DE2812912A1 - Widerstandsmassen - Google Patents

Widerstandsmassen

Info

Publication number
DE2812912A1
DE2812912A1 DE19782812912 DE2812912A DE2812912A1 DE 2812912 A1 DE2812912 A1 DE 2812912A1 DE 19782812912 DE19782812912 DE 19782812912 DE 2812912 A DE2812912 A DE 2812912A DE 2812912 A1 DE2812912 A1 DE 2812912A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
glass
resistance
tcr
ruo
pbo
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19782812912
Other languages
English (en)
Other versions
DE2812912C2 (de
Inventor
John Robert Larry
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
EIDP Inc
Original Assignee
EI Du Pont de Nemours and Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by EI Du Pont de Nemours and Co filed Critical EI Du Pont de Nemours and Co
Publication of DE2812912A1 publication Critical patent/DE2812912A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2812912C2 publication Critical patent/DE2812912C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/14Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/065Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
    • H01C17/06506Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
    • H01C17/06513Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
    • H01C17/06533Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component composed of oxides
    • H01C17/0654Oxides of the platinum group

Description

DR.-ING. WALTER ABITZ DB. DIETER F. MORF DIPL.-PHYS. M. GRITSCHNEDER Patentanwälte
München
23. März 1978
ι Postanschrift / Postal Address
Poetfach 860109, 8OOO München Pienzenauerstraßa
Telefon 983222
Telegramme: Chemindug München
Telex: CO) 523992
EL-oogg
E. I. DU PONT DE NEMOHRS AND COMPANY Wilmington, Delaware» T.St.A.
Widerstandsmassen
£09839/1033
EI-0099
Die Erfindung liegt auf dem Elektronikgebiet und betrifft im "besonderen Massen» die sich zur Herstellung von an Substraten haftenden Widerstandsmustern eignen»
Widerstandsmassen, die auf dielektrische Substrate (aus Glas, Glas/Keramik oder Keramik) aufgebracht und eingebrannt werden, enthalten gewöhnlich feinteilige anorganische Pulver (z.B. Metall- und/oder Oxidteilchen und anorganische Bindemittelteilchen) und werden auf die Substrate häufig nach der sogen. "Dickfilmtechnik" in Form einer Dispersion in einem inerten, flüssigen Medium aufgebracht. Beim Einbrennen oder Sintern des Films erfüllt der Metall- und/oder Oxidbestandteil der Masse den funktioneilen Zweck (d.h. erzeugt die gewünschte Leitfähigkeit) f während das anorganische Bindemittel (z.B. Glas oder kristalline Oxide? wie BipO^) die Metallteilchen aneinander und an das Substrat bindet. Die Dickfilmtechnik steht im Gegensatz zur Dünnfilmtechnik, bei der Teilchen durch Aufdampfen oder Aufstäuben ("Aufsputtern") niedergeschlagen werden. Dickfilmmethoden sind im "Handbook of Materials and Processes for Electronics"j> CA. Harper? Herausgebers McGraw-Hill» Ή.Υ. (1970), Kapitel 12, beschrieben.
Zahlreiche Patentschriften beschreiben Massen» bei denen pyrochlor-verwandte Oxide der allgemeinen Formel A3B2Og-7 und ein Glasbindemittel in einem Medium dispergiert sind und die nach Aufdrucken auf Substrate und Einbrennen Widerstandselementfilme (resistor films) ergeben^ vgl«, die US-PSen 3 583 931, 3 553 109 und 3 896 055.
EL-0099 4
Aus der US-PS 3 304 199 sind Widerstandsmassen aus RuO2 mit Rutil-Kristallstruktur und Glas bekannt.
In der US-PS 3 637 530 sind Widerstandsmassen beschrieben, ■welche ein einphasiges (Spalte 2, Zeile 64) Reaktionsprodukt aus bestimmten Anteilen von Mobpentoxid und Rutheniumdioxid sowie Glas, dispergiert in einem Medium, enthalten. Diese Patentschrift lehrt, dass das Vorhandensein von nichtumgesetztem Hxobpentoxid für die Erzielung der dort angestrebten Resultate extrem schädlich ist (Spalte 2, Zeile 66), In Beispiel 2 wird Bleiborsilikatglas genannt, ohne dass jedoch die Grenzen seiner Anteile erwähnt werden. Das Hb20,-/Ru0p-Produkt dieser Patentschrift wird durch Vorerhitzen der Reaktionskomponenten auf !Temperaturen von mindestens 10000C erzeugt (Spalte 2, Zeile 56).
Es besteht Bedarf an Widerstandsmassen, aus denen eingebrannte Widerstandselement- bzw. Resistorfilme hergestellt werden können, welche eine verminderte Differenz (Streuung) zv/ischen dem Temperaturkoeffizienten des Widerstands (TCR) in der Hitze und Kälte (d.h. 0-250 ppm/°C, vorzugsweise 0-100 ppm/°C) und trotzdem einen niedrigen Koeffizienten der Änderung des spezifischen Widerstandes (CVR) aufweisen.
Die Erfindung stellt Druckmassen zur Verfugung, welche Dispersionen eines f einteiligen (Teilchengrösse <37/umbzw. —400 mesh nach der U.S. Standard-Siebreihe) anorganischen Pulvers in einem inerten, flüssigen Medium darstellen. Die Massen eignen sich zur Herstellung gesinterter Eilmwiderstände bzw. -resistoren, die an dielektrischen Substraten haften. Die Massen bestehen im wesentlichen aus folgenden Bestandteilen (sämtliche Angaben in Gewichtsprozent):
-Z-
809839/1033
EL-0099 allgemein 5 bevorzugt besonders
bevorzugt
Pulver 2 bis 45 3 bis 30 4 bis 20
RuO2 40 bis 70 45 bis 65 47 bis 62
Glas 0,1 bis 0,8 0,2 bis 0,7 0,2 bis 0,7
Nb2O5 0 bis 5 0 bis 5 1 bis 3
CaF2 15 bis 40 20 bis 40 20 bis 40
Medien
Das Glas enthält 30 bis 55 % PbO, vorzugsweise 40 bis 45 % PbO. Die Erfindung erstreckt sich auch auf die erhaltenen gesinterten Widerstandselemente bzw» Resistoren.
Durch die Erfindung werden Massen geschaffen, welche RuOp und Nb3O5 enthalten, jedoch den Vorteil haben, dass das RuO2 und Nb2O5 nicht - wie es bei der US-PS 3 637 530 notwendig ist - bei 1000 C vorgebrannt zu v/erden brauchen„
Die TCR-Merkmale der erfindungsgemäss erzeugten eingebrannten Filme sind reproduzierbar» Die erhaltenen spezifischen TCR-Eigenschaften hängen von den jeweiligen Massen ab. Die absoluten TCR-Werte ("heisser" TCR-Wert, gemessen zwischen +250C und +1250C, und "kalter" TCR-Wert, gemessen zwischen -55°C und +250C) können jedoch 0 - 250 ppm/°C im Normalfall, 0-100 ppm/0C für die bevorzugten Massen und sogar lediglich 0 - 50 ppm/°C betragen«, Die Differenz zwischen "heissem" und "kaltem" TCR (ATCR) kann ferner für jede Masse innerhalb 100 ppm/°C liegen. Wie Tabelle III zeigt, können diese Massen auch zur Herstellung von eingebrannten Filmen verwendet werden, die eine verminderte Schwankung des spezifischen Widerstandes mit der Länge des Widerstandselementes (Resistors) (was einen bedeutenden Verarbeitungsvorteil darstellt) und CVR-Werte von 8 % oder darunter aufweisen.
Die erfindungsgemäss en Massen enthalten die vorgenannten Anteile von RuO2, Nb2O5, PbO-haltigem Glas und Medium (Träger). „ CaF2 ist ein fakultativer Bestandteil.
_ -} _ 309839/1033
Mindestens 2 fa RuO2 sind in den Massen zur Erzielung einer angemessenen Leitfähigkeit enthalten. Der RuOp-Anteil beträgt jedoch nicht mehr als 45 %, damit angemessene Mengen des Glasbindemittels verwendet werden können und somit eine gute Haftung erzielt wird. Bevorzugt werden RuC^-Anteile von 3 bis 30 %, insbesondere 4 bis 20 %. Anstelle von RuO2 können auch Hydrate von RuOp (z.B. RuO2.3H2O) in zur Erzielung der genannten RuO2-Anteile geeigneten Mengen verwendet werden.
Die Massen enthalten mindestens 0,1 % NbJQ1- zur Verminderung der TCR-Streuung, jedoch ist der Nb20j--Anteil nicht höher als 0,8 %, da TCR durch grössere Mengen nachteilig beeinflusst werden würde. Vorzugsweise ist 0,2 bis 0,7 % Nb2Ojvorhanden.
Das CaF2 wird eingesetzt, um die Abhängigkeit des spezifischen V/iderstandes von der Resistorlänge zu vermindern. CaF2 ist ein fakultativer Bestandteil; um eine ins Gewicht fallende Änderung des spezifischen Widerstandes und des TCR auszuschliessen, sind jedoch normalerweise nicht mehr als 5 CaF2 vorhanden. Bevorzugt wird ein CaF2-Anteil von 1 bis 3 %.
Das Glas bindet die leitfähigen Teilchen aneinander und an das Substrat. Das Glas umfasst 30 bis 55 % PbO, vorzugsweise 40 bis 45 % PbO. Ein Gehalt des Glases von mehr als 55 % PbO vermindert die Feuchtigkeitsbeständigkeit und macht das Glas empfindlicher gegenüber Veränderungen unter reduzierenden Bedingungen. Man verwendet mindestens 30 % Bleioxid zur Regelung der Glasviskosität und damit des Koeffizienten der Änderung des spezifischen Widerstandes (CVR). Der Anteil der Masse an PbO-haltigern Glas beträgt 40 bis 70 ?o, Vorzugs- weise 45 bis 65 %, insbesondere 47 bis 62 % (bezogen auf die Masse). Ein Glasanteil von weniger als 40 % verschlechtert die Haftung, während mehr als 70 % Glas einen zu hohen spezifischen Widerstand ergeben. Das Glas kann auch andere übliche Glasbestandteile, wie B20,, SiO2 und/oder Al2O,, enthalten.
809839/1033
EL-0099
Die relativen Anteile der vorgenannten anorganischen Materialien werden in gegenseitiger Abhängigkeit aus den vorgenannten Bereichen nach den bekannten Gesichtspunkten ausgewählt, die in der Dickfilmtechnik für die Erzielung gewünschter Eigenschaften des eingebrannten Films massgeblich sind«, Die Massen können durch Zugabe geringer Mengen anderer Substanzen, welche die erfindungsgemäss erzielten Eigenschaften nicht beeinträchtigen, modifiziert werden.
Als Medien bzw. Träger der erfindungsgemässen Massen dienen herkömmliche Substanzen (durch Polymere viskos eingestellte Lösungsmittel). Der Anteil des Mediums, welcher für brauchbare Druckeigenschaften benötigt wird, beträgt 15 bis 40 % (vorzugsweise 20 bis 40 %) der Masse, Solche herkömmlichen Medien sind in der US-PS 3 943 168 beschrieben»
Man vermischt die Bestandteile der Massen in üblicher Weise (z.B. an einem Walzenstuhl) zu einer Dispersion, welche dann in herkömmlicher Weise durch ein Sieb auf ein Substrat aufgedruckt werden kann. Man verwendet normalerweise herkömmli·=. ehe Substrate, wie vorgebranntes Aluminiumoxid. Die bedruckten Substrate werden dann normalerweise zur Entfernung der flüchtigeren Bestandteile des Mediums getrocknet (z„Bo etwa 10 Min. bei 100 bis 1500C) und hierauf zur Austreibung des im Medium enthaltenen polymeren Viskositätsreglers und zur Sinterung der anorganischen Bestandteile zu einem chemisch und physikalisch zusammenhängenden, am Substrat haftenden Überzug eingebrannt. Das Einbrennen erfolgt vorzugsweise bei einer Temperatur im Bereich von 800 bis 9000C, insbesondere bei etwa 8500C, während mindestens 5 Min., vorzugsweise etwa 10 Min., bei der Maximaltemperatur. Das Einbrennen kann in Kammer- oder Bandöfen durchgeführt werden. Es wird an der Luft vorgenommen.
809839/1033
Beispiele
Die nachstehenden Beispiele und Vergleichsbeispiele erläutern die Erfindung. In den Beispielen beziehen sich - ebenso wie in der sonstigen Beschreibung und in den Patentansprüchen sämtliche Teil-, Prozent- und Verhältnisangaben auf das Gewicht, sofern es nicht anders angegeben ist.
Sämtliche in den Beispielen verwendeten anorganischen Materialien weisen eine mittlere Teilchengrösse im Bereich von 0,2 bis 8 μπι auf, wobei praktisch keine Teilchen mit einer Grosse oberhalb 15 μπι vorhanden sind. Die ungefähren spezifischen Oberflächen der gemäss Tabelle II, III und V verwendeten Gläser sind aus Tabelle I ersichtlich. Die spezifische Oberfläche des eingesetzten RuOp ist in jedem Beispiel angegeben; das CaF0 besitzt eine spezifische Oberfläehe von 2,8 m /g, das NbpO,- eine solche von 6,5 m /g. Man verwendet herkömmliche Medien, wie 1 Teil Äthylcellulose in 9 Teilen eines Gemisches aus Terpineol und Dibutylcarbitol. Einige Medien enthalten Tridecylphosphat als Netzmittel.
Die anorganischen Feststoffe und das Medium werden nach herkömmlichen Walzmethoden gründlich vermischt. Die erhaltene Dispersion wird durch ein gemustertes Sieb mit einer lichten Maschenweite von Ik μπι (200 mesh) auf vorgebrannte Pd/Ag-Schlusselemente (terminations) an einem Aluminiumoxidsubstrat aufgedruckt. Die Abmessungen des Widerstandselements betragen im allgemeinen etwa 38 μπι (1,5 mils) im Quadrat. Man trocknet den Aufdruck 10 Min. bei etwa 1500C. Der getrocknete Aufdruck besitzt eine Dicke von etwa 25 μπι (1 mil). Er wird in einem herkömmlichen Bandofen während eines 60-minütigen Zyklus, wobei etwa 10 Min. auf die Maximaltemperatur von etwa 85Q0C. entfallen, eingebrannt. Der eingebrannte Aufdruck besitzt eine Dicke von etwa 12 bis 13 μπι (0,5 mil).
- 6 a09839/1033
EL-0099
Der spezifische Widerstand wird mit Hilfe eines Widerstandsmessers (Non-Linear-Systems 8-range ohmmeter Series X-1) bestimmt und für ein quadratisches Widerstandselement wiedergegeben. Der Temperaturkoeffizient des Widerstands (TCR) (allgemein ausgedrückt in ppm/°C) ist ein wichtiges Merkmal von Widerstandselementen, da Temperaturänderungen bei hohem TCR zu relativ starken Widerstandsänderungen führen. Man bestimmt TCR durch Messung des Widerstands eines gegebenen Widerstandselements bei -550C, 250C und 1250C. Die Widerstandsänderung wird als Funktion des Widerstands bei Raumtemperatur, dividiert durch die Temperaturerhöhung wie folgt, ausgedrückt:
Bezugstemperatur 250C c
TCR = χ 10°
25°C ^ Bezugstemperatur -2->ow
Der Koeffizient der Änderung des spezifischen Widerstandes (CVR) ist das Mass für die Fähigkeit zur reproduzierbaren Erzielung eines gegebenen spezifischen Widerstandes während der Herstellung. Man bestimmt den Koeffizienten der Änderung des spezifischen Widerstandes (CVR) unter Anwendung der allgemeinen Formel für den Änderungskoeffizienten bei einer Reihe von Werten, d.h. die Standardabweichung dividiert durch den Mittelwert mal 100, wobei die Standardabweichung (Sigma) der folgenden Gleichung genügt:
1/2
Sigma
N-1
- 7 809839/1033
EL-0099
worin x.^ der Wert eines Widerstands elements innerhalb der getesteten Reihe von Widerstandselementen,
χ der Mittelwert für eine Reihe von Widerstandselementen und
N die Zahl der getesteten Widerstandselemente sind.
Tabelle I zeigt die Zusammensetzung der Gläser, welche in den aus den Tabellen II, III und V ersichtlichen Massen eingesetzt werden. Bei der Verwendung der in den Tabellen II bis V angeführten Massen werden die in den betreffenden Tabellen angegebenen Eigenschaften erzielt.
Das in den Vergleichsbeispielen A bis D und in den Beispielen 1 bis 6 verwendete RuO0 weist eine spezifische Oberfläehe von 76 m /g auf. Die Vergleichsbeispiele A und B sowie die Beispiele 1 bis 3 bilden eine Versuchsreihe, bei denen der Nb20,--Gehalt unter Konstanthaltung der übrigen Bestandteile variiert wird, und erläutern die Abhängigkeit von TCR vom Nb20,--Gehalt. Diese Widerstandselemente mit niedrigem spezifischen Widerstand (etwa 100 Ohm/Quadrat) zeigen ein optimales TCR-Verhalten bei einem Nb^O^-Gehalt der Masse von 0,4 %. Die Massen von Vergleichsbeispiel A (Nb^O^-frei) und Vergleichsbeispiel B (1 % NbpO,-) ergeben ein schlechtes TCR-Verhalten. Gute CVR- und TCR-Werte werden in Beispiel 1 bis 3 erzielt.
Die Vergleichsbeispiele C und D sowie die Beispiele 4 bis betreffen Widerstandselemente, deren spezifische Widerstände um eine Grössenordnung höher als in den vorangehenden Bei-, spielen sind. Auch in diesem Falle ergeben die NbpOc Masse (Vergleichsbeispiel C) und die Masse mit 1 % Nb2O (Vergleichsbeispiel D) unterlegene Resultate. Die Masse mit. 0,6 fo Nb2O1- ergibt bei diesen höheren spezifischen
Widerständen die besten TCR-Resultate.
809839/1033
a-0099
In Beispiel 7 werden unter Verwendung von 0,3 % NbpO,- ein noch höherer spezifischer Widerstand (100 000 Ohm/Quadrat) und hervorragende TCR- und CVR-Werte erzielt»
Die Beispiele 8 bis 11 (Tabelle III) zeigen die verminderte Abhängigkeit des spezifischen Widerstandes von den Widerstandsei einentabmessungen, welche bei Verwendung der bevorzugten CaFp-haltigen Massen der Erfindung erzielt wird,, Tabelle III zeigt, dass RuOp mit zwei verschiedenen spezifischen Oberflächen eingesetzt wird.
TABELLE I Gläser in den Tabellen II, III und V
Glas (Gew.-96 )
Bestandteil
PbO B2O SiO
A B C
49,4 37,5 44,5
13,9 19,2 1153
24,8 22,3 24,4
7,9 - -
4,0 4,8 4,5
- 10,8 10,2
- 3,6 4,3
1,8 0,8
2 MhO2
ZnO
ZrO2
CuO
spezifische Oberfläche (m2/g) 7,5 7,0 6,6
- 9 809839/1033
Komponenten/ Eigenschaften TABELLE II Beispiel (Nr.) oder Vergleichsbeispiel (Buchstabe)
Zusammensetzung (G#)
Oo O CD
CD O
23
23
2
,75
,75
23,75
23,75
2
23
23
2
,75
,75
23,75
23,75
2
23,75
23,75
2
31
31
2
31
31
2
,4 31
31
2
,6 31
31
2
,8 31
31
2
,0 31,8
31,8
2
- 0,4 0 ,6 0,8 1,0 - 0 ,6 0 ,4 0 ,2 1 ,0 0,3
30 ,5 30,1 29 ,9 29,7 29,5 30,0 29 29 29 29 29,8
RuO2 20 20 20 20
Glas A Glas B Glas C CaF2 Nb2O5 Medium
Eigenschaften
spezifischer Widerstand (Ohm/Quadrat) 0,0127 mm (0,5 mil) dick 51 91
TCR (ppm/0C)
-55 bis +250C +285 +47 -68 +142 -240
+25 bis +125°C +255 +6 -136 -223 -338
ATCR 30 41 68 81
CVR (%) 2 4 6 5
+250
+240
10
5
+130
+111
19
5
-12
-42
30 2
-117
-164
47 3
-199
-269
70 3
202 3,9K* 4,7K 8,2Κ 10,7Κ 14,3Κ 101Κ
+14 +45
31
2
*K bedeutet 1000
Komponenten/
Eigenschaften
TABELLE III Beispiel Nr.
9
10 7 11 w
Zusammensetzung (Gew.-90 22,2 I
O
RuO2 (80 m2/g) 8 6,0 40,4 _ O
VO
VO
RuO2 (68 m2/g) - 0,4 6,6
Glas B 6,9 21,9 30 21,7
Glas C - 39,6 39,7
CaF2
Nb2O5
22,2 2
0,5
2
0,4
Medium 40,4 30 10,7K 29,6
1983 Spezifischer Widerstand 0,5 10,OK I
(Ohm/Quadrat) für Widerstände
mit folgenden Abmessungen
(Länge χ Breite):
30 9.4K VJO
ο '
Ca?
4 mm χ 1 mm 10,OK +50 8,2K
2 mm χ 1 mm 9,4K 7,9K
1 mm χ 1 mm 10,5K* 8,9K 7,9K
TCR (ppm/°C)
+25 bis +1250C
9,4K +73 +84
8,3K
+7 PO
CO
NJ
CO
*K = 1000
Die Vergleichsbeispiele E, F und G (Tabelle IV) erläutern die Bedeutung des Einsatzes von PbO-Glas und NbpO,--Pulver gemäss der Erfindung. Bei diesen Vergleichsbeispielen verwendet man RuOp (68 m /g) und ein BipO,-Glas (50,4 % Bi2O, 3,3 % PbO, 9,2 % B2O3, 32,8 % SiO2, 4,3 % Al2O ), was zu schlechten CVR-Werten führt.
TABELLE IV
Vergleichsbeispiel 10 F 17,7 G
- E 60
Zusammensetzung (Gew.-%) 30 12 +52 14
RuO2 58 56
Glas 30 30
Medium
Eigenschaften
spezifischer Widerstand 11,7K* 2,2K 0,63]
(Ohm/Quadrat) 11,6 17
CVR (%)
TCR (ppm/°C) -20
+25 bis +1250C
*K = 1000
Die Vergleichsbeispiele H, I und J (Tabelle V) zeigen die Bedeutung des erfindungsgemässen Nb20c-Gehalts. RuOp (80 m /g) und PbO-Glas führen zu schlechten "heissen" TCR-Werten (> 300 ppm/°G), wenn kein Nb3O5 zugesetzt wird.
- 12 -
Ö09839/1033
EL-0099
-45-
TABELLE V
Vergleichsbeispiel 6 I 6 J
H 35,2 31
Zusammensetzung (Gew.-%) 24,8 31 6
RuO2 2 2 24,8
Glas B 30 30 35,2
Glas C 2
CaF2 30
Medium
Eigenschaften
spezifischer Widerstand (Ohm/Quadrat)
CVR {%)
TCR (ppm/°C) +25 bis +1250C
9,98K* 3,6
+344
1592K 12S2K 2,1 4S6
+308
+310
*K = 1000
Ende der Beschreibung
- 13
809839/1033

Claims (5)

Patentansprüche
1. Auf druckbare Massen aus in einem inerten? flüssigen Medium dispergiertem, feinzerteiltem anorganischem PulTer aus RuO2» Glas und Fb2O , dadurch gekennzeichnet} dass das anorganische Pulver im wesentlichen aus (bezogen auf Gewicht)
1) 2 bis 45 $> fsinzerteiltem RuO2-Pulver?
2) 40 bis 70 % Glas» das 30 bis 55 % PbO umfasst,
3) 0,1 bis 0,8 fo ITb2O59
4) 0 bis 5 fo CaP2 und
5) 15 bis 40 $ inertem Medium
besteht.
2. Verwendung der Massennach Anspruch 1 zur Herstellung von Widerständen auf dielektrischen Substraten.
809839/103
DE2812912A 1977-03-25 1978-03-23 Aufdruckbare Widerstandsmassen Expired DE2812912C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/781,310 US4101708A (en) 1977-03-25 1977-03-25 Resistor compositions

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2812912A1 true DE2812912A1 (de) 1978-09-28
DE2812912C2 DE2812912C2 (de) 1982-07-29

Family

ID=25122333

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2812912A Expired DE2812912C2 (de) 1977-03-25 1978-03-23 Aufdruckbare Widerstandsmassen

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4101708A (de)
JP (1) JPS53120198A (de)
CA (1) CA1109246A (de)
DE (1) DE2812912C2 (de)
GB (1) GB1556850A (de)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4452726A (en) * 1981-08-20 1984-06-05 General Motors Corporation Self-sealing thermally sensitive resistor and method of making same
CA1191022A (en) * 1981-12-29 1985-07-30 Eiichi Asada Resistor compositions and resistors produced therefrom
US4476039A (en) * 1983-01-21 1984-10-09 E. I. Du Pont De Nemours And Company Stain-resistant ruthenium oxide-based resistors
DE3466195D1 (en) * 1984-01-27 1987-10-22 Toshiba Kk Thermal head
US4536328A (en) * 1984-05-30 1985-08-20 Heraeus Cermalloy, Inc. Electrical resistance compositions and methods of making the same
JP3297269B2 (ja) * 1995-11-20 2002-07-02 株式会社村田製作所 正特性サーミスタの実装構造
JPH09293465A (ja) * 1995-11-28 1997-11-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 陰極線管用抵抗体の製造方法
IL140990A0 (en) * 2001-01-18 2002-02-10 Univ Ben Gurion Thick film compositions containing pyrochlore-related compounds
EP2688848A2 (de) * 2011-03-24 2014-01-29 Ben-Gurion University of The Negev Research and Development Authority Beschichtungen für solaranwendungen

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3304199A (en) * 1963-11-12 1967-02-14 Cts Corp Electrical resistance element
US3352797A (en) * 1965-01-27 1967-11-14 Air Reduction Thallium oxide glaze containing an additive of ruthenium oxide
DE1640561A1 (de) * 1966-10-20 1970-01-15 Johnson Matthey Co Ltd Widerstandsmassen
US3868334A (en) * 1970-10-19 1975-02-25 Airco Inc Resistive glaze and paste compositions

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL137152C (de) * 1966-10-24
JPS5528162B1 (de) * 1969-12-26 1980-07-25
US3637530A (en) * 1970-02-10 1972-01-25 Johnson Matthey Co Ltd Resistor composition
JPS5035233B1 (de) * 1970-11-17 1975-11-14
JPS553978B2 (de) * 1973-07-05 1980-01-28

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3304199A (en) * 1963-11-12 1967-02-14 Cts Corp Electrical resistance element
US3352797A (en) * 1965-01-27 1967-11-14 Air Reduction Thallium oxide glaze containing an additive of ruthenium oxide
DE1640561A1 (de) * 1966-10-20 1970-01-15 Johnson Matthey Co Ltd Widerstandsmassen
US3868334A (en) * 1970-10-19 1975-02-25 Airco Inc Resistive glaze and paste compositions

Also Published As

Publication number Publication date
JPS53120198A (en) 1978-10-20
JPS6335081B2 (de) 1988-07-13
CA1109246A (en) 1981-09-22
GB1556850A (en) 1979-11-28
US4101708A (en) 1978-07-18
DE2812912C2 (de) 1982-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2523009C3 (de) Zur Bildung stark haftender Leitermuster auf Aluminiumoxidunterlagen geeignete Silbermasse
DE1194539B (de) Widerstandsglasurmasse
DE2752559C3 (de) Dickschichtvaristor
DE1771503B2 (de) Thermisch kristallisierbares glas und glaskeramik auf der basis sio tief 2-pbo-bao-al tief 2 o tief 3tio tief 2 und ihre verwendung
DE102008057987A1 (de) Widerstandsvorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE3139750C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Dickschicht-Schaltungen
DE2812912C2 (de) Aufdruckbare Widerstandsmassen
DE2714196A1 (de) Dielektrische zusammensetzungen aus magnesiumtitanat und ihre verwendung
DE2710199C2 (de) Widerstandsmasse
DE2058253A1 (de) Masse zur Herstellung elektrischer Elemente
DE2513844C2 (de) Pulvermasse aus leitenden pyrochlorverwandten Oxiden und deren Verwendung
DE2052148A1 (de) Widerstandsmasse
DE112018004778T5 (de) Dickschichtwiderstandselementpaste und Verwendung einer Dickschichtwiderstandselementpaste in einem Widerstand
DE3016412C2 (de)
DE2409505B2 (de) Widerstandsmasse zur Herstellung einer metallkeramischen Widerstandsschicht
DE3247224C2 (de) Widerstandspaste und daraus hergestellter elektrischer Widerstand
DE2305728B2 (de) Siebdruckfaehige, zur herstellung von elektrischen schalteinrichtungen, insbesondere heissleiterelementen, geeignete, an luft einbrennbare, glashaltige masse
DE1903561B2 (de) Widerstandsmasse
DE2324327A1 (de) Widerstandsmassen und verfahren zu ihrer herstellung
DE3914844C2 (de)
EP0432353B1 (de) Widerstandsmasse und ihre Verwendung
DE2635699A1 (de) Elektrischer widerstand und verfahren zur herstellung desselben
DE2421861C2 (de) Elektrischer Vanadium-Ruthenium-Widerstand
EP3309800A1 (de) Verfahren zur herstellung eines schichtaufbaus unter verwendung einer paste auf basis einer widerstandslegierung
DE2716171B2 (de) Zusammensetzung mit Eignung zum Aufdrucken von Mustern auf ein isolierendes Substrat

Legal Events

Date Code Title Description
OAP Request for examination filed
OD Request for examination
D2 Grant after examination
8339 Ceased/non-payment of the annual fee