DE2513844C2 - Pulvermasse aus leitenden pyrochlorverwandten Oxiden und deren Verwendung - Google Patents
Pulvermasse aus leitenden pyrochlorverwandten Oxiden und deren VerwendungInfo
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Description
oder der Formel
in der bedeuten:
M mindestens eines der Elemente Ag oder Cu,
M' Bi oder eine Mischung aus mindestens '/2 Bi und
bis zu '/2 eines oder mehrerer Metalle der
Gruppe
(a) zweiwertiges Cd oder Pb und
(b) dreiwertiges Y, TI, In und Seltene Erdmetalle mit Ordnungszahlen von 57 bis
einschließlich 71;
(a) Ru;
(b) Ir und
(c) eine Mischung aus mindestens 3U der
Element Ru und/oder Ir und bis zu ·/« von
mindestens einem der Elemente Pt, Ti und Rh;
χ eine Zahl in dem Bereich von 0,10 bis 0,60 und
ζ eine Zahl im Bereich von 0,10 bis 1,0, wobei sie äquivalent der Summe der einwertigen Kationen M und der Hälfte der zweiwertigen
Kationen in dem polynären Oxid ist,
und Glas, in dem mindestens 10 Gew.-% Bleioxid
gelöst ist, zur Herstellung von Schichtwiderständen, gekennzeichnet durch einen Gehalt von 5
bis l5Gew.-% an Metalltitanat.
2. Verwendung der Pulvermasse nach Anspruch I zur Herstellung eines Schichtwiderstandes auf einem
dielektrischen Substrat.
Die Erfindung betrifft eine Pulvermasse nach dem Oberbegriff des Anspruchs I und deren Verwendung
nach Anspruch 2.
Pulvermassen nach dem Oberbegriff des Anspruchs I sind aus den US-PS 36 81 262 und 37 75 347 bekannt. Bei
den bekannten Pulvermassen ist der spezifische Widerstand der daraus hergestellten Widerstände stark
abhängig von dem Anteil der pyrochlorverwandten
Oxide, streuen die Werte des spezifischen Widerstandes
der einzelnen aus ein und derselben Pulvermasse hergestellten Widerstände stark und rufen Spannungsstöße hohe, bleibende Änderungen des spezifischen
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die bekannten Pulvermassen so zu verbessern, daß die
daraus hergestellten Widerstände eine geringere Abhängigkeit des spezifischen Widerstandes von dem
ίο Anteil an pyrochlorverwandten Oxiden zeigen, in ihren
Weiten für den spezifischen Widerstand weniger voneinander abweichen und eine verbesserte Stoßspannungsfestigkeit besitzen.
Diese Aufgabe wird durch das kennzeichnende
Gegenstand der Erfindung ist ferner die im Anspruch 2 angegebene Verwendung der erfindungsgemäßen
Pulvermasse zur Herstellung eines Schicttviderstandes
auf einem dielektrischen Substrat
Die durch die Erfindung erzielbaren Vorteile bestehen insbesondere darin, daß die Werte der aus der
Pulvermasse hergestellten Widerstände eine geringere Abhängigkeit von den Verfahrens- und Brennbedingungen als kristallisierbare Gläser aufweisen. Aus der
erfindungsgemäßen Pulvermasse hergestellte Widerstände eignen sich aufgrund ihrer hohen spezifischen
Widerstände insbesondere für den Hochspannungsbereich, ζ. B. für Spannungsteiler-Netzwerke und Fokussierpotentiometer. Die erfindungsgemäßen Pulvermas-
sen können nach bekannten Sieb- oder Schablonenmethoden auf ein Substrat aufgedruckt und anschließend
gebrannt werden. Die Pulvermasse wird dazu in einem inerten Träger, typischerweise einer Flüssigkeit dispergiert, wie es bei Dickfilmwiderständen üblich ist
Das Metalltitanat dient erstens dazu, den spezifischen Widerstand des Widerstandskörpers im Verhältnis zu
Massen, welche dieselbe Menge an leitfähiger Phase (Pyrochlor) aufweisen, zu erhöhen, und zweitens dazu,
die Belastbarkeit des Widerstandes in bezug auf
Spannungseinwirkung zu verbessern. Es ist anzunehmen, daß die Erhöhung des spezifischen Widerstandes
wahrscheinlich durch eine zusätzliche Ausseigerung der leitfähigen Phase in Anwesenheit des Titanats verursacht wird. Das Metalltitanat beeinträchtigt die
Wirkung des Glases als Sinterungshilfsmittel in flüssiger Phase für das Pyrochlor; eine Ausseigerung der
leitfähigen Phase ist das Ergebnis. Vermutlich verbessern die dielektrischen Stoffe auf Metalltitanatbasis die
Belastbarkeit gegenüber der Einwirkung von Spannung
auf Grund ihrer Fähigkeit, die elektrische Energie in
Form einer Polarisation zu lagern, anstatt diese Energie h der Form von elektrischen Strömen, welche laufend
Änderungen Jer MikroStruktur verursachen und somit den Widerstand laufend verändern, zu verbrauchen.
Die Metalltitanate in den erfindungsgemäßen Pulvermassen sind kristalline Stoffe und enthalten ein
Metallkation und ein Titanatanion. Die Titanate können durch die allgemeine Formel
60
dargestellt werden, in der die gesamte positive Ladung
des (der) Kations (Kationen) M und die gesamte negative Ladung der Anionun [Ti1Ox] gleich sind. Wenn
daher M einwertig ist, kann das Titanat (M + 1JjTiO3 sein;
wenn M zweiwertig ist, kanu das Titanat M + 7TiO3 sein;
wenn M dreiwertig ist, kann das Titanat (M * J)?(TiO3)3
sein usw.
Das Titanatanion kann (TiOj)3- sein, wie es in
A1iO3-Stoffen der Ilmenitstruktur der Fall ist, wobei A
für Fe+2, Ni+2, Mn+2, Mg+2 steht; es kann (TiO4)2- sein,
wie es in A2TiO4-Stoffen der Spinell-Struktur der Fall
ist, wobei A für Ni+2, Mn+2 usw. steht; es kann (TiO3)2-sein, wie es in der Perovskit-Struktur der Fall ist, wobei
A für Ca+2, Ba+2, Sr+2, Pb+2 steht; es kann (Ti2O7)6-sein, wie es in den verzerrten kubischen Strukturen
A2Ti2O7 der Fall ist, wobei A für Bi+3 steht; es kann
(TiO4)4- der K2SO4-Kristallstruktur A2TiO4 sein, wobei
A für Ca+2, Ba+2 steht Die oben stehende Liste von
Metalltitanaten wird lediglich zur Veranschaulichung gebracht
PbTiO3, BaTiO3, CaTiO3, FeTiO3,
SrTiO3 und PZT(Pb1J)ZrOi7TIa43O3).
Die Metalltitanate machen 5 bis 15 Gew.-% des Widerstandes und der Pulvermasse aus. Bei einem
Anteil von unter 5 Gew.-% Metalltinat werden keine bedeutenden Verbesserungen der Widerstandseigenschaft erzielt Metalltitanatmengen von über 15 Gew.-%
verbessern zwar die Spannungscharakteristik, verursachen aber leicht einen hohen negativen Temperaturkoeffizienten des Widerstandes, beispielsweise von über
Das Metallkation in den Metalltitanaten kann irgendein Metallkation einschließlich derjenigen der
Gruppen I bis V des Periodensystems der Elemente sein. Dies schließt natürlich die Alkali- und Erdalkalikationen
der Gruppen I :nd II, die Übergangselemente der Gruppen HI und IV und die schwereren Metalle der
Gruppe V (As, Sb, Bi) ein. Die grollte Ordnungszahl der Metalle ist infolgedessen diejenige des Wismuts (83).
Vorzugsweise sind die Metalle mehrwertig.
Das pyrochlorverwandte Oxid (hier auch als Pyrochlore bezeichnet) umfaßt polynäre Oxide der Formel
(MxBi2.,) (M;Ru2_,)07-x,
in der bedeuten:
M mindestens ein Metall aus der Gruppe Yttrium, Indium, Cadmium, Blei und Seltene Erdmetalle mit
Ordnungszahlen von 57 bis einschließlich 7!;
M' mindestens ein Metall aus der Gruppe Platin, Titan, Zinn, Chrom, Rhodium, Iridium, Zirconium, Antimon und Germanium;
χ eine Zahl im Bereich von O bis 2;
y eine Zahl im Bereich von O bis 2 und
ζ eine Zahl im Bereich von O bis 1, die mindestens
gleich etwa x/2 ist, wenn M ein zweiwertiges Metall bedeutet.
M1MJ-,MJO7.,,
in der bedeuten:
M mindestens eines der Elemente Ag oder Cu;
M' Bi oder eine Mischung aus mindestens Vj Bi bis zu
V2 eines oder mehrerer Metalle der Gruppe
(a) zweiwertiges Cd oder Pb und
(b) dreiwertiges Y, Tl, In und Seltene Erdmetalle mit Ordnungszahlen von 57 bis einschließlich
71:
M" mindestens ein Bestandteil aus der Gruppe
(a) Ru,
Qa) Ir und
(c) eine Mischung aus mindestens 3A der Elemente Ru und/oder Ir und bis zu 1A von mindestens
einem der Elemente Pt, Ti und Rh;
χ eine Zahl in dem Bereich von 0,10 bis 0,60
(vorzugsweise 0,10 bis 0,5) und
ζ eine Zahl im Bereich von 0,10 bis 1,0, wobei sie
äquivalent der Summe der einwertigen Kationen M
und der Hälfte der zweiwertigen Kationen in dem polynären Oxid ist
Die in den erfindungsgemäßen Pulvermassen verwendeten Gläser sind bleihaltige Gläser. Sie enthalten
mindestens 10% PbO und vorzugsweise 50 bis 80% PbO, zusammen mit anderen glasbildenden Oxiden, wie
Die relativen Mengen an Pyrochlor und Glas in den
Widerständen und erfindungsgemäßen Widerstandsmassen werden je nach den gewünschten, sich
einstellenden Eigenschaften nach bekannten Prinzipien
ausgewählt Die Pyrochlormenge in den Widerstandskörpern und in den Widerstandsmassen (auf Feststoffbasis) beträgt 10 bis 50% und vorzugsweise 15 bis 45%.
Die Menge an Glas in den Widerständen und in Widerstandsmassen ist der Unterschied zwischen dem
Gesamtgewicht an Pyrochlor (10 bis 50%) und Titanat (5 bis 15%) und 100% oder 35 bis 85% Glas.
Optimale erfindungsgemäße Massen bestehen aus 7,3% BaTiO:),21,7% Pb2Ru2O6und 71% Bleialuminosilicatglas.
Die erfindungsgemäßen Widerstands-Pulvermassen können auf irgendein herkömmliches dielektrisches
Substrat (z. B. Tonerde, Cererde) unter Anwendung von Dickfilmmethodsn aufgedruckt werden. Unter »dicken
Filmen« werden im Gegensatz zu den sogenannten
»dünnen Filmen«, die durch Aafdanvfsn oder Zerstäuben abgeschieden werden, solche Filme verstanden, die
man durch Aufdrucken von Pulverdispersionen (üblicherweise in einem inerten, flüssigen Träger) auf ein
Substrat unter Anwendung von Methoden, wie Sieb-
und Schablonendruck, erhält.
Die Pulver sind genügend fein zerteilt, um in herkömmlichen Sieb- und Schablonendruckarbeitsweisen verwendet werden zu können und um das Sintern zu
erleichtern. Die Massen werden aus den Feststoffen und
so Trägern durch mechanisches Mischen hergestellt und als Film in herkömmlicher Weise auf keramische,
dielektrische Substrate aufgedruckt. Als Träger kann jeHe beliebige, inerte Flüssigkeit verwendet werden.
Wasser oder irgendeine der verschiedenen organischen
Flüssigkeiten können mit oder ohne Verdickungs-
und/oder Stabilisierungsmittel und/oder andere gewöhnliche Zusatzstoffe als Träger verwendet werden.
Beispiele für die organischen Flüssigkeiten, die verwendet werden können, sind die aliphatischen Alkohole;
Ester solcher Alkohole, beispielsweise die Acetate und Propionate; Terpene, wie Pine-Öl und Terpineoj;
Lösungen von Harzen, wie den Polymethacrylaten von niederen Alkoholen, oder Lösungen von Äthylcellulose
in Lösungsmitteln, wie Pine-Öl und dem Monobutyl-
äther des Äthylenglykolmonoacetats. Der Träger kann zur Förderung eines schnellen Erhärtens nach dem
Auftragen auf das Substrat flüchtige Flüssigkeiten enthalten oder aus solchen zusammengesetzt sein.
Das Verhältnis von inertem, flössigem Träger zu Feststoffen in den Dispersionen kann beträchtlich
variieren und hängt von der Art und Weise ab, in der die Dispersion aufgebracht werden soll, und der Art des
verwendeten Trägers ab. Im allgemeinen werden 0,2 bis 20 Gew.-Teile Feststoffe je Gew.-Teil Träger zur
Herstellung einer Dispersion der gewünschten Konsistenz verwendet Bevorzugte Dispersionen enthalten 20
bis 70% Träger.
Das aufgedruckte Muster wird zur Entfernung des ι ο
Lösungsmittels normalerweise bei 100 bis 15O0C getrocknet Das Brennen oder Sintern der erfindungsgemäßen
Pulvermassen wird normalerweise bei Temperaturen im Bereich von 750 bis 9500C während 5
Minuten bis 2 Stunden je nach den speziell verwendeten Massen und dem gewünschten Sinterungsgrad vorgenommen,
wie dem Fachmann geläufig ist Im allgemeinen können kürzere Brennzeiten bei höheren Temperaturen
angewandt werden. Wie dem Fachmann bekannt ist, sollte das Erhitzen, wenn kristallisierbare Gläser
verwendet werden, ausreichend lang dauern, um eine Keimbildung und Kristallbildung zu ermöglichen.
In den Beispielen und in der übrigen Beschreibung sind sämtliche Teile, Prozentzahlen und Verhältnisse,
soweit nicht anders angegeben, auf Gewicht bezogen.
Die Handhabbarkeit von Filmwiderständen bei hoher Spannung wurde in der Weise beurteilt, daß die
Widerstände bei Spannungsgradienten bis zu 20 kV/cm 15 Sekunden lang beansprucht wurden. Der Widerstandswert
vor der Beanspruchung (R0) wurde mit dem Widerstandswert nach der Beanspruchung (Rreii verglichen,
wobei jeder bei niedriger Beanspruchung (im typischen Falle 500 V/mm) gemessen wurde, und die
prozentuale bleibende Änderung des Widerstandes wurde als
/ο Δ Kptrm
Kn
X 100
40
definiert.
Die Widerstände wurden folgendermaßen hergestellt: Nach herkömmlichen Walz-Mahlmethoden wurde
eine Dispersion oder Paste aus den nachstehend angegebenen sieben Feststoffteilen in drei Teilen eines
inerten, flüssigen Trägers ('/9 Äthylcellulose/Terpineol)
hergestellt Die Paste wurde unter Verwendung eines Siebes mit einer lichten Maschenweite von 0,074 mm in
Feldern von 25 mm2 auf kermaische Aluminiumoxid-Substrate, die vorgenannte Pd/Ag (l/2,5)-Elektrodenanschlüsse
trugen, aufgedruckt, 15 Minuten lang bei 1500C h einem luftgeheizten Ofen getrocknet und dann
45
50 in einem Bandofen bis zu einer Maximaltemperatur von etwa 850° C (etwa 8 Minuten bei der Spitzentemperatur)
gebrannt; die gesamte Verweilzeit im Ofen betrug etwa 45 bis 60 Minuten. Der getrocknete Druck war etwa
17 μπιαϊΰ^
Die in den Beispielen verwendeten Gläser werden als A und B bezeichnet und sind in der Tabelle I identifiziert
In den Beispielen verwendete Gläser (Gew.-'/»)
Glas A Glas B
Glas A Glas B
65,0% PbO
34,0% SiO2
1,0% Al1O3
34,0% SiO2
1,0% Al1O3
32,0% PbO
27,0% SiO,
11,0% Al2Oj
12,0% TiO2
10,0% ZnO
8,0% BaO
27,0% SiO,
11,0% Al2Oj
12,0% TiO2
10,0% ZnO
8,0% BaO
Die hier verwendeten anorganischen Stoffe und ihre relativen Mengenverhältnisse sind in den Tabellen II bis
V angegeben. Die Pulver wurden jeweils feinzerteilt (nach herkömmlichen Mahlmethoden), und die wirksamen
Oberflächen betrugen für pyrochlorverwandte Oxide 9,0 bis 14,0 mVg, für Titanatpulver 4,0 bis 5,0 m2/g
und für Gläser 6,0 bis 8,0 m2/g.
Beispiele 1 bis 3
Vergleichsversuche A bis C (Tabelle II)
Vergleichsversuche A bis C (Tabelle II)
In den Beispielen 1 bis 3 und den Versuchen A und C (Tabelle II) waren die leitfähige Phase und das Glas
dieselben. In den Beispielen 1 bis 3 wurde Bariumtitanat (BaTiOa) zugesetzt jeder Ansatz wurde, wie in der
Tabelle II angegeben, bei 700 bis 1000 V/mm beansprucht Es wurde gefunden, daß bei denjenigen
Beispielen gemäß denen die Massen Bariumtitanat enthielten, diese eine prozentuale bleibende Änderung
des spezifischen Widerstandes zeigten, die um etwa eine Größenordnung kleiner war, als die in denjenigen Fällen
beobachtete, bei denen Bariumtitanat abwesend war.
Um hervorzuheben, daß nicht jede kristalline Phase die Änderung des spezifischen Widerstandes wirksam
herabsetzt wurde in dem Versuch B ein kristallisierendes Glas verwendet das hauptsächlich andere Kristalle
als Titanat bildet. Die kristalline Hauptphase, die sich in dem Glas nach dem Brennen bildete, war BaAbSijOg;
eine geringere Menge (wahrscheinlich viel weniger als
3% der gesamten Masse) an AI2T1O5 kann sich gebildet
haben. Die prozentuale bleibende Änderung des spezifischen Widerstandes war ähnlich derjenigen der
Versuche A und C.
Leitfähigc Phase | Glasphase | BaTiO3 | R (Spezi | K(Span- | £ Rbleibend |
fischer | nungsbe- | (prozentuale | |||
Schicht | anspru- | bleibende | |||
wider | chung) | Widerstands | |||
stand) | änderung | ||||
(Gew.-%) | (Gew.-"/,) | (Oew.-%) | (Kiloohm/ | (V/mm) | |
Quadrat) |
Beispiel I
Beispiel 2
Beispiel 3
Beispiel 2
Beispiel 3
Pb2Ru2O6 (35,2)
Pb2Ru2O6, (28,6)
Pb^Ru2O6 (24,3)
Pb2Ru2O6, (28,6)
Pb^Ru2O6 (24,3)
Typ Λ (57,7) Typ A (64,3) Typ Λ (68.6) 7,1
7,1
7,1
7,1
110
J50
J50
875
700
1000
1000
1000
1000
1,5
2,0
0,6
2,0
0,6
I orlsclZunu
l.eitfahiiie !'hase
Kiew - ι
C il.i~.pli.ts
R ISpezi- I (Spanischer nungslio-Sehichl- anspruwidei-Chung)
stantli
(prnzenliiak·
hkibemle
Widerstands
.indemne
hkibemle
Widerstands
.indemne
(K il'.i
(V/mmi
Versuch Λ
\ L-rsueh H
\ ersuch C
\ L-rsueh H
\ ersuch C
Pb.Ru.O, (21.01
l'hRiiO,. (2λ(0
Pb Ru O I l').5)
l'hRiiO,. (2λ(0
Pb Ru O I l').5)
Typ Λ (7<).(i) 1 '.ρ Ii (76.4)
P.p \ (Sd.5) 0.0
523
700 | 14.0 |
700 | 12.0 |
1000 | I2.li |
Beispiele 4 bis 7
Vergleichs·.ersuch D(Tabelle III)
Vergleichs·.ersuch D(Tabelle III)
liier wurden Widerstände mit höherem spezifischen
l'kuicnwiderstand. als ihn die Widerstände der Tabelle
Il aufweisen, untersucht. Durchweg winde dieselbe
ienfähige Phase (Blciruilienat) verwendet, iedoch wurde
iler Titanatzusatzsioff variiert. Der letztere wurde in
dem gebrannten Widerstand bereit^este!!'. iüdeni der
Druckpaste ein TitanatpuKer /iigeset/t wurde (Bariiimtuaiiat
bei verschiedenen Niveaus in den Beispielen 4 und 5; Bleititanat in Beispiel 6): oder indem der Pas;e
Bleititanalzirconatpiilver zugesetzt wurde (Beispiel 7)
In Versuch D wurde eine nicht erfindungsgemäße Masse, nämlich Bleinithen.u. und das nichtkristallisierende
Cilas der Beispiele 4 bis 7. jedoch keine Titanate
üder Titanatbildner verwendet. Der spezifische .Schichtwiderstand
war jedoch ähnlich demjenigen der Massen der Beispiele 4 bis 7. In der Tabelle III worden
Stoffzusammensetzungen und Ergebnisse gezeigt.
BüTiOr/usatze von 7.3% und !4.3% (Beispiele 4
bzw. 5) zu Massen, welche Pb.-Ru^O,. und Bleialuminosilicatgias
enthalten, ergeben eine Abnahme der bleibenden Widerstandsänderung nach einer Spannungsheanspruchiinj,
bei 1000 V/mm von nahezn zwei Größenordnungen
gegenüber dem Vergleichsversuch D < hne BaTiO,.
In den Beispielen ft und 7 wird herausgestellt, daß
verbesserte Spannungseigenschaft'.ii auch mit Zusätzen
von anderen dielektrischen Materialien auf Titanatbasis, nämlich PbTiO ι und PZT. erhalten werden können.
!.■helle
Met. illtitan.it /ί ι Spezi- '■ (Span- .1 Α',ι . ,,
lecher nunüshe- ι ιτη/·.ιηΐΐ!.ι1
Schicht ansprii- ΜιίΚπιΙ-.·
uider- chungl ^uler>t.intl
slindl änderung)
I) | < ι ·. -.'. - . | i !".-Il | Typ | \ | I | '(,CU- | I | ι M jgjdhm | ' ι \ /nim) | 25.0 | |
4 | '2!.~i | T> P | A | Ouadr.it) | 0.3 | ||||||
\ ,rsuch | 5 | Pr-Ru-O. | 12 !.41 | Typ | A | <S2.h. | 1.00 | 1000 | Ί.3 | ||
Beispiel | 6 | Ph-P Li-O | 129.0) | Typ | A | ι "l.oi | BaTiO | ; (7.3) | 1.48 | 1000 | 1.7 |
l!.;|sp;;| | - | Ph RuO. | (29.0) | Typ | A | 'M.?i | BaTiO | ;. (14.3) | 2.58 | 1000 | 3.0 |
Beispiel | Pn:Ru;O, | !63.S) | PbTiO | ;, (7.2) | 1.70 | 1000 | |||||
Beispie! | Ph Ru,O. | (63.8) | PZT* > | (7.2) | 1.17 | 1000 | |||||
' ■■ P/ I ,der Blei/iri-i.na'.tiuna! hat d.c untefahre Zusamineniictzung Pb: ,.Zr. .--Ti,: ^-.
Beispiele 8 und 9
Vergleichsversuche E und F (Tabelle IV)
Vergleichsversuche E und F (Tabelle IV)
Die Wirksamkeit vor· Titanaten hinsichtlich der
Herabsetzung dtr bleibenden Änderung des spezifischen
Widerstandes nach einer Beanspruchung bei ti hoher Spannung unter Verwendung anderer pyrochlorverwandter
Oxide wird durch diese Beispiele und Versuche veranschaulicht Die Sioffrusarnmensetzungen
und Werte sind in der Tabelle IV wiedergegeben.
I oitHihige | 9 | (ila< | 25 13 | 844 | H (Spe/i- rscher Schicht wider stand) |
IO | '· ^Me.hen,I (prozentuale bleibende Widerstands änderung) |
I
{ |
|
!..belle IV | Kk-W.->l | Kiew | (Megaoh (Quadrat) |
||||||
Bi1Ru O Bi,Ru-O l'b:lr:O„ Pb-Ir-O,, |
PhiKo | Typ i"yp Ί yp |
lllJS-J | HaTiO-. | 1.67 1.84 |
I ι Span- nungshe- anspru- chiingi |
38,0 0.8 55,0 0,4 |
f | |
.·'■) | (Gew.-1·.) | n/ l\7ninii | |||||||
Versuch I Beispiel 8 Versuch I Beispiel 1J |
(21.Ol ■ (21Ui (36.2) (41.1) |
A I7').O| •\ (63.2) A K-3,8) A (53.4) |
".4 | 1000 K)OO 200 200 |
|||||
Beispiele 10und 11
Vergleichsversuche G und H (Tabelle V)
Vergleichsversuche G und H (Tabelle V)
Durch die Versuche G und H wird das Haupthindernis betont, das für die leichte Herstellung von Massen
mit hohem spezifischen Widerstand besteht. Ein sehr geringer Unterschied in der gewichtsprozentualen
Menge der leitfähigen Phase (1,3%) verursacht schon eine Änderung des Widerstandes um eine Größenordnung
(I bis IO Megaohm je Quadrat). Diese Eigenschaft ist für das Fehlen der Reprodiizierbarkeit bei der
Herstellung von Massen nut hohem spezifischen Widerstand verantwortlich.
In den Beispielen 10 und 11 zeigen Zusätze von BaTiOi, daß ein viel größerer Unterschied (9,8%) in der
Konzentration der leitfähigen Phase für die spezifischen Schichtwiderstände in diesem Bereich möglich ist.
Infolgedessen machen Bariumtitanatzusätze die Massen mit hohem spezifischen Widerstand viel weniger
empfindlich gegenüber der Pyrochlorkonzentration.
Libelle V | l.eitlahige l'ha-e | Gl.isphase | Hi-IiO1 | R (Spezi | Änderung |
fischer | in Gew.-". | ||||
Schicht | leitfahige | ||||
widerstand) | Phase " | ||||
(Gew.-'») | lGew.-\) | (Gew.-"-) | (Megaohm/ | ||
Quadrat) | |||||
Pb,Ru:0,,(l8.4) | Typ A (81,6) | _ | ι 1 | 1 1 | |
Versuch G | Pb2Ru2O6 (17,1) | Typ A (82.9) | - | 10/ | I ..» |
Versuch H | Pb2Ru1O, (41.2) | Typ Λ (51.4) | 7.4 | 98 | |
Beispiel 10 | Pb2Ru2O6 (31.4) | Typ A (61.2) | 7,4 | ιοί | |
Beispiel 11 | Vergleichsversuche J. K und L | Versuch K: | |||
Die einzigartige Wirkung von Metalltitanaten. die sich in der Verbesserung der Fähigkeit, Spannungen
auszuhalten, widerspiegelt, wird durch diese Versuche veranschaulicht, bei denen Wismutstannat, (Bi)^(SnO3)J,
Bleizirconat, PbZrO3 und Bleiniobat, PbNb2Oe verwendet
werden. Die Stoffzusammensetzungen und Werte sind:
Versuch J:
Pb2RiI2ObS1OW;
Glas vom Typ A, 633%;
Bi2(SnO3)S1Ta%;
R, 034 Megaohm/Quadrat;
Spannungsbeanspruchung, 1000 V/mm
,14,0%
Glas vom Typ A, 63,2%;
PbZrO3; 7,4%;
R, 187 Kiloohm/Quadrat;
Spannungsbeanspruchung, 700 V/mm
Versuch L:
Pb2Ru2O6,29,0%;
PbNb2O6,7,2%;
Claims (1)
1. Pulvermasse aus 10—50 Gew.-% an leitenden pyrochlorverwandten Oxiden der Formel
(MxBi2-J (MLRu2^)O7-,,
in der bedeuten:
M mindestens ein Metall aus der Gruppe Yttrium, Indium, Cadmium, Blei und Seltene Erdmetalle
mit Ordnungszahlen von 57 bis einschließlich 71, M' mindestens ein Metall aus der Gruppe Platin,
Titan, Zinn, Chrom, Rhodium, Iridium, Zirconium, Antimon und Germanium,
χ eine Zahl im Bereich von 0 bis 2,
y eine Zahl im Bereich von 0 bis 2 und
ζ eine Zahl im Bereich von 0 bis 1, die mindestens gleich etwa x/2 ist, wenn M ein zweiwertiges
Metall bedeutet,
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/455,364 US3974107A (en) | 1974-03-27 | 1974-03-27 | Resistors and compositions therefor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2513844A1 DE2513844A1 (de) | 1975-10-23 |
DE2513844C2 true DE2513844C2 (de) | 1982-05-13 |
Family
ID=23808491
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2513844A Expired DE2513844C2 (de) | 1974-03-27 | 1975-03-27 | Pulvermasse aus leitenden pyrochlorverwandten Oxiden und deren Verwendung |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3974107A (de) |
JP (1) | JPS5539883B2 (de) |
CA (1) | CA1043553A (de) |
DE (1) | DE2513844C2 (de) |
FR (1) | FR2266269B1 (de) |
GB (1) | GB1459167A (de) |
IT (1) | IT1034624B (de) |
NL (1) | NL171941C (de) |
SE (1) | SE401053B (de) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4124540A (en) * | 1976-11-04 | 1978-11-07 | Gte Sylvania Incorporated | Resistive electrical conductive coating for use in a cathode ray tube |
NL7800355A (nl) * | 1978-01-12 | 1979-07-16 | Philips Nv | Weerstandsmateriaal. |
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US4386257A (en) * | 1981-03-02 | 1983-05-31 | United Technologies Corporation | Alkali metal oxide free backers for energy beam drilling |
CA1173644A (en) * | 1981-07-06 | 1984-09-04 | Ashok N. Prabhu | Air-fireable thick film inks |
US4613539A (en) * | 1982-06-01 | 1986-09-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for doping tin oxide |
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US4707346A (en) * | 1982-06-01 | 1987-11-17 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for doping tin oxide |
JPS61237304A (ja) * | 1985-04-11 | 1986-10-22 | キヤノン株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
JPH0770370B2 (ja) * | 1989-06-01 | 1995-07-31 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜抵抗体形成用組成物 |
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US5439969A (en) * | 1993-04-21 | 1995-08-08 | James A. Bolton | Substrate-reactive coating composition |
US6399230B1 (en) * | 1997-03-06 | 2002-06-04 | Sarnoff Corporation | Multilayer ceramic circuit boards with embedded resistors |
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Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3495996A (en) * | 1966-05-13 | 1970-02-17 | Ibm | Ceramic composition,improved electronic devices employing same,and method of fabrication |
US3551195A (en) * | 1968-08-29 | 1970-12-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Resistor composition and article |
US3775347A (en) * | 1969-11-26 | 1973-11-27 | Du Pont | Compositions for making resistors comprising lead-containing polynary oxide |
US3583931A (en) * | 1969-11-26 | 1971-06-08 | Du Pont | Oxides of cubic crystal structure containing bismuth and at least one of ruthenium and iridium |
US3846829A (en) * | 1972-11-06 | 1974-11-05 | Caelus Memories Inc | Read-write servo track copy system |
-
1974
- 1974-03-27 US US05/455,364 patent/US3974107A/en not_active Expired - Lifetime
-
1975
- 1975-03-25 CA CA223,188A patent/CA1043553A/en not_active Expired
- 1975-03-26 SE SE7503541A patent/SE401053B/xx not_active IP Right Cessation
- 1975-03-26 JP JP3669275A patent/JPS5539883B2/ja not_active Expired
- 1975-03-26 IT IT21703/75A patent/IT1034624B/it active
- 1975-03-26 FR FR7509455A patent/FR2266269B1/fr not_active Expired
- 1975-03-26 GB GB1268675A patent/GB1459167A/en not_active Expired
- 1975-03-27 DE DE2513844A patent/DE2513844C2/de not_active Expired
- 1975-03-27 NL NLAANVRAGE7503735,A patent/NL171941C/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SE7503541L (de) | 1975-09-29 |
IT1034624B (it) | 1979-10-10 |
CA1043553A (en) | 1978-12-05 |
DE2513844A1 (de) | 1975-10-23 |
SE401053B (sv) | 1978-04-17 |
FR2266269A1 (de) | 1975-10-24 |
NL171941C (nl) | 1983-06-01 |
GB1459167A (en) | 1976-12-22 |
US3974107A (en) | 1976-08-10 |
NL7503735A (nl) | 1975-09-30 |
JPS50130813A (de) | 1975-10-16 |
JPS5539883B2 (de) | 1980-10-14 |
FR2266269B1 (de) | 1977-11-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
D2 | Grant after examination |