DE3927869C2 - - Google Patents
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von gesättigtem Dampf fester
metallorganischer Verbindungen für das MOCVD-Verfahren nach dem Oberbegriff
des Anspruchs 1.
Das MOCVD-Verfahren unter Verwendung von metallorganischen Verbindungen
ist heute wohlbekannt als ein Verfahren, das für die Massenherstellung von Halbleiterlasern
usw. mit hoher Leistungsfähigkeit bei der Produktion geeignet ist.
Das MOCVD-Verfahren wird auch für die Herstellung von superleitenden dünnen
Schichten (Dünnfilmen) des Oxidtyps verwendet.
Das MOCVD-Verfahren ist ein Verfahren, bei dem die metallorganische Verbindung
zusammen mit einem Trägergas, wie einem Inertgas, Wasserstoffgas oder
ähnlichem, als gesättigter Dampf der metallorganischen Verbindung mit einer
Wafer, die auf hohe Temperaturen erhitzt ist, in Kontakt gebracht wird und mit einem
Rohmaterialgas auf der Wafer reagiert, so daß sich eine dünne Einkristallschicht
der durch die genannte Reaktion gebildeten Verbindung auf der Wafer abscheidet.
Es handelt sich dabei insbesondere um ein Verfahren, eine dünne einkristalline
Schicht, z. B. von GaAS durch die Reaktion von (CH₃)₃Ga mit AsH₃-Gas
auf der Wafer, die auf hohe Temperatur erhitzt ist, entsprechend der folgenden
Reaktionsgleichung abzuscheiden ist.
Bei dem MOCVD-Verfahren wird die metallorganische, in einen Zylinder eingebrachte
Verbindung mit einem Trägergas in den zur Abscheidung des Einkristalls
verwendeten Reaktionsofen überführt.
In der JP-OS Sho 63-11 598 wird ein Zylinder für das MO-CVD-Verfahren vorgeschlagen.
Hierbei ist, wie aus Fig. 3 zu entnehmen, eine Dispergiereinrichtung
(Filter) 4 am unteren Teil des Trägergas-Einführungsrohrs 3, welches mit dem Zuführungsrohr
1 des Trägergases verbunden ist und durch die Mittelachse des Zylinders
2 geführt ist, befestigt, wobei der untere Teil 2-1 des Zylinders 2 einen kleinen
Durchmesser besitzt, der im Vergleich zum oberen Teil 2-2 des besagten Zylinders
enger ist, und ein kippbares Teil 2-3 im Bereich des engen Durchmessers angebracht
ist, so daß das Trägergas, welches durch das Einleitungsrohr 3 in den unteren
Teil des Zylinders 2 durch die Dispergiereinrichtung 4 eingebracht wird, mit dem
Dampf der metallorganischen Verbindung während des Aufsteigens durch das Innenteil
des Zylinders 2, der mit der metallorganischen Verbindung beschickt ist,
gesättigt und über das Auslaßventil 5 aus dem Zylinder abgeführt wird. Dieses
Verfahren sollte besonders für feste metallorganische Verbindungen geeignet
sein, war jedoch immer noch unbefriedigend.
Bei dem genannten Verfahren wird Trimethylindium als metallorganische Verbindung
verwendet, und der Vorrat an Trimethylindium wird durch die diskontinuierlich
variierende Zugabe in einem Bereich von 5 bis 50 g bestimmt.
Bei diesem Verfahren ist der Beladungszustand mit Trimethylindium vor dem Beginn
des Beladungstests sehr gut für jede beliebige Vorratsmenge an Trimethylindium,
und die Beladung mit Trimethylindium nach Beendigung des Beladungstests
ist kaum verändert, wie aus den Beispielen der genannten Schrift zu entnehmen
ist, da die Durchflußrate des Trägergases nicht sehr hoch und die Verweilzeit
mit 3 Stunden relativ kurz ist. Daraus ist zu entnehmen, daß der Kontakt von Trimethylindium
mit dem Trägergas ausreicht, leicht einen Sättigungsgrad zu erreichen,
der eine konstante Beladung ermöglicht.
Wenn man jedoch den Beladungstest den praktischen Verfahrensbedingungen
anpaßt, z. B. bei der Beschickung mit einer festgesetzten Menge von Trimethylindium
im Zylinder bei kontinuierlichem Durchfluß von Trägergas für eine lange
Zeitspanne, zeigt sich als Nachteil, daß im Laufe der Zeit das um den Filter befindliche
Trimethylindium Hohlräume aufweist, wodurch zusätzliche Wege für das
Gas entstehen, so daß der Kontakt des Trimethylindium mit dem Trägergas nach
und nach unzureichend wird, wodurch eine graduelle Abnahme der Beladung und
eine schwierigere Kontrolle der Zusammensetzung der dünnen Einkristallfilme
hervorgerufen wird, obwohl der Unterschied des Beladungszustandes kaum während
einer kurzen Zeitspanne, wie oben beschrieben, bemerkt werden kann.
Aus der EP-A 10 323 145 ist eine Vorrichtung zur Abgabe eines mit einer organischen
Metallverbindung gesättigten Gases bekannt, wobei ein Gaseinlaßstrom
durch ein in ein zylindrisches Gefäß eingefülltes Material aus einer organischen
Metallverbindung hindurchgeleitet wird und anschließend das mit dem Dampf
der organischen Metallverbindung gesättigte Inertgas aus dem zylindrischen Gefäß
abgeleitet wird. Mit dieser bekannten Vorrichtung läßt sich jedoch über einen
langen Zeitraum hinweg kein gleichmäßiger Materialstrom erzielen.
Aus der DE-OS 33 39 625 ist eine Vorrichtung zum Anreichern eines Trägergases
mit dem Dampf eines wenig flüchtigen Stoffes bekannt, umfassend ein Gefäß mit
einem beheizbaren Innenraum zur Aufnahme des Stoffes oder Stoffgemisches,
der mit einer Zuleitung für das Trägergas und einer Ableitung für das angereicherte
Trägergas versehen ist. Auch hierbei wird keine gleichmäßige Beschickung des
Ableitungsgasstromes mit dem Dampf des wenig flüchtigen Stoffes erzielt.
Aus der EP-A-0 326 319 ist eine Vorrichtung bekannt, bestehend aus einem zylindrischen
Gefäß (1) mit einem Innenraum (12) für die Aufnahme eines Pulvers (13),
das aus einem wenig flüchtigen Stoff und einem inerten Füllkörpermaterial besteht.
Die Vorrichtung wird dabei vorzugsweise mit einem aus einem Inertgas bestehenden
Gasstrom (4, 16) in Schwerkraftrichtung durchströmt. Dabei passiert
der Gasstrom nacheinander eine dicke Gaseintrittsplatte (10), das Pulver (13) sowie
eine dünne Gasaustrittsplatte (14) und wird anschließend als mit der wenig
flüchtigen Stoffkomponente beladener Gasstrom (17) abgeleitet.
Mit dieser bekannten Vorrichtung soll ein Gasstrom bis zur Sättigung mit dem
Dampf des wenig flüchtigen Stoffes angereichert werden, also ein hoher Massenfluß
des wenig flüchtigen Stoffes erzielt werden, wobei eine Flußkonstanz über eine
lange Dauer erzielt wird und so typische wirksamkeitsmindernde Erscheinungen,
wie Kaminbildung, Kontaktsinterung und Verstopfung vermieden werden
sollen.
Hierbei ist es jedoch notwendig, daß zur Erzielung der gewünschten Effekte der
Gasstrom nacheinander die Gaseintrittsplatte (10), das Pulver (13) und die dünne
Gasaustrittsplatte (14) passiert, wobei die Gaseintrittsplatte (10) zwischen der
Mündung der Zuleitung und dem Pulver angeordnet ist, die Gasaustrittsplatte (14)
zwischen dem Pulver und der Mündung der Ableitung angeordnet ist und mindestens
eine der beiden Platten derart bewegbar ist, daß sie bei Betrieb der Vorrichtung
auf das Pulver aufpreßbar ist, wobei doch eine spezielle Dimensionierung der
Vorrichtungsteile und Einstellung eines niedrigen Druckes in der Vorrichtung
ein hoher Massenfluß des wenig flüchtigen Stoffes mit einer Flußkonstanz über
eine lange Dauer erreicht wird. Hierbei ist es wesentlich, daß die Dicke der Gaseintrittsplatte (10) die Dicke der Gasaustrittsplatte (14), die Porengröße der beiden
Platten (10), (14) beziehungsweise die Dicke der Pulverschüttung (13) im Innenraum
(12) derart gewählt werden muß, daß bei Betrieb der Vorrichtung der Druckabfall
in der Gaseintrittsplatte (10) größer als der Druckabfall in der Pulverschüttung
(13) ist, und der Druckabfall in der Pulverschüttung (13) sehr viel größer als
der Druckabfall in der Gasaustrittsplatte (14) und der Druckabfall in der Gasaustrittsplatte
(14) viel kleiner als der Druck im Reaktor sein muß.
Zur Erzielung eines hohen Massenflusses des wenig flüchtigen Stoffes im Gasstrom
ist folglich eine Vorrichtung notwendig, die neben einem Gaseinlaß einen
Gasauslaß zusätzliche Teile wie die Gaseintrittsplatte (10) und die Gasaustrittsplatte
(14) erfordert, und bei der sowohl eine spezielle Dimensionierung aller
Vorrichtungsteile und die Einstellung eines speziellen Druckes zur Gewährleistung
der Funktionsfähigkeit der Vorrichtung erforderlich ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung von gesättigtem
Dampf fester metallorganischer Verbindungen für das MOCVD-Verfahren
zu schaffen, bei dem stets eine konstante Menge an metallorganischer
Verbindung im Gasstrom und somit eine gute Kontrolle der Zusammensetzung der
dünnen Einkristallschichten, auch bei hohen Durchflußraten des Gasstromes,
gewährleistet wird, ohne daß hierfür eine spezielle Druckeinstellung oder Dimensionierung
der Vorrichtung erforderlich ist.
Diese Aufgabe wird durch das im Anspruch angegebene Verfahren gelöst.
Gegenstand der Erfindung ist daher ein Verfahren zur Herstellung von gesättigtem
Dampf fester metallorganischer Verbindungen für das MOVCD-Verfahren,
bei dem ein mit einem Füllkörpermaterial und einer schwer flüchtigen metallorganischen
Verbindung beschichter Zylinder mit einem durch eine am Zylinder
vorgesehene Einlaßöffnung eintretenden Inertgasstrom unter Ausbildung eines
durch eine Auslaßöffnung am Zylinder austretenden und mit der metallorganischen
Verbindung gesättigten Gasstromes, durchströmt wird, und das dadurch gekennzeichnet
ist, daß der mit der metallorganischen Verbindung gesättigte Gasstrom
durch ein in den Zylinderinnenraum hineinragendes und in eine gleichmäßige
Mischung aus Füllkörpermaterial und schwer flüchtiger organischer
Verbindung eintauchendes Rohr (G), das an seinem unteren Ende eine Dispergiereinrichtung
(H) aufweist, abgeleitet wird.
Durch das erfindungsgemäße Ein- und Ableiten des Inertgasstroms gelingt es, eine
mit einer konstanten Menge des schwer flüchtigen organischen Stoffes beladene
Gasmenge über lange Stunden aufrecht zu erhalten, wodurch eine gleichmäßige
Beschickung erreicht wird.
Durch Eintauchen des Gasableitungsrohres (G) in das Gemisch aus Füllkörpermaterial
und schwer flüchtiger organischer Verbindung wird nur der Teil des Gasstromes
abgeleitet, der mit dem Dampf der festen metallorganischen Verbindung
gesättigt ist und der zusätzlich mittels der Dispergiereinrichtung (H) fein verteilt
wird, so daß sich hierdurch ein gleichmäßiger Ableitungsgasstrom ergibt.
Im folgenden wird die Erfindung anhand einer Zeichnung näher erläutert, in der
zeigt
Fig. 1 die Frontansicht eines Zylinders für das metallorganisch-chemische
Verdampfungsverfahren gemäß der Erfindung;
Fig. 2 eine Draufsicht auf diesen Zylinder;
Fig. 3 eine Frontansicht eines herkömmlichen, bei den Vergleichsbeispielen
verwendeten Zylinders;
Fig. 4 eine schematische Darstellung der Versuchsanordnung unter Verwendung
des in Fig. 1 gezeigten Zylinders; und
Fig. 5 eine graphische Darstellung der Ergebnisse der Vergleichsversuche
unter Verwendung des erfindungsgemäß eingesetzten und des herkömmlichen
Zylinders in der in Fig. 4 dargestellten Versuchsanordnung.
Die Form des für das erfindungsgemäße Verfahren zu benützenden Zylinders kann
die eines beliebigen Zylinders sein, z. B. eines horizontalen Zylinders oder von eckigen Säulen,
bevorzugt werden aber senkrechte Zylinder. Dabei kann der Innendurchmesser im
oberen und unteren Bereich des Zylinders gleich sein oder im unteren Teil einen engen
Durchmesser aufweisen, wobei der Innendurchmesser im Vergleich zum oberen
Teil des Zylinders enger ist und wobei der Teil mit dem engeren Durchmesser
mit einem kippbaren Element ausgestattet werden kann, wobei bevorzugt der untere
Teil enger ausgebildet ist. Der Innendurchmesser des Zylinders unterliegt keinen
besonderen Bedingungen und beträgt in der Regel 30 bis 150 mm. Die Einlaßöffnung
und die Auslaßöffnung für das Trägergas sowie die Beschickungsöffnung
können an jedem beliebigen oberen, Seiten- oder unteren Bereich des besagten Zylinders
befestigt sein, bevorzugt ist jedoch der obere Bereich. Außerdem kann der
Durchflußweg des Trägergases so gewählt werden, daß das Trägergas entweder
durch das Rohr, das direkt mit der Einlaßöffnung des Trägergases verbunden ist, in
den Zylinder eingeführt wird und durch die Auslaßöffnung nach dem Kontakt mit
der festen metallorganischen Verbindung abgeführt wird, oder daß das Rohr so
ausgebildet ist, daß es direkt mit der Auslaßöffnung anstelle der Einlaßöffnung verbunden
ist und daß das in den Zylinder eingeführte Trägergas über das Rohr durch
die Auslaßöffnung abgeführt wird, nachdem es mit der festen metallorganischen
Verbindung in Kontakt gebracht worden ist. Des weiteren ist die bevorzugte Position
des in den Zylinder eingeführten Rohres die Mitte. Das Verhältnis des Innendurchmessers
des Rohres zu dem des Zylinders unterliegt keinen besonderen Beschränkungen,
aber die lineare Geschwindigkeit des Trägergases im Zylinder sollte
bevorzugt langsam sein.
Als Füllkörper für das erfindungsgemäße Verfahren können verschiedene
Destillations-Füllkörper benutzt werden, die sowohl kugelförmig, eckig, zylindrisch,
säulenartig, wendelförmig, federartig usw. geformt sein können, z. B. Dickson-
Füllkörper, Helipack-Füllkörper, Fenske-Füllkörper usw., verschiedene Faserfüllmaterialien,
verschiedene schüsselförmige Füllkörper und dergleichen,
bestehend aus formbeständigen Legierungen, Glas, rostfreiem Stahl, Keramik,
Polytetrafluorethylen usw., wobei jedes Material, das nicht die metallorganische
Verbindung verunreinigt, benutzt werden kann. Außerdem beträgt die Größe der
Füllkörper in der Regel 0,5 bis 20 mm, so daß das Einfüllen über die Beschickungsöffnung
erfolgen kann.
Für die Beschickung des Zylinders mit metallorganischen Verbindungen am Beispiel
des Trimethylindiums ist es möglich, bei der eine entsprechende Menge des
Füllkörpermaterials mit einer bestimmten Menge des Trimethylindiums vor der Beschickung
zu vermischen, eine weitere, oder das Füllkörpermaterial und Trimethylindium
abwechselnd in beliebiger Menge einzufüllen, oder zuerst das Füllkörpermaterial
und dann Trimethylindium einzufüllen und anschließend den Zylinder zu drehen,
oder auch weitere ähnliche Methoden anzuwenden. Dabei ergibt eine gleichförmige
Verteilung des Trimethylindiums und des Füllmaterials im Zylinder einen noch größeren
Effekt der Erfindung.
Das für die Beschickung verwendete Trimethylindium kann sowohl als granulares
Produkt, welches durch Zerkleinern der Reaktionsmasse erhalten wird, oder als
nadelförmiges Produkt, das durch Sublimation erhältlich ist, verwendet werden.
Das bevorzugte Volumenverhältnis von Füllkörpermaterial zu Trimethylinidum
beträgt 20 : 80%.
Die Spitze des Rohres, die direkt mit der Einlaß- oder Auslaßöffnung für das
Trägergas verbunden ist, kann mit einer Dispergier- oder Verteileinrichtung (Filter)
ausgestattet sein, bevorzugt ist die Verwendung einer solchen Dispergiereinrichtung,
die sowohl säulenförmig, scheibenförmig, tellerförmig, kugelförmig oder ähnlich
ausgebildet sein kann. Die Spitze des Rohres ist entweder vorstehend oder zurückweichend
an der Dispergiereinrichtung befestigt. Dabei ist es von Bedeutung,
daß das Trägergas ausschließlich durch die Dispergiereinrichtung fließt. Die
Dispergiereinrichtung sollte porös sein und aus rostfreiem Stahl oder auch aus Keramik
bestehen, wenn eine entsprechende Lebensdauer und eine etwa gleichförmige
Feinkeit von 1 bis 100 µm garantiert werden kann.
Als für die Erfindung wirksam nutzbare feste metallorganische Verbindungen können
Alkylmetallverbindungen, Cyclopentadienylverbindungen, β-Diketonkomplexe
usw. verwendet werden. Besonders hervorzuheben sind Trimethylindium,
Triphenylaluminium, Triphenylbismut, tert.-Butyllithium, Cyclopentadienylindium,
Cyclopentadienyllithium, Cyclopentadienylmagnesium, Cyclopentadienylmangan,
Tritolylbismut, Bariumacetylacetonatkomplexe, Strontiumacetylacetonatkomplexe,
Kupferacetylacetonatkomplexe, Yttriumacetylacetonatkomplexe,
Calciumacetylacetonatkomplexe, Bariumdipivaloylmethanat, Strontiumdipivalolymethanat,
Kupferdipivaloylmethanat, Yttriumdipivaloylmethanat, Calciumdipicaloylmethanat
usw.. Im Zylinder kann während der Zeit der Benutzung Überdruck,
Normaldruck oder verminderter Druck herrschen. Als inerte Trägergase
können Stickstoff, Argon, Helium usw. oder auch Wasserstoff benutzt werden, wobei
die Benutzung von Wasserstoff bevorzugt ist.
Der in der JP-OS Sho. 63-11 598 offenbarte Zylinder ist in der Fig. 3 dargestellt.
Bei Beschickung dieses aus Glas bestehenden Zylinders mit Trimethylindium und
der kontinuierlichen Zufuhr von Stickstoffgas mit einer Durchflußrate von 500 ml
/min. wurden Hohlräume um die Dispergiereinrichtung herum zu einem Zeitpunkt
beobachtet, wenn der Nutzungsgrad von Trimethylindium bei etwa 5% lag
und das Beladungsniveau absank.
Durch verschiedene Untersuchungen konnte festgestellt werden, daß durch das
erfindungsgemäße Verfahren eine konstante Gasmenge über längere Stunden aufrechterhalten
und auf der Wafer eine fest haftende dünne Einkristallschicht gebildet
wurde.
Der Grund dafür liegt darin, daß das Füllkörpermaterial gegen den Durchfluß des
Trägergases resistent ist und wegen der Hohlräume des Füllkörpermaterials die
Bildung von Hohlräumen in Trimethylindium erschwert wird.
Der Temperaturbereich bei der Benutzung von festen metallorganischen Verbindungen
sollte unterhalb des Schmelzpunktes der festen metallorganischen Verbindung
liegen, z. B. unterhalb 88°C im Fall des Trimethylindiums und unterhalb 78°C
im Fall von Triphenylbismut.
Die folgenden Beispiele dienen der Erläuterung der Erfindung.
Fig. 1 und Fig. 2 zeigen ein Beispiel eines Zylinders für metallorganisch-chemische
Bedampfungsverfahren nach dem erfindungsgemäßen Verfahren. Am kreisförmigen
Umfang des oberen Teils eines senkrechten Zylinders A befindet sich die
Beschickungsöffnung B für die metallorganische Verbindung und das Füllkörpermaterial
und ein Einlaßrohr D für das Trägergas wird über dieses Einlaßrohr D
über einen Hahn E in den Zylinder A eingelassen. In der Mitte des oberen Zylinderdeckels
befindet sich ein Auslaßrohr F für das Trägergas, das von der Zylindermitte
in Richtung Rand gebogen ist und dann rechtwinklig aufsteigt und am Zylinderdeckel
mit einem Rohr G verbunden ist. Dieses Rohr G reicht vom oberen Teil des
Zylinders bis nahe an den Boden des Zylinders A, wobei es durch die Mitte geführt
wird und sich am unteren Ende des Rohres G eine Dispergiereinrichtung (Filter) H
befindet. Dadurch wird das Trägergas, welches durch den Innenraum des Zylinders
A, der mit der metallorganischen Verbindung und dem Füllkörpermaterial
beschickt und mit dem gesättigten Dampf der metallorganischen Verbindung
gefüllt ist, geführt wird, durch das Rohr G über die Dispergiereinrichtung (Filter) H
und durch das Auslaßrohr F geleitet und über den Hahn I nach außen abgeführt.
Wie in Fig. 4 gezeigt, wurden 26,0 g Trimethylindium und 50 ml Glasfüllkörpermaterial
(Heilpack G3, 4 mm × 4 mm × 3 mm, hergestellt von der Taika Kogyo
Co., Ltd.) in den genannten Zylinder A (Durchmesser des Zylinders: 40 mm) gefüllt
und durch Rotieren des Zylinders miteinander vermischt. Der Zylinder wurde
dann in ein bei 25°C gehaltenes, thermostatisches Bad K getaucht und eine Wasserstoffgaszuleitung
M, ausgestattet mit einem Durchflußmesser L, wurde mit dem
Einlaßrohr D des Trägergases verbunden, um kontinuierlich während 8 Stunden
gasförmiger Wasserstoff mit einer Durchflußrate von 500 ml/min. zuzuführen und
so gasförmiges Trimethylindium abzuführen. Trimethylindium im Wasserstoffgas
wurde durch eine mit flüssigem Stickstoff gekühlte Falle N abgeschieden und gewogen.
Das Wasserstoffgas wurde während einiger weiteren Stunden mit der gleichen
Durchflußrate rückzirkuliert und dieser Prozeß so lange wiederholt, bis kein
Trimethylindium mehr ausgeschieden wurde. Die Ergebnisse der Gewichtsbestimmung
sind in Fig. 5 gezeigt.
Das auf der Ordinate der Fig. 5 aufgetragene Beladungsniveau (g/h) des
Trimethylindium steht für durch den Kontakt mit dem Träger erzeugte Menge
an Trimethylindium-Gas.
Unter Verwendung des in der Fig. 3 dargestellten Zylinders wurden 26,0 g Trimethylindium
in den besagten Zylinder 2 gegeben und Wasserstoffgas mit einer
Durchflußrate von 500 ml/min. entsprechend Beispiel 1 zugeführt. Trimethylindium
aus dem Wasserstoffgas wurde nach der gleichen Methode wie in Beispiel 1 entfernt
und die Veränderung des Beladungsniveaus über die Zeit bestimmt. Es zeigte
sich, daß das Beladungsniveau mit der Vergrößerung der Hohlräume abnahm. Die
Ergebnisse sind in Fig. 5 dargestellt.
Der Test wurde unter den gleichen Bedingungen, wie in Beispiel 1 angegeben,
durchgeführt, mit dem Unterschied, daß das Füllkörpermaterial des Beispiels 1
durch 40 ml eines aus rostfreiem Stahl bestehenden Dickson-Füllkörpermaterial
(6,0 mm, hergestellt von der Naniwa Tokushu Kanaami Co., Ltd.) ersetzt wurde.
Das Beladungsniveau an Trimethylindium nahm nicht ab, bis der Verbrauch an
Trimethylindium 82% erreichte.
Das Trimethylindium-Gas wurde unter den gleichen Bedingungen, wie in Beispiel
1 beschrieben, über das Auslaßventil abgeführt, mit dem Unterschied, daß der untere
Teil des in Beispiel 1 verwendeten Rohres, welches direkt mit dem Auslaßventil
des Zylinders verbunden ist, so gebogen ist, daß sich die Spitze am Boden des Zylinders
befindet und das Rohr direkt mit dem Einlaßventil für das Trägergas verbunden
ist. Die Ergebnisse waren die gleichen wie in Fig. 5 gezeigt, und das Beladungsniveau
nahm erst bei einem Verbrauch von über 80% ab.
Ein Zylinder mit einem Innendurchmesser von 70 mm, an dessen Boden ein Rohr
mit einem Innendurchmesser von 10 mm direkt mit dem Einlaßventil des Trägergases
verbunden ist, aber keinen Verteiler an der Spitze des Rohres aufweist, und dessen
Auslaßventil sich im oberen Teil des Zylinders befindet, wurde mit 55 g
Trimethylindium und 150 ml aus rostfreiem Stahl bestehendes Füllkörpermaterial
[2,5 mm × 5,0 mm × 5,0 mm] nach vorheriger Vermischung
beschickt. Der Zylinder wurde in ein bei 60°C gehaltenes thermostatisches Bad
eingetaucht, und Wasserstoffgas wurde kontinuierlich bei einer Durchflußrate von
1000 ml/min. zugeführt, bis kein Trimethylindium mehr austrat. Es zeigte sich,
daß das Beladungsniveau nicht abnahm, bis der Verbrauch an Trimethylindium
86% betrug.
In einem Zylinder des in Beispiel 1 verwendeten Typs wurden 15 g Trimethylindium
und 80 ml eines Glasfüllkörpermaterials (4 mm × 4 mm × 3 mm)
eingefüllt und durch Schütteln des Zylinders
vermischt. Dieser Zylinder wurde in ein bei 70°C gehaltenes thermostatisches Bad
getaucht, und das Wasserstoffgas wurde kontinuierlich so zugeführt, daß im Zylinder
ein Druck von 400 Pa (3 mmHg) entstand. Es zeigte sich, daß das
Beladungsniveau unverändert blieb, bis der Verbrauch an Trimethylindium 91%
erreichte.
Der Test wurde unter den genau gleichen Bedingungen wie in jenen von Beispiel 5
durchgeführt, mit dem Unterschied, daß kein Füllmaterial verwendet wurde. Dabei
zeigte sich, daß das Beladungsniveau von dem Zeitpunkt an rapide abnahm, wo
26% des Trimethylindium verbraucht waren.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren wird erreicht, daß ein konstantes Nachschubniveau
der metallorganischen Verbindung über mehrere Stunden unabhängig
von der Menge an fester metallorganischer Verbindung, der Durchflußrate des
Trägergases usw. aufrechterhalten werden kann. Dadurch wird die Steuerung der
Zusammensetzung der dünnen Einkristallschicht ermöglicht, was von großer
technischer Bedeutung ist.
Claims (1)
- Verfahren zur Herstellung von gesättigtem Dampf fester metallorganischer Verbindungen für MOCVD-Verfahren, bei dem ein mit einem Füllkörpermaterial und einer schwerflüchtigen metallorganischen Verbindung beschickter Zylinder mit einem durch eine am Zylinder vorgesehene Einlaßöffnung eintretenden Inertgasstrom unter Ausbildung eines durch eine Auslaßöffnung am Zylinder austretenden und mit der metallorganischen Verbindung gesättigten Gasstromes, durchströmt wird, dadurch gekennzeichnet, daß der mit der metallorganischen Verbindung gesättigte Gasstrom durch ein in den Zylinderinnenraum hineinragendes und in eine gleichmäßige Mischung aus Füllkörpermaterial und schwerflüchtiger organischer Verbindung eintauchendes Rohr (G), das an seinem unteren Ende eines Dispergiereinrichtung (H) aufweist, abgeleitet wird.
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