JP3010848B2 - 単結晶の製造方法 - Google Patents

単結晶の製造方法

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JP3010848B2 JP3285147A JP28514791A JP3010848B2 JP 3010848 B2 JP3010848 B2 JP 3010848B2 JP 3285147 A JP3285147 A JP 3285147A JP 28514791 A JP28514791 A JP 28514791A JP 3010848 B2 JP3010848 B2 JP 3010848B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、フェライトな
どの多成分系の単結晶の製造に適用して好適な単結晶の
製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、各種単結晶を製造する方法とし
て、操作が容易で設備も簡単なブリッジマン法が広く用
いられていた。このブリッジマン法は、温度勾配を利用
して結晶化を進めるものであり、例えば、溶融試料の一
端を冷却し結晶化させ、これを徐々に成長させるという
ものである。このブリッジマン法において、多成分系の
原材料を用いた場合には、組成偏析を生じることにより
結晶の場所によって物理的性質が異なってしまう等の欠
点があった。
【0003】これは、その融液の攪拌条件、凝固速度、
偏析係数などによって、融液内に溶質の濃度勾配を生
じ、固液界面近傍の融液の組成が変化するためである。
そこで、ルツボ中の融液の厚みを一定に保つことなどに
よって溶質の濃度勾配の発生を低減し、組成偏析を軽減
することが図られた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の単結晶の製造方法では、原材料の供給や育成炉
内の温度勾配の変化に伴って融液の厚みが大きく変化
し、これが原因となって得られる単結晶の組成並びにそ
の物理的性質にばつらきを生じ、また、融液の組成の変
化の程度によっては、融液の組成と供給された原材料の
組成との不一致によるクラックの発生(組成クラック)
の恐れもあるという問題があった。
【0005】本発明はこのような課題に鑑みてなされた
ものであり、ブリッジマン法により単結晶を育成する
際、結晶成長時における融液の組成変化を小さくするこ
とができ、その結果として、組成が均一で物理的特性も
均一な単結晶を得ることができる方法を提供することを
目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明単結晶の製造方法
は、例えば、図4に示すように、融液2の状態の原材料
を、温度勾配を有する炉内を徐々に通過させることによ
り結晶を成長させる単結晶の製造方法において、この融
液2の厚みを周期的に測定し、その厚みが一定範囲内に
収まるように原材料7の供給を制御するものである。
【0007】
【作用】本発明単結晶の製造方法によれば、ブリッジマ
ン法により単結晶を育成する際、融液の厚みが一定範囲
内に収まるように原材料の供給を制御することにより、
結晶成長時における融液の組成変化を小さくすることが
でき、その結果として、組成が均一で物理的特性も均一
な単結晶を得ることができる。
【0008】
【実施例】以下、本発明単結晶の製造方法の一実施例に
ついて、図1から図10を参照して説明する。
【0009】図1〜5は、ブリッジマン法において、あ
る幅のメルトゾーンを形成しながら単結晶製造を実現す
るための装置の一例を示すものである。
【0010】まず、図2に示すような白金製のルツボ1
及びサブルツボ3を用意する。このルツボ1及びサブル
ツボ3には、それぞれ原材料2および原材料4を入れて
おく。さらに、供給用の原材料としてペレット状の原材
料7を用意し、サブルツボ3内に供給できるようにす
る。
【0011】次に、図1に示すようにルツボ1を育成炉
中心部に設置し、育成炉を昇温して原材料2を完全に融
解させ、融液2を形成する。そして、図1右側に模式的
に示すような温度勾配を有する炉内を徐々に降下させて
いく。
【0012】続いて、このルツボ1を降下させると、図
2に示すようにルツボ1の下端が炉内温度が晶出温度と
なっているX点に達し、この融液2の下端が結晶晶出温
度以下に冷却され、この融液2の下端から単結晶5が晶
出し始める。このとき、図2に示すように、サブルツボ
3をサブルツボ3内の原材料4が融解し始める炉内のY
点まで降下させ、原材料4を完全に融解させ、融液6と
する。
【0013】次に、さらにルツボ1を徐々に降下させて
いくと、融液2の下端から順次単結晶5が晶出し、融液
2が減少する。ここで、図3に示すようにルツボ1の降
下スピードに合わせてペレット状の原材料7をサブルツ
ボ3に供給し、融液6をサブルツボ3から溢れさせるよ
うにしてルツボ1に滴下させることで、溶融した原材料
を補充し融液2の適当な厚みを維持する。ただし、サブ
ルツボ3はY点に固定し、単結晶5の成長が終了するま
で動かさないでおく。
【0014】そして、さらに徐々にルツボ1を降下させ
ていくと共に、サブルツボ3から溶融した原材料をルツ
ボ1に供給していくと、図4に示すように、適当な厚み
の融液2を形成しながら、単結晶5が成長する。
【0015】最終的には、図5に示すような状態でルツ
ボ1の移動及び原材料7の供給を止め、徐々に冷却して
ルツボ1内から棒状の単結晶5を取り出す。
【0016】このとき、本例においては、まず白金製の
棒8を用意し、次に図6に示すように、棒8を融液2に
固相に触れるまで差し込んでその濡れ具合から融液2の
厚みを求め、これを周期的に行って融液2の厚みがある
値L±ΔLになるように原材料7の供給時期と供給量を
調整する。例えば、上記のある値L±ΔLのΔLを小さ
くしたい場合は、融液2の厚みを測る周期を短くし、原
材料7のサイズを小さくすれば良いのである。
【0017】このように、融液の厚みを周期的に測定
し、その値がある一定の範囲に収まるように原材料の供
給を制御することにより、得られる単結晶の組成並びに
物理的特性の均一性が優れたものになるのである。さら
に、ルツボ材である白金の混入を抑制し、品質の向上も
図れる。
【0018】次に、本発明の具体的な実施例について説
明する。
【0019】原材料として酸化第二鉄Fe2 3 53.
5mol%,酸化マンガンMnO28.5mol%,酸
化亜鉛ZnO18mol%からなるフェライト原料を用
い、最高温度1700℃に保った炉内を毎時5mmの速
度でルツボ1を降下させた。そして、L±ΔLを25±
2mmとし、融液2の厚み測定の周期を3min、供給
用の原材料のサイズをφ10mm×5mmの条件下で単
結晶を育成し、図5に示すようにルツボ1が炉内のX点
よりも降下した時点で単結晶の育成を終了して、炉内の
温度を毎時50〜100℃の割合で徐冷してフェライト
単結晶を取り出した。
【0020】得られた単結晶から試料を切り出し透磁率
を測定した。この単結晶の長手方向における透磁率の変
化を従来法によるものと比較したものは図8及び図9で
ある。この図8から、均一な組成の単結晶が得られたこ
とは明らかである。
【0021】また、得られた単結晶内に混入する白金の
量の長手方向における分布を従来のものと比較して図1
0に示す。この図10から、白金の混入量が減少してい
ることは明らかである。
【0022】以上総括すると、本例の方法によれば、ブ
リッジマン法により単結晶を育成する際、融液の厚みを
周期的に測定し、その厚みが一定範囲内に収まるように
原材料の供給を制御することにより、結晶成長時におけ
る融液の組成変化を小さくすることができ、その結果と
して、組成が均一で物理的特性も均一な単結晶を得るこ
とができた。
【0023】また、ルツボ材である白金などの混入量を
抑制して単結晶の品質の向上を図ることができた。
【0024】なお、本発明は上述の実施例に限らず本発
明の要旨を逸脱することなく種々の構成を取り得ること
はもちろんである。
【0025】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ブリッジマン法により単結晶を育成する際、結晶成長時
における融液の組成変化を小さくすることができ、その
結果として、組成が均一で物理的特性も均一な単結晶を
得ることができる。また、ルツボ材である白金などの混
入量を抑制して単結晶の品質の向上を図ることができる
という利益が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本例の単結晶の製造工程を示す線図である。
【図2】本例の単結晶の製造工程を示す線図である。
【図3】本例の単結晶の製造工程を示す線図である。
【図4】本例の単結晶の製造工程を示す線図である。
【図5】本例の単結晶の製造工程を示す線図である。
【図6】本例の単結晶の製造工程を示す線図である。
【図7】本例の単結晶の製造工程を示す線図である。
【図8】本例による単結晶の複素透磁率の周波数特性を
示す線図である。
【図9】従来法による単結晶の複素透磁率の周波数特性
を示す線図である。
【図10】単結晶内に混入する白金の量を示す線図であ
る。
【符号の説明】
1 ルツボ 2 融液 3 サブルツボ 5 単結晶 6 融液 7 原材料 9 炉内温度 X 晶出温度 Y 融解温度

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 融液の状態の原材料を、温度勾配を有す
    る炉内を徐々に通過させることにより結晶を成長させる
    単結晶の製造方法において、 上記融液の厚みを周期的に測定し、その厚みが一定範囲
    内に収まるように原材料の供給を制御することを特徴と
    する単結晶の製造方法。
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