KR0157323B1 - 국부 용융역 형성법을 이용한 망간-아연 페라이트 단결정의 제조방법 및 그 장치 - Google Patents

국부 용융역 형성법을 이용한 망간-아연 페라이트 단결정의 제조방법 및 그 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 원료를 용융시킨 다음 이를 재차 일부분만이 액상이 되도록 도가니의 온도를 하강시킨 후 모세관 현상을 이용하여 망간-아연(Mn-Zn Ferrite) 단결정을 제조하는 방법 및 그 장치에 관한 것이다.
구체적으로는 서로 다른 온도로 유지되는 발열체를 도가니의 외부에 설치하여 결정성장시 도가니내에 용융역(Liquid Pool), 고액공존역(Semi-Rigid Region), 고상역(Solid Region)의 세 영역이 공존하도록 온도분포를 정밀제어할 수 있도록 하고, 상기 도가니의 상부에 형성된 결정 인발부에 내부에 보조발열체가 설치된 석영관을 설치한 후 풀링로드(Pulling Rod)를 사용하여 결정을 인발하도록 함으로서 도가니와 용액의 접촉부위를 최소화시켜 백금(Pt)의 혼입을 극소화시킨 망간-아연 페라이트 단결정의 제조방법 및 그 장치에 관한 것이다.

Description

국부 용융역 형성법을 이용한 망간-아연 페라이트 단결정의 제조방법 및 그 장치
제1도는 종래의 브릿지만법에 의한 망간-아연 페라이트 단결정 성정장치의 개략도.
제2도는 본 발명에 의한 망간-아연 페라이트 단결정 성장장치의 개략도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 도가니 2 : 결정인발부
3 : 원료터블릿 주입구 4 : 산소주입구
5 : 액상역 6 : 고액공존역
7 : 고상역 8 : 제1발열체
9 : 제2발열체 10 : 석영관
11 : 보조발열체 12 : 질소주입구
13 : 플링로드(Pulling Rod) 14 : 종결정
15 : 핀치롤(Pinch Roll) 16, 17, 18, 19 : 열전대
20 : 고상 25 : 도가니 연결부
본 발명의 원료를 용융시킨 다음 이를 재차 일부분만이 액상이 되도록 도가니의 온도를 하강시킨 후 모세관 현상을 이용하여 망간-아연(Mn-Zn Ferrite) 단결정을 제조하는 방법 및 그 장치에 관한 것이다.
구체적으로는 서로 다른 온도로 유지되는 발열체를 도가니의 외부에 설치하여 결정성장시 도가니내에 용융역(Liquid Pool), 고액공존역(Semi-Rigid Region), 고상역(Solid Region)의 세 영역이 공존하도록 온도분포를 정밀제어할 수 있도록 하고, 상기 도가니의 상부에 형성된 결정 인발부에 내부에 보조발열체가 설치된 석영관을 설치한 후 풀링로드(Pulling Rod)를 사용하여 결정을 인발하도록 함으로서 도가니와 용액의 접촉부위를 최소화시켜 백금(Pt)의 혼입을 극소화시킨 망간-아연 페라이트 단결정의 제조방법 및 그 장치에 관한 것이다.
일반적으로 망간-아연 페라이트 단결정은 VTR헤드 및 기타 자기헤드의 소재로 많이 사용되고 있으나 도가니로부터 백금 등과 같은 불순물이 유입되어 품질이 저하되거나 결함이 많이 발생하였다.
즉, 종래에 망간-아연 페라이트 단결정을 제조하는 방법으로는 구경이 10㎜이하인 단결정을 제조할 때 를로팅 존(Floating Zone)법이 사용되었으나 이는 단결정의 구경이 대형인 것을 제조할 수 없어 구경이 10㎜이상의 단결정을 제조하기 위해서 부릿지만(Bfidgmann)법을 주로 사용하였다.
상기 브릿지만 벗은 제1도에 도시한 바와같이 백금도가니(24)에 종결정(23)과 원료를 장입한 후 발열체(21,22)로 성장로내의 온도를 일정한 온도구배가 되도록 유지하여 원료를 용해한 다음 적당한 속도로 도가니(24)를 하강시킴으로써 결정이 성장되도록 하였다.
상기 브릿지만 법을 사용할 경우 결정성장중에 응고가 진행되어 고화된 부위가 증가함에 따라 실제계면의 이동속도에 변화가 발생한다.
따라서 잉고트(Ingot)의 전길이에 걸쳐 일정한 조건으로 단결정을 성장시키는 것이 어려우며 특히 종결정에서 콘(Cone)형태의 부위로 고액계면(Solid-Liquid Interface)이 이동될 때 이 부위에서의 온도구배 제어가 적절치 못할 경우 액상을 향하여 오목한 고액계면 현상이 심화되어 단결정에 깨지거나 결정결함 발생의 원인이 되었다.
뿐만 아니라 용융된 용액표면으로부터 ZnO의 증발이 심하고 비평형응고에 의한 코아링(Coring)현상으로 성장방향으로의 조성편차가 커짐에 따라 잉고트의 길이방향으로 자기적 특성이 변화를 일으키는 문제점이 있었다.
따라서 조성편차를 감소시키기 위해 제어된 조성의 원료터블릿(Tablet)이 보조도가니로 공급되어 미리 융용된 후 주도가니로 공급되는 연속 공급식 브릿지만법을 사용하여 단결정을 제조하는 방법이 있으나 이는 보조도가니로부터 백금이 혼입되어 결정에 심각한 영향을 초래하게 되었다.
또한, 종래의 브릿지만 방법에서는 용액과 도가니의 밀착에 의해 응력이 전위를 도입시킴으로서 결정성장과 냉각과정을 거치면서 아결정립이 형성되는 문제점이 있었으며, 백금 도가니를 한번 사용한 후에 다시 재생해야 하므로 제조원가가 상승되는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 제거하기 위하여 창출된 것으로서 조성의 제어를 용이하게 하여 결정 결함의 발생을 방지하며, 도가니와 용액의 접촉면적을 최소화하여 결정에 백금이 혼입되는 것을 방지함으로서 고품질의 망간-아연 페라이트 단결정을 제조할 수 있도록 하는데 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징은 서로 다른 온도로 제어되는 독립된 두 종류의 발열체를 사용하여 백금 도가니에 액상역, 고액공존역, 고상역의 세영역이 공존하도록 온도를 제어하여 모세관 현상을 이용하여 단결정을 제조하는 것으로서 이를 첨부된 도면에 의거하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
제2도에 도시한 바와 같이 상부 중앙에 결정인발부(2)가 형성되고 일측에 원료 터블릿주입구(3) 및 산소주입구(4)가 형성된 도가니(1)의 측면에 제1발열체(8)을 형성하고, 상기 도가니(1)의 상부에는 상기 제1발열체(8)와 상이한 온도로 제어되는 제2발열체(9)를 설치하여 도가니(1)내의 원료가 액상역(5), 고액공존역(6), 고상역(7)의 세영역이 되도록 한다.
이때, 상기 결정인발부(2)와 접하는 도가니 연결부(25)의 높이를 액상역(5)의 높이보다 낮게 유지되도록 형성한다.
그리고, 상기 결정인발부(2)의 상부로 내부에 보조발열체(11)가 설치되고 일측에 질소주입구(12)가 형성된 석영관(10)을 설치하며, 그 상부로는 종결정(14)이 끝단에 장착되는 풀링로드(Pulling Rod)(15)을 설치한다.
미설명 부호 16, 17, 18, 19는 각 부위의 온도를 측정하는 열전대이다.
상기와 같이 구성된 본 발명은 제1 및 제2발열체(8, 9)의 온도를 원료가 용융되도록 일정하게 유지하여 백금 도가니(1)내에 원료주입구(3)를 통해 원료를 장입한 후 산소주입구(4)를 통해 산소를 주입하면서 장입된 원료 전체가 일정한 온도로 안정화 되도록 한다.
온도 안정화가 이루어지면 액상역(5)과 상부도가니 사이의 온도가 용융재료의 융점(1590∼1600℃)보다 약 50℃∼100℃ 더 높게 제2발열체(9)의 온도를 유지시키고, 도가니의 하부의 융점보다 낮게(바람직하게는 8∼15℃)되도록 제1발열체(8)의 온도를 하강시켜 도가니내의 원료가 액상역(5), 고액공존역(6) 및 고상역(7)이 되도록 한다.
즉, 각 부위의 온도측정은 각 부위에 설치된 열전대(16, 17, 18, 19)가 이를 감지하여 발열체의 온도를 제어하도록 하므로서 성장되는 결정의 융액은 백금 도가니와 접촉되지 않게 할 수 있다.
상기와 같이 하여 적정온도 분포의 안정화가 완료되면 끝단에 종결정(14)이 장착된 풀링로드(13)를 하강시켜 인발가이드 역할을 하는 백금 도가니(19)의 결정인발부(20)의 액상에 접촉시켜 고액계면을 형성시킨다.
이때, 결정인발부(2)가 접하는 도가니 연결부(25)의 높이가 액상역(5)의 높이보다 낮으므로 모세관 현상에 의해 융액이 결정인발부(2)로 서서히 차 올라와 결정이 인발 및 성장된다.
상기와 같이 하여 결정이 성장되면 원료터블릿주입구(3)를 통해 계속해서 원료가 공급되고 인발된 결정은 석영관(10)의 내부에 부분적으로 실링된 보조히터(11)를 통과하면서 질소가 퍼징(Pulging)된다.
상기와 같이 본 발명의 효과는 쳇째, 도가니와 용액의 접촉을 극소화시키면서 단결정을 성장시킬 수 있다.
즉, 본 발명에서는 도가니 물질 및 도가니에 함유된 불순물이 결정 성장중에 용출되어 용액에 혼입되는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 성장시키고자 하는 원료물질내의 불순물 등이 도가니와 반응하여 도가니가 침식당하는 현상을 크게 감소시킬 수 있다.
둘째, 결정성장중에 고액계면에서 액상 및 고상쪽으로의 온도 구배가 일정하게 유지되므로 잉고트의 전길이에 걸쳐서 균일한 성장조건(열적조건)이 얻어지며 성장과 동시에 제어된 조성이 원료 터블릿을 연속 투입함으로서 잉고트의 길이방향으로서의 조성편차를 줄일 수 있는 것이다.
셋째, 백금도가니를 여러번 사용이 가능하므로 종래의 브릿지만 공정에 의한 망간-아연 페라이트 단결정 성장시 백금도가니를 한번 사용한 후 재생함으로서 발생하는 제조원가의 상승요인을 제거할 수 있는 등의 효과가 있는 발명인 것이다.

Claims (4)

  1. 도가니 내의 용액이 액상역, 고액공존역 및 고상역의 세영역이 공존하도록하여 용융된 액상과 도가니의 접촉부위가 극소화되도록한 후 결정인 발부를 통해 단결정이 성장되도록 한 것을 특징으로 하는 국부 용융역 형성법을 이용한 망간-아연 페라이트 단결정의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 결정성장이 진행되는 동안 액상역과 도가니 상부 사이의 온도가 용융재료의 융점보다 50∼100℃ 높게 유지되도록 하고, 도가니 하부의 온도가 융점보다 8∼15℃ 낮게 유지되도록 온도를 제어함을 특징으로 하는 국부 용융역 형성법을 이용한 망간-아연 페라이트 단결정의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 결정인발부와 접하는 도가니 연결부의 높이를 액상역의 높이보다 낮게 형성하여 모세관 현상에 의해 용액이 결정인발부로 서서히 올라오게 한 것을 특징으로 하는 국부 용융역 형성법을 이용한 망간-아연 페라이트 단결정의 제조방법.
  4. 망간-아연 페라이트 단결정을 제조하는 장치에 있어서, 상부중앙에 결정인발부(2)를 가진 도가니 열결부(25)가 형성되고 일측에 원료터블릿 주입구(3) 및 산소주입구(4)가 형성된 도가니(1)의 측면에 제1발열체(8)를 형성하고, 상기 도가니(1)의 상부에는 상기 제1발열체(8)와 상이한 온도로 제어되는 제2발열체(9) 및 각부위의 온도을 감지하는 열전대(16, 17, 18, 19)를 설치하며, 상기 결정인 발부(2)의 상부로는 보조 발열체(11)를 내장하고 질소주입구(12)를 가진 석영관(10) 및 종결정(14)이 정착되는 풀링도드(13)와 상기 풀링로드를 이송하는 핀치롤(15)을 설치한 것을 특징으로 하는 국부 용융역 형성법 이용한 망간-아연 페라이트 단결정의 제조장치.
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US07/950,214 US5268061A (en) 1991-12-31 1992-09-24 Method and apparatus for producing a manganese-zinc ferrite single crystal using a local liquid pool formation
JP04256036A JP3112577B2 (ja) 1991-12-31 1992-09-25 マンガン−亜鉛フェライト単結晶の製造方法および装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200489725Y1 (ko) 2019-04-04 2019-07-29 성상일 식품토출장치

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2651481B2 (ja) * 1987-09-21 1997-09-10 株式会社 半導体エネルギー研究所 超伝導材料の作製方法
DE19605858A1 (de) * 1996-02-16 1997-08-21 Claussen Nils Verfahren zur Herstellung von Al¶2¶O¶3¶-Aluminid-Composites, deren Ausführung und Verwendung
JPH10152389A (ja) * 1996-11-21 1998-06-09 Komatsu Electron Metals Co Ltd 半導体単結晶の製造装置および製造方法
JP3523986B2 (ja) * 1997-07-02 2004-04-26 シャープ株式会社 多結晶半導体の製造方法および製造装置
JP3992800B2 (ja) * 1997-09-22 2007-10-17 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 単結晶製造装置および単結晶の製造方法
JP3573045B2 (ja) * 2000-02-08 2004-10-06 三菱住友シリコン株式会社 高品質シリコン単結晶の製造方法
US20050066881A1 (en) * 2003-09-25 2005-03-31 Canon Kabushiki Kaisha Continuous production method for crystalline silicon and production apparatus for the same
US20050261612A1 (en) * 2004-05-18 2005-11-24 Zadick Hazan Vibrations driven through natural mammalian conduits for biofilm prevention
US20070141233A1 (en) * 2005-12-21 2007-06-21 United Technologies Corporation EB-PVD system with automatic melt pool height control
US8350180B2 (en) * 2010-03-12 2013-01-08 United Technologies Corporation High pressure pre-oxidation for deposition of thermal barrier coating with hood
US20110223354A1 (en) * 2010-03-12 2011-09-15 United Technologies Corporation High pressure pre-oxidation for deposition of thermal barrier coating
JP6060403B1 (ja) * 2015-11-11 2017-01-18 並木精密宝石株式会社 サファイア部材製造装置およびサファイア部材の製造方法
US11274379B2 (en) * 2020-02-26 2022-03-15 Ii-Vi Delaware, Inc. System for growing crystal sheets

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54121108A (en) * 1978-03-13 1979-09-20 Akai Electric Mnnzn ferrite monocrystal magnetic head and method of fabricating same
JPS55128801A (en) * 1979-03-28 1980-10-06 Fuji Elelctrochem Co Ltd Manufacture of large single crystal of ferrite with uniform composition
US4402787A (en) * 1979-05-31 1983-09-06 Ngk Insulators, Ltd. Method for producing a single crystal
NL8005312A (nl) * 1980-09-24 1982-04-16 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van ferriet eenkristallen.
JPS5792591A (en) * 1980-11-28 1982-06-09 Ngk Insulators Ltd Production of single crystal
JPS58125696A (ja) * 1982-01-22 1983-07-26 Hitachi Ltd Ｍｎ−Ｚｎフエライト単結晶の製造方法
JPS6046993A (ja) * 1983-08-23 1985-03-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 単結晶引上装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200489725Y1 (ko) 2019-04-04 2019-07-29 성상일 식품토출장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP3112577B2 (ja) 2000-11-27
JPH0640799A (ja) 1994-02-15
KR930013222A (ko) 1993-07-21
US5268061A (en) 1993-12-07

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