JPH09120713A - 抵抗材料組成物 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｃｕ電極などを形成するセラミック基板（特
に低温焼結基板）と同時に焼成することが可能で、セラ
ミック多層基板（特に低温焼結多層基板）内に良好な特
性を有する内蔵抵抗を効率よく形成することが可能な抵
抗材料組成物を提供する。 【解決手段】 ＶＡ属及びVIＡ属元素の窒化物の少なく
とも１種を主成分とする。また、ＶＡ属及びVIＡ属元素
の窒化物の少なくとも１種と、無機バインダとを配合し
て用いる。また、ＶＡ属及びVIＡ属元素の窒化物とし
て、ＮｂＮ、ＴａＮ及びＣｒ2Ｎの少なくとも１種を用
いる。さらに、窒化物（抵抗材料）と無機バインダと
を、重量比で、１００〜５０：０〜５０の割合で配合し
て用いる。また、前記無機バインダとして、Ｂ−Ｓｉ−
Ｂａ−Ｃａ−Ａｌ系ガラスフリット及びセラミック基板
を構成する材料と略同一組成の共素地系酸化物の少なく
とも１種を用いる。
に低温焼結基板）と同時に焼成することが可能で、セラ
ミック多層基板（特に低温焼結多層基板）内に良好な特
性を有する内蔵抵抗を効率よく形成することが可能な抵
抗材料組成物を提供する。 【解決手段】 ＶＡ属及びVIＡ属元素の窒化物の少なく
とも１種を主成分とする。また、ＶＡ属及びVIＡ属元素
の窒化物の少なくとも１種と、無機バインダとを配合し
て用いる。また、ＶＡ属及びVIＡ属元素の窒化物とし
て、ＮｂＮ、ＴａＮ及びＣｒ2Ｎの少なくとも１種を用
いる。さらに、窒化物（抵抗材料）と無機バインダと
を、重量比で、１００〜５０：０〜５０の割合で配合し
て用いる。また、前記無機バインダとして、Ｂ−Ｓｉ−
Ｂａ−Ｃａ−Ａｌ系ガラスフリット及びセラミック基板
を構成する材料と略同一組成の共素地系酸化物の少なく
とも１種を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、抵抗材料組成物に
関し、詳しくは、中性又は還元性雰囲気中でセラミック
基板（特に低温焼結基板）と同時に焼成することが可能
な抵抗材料組成物に関する。
関し、詳しくは、中性又は還元性雰囲気中でセラミック
基板（特に低温焼結基板）と同時に焼成することが可能
な抵抗材料組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】アルミ
ナやジルコニアなどからなるセラミック基板には、通
常、種々の電子部品を搭載することができるように、電
極や抵抗などの回路パターンが形成されており、電極
は、通常、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ合金などの貴金属ペースト
をスクリーン印刷し、空気中で焼き付けることにより形
成されている。
ナやジルコニアなどからなるセラミック基板には、通
常、種々の電子部品を搭載することができるように、電
極や抵抗などの回路パターンが形成されており、電極
は、通常、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ合金などの貴金属ペースト
をスクリーン印刷し、空気中で焼き付けることにより形
成されている。
【０００３】また、製品を小型化するために、基板材料
を積層化して導体を内部に立体的に配置することにより
高密度化を図った多層基板が開発されている。しかし、
従来のアルミナ基板（高温焼結基板）を用いて配線内層
・積層化を行う場合には、アルミナ基板の焼結温度が高
いため、導体材料としてＷ（タングステン）、Ｍｏ（モ
リブデン）などの比抵抗の大きい高融点金属を使用する
ことが必要になる。その結果、形成される抵抗体の抵抗
値が高くなり、用途が制約されるというような問題点が
ある。
を積層化して導体を内部に立体的に配置することにより
高密度化を図った多層基板が開発されている。しかし、
従来のアルミナ基板（高温焼結基板）を用いて配線内層
・積層化を行う場合には、アルミナ基板の焼結温度が高
いため、導体材料としてＷ（タングステン）、Ｍｏ（モ
リブデン）などの比抵抗の大きい高融点金属を使用する
ことが必要になる。その結果、形成される抵抗体の抵抗
値が高くなり、用途が制約されるというような問題点が
ある。
【０００４】そこでこのような問題点を解決する目的
で、１０００℃以下の低温で焼結することが可能で、Ａ
ｇ、Ａｇ−Ｐｄなどの電極材料を内蔵させることが可能
な基板（例えば、セラミックとガラスからなる複合基板
などの低温焼結基板）が用いられるようになっている。
で、１０００℃以下の低温で焼結することが可能で、Ａ
ｇ、Ａｇ−Ｐｄなどの電極材料を内蔵させることが可能
な基板（例えば、セラミックとガラスからなる複合基板
などの低温焼結基板）が用いられるようになっている。
【０００５】また、これらの低温焼結基板に用いられる
電極材料としては、上記のＡｇ、Ａｇ−Ｐｄなどの貴金
属材料のほかに、Ｃｕ、Ｎｉ系などの卑金属材料が用い
られるようになってきている。
電極材料としては、上記のＡｇ、Ａｇ−Ｐｄなどの貴金
属材料のほかに、Ｃｕ、Ｎｉ系などの卑金属材料が用い
られるようになってきている。
【０００６】なお、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ系の電極を用いて
多層基板を形成する場合、通常は、空気中において基板
と電極の同時焼成が行われ、Ｃｕ、Ｎｉ系の電極を用い
て多層基板を形成する場合には、通常、中性あるいは還
元雰囲気中において基板と電極の同時焼成が行われる。
多層基板を形成する場合、通常は、空気中において基板
と電極の同時焼成が行われ、Ｃｕ、Ｎｉ系の電極を用い
て多層基板を形成する場合には、通常、中性あるいは還
元雰囲気中において基板と電極の同時焼成が行われる。
【０００７】したがって、Ｃｕ、Ｎｉ系の電極を用いる
低温焼結多層基板を製造する場合に、内部に抵抗体を形
成する（すなわち、抵抗を内蔵化する）ために用いられ
る抵抗材料組成物（抵抗ペースト）もまた、中性あるい
は還元性雰囲気中で焼付けできるものであることが望ま
しい。
低温焼結多層基板を製造する場合に、内部に抵抗体を形
成する（すなわち、抵抗を内蔵化する）ために用いられ
る抵抗材料組成物（抵抗ペースト）もまた、中性あるい
は還元性雰囲気中で焼付けできるものであることが望ま
しい。
【０００８】ところで、現在では、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ系
の導電ペーストを用いて電極を形成する場合の抵抗形成
用材料としては、例えば、ＲｕＯ2系の抵抗材料組成物
が提案されており、また、Ｃｕ、Ｎｉ系の導電ペースト
を用いて電極を形成する場合の抵抗形成用材料として
は、ＭｏＳｉ2−ＴａＳｉ2、モリブデン酸塩などの抵抗
材料組成物が提案されているが、いまだ、低温焼結多層
基板と同時に焼成することにより所望の特性を有する内
蔵抵抗を形成することが可能で十分な実用性を有する抵
抗材料組成物は得られていないのが実情である。
の導電ペーストを用いて電極を形成する場合の抵抗形成
用材料としては、例えば、ＲｕＯ2系の抵抗材料組成物
が提案されており、また、Ｃｕ、Ｎｉ系の導電ペースト
を用いて電極を形成する場合の抵抗形成用材料として
は、ＭｏＳｉ2−ＴａＳｉ2、モリブデン酸塩などの抵抗
材料組成物が提案されているが、いまだ、低温焼結多層
基板と同時に焼成することにより所望の特性を有する内
蔵抵抗を形成することが可能で十分な実用性を有する抵
抗材料組成物は得られていないのが実情である。
【０００９】本発明は、上記問題点を解決するものであ
り、Ｃｕ電極などを形成するセラミック基板（特に低温
焼結基板）と同時に焼成することが可能で、セラミック
多層基板（特に低温焼結多層基板）内に幅広い抵抗値範
囲を有する抵抗体を形成することが可能な抵抗材料組成
物を提供することを目的とする。
り、Ｃｕ電極などを形成するセラミック基板（特に低温
焼結基板）と同時に焼成することが可能で、セラミック
多層基板（特に低温焼結多層基板）内に幅広い抵抗値範
囲を有する抵抗体を形成することが可能な抵抗材料組成
物を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の抵抗材料組成物は、ＶＡ属及びVIＡ属元素
の窒化物の少なくとも１種を主成分として含有すること
を特徴としている。
に、本発明の抵抗材料組成物は、ＶＡ属及びVIＡ属元素
の窒化物の少なくとも１種を主成分として含有すること
を特徴としている。
【００１１】また、ＶＡ属及びVIＡ属元素の窒化物の少
なくとも１種を主成分とし、これに無機バインダを配合
してなることを特徴としている。
なくとも１種を主成分とし、これに無機バインダを配合
してなることを特徴としている。
【００１２】さらに、セラミック基板に抵抗体を形成す
るために用いられる抵抗材料組成物であって、ＶＡ属及
びVIＡ属元素の窒化物の少なくとも１種を主成分として
含有することを特徴としている。
るために用いられる抵抗材料組成物であって、ＶＡ属及
びVIＡ属元素の窒化物の少なくとも１種を主成分として
含有することを特徴としている。
【００１３】さらにまた、セラミック基板に抵抗体を形
成するために用いられる抵抗材料組成物であって、ＶＡ
属及びVIＡ属元素の窒化物の少なくとも１種を主成分と
し、これに無機バインダを配合してなることを特徴とし
ている。
成するために用いられる抵抗材料組成物であって、ＶＡ
属及びVIＡ属元素の窒化物の少なくとも１種を主成分と
し、これに無機バインダを配合してなることを特徴とし
ている。
【００１４】さらにまた、前記ＶＡ属及びVIＡ属元素の
窒化物が、ＮｂＮ及びＴａＮ及びＣｒ2Ｎの少なくとも
１種であることを特徴としている。
窒化物が、ＮｂＮ及びＴａＮ及びＣｒ2Ｎの少なくとも
１種であることを特徴としている。
【００１５】さらにまた、前記窒化物と前記無機バイン
ダとを、重量比で、 窒化物 ：５０〜１００（但し、１００を含まず） 無機バインダ：５０以下（但し、０を含まず） の割合で含有することを特徴としている。
ダとを、重量比で、 窒化物 ：５０〜１００（但し、１００を含まず） 無機バインダ：５０以下（但し、０を含まず） の割合で含有することを特徴としている。
【００１６】さらにまた、前記無機バインダは、Ｂ−Ｓ
ｉ−Ｂａ−Ｃａ−Ａｌ系ガラスフリット及びセラミック
基板を構成する材料と略同一組成の共素地系酸化物の少
なくとも１種であることを特徴としている。
ｉ−Ｂａ−Ｃａ−Ａｌ系ガラスフリット及びセラミック
基板を構成する材料と略同一組成の共素地系酸化物の少
なくとも１種であることを特徴としている。
【００１７】なお、本発明の抵抗材料組成物において
は、無機バインダが抵抗値を変化させる機能を果すの
で、前記窒化物（抵抗材料）と無機バインダの配合割合
を所定の範囲内で変化させることにより、Ｃｕ電極など
を形成する低温焼結多層基板などに所望の抵抗値を有す
る抵抗体を形成することが可能になる。
は、無機バインダが抵抗値を変化させる機能を果すの
で、前記窒化物（抵抗材料）と無機バインダの配合割合
を所定の範囲内で変化させることにより、Ｃｕ電極など
を形成する低温焼結多層基板などに所望の抵抗値を有す
る抵抗体を形成することが可能になる。
【００１８】また、本発明の抵抗材料組成物に関して
は、それを用いて抵抗体を形成する対象であるセラミッ
ク基板の種類に特別の制約はないが、例えば、ＢａＯ：
３０重量％、Ａｌ2Ｏ3：５重量％、ＳｉＯ2：６０重量
％、ＣａＯ：２重量％、Ｂ2Ｏ3：３重量％、の組成を有
するような低温焼結基板（以下、Ａ基板と略称する）
や、例えば、ＢａＯ：１５重量％、ＳｒＯ：１５重量
％、ＳｉＯ2：３０重量％、ＺｒＯ2：３０重量％、Ａｌ
2Ｏ3：１０重量％、の組成を有するような低温焼結基板
（以下、Ｂ基板と略称する）などに抵抗体を形成するの
に用いた場合に、基板と同時に焼成して良好な特性を有
する抵抗体を形成することが可能になり、特に有意義で
ある。なお、例えば、上記Ａ基板の焼成は、窒素をキャ
リアガスとし、酸素及び水素を微量含有させた窒素−水
蒸気雰囲気（Ｎ2：９９．７〜９９．８％）中、８５０
〜１０００℃の条件で仮焼、焼成されるが、本発明の抵
抗材料組成物は、このような多層焼結基板と同時焼成す
ることができる。
は、それを用いて抵抗体を形成する対象であるセラミッ
ク基板の種類に特別の制約はないが、例えば、ＢａＯ：
３０重量％、Ａｌ2Ｏ3：５重量％、ＳｉＯ2：６０重量
％、ＣａＯ：２重量％、Ｂ2Ｏ3：３重量％、の組成を有
するような低温焼結基板（以下、Ａ基板と略称する）
や、例えば、ＢａＯ：１５重量％、ＳｒＯ：１５重量
％、ＳｉＯ2：３０重量％、ＺｒＯ2：３０重量％、Ａｌ
2Ｏ3：１０重量％、の組成を有するような低温焼結基板
（以下、Ｂ基板と略称する）などに抵抗体を形成するの
に用いた場合に、基板と同時に焼成して良好な特性を有
する抵抗体を形成することが可能になり、特に有意義で
ある。なお、例えば、上記Ａ基板の焼成は、窒素をキャ
リアガスとし、酸素及び水素を微量含有させた窒素−水
蒸気雰囲気（Ｎ2：９９．７〜９９．８％）中、８５０
〜１０００℃の条件で仮焼、焼成されるが、本発明の抵
抗材料組成物は、このような多層焼結基板と同時焼成す
ることができる。
【００１９】なお、窒化物（抵抗材料）と無機バインダ
の配合割合は、重量比で、窒化物（抵抗材料）１００〜
５０（但し、１００を含まず）に対して無機バインダ０
〜５０（但し、０を含まず）の範囲とすることが好まし
い。これは、無機バインダの配合割合が５０を越える
と、抵抗値が急激に増加して１ＧΩ以上となり、実用可
能な抵抗値を有する抵抗体が得られなくなることによ
る。
の配合割合は、重量比で、窒化物（抵抗材料）１００〜
５０（但し、１００を含まず）に対して無機バインダ０
〜５０（但し、０を含まず）の範囲とすることが好まし
い。これは、無機バインダの配合割合が５０を越える
と、抵抗値が急激に増加して１ＧΩ以上となり、実用可
能な抵抗値を有する抵抗体が得られなくなることによ
る。
【００２０】また、本発明の抵抗材料組成物において
は、無機バインダとして、Ｂ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｃａ−Ａｌ
系ガラスフリット及びセラミック基板を構成する材料と
略同一組成の共素地系酸化物の少なくとも１種を用いる
ことにより、所望の大きさの抵抗値を有する抵抗体を形
成することができるという本発明の効果をより確実に奏
させることが可能になる。なお、Ｂ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｃａ
−Ａｌ系ガラスフリットとしては、さらにＮｂ（ニオ
ブ）やＫ（カリウム）などの酸化物を含有させたものを
用いることも可能である。
は、無機バインダとして、Ｂ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｃａ−Ａｌ
系ガラスフリット及びセラミック基板を構成する材料と
略同一組成の共素地系酸化物の少なくとも１種を用いる
ことにより、所望の大きさの抵抗値を有する抵抗体を形
成することができるという本発明の効果をより確実に奏
させることが可能になる。なお、Ｂ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｃａ
−Ａｌ系ガラスフリットとしては、さらにＮｂ（ニオ
ブ）やＫ（カリウム）などの酸化物を含有させたものを
用いることも可能である。
【００２１】なお、本発明の抵抗材料組成物を用いる場
合、セラミック基板と同時に焼成する場合における焼成
温度を９５０〜１０００℃の範囲で変化させることによ
り、得られる抵抗体の抵抗値レベルを調整することがで
きる。
合、セラミック基板と同時に焼成する場合における焼成
温度を９５０〜１０００℃の範囲で変化させることによ
り、得られる抵抗体の抵抗値レベルを調整することがで
きる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の実施例を示してその特徴とす
るところをさらに詳しく説明する。
るところをさらに詳しく説明する。
【００２３】ＢａＯ：３０重量％、Ａｌ2Ｏ3：５重量
％、ＳｉＯ2：６０重量％、ＣａＯ：２重量％、Ｂ
2Ｏ3：３重量％の組成を有するＡ基板（低温焼結基板）
のグリーンシート上に、Ｃｕ粉末と有機ビヒクルを混練
してなる導電ペーストと、ＶＡ属及びVIＡ属元素の窒化
物（ＮｂＮ、ＴａＮ及びＣｒ2Ｎ）（抵抗材料）と無機
バインダを含有する抵抗材料組成物に有機ビヒクルを添
加、混練してなる抵抗ペーストを印刷した。
％、ＳｉＯ2：６０重量％、ＣａＯ：２重量％、Ｂ
2Ｏ3：３重量％の組成を有するＡ基板（低温焼結基板）
のグリーンシート上に、Ｃｕ粉末と有機ビヒクルを混練
してなる導電ペーストと、ＶＡ属及びVIＡ属元素の窒化
物（ＮｂＮ、ＴａＮ及びＣｒ2Ｎ）（抵抗材料）と無機
バインダを含有する抵抗材料組成物に有機ビヒクルを添
加、混練してなる抵抗ペーストを印刷した。
【００２４】なお、この実施例においては、上記抵抗材
料組成物として、表１に示すような割合で、上記ＶＡ属
及びVIＡ属元素の窒化物（抵抗材料）と、無機バインダ
（Ｋ 2ＯとＮｂ2Ｏ5を添加したＢ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｃａ−
Ａｌ系ガラスフリット（組成比：Ｂ2Ｏ3２５．９重量
％、ＳｉＯ2１９．５重量％、ＢａＯ２８．５重量％、
ＣａＯ５．８重量％、Ａｌ2Ｏ3１０．０重量％、Ｋ2Ｏ
２．８重量％、Ｎｂ2Ｏ5７．５重量％）及び／又は低温
焼結基板を構成する材料と略同一組成の共素地系酸化
物）を配合してなる抵抗材料組成物を用いた。
料組成物として、表１に示すような割合で、上記ＶＡ属
及びVIＡ属元素の窒化物（抵抗材料）と、無機バインダ
（Ｋ 2ＯとＮｂ2Ｏ5を添加したＢ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｃａ−
Ａｌ系ガラスフリット（組成比：Ｂ2Ｏ3２５．９重量
％、ＳｉＯ2１９．５重量％、ＢａＯ２８．５重量％、
ＣａＯ５．８重量％、Ａｌ2Ｏ3１０．０重量％、Ｋ2Ｏ
２．８重量％、Ｎｂ2Ｏ5７．５重量％）及び／又は低温
焼結基板を構成する材料と略同一組成の共素地系酸化
物）を配合してなる抵抗材料組成物を用いた。
【００２５】
【表１】
【００２６】それから、このグリーンシートを打ち抜
き、積層、圧着した後、この積層体を窒素をキャリアガ
スとし、酸素及び水素を微量含有させた窒素−水蒸気雰
囲気（Ｎ2：９９．７〜９９．８％）中、８５０〜１０
００℃の条件で仮焼、焼成することにより、電極や抵抗
が内蔵された低温焼結多層基板を形成した。
き、積層、圧着した後、この積層体を窒素をキャリアガ
スとし、酸素及び水素を微量含有させた窒素−水蒸気雰
囲気（Ｎ2：９９．７〜９９．８％）中、８５０〜１０
００℃の条件で仮焼、焼成することにより、電極や抵抗
が内蔵された低温焼結多層基板を形成した。
【００２７】なお、この実施例では、低温焼結多層基板
の所定の位置にスルーホールを形成することにより内部
の抵抗体などとの導通を得た。
の所定の位置にスルーホールを形成することにより内部
の抵抗体などとの導通を得た。
【００２８】それから、このようにして形成した抵抗体
の抵抗値を測定した。その結果を表１に併せて示す。な
お、表１において、試料番号に*印を付したものは、本
発明の範囲外の比較例である。
の抵抗値を測定した。その結果を表１に併せて示す。な
お、表１において、試料番号に*印を付したものは、本
発明の範囲外の比較例である。
【００２９】表１に示すように、本発明の実施例の抵抗
材料組成物を用いた場合には、実用可能な抵抗値を有す
る抵抗体が得られることがわかる。また、無機バインダ
として、Ｂ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｃａ−Ａｌ系ガラスフリット
と共素地系酸化物の両方を含有させた場合（試料番号
４，１０，１６）には、試料番号３，９，１５と比較し
て抵抗値が小さくなることがわかる。
材料組成物を用いた場合には、実用可能な抵抗値を有す
る抵抗体が得られることがわかる。また、無機バインダ
として、Ｂ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｃａ−Ａｌ系ガラスフリット
と共素地系酸化物の両方を含有させた場合（試料番号
４，１０，１６）には、試料番号３，９，１５と比較し
て抵抗値が小さくなることがわかる。
【００３０】なお、上記実施例においては、ＶＡ属及び
VIＡ属元素の窒化物として、ＮｂＮ、ＴａＮ及びＣｒ2
Ｎを用いた場合について説明したが、ＶＡ属及びVIＡ属
元素の窒化物としては、これら以外の元素の窒化物を用
いることも可能である。
VIＡ属元素の窒化物として、ＮｂＮ、ＴａＮ及びＣｒ2
Ｎを用いた場合について説明したが、ＶＡ属及びVIＡ属
元素の窒化物としては、これら以外の元素の窒化物を用
いることも可能である。
【００３１】また、上記実施例では、ガラスフリットと
して、各成分を上記の比率で含有する、Ｋ2ＯとＮｂ2Ｏ
5を添加したＢ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｃａ−Ａｌ系ガラスフリ
ットを用いた場合について説明したが、ガラスフリット
はこれに限らず、上記各成分の組成比の異なるガラスフ
リットや、例えば、Ｂ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｃａ−Ｎｂ系、Ｂ
−Ｓｉ−Ｚｎ−Ａｌ系などの成分の異なる他の種類のガ
ラスフリットを用いることにより特性を変化させること
も可能である。
して、各成分を上記の比率で含有する、Ｋ2ＯとＮｂ2Ｏ
5を添加したＢ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｃａ−Ａｌ系ガラスフリ
ットを用いた場合について説明したが、ガラスフリット
はこれに限らず、上記各成分の組成比の異なるガラスフ
リットや、例えば、Ｂ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｃａ−Ｎｂ系、Ｂ
−Ｓｉ−Ｚｎ−Ａｌ系などの成分の異なる他の種類のガ
ラスフリットを用いることにより特性を変化させること
も可能である。
【００３２】なお、本発明は、さらにその他の点におい
ても上記実施例に限定されるものではなく、発明の要旨
の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可
能である。
ても上記実施例に限定されるものではなく、発明の要旨
の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可
能である。
【００３３】
【発明の効果】上述のように、本発明の抵抗材料組成物
は、ＶＡ属及びVIＡ属元素の窒化物の少なくとも１種
（抵抗材料）を主成分とし、また、これに無機バインダ
（ガラスフリットなど）を添加して抵抗値を変化させる
ようにしているので、窒化物（抵抗材料）と無機バイン
ダの配合割合を所定の範囲で変化させることにより、他
の特性を劣化させることなく所望の抵抗値を有する抵抗
体を形成することが可能になる。
は、ＶＡ属及びVIＡ属元素の窒化物の少なくとも１種
（抵抗材料）を主成分とし、また、これに無機バインダ
（ガラスフリットなど）を添加して抵抗値を変化させる
ようにしているので、窒化物（抵抗材料）と無機バイン
ダの配合割合を所定の範囲で変化させることにより、他
の特性を劣化させることなく所望の抵抗値を有する抵抗
体を形成することが可能になる。
【００３４】また、本発明の抵抗材料組成物は、中性又
は還元性雰囲気中で焼成することが可能であるととも
に、Ｃｕ電極などを形成するセラミック多層基板（低温
焼結多層基板など）の内部に配設した状態で基板と同時
に焼成して、その内部に抵抗体を形成する（すなわち、
抵抗を内蔵化する）ことができるため、回路基板の小型
化を図ることが可能になると同時に、セラミック多層基
板（特に低温焼結多層基板）を製造する場合の製造工程
を簡略化して、製造コストを低減することが可能にな
る。
は還元性雰囲気中で焼成することが可能であるととも
に、Ｃｕ電極などを形成するセラミック多層基板（低温
焼結多層基板など）の内部に配設した状態で基板と同時
に焼成して、その内部に抵抗体を形成する（すなわち、
抵抗を内蔵化する）ことができるため、回路基板の小型
化を図ることが可能になると同時に、セラミック多層基
板（特に低温焼結多層基板）を製造する場合の製造工程
を簡略化して、製造コストを低減することが可能にな
る。
【００３５】また、本発明の抵抗材料組成物を用いて抵
抗を内蔵化したセラミック多層基板においては、抵抗体
が内部に封入されるため、抵抗体の耐久性が向上すると
いう効果が得られる。
抗を内蔵化したセラミック多層基板においては、抵抗体
が内部に封入されるため、抵抗体の耐久性が向上すると
いう効果が得られる。
【００３６】また、本発明の抵抗材料組成物において
は、ＶＡ属及びVIＡ属元素の窒化物として、ＮｂＮ、Ｔ
ａＮ及びＣｒ2Ｎの少なくとも１種を用いることによ
り、本発明の効果を確実に奏させることが可能になる。
は、ＶＡ属及びVIＡ属元素の窒化物として、ＮｂＮ、Ｔ
ａＮ及びＣｒ2Ｎの少なくとも１種を用いることによ
り、本発明の効果を確実に奏させることが可能になる。
【００３７】さらに、本発明の抵抗材料組成物において
は、窒化物（抵抗材料）と無機バインダとを、重量比
で、１００〜５０：０〜５０の割合で含有させることに
より、他の特性を劣化させることなく、Ｃｕ電極などを
形成する低温焼結多層基板などに所望の大きさの抵抗値
を有する抵抗体を確実に形成することが可能になり、本
発明をより実効あらしめることができる。
は、窒化物（抵抗材料）と無機バインダとを、重量比
で、１００〜５０：０〜５０の割合で含有させることに
より、他の特性を劣化させることなく、Ｃｕ電極などを
形成する低温焼結多層基板などに所望の大きさの抵抗値
を有する抵抗体を確実に形成することが可能になり、本
発明をより実効あらしめることができる。
【００３８】さらに、無機バインダとして、Ｂ−Ｓｉ−
Ｂａ−Ｃａ−Ａｌ系ガラスフリット及びセラミック基板
を構成する材料と略同一組成の共素地系酸化物の少なく
とも１種を用いることにより、他の特性を劣化させるこ
となく所望の大きさの抵抗値を有する抵抗体を確実に形
成することができるという、本発明の効果をより確実に
得ることが可能になる。
Ｂａ−Ｃａ−Ａｌ系ガラスフリット及びセラミック基板
を構成する材料と略同一組成の共素地系酸化物の少なく
とも１種を用いることにより、他の特性を劣化させるこ
となく所望の大きさの抵抗値を有する抵抗体を確実に形
成することができるという、本発明の効果をより確実に
得ることが可能になる。
【００３９】また、本発明の抵抗材料組成物に関して
は、それを用いて抵抗体を形成する対象であるセラミッ
ク基板の種類に特別の制約はないが、前述のＡ基板やＢ
基板などの低温焼結基板に抵抗体を形成するのに用いた
場合に、基板と同時に焼成して良好な特性を有する抵抗
体を形成することが可能になり、特に有意義である。
は、それを用いて抵抗体を形成する対象であるセラミッ
ク基板の種類に特別の制約はないが、前述のＡ基板やＢ
基板などの低温焼結基板に抵抗体を形成するのに用いた
場合に、基板と同時に焼成して良好な特性を有する抵抗
体を形成することが可能になり、特に有意義である。
Claims (7)
- 【請求項１】 ＶＡ属及びVIＡ属元素の窒化物の少なく
とも１種を主成分として含有することを特徴とする抵抗
材料組成物。 - 【請求項２】 ＶＡ属及びVIＡ属元素の窒化物の少なく
とも１種を主成分とし、これに無機バインダを配合して
なることを特徴とする抵抗材料組成物。 - 【請求項３】 セラミック基板に抵抗体を形成するため
に用いられる抵抗材料組成物であって、 ＶＡ属及びVIＡ属元素の窒化物の少なくとも１種を主成
分として含有することを特徴とする抵抗材料組成物。 - 【請求項４】 セラミック基板に抵抗体を形成するため
に用いられる抵抗材料組成物であって、 ＶＡ属及びVIＡ属元素の窒化物の少なくとも１種を主成
分とし、これに無機バインダを配合してなることを特徴
とする抵抗材料組成物。 - 【請求項５】 前記ＶＡ属及びVIＡ属元素の窒化物が、
ＮｂＮ及びＴａＮ及びＣｒ2Ｎの少なくとも１種である
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の抵抗
材料組成物。 - 【請求項６】 前記窒化物と前記無機バインダとを、重
量比で、 窒化物 ：５０〜１００（但し、１００を含まず） 無機バインダ：５０以下（但し、０を含まず） の割合で含有することを特徴とする請求項２又は４記載
の抵抗材料組成物。 - 【請求項７】 前記無機バインダは、Ｂ−Ｓｉ−Ｂａ−
Ｃａ−Ａｌ系ガラスフリット及びセラミック基板を構成
する材料と略同一組成の共素地系酸化物の少なくとも１
種であることを特徴とする請求項２，４又は６記載の抵
抗材料組成物。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7302053A JPH09120713A (ja) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 抵抗材料組成物 |
| US08/738,320 US5840218A (en) | 1995-10-25 | 1996-10-25 | Resistance material composition |
| KR1019960048602A KR0175547B1 (ko) | 1995-10-25 | 1996-10-25 | 저항 재료 조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7302053A JPH09120713A (ja) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 抵抗材料組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09120713A true JPH09120713A (ja) | 1997-05-06 |
Family
ID=17904349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7302053A Pending JPH09120713A (ja) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 抵抗材料組成物 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5840218A (ja) |
| JP (1) | JPH09120713A (ja) |
| KR (1) | KR0175547B1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7133761B2 (en) * | 2003-06-30 | 2006-11-07 | Westport Research Inc. | Method and apparatus for controlling an internal combustion engine using accelerometers |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE634012A (ja) * | 1961-10-03 | |||
| US3394087A (en) * | 1966-02-01 | 1968-07-23 | Irc Inc | Glass bonded resistor compositions containing refractory metal nitrides and refractory metal |
| JPS5129698B2 (ja) * | 1972-07-20 | 1976-08-27 | ||
| US4205298A (en) * | 1978-11-20 | 1980-05-27 | Trw Inc. | Resistor material, resistor made therefrom and method of making the same |
| US4209764A (en) * | 1978-11-20 | 1980-06-24 | Trw, Inc. | Resistor material, resistor made therefrom and method of making the same |
| US4645621A (en) * | 1984-12-17 | 1987-02-24 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Resistor compositions |
| US4877760A (en) * | 1985-05-22 | 1989-10-31 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Aluminum nitride sintered body with high thermal conductivity and process for producing same |
| US5102720A (en) * | 1989-09-22 | 1992-04-07 | Cornell Research Foundation, Inc. | Co-fired multilayer ceramic tapes that exhibit constrained sintering |
| US5114750A (en) * | 1990-11-06 | 1992-05-19 | The Dow Chemical Company | Tungsten and tungsten nitride coatings for metals and ceramics |
-
1995
- 1995-10-25 JP JP7302053A patent/JPH09120713A/ja active Pending
-
1996
- 1996-10-25 KR KR1019960048602A patent/KR0175547B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-10-25 US US08/738,320 patent/US5840218A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5840218A (en) | 1998-11-24 |
| KR0175547B1 (ko) | 1999-01-15 |
| KR970021027A (ko) | 1997-05-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000328 |