DE3820809A1 - Herstellung orientierter schichten des hochtemperatursupraleiters bi-sr-ca-cu-oxid - Google Patents
Herstellung orientierter schichten des hochtemperatursupraleiters bi-sr-ca-cu-oxidInfo
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Description
Bekannt sind aus einem Preprint, erscheint in Phys. Rev. B,
drei Phasen eines keramischen Hochtemperatursupraleiters des
Systems Bi2-Sr2-Ca n -1Cu n -Oxid mit n=1,2,3 sowie mit
Variationen der Stöchiometrie, insbesondere hinsichtlich des
Verhältnisses Sr-Ca.
Für die technische Verwendung supraleitender Schichten ist eine
Orientierung der in den Schichten enthaltenen Kristallite nach
bestimmten kristallographischen Richtungen von Bedeutung.
Orientierte Schichten stellen in ihren physikalischen Eigen
schaften einen Schritt in Richtung Einkristall dar, zeigen also
z.T. die Anisotropie des entsprechenden Einkristalls, sind aber
i.a. wesentlich leichter herzustellen als Einkristalle.
Bei supraleitenden Schichten aus Y-Ba-Cu-Oxid und Bi-Sr-Ca-
Cu-Oxid versucht man durch eine Orientierung bzw. Textur der
Kristallite insbesondere eine hohe kritische Stromflußdichte
in der Schicht zu ermöglichen.
Die Herstellung supraleitender Schichten erfolgt gemäß dem
Stand der Technik nach vielen verschiedenen Verfahren, wie z.B.
durch Sputtern oder Verdampfen der den Supraleiter bildenden
Elemente. Dabei erhält man eine vorgegebene Kristallstruktur
des Supraleiters entweder durch ein dem Aufbringen der Schicht
nachfolgendes Tempern oder durch Heizen des Substrats direkt
beim Aufbringen der Schicht. Die Art, in der die Elemente bei
diesem Verfahren auf das Substrat aufgebracht werden, führt zu
einer relativ homogenen Mischung der Elemente, so daß eine
Durchmischung nicht notwendig ist, wie sie bei der Herstellung
z.B. eingangs genannten keramischen Materials durch mehrmaliges
Umsetzen und Mahlen erfolgt. Nach vorgenannten Verfahren der
Schichtherstellung erzeugte Schichten weisen, abhängig vom
Substrat und von eventuell vorhandenen Zwischenschichten (zur
Vermeidung von Reaktionen zwischen Supraleiter und Substrat)
nicht immer die gewünschte bzw. notwendige Textur auf.
Dicke supraleitende Schichten können z.B. durch Siebdruck
verfahren unter Verwendung einer Paste aus den Rohmaterialien
oder aus einem vorreagierten Pulver und einem Bindemittel her
gestellt werden. Auch hier erfolgt die Herstellung der vorge
gebenen Phase in einer zusammenhängenden Schicht durch nach
folgendes Tempern. Geht man hier von einer bloßen Mischung der
Rohmaterialien aus, so ist es problematisch, die notwendige
Homogenität der Schicht zu erreichen. Zur Verwendung eines vor
reagierten Pulvers ist dagegen das bereits erwähnte mehrmalige
Umsetzen und Mahlen nötig. Es liegt in der Natur dieser Her
stellungsmethode des Sinterns, daß diese Dickschichten nicht
texturiert sind, da nur ein Zusammenbacken der statistisch
orientierten Kristallite beim Sintern erfolgt.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist, die Herstellungsbe
dingung für Schichten mit wie oben angegebenen Zusammen
setzungen supraleitenden Materials anzugeben, wobei diese
Schichten reproduzierbar vorgegebene Textur und Struktur haben.
Diese Aufgabe wird mit den Maßnahmen des Patentanspruchs 1 ge
löst.
Der Erfindung lagen unter anderem folgende Erkenntnisse
zugrunde. Mit Hilfe der Hochtemperatur-Röntgenbeugung konnte
die erfindungswesentliche Feststellung gemacht werden, daß
unter bestimmten, noch zu erörternden Umständen Wismut-
Strontium-Kalzium-Kupfer-Oxid direkt aus den Rohmaterialien in
nur einem Arbeitsgang als bereits praktisch perfekt orientierte
Schicht hergestellt werden kann. Dabei ist ein erfindungsge
mäßes Aufschmelzen der in der Rohstoffmischung der bereits auf
gebrachten Schicht enthaltenen Materialien von wesentlicher Be
deutung. In dem erfindungsgemäß vorgesehenen schmelzflüssigen
Zustand findet der Stofftransport der Rohmaterialien wesentlich
schneller statt, als beispielsweise beim Umsetzen des kerami
schen Materials. Mit der Erfindung erreicht man somit eine
optimale Durchmischung der Rohmaterial-Bestandteile bzw.
-elemente schon nach sehr kurzer Zeit, typischerweise bereits
in Sekunden bis Minuten.
Aus der erfindungsgemäß vorgesehenen Schmelze kristallisieren
bei Temperaturen im Bereich der Kristallisationstemperatur
plättchenförmige Kristallite der jeweils vorgegebenen supra
leitenden Phase. Wie die mittels der Röntgenbeugung vorge
nommene Beobachtung des Kristallisationsvorganges ergab,
"schwimmen" diese bereits gebildeten einkristallinen Plättchen
mit ihrer kristallographischen c-Achse senkrecht zur Oberfläche
des Substrats bzw. der Schmelze ausgerichtet in der noch vor
handenen Schmelze. Dieses Verhalten wurde sogar bei einem
solchen Substrat aus Zirkonoxid festgestellt, das keine be
sondere Oberflächenbehandlung erfahren hatte.
Beim dann weiteren Abkühlen bleibt diese erfindungsgemäß er
reichte perfekte Orientierung der wachsenden Kristallite
(001-Textur) erhalten, wie dies festgestellt werden konnte.
Von Bedeutung für ein Ausbleiben einer Veränderung der ur
sprünglichen Einwaage bzw. Stöchiometrie, und zwar insbesondere
im Zeitraum, in dem die Kristallisation aus der Schmelze ab
läuft, ist die Vermeidung von Reaktionen der Schmelze mit dem
Material des Substrats. Diese Bedingung läßt sich hinreichend
erfüllen, wenn die Bedingungen des erfindungsgemäß vorgesehenen
Verfahrensschrittes, des vorübergehenden Erreichens des Schmelz
zustandes für nur kurze Zeit aufrechterhalten werden. Probleme
ergeben sich damit nicht, denn, wie schon oben gezeigt, erfolgt
die Homogenisierung im schmelzflüssigen Zustand innerhalb
kürzester Zeit.
Nachfolgend wird ein Ausführungsbeispiel zur Erfindung mit
seinen Varianten beschrieben. Dieses Verfahren umfaßt die
folgenden Verfahrensschritte:
- 1. Eine der Stöchiometrie entsprechend vorgegebene Mischung entweder der Rohmaterialien oder der Bestandteilselemente wird auf ein zur Beschichtung vorgesehenes Substrat auf gebracht. Dies erfolgt z.B. durch Siebdrucken oder durch Aufschlämmen der Karbonate, Oxyde und dgl.. Für das Auf bringen kann auch von vorreagiertem Pulver ausgegangen werden. Für dünne Schichten wendet man zweckmäßigerweise Sputtern oder Verdampfen der Bestandteile bzw. Elemente an.
- 2. Das Substrat wird auf Kristallisationstemperaturen der vorgegebenen Phase aufgeheizt. Das Aufheizen kann z.B. nach dem Stand der Technik mittels Beheizung erfolgen oder es kann auch Energie-, insbesondere Laser-Bestrahlung hierfür vorgesehen sein. Bei Bi-Sr-Ca-Cu-Oxid liegen solche Tempera turen je nach der gewünschten Phase bzw. Struktur in einem Temperaturbereich T 1, der vorzugsweise zwischen 860 und 910°C liegt. Es ist dies der Hauptbereich des bekannten und zu einem Anteil des auch bei der Erfindung vorgesehenen Kristallisationsprozesses.
- 3. Als erfindungsgemäßer Schritt wird mittels eines Licht
blitzes (rapid optical annealing), mittels Anwendung von
Laserstrahlung, mittels wie bei dem oben angegebenen
indirekten Heizen des Materials der Schicht oder dgl., diese
Schicht weiter bzw. zusätzlich auf Temperaturen oberhalb der
Schmelztemperatur T S aufgeheizt. Bei dieser erfindungsgemäßen
Maßnahme kann gemäß einer Variante die Schmelztemperatur des
Materials der Schicht sogar für beschränkte Zeit wesentlich
(T max) überschritten werden. An sich kann dieses erfindungs
gemäß vorgesehene zusätzliche Aufheizen auch langzeitig
z.B. länger als für Sekunden bzw. Minuten ausgeführt werden,
(vor allem von Bedeutung bei indirektem Heizen) nämlich
dann, wenn eine Reaktion der Schmelze mit dem Substrat
ausgeschlossen ist. Man wird möglichst kurzzeitiges weiteres
bzw. zusätzliches Aufheizen bevorzugen.
Dieses gegenüber dem Stand der Technik vorgesehene weitere zusätzliche Aufheizen kann auch Bestandteil, d.h. die End phase, eines einheitlichen Aufheizvorganges sein, der dann, abweichend vom Stand der Technik, erfindungsgemäß bis zur Schmelztemperatur T S der Schicht oder noch etwas höher geführt wird. - 4. Nach diesem gegenüber dem Stand der Technik zusätzlichen
Aufheizen läßt man das Substrat auf die in Punkt 2
angegebene Kristallisationstemperatur abkühlen. Es kann von
wesentlichem Vorteil sein, eine Haltezeit von 0,5 bis 3 min
bei Erreichen der oberen Kristallisationstemperatur einzu
halten. Entsprechend üblichem Kristallwachsen ist unter
Kristallisationstemperatur ein Temperaturbereich T 1 zu ver
stehen, in dem einerseits bereits Kristallisation erfolgt,
andererseits aber die Temperatur noch hoch genug ist, daß
sauberes Kristallwachstum abläuft.
Der an sich nach dem Stand der Technik ablaufende Verfah rensschritt dieses Punktes 4 unterscheidet sich aber erfin dungsgemäß in den Details des Kristallwachstums. Erfindungs gemäß geht hier das Kristallwachstum von im Verfahrens schritt 3 erzeugten zahlreichen, bereits perfekt orientier ten Keimkristallen aus, so daß das insgesamte Kristallwachs tum hohe Perfektion der Ausrichtung aufweist. Dies bei der Erfindung selbst dann, wenn im Verfahrensschritt des Punktes 4 weniger sorgfältig gearbeitet werden sollte, als dies für Verfahren nach dem Stand der Technik üblich und vorge schrieben ist. - 5. Vorzugsweise nach kurzer Haltezeit im Bereich der Kristallisa tionstemperaturen T 1 wird das Substrat mit der entsprechend der Erfindung hochqualitativen Kristallorientierung auf Raumtemperatur abgekühlt.
Die Erfindung läßt sich insbesondere auch dazu verwenden, in
der Schicht aus dem an sich supraleitenden Material Leiter
bahnen mit der erfindungsgemäß optimalen Kristallorientierung
zu erzeugen. Diese Leiterbahnen haben dann die eigentliche
supraleitende Eigenschaft. Die Leiterbahnen werden z.B. in der
Weise hergestellt, daß nur in den diesen Leiterbahnen ent
sprechenden Flächenanteilen der Schicht die erfindungsgemäß
zu erzielende optimale Kristallorientierung erreicht ist,
nämlich indem man die Schicht nur in diesen Flächenanteilen mit
dem zusätzlichen Aufheizen beaufschlagt. Vorteilhafter ist es
aber, das Aufheizen gemäß den Verfahrensschritten 2 und 3 auf
die Flächenanteile der Leiterbahnen zu begrenzen. Damit ent
stehen ebenfalls die supraleitenden Bahnen mit optimaler
Kristallorientierung. Zusätzlich bietet sich hier aber die
Möglichkeit, restliche, für die Leiterbahnen und dgl. nicht
benötigte Anteile der Schicht, z.B. durch Abwachsen, wieder zu
entfernen.
Weitere Erläuterungen gehen aus den nachfolgend beschriebenen
Figuren hervor.
Die Fig. 1 zeigt in einer perspektivischen Ansicht mit 1
bezeichnet ein Substrat, auf dem sich eine Schicht 2 aus dem
Wismut-Strontium-Kalzium-Kupfer-Oxid befindet. Mit 3 ist eine
Heizung für das Substrat 1 bezeichnet. Gemäß einer Ausführungs
form der Erfindung wird mittels dieser Heizung 3 die Schicht 2
auf Temperaturen des mit T₁ bezeichneten Temperaturbereichs
aufgeheizt, wobei diese Temperaturen im Temperaturbereich T 1
der Kristallisation des Materials der Schicht 2 liegen. Mit 4
ist dann Strahlung von Lichtblitzen oder eines Lasers be
zeichnet. Diese Strahlung 4 dient zum erfindungsgemäßen
zusätzlichen weiteren Aufheizen auf Temperaturen, die
wenigstens den Schmelzpunkt T S erreichen, insbesondere aber
übersteigen. Mit 40 ist ein gemäß der obenerwähnten Anwendung
erzeugtes Leiterbahnstück in der Schicht 2 bezeichnet.
Gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung kann das
Aufheizen wenigstens im wesentlichen auch allein durch die
Energiestrahlung 4 erfolgen.
Fig. 2 zeigt ein Temperatur-(T)-Zeit-(t)-Diagramm. Die
gestrichelt eingetragenen Kurvenzüge 11 und 12 sind Aufheizung
und Abkühlung nach dem Stand der Technik mit 13 ist die
Kristallisation nach dem Stand der Technik bezeichnet. Die
Kristallisation erfolgt in dem mit T 1 bezeichneten Temperatur
bereich.
Mit der ausgezogenen Kurve 14 ist auf die erfindungsgemäß vor
gesehene zusätzliche Aufheizung auf dem Stand der Technik
gegenüber höhere Temperaturen bis wenigstens zum Schmelzpunkt
T S oder bis zu noch höhereren Temperaturen T max oberhalb des
Schmelzpunktes hingewiesen. Das Aufheizen gemäß den Anteilen 11
und 14 kann auch erfindungsgemäß ein einziger durchlaufender
Aufheizprozeß, z.B. allein mittels Laserstrahlung, sein.
Mit 15 ist der Temperaturabfall von der Temperatur T max bzw.
der Temperatur T S bis in den Bereich der Temperaturen T 1
bezeichnet. Während dieses Temperaturabfalls erfolgt das
erfindungsgemäße erste Auskristallisieren mit der der Erfin
dung gemäßen Orientierung der gerade gebildeten Kristallite in
der ansonsten noch im wesentlichen schmelzflüssigen Schicht 2.
Der als Weiterbildung der Erfindung vorgesehene flache Tempe
raturabfall 16 im Bereich der Kristallisationstemperaturen
T 1 begünstigt das vollständige Auskristallisieren der dann
erfindungsgemäß optimal kristallorientierten Schicht 2. Mit 17
ist der Abkühlungsprozeß bezeichnet, der der bekannten Ab
kühlung 12 entspricht.
Wie aus der Fig. 2 ersichtlich, setzt die Erfindung beim Zeit
punkt t=a ein, nämlich wo erfindungsgemäß entgegen der Praxis
des Standes der Technik noch weiteres Aufheizen bis zum
Schmelzpunkt T S oder vorzugsweise bis über den Schmelzpunkt
durchgeführt wird.
Claims (11)
1. Verfahren zur Herstellung von Kristall-orientierten supra
leitenden Schichten aus Hochtemperatur-Supraleitermaterial des
Systems Bi2Sr2Ca n -1Cu n O y mit n=1,2,3 und Variationen der
Stöchiometrie, wobei zunächst auf einem Substrat (1) im
Ergebnis eine Schicht aus dem vorgegebenen Material erzeugt
wird und diese Schicht (2) auf entsprechend der vorgegebenen
Phase innerhalb eines Bereiches liegenden Kristalltemperaturen
bis zur erfolgten Kristallisation der Schicht gehalten und
schließlich wieder abgekühlt wird,
gekennzeichnet dadurch,
daß zumindest Anteile (40) dieser Schicht (2) zusätzlich
vorübergehend bis in die Schmelzphase gebracht (14, 15) werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
gekennzeichnet dadurch ,
daß das Aufheizen bis in die Schmelzphase ein einziger durch
laufender Aufheizprozeß ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
gekennzeichnet dadurch,
daß die Schmelzphase mittels Aufheizen durch Lichtblitze (4)
erreicht wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
gekennzeichnet dadurch,
daß die Schmelzphase mittels Aufheizen durch Laserstrahlung (4)
erreicht wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
gekennzeichnet dadurch,
daß die Schmelzphase mittels Aufheizen durch indirekte
Heizwärme (3) erreicht wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
gekennzeichnet dadurch,
daß nach dem Wiederabkühlen dieser zusätzlichen Aufheizung in
die Schmelzphase eine Haltezeit (16) von 0,5 bis 3 min für das
Kristallisieren der Schicht eingelegt wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
gekennzeichnet dadurch,
daß eine Kristallisationstemperatur (T 1) in einem Bereich bei
Temperaturen zwischen 860 und 910°C gewählt wird.
8. Anwendung eines Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis
7, zur Herstellung von Leiterbahnen (40) oder dergl. in einer
wie angegebenen Schicht (2), wobei die Aufheizung (14) bis in
die Schmelzphase (T S ) nur in den vorgegebenen Leiterbahnen
entsprechenden Flächenanteilen der Schicht vorgenommen wird.
9. Anwendung nach Anspruch 8,
gekennzeichnet dadurch,
daß nur die Flächenanteile (40) der Leiterbahnen und dergl.
der Schicht (2) aufgeheizt werden.
10. Anwendung nach Anspruch 8 oder 9,
gekennzeichnet dadurch,
daß für Leiterbahnen oder dergl. nicht erforderliches Material
der Schicht (2) wieder entfernt wird.
11. Anwendung nach Anspruch 10,
gekennzeichnet dadurch,
daß das Entfernen durch Abwaschen erfolgt.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3820809A DE3820809A1 (de) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | Herstellung orientierter schichten des hochtemperatursupraleiters bi-sr-ca-cu-oxid |
JP1505396A JP2754494B2 (ja) | 1988-06-20 | 1989-05-31 | Bi―Sr―Ca―Cu―酸化物又はT1―Ba―Ca―Cu―酸化物高温超伝導体の方向づけられた層の製造方法 |
AT89906047T ATE128577T1 (de) | 1988-06-20 | 1989-05-31 | Herstellung orientierter schichten des hochtemperatursupraleiters bi-sr- bzw. tl-ba-ca- cu-oxid. |
DE58909455T DE58909455D1 (de) | 1988-06-20 | 1989-05-31 | HERSTELLUNG ORIENTIERTER SCHICHTEN DES HOCHTEMPERATURSUPRALEITERS Bi-Sr- BZW. Tl-Ba-Ca-Cu-OXID. |
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DE (1) | DE3820809A1 (de) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3942715A1 (de) * | 1989-12-22 | 1991-06-27 | Siemens Ag | Verfahren zur beschichtung eines traegers mit hochtemperatur-supraleitendem material |
DE4111337A1 (de) * | 1990-04-24 | 1991-10-31 | Siemens Ag | Verfahren zur herstellung einer texturierten, supraleitenden keramikschicht |
DE4119707A1 (de) * | 1991-06-14 | 1992-12-17 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen eines hochtemperatur-supraleitenden bauteiles und hochtemperatur-supraleitendes bauteil |
DE4210198A1 (de) * | 1992-03-28 | 1993-09-30 | Dresden Ev Inst Festkoerper | Verfahren zur Herstellung von schmelztexturierten Hochtemperatur-Supraleitern |
DE4234311A1 (de) * | 1992-10-12 | 1994-04-14 | Abb Research Ltd | Verfahren zur Herstellung eines Hochtemperatursupraleiters mit hoher Stromdichte |
WO2014132000A1 (fr) * | 2013-03-01 | 2014-09-04 | Saint-Gobain Glass France | Procede de traitement thermique d'un revêtement |
-
1988
- 1988-06-20 DE DE3820809A patent/DE3820809A1/de not_active Withdrawn
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3942715A1 (de) * | 1989-12-22 | 1991-06-27 | Siemens Ag | Verfahren zur beschichtung eines traegers mit hochtemperatur-supraleitendem material |
DE4111337A1 (de) * | 1990-04-24 | 1991-10-31 | Siemens Ag | Verfahren zur herstellung einer texturierten, supraleitenden keramikschicht |
DE4119707A1 (de) * | 1991-06-14 | 1992-12-17 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen eines hochtemperatur-supraleitenden bauteiles und hochtemperatur-supraleitendes bauteil |
DE4210198A1 (de) * | 1992-03-28 | 1993-09-30 | Dresden Ev Inst Festkoerper | Verfahren zur Herstellung von schmelztexturierten Hochtemperatur-Supraleitern |
DE4234311A1 (de) * | 1992-10-12 | 1994-04-14 | Abb Research Ltd | Verfahren zur Herstellung eines Hochtemperatursupraleiters mit hoher Stromdichte |
WO2014132000A1 (fr) * | 2013-03-01 | 2014-09-04 | Saint-Gobain Glass France | Procede de traitement thermique d'un revêtement |
FR3002768A1 (fr) * | 2013-03-01 | 2014-09-05 | Saint Gobain | Procede de traitement thermique d'un revetement |
EA028967B1 (ru) * | 2013-03-01 | 2018-01-31 | Сэн-Гобэн Гласс Франс | Способ термической обработки покрытия |
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Legal Events
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8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |