DE19540647A1 - Integrierte Halbleiterschaltungseinrichtung - Google Patents
Integrierte HalbleiterschaltungseinrichtungInfo
- Publication number
- DE19540647A1 DE19540647A1 DE19540647A DE19540647A DE19540647A1 DE 19540647 A1 DE19540647 A1 DE 19540647A1 DE 19540647 A DE19540647 A DE 19540647A DE 19540647 A DE19540647 A DE 19540647A DE 19540647 A1 DE19540647 A1 DE 19540647A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- circuit
- line
- fixed potential
- clock generator
- circuit unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 230000006698 induction Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 25
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 16
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 7
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 7
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
- H03H2001/0021—Constructional details
- H03H2001/0064—Constructional details comprising semiconductor material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine integrierte Halbleiter
schaltungseinrichtung, die zur Handhabung elektromagnetischer
Interferenzen verbessert ist.
Fig. 1 stellt ein Schaubild eines Beispiels eines Aufbaus einer
herkömmlichen integrierten Halbleiterschaltungseinrichtung dar.
Die integrierten Halbleiterschaltungseinrichtung ist mit einer
Schaltungseinheit 5, die eine CPU 5b einschließt, einen Bus 8
wie z. B. einen Datenbus, einen Adressenbus oder ähnliches, der
so verdrahtet ist, daß er die Schaltungseinheit 5 umschließt,
Anschlußkontaktflächen 9, die an der Peripherie des Busses 8
angeordnet sind, eine Oszillatorschaltung zum Erzeugen von Pul
sen, sowie eine Takterzeugerschaltung 7 zum Erzeugen von Sy
stemtakten aus den von der Oszillatorschaltung 6 zugeführten
Pulsen ausgestattet.
Eine Versorgungsanschlußkontaktfläche 2 und eine Masseanschluß
kontaktfläche 4 sind in den Anschlußkontaktflächen 9 einge
schlossen. Eine, von der Versorgungsanschlußkontaktfläche 2
ausgehende Versorgungsleitung 1 ist mit der Schaltungseinheit
5, der Oszillatorschaltung 6 und der Takterzeugerschaltung 7
verbunden. Eine Masseleitung 3 ist von der Masseanschluß
kontaktfläche 4 mit der Schaltungseinheit 5, der Oszillator
schaltung 6 und der Takterzeugerschaltung 7 verbunden.
Fig. 2 stellt das äquivalente Schaltungsdiagramm der integrier
ten Halbleiterschaltungseinrichtung der Fig. 1 dar. Die Schal
tungseinheit 5, die Oszillatorschaltung 6 und die Takterzeuger
schaltung 7 sind parallel zueinander zwischen der Versorgungs
leitung 1 und der Masseleitung 3 verbunden. Eine Kapazität C an
jeder Stufe dieser Leiterschaltung und jede Induktivität L der
Versorgungsleitung 1 und der Masseleitung 3 an beiden Seiten
der Stufe bilden einen LC-Filter, der als Tiefpaß-Filter
wirkt.
Die Versorgungsleitung 1 und die Masseleitung 3 sind jeweils so
angeschlossen, daß sie von der Versorgungsanschlußkontaktfläche
2 und der Masseanschlußkontaktfläche 4 über minimale Distanzen
zur Schaltungseinheit 5, der Oszillatorschaltung 6 und der Tak
terzeugerschaltung 7 verlaufen, um zu gewährleisten, daß die
integrierte Halbleiterschaltungseinrichtung in einer kleinen
Fläche angeordnet werden kann. Mit anderen Worten, sind die
Versorgungsleitung 1 und die Masseleitung 3 so kurz wie möglich
gebildet, so daß parasitäre Induktivitätskomponenten durch das
Ausrichten bzw. die Anordnung der Verdrahtung reduziert sind.
In der wie oben erwähnten integrierten Halbleiterschaltungsein
richtung wird manchmal ein Potential zwischen der Versorgungs
leitung 1 und der Masseleitung 3 durch das Rauschen einer AC-
Versorgungsquelle gestört bzw. verschoben. Um diese Störung zu
verhindern wird im allgemeinen zwischen der Versorgungs
anschlußkontaktfläche 2 und der Masseanschlußkontaktfläche 4
ein Bypass-Kondensator eingesetzt, wodurch das Rauschen der
Versorgungsquelle entfernt wird. Wenn jedoch die Versorgungs
anschlußkontaktfläche 2 nicht weniger als einen vorgegebenen
Abstand von der Masseanschlußkontaktfläche 4 entfernt ist, so
ist die Zuleitung des Bypass-Kondensators lang und die Indukti
on erschwert es, das Rauschen vollständig zu entfernen. Darüber
hinaus kann das Rauschen der AC-Versorgungsquelle nicht in aus
reichender Weise entfernt werden, wenn das Rauschen sehr groß
ist.
Wenn die Versorgungsleitung 1 und die Masseleitung 3 kleine In
duktivitätskomponenten aufweisen, so weist in den zuvor erwähn
ten Fällen der LC-Filter (Tiefpaß), der aus den Induktivitäts
komponenten und den parasitären Kapazitätskomponenten zwischen
der Versorgungsleitung 1 und der Masseleitung 3 gebildet ist,
eine kleine Effizienz auf, woraus resultiert, daß EMS
(elektromagnetische Suszeptibilität) nur schlecht angewendet
werden kann, ohne daß dabei das Rauschen eliminiert wird und
eine in der Schaltungseinheit 5 eingeschlossene funktionale
Schaltung fälschlicherweise angesteuert wird.
Die Oszillatorschaltung 6 und die Takterzeugerschaltung 7 be
stehen aus CMOS-Transistoren. Wenn an einem Gate des CMOS-
Transistors ein L-Potentialpegel angelegt wird, so befindet sich
ein P-Kanal MOS-Transistor, bei dem eine Source mit der Versor
gungsleitung 1 verbunden ist, im leitenden Zustand und hält ei
ne Drain desselben auf dem H-Pegel. Wenn dagegen ein Potential
mit H-Pegel an dem Gate des CMOS-Transistors anliegt, so befin
det sich ein N-Kanal MOS-Transistor, bei dem eine Source mit
der Masseleitung 3 verbunden ist AN-Zustand und hält eine Drain
desselben auf dem L-Pegel.
Da die Drain des P-Kanal MOS-Transistors und die Drain des N-
Kanal MOS-Transistors der CMOS-Transistoren miteinander verbun
den sind, werden P-Kanal MOS-Transistor und der N-Kanal MOS-
Transistor gleichzeitig in der Mitte eines Umwechselns des Ein
gabepegels der CMOS-Transistoren eingeschaltet.
Dementsprechend fließt ein Strom entlang der Route von der Ver
sorgungsanschlußkontaktfläche 2 → Versorgungsleitung 1 → P-
Kanal MOS-Transistor → N-Kanal MOS-Transistor → Masseleitung 3
zur Masseanschlußkontaktfläche 4 und ein Durchlaßstrom fließt
zwischen der Versorgungsspannungsanschlußfläche 2 und der Mas
seanschlußfläche 4.
Da der Durchlaßstrom in der Oszillatorschaltung 6 und der Tak
terzeugerschaltung 7 häufiger fließt, da die Schaltungen 6 und
7 mit hoher Geschwindigkeit angesteuert werden, ist der Durch
schnittsbeitrag des Durchlaßstroms erhöht, und demzufolge fluk
tuiert das Potential der Versorgungsleitung 1 in großem Maße.
Trotz dieser Tatsache sind jedoch parasitäre Induktivitäten der
Versorgungsleitung 1 klein und der LC-Filter besitzt wenig Ef
fizienz, wie dies oben ausgeführt wurde. Demzufolge können an
der Versorgungsleitung 1 als Resultat der Fluktuationen erzeug
te hochfrequente Wellen während der Übertragung entlang der
Versorgungsleitung 1 nicht absorbiert werden, sondern werden
auf Versorgungsanschlußkontaktfläche 2 übertragen und verursa
chen unerwünschte Strahlung, d. h. EMI (elektromagnetische In
terferenzen).
Ein tatsächliches Beispiel, wie der obige Mechanismus die Ab
sorption von Rauschen verhindert, wird im folgenden erklärt.
Die parasitäre Induktivität einer Aluminiumverdrahtung wird nä
herungsweise als 0,1 nH pro 100 µm angenommen. Wenn demzufolge
eine Verdrahtungslänge der Versorgungsleitung 1 100 µm beträgt,
so beträgt die an der Versorgungsleitung 1 anliegende parasitä
re Induktivität 0,1 nH. Wenn die an der Versorgungsleitung 1
wirkende parasitäre Kapazität näherungsweise 10 pF beträgt, so
wirken die der Versorgungsleitung 1 zugeführte Induktivität und
Kapazität so, wie dies in Fig. 3 dargestellt ist.
Die an der in Fig. 3 gezeigten Versorgungsleitung 1 wirkende
Induktivität und Kapazität sind durch eine Impedanz ZL der in
duktiven Komponenten, die in Serie mit einer Rauscherzeu
gerquelle 100 geschaltet ist, deren anderes Ende auf Masse
liegt, dargestellt, sowie durch eine Impedanz ZC der kapazitä
ren Komponente, die parallel zu der Rauscherzeugerquelle 100
und der Impedanz ZL geschaltet ist, und deren anderes Ende auf
Masse liegt. Sie stellen ein Äquivalent zu einem LC-Filter dar,
der einen Anschlußknoten zwischen den Impedanzen ZL und ZC als
Ausgabeanschluß 101 aufweist.
Berücksichtigt man zum Beispiel unter den von der Rauscherzeu
gerquelle 100 erzeugten Frequenzkomponenten eine Frequenz von
100 MHz, so werden die Impedanzen ZL, ZC wie folgt dargestellt:
ZL = 2 π fL = 2 π × 100 × 10⁶ × 0.1 × 10-9 ≒ 0.063(Ω)
ZC = ½ π fC = 1/(2 π × 100 × 10⁶ × 10 × 10-12) ≒ 160(Ω).
ZC = ½ π fC = 1/(2 π × 100 × 10⁶ × 10 × 10-12) ≒ 160(Ω).
Demzufolge wird unter der Annahme, daß z. B. Rauschkomponenten
der Größenordnung 1 mV von der Rauscherzeugerschaltung 100 aus
gegeben werden, der Betrag, der an den Ausgabeanschluß 101
übertragenen Rauschkomponenten kaum abgeschwächt, wie dies aus
folgender Gleichung offensichtlich ist:
ZC/(ZC + ZL) × 1 mV ≒ 0.99961 mV.
Da ein Frequenzband um 100 MHz in Abstimmgeräten von TV-
Empfängern verwendet wird, werden, wenn Strahlungsrauschen im
Frequenzband von 100 MHz erzeugt wird, Bilder von TV-Empfängern
unvorteilhaft gestört oder es treten ähnliche unerwünschte Pro
bleme auf.
Zur Lösung der oben beschriebenen Probleme wurden währenddessen
folgende integrierte Halbleiterschaltungen vorgeschlagen. Ins
besondere offenbart die offengelegte japanische Patentanmeldung
Nr. 64-57746 (1989) eine integrierte Halbleiterschaltung, in der
eine Spule auf dem Halbleitersubstrat unter Verwendung von zwei
oder mehr Aluminiumschichten gebildet ist. Eine integrierte
Halbleiterschaltung einer komplementären Bauart ist in der of
fengelegten japanischen Patentanmeldung Nr. 60-231355 (1985) of
fenbart und ist mit einem internen Versorgungssystem zur Zufüh
rung von Elektrizität an eine interne Schaltung, einem periphe
ren Versorgungssystem zum Zuführen von Elektrizität an eine pe
riphere Schaltung sowie mit Abschwächungseinrichtungen zum Zu
führen einer Spannung des peripheren Versorgungssystems in das
interne Versorgungssystem unter Abschwächung der Spannungsände
rung vorgesehen. Dagegen ist ein integriertes Schaltungspaket
mit hoher Geschwindigkeit, wie es in der offengelegten japani
schen Patentanmeldung Nr. 61-239649 (1986) diskutiert ist, so
ausgelegt, daß es zwischen Drähten eine Verbindung herstellt,
in denen sich ein hochfrequentes Signal über einen verbindenden
Abschnitt mit kleiner Induktionskomponente ausbreitet, während
es zwischen Drähten zur Zuführung elektrischer Leistung mit
Hilfe von Anschlußteilen mit hoher induktiver Komponente ver
bunden ist.
Des weiteren beschreibt die offengelegte japanische Patentan
meldung Nr. 4-260341 (1992) eine integrierte Halbleiterschal
tungseinrichtung, in der ein internes Verbindungsende zwischen
einer Versorgungsleitung und einer Masseleitung unterteilt ist,
um die Gegeninduktivität einer internen und einer externen
Schaltung zu erhöhen. In einer anderen Anordnung einer inte
grierten Halbleiterschaltung, wie sie in der offengelegten ja
panischen Patentanmeldung Nr. 3-76142 (1991) diskutiert ist, ist
ein Anordnungsmuster einer Verdrahtungsschicht, welche aus
schließlich für eine Versorgungsverdrahtung und eine Massever
drahtung gebildet ist, so gebildet, daß eine Fläche, die durch
eine modulare Zelle eingenommen wird, vollständig eingeschlos
sen ist. Die offengelegte japanische Patentanmeldung Nr.
6-104720 (1994) stellt eine integrierte Halbleiterschaltungs
einrichtung mit einer eingebauten Konstantspannungsquelle dar.
Die Erfindung wurde zur Lösung der oben beschriebenen Probleme
ersonnen und es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ei
ne integrierte Halbleiterschaltungseinrichtung vorzusehen, in
der eine Versorgungsleitung und eine Masseleitung mit einem um
geleiteten Abschnitt, durch den die parasitäre Induktivität
derselben erhöht werden soll, angeordnet ist, wodurch verbes
serte Eigenschaften gegen elektromagnetischen Interferenzen,
die durch das Rauschen einer AC-Leistungsquelle verursacht wer
den, sowie gegen das Rauschen von Durchgangsströmen in einem
CMOS-Transistor, etc. erzielt werden.
Diese Aufgabe wird durch eine integrierte Halbleiterschaltungs
einrichtung nach Anspruch 1 gelöst. Weiterbildungen der Erfin
dung sind in Unteransprüchen angegeben.
Gemäß der Erfindung wird eine Leitung für ein fixiertes Poten
tial auf der integrierten Halbleiterschaltungseinrichtung län
ger als dies erforderlich ist ausgebildet wird, um so die para
sitäre Induktivität derselben zu erhöhen. Der Effekt des daraus
resultierenden LC-Filters (Tiefpaß) wirkt zur Absorption von
hochfrequentem Rauschen.
Die integrierte Halbleiterschaltungseinrichtung der Erfindung
ist durch eine Leitung für ein fixiertes Potential gekennzeich
net, die von einer Anschlußkontaktfläche mit einem fixierten
Potential zu einer Schaltungseinheit geführt wird und von der
ein Abschnitt zur Vergrößerung der parasitären Induktivität auf
dem Substrat geführt wird. Aufgrund der Leitung für ein fixier
tes Potential im obigen Aufbau sind induktive Komponenten, die
parasitär an der Leitung für ein fixiertes Potential wirken,
erhöht, wodurch der Effekt des LC-Filters, der durch die induk
tive Komponente und die kapazitäre Komponente gebildet ist, oft
vergrößert wird, um so die Absorption von Rauschen der AC-Lei
stungsquelle sowie Rauschen der Durchgangsströme im CMOS-
Transistor etc. zu ermöglichen.
Die Leitung für ein fixiertes Potential sollte um z. B. nicht
weniger als eine viertel Umdrehung in der Peripherie der Schal
tungseinheit umgeleitet sein.
In dem Fall, in dem die Leitung für ein fixiertes Potential,
die von der Anschlußkontaktfläche des fixierten Potentials zu
einer Oszillatorschaltung verläuft, einen Abschnitt aufweist,
der zur Vergrößerung der parasitären Induktivität umgeleitet
ist, liegt zusätzlich zu den zuvor erwähnten Effekten eine be
sonders effektive Absorption des durch die Durchgangsströme der
in der Oszillatorschaltung enthaltenen CMOS-Transistoren verur
sachten Rauschens vor.
Des weiteren wird in dem Fall, in dem die Leitung für ein fi
xiertes Potential von der Anschlußkontaktfläche des fixierten
Potentials zu einer Takterzeugerschaltung einen Abschnitt auf
weist, der zur Erhöhung der parasitären Induktivität umgeleitet
ist, nicht nur der obige Effekt erreicht, sondern es wird auch
Rauschen, welches auf den Durchgangsströmen der CMOS-
Transistoren, die in der Takterzeugerschaltung enthalten sind,
oder ähnlichem beruht absorbiert.
Die Leitung für ein fixiertes Potential von der Anschlußkon
taktfläche des fixierten Potentials zur Takterzeugerschaltung
kann zur Erhöhung der parasitären Induktivität durch eine
Schaltungseinheit umgeleitet werden.
In einer integrierten Halbleiterschaltung der vorliegenden Er
findung sind eine erste Leitung für ein fixiertes Potential von
einer ersten Anschlußkontaktfläche mit einem fixierten Potenti
al aus mit der Takterzeugerschaltung verbunden, und eine zweite
Leitung für ein fixiertes Potential von einer zweiten Kon
taktanschlußfläche mit fixiertem Potential aus mit der Takter
zeugerschaltung verbunden, während eine Potentialleitung paral
lel zu der anderen Potentialleitung verläuft. Dementsprechend
werden die parasitären induktiven Komponenten der ersten und
zweiten Leitung für ein fixiertes Potential erhöht, wodurch der
Effekt des LC-Filters, der aus induktiven und kapazitären Kom
ponenten zusammengesetzt ist, verbessert wird, so daß Rauschen
von der AC-Leistungsquelle, insbesondere Rauschen aufgrund der
Durchgangsströme der CMOS-Transistoren, die in der Takterzeu
gerschaltung eingeschlossen sind, absorbiert wird.
Alternativ dazu können die erste Leitung für ein fixiertes Po
tential von der ersten Anschlußkontaktfläche mit fixiertem Po
tential zur Takterzeugerschaltung und die zweite Leitung für
ein fixiertes Potential von der zweiten Anschlußkontaktfläche
mit fixiertem Potential zur Takterzeugerschaltung mit der Tak
terzeugerschaltung in einem Zustand verbunden sein, in dem zu
mindest ein Abschnitt, der länger als die Hälfte der vollstän
digen Länge einer Potentiallinie ist, benachbart und parallel
zu der anderen Potentialleitung verläuft.
Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben
sich aus der folgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen
anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen:
Fig. 1 ein Schaubild, welches den Aufbau einer herkömm
lichen integrierten Halbleiterschaltungseinrich
tung zeigt;
Fig. 2 ein der in Fig. 1 gezeigten integrierten Halb
leiterschaltungseinrichtung äquivalentes Schalt
bild;
Fig. 3 ein Schaltbild, welches die zusätzlich an der
Versorgungsleitung wirkenden Induktivitäten und
Kapazitäten zeigt;
Fig. 4 ein Schaubild des Aufbaus einer integrierten
Halbleiterschaltungseinrichtung gemäß einer er
sten Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 5 ein Äquivalenzschaltbild der integrierten Halb
leiterschaltungseinrichtung der Fig. 4;
Fig. 6 ein Schaubild des Aufbaus einer integrierten
Halbleiterschaltungseinrichtung gemäß einer
zweiten Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 7 ein Schaubild des Aufbaus einer integrierten
Halbleiterschaltungseinrichtung gemäß einer
dritten Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 8 ein äquivalentes Schaltungsdiagramm einer Oszil
latorschaltung der integrierten Halbleiterschal
tungseinrichtung der Fig. 7;
Fig. 9 ein Diagramm des Aufbaus einer integrierten
Halbleiterschaltungseinrichtung gemäß einer
vierten Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 10 ein einer Schaltung mit einer Schaltungseinheit
und einer Takterzeugerschaltung der integrierten
Halbleiterschaltungseinrichtung der Fig. 9 äqui
valentes Schaltbild;
Fig. 11 ein Schaubild des Aufbaus einer integrierten
Halbleiterschaltungseinrichtung gemäß einer
fünften Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 12 ein Diagramm des Aufbaus einer integrierten
Halbleiterschaltungseinrichtung gemäß einer
sechsten Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 13 ein einer Schaltung mit einer Schaltungseinheit
und einer Takterzeugerschaltung der integrierten
Halbleiterschaltungseinrichtung der Fig. 12
äquivalentes Schaltbild und
Fig. 14 ein Schaubild des Aufbaus einer integrierten
Halbleiterschaltungseinrichtung gemäß einer
siebten Ausführungsform der Erfindung.
Fig. 4 zeigt den Aufbau einer integrierten Halbleiterschal
tungseinrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfin
dung. Die integrierte Halbleiterschaltungseinrichtung ist mit
einer Schaltungseinheit 5, die eine CPU 5b einschließt, einem
Bus 8 wie z. B. einem Datenbus, einem Adreßbus oder ähnlichem,
der so ausgelegt ist, daß er die Schaltungseinheit 5 umgibt,
sowie mit Anschlußkontaktflächen 9, die außerhalb des Busses 8
angeordnet sind, versehen.
Die Anschlußkontaktflächen 9 schließen eine Versorgungsan
schlußkontaktfläche 2 und eine Masseanschlußkontaktfläche 4
ein. Eine Versorgungsleitung 1a wird von der Versorgungsan
schlußkontaktfläche 2 zur Schaltungseinheit 5 geleitet bzw. ge
führt. In ähnlicher Weise erstreckt sich eine Masseleitung 3a
von der Masseanschlußkontaktfläche 4 zur Schaltungseinheit 5.
Sowohl die Versorgungsleitung 1a als auch die Masseleitung 3a
sind mit der Schaltungseinheit 5 verbunden, nachdem sie inner
halb der Anschlußkontaktflächen 9 so geführt wurden, daß jede
Leitung zum Beispiel zweimal so lang oder größer als die kürze
ste Strecke ist.
Fig. 5 stellt ein äquivalentes Schaltbild der integrierten
Halbleiterschaltung dar, in der ein Kondensator C an einer Stu
fe der Leiterschaltung und jede Induktivität L der Versorgungs
leitung 1a und der Masseleitung 3a an beiden Seiten des Konden
sators C einen LC-Filter bilden. Die Schaltungseinheit 5 ist
zwischen der Versorgungsleitung 1a und der Masseleitung 3a ver
bunden.
Im obigen Aufbau der integrierten Halbleiterschaltung wirken
große Induktivitäten L und große Kapazitäten C zur Bildung des
LC-Filters parasitär an der Versorgungsleitung 1a und der Mas
seleitung 3a. Dementsprechend kann selbst dann, wenn die Rau
schenleistung nicht vollständig durch einen Bypass-Kondensator
absorbiert wird, das Rauschen durch die Versorgungsleitung 1a
und die Masseleitung 3a absorbiert werden.
Ein Absorptionsbetrag, insbesondere ein Abschwächungsbetrag des
Rauschens wird in einem Beispiel wie folgt berechnet. Die In
duktivität und die Kapazität der Versorgungsleitung 1a sind
entsprechend denen, die in Fig. 3 dargestellt sind.
Die zu der Versorgungsleitung 1 in Fig. 3 addierte Induktivi
tät und Kapazität wird durch eine Impedanz ZL der induktiven
Komponente, die in Serie mit der Rauscherzeugerquelle 100 ge
schaltet ist, und die an ihrem anderen Ende geerdet ist, sowie
durch eine Impedanz ZC der kapazitären Komponente dargestellt,
die parallel zu der Rauscherzeugerquelle 100 und der Impedanz
ZL geschaltet ist, und deren anderes Ende auf Masse liegt. Die
Induktivität und die Kapazität bilden das Schaltungsäquivalent
zu einem LC-Filter, in dem ein Verbindungsknoten zwischen den
Impedanzen ZL und ZC als Ausgabeanschluß 101 dient.
Wenn zum Beispiel die Versorgungsleitung 1a über 3 mm umgelei
tet wird, unter der Annahme, daß beim Vorliegen einer Indukti
vität von 30 nH eine Kapazität von 200 pF an die Versorgungslei
tung 1a angelegt wird und die Rauscherzeugerquelle 100 MHz auf
weist, gilt für die Impedanzen ZL, und ZC:
ZL = 2 π fL = 2 π × 100 × 10⁶ × 30 × 10-9 ≒ 18.8(Ω)
ZC = ½ π fC = 1/(2 π × 100 × 10⁶ × 200 × 10-12) ≒ 7.96(Ω).
ZC = ½ π fC = 1/(2 π × 100 × 10⁶ × 200 × 10-12) ≒ 7.96(Ω).
Der Abschwächungsbetrag beträgt dann entsprechend ZC/(ZC+ZL) ∎ 0.3.
Fig. 6 stellt ein Diagramm des Aufbaus einer integrierten Halb
leiterschaltung gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfin
dung dar. Eine Versorgungsleitung 1b ist von einer Versorgungs
anschlußkontaktfläche 2 mit einer Schaltungseinheit 5 verbun
den. Eine Masseleitung 3b wird von einer Masseanschlußkontakt
fläche 4 an die Schaltungseinheit 5 geführt. Die Versorgungs
leitung 1b und Masseleitung 3b werden, nachdem sie z. B. eine
viertel Umdrehung oder mehr in der Peripherie der Schaltungs
einheit 5 umgeleitet wurden, der Schaltungseinheit 5 zugeführt.
In den anderen Punkten entspricht der Aufbau der zweiten Aus
führungsform dem der ersten Ausführungsform, es werden für die
se dieselben Bezugszeichen verwendet, auf die weitere Beschrei
bung derselben wird verzichtet. Eine Äquivalenzschaltung der
integrierten Halbleiterschaltungseinrichtung der zweiten Aus
führungsform ist dieselbe wie in Fig. 5.
Große Induktivitäten L und große Kapazitäten C wirken parasitär
auf die Versorgungsleitung 1b und die Masseleitung 3b und bil
den hierdurch in der integrierten Halbleiterschaltungseinrich
tung einen LC-Filter. Selbst wenn das Rauschen der Versorgungs
leistung nicht in ausreichender Art und Weise durch einen
Bypass-Kondensator absorbiert werden kann, so wirken die Ver
sorgungsleitung 1b und die Masseleitung 3b zur Absorption des
Rauschens. Ein Absorptionsbetrag des Rauschens, d. h. ein Ab
schwächungsbetrag des Rauschens wird in derselben Weise wie in
dem vorangehenden ersten Ausführungsbeispiel berechnet, die Be
schreibung wird deshalb abgekürzt.
Fig. 7 stellt ein Diagramm des Aufbaus einer integrierten Halb
leiterschaltungseinrichtung einer dritten Ausführungsform der
Erfindung dar. Die Einrichtung ist mit einer Schaltungseinheit
5, die eine CPU 5b einschließt, versehen, sowie mit einem Bus
8, wie z. B. einen Datenbus, einem Adreßbus etc., der so ange
ordnet ist, daß die Schaltungseinheit 5 von diesem umschlossen
wird, mit Anschlußkontaktflächen 9, die außerhalb des Busses 8
angeordnet sind, einer Oszillatorschaltung 6 zur Erzeugung von
Pulsen, und einer Takterzeugerschaltung 7 zum Erzeugen von Sy
stemtakten aus den Pulsen der Oszillatorschaltung 6. Die An
schlußkontaktflächen 9 schließen eine Versorgungsanschluß
kontaktfläche 2 und eine Masseanschlußkontaktfläche 4 ein. Eine
Versorgungsleitung 1c ist von der Versorgungsanschlußkontakt
fläche 2 mit der Schaltungseinheit 5, der Oszillatorschaltung 6
und der Takterzeugerschaltung 7 verbunden. Von der Massean
schlußkontaktfläche 4 ist eine Masseleitung 3c mit der Schal
tungseinheit 5, der Oszillatorschaltung 6 und der Takterzeuger
schaltung 7 verbunden (die Versorgungsleitung 1c und die Masse
leitung 3c an die Takterzeugerschaltung 7 sind in Fig. 7 nicht
gezeigt). Die Versorgungsleitung 1c und die Masseleitung 3c
führen zur Oszillatorschaltung 6, nachdem sie so geführt bzw.
umgeleitet wurden, daß sie z. B. zweimal so lang oder länger als
die kürzeste Route sind.
Fig. 8 stellt ein der Oszillatorschaltung 6 der integrierten
Halbleiterschaltungseinrichtung äquivalentes Schaltungsbild
dar. Die Kondensatoren C an den seitlichen Stufen der Leiter
schaltung sowie die Induktivitäten L der Versorgungsleitung 1c
und der Masseleitung 3c zu beiden Seiten der Kondensatoren C
bilden in der äquivalenten Schaltung einen LC-Filter. Die Os
zillatorschaltung 6 ist zwischen der Versorgungsleitung 1c und
der Masseleitung 3c angeschlossen.
Große Induktivitäten L und große Kapazitäten C, die parasitär
an der Versorgungsleitung 1c und der Masseleitung 3c wirken,
bilden den LC-Filter in der integrierten Halbleiterschaltungs
einrichtung. Selbst wenn Rauschen der Leistungsversorgung, das
Rauschen der Versorgungsquelle und/oder das Rauschen durch ei
nen Durchgangsstrom eines CMOS-Transistors, in der Oszillator
schaltung 6 durch einen Bypass-Kondensator nicht vollständig
absorbiert werden, so absorbieren die Versorgungsleitung 1c und
die Masseleitung 3c das Rauschen. Ein Absorptionsbetrag, d. h.
ein Abschwächungsbetrag des Rauschens wird auf die gleiche Wei
se wie in der ersten Ausführungsform erhalten.
Fig. 9 stellt ein Diagramm des Aufbaus einer integrierten Halb
leiterschaltungseinrichtung gemäß einer vierten Ausführungsform
der Erfindung dar. In der integrierten Halbleiterschaltungsein
richtung ist eine Schaltungseinheit 5 mit einer CPU 5b vorgese
hen, ein Bus 8, insbesondere ein Datenbus, ein Adreßbus, etc.,
der die Schaltungseinheit 5 umgibt, Anschlußkontaktflächen 9,
die außerhalb des Busses 8 angeordnet sind, einer Oszillator
schaltung 6 zur Erzeugung von Pulsen, sowie eine Takterzeuger
schaltung 7 zur Bildung von Systemtakten aus den in der Oszil
latorschaltung 6 erzeugten Pulsen. Die Anschlußkontaktflächen 9
schließen eine Versorgungsanschlußkontaktfläche 2 und eine Mas
seanschlußkontaktfläche 4 ein. Eine Versorgungsleitung 1d wird
von der Versorgungsanschlußkontaktfläche 2 an die Schaltungs
einheit 5, die Oszillatorschaltung 6 und die Takterzeugerschal
tung 7 geführt, während eine Masseleitung 3d von der Massean
schlußkontaktfläche 4 an die Schaltungseinheit 5, die Oszil
latorschaltung 6 und die Takterzeugerschaltung 7 geführt ist
(die Versorgungsleitung 1d und die Masseleitung 3d zur Oszilla
torschaltung 6 sind in Fig. 9 nicht gezeigt). Nachdem die Ver
sorgungsleitung 1d und die Masseleitung 3d an der Innenseite
der Anschlußkontaktflächen 9 so geführt wurden, daß sie nicht
kleiner als zweimal die Länge der kürzesten Route sind, werden
beide Leitungen 1d und 3d in die Schaltungseinheit 5 und die
Takterzeugerschaltung 7 geführt.
Fig. 10 stellt ein Äquivalenzschaltbild der Schaltungseinheit 5
der Takterzeugerschaltung 7 der integrierten Halbleiterschal
tungseinrichtung der Fig. 9 dar. In der Schaltung bilden ein
Kondensator C an einer Stufen der Leiterschaltung sowie jede
Induktivitäten L der Versorgungsleitung 1d und der Masseleitung
3d zu beiden Seiten des Kondensators C einen LC-Filter. Die
Schaltungseinheit 5 und die Takterzeugerschaltung 7 sind paral
lel mit dem LC-Filter verbunden.
In der integrierten Halbleiterschaltungseinrichtung bilden die
großen Induktivitäten L und Kapazitäten C, die parasitär an der
Versorgungsleitung 1d und der Masseleitung 3d wirken, den LC-
Filter. Aufgrund des so gebildeten LC-Filters werden, selbst
wenn das Rauschen der Leistungsversorgung und das Rauschen
durch einen Durchgangsstrom eines CMOS-Transistors der Takter
zeugerschaltung 7, nicht in ausreichender Weise durch einen
Bypass-Kondensator absorbiert werden kann, das Rauschen effek
tiv durch die Versorgungsleitung 1d und die Masseleitung 3d ab
sorbiert. Ein Absorptionsbetrag des Rauschens, d. h. der Ab
schwächungsbetrag des Rauschens wird in der gleichen Art und
Weise wie in der ersten Ausführungsform berechnet, auf die er
neute Beschreibung wird verzichtet.
Der Aufbau einer integrierten Halbleiterschaltungseinrichtung
gemäß einer fünften Ausführungsform der Erfindung ist in einem
Schaubild der Fig. 11 gezeigt. Die Anschlußkontaktflächen 9
schließen eine Versorgungsanschlußkontaktfläche 2 und Massean
schlußkontaktfläche 4 ein. Eine Versorgungsleitung 1e ist von
der Versorgungsanschlußkontaktfläche 2 mit einer Schaltungsein
heit 5, einer Oszillatorschaltung 6 und einer Takterzeuger
schaltung 7 verbunden, während eine Masseleitung 3e von der
Masseanschlußkontaktfläche 4 zur Schaltungseinheit 5, der Os
zillatorschaltung 6 und der Takterzeugerschaltung 7 verläuft
(die Versorgungsleitung 1e und die Masseleitung 3e an die Os
zillatorschaltung 6 sind in Fig. 11 nicht gezeigt).
Die Versorgungsleitung 1e und die Masseleitung 3e sind jeweils
zur Schaltungseinheit 5 und der Takterzeugerschaltung 7 ge
führt, nachdem sie in der Peripherie der Schaltungseinheit 5
über einen Abstand, der nicht kleiner als eine viertel Drehung
bzw. ¼ des Umfangs ist, geführt worden sind. Der Aufbau der
fünften Ausführungsform ist in den anderen Punkten der gleiche
wie der der vierten Ausführungsform und auf die Beschreibung
der anderen Punkte, die mit gleichen Bezugszeichen gekennzeich
net sind, wird verzichtet. Eine äquivalente Schaltung der
Schaltungseinheit 5 und der Takterzeugerschaltung 7 der inte
grierten Halbleiterschaltungseinrichtung ist die gleiche wie
die in Fig. 10 gezeigte.
Aufgrund der großen Induktivität L und der Kapazität C, die pa
rasitär an der Versorgungsleitung 1e und der Masseleitung 3e
wirken, ist in der integrierten Halbleiterschaltungseinrichtung
ein LC-Filter gebildet. Demzufolge werden, selbst wenn das Rau
schen der Versorgungsleistung bzw. Leistungsrauschen und das
Rauschen, verursacht durch den Durchgangsstrom eines CMOS-
Transistors der Takterzeugerschaltung 7, nicht vollständig
durch einen Bypass-Kondensator absorbiert werden kann, das Rau
schen durch die Versorgungsleitung 1e und die Masseleitung 3e
absorbiert. Der Absorptionsbetrag des Rauschens, bzw. der Ab
schwächungsbetrag des Rauschens wird in der gleichen Weise wie
in der zuvor dargestellten ersten Ausführungsform erhalten, die
weitere Beschreibung wird daher abgekürzt.
Der Aufbau einer integrierten Halbleiterschaltungseinrichtung
einer sechsten Ausführungsform der Erfindung ist in Fig. 12 ge
zeigt. Die integrierte Halbleiterschaltungseinrichtung der Fig.
12 sieht eine Schaltungseinheit 5a mit einer CPU vor, einen Bus
8, wie z. B. einen Datenbus, einen Adreßbus, oder ähnlichem, der
so verdrahtet ist, daß die Schaltungseinheit 5a von diesem um
geben wird, Anschlußkontaktflächen 9, die außerhalb des Busses
8 angeordnet sind und die eine Versorgungsanschlußfläche 2 und
eine Masseanschlußkontaktfläche 4 einschließen, einer Oszilla
torschaltung 6 zur Erzeugung von Pulsen und eine Takterzeuger
schaltung 7 zum Erzeugen von Systemtakten aus den Pulsen in der
Oszillatorschaltung 6.
Eine Versorgungsleitung 1f ist beginnend von der Versorgungsan
schlußkontaktfläche 2 mit der Schaltungseinheit 5a, der Os
zillatorschaltung 6 und der Takterzeugerschaltung 7 verbunden.
Unterdessen ist eine Masseleitung 3f von der Masseanschlußkon
taktfläche 4 mit der Schaltungseinheit 5a, der Oszillatorschal
tung 6 und der Takterzeugerschaltung 7 verbunden (die Versor
gungsleitung 1f und die Masseleitung 3f an die Oszillator
schaltung 6 sind in der Zeichnung nicht gezeigt). Die Versor
gungsleitung 1f und die Masseleitung 3f werden in die Takter
zeugerschaltung 7 eingeführt, nachdem sie das Innere der Schal
tungseinheit 5a durchquert haben.
Fig. 13 stellt ein Schaltungsdiagramm dar, welches äquivalent
zu der Schaltungseinheit 5a und der Takterzeugerschaltung 7 der
integrierten Halbleiterschaltung ist. Ein Kondensator C an ei
ner Stufe der Leiterschaltung sowie eine Induktivität L von je
weils der Versorgungsleitung 1f und der Masseleitung 3f zu bei
den Seiten des Kondensators C wie sie in der Äquivalentenschal
tung angeordnet sind, bilden einen LC-Filter. Ein Teil des LC-
Filters, in dem die Versorgungsleitung 1f und die Masseleitung
3f durch die Schaltungseinheit 5a verlaufen, ist in der Schal
tungseinheit 5a eingeschlossen. Die Takterzeugerschaltung 7 ist
an den Endabschnitten der Versorgungsleitung 1f und der Masse
leitung 3f angeschlossen.
In der integrierten Halbleiterschaltungseinrichtung mit oben
beschriebenem Aufbau wirken große Induktivitäten L und Kapazi
täten C parasitär auf die Versorgungsleitung 1f und der Masse
leitung 3f, wodurch ein LC-Filter gebildet wird. Konsequenter
weise können, selbst wenn das Rauschen der Leistungsversorgung
und Rauschen durch den Durchgangsstrom eines CMOS-Transistors
innerhalb der Takterzeugerschaltung 7 nicht vollständig durch
einen Bypass-Kondensator absorbiert werden kann, das Rauschen
durch die Versorgungsleitung 1f und die Masseleitung 3f absor
biert werden. Ein Absorptionsbetrag, d. h. ein Abschwächungsbe
trag des Rauschens kann in diesem Fall mit den gleichen Glei
chungen wie in der ersten Ausführungsform erhalten werden und
deshalb wird auf die Beschreibung derselben hier verzichtet.
Fig. 14 stellt ein Diagramm des Aufbaus einer integrierten
Halbleiterschaltungseinrichtung gemäß einer siebten Ausfüh
rungsform der Erfindung dar. Anschlußkontaktflächen 9 schließen
eine Versorgungsanschlußkontaktfläche 2 und eine Masseanschluß
kontaktfläche 4 ein. Eine Versorgungsleitung 1g und eine Masse
leitung 3g sind jeweils von der Versorgungsanschlußkontaktflä
che 2 und der Masseanschlußfläche 4 mit einer Schaltungseinheit
5, einer Oszillatorschaltung 6 und einer Takterzeugerschaltung
7 verbunden (die Versorgungsleitung 1g und die Masseleitung 3g
zur Oszillatorschaltung 6 sind in Fig. 14 nicht gezeigt). Die
Versorgungsleitung 1g und die Masseleitung 3g werden zu der
Takterzeugerschaltung 7 in einem Zustand geführt, in dem z. B.
ein Teil der Masseleitung 3g nicht kleiner als ½ der gesamten
Länge der Masseleitung 3g zur Takterzeugerschaltung 7 parallel
und neben der Versorgungsleitung 1g verläuft. Der Aufbau in an
deren Punkten der integrierten Halbleiterschaltungseinrichtung
dieser Ausführungsform ist der gleiche wie der der vierten Aus
führungsform und dementsprechend wird die Beschreibung dersel
ben verkürzt.
In der siebten Ausführungsform fließt ein Strom von der Versor
gungsleitung 1g zur Masseleitung 3g über die Takterzeugerschal
tung 7. Weiterhin ist die Versorgungsleitung 1g neben und par
allel zu der Masseleitung 3g angeordnet, während der Strom in
den Leitungen 1g und 3g in gegensätzliche Richtungen fließt.
Als Ergebnis davon ist eine Gegeninduktivität der Versorgungs
leitung 1g und der Masseleitung 3g invers proportional zu einem
Abstand zwischen der Versorgungsleitung 1g und einer Masselei
tung 3g und proportional zu einem Abstand eines Abschnitts, in
dem die Leitungen 1g und 3g parallel zueinander verlaufen.
Die Gegeninduktivität wird erhöht, wenn der Abstand zwischen
den Leitungen 1g und 3g reduziert und der parallele Abschnitt
verlängert wird, was zu den Induktivitäten der Versorgungslei
tung und der Masseleitung (hauptsächlich Selbstinduktivität) in
jeder der vorausgehenden Ausführungsformen hinzugefügt werden
kann. Dementsprechend ist der LC-Filter der Versorgungsleitung
1g und der Masseleitung 3g in dieser integrierten Halbleiter
schaltungseinrichtung so effektiv, daß die elektromagnetischen
Interferenzen effizienter als in den oben genannten Ausfüh
rungsformen behandelt werden können.
Claims (8)
1. Integrierte Halbleiterschaltungseinrichtung mit:
einer Schaltungseinheit (5) mit einer CPU (5b),
einem Bus (8), der so verdrahtet ist, daß er die Schaltungsein heit umgibt,
Anschlußkontaktflächen (9), die außerhalb des Busses (8) ange ordnet sind, und
einer Leitung für ein fixiertes Potential (1a . . . , 3a . . . ), die von einer Anschlußkontaktfläche (2, 4) mit fixiertem Potential zur Schaltungseinheit (5) verläuft, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitung für ein fixiertes Potential (1a . . . , 3a . . . ) einen verlängerten Abschnitt zum Vergrößern ihrer parasitären Induk tivität aufweist.
einer Schaltungseinheit (5) mit einer CPU (5b),
einem Bus (8), der so verdrahtet ist, daß er die Schaltungsein heit umgibt,
Anschlußkontaktflächen (9), die außerhalb des Busses (8) ange ordnet sind, und
einer Leitung für ein fixiertes Potential (1a . . . , 3a . . . ), die von einer Anschlußkontaktfläche (2, 4) mit fixiertem Potential zur Schaltungseinheit (5) verläuft, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitung für ein fixiertes Potential (1a . . . , 3a . . . ) einen verlängerten Abschnitt zum Vergrößern ihrer parasitären Induk tivität aufweist.
2. Integrierte Halbleiterschaltungseinrichtung mit:
einer Schaltungseinheit (5) mit einer CPU (5b),
einem Bus (8), der so verdrahtet ist, daß er die Schaltungsein heit (5) umgibt,
Anschlußkontaktflächen (9), die außerhalb des Busses (8) ange ordnet sind,
einer Oszillatorschaltung (6) zur Erzeugung von Pulsen,
einer Takterzeugerschaltung (7) zum Erzeugen von Systemtakten aus den in der Oszillatorschaltung (6) erzeugten Pulsen, und einer Leitung für ein fixiertes Potential (1c . . . , 3c . . . ), die von einer Anschlußkontaktfläche mit fixiertem Potential zur Os zillatorschaltung (6) verläuft, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitung für ein fixiertes Potential (1c . . . , 3c . . . ) einen Ab schnitt aufweist, der zur Vergrößerung der parasitären Indukti vität derselben ausgedehnt ist.
einer Schaltungseinheit (5) mit einer CPU (5b),
einem Bus (8), der so verdrahtet ist, daß er die Schaltungsein heit (5) umgibt,
Anschlußkontaktflächen (9), die außerhalb des Busses (8) ange ordnet sind,
einer Oszillatorschaltung (6) zur Erzeugung von Pulsen,
einer Takterzeugerschaltung (7) zum Erzeugen von Systemtakten aus den in der Oszillatorschaltung (6) erzeugten Pulsen, und einer Leitung für ein fixiertes Potential (1c . . . , 3c . . . ), die von einer Anschlußkontaktfläche mit fixiertem Potential zur Os zillatorschaltung (6) verläuft, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitung für ein fixiertes Potential (1c . . . , 3c . . . ) einen Ab schnitt aufweist, der zur Vergrößerung der parasitären Indukti vität derselben ausgedehnt ist.
3. Integrierte Halbleiterschaltungseinrichtung mit:
einer Schaltungseinheit (5) mit einer CPU (5b),
einem Bus (8), der so verdrahtet ist, daß er die Schaltungsein heit (5) umgibt,
Anschlußkontaktflächen (9), die außerhalb des Busses (8) ange ordnet sind,
einer Oszillatorschaltung (6) zum Erzeugen von Pulsen,
einer Takterzeugerschaltung (7) zum Erzeugen von Systemtakten aus den in der Oszillatorschaltung (6) erzeugten Pulsen, und einer Leitung für ein fixiertes Potential (1d . . . , 3d . . . ), die sich von einer Anschlußkontaktfläche mit fixiertem Potential zur Takterzeugerschaltung erstreckt, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitung für ein fixiertes Potential (1d . . . , 3d . . . ) einen Ab schnitt aufweist, der zur Vergrößerung der parasitären Indukti vität derselben ausgedehnt ist.
einer Schaltungseinheit (5) mit einer CPU (5b),
einem Bus (8), der so verdrahtet ist, daß er die Schaltungsein heit (5) umgibt,
Anschlußkontaktflächen (9), die außerhalb des Busses (8) ange ordnet sind,
einer Oszillatorschaltung (6) zum Erzeugen von Pulsen,
einer Takterzeugerschaltung (7) zum Erzeugen von Systemtakten aus den in der Oszillatorschaltung (6) erzeugten Pulsen, und einer Leitung für ein fixiertes Potential (1d . . . , 3d . . . ), die sich von einer Anschlußkontaktfläche mit fixiertem Potential zur Takterzeugerschaltung erstreckt, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitung für ein fixiertes Potential (1d . . . , 3d . . . ) einen Ab schnitt aufweist, der zur Vergrößerung der parasitären Indukti vität derselben ausgedehnt ist.
4. Integrierte Halbleiterschaltungseinrichtung nach einem der
Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß
die Leitung für ein fixiertes Potential (1a, c, d, . . . , 3a, c, d . . . )
in der Peripherie der Schaltungseinheit (5) ausgedehnt ist.
5. Integrierte Halbleiterschaltungseinrichtung nach einem der
Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß
die Leitung für ein fixiertes Potential (1b . . . , 3b . . . ) in der
Peripherie der Schaltungseinheit (5) um mehr als ¼ Umfang
ausgedehnt ist.
6. Integrierte Halbleiterschaltungseinrichtung mit:
einer Schaltungseinheit (5) mit einer CPU (5b),
einem Bus (8), der so verdrahtet ist, daß er die Schaltungsein heit (5) umgibt,
Anschlußkontaktflächen (9), die außerhalb des Busses (8) ange ordnet sind,
einer Oszillatorschaltung (6) zum Erzeugen von Pulsen,
einer Takterzeugerschaltung (7) zum Erzeugen von Systemtakten aus den in der Oszillatorschaltung (6) erzeugten Pulsen, und einer Leitung für ein fixiertes Potential (1a . . . , 3a . . . ), die sich von einer Anschlußkontaktfläche (2, 4) mit fixem Potential zur Takterzeugerschaltung (7) hin erstreckt, dadurch gekenn zeichnet, daß
die Leitung für ein fixiertes Potential durch das Innere der Schaltungseinheit verläuft, um so eine parasitäre Induktivität derselben zu vergrößern.
einer Schaltungseinheit (5) mit einer CPU (5b),
einem Bus (8), der so verdrahtet ist, daß er die Schaltungsein heit (5) umgibt,
Anschlußkontaktflächen (9), die außerhalb des Busses (8) ange ordnet sind,
einer Oszillatorschaltung (6) zum Erzeugen von Pulsen,
einer Takterzeugerschaltung (7) zum Erzeugen von Systemtakten aus den in der Oszillatorschaltung (6) erzeugten Pulsen, und einer Leitung für ein fixiertes Potential (1a . . . , 3a . . . ), die sich von einer Anschlußkontaktfläche (2, 4) mit fixem Potential zur Takterzeugerschaltung (7) hin erstreckt, dadurch gekenn zeichnet, daß
die Leitung für ein fixiertes Potential durch das Innere der Schaltungseinheit verläuft, um so eine parasitäre Induktivität derselben zu vergrößern.
7. Integrierte Halbleiterschaltungseinrichtung mit:
einer Schaltungseinheit (5) mit einer CPU (5b),
einem Bus (8), der so verdrahtet ist, daß er die Schaltungsein heit (5) umgibt,
Anschlußkontaktflächen (9), die außerhalb des Busses (8) ange ordnet sind,
einer Oszillatorschaltung (6) zur Erzeugung von Pulsen,
einer Takterzeugerschaltung (7) zum Erzeugen von Systemtakten aus den in der Oszillatorschaltung (6) erzeugten Pulsen, und einer ersten Leitung für ein fixiertes Potential (1a . . . ), die von einer ersten Anschlußkontaktfläche (2) mit fixiertem Poten tial zur Takterzeugerschaltung verläuft, und
einer zweiten Leitung für ein fixiertes Potential (3a . . . ), die von einer zweiten Anschlußkontaktfläche (4) mit fixiertem Po tential zur Takterzeugerschaltung verläuft, dadurch gekenn zeichnet, daß
die erste Leitung für ein fixiertes Potential (1a . . . ) mit der Takterzeugerschaltung verbunden ist, während eine der ersten und zweiten Leitungen für ein fixiertes Potential neben und parallel zu der anderen Leitung für ein fixiertes Potential verläuft.
einer Schaltungseinheit (5) mit einer CPU (5b),
einem Bus (8), der so verdrahtet ist, daß er die Schaltungsein heit (5) umgibt,
Anschlußkontaktflächen (9), die außerhalb des Busses (8) ange ordnet sind,
einer Oszillatorschaltung (6) zur Erzeugung von Pulsen,
einer Takterzeugerschaltung (7) zum Erzeugen von Systemtakten aus den in der Oszillatorschaltung (6) erzeugten Pulsen, und einer ersten Leitung für ein fixiertes Potential (1a . . . ), die von einer ersten Anschlußkontaktfläche (2) mit fixiertem Poten tial zur Takterzeugerschaltung verläuft, und
einer zweiten Leitung für ein fixiertes Potential (3a . . . ), die von einer zweiten Anschlußkontaktfläche (4) mit fixiertem Po tential zur Takterzeugerschaltung verläuft, dadurch gekenn zeichnet, daß
die erste Leitung für ein fixiertes Potential (1a . . . ) mit der Takterzeugerschaltung verbunden ist, während eine der ersten und zweiten Leitungen für ein fixiertes Potential neben und parallel zu der anderen Leitung für ein fixiertes Potential verläuft.
8. Integrierte Halbleiterschaltungseinrichtung nach Anspruch
7, dadurch gekennzeichnet, daß
wenigstens ein Teil, der länger als die Hälfte der vollständi
gen Länge von einer der ersten und zweiten Leitungen für ein
fixiertes Potential (1a . . . , 3a . . . ) ist, neben und parallel der
anderen Leitung verläuft.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7089700A JPH08288462A (ja) | 1995-04-14 | 1995-04-14 | 半導体集積回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19540647A1 true DE19540647A1 (de) | 1996-10-24 |
DE19540647C2 DE19540647C2 (de) | 2001-11-29 |
Family
ID=13978057
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19540647A Expired - Fee Related DE19540647C2 (de) | 1995-04-14 | 1995-10-31 | Integrierte Halbleiterschaltungseinrichtung mit verbesserter Unterdrückung von Störsignalen bzw. Rauschen in der Versorgungsspannung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5717359A (de) |
JP (1) | JPH08288462A (de) |
KR (1) | KR0185252B1 (de) |
DE (1) | DE19540647C2 (de) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19613642A1 (de) * | 1995-05-25 | 1996-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleitereinrichtung zum Verkleinern von Wirkungen eines Rauschens auf eine interne Schaltung |
US5883427A (en) * | 1996-09-10 | 1999-03-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device power supply wiring structure |
DE19947021A1 (de) * | 1999-09-30 | 2001-04-19 | Infineon Technologies Ag | EMV-optimierte On-Chip-Stromversorgung |
DE10019811A1 (de) * | 2000-04-20 | 2001-10-31 | Infineon Technologies Ag | Integrierte Schaltung |
DE10142542A1 (de) * | 2001-08-30 | 2003-03-27 | Infineon Technologies Ag | Anordnung eines Halbleiterchips in einem Gehäuse, Chipkarte und Chipmodul |
US7096168B2 (en) | 2000-01-13 | 2006-08-22 | Infineon Technologies Ag | Circuit configuration for simulating the input or output load of an analog circuit |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3581971B2 (ja) * | 1996-05-22 | 2004-10-27 | 株式会社ボッシュオートモーティブシステム | 車載用コントロールユニットのemi用接地構造 |
US6016084A (en) * | 1996-12-27 | 2000-01-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for connecting printed circuit board with housing, and electronic instrument having connection structure according to the connecting method |
US5923225A (en) * | 1997-10-03 | 1999-07-13 | De Los Santos; Hector J. | Noise-reduction systems and methods using photonic bandgap crystals |
US6052012A (en) * | 1998-06-29 | 2000-04-18 | Cisco Technology, Inc. | Method and apparatus for clock uncertainly minimization |
JP3784177B2 (ja) * | 1998-09-29 | 2006-06-07 | 株式会社沖データ | ドライバic |
JP3258284B2 (ja) * | 1998-11-10 | 2002-02-18 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 半導体回路 |
US6144225A (en) * | 1999-03-03 | 2000-11-07 | Xilinx, Inc. | Programmable integrated circuit having metal plate capacitors that provide local switching energy |
JP4204737B2 (ja) | 2000-03-16 | 2009-01-07 | 株式会社ルネサステクノロジ | 集積回路装置 |
JP2002009244A (ja) | 2000-06-21 | 2002-01-11 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路および半導体集積回路の設計方法 |
US6475830B1 (en) | 2000-07-19 | 2002-11-05 | Cisco Technology, Inc. | Flip chip and packaged memory module |
JP2002101052A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-05 | Murata Mfg Co Ltd | ノイズ除去用インピーダンス素子の取付け構造、ノイズ除去用インピーダンス素子の取付け位置選定方法およびノイズ除去用インピーダンス素子の取付け位置選定プログラムを記録した記録媒体 |
JP3969020B2 (ja) | 2001-06-15 | 2007-08-29 | 株式会社デンソー | 半導体集積回路装置 |
US6933800B2 (en) * | 2001-08-16 | 2005-08-23 | Dell Products L.P. | Printed circuit suppression of high-frequency spurious signals |
TWI304718B (en) * | 2002-03-19 | 2008-12-21 | Nec Tokin Corp | Electronic device for supplying dc power and having noise filter mounted with excellent noise reduction |
JP2005311383A (ja) * | 2005-04-27 | 2005-11-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電磁波障害解析方法および電磁波障害解析装置およびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
US9584116B2 (en) | 2015-05-28 | 2017-02-28 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Method and apparatus for current/power balancing |
US9660643B2 (en) | 2015-05-28 | 2017-05-23 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Method and apparatus to improve power device reliability |
JP7112301B2 (ja) * | 2018-09-25 | 2022-08-03 | 日立Astemo株式会社 | 電子制御装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60231355A (ja) * | 1984-04-27 | 1985-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | 相補型半導体集積回路 |
DE3580070D1 (de) * | 1984-07-16 | 1990-11-15 | Nippon Denso Co | Hf-filter fuer elektronische instrumente. |
JPS61239649A (ja) * | 1985-04-13 | 1986-10-24 | Fujitsu Ltd | 高速集積回路パツケ−ジ |
JPS6242553A (ja) * | 1985-08-20 | 1987-02-24 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路装置 |
JPH0237814A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-07 | Fujitsu Ltd | 遅延素子及びその製造方法 |
JPH0376142A (ja) * | 1989-08-17 | 1991-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路 |
JPH0446406A (ja) * | 1990-06-13 | 1992-02-17 | Murata Mfg Co Ltd | ディレイライン |
US5339056A (en) * | 1990-09-13 | 1994-08-16 | Hirose Electric Co., Ltd. | Variable delay line with microstrip delay elements selectively connected by sliding switches |
JPH04260341A (ja) * | 1991-02-15 | 1992-09-16 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
JP2742735B2 (ja) * | 1991-07-30 | 1998-04-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体集積回路装置およびそのレイアウト設計方法 |
JPH06104720A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-04-15 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
US5521568A (en) * | 1995-04-04 | 1996-05-28 | Industrial Technology Research Institute | Electrical delay line |
-
1995
- 1995-04-14 JP JP7089700A patent/JPH08288462A/ja active Pending
- 1995-09-12 KR KR1019950029627A patent/KR0185252B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-09-12 US US08/527,676 patent/US5717359A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-10-31 DE DE19540647A patent/DE19540647C2/de not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JP 62-42553 A - in: Patents Abstracts of Japan, Sect. E, Vol. 11 (1987), Nr. 224 (E-525) * |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19613642A1 (de) * | 1995-05-25 | 1996-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleitereinrichtung zum Verkleinern von Wirkungen eines Rauschens auf eine interne Schaltung |
US5844262A (en) * | 1995-05-25 | 1998-12-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device for reducing effects of noise on an internal circuit |
US6331719B2 (en) | 1995-05-25 | 2001-12-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device for reducing effects of noise on an internal circuit |
DE19613642B4 (de) * | 1995-05-25 | 2008-01-17 | Mitsubishi Denki K.K. | Halbleitereinrichtung zum Verkleinern von Wirkungen eines Rauschens auf eine interne Schaltung |
US5883427A (en) * | 1996-09-10 | 1999-03-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device power supply wiring structure |
US6181005B1 (en) | 1996-09-10 | 2001-01-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device wiring structure |
DE19947021A1 (de) * | 1999-09-30 | 2001-04-19 | Infineon Technologies Ag | EMV-optimierte On-Chip-Stromversorgung |
US6646475B2 (en) | 1999-09-30 | 2003-11-11 | Infineon Technologies Ag | On-chip power supply with optimized electromagnetic compatibility |
US7096168B2 (en) | 2000-01-13 | 2006-08-22 | Infineon Technologies Ag | Circuit configuration for simulating the input or output load of an analog circuit |
DE10019811A1 (de) * | 2000-04-20 | 2001-10-31 | Infineon Technologies Ag | Integrierte Schaltung |
DE10142542A1 (de) * | 2001-08-30 | 2003-03-27 | Infineon Technologies Ag | Anordnung eines Halbleiterchips in einem Gehäuse, Chipkarte und Chipmodul |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR960039338A (ko) | 1996-11-25 |
US5717359A (en) | 1998-02-10 |
KR0185252B1 (ko) | 1999-03-20 |
JPH08288462A (ja) | 1996-11-01 |
DE19540647C2 (de) | 2001-11-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE19540647C2 (de) | Integrierte Halbleiterschaltungseinrichtung mit verbesserter Unterdrückung von Störsignalen bzw. Rauschen in der Versorgungsspannung | |
DE69830885T2 (de) | Vielschichtkondensator | |
DE19826735B4 (de) | Stromversorgungsschaltung | |
DE10019229A1 (de) | Mehrschichtkondensator | |
DE4426841A1 (de) | Signalübertragungseinrichtung, Schaltungsblock und integrierte Schaltung für schnelle Signalübertragung | |
DE10136285B4 (de) | Integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung und Verfahren zum Anbringen von Schaltungsblöcken in der integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung | |
DE102008026467A1 (de) | Steckverbindersystem | |
DE102004011719A1 (de) | Halbleitervorrichtung mit symmetrischer Schaltung zur Verwendung in einem Hochfrequenzband | |
DE102005047038A1 (de) | Spannungsversorgungsrauschunterdrückungsschaltung und - verfahren | |
DE10019696A1 (de) | Verfahren und Schaltung zur Verringerung von Störstrahlung in Motorspeiseschaltungsanwendungen | |
DE2424947C2 (de) | Wanderwellen-Feldeffekttransistor | |
DE3872446T2 (de) | Vorspannungseinrichtung, um eine spannungsunabhaengige kapazitanz zu verwirklichen. | |
DE19613642A1 (de) | Halbleitereinrichtung zum Verkleinern von Wirkungen eines Rauschens auf eine interne Schaltung | |
WO2000036651A1 (de) | Integrierte schaltung mit kapazitiven elementen | |
DE19650820C2 (de) | Stromversorgungs-Störsignalbeseitigungsverfahren und zugehörige Störsignal-Beseitigungsschaltung | |
DE10100844B4 (de) | Abschirmungsschaltung und integrierte Schaltung, in der die Abschirmungsschaltung verwendet wird | |
DE4133352C2 (de) | LC-Verbundelement | |
DE102005054348B3 (de) | Kopplungselement zur elektromagnetischen Kopplung von mindestens zwei Leitern einer Transmissionsleitung | |
EP0827282B1 (de) | Störstrahlreduzierende Anschlusskonfiguration für eine integrierte Schaltung | |
DE4027686A1 (de) | Integrierte schaltung und ihre anschlussschaltung | |
DE10239888A1 (de) | Elektronisches Modul und Kommunikationsmodul, das dasselbe verwendet | |
EP1148549B1 (de) | Integrierte Schaltung mit integrierter HF-Filtereinrichtung | |
DE102004001434B4 (de) | Speicherbauelement | |
DE10231638B4 (de) | Integrierte Schaltungsanordnung | |
DE10005620A1 (de) | Schaltungsanordnung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |