JPS6355194A - 有機金属化合物の充填方法 - Google Patents
有機金属化合物の充填方法Info
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- JPS6355194A JPS6355194A JP20027786A JP20027786A JPS6355194A JP S6355194 A JPS6355194 A JP S6355194A JP 20027786 A JP20027786 A JP 20027786A JP 20027786 A JP20027786 A JP 20027786A JP S6355194 A JPS6355194 A JP S6355194A
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- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 68
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 13
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 3
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 claims 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 12
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 abstract description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 abstract 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 5
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- HTDIUWINAKAPER-UHFFFAOYSA-N trimethylarsine Chemical compound C[As](C)C HTDIUWINAKAPER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YWWDBCBWQNCYNR-UHFFFAOYSA-N trimethylphosphine Chemical compound CP(C)C YWWDBCBWQNCYNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000001479 atomic absorption spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- FOJZPLNOZUNMJO-UHFFFAOYSA-M chloro(dimethyl)indigane Chemical compound [Cl-].C[In+]C FOJZPLNOZUNMJO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- DJYALRJDNXBDCR-UHFFFAOYSA-M ethane;iodozinc(1+) Chemical compound [CH2-]C.I[Zn+] DJYALRJDNXBDCR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000002259 gallium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N hydrate;hydrochloride Chemical compound O.Cl DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002472 indium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- YSTQWZZQKCCBAY-UHFFFAOYSA-L methylaluminum(2+);dichloride Chemical compound C[Al](Cl)Cl YSTQWZZQKCCBAY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 150000003752 zinc compounds Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J4/00—Feed or outlet devices; Feed or outlet control devices
- B01J4/008—Feed or outlet control devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4485—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation without using carrier gas in contact with the source material
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈発明の技術分野〉
本発明は有機金属化合物の充填方法に関する。
さらに詳細には固体状有機金属を気相成長法に供する際
に、飽和蒸気となり易い気相成長用固体有機金属化合物
の充填方法に関するものである。
に、飽和蒸気となり易い気相成長用固体有機金属化合物
の充填方法に関するものである。
〈従来の技術〉
近年有機金属化合物は、電子工業において、例えば化合
物半導体の原料として使用されている。
物半導体の原料として使用されている。
該有機金属化合物を電子工業において使用する場合には
、通常水素ガス等のキャリヤガスをを機金属化合物と接
触する様に吹き流し、有機金属化合物の飽和版気として
気相成長装置に導かれる。
、通常水素ガス等のキャリヤガスをを機金属化合物と接
触する様に吹き流し、有機金属化合物の飽和版気として
気相成長装置に導かれる。
この場合有機金属化合物がその使用温度において液体で
ある場合には、第1図に示すようなキャリヤガスを該有
機金属化合物中にバブリングできる様な細管3を備えた
容器1に、バルブ10を介して有機金属化合物を充填し
、細管3よりキャリヤガスを吹込みバブリングすれば、
直ちにその時の温度に見合った該有機金属化合物の飽和
蒸気を得ることができる。
ある場合には、第1図に示すようなキャリヤガスを該有
機金属化合物中にバブリングできる様な細管3を備えた
容器1に、バルブ10を介して有機金属化合物を充填し
、細管3よりキャリヤガスを吹込みバブリングすれば、
直ちにその時の温度に見合った該有機金属化合物の飽和
蒸気を得ることができる。
しかし室温で固体であるような有機金属化合物の場合に
は、液体と異なり、バルブを経由して容器に充填するこ
とが出来ないため、予め粉末状にした上で盲栓を供えた
仕込み口から落し込み、その後、盲栓をして気相成長に
供するか、或は別途仕込み口を有する固体状有機金属化
合物専用の容器を作成し、粉状或は塊状品を充填し使用
していた。
は、液体と異なり、バルブを経由して容器に充填するこ
とが出来ないため、予め粉末状にした上で盲栓を供えた
仕込み口から落し込み、その後、盲栓をして気相成長に
供するか、或は別途仕込み口を有する固体状有機金属化
合物専用の容器を作成し、粉状或は塊状品を充填し使用
していた。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかしながら上記方法によって充填された固体有機金属
化合物を半導体原料として使用した場合、化合物の組成
が目的の値と異なったり、結晶性の良くない半導体しか
得られないという問題を生ずる。
化合物を半導体原料として使用した場合、化合物の組成
が目的の値と異なったり、結晶性の良くない半導体しか
得られないという問題を生ずる。
これは液体有機金属化合物と異なり、固体の場合は流動
性が無いためかキャリヤガスを導入しても、キャリヤガ
スの流路が形成される等の現象が生起し接触面積が減少
して、キャリヤガスと固体有機金属化合物との充分な接
触が起っていないことに寄因するものと推察される。
性が無いためかキャリヤガスを導入しても、キャリヤガ
スの流路が形成される等の現象が生起し接触面積が減少
して、キャリヤガスと固体有機金属化合物との充分な接
触が起っていないことに寄因するものと推察される。
また、固体専用の仕込み口を備えた容器を用いる方法は
固体用と液体用を区別した容器形状としなければならず
、経済的に不利益を生ずるばかりか、有機金属化合物は
一般に活性に冨むものが多いために充填に際して大気と
遮断するための特別な設備を設置しなければならず、作
業性も著しく低下するという欠点を有する。
固体用と液体用を区別した容器形状としなければならず
、経済的に不利益を生ずるばかりか、有機金属化合物は
一般に活性に冨むものが多いために充填に際して大気と
遮断するための特別な設備を設置しなければならず、作
業性も著しく低下するという欠点を有する。
かかる事情下に鑑み本発明者らは一定の再現性ある有機
金属化合物の蒸発量が得られる常温で固体状有機金属化
合物の容器への充填方法を見出すことを目的として鋭意
検討した結果、固体状有機金属化合物を昇華せしめ、こ
れを所望のキャリヤガス導入管を有する容器に充填する
場合には上記目的を満足し得ることを見出し本発明を完
成するに至った。
金属化合物の蒸発量が得られる常温で固体状有機金属化
合物の容器への充填方法を見出すことを目的として鋭意
検討した結果、固体状有機金属化合物を昇華せしめ、こ
れを所望のキャリヤガス導入管を有する容器に充填する
場合には上記目的を満足し得ることを見出し本発明を完
成するに至った。
く問題を解決するための手段)
すなわち、本発明方法はえ室温に於いて固体状の有機金
属化合物の入った容器(A)と該固体状有機金属化合物
を充填する容器CB)を導管で接続し、該容器(A)を
加熱する事により容器(A)中の有機金属化合物を昇華
せしめ、該昇華した気相状の有機金属化合物を導管を経
て容器(B)中に導入し、容器(B)器壁内面に有機金
属化合物を晶析することを特徴とする有機金属化合物の
充填方法を提供するにある。
属化合物の入った容器(A)と該固体状有機金属化合物
を充填する容器CB)を導管で接続し、該容器(A)を
加熱する事により容器(A)中の有機金属化合物を昇華
せしめ、該昇華した気相状の有機金属化合物を導管を経
て容器(B)中に導入し、容器(B)器壁内面に有機金
属化合物を晶析することを特徴とする有機金属化合物の
充填方法を提供するにある。
以下、本発明方法を図面に基づき更に詳細に説明するが
、説明に用いる図面は本発明の一実施!LAA様にすぎ
ず、本発明方法を限定するものではない。
、説明に用いる図面は本発明の一実施!LAA様にすぎ
ず、本発明方法を限定するものではない。
本発明方法に於いて第1図及び第2図は固体状を機金属
化合物を充填する容器(B)の断面図であり、第1図は
通常液体有機金属化合物を充填し使用している容器と同
一である。
化合物を充填する容器(B)の断面図であり、第1図は
通常液体有機金属化合物を充填し使用している容器と同
一である。
また、第3図は本発明方法の固体状有機金属の充填方法
の概略工程を示す。
の概略工程を示す。
図中1は充填用容器、2は有機金属化合物の供給叉は排
出用ノズル、3は容器内底部へのキャリヤガス導入管、
4は原料固体状有機金属化合物保持容器(前述の容器(
A)l 、5は原料有機金属化合物の加温設備、6及び
11は導管、7は導管6の加熱用ヒーター、8及び10
はバルブ、9は充填用容器1に4大された有機金属化合
物の冷却設備、12は減圧調節器を示す。
出用ノズル、3は容器内底部へのキャリヤガス導入管、
4は原料固体状有機金属化合物保持容器(前述の容器(
A)l 、5は原料有機金属化合物の加温設備、6及び
11は導管、7は導管6の加熱用ヒーター、8及び10
はバルブ、9は充填用容器1に4大された有機金属化合
物の冷却設備、12は減圧調節器を示す。
本発明方法の実施に際し気相成長用原料としての塊状或
は粉状の有機金属化合物は、先ず、原料固体状有機金属
化合物保持容器4に導入し、該容器4を湯浴、或はオイ
ルバス等の原料有機金属化合物の加熱設備5で加熱し、
気化せしめ、気相状となした後、導管6を経て充填用容
器1に導入し、そのまま或は充填用容器1をドライアイ
ス等を用いた冷却設備9で冷却し、容器1の内壁に晶析
させる所謂、昇華現象を利用し、充填用容器1中に移送
充填する。
は粉状の有機金属化合物は、先ず、原料固体状有機金属
化合物保持容器4に導入し、該容器4を湯浴、或はオイ
ルバス等の原料有機金属化合物の加熱設備5で加熱し、
気化せしめ、気相状となした後、導管6を経て充填用容
器1に導入し、そのまま或は充填用容器1をドライアイ
ス等を用いた冷却設備9で冷却し、容器1の内壁に晶析
させる所謂、昇華現象を利用し、充填用容器1中に移送
充填する。
冷却及び加熱の温度は充填を目的とする固体状有機金属
化合物の存する蒸気圧や融点によって一義的ではないの
で限定できないが、一般には冷却温度は0℃以下、加熱
温度は固体状を機金属化合物の融点未満の範囲で、莞気
圧ができる限り高くなる様な温度が用いられる。
化合物の存する蒸気圧や融点によって一義的ではないの
で限定できないが、一般には冷却温度は0℃以下、加熱
温度は固体状を機金属化合物の融点未満の範囲で、莞気
圧ができる限り高くなる様な温度が用いられる。
また、系内の圧力は常圧でも減圧でもよいが充填を目的
とする固体状有機金属化合物の融点において蒸気圧が4
00〜500mmHgより低いものに対しては減圧調整
器12を使用し、減圧下で実施する方が短時間で充填が
完了し得る。
とする固体状有機金属化合物の融点において蒸気圧が4
00〜500mmHgより低いものに対しては減圧調整
器12を使用し、減圧下で実施する方が短時間で充填が
完了し得る。
更に昇華速度を速める目的で容器4中に水素、ヘリウム
、窒素及びアルゴン等の不活性な気体を少量導入して実
施することも推奨される。
、窒素及びアルゴン等の不活性な気体を少量導入して実
施することも推奨される。
容器4中で気化した有機金属化合物は導管6を経て容器
1に導入され自然放冷、或は強制冷却により容器1内に
晶析、固化するが、導管6内の通過時自然放冷による晶
析により導管閉塞が生じないように導管6はリボンヒー
ター等の加熱用ヒーター7で保温しておく事が好ましい
。
1に導入され自然放冷、或は強制冷却により容器1内に
晶析、固化するが、導管6内の通過時自然放冷による晶
析により導管閉塞が生じないように導管6はリボンヒー
ター等の加熱用ヒーター7で保温しておく事が好ましい
。
また、容器1内への気相有機金属化合物の晶析は容器1
の冷却条件により異なるが、容器内壁を広範囲に析出す
るよう冷却条件を設定する事が好ましい。
の冷却条件により異なるが、容器内壁を広範囲に析出す
るよう冷却条件を設定する事が好ましい。
該条件は充填容器及び充填を目的とする固体状有機金属
化合物により一義的でないが、冷却部位と冷却温度を変
数とした簡単な予備実験により容易に決定することがで
きる。
化合物により一義的でないが、冷却部位と冷却温度を変
数とした簡単な予備実験により容易に決定することがで
きる。
容器1内への有機金属化合物の晶析は容器内壁を広範囲
に析出するよう条件設定するが、これは使用時有機金属
とキャリヤガスとの接触面積を増大せしめる事を目的と
するもので、該目的をより効果的に達成し得る方法とし
て、第2図に示す如く内壁にフィン13を配設した容器
を用いる、或は有機金属化合物の晶析により閉塞しない
程度の連通孔を有する多孔質構造体を配設した容器を用
い、該フィン或は多孔質構造体表面に導管6よりの有機
金属化合物を晶析させる方法等も挙げられる。
に析出するよう条件設定するが、これは使用時有機金属
とキャリヤガスとの接触面積を増大せしめる事を目的と
するもので、該目的をより効果的に達成し得る方法とし
て、第2図に示す如く内壁にフィン13を配設した容器
を用いる、或は有機金属化合物の晶析により閉塞しない
程度の連通孔を有する多孔質構造体を配設した容器を用
い、該フィン或は多孔質構造体表面に導管6よりの有機
金属化合物を晶析させる方法等も挙げられる。
容器1内への有機金属化合物の充填量は充填に供する有
機金属化合物の昇華速度と時間により推測するか、或い
は簡単な予備実験により把握し得るので、容器4中に固
体状有機金属化合物を多量に存在させ、一定時間毎に容
器を取り替えて連続的に充填する事も可能であるが、所
望充填量に相当する量の固体状有機金属化合物を容器4
中に存在させ、これを全量昇華させることにより充填す
る方法によってもよい。
機金属化合物の昇華速度と時間により推測するか、或い
は簡単な予備実験により把握し得るので、容器4中に固
体状有機金属化合物を多量に存在させ、一定時間毎に容
器を取り替えて連続的に充填する事も可能であるが、所
望充填量に相当する量の固体状有機金属化合物を容器4
中に存在させ、これを全量昇華させることにより充填す
る方法によってもよい。
充填完了後の容器1はバルブ8及び10を閉じ導管6及
び11を取り外した後、容器4の総重量を測定する事に
より、実充填量を知る事ができる。
び11を取り外した後、容器4の総重量を測定する事に
より、実充填量を知る事ができる。
以上詳述した本発明方法が対象となる有機金属化合物と
しては、室温で固体であって、気相成長用原料となり得
るものであればよく、より具体的にはエチル沃化亜鉛、
エチルシクロペンタジェニル亜鉛、ジシクロペンタジェ
ニル亜鉛等の亜鉛化合物、メチルジクロルアルミニウム
等のアルミニウム化合物、メチルジクロルガリウム、ジ
メチルクロルガリウム、ジメチルブロモガリウム等のガ
リウム化合物、トリメチルインジウム、ジメチルクロル
インジウム、シクロペンタジェニルインジウム、トリメ
チルインジウム・トリメチルアルシンアダクト、トリメ
チルインジウム・トリメチルホスフィンアダクト等のイ
ンジウム化合物、ビスシクロペンタジェニルマグネシウ
ムなどが挙げられる。
しては、室温で固体であって、気相成長用原料となり得
るものであればよく、より具体的にはエチル沃化亜鉛、
エチルシクロペンタジェニル亜鉛、ジシクロペンタジェ
ニル亜鉛等の亜鉛化合物、メチルジクロルアルミニウム
等のアルミニウム化合物、メチルジクロルガリウム、ジ
メチルクロルガリウム、ジメチルブロモガリウム等のガ
リウム化合物、トリメチルインジウム、ジメチルクロル
インジウム、シクロペンタジェニルインジウム、トリメ
チルインジウム・トリメチルアルシンアダクト、トリメ
チルインジウム・トリメチルホスフィンアダクト等のイ
ンジウム化合物、ビスシクロペンタジェニルマグネシウ
ムなどが挙げられる。
以下、本発明方法を実施例により更に詳細に説明するが
、本発明はかかる実施例により制限されるものではない
。
、本発明はかかる実施例により制限されるものではない
。
実施例1
第1図に示す形状を有する内径35mm高さ100mm
の円筒状ガラス容器を窒素置換した後、第3図に示すよ
うにノズル2を55gの粉状トリメチルインジウムが入
った2 00mff1のフラスコ、キャリアガス導入管
3を、減圧調節器と接続し、ロータリーポンプを作動さ
せて減圧調節器で系内を3QmmHgにまで減圧すると
ともにフラスコをオイルバス中で70〜75℃に加熱し
た。
の円筒状ガラス容器を窒素置換した後、第3図に示すよ
うにノズル2を55gの粉状トリメチルインジウムが入
った2 00mff1のフラスコ、キャリアガス導入管
3を、減圧調節器と接続し、ロータリーポンプを作動さ
せて減圧調節器で系内を3QmmHgにまで減圧すると
ともにフラスコをオイルバス中で70〜75℃に加熱し
た。
またフラスコとトリメチルインジウムを充填する円筒状
ガラス容器を結ぶ導管もリボンヒーターで70〜75℃
に加熱した。
ガラス容器を結ぶ導管もリボンヒーターで70〜75℃
に加熱した。
他方、円筒状ガラス容器は下方約1/2を約−30℃に
冷却保持した。
冷却保持した。
2時間後加熱及びロータリーポンプの作動を止め、円筒
状ガラス容器中に導入されたトリメチルインジウムの重
量を測定した所51.7gであった。
状ガラス容器中に導入されたトリメチルインジウムの重
量を測定した所51.7gであった。
晶析状態を目視観察した所、トリメチルインジウムの析
出範囲はガラス容器の上部約20mmを残して、全面に
及んでおり、器壁には板状に成長した透明な結晶が付着
し、その上に針状結晶が容器中心に向って多数伸び、そ
の多くは容器中心を上下に通っている細管との間で架橋
構造を形成し、それらが複雑に重なり合っていた。
出範囲はガラス容器の上部約20mmを残して、全面に
及んでおり、器壁には板状に成長した透明な結晶が付着
し、その上に針状結晶が容器中心に向って多数伸び、そ
の多くは容器中心を上下に通っている細管との間で架橋
構造を形成し、それらが複雑に重なり合っていた。
また、これらの針状結晶の一部は器壁から脱落したらし
く、容器底部に約IQmmの高さで堆積していた。
く、容器底部に約IQmmの高さで堆積していた。
針状結晶は直径約0.5〜1.5mm、長さ約15〜2
5mmであった。
5mmであった。
実施例2
円筒状ガラス容器に代え各種サイズのステンレス容器を
充填容器として用いたほかは実施例1と同一方法で粉状
トリメチルインジウムを第1表に示す時間昇華させ充填
した。
充填容器として用いたほかは実施例1と同一方法で粉状
トリメチルインジウムを第1表に示す時間昇華させ充填
した。
その充填量を第1表に示す。
このようにして得たトリメチルインジウムを充填した各
々の容器を20℃の恒温槽に浸け、流量コントローラー
を設けた水素ガスラインをキャリアガス導入管3側に取
付け、他方ノズル2は深冷トラップに接続し毎分200
secの水素ガスを吹き流し水素ガス中に含有されるト
リメチルインジウム濃度の経時変化を測定した。
々の容器を20℃の恒温槽に浸け、流量コントローラー
を設けた水素ガスラインをキャリアガス導入管3側に取
付け、他方ノズル2は深冷トラップに接続し毎分200
secの水素ガスを吹き流し水素ガス中に含有されるト
リメチルインジウム濃度の経時変化を測定した。
トラップは水素ガスの積算流量で0〜961.96〜1
92j!、1500〜15967!及び2000〜20
961の各961流す毎に取り替え、その各々を5%塩
酸水で加水分解した後、原子吸光法によりインジウムの
分析を行なった。
92j!、1500〜15967!及び2000〜20
961の各961流す毎に取り替え、その各々を5%塩
酸水で加水分解した後、原子吸光法によりインジウムの
分析を行なった。
その結果を第1表に示す。
比較例
実施例2で用いたステンレス製容器と同一形状をしてお
り且つ別に粉末を充填するためのノズルを設けた容器中
に実施例1で用いた粉状トリメチルインジウムを窒素雰
囲気中で落し込んだ。
り且つ別に粉末を充填するためのノズルを設けた容器中
に実施例1で用いた粉状トリメチルインジウムを窒素雰
囲気中で落し込んだ。
このようにして得た粉状トリメチルインジウム充填容器
中に実施例2と全く同様に水素ガスを導入し、トリメチ
ルインジウムの含有量の経時変化を調べた。
中に実施例2と全く同様に水素ガスを導入し、トリメチ
ルインジウムの含有量の経時変化を調べた。
その結果を第2表に示す。
〈発明の効果〉
本発明方法によれば、従来の如く塊状或は粉状で固体状
有機金属化合物を充填する方法に比較し、キャリヤガス
の流量や、固体有機金属化合物の充填量、使用回数等に
よらず、一定した有機金属化合物の蒸発量が得られるの
で、化合物半導体用原料等として使用する場合には、経
時変化の掻めて少ない有機金属化合物の供給を可能なら
しめるもので、その工業的価値は頗る大なるものである
。
有機金属化合物を充填する方法に比較し、キャリヤガス
の流量や、固体有機金属化合物の充填量、使用回数等に
よらず、一定した有機金属化合物の蒸発量が得られるの
で、化合物半導体用原料等として使用する場合には、経
時変化の掻めて少ない有機金属化合物の供給を可能なら
しめるもので、その工業的価値は頗る大なるものである
。
第1図及び第2図は固体状有機金属化合物を充填する容
器の断面図、第3図は本発明方法の固体状有機金属化合
物の充填方法の概略工程を示す0図中1.1.充填用容
器、285.有機金属化合物の供給及び排出用ノズル、
31.。 キャリヤガス導入管、409.原料固体状有機金属化合
物保持容器、501.加温設備、6及び11. 、 、
導管、701.加熱用ヒーター、8及び10.、、バル
ブ、919.冷却設備、12、、、減圧調整器、13.
、、フィン。
器の断面図、第3図は本発明方法の固体状有機金属化合
物の充填方法の概略工程を示す0図中1.1.充填用容
器、285.有機金属化合物の供給及び排出用ノズル、
31.。 キャリヤガス導入管、409.原料固体状有機金属化合
物保持容器、501.加温設備、6及び11. 、 、
導管、701.加熱用ヒーター、8及び10.、、バル
ブ、919.冷却設備、12、、、減圧調整器、13.
、、フィン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)室温に於いて固体状の有機金属化合物の入った容器
(A)と該固体状有機金属化合物を充填する容器(B)
を導管で接続し、該容器(A)を加熱する事により容器
(A)中の有機金属化合物を昇華せしめ、該昇華した気
相状の有機金属化合物を導管を経て容器(B)中に導入
し、容器(B)の器壁内面に有機金属化合物を晶析する
ことを特徴とする有機金属化合物の充填方法。 2)容器(B)が熱分解気相成長用固体状有機金属化合
物を充填する容器であることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の有機金属化合物の充填方法。 3)容器(B)がキャリヤガス導入管を有する事を特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の有機金属化合物の充
填方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20027786A JPS6355194A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 有機金属化合物の充填方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20027786A JPS6355194A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 有機金属化合物の充填方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6355194A true JPS6355194A (ja) | 1988-03-09 |
Family
ID=16421643
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20027786A Pending JPS6355194A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 有機金属化合物の充填方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6355194A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2635792A1 (fr) * | 1988-08-31 | 1990-03-02 | Toyo Stauffer Chem Co | Procede de production de vapeur saturee de composes organo-metalliques solides dans le cadre du procede de metallisation de composes organo-metalliques en phase vapeur |
EP0390127A2 (en) * | 1989-03-29 | 1990-10-03 | Stec Inc. | Method for vaporizing and supplying organometal compounds and apparatus for carrying out the method |
JP2014224092A (ja) * | 2013-04-26 | 2014-12-04 | 宇部興産株式会社 | 有機金属化合物の製造方法、及びそれに用いる容器 |
JP2018150246A (ja) * | 2017-03-10 | 2018-09-27 | 国立大学法人東北大学 | 有機化合物析出方法 |
JP2020526564A (ja) * | 2017-07-14 | 2020-08-31 | スタミカーボン・ベー・フェー | 尿素仕上げ及びオフガス処理プラント並びにプロセス |
-
1986
- 1986-08-26 JP JP20027786A patent/JPS6355194A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2635792A1 (fr) * | 1988-08-31 | 1990-03-02 | Toyo Stauffer Chem Co | Procede de production de vapeur saturee de composes organo-metalliques solides dans le cadre du procede de metallisation de composes organo-metalliques en phase vapeur |
EP0390127A2 (en) * | 1989-03-29 | 1990-10-03 | Stec Inc. | Method for vaporizing and supplying organometal compounds and apparatus for carrying out the method |
JP2014224092A (ja) * | 2013-04-26 | 2014-12-04 | 宇部興産株式会社 | 有機金属化合物の製造方法、及びそれに用いる容器 |
JP2018150246A (ja) * | 2017-03-10 | 2018-09-27 | 国立大学法人東北大学 | 有機化合物析出方法 |
JP2020526564A (ja) * | 2017-07-14 | 2020-08-31 | スタミカーボン・ベー・フェー | 尿素仕上げ及びオフガス処理プラント並びにプロセス |
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