JPS5983994A - 単結晶の製造方法 - Google Patents

単結晶の製造方法

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Publication number
JPS5983994A
JPS5983994A JP19002382A JP19002382A JPS5983994A JP S5983994 A JPS5983994 A JP S5983994A JP 19002382 A JP19002382 A JP 19002382A JP 19002382 A JP19002382 A JP 19002382A JP S5983994 A JPS5983994 A JP S5983994A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
crucible
crystal
raw material
single crystal
melt
Prior art date
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Pending
Application number
JP19002382A
Other languages
English (en)
Inventor
Kengo Ono
小野　賢悟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokin Corp
Original Assignee
Tohoku Metal Industries Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tohoku Metal Industries Ltd filed Critical Tohoku Metal Industries Ltd
Priority to JP19002382A priority Critical patent/JPS5983994A/ja
Publication of JPS5983994A publication Critical patent/JPS5983994A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/04—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
    • C30B11/08—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt every component of the crystal composition being added during the crystallisation

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、るつぼ内で融液がら単結晶を製造する方法に
関する。
るつは向凝固法による単結晶の製造法とじてブリッジマ
ン法がある。これは、古くから知られている優れた単結
晶の作製法である。しかしながら、ブリッジマン法では
、広い固溶領域をもつ材料の単結晶を目的とする場合に
は、結晶内に組成の偏析が生じるのは原理的に避けられ
ない。
このブリッジマン法がもつ結晶中の組成の偏析をカバー
するために、るつぼに少量の原料を装填し、ブリッジマ
ン法と同様にるつぼ先端部から結晶化せしめつつ、るつ
ほの上部から、棒状、粉末状または顆粒状の固体原料を
供給して。
結晶の成長を行なう方法が提案されている。
この方法は、結晶の成長速度に合せて原料を装填するこ
とにより、融液の深さを制御することができ、さらにこ
のために組成の偏析を制御することができる。融液の深
さを薄くすることは、結晶組成の偏析を抑える上で有効
である。
しかしながら、融液の中に固体原料を装填することは、
溶融の潜熱を必要とし、これがため融液内の温度変動を
招き、あるいは融液相の゛−時的凝固を引起すこともあ
る。このことは、結晶の成長速度に変動を生じ、結晶内
の組成偏析ｔ」、もとより、結晶品質にも悪影響を及ぼ
すことは明らかである。
従って９本発明の目的は１組成偏析が少なく。
かつ高品質の単結晶を得ることができる単結晶の製造方
法を提供することにある。
以■１図面を参照して本発明の実施例について説明する
。
第１図を参照すると９本発明の一実施例による結晶製造
の様子が示されている。第１図にトいて、１は電気炉で
ある。この電気炉１−菖第２図に示Ｌ７だ如く、炉内位
置の中火部で最高温となり、該中火部から上下方向に離
れるに従って温度が下がる温度分布を有している。電気
炉１内でるつぼ５の中に少量の原料を装填し、まず、こ
れを電気炉１の最高温部で溶融させる。
その後、るつぼ５を所定速度で降下させて、その先端部
から単結晶２を成長させつつ、上方からは棒状の結晶原
料４を挿入し、その先端を電気炉１内の最高温部によっ
て溶液させ、融液面上ニ滴下させることによって、融液
６が補給される。結晶原料４の挿入速度（単位時間あた
りの挿入量）を、るつぼ５内の結晶成長速度、つまりる
つは５の降下速度に一致させることにより、融液５の深
さは一定に制御され、かつ融液３の温度変動を最小に維
持することができる。
その結果、結晶中の組成偏析を小さくシ、かつ高品質結
晶を得ることが可能となる。なお、第１図において、６
はるつぼ支持棒である。
以上説明したように１本発明によれば、固体結晶原料を
溶融したものを融液面上に滴下させることによって、融
液の補給を行なうようにした単結晶の製造方法が得られ
１組成偏析が少なく、かつ高品質の単結晶を得ることが
できる等の効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は２本発明による結晶作製の様子を模式的に示し
た断面図、第２図は第１図の電気炉１内の」皿上方向温
度分布を示した図である。 １：電気炉　　２：単結晶　　６：融液４：棒状の結晶
原料　　５：るつぼ ６：るつぼ支持棒 第１図 招２図 ５五及

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、」二下方向に所定の温度勾配を有する電気炉内に配
    置したるつぼの下部に結晶原料を装填、溶融せしめ、か
    つ該るつぼ先端部から単結晶を成長させた状態において
    、該るつぼ内に上方から棒状の結晶原料を挿入し、該棒
    状の結晶原料を干一端から順次溶融・滴下せしめること
    によって融液を補給し、同時にるつぼを所定速度で降下
    させることによって単結晶を製造することを特徴とする
    単結晶の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6042293A (ja) * 1983-08-18 1985-03-06 Sony Corp 単結晶の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6042293A (ja) * 1983-08-18 1985-03-06 Sony Corp 単結晶の製造方法
JPH0366277B2 (ja) * 1983-08-18 1991-10-16 Sony Corp

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