DE2946753C2 - - Google Patents

Info

Publication number
DE2946753C2
DE2946753C2 DE2946753A DE2946753A DE2946753C2 DE 2946753 C2 DE2946753 C2 DE 2946753C2 DE 2946753 A DE2946753 A DE 2946753A DE 2946753 A DE2946753 A DE 2946753A DE 2946753 C2 DE2946753 C2 DE 2946753C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
tantalum
particles
material mixture
resistance
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE2946753A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2946753A1 (de
Inventor
Kenneth Malcolm Gladwyne Pa. Us Merz
Howard Edwin Philadelphia Pa. Us Shapiro
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Northrop Grumman Space and Mission Systems Corp
Original Assignee
TRW Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TRW Inc filed Critical TRW Inc
Publication of DE2946753A1 publication Critical patent/DE2946753A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2946753C2 publication Critical patent/DE2946753C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/065Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
    • H01C17/06506Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
    • H01C17/06513Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/065Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
    • H01C17/06506Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
    • H01C17/06573Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the permanent binder
    • H01C17/0658Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the permanent binder composed of inorganic material
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49082Resistor making

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft eine Materialmischung für einen elektrischen Widerstand, aus diesem hergestellte elektrische Widerstände sowie ein Verfahren zur Herstellung derselben.
Seit einiger Zeit hat ein Glasurmaterial als elektrisches Widerstandsmaterial zunehmend Verwendung gefunden, das aus in einer Glasschicht fein verteilten elektrisch leitenden Teilchen besteht. Das Widerstands-Glasurmaterial ist als Belag auf der Oberfläche eines Substrats aus elektrisch isolierendem gewöhnlich keramischem Material aufgebracht. Die Glasschicht entsteht beim Brennen, wobei eine Glasfritte zum Schmelzen gebracht wird. Nach der Abkühlung ergibt sich ein Glasüberzug, in welchem leitende Teilchen dispergiert sind.
Da ein Bedarf an elektrischen Widerständen mit niedrigem Widerstandswert sowie einem weiten Einstellbereich von Widerstandswerten besteht, ist es erwünscht, glasartige Widerstandsmaterialien verfügbar zu haben, welche die Herstellung derartiger Widerstände ermöglichen. Es ist jedoch ebenfalls erwünscht, daß die Widerstandsmaterialien einen niedrigen Widerstands-Temperaturkoeffizienten haben, damit die hergestellten Widerstände bei Temperaturschwankungen relativ stabil bleiben.
Aus der DE-OS 20 46 746 ist ein glasartiges Widerstandsmaterial bekannt in dem ein leicht verfügbares und billiges leitendes Material, nämlich eine Kupfer-Nickel-Legierung, als leitende Phase fein dispers verteilt ist. Diese Widerstände sind zwar über weite Bereiche von Widerstandswerten einstellbar, sind jedoch bei längerem Betrieb nicht genügend stabil in ihren elektrischen Eigenschaften.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, aus vergleichsweise billigen Ausgangsstoffen elektrische Widerstände herzustellen, mit denen einerseits niedrige Widerstandswerte und andererseits ein relativ weiter Bereich von Widerstandswerten eingestellt werden können und die relativ niedrige Widerstands-Temperaturkoeffizienten haben. Das gebrannte Widerstandsmaterial soll dabei mit billigem Kupfer und hoch stabilen Nickelanschlüssen kompatibel sein.
Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Materialmischung gemäß Anspruch 1, einen elektrischen Widerstand gemäß Anspruch 5 und ein Verfahren zu seiner Herstellung gemäß Anspruch 6. Die Materialmischung kann außerdem jeweils einen Zuschlagsstoff, nämlich verteilte Teilchen aus Titan, Bor, Tantalpentoxid (Ta₂O₅), Titanoxid (TiO), Bariumperoxid (BaO₂), Zirkoniumdioxid (ZrO₂), Wolframtrioxid (WO₃), Ditantalmononitrid (Ta₂N), Titannitrid (TiN), Molybdändisilizid (MoSi₂) oder Magnesiumsilikat (MgSiO₃), bis zu einem Anteil von 50 Gew.-% der Tantalteilchen enthalten.
Zwar wurden bereits gemäß US-PS 33 94 087 Widerstände aus in Glas verteiltem Tantalnitrid (TaN) und Tantal hergestellt, jedoch sind diese bekannten Widerstände mit Nickel-Dickschichtanschlüssen nicht kompatibel, welche zur Schaffung der Stabilität unter hohen Brenntemperaturen erforderlich sind. In der DE-OS 26 50 466 sind Anschlußmaterialien angegeben, die speziell für elektrische Glaswiderstände geeignet und mit diesen kompatibel sind. Durch diese Materialien werden jedoch die Anschlüsse wesentlich teurer, als die bekannten stabilen Kupfer- und Nickeldickschichtanschlüsse.
Die Erfindung hingegen stellt eine Materialmischung, mit der ein glasartiges Widerstandsmaterial erhältlich ist, zur Verfügung, das mit den herkömmlichen, billigen und stabilen Kupfer- und Nickeldickschichtanschlüssen verträglich ist.
Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
Im folgenden wird die Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. Dabei werden Beispiele für die Zusammensetzung und Eigenschaften des Widerstandsmaterials gegeben.
Die einzige Figur der Zeichnung zeigt eine Schnittansicht eines Teils eines aus dem erfindungsgemäßen Widerstandsmaterial hergestellten elektrischen Widerstands.
Das glasartige Überzugswiderstandsmaterial wird durch Brennen einer Mischung aus einer Glasfritte und einer leitenden Phase aus feinen Tantalteilchen erhalten. Das Tantal kann in der Mischung mit einem Anteil von 28 bis 77 Gew.-% enthalten sein, vorzugsweise ist es in einem Anteil von 30 bis 73 Gew.-% enthalten. Die Materialmischung kann auch jeweils einen Zuschlagsstoff, nämlich Titan, Bor, Tantalpentoxid (Ta₂O₅), Titanoxid (TiO), Bariumperoxid (BaO₂), Zirkoniumdioxid (ZrO₂), Wolframtrioxid (WO₃), Ditantalmononitrid (Ta₂N), Titannitrid (TiN), Molybdändisilizid (MoSi₂) oder Magnesiumsilikat (MgSiO₃) in einem Anteil bis zu 50 Gew.-% der Tantalteilchen enthalten. Jeder dieser Zuschlagsstoffe erhöht generell den spezifischen Flächenwiderstand des Widerstandsmaterials.
Die dabei verwendete Glasfritte kann eine beliebige bekannte Zusammensetzung haben, wie sie zur Herstellung glasartiger Überzugswiderstandsmassen Verwendung finden, soweit die Glasfritte einen Schmelzpunkt unterhalb desjenigen von Tantal hat. Vorzugsweise wird jedoch eine Borosilikatfritte, insbesondere eine Erdalkali-Borosilikatfritte, z. B. eine Barium-, Magnesium- oder Kalzium-Borosilikatfritte verwendet. Die Herstellung derartiger Fritten ist bekannt und erfolgt beispielsweise dadurch, daß die Bestandteile des Glases in Form der Oxyde der Bestandteile gemeinsam geschmolzen werden und die Schmelze zur Bildung der Fritte in Wasser geschüttet wird. Die Bestandteile der Charge können natürlich in jeder Verbindung vorliegen, welche unter den üblichen Bedingungen der Frittenherstellung zu den gewünschten Oxyden führt. So wird beispielsweise Boroxyd aus Borsäure, Siliziumdioxyd aus Flint, Bariumoxyd aus Bariumkarbonat usw. gewonnen. Die grobe Fritte wird vorzugsweise in einer Kugelmühle vermahlen, um die Teilchengröße der Fritte zu vermindern und eine im wesentlichen gleichmäßige Teilchengröße der Fritte zu erzielen.
Die erfindungsgemäße Materialmischung wird vorzugsweise durch Vermischen der Glasfritte und der Tantalteilchen in den geeigneten Anteilen hergestellt. Bei Verwendung eines Zuschlagstoffes wird auch dieser der Mischung zugegeben. Die Mischung erfolgt vorzugsweise durch Kugelvermahlung der Bestandteile in einem organischen Medium, zum Beispiel in Butylkarbitolazetaten.
Zur Herstellung eines Widerstands mit der erfindungsgemäßen Materialmischung wird letzteres in gleichmäßiger Schichtdicke auf der Oberfläche eines Substrats aufgetragen, an welchem zuvor Anschlüsse, z. B. Kupfer- oder Nickel-Dickfilmanschlüsse im Siebdruck mit nachfolgendem Brennen angebracht worden sind. Das Substrat kann ein Körper aus einem beliebigen Material sein, das den Brenntemperaturen des Widerstandsmaterials standhält. In der Regel ist das Substrat ein Körper aus einem Isoliermaterial, z. B. einem keramischen, Glas-, Porzellan-, Steatit-, Bariumtitanat- oder Aluminiumoxyd-Material. Das Widerstandsmaterial kann durch Aufbürsten, Tauchen, Sprühen oder im Siebdruckverfahren aufgebracht werden. Das mit dem Widerstandsmaterial beschichtete Substrat wird sodann in einem herkömmlichen Ofen bei einer Temperatur gebrannt, bei der die Glasfritte zum Schmelzen kommt. Das Widerstandsmaterial wird vorzugsweise in einer Inertatmosphäre, z. B. in Argon, Helium oder Stickstoff gebrannt. Die besondere verwendete Brenntemperatur hängt von der Schmelztemperatur der verwendeten Glasfritte ab. Wenn das Substrat und das Widerstandsmaterial abgekühlt sind, härtet die Glasurmasse ab, und das Widerstandsmaterial haftet bleibend an dem Substrat.
Die Figur zeigt einen insgesamt mit 10 bezeichneten Widerstand, der ein keramisches Substrat 12 aufweist, das auf einer Oberfläche mit zwei in gegenseitigem Abstand angeordneten Anschlußschichten 14 aus einem Anschlußmaterial und einer Widerstandsmaterialschicht 20 versehen ist. Die Widerstandsmaterialschicht 20 enthält eine Glasschicht 16, in der fein verteilte Tantalteilchen 22 und eventuelle Zusätze gleichmäßig eingebettet und dispergiert sind.
Im folgenden werden Beispiele zur Erläuterung der Erfindung angegeben.
Beispiel I
Es wurden Materialmischungs-Chargen durch Zusammenmischung von pulverförmigem Tantal und einer Glasfritte in der Zusammensetzung von 42 Gew.-% Bariumoxyd (BaO), 24 Gew.-% Boroxyd (B₂O₃) und 34 Gew.-% Siliziumdioxyd (SiO₂) hergestellt. Es wurden dabei Tantalteilchen verwendet, welche von NRC, Inc., Newton, Massachusetts unter der Produktbezeichnung (grade) SGV-4 hergestellt werden. Jede Charge enthielt einen unterschiedlichen Anteil an Tantal entsprechend Tabelle I. Jede der Chargen wurde in Butylkarbitolazetat kugelvermahlen.
Nach dem Entfernen des flüssigen Trägermediums aus der Charge wurde das Restgemisch mit einem Siebdruckträger gemischt, der aus 39 Gew.-% Butylmethacrylat und 61 Gew.-% Butylkarbitolazetat bestand, soweit nicht anders angegeben. Die Materialmischungen wurden im Siebdruckverfahren auf keramische Substrate aufgebracht, die auf einer Oberfläche mit beabstandeten Anschlüssen aus einer Kupferglasur mit der Bezeichnung ESL 2310, hergestellt von Electro Science Laboratories, Inc., Pennsauken, New Jersey, versehen und bei 950°C gebrannt worden sind. Nach dem Trocknen bei 150°C für 10 bis 15 Minuten wurden die beschichteten Substrate danach in einem Durchlaufofen bei 1000°C über eine halbe Stunde in einer Stickstoffatmosphäre gebrannt. Die Widerstandswerte der sich ergebenden Widerstände wurden gemessen, und die Widerstände wurden bezüglich ihrer Widerstands- Temperaturkoeffizienten untersucht. Die Widerstände wurden ferner einem Leerlauftest bei 175°C unterzogen. Die Ergebnisse dieser Untersuchungen sind in Tabelle I gezeigt, wobei jedes Ergebnis den Mittelwert aus der Untersuchung einer Vielzahl von aus jeder Charge gewonnenen Widerständen darstellt.
Tabelle I
Beispiel II
Es wurden Materialmischungs-Chargen in der gleichen Weise wie beim Beispiel I hergestellt, mit der Ausnahme, daß sie die in Tabelle II angegebenen Anteile von Tantal enthielten und Tantalteilchen mit der Bezeichnung (grade) SGQ-1, hergestellt von NRC, Inc., verwendet wurden. Die Widerstände wurden aus den Materialmischungs-Chargen in der gleichen Weise wie beim Beispiel I hergestellt, und die Untersuchungsergebnisse der Widerstände sind in Tabelle II gezeigt.
Tabelle II
Beispiel III
Materialmischungschargen wurden in der gleichen Weise wie beim Beispiel I hergestellt, mit der Ausnahme, daß sie die in Tabelle III angegebenen Anteile von Tantal enthielten und die Anschlüsse auf den Substraten aus einer Nickelglasur mit der Bezeichnung Cermalloy Ni 7328 von Bala Electronics Corp., West Conshohocken, Pennsylvania, aufgebracht und bei 1000°C gebrannt wurden. Es wurden Widerstände in der beim Beispiel I beschriebenen Weise hergestellt, mit der Ausnahme, daß bei dem ersten Beispiel*) die beschichteten Substrate bei 1100°C gebrannt wurden und die Zusammensetzung der Glasfritte 44 Gew.-% Siliziumdioxyd (SiO₂), 29 Gew.-% Boroxyd (B₂O₃), 14,4 Gew.-% Aluminiumoxyd (Al₂O₃), 10,4 Gew.-% Magnesiumoxyd (MgO) und 2,2 Gew.-% Kalziumoxyd (CaO) war. Die Untersuchungsergebnisse der Widerstände sind in Tabelle III gezeigt.
Tabelle III
Beispiel IV
Es wurden Materialmischungschargen in der gleichen Weise wie beim Beispiel II hergestellt, mit der Ausnahme, daß sie die in Tabelle IV angegebenen Tantalanteile enthielten und die Anschlüsse auf den Substraten aus Nickelglasur mit der Bezeichnung Cermalloy Ni 7328 von Bala Electronics Corporation angebracht und bei 1000°C gebrannt wurden. Die Widerstände wurden aus Chargen in der anhand des Beispiels I beschriebenen Weise hergestellt. Die Untersuchungsergebnisse der Widerstände sind in Tabelle IV gezeigt.
Tabelle IV
Beispiel V
Es wurden Materialmischungschargen in der gleichen Weise wie beim Beispiel I hergestellt, mit der Ausnahme, daß sie die in Tabelle V angegebenen Tantalanteile enthielten. Widerstände wurden aus den Chargen in der gleichen Weise wie beim Beispiel I hergestellt, mit der Ausnahme, daß die beschichteten Substrate bei 950°C gebrannt wurden. Die Untersuchungsergebnisse der Widerstände sind in Tabelle V gezeigt.
Tabelle V
Beispiel VI
Es wurden Materialmischungschargen in der gleichen Weise wie beim Beispiel I hergestellt, mit der Ausnahme, daß sie die in Tabelle VI angegebenen Tantalanteile enthielten. Widerstände wurden aus den Chargen in der gleichen Weise wie beim Beispiel I hergestellt, mit der Ausnahme, daß die beschichteten Substrate bei 1025°C gebrannt wurden. Die Untersuchungsergebnisse der Widerstände sind in Tabelle VI gezeigt.
Tabelle VI
Beispiel VII
Es wurden Materialmischungschargen in der gleichen Weise wie beim Beispiel I hergestellt, mit der Ausnahme, daß Titanteilchen der Glasfritte beigemischt und Tantalteilchen in den in Tabelle VII gezeigten Anteilen verwendet wurden. Die Widerstände wurden in der gleichen Weise wie beim Beispiel I hergestellt. Die Untersuchungsergebnisse der Widerstände sind in Tabelle VII gezeigt.
Tabelle VII
Beispiel VIII
Die Materialmischungschargen wurden in der gleichen Weise wie beim Beispiel II hergestellt, mit der Ausnahme, daß der Glasfritte und den Tantalteilchen Titanteilchen in den Anteilen gemäß Tabelle VIII beigemischt wurden. Die Widerstände wurden in der gleichen Weise wie beim Beispiel II hergestellt, mit der Ausnahme, daß als Siebdruckträger 37 Gew.-% Poly (αMethylstyrol), 30 Gew.-% Igepol CO 430 und 33 Gew.-% Amsco HSB verwendet wurde. Die Untersuchungsergebnisse der Widerstände sind in Tabelle VIII gezeigt.
Tabelle VIII
Beispiel IX
Es wurden Materialmischungschargen in der gleichen Weise wie beim Beispiel VIII hergestellt, mit der Ausnahme, daß die Teilchen aus Titan mit der Glasfritte und den Tantalteilchen in den in Tabelle IX angegebenen Anteilen vermischt wurden. Die Widerstände wurden in der gleichen Weise wie beim Beispiel VIII hergestellt, mit der Ausnahme, daß die Anschlüsse auf den Substraten aus einer Nickelglasur mit der Bezeichnung Cermalloy Ni 7328 von Bala Electronics Corporation angebracht und bei 1000°C gebrannt wurden. Die Untersuchungsergebnisse der Widerstände sind in Tabelle IX gezeigt.
Tabelle IX
Beispiel X
Es wurden Materialmischungschargen in der gleichen Weise wie beim Beispiel I hergestellt, mit der Ausnahme, daß jede Charge neben der Glasfritte und den Tantalteilchen Teilchen aus Tantalpentoxyd (Ta₂O₅), Titanoxyd (TiO) oder Bariumperoxyd (BaO₂) enthielt. Die Widerstände wurden in der gleichen Weise wie beim Beispiel I hergestellt. Die Untersuchungsergebnisse der Widerstände sind in Tabelle X gezeigt.
Tabelle X
Beispiel XI
Es wurden Materialmischungschargen in der gleichen Weise wie beim Beispiel I hergestellt, mit der Ausnahme, daß Borteilchen der Glasfritte und den Tantalteilchen in dem in Tabelle XI angegebenen Anteil beigemischt wurden. Die Widerstände wurden in der beim Beispiel I beschriebenen Weise hergestellt. Die Untersuchungsergebnisse der Widerstände sind in Tabelle XI gezeigt.
Tabelle XI
Beispiel XII
Es wurden Materialmischungschargen in der gleichen Weise wie beim Beispiel I hergestellt, mit der Ausnahme, daß Ditantalmononitridteilchen (Ta₂N) der Glasfritte und den Tantalteilchen in den in Tabelle XII gezeigten Anteil zugegeben wurden, und als Siebdruckträger 20 Gew.-% Butylmethacrylat, 30 Gew.-% Butylkarbitolazetat, 1 Gew.-% Äthylzellulose und 49 Gew.-% Texanol Esteralkohol verwendet wurde. Die Widerstände wurden in der anhand Beispiel I beschriebenen Weise hergestellt. Die Untersuchungsergebnisse der Widerstände sind in Tabelle XII gezeigt.
Tabelle XII
Beispiel XIII
Es wurden Materialmischungschargen in der gleichen Weise wie beim Beispiel I hergestellt, mit der Ausnahme, daß Teilchen aus Titannitrid (TiN) der Glasfritte und den Tantalteilchen in den in Tabelle XIII gezeigten Anteilen beigemischt wurden. Die Widerstände wurden in der gleichen Weise wie beim Beispiel I hergestellt. Die Untersuchungsergebnisse der Widerstände sind in Tabelle XIII gezeigt.
Tabelle XIII
Beispiel XIV
Es wurden Materialmischungschargen in der gleichen Weise wie beim Beispiel I hergestellt, mit der Ausnahme, daß Teilchen aus Molybdändisilizid (MoSi₂), Zirkondioxyd (ZrO₂), Magnesiumsilikat (MgSiO₃) oder Wolframtrioxyd (WO₃) mit der Glasfritte und den Tantalteilchen in den in Tabelle XIV gezeigten Anteilen vermischt wurden. Die Widerstände wurden in der beim Beispiel I beschriebenen Weise hergestellt. Die Untersuchungsergebnisse der Widerstände sind in Tabelle XIV gezeigt.
Tabelle XIV
Aus den vorstehenden Beispielen ist zu sehen, wie die elektrischen Eigenschaften des erfindungsgemäßen elektrischen Widerstandes durch Variationen der Zusammenarbeit der Materialmischung in der Widerstandsherstellung beeinflußt werden können. Beispiele I, II, III und IV zeigen die Einflüsse von geänderten Verhältnissen der leitenden Phase aus Tantal und der Glasfritte. Beispiele I, V und VI zeigen die Effekte veränderter Brenntemperatur. Beispiele VII, VIII und IX zeigen die Einflüsse der Beimischung von Titan zur leitenden Phase, während das Beispiel X den Einfluß des Zusatzes von Tantalpentoxyd, Titanoxyd oder Bariumperoxyd zur leitenden Phase zeigt. Die Wirkungen des Zusatzes von Bor oder Ditantalmononitrid (Ta₂N) zur leitenden Phase sind in den Beispielen XI und XII dargestellt, während die Beispiele XIII und XIV die Einflüsse des Zusatzes von Titannitrid, Molybdändisilizid, Zirkondioxyd, Magnesiumsilikat oder Wolframtrioxyd zeigen. Alle Beispiele zeigen eine relativ hohe Stabilität der Widerstände für Kupfer- und Nickelanschlüsse. Die Stabilität des Widerstands ergibt sich auch aus dem Widerstands-Temperaturkoeffizienten, der überwiegend im Bereich von ±300 Teilen pro Million pro °C liegt, und die Widerstands-Temperaturkoeffizienten liegen innerhalb von etwa ±200 ppm pro °C für Tantalteilchen mit den jeweils angegebenen pulverförmigen Zusatzstoffen. Eine Änderung des Widerstandes (ΔR) bei der Leerlauf- bzw. lastlos -Prüfung über 1000 Stunden bei 175°C betrug nur 0,01% und war kleiner als 1% für die meisten Widerstandsbeispiele. Die Tabellen veranschaulichen auch den weiten Bereich der einstellbaren spezifischen Widerstände und die niedrigen spezifischen Widerstände, die bei den beispielgemäßen elektrischen Widerständen im Bereich von etwa 6 Ohm/Quadrat bis 5000 Ohm/Quadrat liegen, wobei immer noch eine hohe Stabilität gegeben ist. Die Widerstände nach der Erfindung können aus billigem Material hergestellt werden und sind auf unterschiedliche spezifische Widerstände bei hoher Temperaturstabilität einstellbar, wobei sie außerdem die Anschlußmöglichkeit an die billigen Materialien Kupfer und Nickel bieten.

Claims (6)

1. Materialmischung für einen elektrischen Widerstand, die aus einer Mischung aus einer Glasfritte mit darin fein verteilten leitenden Teilchen besteht, dadurch gekennzeichnet, daß die leitenden Teilchen aus Tantalteilchen bestehen.
2. Materialmischung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Tantal in einem Anteil von 28 bis 77 Gew.-% enthalten ist.
3. Materialmischung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Tantal in einem Anteil von 30 bis 73 Gew.-% enthalten ist.
4. Materialmischung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Mischung neben den Tantalteilchen jeweils einen Zuschlagsstoff in Form von Teilchen aus der aus Titan, Bor, Tantalpentoxid (Ta₂O₅), Titanoxid (TiO), Bariumperoxid (BaO₂), Zirkoniumdioxid (ZrO₂), Wolframtrioxid (WO₃), Ditantalmononitrid (Ta₂N), Titannitrid (TiN), Molybdändisilizid (MoSi₂) und Magnesiumsilikat (MgSiO₃) bestehenden Gruppe enthält, wobei die Zuschlagsstoffe in einem Anteil bis zu 50 Gew.-% der Tantalteilchen enthalten sind.
5. Elektrischer Widerstand aus einem keramischen Substrat und einer auf einer Oberfläche des Substrats angebrachten Glasur-Widerstandsschicht, die durch Brennen der Materialmischung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4 entsteht.
6. Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Widerstandes, bei dem eine Materialmischung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4 hergestellt, die Mischung als Schicht auf die Oberfläche eines aus elektrisch isolierendem Material bestehenden Substrats aufgebracht, das beschichtete Substrat in einer inerten Atmosphäre bei einer Temperatur, bei der die Glasfritte zum Schmelzen kommt, gebrannt und schließlich das beschichtete Substrat abgekühlt wird.
DE19792946753 1978-11-20 1979-11-20 Widerstandsmaterial, elektrischer widerstand und verfahren zur herstellung desselben Granted DE2946753A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/962,235 US4209764A (en) 1978-11-20 1978-11-20 Resistor material, resistor made therefrom and method of making the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2946753A1 DE2946753A1 (de) 1980-05-29
DE2946753C2 true DE2946753C2 (de) 1990-10-31

Family

ID=25505581

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19792946753 Granted DE2946753A1 (de) 1978-11-20 1979-11-20 Widerstandsmaterial, elektrischer widerstand und verfahren zur herstellung desselben

Country Status (9)

Country Link
US (1) US4209764A (de)
JP (1) JPS55108702A (de)
AU (1) AU525326B2 (de)
DE (1) DE2946753A1 (de)
DK (1) DK487179A (de)
FR (1) FR2441909A1 (de)
GB (1) GB2038104B (de)
IN (1) IN154027B (de)
SE (1) SE7909499L (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005050638A1 (de) * 2005-10-20 2007-06-06 Epcos Ag Elektrisches Bauelement

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4340508A (en) * 1979-01-29 1982-07-20 Trw Inc. Resistance material, resistor and method of making the same
US4299887A (en) * 1979-05-07 1981-11-10 Trw, Inc. Temperature sensitive electrical element, and method and material for making the same
US4386460A (en) * 1981-05-14 1983-06-07 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method of making multi-megohm thin film resistors
JPS59230773A (ja) * 1983-06-14 1984-12-25 Kyocera Corp サ−マルヘツド
JPH0647291B2 (ja) * 1984-08-17 1994-06-22 京セラ株式会社 サ−マルヘツド
US4645621A (en) * 1984-12-17 1987-02-24 E. I. Du Pont De Nemours And Company Resistor compositions
US4657699A (en) * 1984-12-17 1987-04-14 E. I. Du Pont De Nemours And Company Resistor compositions
US4652397A (en) * 1984-12-17 1987-03-24 E. I. Du Pont De Nemours And Company Resistor compositions
US4655965A (en) * 1985-02-25 1987-04-07 Cts Corporation Base metal resistive paints
DE3536268A1 (de) * 1985-10-11 1987-04-16 Bayer Ag Flaechenheizelemente
JP2531980B2 (ja) * 1989-02-10 1996-09-04 昭栄化学工業株式会社 導電性複合粉末及びその粉末を用いた抵抗組成物
DE69020127T2 (de) * 1989-12-29 1995-10-26 Fujitsu Ltd Josephson-integrierte Schaltung mit einem Widerstandselement.
US5567358A (en) * 1993-01-26 1996-10-22 Sumitomo Metal Mining Company Limited Thick film resistor composition
US5463367A (en) * 1993-10-14 1995-10-31 Delco Electronics Corp. Method for forming thick film resistors and compositions therefor
JPH09120713A (ja) * 1995-10-25 1997-05-06 Murata Mfg Co Ltd 抵抗材料組成物
US20050062585A1 (en) * 2003-09-22 2005-03-24 Tdk Corporation Resistor and electronic device
US7241663B2 (en) * 2005-04-19 2007-07-10 Texas Instruments Incorporated Maskless multiple sheet polysilicon resistor
JP2020198404A (ja) * 2019-06-05 2020-12-10 住友金属鉱山株式会社 厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体用ペースト、および厚膜抵抗体

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3394087A (en) * 1966-02-01 1968-07-23 Irc Inc Glass bonded resistor compositions containing refractory metal nitrides and refractory metal
DE2350466A1 (de) * 1973-10-08 1975-04-24 Interatom Verfahren zum metallisieren einer sauerstoff-ionen leitenden keramik mit wolfram, molybdaen oder niob
JPS5212399A (en) * 1975-07-14 1977-01-29 Fumie Wada Reducing method of free formaldehyde leaved in fiber
US4053866A (en) * 1975-11-24 1977-10-11 Trw Inc. Electrical resistor with novel termination and method of making same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005050638A1 (de) * 2005-10-20 2007-06-06 Epcos Ag Elektrisches Bauelement
DE102005050638B4 (de) 2005-10-20 2020-07-16 Tdk Electronics Ag Elektrisches Bauelement

Also Published As

Publication number Publication date
DE2946753A1 (de) 1980-05-29
AU525326B2 (en) 1982-10-28
GB2038104B (en) 1983-09-28
FR2441909A1 (fr) 1980-06-13
GB2038104A (en) 1980-07-16
US4209764A (en) 1980-06-24
AU5290579A (en) 1980-06-12
SE7909499L (sv) 1980-07-03
FR2441909B1 (de) 1984-11-16
IN154027B (de) 1984-09-08
JPS55108702A (en) 1980-08-21
DK487179A (da) 1980-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2946753C2 (de)
DE2655085C2 (de)
DE2912402C2 (de)
DE2746320C2 (de) Kupfer-Glas-Stoffzusammensetzung und ihre Verwendung
DE2347709C3 (de) Dielektrische Masse
DE2609356A1 (de) Widerstandsmaterial sowie aus ihm hergestellter widerstand und verfahren zu seiner herstellung
EP0000864B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Dickfilm-Varistoren
DE1596851A1 (de) Widerstandsmaterial und aus diesem Widerstandsmaterial hergestellter Widerstand
DE2330381C3 (de) Feinzerteilte, beim Wärmebehandeln einen dichten Glaskeramikkörper bildende Glasmasse zur Erzielung von Mehrschicht-Schaltungsanordnungen mit niedrigen Dielektrizitätskonstanten
DE2714196C3 (de) Beschichtetes Aluminiumoxidsubstrat und Pulvergemisch zur Beschichtung solcher Substrate
DE602005001305T2 (de) Dickschichtwiderstandspaste und ein Dickschichtwiderstand
DE2154898A1 (de) Nicht reduzierbare teilweise kristallisierte Überkreuzungsdielektrika und Gläser zu deren Herstellung
DE2650465A1 (de) Anschluss fuer elektrische bauelemente, insbesondere fuer elektrische widerstaende und verfahren zur herstellung desselben
DE69205557T2 (de) Zusammensetzung für Dickschicht-Widerstand.
DE3016412C2 (de)
DE3226340C2 (de)
DE2640316A1 (de) Material fuer einen elektrischen widerstand und verfahren zur herstellung eines widerstandes
DE602005001242T2 (de) Eine Dickschicht-Widerstandspaste, ein Dickschicht-Widerstand hergestellt unter Verwendung der Dickschicht-Widerstandspaste und eine elektronische Vorrichtung umfassend den Dickschicht-Widerstand
DE2946679C2 (de)
DE2714220B2 (de) Beschichtetes Aluminiumoxidsubstrat und Pulvergemisch zur Beschichtung von solchen Substraten
DE1496544B2 (de) Elektrischer widerstand aus einem keramischen koerper und einer glasigen widerstandsschicht
EP0551100B1 (de) Teilweise kristallisierbare niedrigschmelzende Glaszusammensetzung
DE69212010T2 (de) Teilweise kristallisierbare Glaszusammensetzungen
DE2835562C2 (de)
DE1465704B2 (de) Widerstandsmasse zu. aufbrennen auf keramische widerstands koerper

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition