CN102703970A - 泡生法生长掺钛蓝宝石晶体 - Google Patents
泡生法生长掺钛蓝宝石晶体 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102703970A CN102703970A CN2012102389890A CN201210238989A CN102703970A CN 102703970 A CN102703970 A CN 102703970A CN 2012102389890 A CN2012102389890 A CN 2012102389890A CN 201210238989 A CN201210238989 A CN 201210238989A CN 102703970 A CN102703970 A CN 102703970A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- crystal
- sapphire
- crucible
- heating power
- growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明涉及泡生法生长掺钛蓝宝石晶体,属于晶体材料领域。本发明目的在于提供了一种将泡生法生长晶体技术成功应用于掺钛蓝宝石单晶生长的方法。本发明采用专用的高温炉和方法,成功生长出大尺寸掺钛蓝宝石单晶。本发明生长的掺钛蓝宝石晶体,内应力小,尺寸可达到200mm,利用率高,所生长的掺钛蓝宝石晶体可以应用于掺钛蓝宝石激光器等方面。
Description
技术领域
本发明涉及晶体材料领域,具体是一种泡生法生长掺钛蓝宝石晶体。
背景技术
蓝宝石(α-Al2O3)晶体属三方晶系,空间群为 。蓝宝石晶体化学性质非常稳定,广泛应用于红外军事装备、空间技术和光电信息产业等领域,它是目前唯一商业化的宽禁带半导体薄膜衬底材料。蓝宝石晶体生长方法主要有焰熔法、助溶剂法和熔体法,其中熔体法主要包括提拉法(CZ)、温度梯度法(TGT)、热交换法(HEM)、导模法(EFG)和泡生法(Kyropoulos method)。掺钛蓝宝石(Ti:sapphire,Ti3+:Al2O3)晶体是通过一定的方法将钛元素均匀掺入纯净的蓝宝石晶体而实现的,目前,掺钛蓝宝石晶体的生长方法主要有火焰法(Vernenil),提拉法(CZ)和热交换法(HEM),另外还有水热法和温梯法(TGT)。它们在生长工艺和生长条件上各不相同,所生长的晶体质量也有一定差异。
火焰法是法国化学家Vernenil在1902年提出的生长宝石的方法,可以用于掺钛蓝宝石晶体的生长,但是由于其本身缺点,导致火焰发生长的掺钛蓝宝石晶体为错密度高,内应力大,钛离子分布不均匀,而且存在明显的镶嵌结构、滑移带以及晶体光轴的扭曲,这些缺陷使晶体的光学均匀性极差,光损耗也很大。
提拉法生长掺钛蓝宝石晶体是由联合碳化物公司在1983年开始的,最初用该方法生长的掺钛蓝宝石晶体光损耗较大,品质因子较低。经过不断的技术改进,目前人们已经能够用提拉法生长出尺寸较大,光学质量较好的掺钛蓝宝石晶体。比如,2005年,Reinhard Uecker等利用该方法在低压下生长出直径达55mm,品质因子大于100的掺钛蓝宝石晶体。【Reinhard Uecker et al. Czochralski growth of Ti: Sapphire laser crystals. Proc. of SPIE Vol. 5990, 599006, (2005).】然而提拉法生长掺钛蓝宝石存在难以生长大尺寸晶体以及容易出现气泡等缺点。
热交换法早先是在生长白宝石晶体时提出的。1983年,热交换法和晶体系统公司的创始人Sohmid将该方法应用于掺钛蓝宝石晶体的生长。这种方法用石墨加热,炉内还原性较强,同时该方法生长晶体的速度很慢,坩埚内温度梯度也较小,所生长的掺钛蓝宝石晶体品质因子大于100。比如,晶体系统公司目前可以利用热交换法生长并制造出直径为40mm的高质量掺钛蓝宝石激光棒。
水热法是在高温高压下从水溶液中生长出晶体的一种方法,它可以生长常温常压下不溶于水或者那溶于水的晶体。B. Wang 等利用水热法在酸性溶液中,温度430-550℃,压力为15-35kpsi的条件下进行了掺钛蓝宝石晶体的生长,得到Ti3+分布均匀(2×1020atoms/cc)高质量晶体。【B. Wang et al. Hydrothermal growth of Ti: sapphire (Ti3+: Al2O3) laser crystals. Journal of Crystal Growth 311 (2009) 443–447.】可是该方法的探索刚起步,生长的晶体尺寸过小,有待进一步研究。至于温度梯度法,中科院上海光机所曾经采用该方法成功生长出直径为150mm,品质因子大于150的掺钛蓝宝石,但是方法由于晶体与坩埚直接接触,容易产生内应力等。
泡生法( Kyropoulos method) 是1926年由Kyropoulos发明的,目前是解决晶体提拉法不能生产大晶体的最好方法之一。其晶体生长的原理是,将一根受冷的籽晶与熔体接触,如果界面的温度低于凝固点,则籽晶开始生长;为使晶体不断长大,需要逐渐降低加热功率,生长出圆柱状晶体。该方法的最大优点是晶体在生长过程中或生长结束时不与坩埚接触,这就大大减小了晶体的热应力和坩埚的污染,从而可以把位错密度降到最低。因此,生长高质量、大尺寸掺钛蓝宝石将是最具优势的生长方法是泡生法。
目前为止,国内外仍没有用泡生法生长掺钛蓝宝石的报道。
发明内容
本发明的目的是将泡生法技术成功应用于掺钛蓝宝石晶体的生长中,制备出尺寸较大,光学性能好的掺钛蓝宝石晶体。
本发明的目的是这样实现的:本发明的一种泡生法生长掺钛蓝宝石晶体,它在高温炉中进行,这种高温炉包括炉体,炉体上有冷却水接入口,炉体内设有坩锅,坩锅设置在一个托盘上,坩锅和炉盖之间抽真空,坩锅和炉体之间有保温层,炉盖上设有籽晶杆,籽晶杆有重量计,籽晶杆的下端有蓝宝石籽晶,其特征在于按以下工序进行::
a、将高纯氧化铝原料和高纯氧化钛原料按钛离子的掺杂浓度比例放入坩埚内,关闭炉盖,炉体通入冷却水,打开真空泵,抽真空至6×10-3Pa 之后,以4KW/h的速度增加加热功率,加热至原料完全熔化,整个生长过程都在真空下进行;
b、缓慢调节蓝宝石籽晶使其下端至熔体液面以上5mm处,蓝宝石籽晶中心与坩埚的几何中心相对偏差不大于10mm;
c、采用提拉工艺,将蓝宝石籽晶浸入熔体内,调节加热功率,使液面温度稍低于凝固点,蓝宝石籽晶生长,控制结晶端部形状使其沿蓝宝石籽晶中心对称,从而完成引晶过程;
d、控制提拉速度为0.2mm/h,调节加热功率,使晶体长至所需尺寸,停止提拉,完成放肩过程;
e、调节加热功率,使得晶体质量均匀增加,增加速度为350g/h,等晶体质量不再增加后,完成晶体生长过程;
f、等重量计显示晶体质量不再增加后,调节加热功率下降的速度为30~50瓦,当炉内温度降至1500度之后,恒温10小时,对晶体进行退火处理,再次调节加热功率下降速度为50~100瓦,降至温度为室温。
本发明的泡生法生长掺钛蓝宝石晶体,晶体在熔体的自由表面处生长,不与坩埚接触,从而可以显著减小晶体的内应力,大大缩短退火时间,可以生长出大尺寸晶体,晶体生长中在真空状态下进行,减少了晶体中气泡等缺陷的产生。本发明的泡生法生长掺钛蓝宝石晶体,晶体尺寸可达到200mm,钛离子的掺杂浓度为0.1~0.45wt.%,晶体品质因子(FOM)达到200以上。
附图说明
图1为本发明的泡生法生长掺钛蓝宝石晶体所使用的高温炉。
具体实施方式
下面通过附图结合实施例对本发明作进一步说明:
实施例1:
如图1所示,本发明的一种泡生法生长掺钛蓝宝石晶体,它在高温炉中进行,这种高温炉包括炉体2,炉体2上有冷却水接入口1,炉体2内设有坩锅4,坩锅4设置在一个托盘8上,坩锅4和炉盖5之间抽真空,坩锅4和炉体2之间有保温层3,炉盖5上设有籽晶杆6,籽晶杆6有重量计,籽晶杆6的下端有蓝宝石籽晶7,称取高纯氧化铝原料14.8986Kg和高纯氧化钛原料0.1014Kg,其中钛所占的质量百分比为0.45wt.%,混合均匀后放入坩埚4内,关闭炉盖5,炉体2通入冷却水,打开真空泵,抽真空至6×10-3Pa之后,以4Kw/h的速度增加加热功率,加热至原料完全熔化,整个生长过程都在真空下进行;缓慢调节蓝宝石籽晶7使其下端至熔体液面以上5mm处,蓝宝石籽晶中心与坩埚的几何中心相对偏差不大于10mm;采用提拉工艺,将蓝宝石籽晶7浸入熔体内,调节加热功率,使液面温度稍低于凝固点,蓝宝石籽晶7生长,控制结晶端部形状使其沿蓝宝石籽晶中心对称,从而完成引晶过程;控制提拉速度为0.2mm/h,调节加热功率,使晶体长至所需尺寸,停止提拉,完成放肩过程;调节加热功率,使得晶体质量均匀增加,增加速度为350g/h;等晶体质量不再增加后,完成晶体生长过程;等重量计显示晶体质量不再增加后,调节加热功率下降的速度为50瓦/小时,当炉内温度降至1500度之后,恒温10小时,对晶体进行退火处理。再次调节加热功率下降速度为100瓦/小时,降至温度为室温。取出重量为15kg的掺钛蓝宝石晶体。
实施例2:
本发明的一种泡生法生长掺钛蓝宝石晶体,它在高温炉中进行,这种高温炉包括炉体2,炉体2上有冷却水接入口1,炉体2内设有坩锅4,坩锅4设置在一个托盘8上,坩锅4和炉盖5之间抽真空,坩锅4和炉体2之间有保温层3,炉盖5上设有籽晶杆6,籽晶杆6有重量计,籽晶杆6的下端有蓝宝石籽晶7,称取高纯氧化铝原料14.9324Kg和高纯氧化钛原料0.0676Kg,其中钛所占的质量百分比为0.3wt.%,混合均匀后放入坩埚4内,关闭炉盖5,炉体2通入冷却水。打开真空泵,抽真空至6×10-3Pa之后,以4Kw/h的速度增加加热功率,加热至原料完全熔化,整个生长过程都在真空下进行;缓慢调节蓝宝石籽晶7使其下端至熔体液面以上5mm处,蓝宝石籽晶7中心与坩埚4的几何中心相对偏差不大于10mm;采用提拉工艺,将蓝宝石籽晶7浸入熔体内,调节加热功率,使液面温度稍低于凝固点,蓝宝石籽晶生长,控制结晶端部形状使其沿蓝宝石籽晶7中心对称,从而完成引晶过程;控制提拉速度为0.2mm/h,调节加热功率,使晶体长至所需尺寸,停止提拉,完成放肩过程;调节加热功率,使得晶体质量均匀增加,增加速度为350g/h;等晶体质量不再增加后,完成晶体生长过程;等重量计显示晶体质量不再增加后,调节加热功率下降的速度为40瓦/小时,当炉内温度降至1500度之后,恒温10小时,对晶体进行退火处理。再次调节加热功率下降速度为75瓦/小时,降至温度为室温。取出重量为15kg的掺钛蓝宝石晶体。
实施例3:
本发明的一种泡生法生长掺钛蓝宝石晶体,它在高温炉中进行,这种高温炉包括炉体2,炉体2上有冷却水接入口1,炉体2内设有坩锅4,坩锅4设置在一个托盘8上,坩锅4和炉盖5之间抽真空,坩锅4和炉体2之间有保温层3,炉盖5上设有籽晶杆6,籽晶杆6有重量计,籽晶杆6的下端有蓝宝石籽晶7,称取高纯氧化铝原料19.97Kg和高纯氧化钛原料0.03Kg,其中钛所占的质量百分比为0.1wt.%,混合均匀后放入坩埚4内,关闭炉盖5,炉体2通入冷却水。打开真空泵,抽真空至6×10-3Pa之后,以4Kw/h的速度增加加热功率,加热至原料完全熔化,整个生长过程都在真空下进行;缓慢调节蓝宝石籽晶7使其下端至熔体液面以上5mm处,蓝宝石籽晶7中心与坩埚4的几何中心相对偏差不大于10mm;采用提拉工艺,将蓝宝石籽晶7浸入熔体内,调节加热功率,使液面温度稍低于凝固点,蓝宝石籽晶7生长,控制结晶端部形状使其沿蓝宝石籽晶7中心对称,从而完成引晶过程;控制提拉速度为0.2mm/h,调节加热功率,使晶体长至所需尺寸,停止提拉,完成放肩过程;调节加热功率,使得晶体质量均匀增加,增加速度为350g/h;等晶体质量不再增加后,完成晶体生长过程;等重量计显示晶体质量不再增加后,调节加热功率下降的速度为30瓦/小时,当炉内温度降至1500度之后,恒温10小时,对晶体进行退火处理。再次调节加热功率下降速度为50瓦/小时,降至温度为室温。取出重量为20kg的掺钛蓝宝石晶体。
Claims (1)
1.一种泡生法生长掺钛蓝宝石晶体,它在高温炉中进行,这种高温炉包括炉体(2),炉体(2)上有冷却水接入口(1),炉体(2)内设有坩锅(4),坩锅(4)设置在一个托盘(8)上,坩锅(4)和炉盖(5)之间抽真空,坩锅(4)和炉体(2)之间有保温层(3),炉盖(5)上设有籽晶杆(6),籽晶杆(6)有重量计,籽晶杆(6)的下端有蓝宝石籽晶(7),其特征在于按以下工序进行:
a、将高纯氧化铝原料和高纯氧化钛原料按钛离子的掺杂浓度比例放入坩埚(4)内,关闭炉盖(5),炉体(2)通入冷却水,打开真空泵,抽真空至6×10-3Pa 之后,以4KW/h的速度增加加热功率,加热至原料完全熔化,整个生长过程都在真空下进行;
b、缓慢调节蓝宝石籽晶(7)使其下端至熔体液面以上5mm处,蓝宝石籽晶(7)中心与坩埚的几何中心相对偏差不大于10mm;
c 、采用提拉工艺,将蓝宝石籽晶(7)浸入熔体内,调节加热功率,使液面温度稍低于凝固点,蓝宝石籽晶(7)生长,控制结晶端部形状使其沿蓝宝石籽晶(7)中心对称,从而完成引晶过程;
d、控制提拉速度为0.2mm/h,调节加热功率,使晶体长至所需尺寸,停止提拉,完成放肩过程;
e、调节加热功率,使得晶体质量均匀增加,增加速度为350g/h,等晶体质量不再增加后,完成晶体生长过程;
f、等重量计显示晶体质量不再增加后,调节加热功率下降的速度为30~50瓦,当炉内温度降至1500度之后,恒温10小时,对晶体进行退火处理,再次调节加热功率下降速度为50~100瓦,降至温度为室温。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2012102389890A CN102703970A (zh) | 2012-07-11 | 2012-07-11 | 泡生法生长掺钛蓝宝石晶体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2012102389890A CN102703970A (zh) | 2012-07-11 | 2012-07-11 | 泡生法生长掺钛蓝宝石晶体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102703970A true CN102703970A (zh) | 2012-10-03 |
Family
ID=46897011
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2012102389890A Pending CN102703970A (zh) | 2012-07-11 | 2012-07-11 | 泡生法生长掺钛蓝宝石晶体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102703970A (zh) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102965726A (zh) * | 2012-12-19 | 2013-03-13 | 苏州巍迩光电科技有限公司 | 一种应用于泡生法蓝宝石单晶生长的保温结构 |
CN103422163A (zh) * | 2013-09-06 | 2013-12-04 | 上海森松压力容器有限公司 | 生长蓝宝石单晶的设备及方法 |
CN104711676A (zh) * | 2015-03-16 | 2015-06-17 | 内蒙古京晶光电科技有限公司 | 一种宝石单晶生长方法 |
CN104956424A (zh) * | 2012-12-27 | 2015-09-30 | Gtat公司 | 包括具有低程度内容物的蓝宝石盖板的移动式电子装置 |
CN105019023A (zh) * | 2015-08-26 | 2015-11-04 | 江苏中电振华晶体技术有限公司 | 一种泡生法生长蓝宝石晶体的引晶方法 |
WO2016078321A1 (zh) * | 2014-11-21 | 2016-05-26 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 大尺寸Yb-YAG激光晶体泡生法制备方法 |
CN105862128A (zh) * | 2016-06-03 | 2016-08-17 | 景德镇陶瓷大学 | 一种适合于屏幕材料的常温高强力学性能氧化铝晶片的制备方法及其制得的产品 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CS264935B1 (cs) * | 1988-03-10 | 1989-09-12 | Perner Bohumil | Způsob úpravy růstových podmínek a pěstování safíru modifikovanou Kyropoulovou metodou |
RU2049832C1 (ru) * | 1991-10-15 | 1995-12-10 | Тамара Александровна Дербенева | Шихта для выращивания монокристаллов корунда фиолетовой гаммы |
US5866092A (en) * | 1996-06-03 | 1999-02-02 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Garnet single crystal for substrate of magneto-optic element and method of manufacturing thereof |
CN1544712A (zh) * | 2003-11-18 | 2004-11-10 | 陈迎春 | 综合熔体法生长晶体 |
CN1724722A (zh) * | 2005-06-24 | 2006-01-25 | 哈尔滨工业大学 | 大尺寸蓝宝石单晶的冷心放肩微量提拉制备法 |
CN101054723A (zh) * | 2007-02-07 | 2007-10-17 | 深圳市淼浩高新科技开发有限公司 | 一种r面蓝宝石晶体的生长方法 |
CN101580961A (zh) * | 2009-06-17 | 2009-11-18 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 还原性气氛泡生法生长晶体的方法 |
CN101580963A (zh) * | 2009-06-26 | 2009-11-18 | 哈尔滨工大奥瑞德光电技术有限公司 | 300mm以上蓝宝石单晶的冷心放肩微量提拉制备法 |
-
2012
- 2012-07-11 CN CN2012102389890A patent/CN102703970A/zh active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CS264935B1 (cs) * | 1988-03-10 | 1989-09-12 | Perner Bohumil | Způsob úpravy růstových podmínek a pěstování safíru modifikovanou Kyropoulovou metodou |
RU2049832C1 (ru) * | 1991-10-15 | 1995-12-10 | Тамара Александровна Дербенева | Шихта для выращивания монокристаллов корунда фиолетовой гаммы |
US5866092A (en) * | 1996-06-03 | 1999-02-02 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Garnet single crystal for substrate of magneto-optic element and method of manufacturing thereof |
CN1544712A (zh) * | 2003-11-18 | 2004-11-10 | 陈迎春 | 综合熔体法生长晶体 |
CN1724722A (zh) * | 2005-06-24 | 2006-01-25 | 哈尔滨工业大学 | 大尺寸蓝宝石单晶的冷心放肩微量提拉制备法 |
CN101054723A (zh) * | 2007-02-07 | 2007-10-17 | 深圳市淼浩高新科技开发有限公司 | 一种r面蓝宝石晶体的生长方法 |
CN101580961A (zh) * | 2009-06-17 | 2009-11-18 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 还原性气氛泡生法生长晶体的方法 |
CN101580963A (zh) * | 2009-06-26 | 2009-11-18 | 哈尔滨工大奥瑞德光电技术有限公司 | 300mm以上蓝宝石单晶的冷心放肩微量提拉制备法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
ABDELDJELIL NEHARI: "Ti-Doped Sapphire (Al2O3) Single Crystals Grown by the Kyropoulos Technique and Optical Characterizations", 《CRYSTAL GROWTH & DESIGN》 * |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102965726A (zh) * | 2012-12-19 | 2013-03-13 | 苏州巍迩光电科技有限公司 | 一种应用于泡生法蓝宝石单晶生长的保温结构 |
CN104956424A (zh) * | 2012-12-27 | 2015-09-30 | Gtat公司 | 包括具有低程度内容物的蓝宝石盖板的移动式电子装置 |
CN103422163A (zh) * | 2013-09-06 | 2013-12-04 | 上海森松压力容器有限公司 | 生长蓝宝石单晶的设备及方法 |
WO2016078321A1 (zh) * | 2014-11-21 | 2016-05-26 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 大尺寸Yb-YAG激光晶体泡生法制备方法 |
CN104711676A (zh) * | 2015-03-16 | 2015-06-17 | 内蒙古京晶光电科技有限公司 | 一种宝石单晶生长方法 |
CN104711676B (zh) * | 2015-03-16 | 2017-05-24 | 内蒙古京晶光电科技有限公司 | 一种宝石单晶生长方法 |
CN105019023A (zh) * | 2015-08-26 | 2015-11-04 | 江苏中电振华晶体技术有限公司 | 一种泡生法生长蓝宝石晶体的引晶方法 |
CN105019023B (zh) * | 2015-08-26 | 2017-08-11 | 江苏中电振华晶体技术有限公司 | 一种泡生法生长蓝宝石晶体的引晶方法 |
CN105862128A (zh) * | 2016-06-03 | 2016-08-17 | 景德镇陶瓷大学 | 一种适合于屏幕材料的常温高强力学性能氧化铝晶片的制备方法及其制得的产品 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102703970A (zh) | 泡生法生长掺钛蓝宝石晶体 | |
CN101148777B (zh) | 直拉法生长掺镓硅单晶的方法和装置 | |
CN1724722A (zh) | 大尺寸蓝宝石单晶的冷心放肩微量提拉制备法 | |
CN102409395B (zh) | 一种直拉硅单晶的镓元素掺杂装置及其掺杂方法 | |
CN104109904A (zh) | 一种泡生法蓝宝石晶体生长的引晶方法 | |
CN101580961A (zh) | 还原性气氛泡生法生长晶体的方法 | |
CN104562183B (zh) | 大尺寸稀土掺杂氟化钇钡单晶生长方法 | |
JP5789676B2 (ja) | 抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの成長装置および抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの製造方法 | |
CN102758249A (zh) | 一种无色刚玉单晶的制备方法 | |
CN104313693B (zh) | 掺杂钇铝石榴石激光晶体的生长装置、晶体生长炉及制备方法 | |
CN104630878A (zh) | 大尺寸板状Ce3+离子掺杂的稀土正硅酸盐系列闪烁晶体水平定向凝固制备方法 | |
CN104962994A (zh) | 导模法生长特定尺寸稀土掺杂含镓石榴石系列晶体的方法 | |
CN108166060A (zh) | 一种锑化铟<211>方向单晶的制备方法 | |
CN102534758A (zh) | 一种棒状蓝宝石晶体的生长方法及设备 | |
CN102628184A (zh) | 真空感应加热生长宝石晶体的方法和实现该方法的设备 | |
CN102560631A (zh) | 蓝宝石晶体的生长方法及设备 | |
CN109280978A (zh) | 一种低位错锑化铟<111>方向单晶的制备方法 | |
CN103173850A (zh) | 单晶硅制造工艺 | |
CN103255477B (zh) | 一种成型蓝宝石晶体的生长方法及设备 | |
CN104073875A (zh) | 一种大尺寸蓝宝石晶体动态温度场制备方法 | |
CN104120488A (zh) | 一种大尺寸c轴蓝宝石晶体动态温度场制备方法 | |
CN104264213A (zh) | 一种大尺寸掺杂蓝宝石晶体的efg生长装置及其生长工艺 | |
CN203530480U (zh) | 生长蓝宝石单晶的设备 | |
CN109280973B (zh) | 一种抑制石榴石结构闪烁晶体开裂的温场结构及其生长方法 | |
CN101643937A (zh) | 一种水热法生长硅酸铋单晶体的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20121003 |