SU817092A1 - Способ нанесени покрытий изНиОби HA НАгРЕТую пОдлОжКу - Google Patents
Способ нанесени покрытий изНиОби HA НАгРЕТую пОдлОжКу Download PDFInfo
- Publication number
- SU817092A1 SU817092A1 SU792762123A SU2762123A SU817092A1 SU 817092 A1 SU817092 A1 SU 817092A1 SU 792762123 A SU792762123 A SU 792762123A SU 2762123 A SU2762123 A SU 2762123A SU 817092 A1 SU817092 A1 SU 817092A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- niobium
- tungsten
- substrate
- chlorides
- coatings
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/08—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metal halides
- C23C16/14—Deposition of only one other metal element
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
(54) СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ ИЗ НИОБИЯ НА НАГРЕТУЮ
ПОДЛОЖКУ кой усто 1чивости и чистоты покрытий и осад ков из ниоби с текстурой (110). Поставленна цель достнгаетс тем, что при получении покрытий и осадков из ниоби в качестве транспортирующего реагента- посредника используют хлориды вольфрама, а именно гексахлорид вольфрама, а термнчеркое раз ложение хлоридов ниоби провод т при температуре на подложке 1350-1550°С и давлении хлорида вольфрама 2-5 торр. Кроме того, дл получени монокристаллических покрытий и осадков из ниоби термическое разложение провод т на монокр сталлической подпожке из металла с ОЦК-решет кой дл получени полнкристаллических покрытий на поликристаллической подложке. Использование в предлагаемом способе хло рида вольфрама вместо пентахлорида ниоби в известном способе в качестве транспортирую щего реагента позвол ет снизить температуру на подложке на 250-450° С и получать покры тие с преимущественной текстурой (ПО). При сутствие небольших количеств хлорида вольфр ма в зоне осаждени оказывает катализирующее действие на процесс термического разложени хлоридов ниоби , так как в известном способе при температурах подложки 13 50-15 50° С наблюдаетс разъедание осаждаемого сло ниоби . Выбранный интервал температур подложки (1350-1550°С) позвол ет также снизить уровень газовых примесей в получаемых материалах , так как понижение температуры приводит к уменьшению растворимости кислорода и азота в ниобии. При дальнейшем снижении температуры под ложки ниже 13 50° С заметно увеличиваетс содержание вольфрама в покрытии, что отрицательно сказьшаетс на пластических свойствах покрыти . При температурах подложки выше 15 50° С получаемые покрыти содержат повышенный уровень газовых примесей и имеют крупный размер зерна. Выбранный интервал давлений гексахлорида вольфрама (2-5 торр) обеспечивает достаточно высокую скорость оса -дени (3- 6 ) и гарантирует получение ниобиевых покрытий и осадков с преимущественной текстурой (ПО). При снижении давлени хлорида получают покрыти со смешанной текстурой (100) и (111), а при повышении давлени заметно уменьшаетс скорость осаждени покрьгги . По предлагаемому способу на подложках из поликристаллического молибдена и вольфрама получены покрыти с толшдаой сло 200-250 мкм и осадки ниоби с толщиной стенки около 2 мм. При использовании монокристаллических подложек из металлов с ОЦК-решеткой по предлагаемому способу получены совершенные монокристаллические покрыти и осадки ниоби . При выбранных режимах осаждени получаемь1е материалы содержат небольшие количества вольфрама (0,1-0,25 масс.%), которые незначительно ухудшают пластичность ниобиевых покрытий и осадков. Способ осуществл ют следующим образом. При осушествлеиии предлагаемого способа используют разборный кварцевый реактор. Подложкой служит труба из поликристаллического молибдена с наружным диаметром 20 мм. Один из торцов подложки заглушают пробкой, чтобы отделить ее внутреннюю полость от наружной поверхности, обращенной в реакционный объем. При сборке во внутреннюю полость подложки помещают прутковый нагреватель из вольфрама. В качестве исходного сырь используют трубу из ниоби электронно-лучевой плавки с внутренним диаметром около 40 мл. Размещают сырье в нижней части реактора, герметизируют подложку в верхней части реактора , размещают нагреватели во внутренней полости трубчатой подложки и провод т засыпку гексахлорида вольфрама в прогреваемый испаритель. Собранный реактор с открытым клапаном помещают под колпак вакуумной установки и вакуумируют до разр жени 1.10 торр. Включают разогрев подложки. Температуру подложки и сырь измер ют с помощью оптического пирометра. При температурах подложки 1650°С, сырь 900°С и стенок реактора 700-800°С провод т, вакуумный отжиг в течение 60 мин,, а затем снижают температуру подложки до , сьфь до 800°С. Включают разогрев испарител и достижени 170°С, что соответствует давлению гексахлорида вольфрама- 3 торр, закрывают клапан. Момент закрыти клапана принимают за начало процесса, осаждени покрыти . Дл поддержани заданного давлени газовой фазы в реакционном объеме в процессе осаждени периодически открывают клапан. Б полученном ниобиевом покрьггаи суммарное содержание кислорода, азота и водорода не .превышает 0,04 масс.%. Рентгеноструктурный анализ покрыти (метод обратной съемки) свидетельствует, что вес текстуры (ПО) составл ет 92%. При отжиге покрыти (вакуум Ы0, 1500°С, 820 ч) преимущественна текстура (110) сохран етс , что подтверждает ее высокую термическую устойчивость.
Claims (2)
- Формула изобретени 1. Способ нанесени покрытий из ниоби на нагретую подложку путем термического разложени хлоридов ниоби с использованием транспортирующего реагента, отличающийс тем; что, с целью повышени термическсж устойчивости и чистоты покрытий из таоби с текстурой (110), в качестве транспортирующего реагента используют хлориды вольфракв, а термическое разложение хлорида вольфрама провод т при температуре подложки 13501550° С и давлении хлорида вольфрама 25 торр.
- 2. Способ по п. 1, о т л и ч а ю щ и йс тем, что в качестве хлоридов вольфрама используют гексахлорид вольфрама. Источники информации,прин тые во внимание при экспертизе1.Иванов В. Е. и др. Электронна техника. Сер. Материалы, вьш. 6, 1968, с. 19.2.Сборник Методы получени чистых металлов . М., ИЛ, 1957, с. 80.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792762123A SU817092A1 (ru) | 1979-05-03 | 1979-05-03 | Способ нанесени покрытий изНиОби HA НАгРЕТую пОдлОжКу |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792762123A SU817092A1 (ru) | 1979-05-03 | 1979-05-03 | Способ нанесени покрытий изНиОби HA НАгРЕТую пОдлОжКу |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU817092A1 true SU817092A1 (ru) | 1981-04-05 |
Family
ID=20825979
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU792762123A SU817092A1 (ru) | 1979-05-03 | 1979-05-03 | Способ нанесени покрытий изНиОби HA НАгРЕТую пОдлОжКу |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU817092A1 (ru) |
-
1979
- 1979-05-03 SU SU792762123A patent/SU817092A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6319313B1 (en) | Barium doping of molten silicon for use in crystal growing process | |
US4138509A (en) | Silicon purification process | |
JP2003519064A (ja) | 窒化アルミニウム成長のためのエピタキシャル成長法および成長チャンバ | |
JP2009520678A (ja) | 結晶性組成物、デバイスと関連方法 | |
CN112779597B (zh) | 制备范德华二维层状单晶的方法 | |
JPH11335194A (ja) | 半導体結晶およびその製造方法ならびに製造装置 | |
JPS6046075B2 (ja) | 半導体化合物単結晶の成長法 | |
WO1990007021A1 (en) | Process for producing single crystal | |
US20060048701A1 (en) | Method of growing group III nitride crystals | |
SU817092A1 (ru) | Способ нанесени покрытий изНиОби HA НАгРЕТую пОдлОжКу | |
Wang et al. | Single crystal growth of Zn3P2 | |
Ivanov | The growth of single crystals by the self-seeding technique | |
US5902396A (en) | Ammonothermal growth of chalcogenide single crystal materials | |
Omino et al. | Bridgman growth of ZnSe crystals with a PBN crucible sealed in a molybdenum capsule | |
US3862020A (en) | Production method for polycrystalline semiconductor bodies | |
US3933990A (en) | Synthesization method of ternary chalcogenides | |
NO132659B (ru) | ||
US4468278A (en) | Process for mono-crystal growth in a closed tubular chamber | |
Singh et al. | Growth of uranium dioxide single crystals by chemical vapor deposition | |
JPH06127922A (ja) | 多結晶シリコン製造用流動層反応器 | |
McMillan et al. | Thermal stability and decomposition kinetics of amorphous hydrogenated films | |
Costantino et al. | Synthesis of monolithic uranium hydride and uranium deuteride | |
JPH04362083A (ja) | Ii−vi族化合物半導体多結晶の合成方法 | |
Rolsten | A study of the iodide niobium process | |
Hill et al. | The hydrothermal growth of beryllium oxide single crystals |