CS264935B1 - Způsob úpravy růstových podmínek a pěstování safíru modifikovanou Kyropoulovou metodou - Google Patents

Způsob úpravy růstových podmínek a pěstování safíru modifikovanou Kyropoulovou metodou Download PDF

Info

Publication number
CS264935B1
CS264935B1 CS881546A CS154688A CS264935B1 CS 264935 B1 CS264935 B1 CS 264935B1 CS 881546 A CS881546 A CS 881546A CS 154688 A CS154688 A CS 154688A CS 264935 B1 CS264935 B1 CS 264935B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
crucible
diameter
crystal
tungsten
temperature
Prior art date
Application number
CS881546A
Other languages
English (en)
Other versions
CS154688A1 (en
Inventor
Bohumil Ing Csc Perner
Josef Ing Csc Kvapil
Jiri Ing Drsc Kvapil
Original Assignee
Perner Bohumil
Kvapil Josef
Kvapil Jiri
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Perner Bohumil, Kvapil Josef, Kvapil Jiri filed Critical Perner Bohumil
Priority to CS881546A priority Critical patent/CS264935B1/cs
Publication of CS154688A1 publication Critical patent/CS154688A1/cs
Publication of CS264935B1 publication Critical patent/CS264935B1/cs

Links

Abstract

Způsob úpravy růstových podmínek a pěstování safíru modifikovanou Kyropoulovou metodou ve vakuu o zbytkovém tlaku plynů 200 až 10"^ Pa za použití wolframových nebo molybdenových kelímků v odporové peci s wolframovým topným systémem izolovaným soustavou wolframových a molybdenových plechových stínících elementů, spočívající v tom, že úpravou vzájemné polohy topení, kelímku a stínění dosáhne takový průběh teploty, aby pokles teploty od dna k hornímu okraji kelímku činil 3,0 až 11,5 °C/cm. Při takto upravených podmínkách se v kelímku roztaví surový AI2O3, ze kterého se pěstuje na zárodku krystal tak, že při prvních 5 až 20 % jeho délky se dosáhne průměru odpovídajícího 3 až 18 % vnitřního průměru kelímku za rychlosti tažení 2 až 8 mm/h, další část krystalu o délce odpovídající 6 až 15 % jeho celkové délky, ve které krystal dosáhne průměru 40 až 65 % vnitřního průměru kelímku, se táhne rychlostí 0,5 až 2 mm/h a hlavní válcová část krystalu, dosahující 65 až 95 % vnitřního průměru kelímku se táhne rychlostí 0 až 1 mm/h. Rychlost sestupu teploty v peci se pohybuje v mezích 0,8 až 7 °C/h. Získají se krystaly safíru vysoce kvalitní po stránce strukturní a optické o průměru, který se blíží téměř průměru použitého kelímku.

Description

Předmětem vynálezu je způsob úpravy růstových podmínek a postup pěstování monokrystalů safíru (A^O^) Kyropoulovou metodou na zárodku z taveniny, obsažené v kelímku z wolframu, molybdenu nebo jejích slitin.
Monokrystaly safíru nacházejí v posledním desetiletí stále větší použití ve výzkumu i výrobě náročných zařízení a přístrojů. Využívají se vynikající vlastnosti mechanické, elektrické, optické, teplotní vodivost a vhodná struktura některých řezů pro růst vrstev polovodičů (křemík, AIIIBV), a v nejposlednější době i supravodičů na bázi oxidových materiálů. Pro uvedené aplikace jsou často potřeba desky o průměru 50 až 100 mm, o vysoké optické a strukturní dokonalosti. Původní Verneuilova metoda růstu safíru nesplňuje požadavky na kvalitu ani rozměry krystalů. Bylo proto ve světě vyvinuto několik metod, které více nebo méně splňují nové požadavky na safír kladené. Jsou to zejména tyto metody:
1. Horizontální směrová krystalizáce, kdy tavenina tuhne v molybdenové lodičce ve vakuu. Krystaly mají tvar desek cca 100x150 mm, silných 15 až 25 mm. Je obtížné dodržet monokrystaličnost, protože od dotyku krystalu a stěn lodičky mohou generovat poruchy a bločná struktura. Lodička vydrží pouze jeden cyklus růstu.
2. Metoda tepelného výměníku (HEM). Tavenina je obsažena v Mokelímku s kuželovité zašpičatělým dnem, které je umístěno na tepelném výměníku, chlazeném průtokem helia. Růstu se dosahuje zvyšováním průtoku helia. Vzhledem ke kontaktu stěn kelímku s krystalem mohou vznikat obdobné vady jako u prvé metody. Předností je možnost růstu krystalů velkých průměrů.
3. Czochralskiho metoda je nejvíce rozšířena. Krystaly jsou taženy z taveniny v iridiovém kelímku v atmosféře dusíku. Kelímkový materiál je velmi drahý a kelímky musí být rozměrné, protože lze pěstovat krystaly o průměru maximálně polovičním než je průměr kelímku. Krystaly mají ale na rozdíl od předchozích dvou metod vysokou strukturní a optickou jakost.
Modifikace růstové metody Kyropoulovy a úprava růstových podmínek dle tohoto vynálezu spojuje přednosti obou posledně jmenovaných metod a eliminují jejich nedostatky. Je takto možno pěstovat monokrystaly safíru z relativně levných kelímkových materiálu (W, Mo), přičemž střední průměr válcové části krystalu dosahuje 80 až 90 % vnitřního průměru kelímku a protože krystal neroste v dotyku s kelímkovým materiálem, jako v prvních dvou metodách, odpadají defekty, které jsou tímto způsobem často generovány. (Bločná struktura, zvýšená hustota dislokací).
Způsobem čile tohoto vynálezu se postupuje tak, že v prázdném kelímku, umístěném souose v odporovém topném systému z wolframových topných článků, stíněném ze stran, zdola i zhora soustavou stínění z molybdenových a wolframových plechů se pomocí termočlánku W-WRe proměří teplotní gradient podél vertikály, rovnoběžné s osou kelímku, vzdálené od ní o 0,7 až 0,9násobek vnitřního průměru kelímku. Teplota dna se při měření nastaví v rozmezí 2 050 až
180 °C. Poloha kelímku v topení a stínění horní části kelímku se upraví tak, aby pokles teploty směrem od dna k hornímu okraji kelímku činil 3,0 až 11,5 °C/cm. Protože při pěstování krystalu postupně dochází vlivem vysokých teplot k nestejnoměrným deformacím stínících plechů a k nárůstům těkavých složek na chladnějších· místech, (zejména v otvorech horního stínění), je nutné po několika pokusech proměřit znovu teplotní gradient a provést potřebné úpravy, aby byly dodrženy požadované hodnoty.
Vlastní pěstování se provádí tak, že se v kelímku roztaví surový oxid hlinitý ve vakuu -4 o zbytkovém tlaku plynu 200 až 10 Pa, přičemž jako zbytkový plyn múze být přítomen Argon, helium nebo vodík nebo jejich směs. Z taveniny se na safírovém zárodku pěstuje krystal tak. že prvních 5 až 20 % z jeho celkové délky, pří které dosáhne průměru odpovídajícího až 18 % vztaženého průměru kelímku, se táhne rychlostí 2 až 8 mm/h. Protože kelímky nejsou obecně válcového tvaru, ale používají se spíše kelímky konicky se mírně zužující směrem
CS 264 935 Bl ke dnu bere se jako vztažný - průměr měřený v polovině vnitřní výsky kelímku. V této fázi růstu dojde k vyklínění strukturních poruch, vznikajících ve spoji zárodku s krystalem do vnější části krystalu a tím k jejich eliminaci. Další část krystalu o délce odpovídající 6 až 15 % jeho celkové délky, kdy krystal dosáhne průměru odpovídajícího 40 až 65 % vztaženého průměru se táhne rychlostí 0,5 až 2 mm/h. Tato část krystalu tvoří jeho přechodnou zónu. Následující hlavní válcová část krystalu, dosahující průměr 65 až 95 % vztaženého průměru se táhne rychlostí 0 až 1 mm/h. Vlastního růstu se kromě tažení krystalu do chladnější zóny dosahuje především sestupem teploty topného systému, který se kontroluje termočlánkem nebo optickým pyrometrem na topném elementu ve střední části jeho výšky. Rychlost sestupu teploty se nastaví v mezích 0,8 až 7 °C/h a je obecně nepřímo úměrná rychlosti tažení. Vzhledem k nastavenému teplotnímu gradientu posunuje se při snižování celkové teploty isotherma tuhnutí taveniny od horní části kelímku směrem ke dnu a krystal narůstá tímto směrem. Při celém procesu krystal rotuje rychlostí 0,5 až 5 ot/min.
Popsaným způsobem lze efektivně vypěstovat krystaly safíru o vysoké strukturní a optické dokonalosti a současně i velkého průměru, vhodné pro zhotovení nejnáročnějších výrobků.
Příklad 1
Ve vakuové peci s odporovým topným systémem složeným z osmi paralelně zapojených do kruhu uspořádaných wolframových elementů, tvaru obráceného ”U o celkové délce topné zóny 180 mm a průměru 150 mm byl umístěn wolframový kelímek s vnitřním průměrem u horního okraje 110 mm vnitřní výška byla 130 mm. Kelímek se směrem ke dnu kuželovité zužuje s úkosem stěny 2°. TloušEka stěn i dna je 12 mm. Umístěním kelímku tak, že jeho horní okraj přesahoval úroveň horního okraje topného systému o 25 mra bylo dosaženo při měření W-WRe termočlánkem podél vertikály vzdálené 40 mm od osy kelímku směrem k jeho stěně při teplotě dna 2 120 °C poklesu teploty směrem k hornímu okraji v mezích 5 až 8 °C/cm. Ve vakuu 10 Pa bylo v kelímku roztaveno 2,8 kg surového oxidu hlinitého. Teplota topného systému byla měřena optickým radiačním pyrometrem zaměřeným na topný element.
Po nasatení safírového zárodku rozměrů 6x6x40 mm byla tažena rychlostí 5 mm/h první část krystalu o celkové délce 20 mni. Teplota topení se snižovala rychlostí 1,2 °C/h. Krystal rotoval 4 ot/min. Krystal se pomalu rozšířil od průměru zárodku na průměr 12 mm. V další fázi bylo tažení zpomaleno na 1,5 mm/h a sestup teploty zrychlen na 3,1 °C/h po vytažení dalších 15 mm délky krystalu bylo dosaženo průměru 45 mm. Dále bylo tažení zpomaleno na 0,5 mm/h a rychlost sestupu teploty zvýšena na 5 °C/h. Tímto postupem byla dokončena krystalizace veškeré taveniny v kelímku. Krystal v hlavní válcové Části měl průměr 75 až 85 mm a to v délce 82 mm a neobsahoval zde žádné strukturní ani optické defekty.
Příklad 2
Ve shodné peci se stejným teplotním gradientem, ale s použitím kelímku z Mo a vakua se zbytkovým tlakem argonu 50 Pa bylo po roztavení suroviny postupnováno takto: Po nasazení zárodku byla první část krystalu tažena rychlostí 4 mm/h po délce 15 mm. Teplota topení se snižovala rychlostí 1,5 °C/h. Krystal rotoval 2 ot/min a rozšířil se od průměru zárodku na průměr 15 mm. V další fázi bylo tažení zpomaleno na 1 mm/h, sestup teploty zrychlen na 4 °C/h. Po vytažení 12 mm délky se dosáhlo ó krystalu 55 mm. Ve třetí fázi růstu bylo tažení zastaveno (rychlost =0), rychlost sestupu teploty zvýšena na 5 °C/h a takto dokončena krystalizace veškeré taveniny v kelímku. Krystal v hlavní válcové části měl průměr 80 až 92 mm a to po délce 70 mm a byl bez strukturních a optických defektů.

Claims (3)

  1. PŘEDMĚT VYNÁLEZU
    Způsob úpravy růstových podmínek a pěstování safíru modifikovanou Kyropoulovou metodou ve vakuu o zbytkovém tlaku plynů 200 až 10 Pa za použití wolframových, molybdenových nebo ze slitin těchto kovů zhotovených kelímků, umístěných souose ve wolframovém odporovém topení, stíněném ze všech stran molybdenovým a wolframovým plechem vyznačený tím, že v prostřed! určeném pro pěstování, se úpravou vzájemné polohy topení, kelímku a stínících plechů dosáhne takový průběh teploty v prázdném kelímku, aby při teplotě dna kelímku 2 080 až 2 200 °C pokles teploty směrem od dna k hornímu okraji kelímku, měřený po vertikále ve vzdálenosti od osy kelímku odpovídající 0,7 až 0,9 násobku jeho vnitřního poloměru činil 3,0 až 11,5 °C/cm, načež se při takto upravených podmínkách v kelímku roztaví oxid hlinitý, ze kterého se na zárodku pěstuje krystal tak, že prvních 5 až 20 % z celkové délky krystalu, při které se dosáhne průměru odpovídajícího 3 až 18 í vnitřního průměru kelímku měřeného v polovině jeho výšky táhne rychlostí 2 až 8 mm/h, další část krystalu o délce odpovídající
  2. 6 až 15 % jeho celkové délky, ve které krystal dosáhne průměru odpovídajícího 40 až 65 % průměru kelímku se táhne rychlostí 0,5 až 2 mm/h a hlavní válcová část krystalu, dosahující 65 až 95 % průměru kelímku se táhne rychlostí 0 až 1 mm/h, přičemž rychlost sestupu teploty topení měřeno ve střední části jeho výšky se při celém procesu pohybuje v mezích 0,8 až
  3. 7 °C/h.
CS881546A 1988-03-10 1988-03-10 Způsob úpravy růstových podmínek a pěstování safíru modifikovanou Kyropoulovou metodou CS264935B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS881546A CS264935B1 (cs) 1988-03-10 1988-03-10 Způsob úpravy růstových podmínek a pěstování safíru modifikovanou Kyropoulovou metodou

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS881546A CS264935B1 (cs) 1988-03-10 1988-03-10 Způsob úpravy růstových podmínek a pěstování safíru modifikovanou Kyropoulovou metodou

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS154688A1 CS154688A1 (en) 1988-12-15
CS264935B1 true CS264935B1 (cs) 1989-09-12

Family

ID=5350091

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS881546A CS264935B1 (cs) 1988-03-10 1988-03-10 Způsob úpravy růstových podmínek a pěstování safíru modifikovanou Kyropoulovou metodou

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS264935B1 (cs)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EA003419B1 (ru) * 2002-07-09 2003-04-24 Закрытое Акционерное Общество Научно-Производственное Объединение "Корунд" Способ и устройство для выращивания монокристаллов сапфира по н. блецкану
CN102703970A (zh) * 2012-07-11 2012-10-03 浙江特锐新能源有限公司 泡生法生长掺钛蓝宝石晶体

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EA003419B1 (ru) * 2002-07-09 2003-04-24 Закрытое Акционерное Общество Научно-Производственное Объединение "Корунд" Способ и устройство для выращивания монокристаллов сапфира по н. блецкану
CN102703970A (zh) * 2012-07-11 2012-10-03 浙江特锐新能源有限公司 泡生法生长掺钛蓝宝石晶体

Also Published As

Publication number Publication date
CS154688A1 (en) 1988-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7344596B2 (en) System and method for crystal growing
US3898051A (en) Crystal growing
US3031275A (en) Process for growing single crystals
EP0173764A1 (en) Single crystal growing method and apparatus
Novak et al. The production of EFG sapphire ribbon for heteroepitaxial silicon substrates
US4565600A (en) Processes for the continuous preparation of single crystals
US4303465A (en) Method of growing monocrystals of corundum from a melt
KR0157323B1 (ko) 국부 용융역 형성법을 이용한 망간-아연 페라이트 단결정의 제조방법 및 그 장치
US4944925A (en) Apparatus for producing single crystals
US5089082A (en) Process and apparatus for producing silicon ingots having high oxygen content by crucible-free zone pulling, silicon ingots obtainable thereby and silicon wafers produced therefrom
EP0702100A1 (en) Apparatus and method for manufacturing single-crystal material
CS264935B1 (cs) Způsob úpravy růstových podmínek a pěstování safíru modifikovanou Kyropoulovou metodou
KR101292703B1 (ko) 단결정 성장장치
EP0355833B1 (en) Method of producing compound semiconductor single crystal
JP2002104896A (ja) 単結晶の成長方法および成長装置
JP2543449B2 (ja) 結晶成長方法および装置
JPH01317188A (ja) 半導体単結晶の製造方法及び装置
WO1986006109A1 (en) Method and apparatus for growing single crystal bodies
JPS61158890A (ja) 結晶成長装置
JPH0259494A (ja) シリコン単結晶の製造方法及び装置
Kuroda et al. Growth of 10 cm wide silicon ribbon
JPH04187585A (ja) 結晶成長装置
JPH05294784A (ja) 単結晶成長装置
RU2626637C1 (ru) Способ выращивания высокотемпературных монокристаллов методом синельникова-дзиова
JP3125313B2 (ja) 単結晶の育成方法