JPH04362083A - Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体多結晶の合成方法 - Google Patents
Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体多結晶の合成方法Info
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- JPH04362083A JPH04362083A JP16349591A JP16349591A JPH04362083A JP H04362083 A JPH04362083 A JP H04362083A JP 16349591 A JP16349591 A JP 16349591A JP 16349591 A JP16349591 A JP 16349591A JP H04362083 A JPH04362083 A JP H04362083A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、結晶育成技術さらには
水平ブリッジマン法による結晶成長における容器の構造
に適用して特に有効な技術に関し、例えばＣｄＴｅのよ
うなＩＩ−ＶＩ族化合物半導体多結晶の合成に利用して
好適な技術に関する。
水平ブリッジマン法による結晶成長における容器の構造
に適用して特に有効な技術に関し、例えばＣｄＴｅのよ
うなＩＩ−ＶＩ族化合物半導体多結晶の合成に利用して
好適な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の単結晶を作
るためには、先ずＩＩ族元素とＶＩ族元素から化合物半
導体の多結晶を合成する必要がある。従来、ＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体の合成は密閉型アンプル内にＩＩ族元素
と、ＶＩ族元素を各々単体として真空封入し、電気炉で
融点以上に昇温して直接合成を行っていた。この種の合
成方法を適用した発明としては、例えば原料の入った石
英アンプルを金属製ボンベ内に入れ、ボンベとアンプル
との間にはアンプル内の原料と同等の材料を充填して加
熱し、アンプル内の圧力上昇分に見合う圧力を外部から
印加させてアンプルの破壊を防止しつつ合成する方法（
特開昭５８−１５７１４０号）や、石英アンプル内の圧
力に見合った圧力を原料元素の蒸気圧に基づいて決定し
、該圧力を外部から加えながら反応を進行させる方法（
特開昭６４−２２３９９号）がある。
るためには、先ずＩＩ族元素とＶＩ族元素から化合物半
導体の多結晶を合成する必要がある。従来、ＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体の合成は密閉型アンプル内にＩＩ族元素
と、ＶＩ族元素を各々単体として真空封入し、電気炉で
融点以上に昇温して直接合成を行っていた。この種の合
成方法を適用した発明としては、例えば原料の入った石
英アンプルを金属製ボンベ内に入れ、ボンベとアンプル
との間にはアンプル内の原料と同等の材料を充填して加
熱し、アンプル内の圧力上昇分に見合う圧力を外部から
印加させてアンプルの破壊を防止しつつ合成する方法（
特開昭５８−１５７１４０号）や、石英アンプル内の圧
力に見合った圧力を原料元素の蒸気圧に基づいて決定し
、該圧力を外部から加えながら反応を進行させる方法（
特開昭６４−２２３９９号）がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体のうちＣｄＴｅ単結晶は赤外線検出器（
赤外線ＣＣＤ、温度センサ等）や放射線検出器用の基板
としての用途がある。このうち赤外線検出器にあっては
、ＣｄＴｅ基板の上にＨｇＣｄＴｅ層を形成し、基板を
透過した赤外線をＨｇＣｄＴｅ層で捕らえて電圧に変換
して検出するため、ＣｄＴｅ単結晶基板は赤外線の透過
率が高くかつ透過率の波長依存性が少ないことが望まれ
ている。しかるに上記先願発明の方法のように石英アン
プルを使用して合成したＣｄＴｅ多結晶にあっては、ア
ンプル材料の成分たるＳｉ（シリコン）が合成多結晶中
に不純物として混入し、このＣｄＴｅ多結晶から育成さ
れたＣｄＴｅ単結晶基板を用いた赤外線検出器にあって
は基板の赤外線透過率が波長によって変化してしまい、
所望の特性が得られないという問題点があることが分か
った。
族化合物半導体のうちＣｄＴｅ単結晶は赤外線検出器（
赤外線ＣＣＤ、温度センサ等）や放射線検出器用の基板
としての用途がある。このうち赤外線検出器にあっては
、ＣｄＴｅ基板の上にＨｇＣｄＴｅ層を形成し、基板を
透過した赤外線をＨｇＣｄＴｅ層で捕らえて電圧に変換
して検出するため、ＣｄＴｅ単結晶基板は赤外線の透過
率が高くかつ透過率の波長依存性が少ないことが望まれ
ている。しかるに上記先願発明の方法のように石英アン
プルを使用して合成したＣｄＴｅ多結晶にあっては、ア
ンプル材料の成分たるＳｉ（シリコン）が合成多結晶中
に不純物として混入し、このＣｄＴｅ多結晶から育成さ
れたＣｄＴｅ単結晶基板を用いた赤外線検出器にあって
は基板の赤外線透過率が波長によって変化してしまい、
所望の特性が得られないという問題点があることが分か
った。
【０００４】本発明は、上記課題を解決すべくなされた
もので、その目的とするところは、ＣｄＴｅ単結晶基板
の赤外線透過率の波長依存性を低減し、ＣｄＴｅ単結晶
基板を用いた赤外線検出器の特性を向上させ得るような
ＣｄＴｅ多結晶合成技術を提供することにある。
もので、その目的とするところは、ＣｄＴｅ単結晶基板
の赤外線透過率の波長依存性を低減し、ＣｄＴｅ単結晶
基板を用いた赤外線検出器の特性を向上させ得るような
ＣｄＴｅ多結晶合成技術を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明は、２以上の原料元素を半密閉型のｐＢＮ製内側
容器内に配置し、さらにこの内側容器を耐熱性の外側容
器に入れて真空封止したのち、これらを加熱装置によっ
て加熱して昇温させ、上記ｐＢＮ製容器内の原料元素を
融解、反応させてから徐々に温度を下げることにより結
晶を育成するようにしたものである。
本発明は、２以上の原料元素を半密閉型のｐＢＮ製内側
容器内に配置し、さらにこの内側容器を耐熱性の外側容
器に入れて真空封止したのち、これらを加熱装置によっ
て加熱して昇温させ、上記ｐＢＮ製容器内の原料元素を
融解、反応させてから徐々に温度を下げることにより結
晶を育成するようにしたものである。
【０００６】
【実施例】以下、本発明を一例としてＣｄＴｅの合成に
適用した場合について説明する。図１には、本実施例の
ＣｄＴｅ多結晶の合成に使用する装置の構成例が示され
ている。図１において、１は高圧炉であり、この高圧炉
１には配管２ａを介して真空ポンプ６が、また配管２ｂ
を介して加圧装置３がそれぞれ接続されており、真空ポ
ンプ６により高圧炉１内の空気を排気した後配管２ｂよ
りＮ２ガス等を導入して内部ガスを置換し、さらに加圧
装置３によりＮ２ガス等を圧入して高圧炉１内の圧力を
調整できるように構成されている。また、高圧炉１には
第３の配管２ｃが接続されており、その途中に設けられ
たバルブ７を開いて炉内に圧入されたガスを排気できる
ように構成されている。上記加圧装置３としては、例え
ば高圧ガスボンベを使用し、そのガスの圧力を減圧弁で
減圧してそれを圧力コントローラ８を通して高圧炉１内
に供給させ、所望の圧力に設定するような構成が考えら
れる。そして、この実施例では、上記高圧炉１の中心に
ｐＢＮ製内側容器４ａと石英製外側容器４ｂとからなる
二重構造の合成容器４が配置され、この合成容器４を包
囲するようにヒータ５が設けられている。
適用した場合について説明する。図１には、本実施例の
ＣｄＴｅ多結晶の合成に使用する装置の構成例が示され
ている。図１において、１は高圧炉であり、この高圧炉
１には配管２ａを介して真空ポンプ６が、また配管２ｂ
を介して加圧装置３がそれぞれ接続されており、真空ポ
ンプ６により高圧炉１内の空気を排気した後配管２ｂよ
りＮ２ガス等を導入して内部ガスを置換し、さらに加圧
装置３によりＮ２ガス等を圧入して高圧炉１内の圧力を
調整できるように構成されている。また、高圧炉１には
第３の配管２ｃが接続されており、その途中に設けられ
たバルブ７を開いて炉内に圧入されたガスを排気できる
ように構成されている。上記加圧装置３としては、例え
ば高圧ガスボンベを使用し、そのガスの圧力を減圧弁で
減圧してそれを圧力コントローラ８を通して高圧炉１内
に供給させ、所望の圧力に設定するような構成が考えら
れる。そして、この実施例では、上記高圧炉１の中心に
ｐＢＮ製内側容器４ａと石英製外側容器４ｂとからなる
二重構造の合成容器４が配置され、この合成容器４を包
囲するようにヒータ５が設けられている。
【０００７】図２には上記内側容器４ａの具体的構成が
示されている。この実施例の内側容器４ａは、特に限定
されないが、茶筒状構造になっている。すなわち、内側
容器４ａは、一端が閉塞、他端が開口された円筒４１と
、この円筒４１の開口端の外形と同一もしくは僅かに大
きな内径を有する開口部を持つ円筒状蓋体４２とから構
成され、円筒４１の開口端より原料元素を入れてから円
筒状蓋体４２を円筒４１の開口端に嵌合させることで容
器内に封入するように構成されている。円筒４１と円筒
状蓋体４２はともにｐＢＮ製である。
示されている。この実施例の内側容器４ａは、特に限定
されないが、茶筒状構造になっている。すなわち、内側
容器４ａは、一端が閉塞、他端が開口された円筒４１と
、この円筒４１の開口端の外形と同一もしくは僅かに大
きな内径を有する開口部を持つ円筒状蓋体４２とから構
成され、円筒４１の開口端より原料元素を入れてから円
筒状蓋体４２を円筒４１の開口端に嵌合させることで容
器内に封入するように構成されている。円筒４１と円筒
状蓋体４２はともにｐＢＮ製である。
【０００８】また、上記円筒４１はその閉塞端側から開
口端側に向かって径が徐々に大きくなるように形成され
ており、これによって合成後の多結晶を取り出し易くさ
れている。一方、上記円筒状蓋体４２は開口端側が大径
、閉塞端側が小径となるように形成され、大径部４２ａ
と小径部４２ｂとの間にはテーパ部４２ｃが形成されて
いる。これによって、円筒状蓋体４２を円筒４１に嵌合
させるときに、円筒４１の端部が円筒状蓋体４２のテー
パ部４２ｃに当接するまで押し込むことによって、作業
者が異なっても容易に所定長さだけ嵌合させることがで
きる。さらに、上記円筒状蓋体４２のテーパ部４２ｃに
は、細孔４２ｄが形成されており、嵌合状態で外側の圧
力を下げることにより容器内部を真空にできるようにな
っている。
口端側に向かって径が徐々に大きくなるように形成され
ており、これによって合成後の多結晶を取り出し易くさ
れている。一方、上記円筒状蓋体４２は開口端側が大径
、閉塞端側が小径となるように形成され、大径部４２ａ
と小径部４２ｂとの間にはテーパ部４２ｃが形成されて
いる。これによって、円筒状蓋体４２を円筒４１に嵌合
させるときに、円筒４１の端部が円筒状蓋体４２のテー
パ部４２ｃに当接するまで押し込むことによって、作業
者が異なっても容易に所定長さだけ嵌合させることがで
きる。さらに、上記円筒状蓋体４２のテーパ部４２ｃに
は、細孔４２ｄが形成されており、嵌合状態で外側の圧
力を下げることにより容器内部を真空にできるようにな
っている。
【０００９】次に、図１の装置を用いたＣｄＴｅ多結晶
の合成方法について説明する。先ず、純度が６Ｎ（９９
．９９９９％）のＩＩ族元素のＣｄと、同じく純度が６
ＮのＶＩ族元素のＴｅを、化学当量比になるように秤量
し、それを内側容器４ａの円筒４１内に入れて円筒状蓋
体４２で蓋をする。次に、その内側容器４ａを外側容器
４ｂ内に入れ、外側容器４ｂ内が２×１／１０６Ｔｏｒ
ｒ以下になるまで真空に引いてからバーナーで封止する
。そして、上記二重密閉容器４をヒータ５とともに高圧
炉１内に収納した後、加圧装置３により、高圧炉１内に
２ｋｇ／ｃｍ２Ｇの圧力のＮ２ガスを供給する。原料合
成時の容器内圧力の上昇による容器の破壊を防止するた
めである。 上記Ｎ２ガスの供給開始と同時に、ヒータ５による二重
密閉容器４の加熱を開始する。炉内温度が、Ｔｅの融点
を超えた時点（例えば６００℃）または容器温度が急速
に上昇したことを検出した時点でヒータ５への供給電力
を下げると共に、加圧装置３により高圧容器１内の圧力
を４ｋｇ／ｃｍ２Ｇまで高める。
の合成方法について説明する。先ず、純度が６Ｎ（９９
．９９９９％）のＩＩ族元素のＣｄと、同じく純度が６
ＮのＶＩ族元素のＴｅを、化学当量比になるように秤量
し、それを内側容器４ａの円筒４１内に入れて円筒状蓋
体４２で蓋をする。次に、その内側容器４ａを外側容器
４ｂ内に入れ、外側容器４ｂ内が２×１／１０６Ｔｏｒ
ｒ以下になるまで真空に引いてからバーナーで封止する
。そして、上記二重密閉容器４をヒータ５とともに高圧
炉１内に収納した後、加圧装置３により、高圧炉１内に
２ｋｇ／ｃｍ２Ｇの圧力のＮ２ガスを供給する。原料合
成時の容器内圧力の上昇による容器の破壊を防止するた
めである。 上記Ｎ２ガスの供給開始と同時に、ヒータ５による二重
密閉容器４の加熱を開始する。炉内温度が、Ｔｅの融点
を超えた時点（例えば６００℃）または容器温度が急速
に上昇したことを検出した時点でヒータ５への供給電力
を下げると共に、加圧装置３により高圧容器１内の圧力
を４ｋｇ／ｃｍ２Ｇまで高める。
【００１０】その後、反応が一段落して温度が徐々に下
がり始めるので、ヒータ５による加熱力を再び高め、二
重密閉容器４の温度をＣｄＴｅの融点である１０９２℃
以上に上昇させ、容器内の化合物を完全に融解させる。 その後、組成の均一化を行うため、容器温度を１１００
℃〜１１３０℃付近に１時間保持する。この間に、高圧
容器１内の圧力を２ｋｇ／ｃｍ２Ｇまで減圧しながらヒ
ータ５への給電を停止して、炉冷により室温まで冷却し
て容器を取り出す。
がり始めるので、ヒータ５による加熱力を再び高め、二
重密閉容器４の温度をＣｄＴｅの融点である１０９２℃
以上に上昇させ、容器内の化合物を完全に融解させる。 その後、組成の均一化を行うため、容器温度を１１００
℃〜１１３０℃付近に１時間保持する。この間に、高圧
容器１内の圧力を２ｋｇ／ｃｍ２Ｇまで減圧しながらヒ
ータ５への給電を停止して、炉冷により室温まで冷却し
て容器を取り出す。
【００１１】上記方法により製造されたＣｄＴｅ多結晶
をブロック状に分割し、そのブロックを粒状のＺｎＴｅ
塊とともに逆円錐台状のｐＢＮ製るつぼに入れ、さらに
このるつぼを石英製アンプルに入れて真空封止し、例え
ば図３に示すような縦型炉内に設置して、垂直グラディ
エント・フリージング法により単結晶を育成する。上記
石英製アンプル１０は、下部にＣｄ蒸気圧制御用のリザ
ーバ部１１を有するものを使用すると良い。また、ヒー
タ１４はるつぼ載置部とリザーバ部１１を別々の温度に
加熱できるものを用いるのがよい。
をブロック状に分割し、そのブロックを粒状のＺｎＴｅ
塊とともに逆円錐台状のｐＢＮ製るつぼに入れ、さらに
このるつぼを石英製アンプルに入れて真空封止し、例え
ば図３に示すような縦型炉内に設置して、垂直グラディ
エント・フリージング法により単結晶を育成する。上記
石英製アンプル１０は、下部にＣｄ蒸気圧制御用のリザ
ーバ部１１を有するものを使用すると良い。また、ヒー
タ１４はるつぼ載置部とリザーバ部１１を別々の温度に
加熱できるものを用いるのがよい。
【００１２】一例として図１の装置を用いて製造された
ＣｄＴｅ多結晶ブロック３個（１．５ｋｇ）を所定量の
ＺｎＴｅとともにｐＢＮ製るつぼ１３に入れ、図３に示
す装置によってＣｄＴｅ単結晶の成長を行なった。Ｚｎ
Ｔｅの量はＣｄＴｅ単結晶中のＺｎの含有量が３ｍｏｌ
％となるように決定した。また、石英製アンプル１０の
リザーバ部１１には純度６ＮのＣｄを１０ｇ入れた。石
英製アンプル１０は内部を約２×１／１０６Ｔｏｒｒに
真空引きしてからバーナーで封止した。ヒータ１４に給
電して融点以上まで加熱、昇温してから、アンプル１０
内が１．３ａｔｍとなるようにリザーバ部１１を約７９
５℃に加熱しながらルツボ底側が低くなるような温度勾
配を保ちつつ徐々に冷却して固化させた。
ＣｄＴｅ多結晶ブロック３個（１．５ｋｇ）を所定量の
ＺｎＴｅとともにｐＢＮ製るつぼ１３に入れ、図３に示
す装置によってＣｄＴｅ単結晶の成長を行なった。Ｚｎ
Ｔｅの量はＣｄＴｅ単結晶中のＺｎの含有量が３ｍｏｌ
％となるように決定した。また、石英製アンプル１０の
リザーバ部１１には純度６ＮのＣｄを１０ｇ入れた。石
英製アンプル１０は内部を約２×１／１０６Ｔｏｒｒに
真空引きしてからバーナーで封止した。ヒータ１４に給
電して融点以上まで加熱、昇温してから、アンプル１０
内が１．３ａｔｍとなるようにリザーバ部１１を約７９
５℃に加熱しながらルツボ底側が低くなるような温度勾
配を保ちつつ徐々に冷却して固化させた。
【００１３】上記方法により育成されたＣｄＴｅ結晶を
取り出して、単結晶ウェハを切り出してエッチングした
後赤外線透過率を測定した。図４にその測定結果を示す
。同図より、上記実施例によって得られたＣｄＴｅ単結
晶は、波長２μｍ−２０μｍの範囲に亘って、赤外線透
過率が約６０％で一定であることが分かる。一方、比較
のため、図１における内側容器４ａを石英製容器とした
ものでＣｄＴｅ多結晶を合成し、さらにこの合成多結晶
を用いて図３の装置で単結晶の育成を行なった。育成さ
れたＣｄＴｅ結晶を取り出して、単結晶ウェハを切り出
してエッチングした後赤外線透過率を測定した。図５に
その測定結果を示す。同図より、従来方法によって得ら
れたＣｄＴｅ単結晶は、波長２−４μｍで赤外線透過率
が６０％であったものが波長４μｍから透過率が徐々に
下がり、波長２０μｍでは３７％まで低下していること
が分かる。
取り出して、単結晶ウェハを切り出してエッチングした
後赤外線透過率を測定した。図４にその測定結果を示す
。同図より、上記実施例によって得られたＣｄＴｅ単結
晶は、波長２μｍ−２０μｍの範囲に亘って、赤外線透
過率が約６０％で一定であることが分かる。一方、比較
のため、図１における内側容器４ａを石英製容器とした
ものでＣｄＴｅ多結晶を合成し、さらにこの合成多結晶
を用いて図３の装置で単結晶の育成を行なった。育成さ
れたＣｄＴｅ結晶を取り出して、単結晶ウェハを切り出
してエッチングした後赤外線透過率を測定した。図５に
その測定結果を示す。同図より、従来方法によって得ら
れたＣｄＴｅ単結晶は、波長２−４μｍで赤外線透過率
が６０％であったものが波長４μｍから透過率が徐々に
下がり、波長２０μｍでは３７％まで低下していること
が分かる。
【００１４】なお、上記実施例では外側容器４ｂとして
石英製のものを使用したが、容器の材質はこれに限定さ
れるものでなく耐熱性のあるもので高純度品であれば良
い。望ましくは真空引きしたのち気密状態に封止しやす
い材質がよい。また、上記実施例ではｐＢＮ製内側容器
４ａの形状を茶筒状としているがそれに限定されるもの
でない。ただし、内側容器４ａを上部が解放された皿状
にするとＣｄとＴｅの合成反応時に原料が容器から溢れ
てしまう。また、内側容器４ａを縦方向に長い形状にす
ると、合成進行中に生じたＣｄＴｅが原料融液の表面に
浮き上がって蓋のように融液を覆うため、その後、融液
が突沸すると容器が破裂するおそれがある。従って、内
側容器４ａの形状としては、実施例のように横長でかつ
蓋付きのものが望ましい。
石英製のものを使用したが、容器の材質はこれに限定さ
れるものでなく耐熱性のあるもので高純度品であれば良
い。望ましくは真空引きしたのち気密状態に封止しやす
い材質がよい。また、上記実施例ではｐＢＮ製内側容器
４ａの形状を茶筒状としているがそれに限定されるもの
でない。ただし、内側容器４ａを上部が解放された皿状
にするとＣｄとＴｅの合成反応時に原料が容器から溢れ
てしまう。また、内側容器４ａを縦方向に長い形状にす
ると、合成進行中に生じたＣｄＴｅが原料融液の表面に
浮き上がって蓋のように融液を覆うため、その後、融液
が突沸すると容器が破裂するおそれがある。従って、内
側容器４ａの形状としては、実施例のように横長でかつ
蓋付きのものが望ましい。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、２以上の
原料元素を半密閉型のｐＢＮ製内側容器内に配置し、さ
らにこの内側容器を耐熱性の外側容器に入れて真空封止
したのち、これらを加熱装置によって加熱して昇温させ
、上記ｐＢＮ製容器内の原料元素を融解、反応させてか
ら徐々に温度を下げることにより結晶を育成するように
したので、ＣｄＴｅ単結晶基板の赤外線透過率の波長依
存性を低減し、ＣｄＴｅ単結晶基板を用いた赤外線検出
器の特性を向上させることができるという効果がある。
原料元素を半密閉型のｐＢＮ製内側容器内に配置し、さ
らにこの内側容器を耐熱性の外側容器に入れて真空封止
したのち、これらを加熱装置によって加熱して昇温させ
、上記ｐＢＮ製容器内の原料元素を融解、反応させてか
ら徐々に温度を下げることにより結晶を育成するように
したので、ＣｄＴｅ単結晶基板の赤外線透過率の波長依
存性を低減し、ＣｄＴｅ単結晶基板を用いた赤外線検出
器の特性を向上させることができるという効果がある。
【図１】本発明に係る多結晶合成装置の要部の一実施例
を示す断面正面図である。
を示す断面正面図である。
【図２】内側容器の構成例を示す断面正面図である。
【図３】垂直徐冷法による単結晶成長装置の一例を示す
断面図である。
断面図である。
【図４】本発明方法により育成された多結晶を用いて育
成されたＣｄＴｅ単結晶の赤外線透過率の測定結果を示
すグラフである。
成されたＣｄＴｅ単結晶の赤外線透過率の測定結果を示
すグラフである。
【図５】従来の方法により育成された多結晶を用いて育
成されたＣｄＴｅ単結晶の赤外線透過率の測定結果を示
すグラフである。
成されたＣｄＴｅ単結晶の赤外線透過率の測定結果を示
すグラフである。
１ 高圧炉
３ 加圧装置
４ 合成容器
４ａ ｐＢＮ製内側容器
４ｂ 外側容器
５ ヒータ
Claims (2)
- 【請求項１】 ２以上の原料元素を半密閉型のｐＢＮ
製内側容器内に配置し、さらにこの内側容器を耐熱性の
外側容器に入れて真空封止したのち、これらを加熱装置
によって加熱して昇温させ、上記ｐＢＮ製容器内の原料
元素を融解、反応させてから徐々に温度を下げることに
より結晶を育成するようにしたことを特徴とするＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体多結晶の合成方法。 - 【請求項２】 上記外側容器は石英製であることを特
徴とする請求項１記載のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体多結
晶の合成方法。
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|---|---|---|---|
| JP3163495A JP2517803B2 (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体多結晶の合成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3163495A JP2517803B2 (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体多結晶の合成方法 |
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|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN116555912A (zh) * | 2023-05-29 | 2023-08-08 | 武汉拓材科技有限公司 | 一种碲化镉多晶料的制备装置 |
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-
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- 1991-06-07 JP JP3163495A patent/JP2517803B2/ja not_active Expired - Lifetime
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