DE102008057987A1 - Widerstandsvorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents

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Abstract

Eine glasierte Metallschichtwiderstandsvorrichtung, die exzellent bezüglich der TCR-Charakteristika unter Verwendung eines wirtschaftlichen Grundkörpers, der Glas enthält, ist vorgesehen, und zwar durch Reduzieren der Beeinflussung der TCR-Charakteristika, die durch Glas, das in dem Grundkörper enthalten ist, bewirkt wird. Die Widerstandsvorrichtung weist einen Grundkörper 11 auf, der Glas enthält, eine erste Schutzschicht 12, die kein Glas enthält, gebildet auf einer Oberfläche von dem Grundkörper 11 und einen Dickschichtwiderstand 13, gebildet auf der ersten Schutzschicht 12. Durch Bilden der ersten Schutzschicht 12 auf einer Oberfläche von dem Grundkörper 11, der Glas enthält und durch Isolieren des Grundkörpers 11 der Glas enthält gegenüber dem Dickschichtwiderstand 13 aus Rutheniumoxid als primärer Komponente kann die Beeinflussung durch Glas, dass in dem Grundkörper 11 enthalten ist, auf den Dickschichtwiderstand 13 aus Rutheniumoxid unterdrückt werden und die Änderung von dem TCR-Wert von dem originalen Wert von dem Dickschichtwiderstand selbst kann unterdrückt werden.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung:
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine glasierte (glazed) Metallschichtwiderstandsvorrichtung, die mit einem Dickschichtwiderstand auf einem isolierenden Keramikgrundkörper wie beispielsweise Aluminiumoxid vorgesehen ist, und wobei der Dickschichtwiderstand geformt wird durch Beschichten einer Oberfläche von dem Grundkörper mit einer Dickschichtwiderstandpaste und Brennen.
  • Beschreibung der verwandten Technik
  • Der glasierte Metallschichtwiderstand ist ein Widerstand dessen Größe klein ist und dessen Widerstandswert bis zu einem hohen Widerstandswertbereich hergestellt werden kann. Der Widerstand ist sehr stabil gegenüber schweren bzw. schlimmen Umgebungen und Überlasten und der Widerstand wird umfangreich in verschiedenen elektronischen Ausrüstungen genutzt. Der glasierte Metallschichtwiderstand wird beispielsweise hergestellt durch Beschichten einer Oberfläche von einem säulenförmigen bzw. stängligen (columnar) Isolator wie beispielsweise Aluminiumoxid mit einer Dickschichtwiderstandspaste und Brennen der Paste zum Formen eines Dickschichtwiderstands aus Rutheniumoxid als primärer Komponente von der Oberfläche von dem säulenförmigen Isolator ( japanische offengelegte Patentveröffentlichung 6-310302 ).
  • Der Dickschichtwiderstand weist beispielsweise Rutheniumoxid (RuO2) und Glas auf und es ist bekannt, dass wenn das Glaselement zunimmt, dann der Widerstandswert von dem Dickschichtwiderstand höher wird und sich der TCR Wert von dem Dickschichtwiderstand zur Minusrichtung verschiebt. Aufgrund dieser Tatsache gibt es ein Problem, wenn der Dickschichtwiderstand auf einem Isolator der Glas enthält geformt wird, der Dickschichtwiderstand durch das Glas, das in dem Isolator enthalten ist, beeinflusst wird, und sich der TCR Wert von dem Dickschichtwiderstand zu einem schlechteren Wert verschiebt und zwar von dem originalen TCR Wert von dem Dickschichtwiderstandsmaterial (RuO2) selbst. Auch ist eine Menge an Glas, die in dem Grundkörper (Isolator) enthalten ist, nicht immer gleich. Deshalb da Effekte von Glas, das in dem Isolator enthalten ist, gegenüber dem Dickschichtwiderstand von jedem Grundkörper (Isolator) unterscheiden, ist es dann ziemlich schwierig gleiche Charakteristika unter Widerstandsvorrichtungen zu bilden, die durch den gleichen Prozess hergestellt werden. Da es von dem Widerstandswert von dem Widerstand erwartet wird von dem Widerstandswert von dem Dickschichtwiderstandsmaterial (RuO2) selbst höher zu sein, ist es dann auch erforderlich mehr Metallmaterial als bei gewöhnlichen Dickschichtwiderstandsmaterial zu nutzen.
  • Das Problem kann gelöst werden, durch Nutzen eines Isolators als einem Grundkörper, welcher kein Glas enthält, wobei jedoch der Isolator, der kein Glas enthält im Vergleich zu dem Isolator der Glas enthält viel teuerer ist und ein Kostenerhöhungsfaktor von der glasierten Metallschichtwiderstandsvorrichtung wird.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung ist vorgeschlagen worden im Hinblick auf die oben erwähnten Angelegenheiten. Ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist es eine glasierte Metallschichtwiderstandsvorrichtung vorzusehen, die bezüglich der TCR Charakteristika exzellent ist, und zwar mit Nutzen eines wirtschaftlichen Grundkörpers, der Glas enthält und durch Reduzieren von Einfluss auf TCR Charakteristika die durch Glas, das in dem Grundkörper enthalten ist, bewirkt wird.
  • Um das obige Ziel zu erreichen, ist die Widerstandsvorrichtung der vorliegenden Erfindung gekennzeichnet durch einen isolierenden Grundkörper der Glas enthält, eine erste Schutzschicht, die kein Glas enthält, gebildet auf einer Oberfläche von dem Grundkörper und einem Dickschichtwiderstand, gebildet auf der ersten Schutzschicht. Auch ist das Verfahren zum Herstellen der Widerstandsvorrichtung der vorliegenden Erfindung gekennzeichnet durch Präparieren eines isolierenden Grundkörpers der Glas enthält, Bilden einer ersten Schutzschicht aus Metalloxid auf einer Oberfläche von dem Isolator, Beschichten der Oberfläche vom Grundkörper mit Dickschichtpaste und Brennen der Paste zum Bilden eines Dickschichtwiderstands, Anbringen von Elektrodenkappen an beiden Enden von dem Grundkörper auf dem der Dickschichtwiderstand gebildet wird, zum Verbinden der Kappen mit dem Dickschichtwiderstand und Abgleichen des Dickschichtwiderstands um dessen Widerstandswert einzustellen.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung kann durch Bilden der ersten Schutzschicht auf einer Oberfläche von dem Grundkörper der Glas enthält und Isolieren des Grundkörpers der Glas enthält gegenüber dem Dickschichtwiderstand aus Rutheniumoxid als primärer Komponente, Einfluss von Glas welches in dem Grundkörper enthalten ist, gegenüber dem Dickschichtwiderstand aus Rutheniumoxid unterdrückt werden. Dann kann eine Änderung des Widerstandswerts und des TCR Werts von dem originalen Wert von dem Dickschichtwiderstand selbst unterdrückt werden. Deshalb kann eine glasierte Metallschichtwiderstandsvorrichtung hergestellt werden, unter Verwendung eines preiswerten Grundkörpers der Glas enthält, die Herstellungskosten niedrig hält, einen exzellenten TCR Wert besitzt, Charakteristikaänderungen zwischen vielen Produkten unterdrückt und die Nutzung der Menge an metallischem Material, das als Widerstandsmaterial genutzt wird, niederhaltend.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine Querschnittsansicht von einer glasierten Metallschichtwiderstandsvorrichtung von einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung und zwar entlang von Achsen in Längsrichtung von der Widerstandsvorrichtung;
  • 2 ist eine Querschnittsansicht von der Widerstandsvorrichtung entlang einer Oberfläche senkrecht zu der Achse in Längsrichtung an einem Mittenteil von der Widerstandsvorrichtung;
  • 3 ist ein Graph, der Verteilungen von TCR Werten von der Widerstandsvorrichtung unter Bedingungsfällen zeigt;
  • 4A bis 4F sind Querschnittsansichten, die Schritte der Herstellung von der Widerstandsvorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigen.
  • Die obigen und andere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung klarer werden, wenn man diese zusammen mit den begleitenden Zeichnungen betrachtet, welche ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel von der vorliegenden Erfindung mittels eines Beispiels darstellt.
  • Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsbeispiele.
  • Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. Gleiche oder entsprechende Teile oder Elemente werden in den Zeichnungen durchweg durch die gleichen Bezugszeichen bezeichnet.
  • Grundkörper 11 ist ein säulenförmiger bzw. stängliger Keramikisolator, welcher Aluminiumoxid und Glas aufweist. Das Verhältnis von Aluminiumoxid/Glas ist 50/50 oder 80/20 oder so weiter. Der Isolator, der Glas enthält, kann im Vergleich zu einem Isolator, der kein Glas enthält wesentlich günstiger gekauft werden. Als Isolator können auch andere Keramiken als Aluminumoxid wie beispielsweise Mullit, Cordierit und Steatit bzw. Speckstein genutzt werden, jedoch ist die Vorraussetzung, dass der Grundkörper 11 ein Keramikisolator ist der Glas enthält.
  • Die erste Schutzschicht 12 ist eine Schicht bzw. ein Film aus Metalloxid, welche Zinnoxid als primäre Komponente aufweist, und zwar gebildet auf der gesamten Oberfläche von dem Grundkörper 11. Außer Zinnoxid sind andere Metalloxide wie beispielsweise Nickeloxid, Wismutoxid und/oder dergleichen als additive Komponente zum Verbessern der Isolationsleistungsfähigkeiten enthalten. Die Dicke von der ersten Schutzschicht 12 ist mehr als 0,1 μm zum effektiven Unterdrücken einer Diffusion von Glas das in dem Grundkörper enthalten ist. Ferner, da es zu berücksichtigen ist, das Stellen von dicken Teilen und dünnen Teilen durch die Schicht gebildet werden können, ist es vorzuziehen, dass die Dicke von der ersten Schutzschicht 12 derart gebildet wird, das wenigstens ein Teil von der Schicht 12 dicker als 0,7 μm ist, zum Sicherstellen einer stabilen Isolationsleistungsfähigkeit. Es gibt keine obere Grenze von der Dicke von der Schicht 12 zum effektiven Unterdrücken der Diffusion von Glas, ungefähr 4 μm ist jedoch eine obere Grenze unter Designgesichtspunkten. Ferner wird Zinnoxid als die erste Schutzschicht genutzt, jedoch kann eine andere Metalloxidschicht als die Zinnoxidschicht genutzt werden. Bezüglich der Bedingung zum Ersetzen von Metalloxid anstelle von Zinnoxid ist vorzugsweise das Metalloxidmaterial die Hitze zum Brennen des Dickschichtwiderstands aus Rutheniumoxid als Hauptkomponente ertragen kann und dass das Material keinen Einfluss auf die Charakteristika von dem Dickschichtwiderstand aus Rutheniumoxid als Hauptkomponente ausübt. Als vorzuziehendes Material können beispielsweise aufgeführt werden Bi2O3, PbO, AgO, NiO, SeO2, HfO, Y2O3, ZnO, MgO, InO2, SrO, Ta2O5, TeO2, CdO, SiO2, GeO2, GaO2, Al2O3, ZrO2, BaO, CaO. Eine Art von Material oder mehr als zwei Arten von Material können aus den obigen für die erste Schutzschicht ausgeführt werden. Der Dickschichtwiderstand 13 wird gebildet durch Mischen von Rutheniumoxid RuO2 (oder einer Mischung als Rutheniumoxid RuO2 als Hauptkomponente und Silberoxid AgO als additiver Komponente) als leitendem Material und Glaspulver wie beispielsweise Borosilikatbleiglas, Hinzufügen eines organischen Trägerstoffs (Ethylzellulose enthaltende Butylgylkolacetatlösung (= ethyl cellulose contained butyl cellosolve acetate solution)), geknetet zum Bilden der Dickschichtwiderstandspaste, Beschichten der Paste auf eine Oberfläche von der ersten Schutzschicht 12 und Brennen der Paste bei 800–900°C. Der Dickschichtwiderstand 13 ist versehen mit einer geschnittenen Rinne 17 mittels eines Lasertrimmers oder eines Gummi-Cutters etc. und der Widerstand wird eingestellt auf beispielsweise eine ± 1% Genauigkeit. Ferner kann der Widerstandswert auf 100 kΩ–10 GΩ gesteuert werden und insbesondere eine Widerstandsvorrichtung mit höherem Widerstandswert kann gemäß dem Dickschichtwiderstand 13 hergestellt werden.
  • Elektrodenkappen 14, 14 werden an beiden Enden von dem Grundkörper 11 angebracht und mit beiden Enden von dem Dickschichtwiderstand 13 verbunden. Verbindungsleitungen 15, 15 werden an den Elektrodenkappen 14, 14 durch Widerstandsschweißen etc. angebracht und die Verbindungsleitungen besitzten eine Funktion zur Verbindung zwischen äußeren Schaltungen und dem Dickschichtwiderstand 13. Oberflächen von den Elektrodenkappen 14, 14 und den Dickschichtwiderstand 13 werden mit einer zweiten Schutzschicht 16 beispielsweise aus Siliziumfarbe, Epoxidfarbe etc. beschichtet und der Widerstandswert etc. wird auf der Oberfläche von der zweiten Schutzschicht 16 angezeigt (nicht gezeigt).
  • Gemäß der oben erwähnten glasierten Metallschichtwiderstandsvorrichtung kann, da der Grundkörper 11 Glas enthält und der Schichtwiderstand 13 aus Rutheniumoxid als primärer Komponente von einander isoliert sind durch die erste Schutzschicht 12, welche eine Metalloxidschicht aufweist, die aus einer oder mehreren Arten von Metalloxid, wie beispielsweise Zinnoxid etc. besteht, die Glaskomponente, die in dem Grundkörper 11 enthalten ist, effektiv gehindert werden am Diffundieren in den Dickschichtwiderstand 13. Hier ist der Dickschichtwiderstand 13 nicht durch das Glas das in dem Grundkörper 11 enthalten ist, beeinflusst und kann gute TCR Charakteristika halten, die das Material von dem Widerstand 13 ursprünglich besitzt.
  • Der in 3 gezeigt Graph zeigt die TCR Charakteristika von der glasierten Metallschichtwiderstandsvorrichtung unter verschiedenen Bedingungen. A in dem Graph zeigt eine Verteilung von TCR Werten von Rutheniumoxid selbst (Daten des Herstellers), welches in der Dickschichtwiderstandspaste enthal ten ist. B in dem Graph zeigt eine Verteilung von TCR Werten eines herkömmlichen glasierten Metallschichtwiderstands, welcher einen Isolator aus Aluminiumoxid/Glas im Verhältnis 80/20 nutzt und welcher die erste Schutzschicht aus Metalloxidschicht nicht besitzt. Wie in dem Graph gezeigt ist, verschieben sich im Gegensatz zu den TCR Werten von den Rutheniumoxid selbst (A), verteilt nahe bei 0 ppm/K, sich die TCR Werte von dem herkömmlichen glasierten Metallschichtwiderstand (B) zur Verteilung nahe bei –100 ppm/K durch die Beeinflussung der Diffusion von Glas, das in dem Grundkörper 11 enthalten ist.
  • Im Gegensatz dazu zeigt C in dem Graph eine Verteilung von den TCR Werten von den glasierten Metallschichtwiderstand der vorliegenden Erfindung, welcher einen Isolator nutzt, der Glas enthält mit einem Aluminum/Glasverhältnis von 80/20 und welcher die erste Schutzschicht 12 aus Metalloxidschicht besitzt. Wie in dem Graph gezeigt ist, sind die TCR Werte von dem glasierten Metallschichtwiderstand der vorliegenden Erfindung (C) verteilt, nahe bei +25 ppm/K, d. h. eine Verschiebung in Minusrichtung von den TCR Werten von dem glasierten Metallschichtwiderstand 13 durch Beeinflussung von Glas, das in dem Grundkörper 11 enthalten ist, wird in wirksamer Weise durch die erste Schutzschicht 12 verhindert.
  • Als nächstes wird das Verfahren des Herstellens des glasierten Metallschichtwiderstands der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die 4A bis 4F beschrieben. Zuerst wird der isolierende Grundkörper 11 wie in 4A gezeigt, vorbereitet. Der Grundkörper 11 ist ein säulenförmiger bzw. stängliger (columnar) Keramikisolator aus Aluminiumoxid etc. und das Aluminium-Glasverhältnis ist beispielsweise 50/50, 80/20 etc. und ein preiswerter Isolator, welcher viel Glas enthält, wird verwendet.
  • Als nächstes wird eine Lösung, welche Zinnchlorid (SnCl4) von 30–85% als primäre Komponente für die erste Schutzschicht, Metall (Nickel) von 0,01–5%, gelöst in Salzsäure, wie beispielsweise Nickelchlorid (NiCl2·6H2O) zum Verbessern der Isolierungsleistungsfähigkeit von der ersten Schutzschicht, Wasser, Ethanol und weiteres aufweist, vorbereitet. Dann wird der Grundkörper 11 in einen Ofen gegeben und vorgeheizt und die Lösung wird atomisiert bzw. versprüht und auf den Grundkörper 11 ausgestoßen bei einer Umgebung von 550 bis 850°C und 1–120 Minuten und die erste Schutzschicht 12, welche Zinnoxid als primäre Komponente und Nickeloxid als additive Komponente zum Verbessern der Isolierungsleistungsfähigkeit aufweist, wird auf der gesamten Oberfläche von dem Grundkörper 11 gebildet, wie in 4B gezeigt ist. Ferner kann als additive Komponente zum Verbessern der Isolationsleistungsfähigkeit von der ersten Schutzschicht Wismutoxid anstelle von Nickeloxid genutzt werden. Als nächstes wird der Dickschichtwiderstand 13 gebildet, wie in 4C gezeigt, und zwar durch Mischen von Rutheniumoxid RuO2 (oder eine Mischung aus Rutheniumoxid RuO2 als primärerer Komponente und Silberoxid AgO als additiver Komponente) als leitendem Material und Glaspulver wie beispielsweise hoher Silikatbleiglas, Hinzufügen eines organischen Trägerstoffs (Ethylzellulose enthalten in Butylglykolacetatlösung usw.), geknetet zum Bilden einer Dickschichtwiderstandspaste, Beschichten der Oberfläche von dem Grundkörper 11 mit der Paste und Brennen der Paste bei 800–900°C zum Bilden des Dickschichtwiderstands 13.
  • Als nächstes werden Elektrodenkappen 14, 14 an beiden Enden von dem Grundkörper 11, auf dem der Dickschichtwiderstand 13 gebildet ist, befestigt. Dementsprechend sind die Elektrodenkappen 14, 14 und der Dickschichtwiderstand 13 elektrisch verbunden, wie in 4D gezeigt ist. Dann, während der Widerstandswert zwischen den Elektrodenkappen 14, 14 gemessen wird, wird der Dickschichtwiderstand 13 durch einen Lasertrimmer etc. geschnitten zum Bilden der geschnittenen Rinne 17 und der Widerstandswert von der Widerstandsvorrichtung wird eingestellt. Zu dieser Zeit, wird ein Teil von der ersten Schutzschicht 12 mit einem Teil von dem Dickschichtwiderstand 13 weggeschnitten, wie in 4E gezeigt ist.
  • Als nächstes werden die Verbindungsleitungen 15, 15 an beiden Endflächen von den Elektrodenkappen 14, 14 durch Widerstandsschweißen etc. befestigt wie in 4F gezeigt ist. Die zweite Schutzschicht 16 wird gebildet durch Be schichten der Oberflächen von den Elektrodenkappen 14, 14 und dem Dickschichtwiderstand 13 mit Siliziumfarbe oder Epoxidfarbe etc., dann ist die glasierte Metallschichtwiderstandsvorrichtung, wie in 1 gezeigt, fertig. Danach wird ein Drucken, welches den Widerstandswert etc. zeigt, auf der Oberfläche von der zweiten Schutzschicht 16 ausgeführt und die Widerstandsvorrichtung wird über einen Charakteristika-Inspektionsprozess versendet.
  • Gemäß dem Verfahren des Herstellens der glasierten Metallschichtwiderstandsvorrichtung, wird eine erste Schutzschicht 12, welche Metalloxid aus Zinnoxid als primärer Komponente aufweist, auf der Oberfläche des Grundkörpers 11, der Glas enthält, durch Atomisieren bzw. Versprühen der Lösung gebildet, welche Zinnchlorid als primäre Komponente und ein anderes Metall (z. B. Nickel etc.) als additive Komponente, gelöst in Salzsäure enthält, und durch Erhitzen. Durch die erste Schutzschicht 12 wird Glas, das in dem Grundkörper 11 enthalten ist, daran gehindert in den Dickschichtwiderstand 13 zu Diffundieren und die Verschiebung des Widerstandswerts oder des TCR Werts der glasierten Metallschichtwiderstandsvorrichtung kann verhindert werden.
  • Ferner ist die erste Schutzschicht 12 aus Metalloxidschicht, welche Zinnoxid als primärer Komponente und Nickeloxid als additive Komponente aufweist, oben beschrieben worden. Eine andere Schutzschicht kann jedoch natürlich für die erste Schutzschicht 12 genutzt werden, welche eine Isolationsfähigkeit gegen die Diffusion von Glas, das in dem Grundkörper 11 enthalten ist, zu dem Dickschichtwiderstand 13 besitzt. Als Verfahren zum Bilden der ersten Schutzschicht 12 kann ein Sputter bzw. Aufspritzverfahren ein Vakuumverdampfungsverfahren oder ein Plattierungs- bzw. Beschichtungsverfahren etc. genutzt werden.
  • Obwohl bestimmte bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung gezeigt und im Detail beschrieben worden sind, sollte klar sein, dass verschiedene Änderungen und Modifikationen durchgeführt werden können, ohne vom Umfang der angehängten Ansprüche abzuweichen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - JP 6-310302 [0002]

Claims (17)

  1. Eine Widerstandsvorrichtung, die Folgendes aufweist: einen isolierenden Grundkörper, der Glas enthält; eine erste Schutzschicht, die kein Glas enthält, gebildet auf einer Oberfläche von dem Grundkörper; und einen Dickschichtwiderstand, gebildet auf der ersten Schutzschicht.
  2. Widerstandsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die erste Schutzschicht eine Metalloxidschicht aufweist.
  3. Widerstandsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Dicke von der ersten Schutzschicht 0,1 μm oder mehr ist.
  4. Widerstandsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Dickschichtwiderstand RuO2 als primäre Komponente aufweist.
  5. Widerstandsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die erste Schutzschicht ein Metalloxid oder mehrere Metalloxide aufweist und zwar ausgewählt aus SnO2, Bi2O3, PbO, AgO, NiO, SeO2, HfO, Y2O3, ZnO, MgO, InO2, SrO, Ta2O5, TeO2, CdO, SiO2, GeO2, GaO2, Al2O3, ZrO2, BaO und CaO.
  6. Widerstandsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die erste Schutzschicht eine Metalloxidschicht aufweist, die Zinnoxid als primäre Komponente und Nickeloxid oder Wismutoxid aufweist.
  7. Widerstandsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Grundkörper ein säulenförmiger bzw. stängliger (columnar) Keramikisolator ist, welcher Aluminiumoxid und Glas aufweist.
  8. Widerstandsvorrichtung nach Anspruch 7, wobei das Verhältnis von Aluminiumoxid/Glas von dem Grundkörper 50/50 oder 80/20 ist.
  9. Widerstandsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Widerstandsvorrichtung einen Widerstandswert eines höheren Widerstandswertbereichs besitzt und zwar in Bereich von 100 kΩ–10 GΩ.
  10. Ein Verfahren zum Herstellen einer Widerstandsvorrichtung, wobei das Verfahren Folgendes aufweist: Vorbereiten eines isolierenden Grundkörpers, der Glas enthält; Bilden einer ersten Schutzschicht aus Metalloxid auf einer Oberfläche von dem Grundkörper; Beschichten einer Oberfläche von der ersten Schutzschicht mit einer Dickschichtwiderstandspaste und Brennen der Paste zum Bilden eines Dickschichtwiderstands; Anbringen von Elektrodenkappen an beiden Enden von dem Grundkörper auf dem der Dickschichtwiderstand gebildet ist und Verbinden der Kappen mit dem Dickschichtwiderstand; und Trimmen bzw. Abstimmen des Dickschichtwiderstands um einen Widerstandswert von der Widerstandsvorrichtung einzustellen.
  11. Verfahren gemäß Anspruch 10, wobei die erste Schutzschicht gebildet wird durch: Atomisieren bzw. Versprühen einer Lösung, die Metallchlorid als primäre Komponente und einem Metall, das in Salzsäure gelöst ist, enthält und zwar auf den Grundkörper; und Erhitzen des Grundkörpers zum Bilden der ersten Schutzschicht, welche Metalloxid als primäre Komponente und ein anderes Metalloxid als additive Komponente enthält.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei die Lösung Zinnchlorid als primäre Komponente und Nickel oder Wismut in Salzsäure gelöst enthält.
  13. Verfahren nach Anspruch 10, wobei der Grundkörper ein säulenförmiger bzw. stängliger (columnar) Keramikisolator ist, welcher Aluminiumoxid und Glas aufweist.
  14. Verfahren gemäß Anspruch 10, wobei das Verhältnis von Aluminiumoxid/Glas von dem Grundkörper 50/50 oder 80/20 ist.
  15. Verfahren gemäß Anspruch 10, wobei der Dickschichtwiderstand RuO2 als primäre Komponente aufweist.
  16. Verfahren gemäß Anspruch 10, wobei die erste Schutzschicht eine Metalloxidschicht aufweist, die Zinnoxid als primäre Komponente und Nickeloxid oder Wismutoxid enthält.
  17. Verfahren gemäß Anspruch 10, wobei die Widerstandsvorrichtung einen Widerstandswert eines höheren Widerstandswertbereichs besitzt und zwar im Bereich von 100 kΩ–10 GΩ.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10162276C5 (de) * 2001-12-19 2019-03-14 Watlow Electric Manufacturing Co. Rohrförmiger Durchlauferhitzer und Heizplatte sowie Verfahren zu deren Herstellung
JP6054028B2 (ja) 2011-02-09 2016-12-27 ギガフォトン株式会社 レーザ装置および極端紫外光生成システム
CN102522177B (zh) * 2011-12-12 2013-07-17 陕西宝成航空仪表有限责任公司 多层复合膜电阻体制备方法
KR101365356B1 (ko) * 2012-11-09 2014-02-20 스마트전자 주식회사 저항기 및 그 제조방법
TWM450811U (zh) * 2012-12-13 2013-04-11 Viking Tech Corp 電阻元件
US10083781B2 (en) 2015-10-30 2018-09-25 Vishay Dale Electronics, Llc Surface mount resistors and methods of manufacturing same
JP6751621B2 (ja) * 2016-08-10 2020-09-09 Koa株式会社 巻線抵抗器、その製造方法および加工装置
JP6965543B2 (ja) * 2017-03-28 2021-11-10 住友金属鉱山株式会社 厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体用ペースト、及び厚膜抵抗体
RU2681521C2 (ru) * 2017-07-14 2019-03-07 Акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (АО "ОНИИП") Способ получения заданной конфигурации пленочных резисторов на основе тантала и его соединений
US10438729B2 (en) 2017-11-10 2019-10-08 Vishay Dale Electronics, Llc Resistor with upper surface heat dissipation

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06310302A (ja) 1993-04-21 1994-11-04 Koa Corp リード線付き抵抗器及びその製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3803528A (en) * 1972-06-29 1974-04-09 American Components Inc Hermetically sealed electrical resistor component
US4016527A (en) * 1975-09-25 1977-04-05 North American Philips Corporation Hermetically sealed film resistor
US4634514A (en) * 1985-02-14 1987-01-06 Ngk Insulators, Ltd. Electrochemical apparatus and method of manufacturing the same
JPH01130502A (ja) * 1987-11-17 1989-05-23 Murata Mfg Co Ltd チップ抵抗器
JPH04254301A (ja) * 1991-02-06 1992-09-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 抵抗体及びその製造方法
US5889459A (en) * 1995-03-28 1999-03-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Metal oxide film resistor
JP3266752B2 (ja) * 1995-03-29 2002-03-18 松下電器産業株式会社 金属酸化物皮膜抵抗器
JP3560518B2 (ja) * 1999-10-15 2004-09-02 タクマン電子株式会社 抵抗器
JP4746768B2 (ja) * 2001-06-04 2011-08-10 コーア株式会社 抵抗器およびその製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06310302A (ja) 1993-04-21 1994-11-04 Koa Corp リード線付き抵抗器及びその製造方法

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