JPS6136192A - 単結晶製造用るつぼ - Google Patents
単結晶製造用るつぼInfo
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- JPS6136192A JPS6136192A JP15650084A JP15650084A JPS6136192A JP S6136192 A JPS6136192 A JP S6136192A JP 15650084 A JP15650084 A JP 15650084A JP 15650084 A JP15650084 A JP 15650084A JP S6136192 A JPS6136192 A JP S6136192A
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- JP
- Japan
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- single crystal
- crucible
- crystal
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- Pending
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は単結晶製造用るつぼ、特にブリッジマン法を用
いる単結晶製造装置に用いられるるつぼに関する。
いる単結晶製造装置に用いられるるつぼに関する。
ブリッジマン法を用いて、長尺の大型単結晶を作製する
場合には、長尺で大型のるつぼを用い。
場合には、長尺で大型のるつぼを用い。
該るつぼに上方から固体結晶原料を単位時間当シー走用
ずつ連続的に供給しながら単結晶を成長させている。
ずつ連続的に供給しながら単結晶を成長させている。
具体的には、るつぼの中に一部装填した固体の結晶原料
を溶融し、所定の温度分布をもつ加熱炉内でるつぼを下
方に移動させることによって、るつぼ底部で生じた結晶
をもとに結晶を成長させ。
を溶融し、所定の温度分布をもつ加熱炉内でるつぼを下
方に移動させることによって、るつぼ底部で生じた結晶
をもとに結晶を成長させ。
他方、結晶の成長に合せて粉末状、顆粒状、あるいは投
レット状等の固体結晶原料をるっほに上方から供給する
ことによって単結晶を作製する。
レット状等の固体結晶原料をるっほに上方から供給する
ことによって単結晶を作製する。
このように、るつぼ内に固体結晶原料を単位時間当シ一
定量ずつ連続的に添加しながら、溶融させて、長尺の大
型tト結晶を製造する際に、結晶口径の大型化に伴ない
結晶径方向1(i内の夕)側から。
定量ずつ連続的に添加しながら、溶融させて、長尺の大
型tト結晶を製造する際に、結晶口径の大型化に伴ない
結晶径方向1(i内の夕)側から。
ザブグレインもしくは別の結晶方向をもつ結晶核が発生
し良質の単結晶が得られ々い傾向があった。
し良質の単結晶が得られ々い傾向があった。
結晶口径の大型化に伴々いルツyl!のチー・P一部分
の温度勾配が急激になり、るつほのチー・?一部分の」
二下の温度差が大きくなり、融液の71流が敞しくなり
、このような状態で、結晶化させると部分的に核発生が
起こり1種から成長した結晶の成長をさまたげることが
考えられる。
の温度勾配が急激になり、るつほのチー・?一部分の」
二下の温度差が大きくなり、融液の71流が敞しくなり
、このような状態で、結晶化させると部分的に核発生が
起こり1種から成長した結晶の成長をさまたげることが
考えられる。
本発明の目的は結晶口径の大型化に伴う結晶径方向面内
の非コングルーエンド溶融からくる組成偏析を低下させ
てブつの単結晶から得られる均一かつ所望の組成を有す
る単結晶素材の割合を高めることのできる単結晶製造用
るつぼを提供することである。
の非コングルーエンド溶融からくる組成偏析を低下させ
てブつの単結晶から得られる均一かつ所望の組成を有す
る単結晶素材の割合を高めることのできる単結晶製造用
るつぼを提供することである。
本発明によれば、ブリッジマン法に用いる単結晶用るつ
ぼにおいて、該るつぼの最下方が段階的に口径が小さく
されていることを特徴とする単結晶製造用るつほが得ら
れる。
ぼにおいて、該るつぼの最下方が段階的に口径が小さく
されていることを特徴とする単結晶製造用るつほが得ら
れる。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第1図を参照すると9本発明による単結晶製造用るつぼ
を用いた結晶製造装置が示されている。
を用いた結晶製造装置が示されている。
第1図において、■は加熱炉である。この加熱炉1は炉
内上下方向位置の中央部で最高温となシ。
内上下方向位置の中央部で最高温となシ。
該中央部から上下方向に離れるに従って温度が下がる温
度分布を有している。加熱炉1の最高温部は固体の結晶
原料を溶融して融液にすることができる温度である。
度分布を有している。加熱炉1の最高温部は固体の結晶
原料を溶融して融液にすることができる温度である。
第1図の状態では、るつぼ2の中に融液4が入っており
、上述した温度分布をもった加熱炉1の中を、るつぼ2
を所定の速度で下方へ移動させることによって単結晶3
が成長しつつある。5はるつぼ支持具、6はるつぼ移動
機構である。この際。
、上述した温度分布をもった加熱炉1の中を、るつぼ2
を所定の速度で下方へ移動させることによって単結晶3
が成長しつつある。5はるつぼ支持具、6はるつぼ移動
機構である。この際。
粉末状、顆粒状あるいはベレット状の固体結晶原料10
を、原料供給機構8によって、単結晶3の成長速度に合
せて供給パイプ9を介してるつぼ2の中に、単位時間当
り一定量ずつ連続的に供給する。そして1本発明では、
るつぼ2の最下方部が段階的に口径が小さくされている
。この場合は図示のように口径が2段階に小さくされて
いる。即ちこのるつぼ2はその最下方部において第1の
口径の円筒部分21と、この第1の口径の円筒部21に
連結され、第1の口径の円筒部分21よりも大きい口径
の第2の口径の円筒部分22とを有している。このよう
にるつぼ2を構成して、るつぼ2の種結晶収容部分をい
ったん、製造されるべき大型単結晶の口径よりも小さい
結晶るつぼで結晶育成し2次いで大型単結晶の口径の大
きさの結晶育成を行うわけである。
を、原料供給機構8によって、単結晶3の成長速度に合
せて供給パイプ9を介してるつぼ2の中に、単位時間当
り一定量ずつ連続的に供給する。そして1本発明では、
るつぼ2の最下方部が段階的に口径が小さくされている
。この場合は図示のように口径が2段階に小さくされて
いる。即ちこのるつぼ2はその最下方部において第1の
口径の円筒部分21と、この第1の口径の円筒部21に
連結され、第1の口径の円筒部分21よりも大きい口径
の第2の口径の円筒部分22とを有している。このよう
にるつぼ2を構成して、るつぼ2の種結晶収容部分をい
ったん、製造されるべき大型単結晶の口径よりも小さい
結晶るつぼで結晶育成し2次いで大型単結晶の口径の大
きさの結晶育成を行うわけである。
先ず、従来のるつぼを使用してフェライト単結晶を育成
した場合について説明する。従来のるつぼを用いて、
Mn −Znフェライトの溶融原料を単結晶に成長させ
ると、るつほの周辺からサブダレイン、もしくは、別の
結晶方向をもつ結晶核が生じやすい。また、るつほのテ
ーパー部分の育成は。
した場合について説明する。従来のるつぼを用いて、
Mn −Znフェライトの溶融原料を単結晶に成長させ
ると、るつほの周辺からサブダレイン、もしくは、別の
結晶方向をもつ結晶核が生じやすい。また、るつほのテ
ーパー部分の育成は。
ゆっくり成長させなければならないため時間がかかる。
次に2本発明によるるつぼを用いてMn −Znフェラ
イト単結晶を育成する場合について説明する。
イト単結晶を育成する場合について説明する。
本発明によるるつぼを用いてMn −Znフェライトの
溶融原料から単結晶に成長させていくと、るつぼ20種
結晶収容部分が、いったん、大型単結晶の口径より小さ
い結晶るつぼで結晶育成され、さらに大型単結晶の口径
の大きさの結晶育成を行なう結晶育成とすることができ
る。
溶融原料から単結晶に成長させていくと、るつぼ20種
結晶収容部分が、いったん、大型単結晶の口径より小さ
い結晶るつぼで結晶育成され、さらに大型単結晶の口径
の大きさの結晶育成を行なう結晶育成とすることができ
る。
以上のように育成したMn −Znフェライト単結晶は
、るつぼの周辺からサブダレイン、別の方向をもつ結晶
核が生じることがほとんど々くなった。
、るつぼの周辺からサブダレイン、別の方向をもつ結晶
核が生じることがほとんど々くなった。
壕だ、るつぼのテーパ一部分の育成時間を短縮すること
ができた。
ができた。
従って、これから得られるフェライト単結晶は。
高品質であり、得られる均一かつ所望の組成あるいは磁
気特性を有するMn −Znフェライト単結晶の割合は
、従来に比べて著しく高められ、磁気ヘッド材料として
使用する場合も、そのコストを大幅に低下できる。
気特性を有するMn −Znフェライト単結晶の割合は
、従来に比べて著しく高められ、磁気ヘッド材料として
使用する場合も、そのコストを大幅に低下できる。
々お9本発明はMn −Znフェライト単結晶以外の単
結晶の製造に適用でき、上記同様の効果力;あるのはも
ちろんである。
結晶の製造に適用でき、上記同様の効果力;あるのはも
ちろんである。
〔発明の効果〕
以上、説明したように9本発明によるるつぼを用いれば
一つの単結晶から得られる均一かつ所望の組成を有する
単結晶素材の割合を高めること力玉でき、したがってコ
ストの大幅な低下が可能となる。
一つの単結晶から得られる均一かつ所望の組成を有する
単結晶素材の割合を高めること力玉でき、したがってコ
ストの大幅な低下が可能となる。
図面は本発明による単結晶製造用るつぼを用いた単結晶
製造装置を示した断面図である。 ■は加熱炉、2はるつぼ、3は単結晶、4は融液、5に
、るつぼ支持具、6はるつぼ移動機構、8は原料供給機
構、9は供給パイプ、10は結晶原料である。 1゛、 −らnq−
製造装置を示した断面図である。 ■は加熱炉、2はるつぼ、3は単結晶、4は融液、5に
、るつぼ支持具、6はるつぼ移動機構、8は原料供給機
構、9は供給パイプ、10は結晶原料である。 1゛、 −らnq−
Claims (1)
- 1 ブリッジマン法に用いる単結晶製造用るつぼにおい
て、該るつぼの最下方が段階的に口径が小さくされてい
ることを特徴とする単結晶製造用るつぼ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15650084A JPS6136192A (ja) | 1984-07-28 | 1984-07-28 | 単結晶製造用るつぼ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15650084A JPS6136192A (ja) | 1984-07-28 | 1984-07-28 | 単結晶製造用るつぼ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6136192A true JPS6136192A (ja) | 1986-02-20 |
Family
ID=15629116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15650084A Pending JPS6136192A (ja) | 1984-07-28 | 1984-07-28 | 単結晶製造用るつぼ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6136192A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6437486A (en) * | 1987-08-03 | 1989-02-08 | Nippon Telegraph & Telephone | Crucible for crystal growth |
| EP0570610A1 (en) * | 1991-03-06 | 1993-11-24 | Bestal Corporation | Crucible for crystal growth and process employing this crucible |
| JPH05330971A (ja) * | 1992-05-27 | 1993-12-14 | Bestal Corp | 結晶成長のための改良装置および方法 |
-
1984
- 1984-07-28 JP JP15650084A patent/JPS6136192A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6437486A (en) * | 1987-08-03 | 1989-02-08 | Nippon Telegraph & Telephone | Crucible for crystal growth |
| EP0570610A1 (en) * | 1991-03-06 | 1993-11-24 | Bestal Corporation | Crucible for crystal growth and process employing this crucible |
| JPH05330971A (ja) * | 1992-05-27 | 1993-12-14 | Bestal Corp | 結晶成長のための改良装置および方法 |
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