um Köpfe für Videorekorder daraus herstellen zu können, werden diese Scheiben wieder in je
10 eine Anzahl rechteckiger Scheiben unterteilt.
Leerseite

Claims (8)

PHN 9850 »ir·..: ::..; "·«* *: -10.9.1981 * Λ AtA PATENTANSPRÜCHE
1. Verfahren zum Herstellen eines Einkristalls eines zusammengesetzten Oxids durch allmähliche Erstarrung einer
- Schmelze, wobei die Erstarrung von einem Einkristall ausgeht, der zunächst mit der Schmelze in Berührung ist, mit welchem Verfahren der Schmelze im Erstarrungsverfahren
Komponenten zugesetzt werden, deren Konzentrationen in der Schmelze abnehmen, dadurch gekennzeichnet, dass Kristall- **"*% wachstum mit einer Schmelzmenge mit einem Gewicht gestartet wird, das höchstens 25$ des Gewichts des zu züchtenden Kristalls beträgt und beim Erstarrungsverfahren geschmolzenes Material der gleichen Zusammensetzung wie das Material, das aus der Schmelze erstarrt, in derartigen Mengen der Schmelze zugesetzt wird, dass die Gesamtmenge der Schmelze während des ganzen Verfahrens im wesentlichen konstant
bleibt. ,„
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
dass am Anfang des Eastarrungsverfahrens die Oberseite des J Keimkristalls sich von 20 bis 50 mm unter der Oberfläche der Schmelze befindet.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der zuzugebende Werkstoff die Ausgangsform von Körnern besitzt, die vor dem Erreichen der Schmelze geschmolzen sind.
4.· Verfahren nach Anspruch 3> dadurch gekennzeichnet, dass der Werkstoff allmählich einem über der Oberfläche der Schmelze angeordneten Behälter zugeführt werden, der auf einer Temperatur gleich der Schmelztemperatur des zugeführten Werkstoffs gehalten wird, wobei die Werkstoffmenge, die je Zeiteinheit dem Behälter zugeführt wird, mit jener Menge geschmolzenen Werkstoffs im Gleichgewicht ist, die den
Behälter verlässt. ^
5. Verfahren nach Anspruch h, dadurch gekennzeichnet, j dass der Werkstoff in Form von Körnern mit einem Durchmesser ■■£
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PHN 9850 °"M'i " "' *** ":* 10.9.1981
* 1 no».
zwischen 0,2 und h mm dem Behälter zugeführt wird.
6. Verfahren nach Anspruch k, dadurch gekennzeichnet, dass der geschmolzene Werkstoff, der den Behälter verlässt, der Innenwand des Ofenkessels zugeführt wird, in dem sich die Schmelze befindet.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass beim Erstarrungsverfahren der Raum über der Oberfläche der Schmelze in minimalem Gasaustausch mit seiner Umgebung steht.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7» dadurch gekennzeichnet, dass der Einkristall aus einem Mangan-Zink-Ferrit besteht.
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