JPS62128995A - 単結晶の製造方法 - Google Patents
単結晶の製造方法Info
- Publication number
- JPS62128995A JPS62128995A JP26616685A JP26616685A JPS62128995A JP S62128995 A JPS62128995 A JP S62128995A JP 26616685 A JP26616685 A JP 26616685A JP 26616685 A JP26616685 A JP 26616685A JP S62128995 A JPS62128995 A JP S62128995A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- crucible
- composition
- crystal
- charged
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は種結晶と固体結晶原料が充填されたるつぼに固
体結晶原料を断続的に補給しながら融液を一端から凝固
させて長尺の単結晶を製造する方法に関する。
体結晶原料を断続的に補給しながら融液を一端から凝固
させて長尺の単結晶を製造する方法に関する。
上述の如き単結晶製造装置による単結晶の作製法は、ブ
リツノマン法として知られている。この方法で長尺の大
型単結晶を作成する場合には長尺で大型のるつぼを用い
、該るつぼに上方から固体結晶原料を単位時間当シ一定
量ずつ断続的に供給しながら単結晶を成長させる。
リツノマン法として知られている。この方法で長尺の大
型単結晶を作成する場合には長尺で大型のるつぼを用い
、該るつぼに上方から固体結晶原料を単位時間当シ一定
量ずつ断続的に供給しながら単結晶を成長させる。
具体的には、るつぼの中に一部装填した固体の結晶原料
を溶融し、所定の温度分布をもつ加熱炉内でるつぼを下
方に移動させることによって、るつは底部で生じた結晶
をもとに結晶を成長させ。
を溶融し、所定の温度分布をもつ加熱炉内でるつぼを下
方に移動させることによって、るつは底部で生じた結晶
をもとに結晶を成長させ。
他方、結晶の成長に合せて粉末状、顆粒状、あるいはペ
レット状等の固体結晶原料をるつぼ上方からノ４イブを
通して供給することによって単結晶ヲ作製する。
レット状等の固体結晶原料をるつぼ上方からノ４イブを
通して供給することによって単結晶ヲ作製する。
るつぼ内に固体結晶原料を単位時間当シ一定量ずつ断続
的に添加し溶融させて長尺の犬型単結晶を製造する際に
、結晶の長手方向に組成偏析を生じ、全体にわたり均一
な組成の単結晶素材が得られず、均一部を選択するため
高価となる欠点がある。
的に添加し溶融させて長尺の犬型単結晶を製造する際に
、結晶の長手方向に組成偏析を生じ、全体にわたり均一
な組成の単結晶素材が得られず、均一部を選択するため
高価となる欠点がある。
本発明は、従来のかかる欠点を除くために２種結晶と固
体結晶原料が充填されたるつぼを加熱装置との相対的位
置関係を連続して変化させ加熱し。
体結晶原料が充填されたるつぼを加熱装置との相対的位
置関係を連続して変化させ加熱し。
法において、補強用の固体結晶原料をチャージするたび
にその組成を前記凝固の際に偏析によって生じる融液の
組成の変化を補償するように変化させることで、全長に
わたシ均一な組成の単結晶を得る製造方法である。
にその組成を前記凝固の際に偏析によって生じる融液の
組成の変化を補償するように変化させることで、全長に
わたシ均一な組成の単結晶を得る製造方法である。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図を参照すると２本発明の一実施例による単結晶製
造装置が示されている。第１図において。
造装置が示されている。第１図において。
加熱炉１は炉内上下方向位置の中央部で最高温となシ、
該中央部から上下方向に離れるに従って温度が下がる温
度分布を有している。加熱炉１の最高温部は固体の結晶
原料を溶融して融液にすることができる温度である。
該中央部から上下方向に離れるに従って温度が下がる温
度分布を有している。加熱炉１の最高温部は固体の結晶
原料を溶融して融液にすることができる温度である。
第１図の状態では、るつぼ２の中に融液４が入っており
、上述した温度分布をもった加熱炉１の中を、るつぼ２
を所定の速度で下方へ移動させることによって単結晶３
が成長しつつある。５はるつは支持具、６はるつぼ移動
機構である。この際。
、上述した温度分布をもった加熱炉１の中を、るつぼ２
を所定の速度で下方へ移動させることによって単結晶３
が成長しつつある。５はるつは支持具、６はるつぼ移動
機構である。この際。
粉末状、顆粒状あるいはベレット状の固体結晶原料１０
を、原料供給機構８によって単結晶３の成長速度に合せ
て供給・！イブ９を介してるつぼ２の中に、単位時間当
シ一定量ずつ断続的に供給する。
を、原料供給機構８によって単結晶３の成長速度に合せ
て供給・！イブ９を介してるつぼ２の中に、単位時間当
シ一定量ずつ断続的に供給する。
なお１１はアフターヒーターである。
本発明の実施例を一般に磁気へラドコア材として広く用
いられているＭｎ −Ｚｎフェライト単結晶の例につい
て説明する。まず酸化鉄（Ｆｅ２０．）５０．０ｍｏｔ
％、酸化マンガン（ＭｎＯ） ３０．０ ｍａｔチ、酸
化亜鉛（ＺｎＯ） ２０．０ ｍｏｔ％の割合で組成し
たフェライト原料を白金ロジウム製るつは２に硬約４０
０ ｇｒ美―投入し、加熱装置で加熱溶融し完全に溶融
した後加熱装置１に対しるつぼ２を降下させ、単結晶３
の育成を進め、所定の位置（約５０団）だけるつぼを降
下したらるつぼ２をストップして、酸化鉄（Ｆｅ２ｅ３
） ５２．０ ｍａｔ ％ ｐ酸化マンガン（ＭｎＯ）
２７．５ ｍｏｔ％ ｐ酸化亜鉛（ＺｎＯ）２０、５
ｍｏｂ％の割合で組成したフェライト原料（約４００
ｇｒ）を、追加チャージする。その後。
いられているＭｎ −Ｚｎフェライト単結晶の例につい
て説明する。まず酸化鉄（Ｆｅ２０．）５０．０ｍｏｔ
％、酸化マンガン（ＭｎＯ） ３０．０ ｍａｔチ、酸
化亜鉛（ＺｎＯ） ２０．０ ｍｏｔ％の割合で組成し
たフェライト原料を白金ロジウム製るつは２に硬約４０
０ ｇｒ美―投入し、加熱装置で加熱溶融し完全に溶融
した後加熱装置１に対しるつぼ２を降下させ、単結晶３
の育成を進め、所定の位置（約５０団）だけるつぼを降
下したらるつぼ２をストップして、酸化鉄（Ｆｅ２ｅ３
） ５２．０ ｍａｔ ％ ｐ酸化マンガン（ＭｎＯ）
２７．５ ｍｏｔ％ ｐ酸化亜鉛（ＺｎＯ）２０、５
ｍｏｂ％の割合で組成したフェライト原料（約４００
ｇｒ）を、追加チャージする。その後。
加熱装置で加熱溶融し完全に溶融した後、加熱装置２図
は上記のようにして得られた単結晶の長さに対する組成
変化（×印）を従来の方法で得られた単結晶についての
組成変化（０印）と対比して示した特性曲線図である。
は上記のようにして得られた単結晶の長さに対する組成
変化（×印）を従来の方法で得られた単結晶についての
組成変化（０印）と対比して示した特性曲線図である。
図から分るように。
本発明によれば従来より長い組成の均一な単結晶が得ら
れる。このことは凝固の際に生じる偏析による融液の組
成変化が、補給用の単結晶原料をチャージされる度に補
償されて相当広い範囲でゼロに近くなっていることを意
味する。
れる。このことは凝固の際に生じる偏析による融液の組
成変化が、補給用の単結晶原料をチャージされる度に補
償されて相当広い範囲でゼロに近くなっていることを意
味する。
以上に述べたように本発明によれば、全長にわたり組成
の均一な長尺の単結晶が得られ、１つの単結晶から得ら
れる所望の組成を有する単結晶素材の割合を高め原価の
低減をはかることができる。
の均一な長尺の単結晶が得られ、１つの単結晶から得ら
れる所望の組成を有する単結晶素材の割合を高め原価の
低減をはかることができる。
第１図は本発明による単結晶製造装置、第２図は従来法
と本発明による方法によって得られた単結晶の長さに対
する組成変化との関係を示す特性曲線図である。 記号の説明：１は加熱炉、２はるつぼ、３は単結晶、４
は融液、５はるつぼ支持具、６はるつぼ移動機構、８は
原料供給機構、９は供給ノＪ？イブ。 １０は結晶原料、１１はアフターヒーターをそれぞれあ
られしている。 第２図 一一→一本発明法 長さ
と本発明による方法によって得られた単結晶の長さに対
する組成変化との関係を示す特性曲線図である。 記号の説明：１は加熱炉、２はるつぼ、３は単結晶、４
は融液、５はるつぼ支持具、６はるつぼ移動機構、８は
原料供給機構、９は供給ノＪ？イブ。 １０は結晶原料、１１はアフターヒーターをそれぞれあ
られしている。 第２図 一一→一本発明法 長さ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、種結晶と固体結晶原料が充填されたるつぼを加熱装
置との相対位置関係を連続して変化させ加熱し、前記る
つぼ内に前 記固体結晶材料を断続的に補給し融液を一端から凝固さ
せて単結晶を製造する方法において、補給用の固体結晶
原料をチャージするたびにその組成を前記凝固の際に偏
析によって生じる融液の組成の変化を補償するように変
化させることを特徴とする単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26616685A JPS62128995A (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | 単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26616685A JPS62128995A (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | 単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62128995A true JPS62128995A (ja) | 1987-06-11 |
Family
ID=17427189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26616685A Pending JPS62128995A (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | 単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62128995A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62148390A (ja) * | 1985-12-19 | 1987-07-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 単結晶育成方法 |
| JPH04149098A (ja) * | 1990-10-11 | 1992-05-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｍｎ―Ｚｎフェライト単結晶製造方法 |
| JP2010143782A (ja) * | 2008-12-18 | 2010-07-01 | Shinshu Univ | 融液組成制御一方向凝固結晶成長装置および結晶成長方法 |
-
1985
- 1985-11-28 JP JP26616685A patent/JPS62128995A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62148390A (ja) * | 1985-12-19 | 1987-07-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 単結晶育成方法 |
| JPH04149098A (ja) * | 1990-10-11 | 1992-05-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｍｎ―Ｚｎフェライト単結晶製造方法 |
| JP2010143782A (ja) * | 2008-12-18 | 2010-07-01 | Shinshu Univ | 融液組成制御一方向凝固結晶成長装置および結晶成長方法 |
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