DE112012002275T5 - SIC-Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents

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Abstract

Eine Schicht, die Titan und Nickel enthält, ist auf einem SiC-Substrat (1) ausgebildet. Eine Nickelsilizidschicht (4), die Titancarbid enthält, wird durch Erhitzen gebildet. Eine abgelagerte Kohlenstoffschicht (5) wird durch Rücksputtern entfernt. Dadurch wird eine Trennung einer Elektrode (8) einer Metallschicht, die auf Nickelsilizid gebildet wird in einem nachfolgenden Schritt, unterdrückt. Der Effekt eines Verhinderns der Trennung kann weiter verbessert werden, wenn die Beziehung zwischen der Menge von abgelagertem Kohlenstoff und der Menge von Kohlenstoff in Titancarbid in der Oberfläche von Nickelsilizid, aus der die Kohlenstoffschicht (5) noch nicht entfernt wurde, eine vorgegebene Bedingung erfüllt.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Siliciumcarbid(SiC)-Halbleitervorrichtung, bei der eine Trennung einer Elektrode verhindert wird, und ein Verfahren zur Herstellung der SiC-Halbleitervorrichtung. Zum Beispiel betrifft die Erfindung eine SiC-Halbleitervorrichtung, bei der eine Trennung einer rückseitigen Elektrode in einer rückseitigen Elektrodenstruktur, wie eine Schottky-Diode mit einer vertikalen Struktur, unterdrückt werden kann, und ein Verfahren zur Herstellung der SiC-Halbleitervorrichtung.
  • Stand der Technik
  • Unter den Halbleitervorrichtungen, die bisher als Leistungsvorrichtungen verwendet werden, werden im Allgemeinen einige Halbleitervorrichtungen verwendet, die Silicium als ihre Halbleitermaterialien verwenden. Siliciumcarbid (SiC), das ein Halbleiter mit breiter Lücke bzw. Abstand ist, hat physikalische Eigenschaften, einschließlich einer thermischen Leitfähigkeit dreimal so hoch, einer maximalen elektrischen Feldstärke zehnmal so hoch und einer Elektronendriftgeschwindigkeit doppelt so hoch wie Silicium. Aus diesem Grund wurden in den letzten Jahren Anwendungen von SiC als Leistungsvorrichtungen erforscht, die mit hoher Überschlagsspannung und niedrigem Verlust bei einer hohen Temperatur betrieben werden können.
  • Hinsichtlich der Struktur einer Leistungsvorrichtung wird im Allgemeinen eine vertikale Halbleitervorrichtung mit einer rückseitigen Elektrode verwendet, die mit einer niederohmigen Elektrode auf der Rückseite vorgesehen ist. Verschiedene Materialien und Strukturen wurden für die rückseitige Elektrode verwendet. Darunter wurde eine Beschichtung aus einer Titanschicht, einer Nickelschicht und einer Silberschicht (siehe zum Beispiel die folgende PTL 1), eine Beschichtung aus einer Titanschicht, einer Nickelschicht und einer Goldschicht (siehe zum Beispiel PTL 2) oder dergleichen vorgeschlagen.
  • In einer vertikalen Halbleitervorrichtung unter Verwendung von SiC, wie durch eine Schottky-Diode typisiert, wird ein Verfahren verwendet, in dem eine Nickelsilizidschicht durch Erhitzen gebildet wird, nachdem ein SiC-Substrat mit einer Nickelschicht beschichtet wird, und ein ohmscher Kontakt wird zwischen dem SiC-Substrat und der Nickelsilizidschicht gebildet (siehe zum Beispiel die folgende PTL 1 und die folgende PTL 2). Es gibt jedoch ein Problem, dass, wenn eine rückseitige Elektrode auf der Nickelsilizidschicht geformt wird, die rückseitige Elektrode leicht von der Nickelsilizidschicht getrennt wird.
  • Daher wurde eine Technik einer rückseitigen Elektrode vorgeschlagen, bei der eine Titanschicht, eine Nickelschicht und eine Silberschicht in dieser Reihenfolge aufgebracht werden, nachdem eine Nickelschicht, die auf der Oberfläche einer Nickelsilizidschicht verbleibt, wenn die Nickelsilizidschicht gebildet wird, von der Oberfläche der Nickelsilizidschicht entfernt wird (siehe zum Beispiel die folgende PTL 3). Es wurde vorgeschlagen, dass ein Teil einer Kathodenelektrode in Kontakt mit der Nickelsilizidschicht aus einem anderen Metall als Nickel besteht, um so einen Defekt einer Trennung zu unterdrücken. Es wurde auch vorgeschlagen, dass, auch wenn eine Schicht, bei der Kohlenstoff abgelagert bzw. abgeschieden wurde, zwischen dem Nickelsilizid oder dergleichen und der Kathoden-Elektrode ausgebildet ist, die Schicht, bei der Kohlenstoff abgelagert wurde, zusammen mit der Nickelschicht entfernt werden kann, so dass eine Trennung verhindert werden kann.
  • Weiter wurde eine Technik vorgeschlagen, bei der Carbid, das in der Oberfläche einer Nickelsilizidschicht ausgebildet ist, entfernt wird, um die Haftung einer rückseitigen Elektrode zu verbessern (siehe zum Beispiel in der folgenden PTL 4).
  • Zitierungsliste
  • Patentliteratur
    • PTL 1: JP-A-2007-184571
    • PTL 2: JP-A-2010-86999
    • PTL 3: JP-A-2008-53291
    • PTL 4: JP-A-2003-243323
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Technisches Problem
  • In PTL 3 oder PTL 4, die zum Stand der Technik gehören, gibt es ein Problem, dass die Haftung zwischen einer Nickelsilizidschicht und einer Titanschicht einer Kathodenelektrodenschicht gering ist, auch in einer rückseitigen Elektrode mit einer Konfiguration, von der angenommen wird, dass sie einen Defekt unterdrücken kann. Zum Beispiel gibt es ein Problem, dass die rückseitige Elektrode von der Nickelsilizidschicht getrennt werden kann, wenn eine Halbleitervorrichtung in Dice-Form gebracht wird.
  • Zum Beispiel wird in einem Verfahren zur Herstellung einer rückseitigen Elektrode für eine SiC-Halbleitervorrichtung, wie in PTL 3 beschrieben, eine Nickelschicht auf einem SiC-Substrat gebildet, eine Nickelsilizidschicht wird durch nachfolgendes Erhitzen gebildet und ein ohmscher Kontakt wird zwischen dem SiC und der Nickelsilizidschicht gebildet.
  • Gemäß der Beschreibung von PTL 1 wird Nickelsilizid durch eine Festphasenreaktion erzeugt, die durch die folgende Reaktionsformel ausgedrückt wird. Ni + 2SiC → NiSi2 + 2C
  • Kohlenstoff (C – Carbon), der in der oben angeführten Reaktionsformel erzeugt wird, existiert als ein instabiler Übersättigungszustand oder eine Mikro-Ablagerung, um über das gesamte Innere der Nickelsilizidschicht verteilt zu werden. Sobald eine Hitzebehandlung durchgeführt wird, nachdem Silizid gebildet ist, wird C auf einmal abgegeben und aggregiert (abgelagert) geschichtet als eine Ablagerung, die als Graphit angesehen wird, auf und im Inneren der Silizidschicht. Die Ablagerung ist ein Material, das zerbrechlich ist und ein schlechtes Anhaftungsvermögen hat. Demgemäß ist die Ablagerung sehr zerbrechlich, wenn eine geringe Belastung darauf wirkt. Somit wird eine rückseitige Elektrode-Metallschicht getrennt, die auf der Silizidschicht gebildet ist.
  • Wie oben beschrieben, bei dem Verfahren zur Herstellung einer SiC-Halbleitervorrichtung, nachdem Ni zur Bildung einer ohmschen Elektrode auf einem SiC-Substrat aufgebracht wird, reagieren das SiC-Substrat und das Ni der Elektrode aufgrund einer Hitzebehandlung miteinander, so dass Nickelsilizid gebildet wird. Weiter gibt es aufgrund unterschiedlicher Hitzebehandlungen, die in einem Schritt eines Bildens einer Schottky-Elektrode der Halbleitervorrichtung ausgeführt werden, und so weiter, ein Problem, dass Kohlenstoff in dem SiC-Substrat zerstreut und abgelagert wird in dem Nickelsilizid oder auf der Oberfläche des Nickelsilizids.
  • Um diese Probleme zu lösen, ist eine Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren vorzusehen zur Herstellung einer SiC-Halbleitervorrichtung, die zufriedenstellend eine Trennung einer rückseitigen Elektrode unterdrücken kann, und eine SiC-Halbleitervorrichtung mit einer rückseitigen Elektroden-Struktur, die eine Trennung einer rückseitigen Elektrode verhindern kann.
  • Lösung für das Problem
  • Gemäß der Erfindung wird, um eine Elektrode auf einem Substrat eines SiC-Halbleiters zu bilden, ein Verfahren, bei dem eine Schicht mit Titan und Nickel gebildet wird und eine Nickelsilizidschicht mit Titancarbid gebildet wird durch Erhitzen, für ein Verfahren nach dem Stand der Technik ersetzt, bei dem eine Ni-Schicht gebildet wird. Die Nickelsilizidschicht, die Titancarbid enthält, kann durch Erhitzen gebildet werden, nachdem die Schicht, die Titan und Nickel enthält, zum Beispiel aus einer Nickelschicht und einer Titanschicht gebildet wird, die sequentiell auf das SiC-Substrat aufgebracht werden. Aufgrund des erzeugten Titancarbids kann eine Ablagerung von Kohlenstoff verhindert werden.
  • Weiter wird eine Kohlenstoffschicht, die auf der Nickelsilizidschicht mit Titancarbid abgelagert ist, durch Rücksputtern entfernt, so dass eine Trennung einer Metallschicht, die auf dem Nickelsilizid gebildet wird in einem nachfolgenden Schritt, unterdrückt werden kann.
  • Gemäß der Erfindung wird eine Kohlenstoffschicht, die in der Oberfläche aufgrund verschiedener Behandlungsschritte (zur Bildung einer Schottky-Elektrode, etc.) abgelagert ist, die nach der Bildung der Nickelsilizidschicht mit Titancarbid durchgeführt werden, vor einer Bildung eines „rückseitige Elektrode”-Metallfilms entfernt, so dass eine Trennung der rückseitigen Elektrode verhindert werden kann.
  • Der Effekt eines Verhinderns der Trennung kann weiter verbessert werden, wenn die Beziehung zwischen der Quantität von abgelagertem Kohlenstoff und der Quantität von Kohlenstoff in Titancarbid in der Nickelsilizidoberfläche, von der die Kohlenstoffschicht noch nicht entfernt wurde, eine vorgegebene Bedingung erfüllt.
  • Gemäß der Erfindung ist eine Titanschicht auf der Seite der Nickelsilizidschicht, die Titancarbid enthält und in Kontakt damit, als eine Metallschicht angeordnet, die auf der Nickelsilizidschicht gebildet ist, die Titancarbid enthält. Eine Nickelschicht und eine Goldschicht sind sequentiell auf der Titanschicht aufgebracht, so dass eine rückseitige Elektrode gebildet wird. Die Nickelsilizidschicht wird als eine ohmsche Elektrode bezeichnet und die Metallschicht, in der die Titanschicht, die Nickelschicht und die Goldschicht in dieser Reihenfolge aufgebracht sind, wird als eine rückseitige Elektrode bezeichnet. Die Struktur, die aus der ohmschen Elektrode und der rückseitigen Elektrode besteht, wird als eine rückseitige Elektroden-Struktur bezeichnet. Andererseits ist auf einer gegenüberliegenden Oberfläche des SiC-Substrats zu der rückseitige Elektroden-Struktur eine Schottky-Elektrode in Kontakt mit dem SiC-Substrat gebildet und eine Oberflächenelektrode aus einer Metallschicht ist auf der Schottky-Elektrode gebildet. Die Struktur, die aus der Schottky-Elektrode und der Oberflächenelektrode besteht, wird als eine Oberflächenelektrodenstruktur bezeichnet.
  • Die Schicht, die die Titancarbid-Schicht enthält, die durch Erhitzen der Schicht erzeugt wird, die Nickel und Titan enthält, hat eine bessere Haftung an die Nickelsilizidschicht und eine bessere Haftung an die Titanschicht, die in der rückseitigen Elektrode verwendet wird.
  • Um die vorstehende Aufgabe zu lösen, hat die Erfindung die folgenden Charakteristiken.
  • Gemäß der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, in der eine Elektrodenstruktur in einem SiC-Halbleiter gebildet wird, dadurch gekennzeichnet, dass es umfasst: Erzeugen einer Nickelsilizidschicht, die Titancarbid enthält, durch Erhitzen, nachdem eine Schicht, die Nickel und Titan enthält, auf dem SiC-Halbleiter gebildet ist; Entfernen einer Kohlenstoffschicht, die in bzw. auf einer Oberfläche der Nickelsilizidschicht erzeugt wird, durch umgekehrtes Sputtern bzw. Rücksputtern; und Bilden einer Metallschicht durch Aufbringen einer Titanschicht, einer Nickelschicht und einer Goldschicht sequentiell auf die Nickelsilizidschicht, die Titancarbid enthält.
  • Vorzugsweise wird die Kohlenstoffschicht, die in der Oberfläche der Nickelsilizidschicht, die Titancarbid enthält, erzeugt wird, derart angeordnet, dass das Verhältnis der Anzahl von Kohlenstoffatomen, die in Titancarbid in der obersten Oberfläche enthalten sind, zu der Gesamtanzahl von Kohlenstoffatomen in der obersten Oberfläche nicht niedriger als 12% ist. Dabei entspricht die oberste Oberfläche einem Teil bis zu einer Oberflächentiefe, die zu analysieren ist, wenn die Oberfläche durch AES (Auger Electron Spectroscopy), XPS (X-Ray Photoelectron Spectroscopy) oder dergleichen analysiert wird. Die Tiefe der obersten Oberfläche beträgt mehrere nm. Insbesondere beträgt die Tiefe der obersten Oberfläche 2 bis 3 nm. Eine gemittelte Information über eine Tiefe bis zu mehreren um wird auf eine andere Weise einer Oberflächenanalyse erlangt, wie EPMA. Um einen Unterschied zu diesen klarzustellen, wird die Oberflächentiefe hier durch „oberste Oberfläche” oder „obere Oberfläche” bezeichnet. Die „Gesamtanzahl von Kohlenstoffatomen in der obersten Oberfläche” umfasst die Anzahl von Kohlenstoffatomen in der Kohlenstoffschicht, die in der Oberfläche abgelagert sind, die Anzahl von Kohlenstoffatomen, die in Titancarbid in der obersten Oberfläche enthalten sind, und die Anzahl von nicht reagierenden Kohlenstoffatomen, die in der Nickelsilizidschicht in der obersten Oberfläche verbleiben. Vorzugsweise ist das Verhältnis der Anzahl von Kohlenstoffatomen in Titancarbid in der obersten Oberfläche zu der Gesamtanzahl von Kohlenstoffatomen in der obersten Oberfläche nicht niedriger als 12%. Wenn das Verhältnis nicht niedriger als 12% ist, kann verhindert werden, dass die Metallschicht der Elektrode von dieser getrennt wird, und der Effekt eines Unterdrückens der Trennung ist offensichtlich. Die obere Grenze des Verhältnisses kann in geeigneter Weise ausgewählt werden. Es ist bewiesen, dass der Effekt eines Verhinderns der Trennung bei 30% sichergestellt ist, und der Effekt eines Verhinderns der Trennung bei 20% zufriedenstellend ist. Somit ist das Verhältnis nicht niedriger als 12% und nicht höher als 30%, vorzugsweise nicht niedriger als 12% und nicht höher als 20%.
  • In der Erfindung ist bevorzugt, dass die Schicht, die Nickel und Titan enthält, durch ein sequentielles Aufbringen einer Nickelschicht und einer Titanschicht auf der Oberfläche des SiC-Halbleiters gebildet wird.
  • Die Kohlenstoffschicht, die in der Oberfläche der Nickelsilizidschicht erzeugt wird, besteht aus Kohlenstoffatomen, die in mehreren Atomschichten oder lokal auf der Oberfläche der Nickelsilizidschicht abgelagert sind. Die Kohlenstoffatome werden in einer bis zu neun Schichten abgelagert, vorzugsweise eine bis drei Schichten, und oft lokal auf der Oberfläche der Nickelsilizidschicht abgelagert. Die Kohlenstoffatome werden lokal und wie Inseln abgelagert. Zum Beispiel werden die Kohlenstoffatome wie Inseln oder Domänestrukturen abgelagert, die jeweils einen Bereich von nicht mehr als 1 μm2 haben.
  • Die SiC-Halbleitervorrichtung gemäß der Erfindung hat eine rückseitige Elektrodenstruktur, die eine ohmsche Elektrode der Nickelsilizidschicht umfasst, die Titancarbid enthält, und eine rückseitige Elektrode der Metallschicht, als eine spezifische Struktur der Elektrodenstruktur, und eine Schottky-Elektrode und eine Oberflächenelektrode als eine Oberflächenelektrodenstruktur.
  • Es ist bevorzugt, dass ein Argon-Rücksputtern als das Rücksputtern in der Erfindung verwendet wird. In diesem Fall ist der bevorzugte Wert eines Drucks von Argon-Gas nicht niedriger als 0,1 Pa und nicht höher als 1 Pa, und eine RF-Leistung ist nicht niedriger als 100 W und nicht höher als 600 W. Wenn der Druck außerhalb des oberen oder unteren Grenzwerts ist oder die Leistung außerhalb des unteren Grenzwerts ist, ist ein stabiles Ergebnis des Rücksputterns schwierig. Wenn andererseits die Leistung den oberen Grenzwert übersteigt, ist ein Schaden an der Vorrichtung groß.
  • Eine SiC-Halbleitervorrichtung gemäß der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass sie in einem Verfahren zur Herstellung einer SiC-Halbleitervorrichtung gemäß der Erfindung hergestellt wird. Zusätzlich ist eine SiC-Halbleitervorrichtung gemäß der Erfindung dadurch gekennzeichnet, dass sie eine Elektrodenstruktur umfasst, in der eine Nickelsilizidschicht, die Titancarbid enthält, eine Titanschicht, eine Nickelschicht und eine Goldschicht sequentiell auf einen SiC-Halbleiter aufgebracht sind. Zusätzlich ist bevorzugt, dass in der Nickelsilizidschicht, die Titancarbid enthält, eine Nickelsilizidschicht und eine Titancarbidschicht sequentiell in der Reihenfolge einer zunehmenden Entfernung von dem SiC-Halbleiter aufgebracht sind.
  • Vorteilhafte Effekte der Erfindung
  • Gemäß dem Verfahren zur Herstellung einer Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung gemäß der Erfindung ist es möglich, eine Trennung einer Elektrode zufriedenstellend zu unterdrücken. Da die Trennung der Elektrode unterdrückt wird, wird die Trennung während eines „Dicings” unterdrückt, so dass die Ausbeute verbessert werden kann und die Produktionseffizienz erhöht werden kann. In dem Verfahren zur Herstellung einer Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung gemäß der Erfindung wird eine Nickelsilizidschicht, die Titancarbid enthält, durch Erhitzen erzeugt, nachdem eine Schicht, die Nickel und Titan enthält, auf dem Siliciumcarbid-Halbleiter gebildet wird, und eine Kohlenstoffschicht, die in der Oberfläche der Nickelsilizidschicht erzeugt wird, durch Rücksputtern entfernt wird. Somit kann eine Trennung einer Elektrode aus einer Metallschicht, die später gebildet wird, unterdrückt werden, so dass die Ausbeute gegen die Trennung während eines Dicings verbessert werden kann. Zusätzlich werden eine Titanschicht, eine Nickelschicht und eine Goldschicht sequentiell auf die Nickelsilizidschicht, die Titancarbid enthält, aufgebracht, um so die Haftung zwischen der Nickelsilizidschicht, die Titancarbid enthält, und der Titanschicht zu verbessern. Somit kann die Trennung besser verhindert werden.
  • Gemäß der Erfindung ist ein offensichtlicher Effekt, dass keine Trennung zwischen der Oberfläche der Nickelsilizidschicht und der Metallschicht der Elektrode stattfindet, wenn die Kohlenstoffschicht, die in der Oberfläche der Nickelsilizidschicht, die Titancarbid enthält, erzeugt wird, derart ausgebildet ist, dass das Verhältnis der Anzahl von Kohlenstoffatomen, die in Titancarbid enthalten sind in der obersten Oberfläche, zu der Gesamtanzahl von Kohlenstoffatomen in der obersten Oberfläche nicht niedriger als 12% ist.
  • Gemäß der Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung der Erfindung wird die Trennung der Elektrode unterdrückt. Wenn die Erfindung auf eine Schottky-Diode angewendet wird, ist es möglich, einen „Ein”-Widerstand zu reduzieren, während das Leck der Schottky-Diode mit einer Spannungsfestigkeit von 1000 V oder höher unterdrückt wird. Als Ergebnis ist es möglich, die Chipfläche zu reduzieren und den Preis pro Produkteinheit zu reduzieren. Zusätzlich ist es möglich, eine Diode mit großer Leistungsfähigkeit herzustellen, die für einen Inverter für einen industriellen Elektromotor, einen Shinkansen-Zugwagen, etc. angewendet werden kann, der einen hohen Strom benötigt. Es ist daher möglich, zu einer hohen Effizienz und einer Miniaturisierung einer Vorrichtung beizutragen.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • [1] Eine Schnittansicht, die ein SiC-Substrat bei der Herstellung einer Schottky-Diode gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt.
  • [2] Eine Schnittansicht, die einen Schritt eines Bildens eines Schutzrings bei der Herstellung der Schottky-Diode gemäß dem Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt.
  • [3] Eine Schnittansicht, die einen Schritt eines Bildens einer isolierenden Schicht und einer Nickelsilizidschicht bei der Herstellung der Schottky-Diode gemäß dem Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt.
  • [4] Eine Schnittansicht, die einen Schritt eines Bildens eines Kontaktlochs bei der Herstellung der Schottky-Diode gemäß dem Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt.
  • [5] Eine Schnittansicht, die einen Schritt eines Bildens einer Schottky-Elektrode bei der Herstellung der Schottky-Diode gemäß dem Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt.
  • [6] Eine Schnittansicht, die einen Schritt eines Bildens einer Oberflächenelektrode bei der Herstellung der Schottky-Diode gemäß dem Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt.
  • [7] Eine Schnittansicht, die einen Schritt eines Entfernens einer Kohlenstoffschicht, die auf Nickelsilizid gebildet ist, bei der Herstellung der Schottky-Diode gemäß dem Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt.
  • [8] Eine Schnittansicht, die einen Schritt eines Bildens einer rückseitigen Elektrode bei der Herstellung der Schottky-Diode gemäß dem Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt.
  • [9] Eine Ansicht, die ein Beispiel der Schottky-Diode gemäß dem Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt.
  • [10] Ein Graph, der zeigt, dass die rückseitige Elektrode nicht getrennt wird, wenn die Konzentration von Kohlenstoffatomen, abgeleitet von TiC, gemäß der Erfindung, nicht niedriger als 12% ist.
  • [11] Eine Ansicht, die ein weiteres Beispiel der Schottky-Diode gemäß dem Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt.
  • Beschreibung von Ausführungsbeispielen
  • Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird im Folgenden beschrieben.
  • Eine Schottky-Diode wird unter Bezugnahme auf die 1 bis 8 als ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel einer SiC-Halbleitervorrichtung gemäß der Erfindung beschrieben. Die 1 bis 8 sind Ansichten zur Erläuterung eines Verfahrens zur Herstellung einer Schottky-Diode. Die 1 bis 8 zeigen schematisch einen Teil der Schottky-Diode während Schritten der Herstellung. 8 zeigt eine Struktur der hergestellten Schottky-Diode. Die Schottky-Diode unter Verwendung eines SiC-Halbleiters ist mit einem SiC-Substrat 1, einem Schutzring 2, einer isolierenden Schicht 3, einer Nickelsilizidschicht 4, die Titancarbid enthält, einer Kohlenstoffschicht 5, einer Schottky-Elektrode 6, einer Oberflächenelektrode 7 und einer rückseitigen Elektrode 8 vorgesehen.
  • 1 ist eine Schnittansicht, die das SiC-Substrat 1 zeigt. Das SiC-Substrat 1 wird durch Aufbringen einer epitaxialen Schicht aus SiC auf eine Waferschicht aus SiC ausgebildet. In 1 werden die Waferschicht und die epitaxiale Schicht durch dasselbe Bezugszeichen ausgedrückt.
  • 2 ist eine Ansicht, die einen Schritt eines Bildens des Schutzrings 2 zeigt. Ionen werden in einen Teil der epitaxialen Schicht auf der Oberflächenseite des SiC-Substrats 1 derart injiziert, um den Schutzring 2 zu bilden.
  • 3 ist eine Schnittansicht, die einen Schritt eines Bildens der isolierenden Schicht 3 und der Nickelsilizidschicht 4 zeigt. Nachdem die isolierende Schicht 3, die aus SiO2 besteht, auf dem Schutzring 2 gebildet ist, wird die Rückseite des SiC-Substrats 1 mit einer Schicht beschichtet, die Nickel (Ni) und Titan (Ti) enthält. Durch nachfolgendes Erhitzen wird die Nickelsilizidschicht 4 gebildet, die Titancarbid enthält. Für die Schicht, die Nickel und Titan enthält, werden eine Nickelschicht und eine Titanschicht vorzugsweise in einer Reihenfolge einer zunehmenden Entfernung von der Rückseite des SiC-Substrats 1 gebildet. Die Nickelschicht und die Titanschicht können durch Aufbringen gebildet werden, wenn das Verhältnis einer Schichtdicke zwischen Nickel und Titan in einem Bereich von 1:1 bis 10:1, vorzugsweise in einem Bereich von 3:1 bis 6:1 vorgesehen ist.
  • In diesem Fall ist es bevorzugt, dass die Schichtdicke von Nickel 20 bis 100 nm ist und die Schichtdicke von Titan 10 bis 50 nm ist. Zusätzlich kann die Schicht als eine Legierung ausgebildet sein, die Titan in Nickel enthält. Die Schicht kann gebildet werden, wenn das Verhältnis zwischen Nickel und Titan in einem Bereich von 1:1 bis 10:1, vorzugsweise in einem Bereich von 3:1 bis 6:1 vorgesehen ist.
  • Ein Dünnfilmbildungsverfahren, wie Aufdampfen oder Sputtern, kann als das Verfahren zum Bilden der Nickelschicht und der Titanschicht verwendet werden. Nachdem die Dünnschichten gebildet sind, werden die Dünnschichten bei 1000 bis 1200°C in einer Argonatmosphäre erhitzt, um so die Nickelsilizidschicht 4 zu erlangen.
  • Die derart gebildete Nickelsilizidschicht 4, die Titancarbid enthält, hat eine Dicke von 10 bis 100 nm, vorzugsweise eine Dicke von 20 bis 30 nm.
  • Titancarbid zeigt eine gute Haftung an Titan der Beschichtung, die die rückseitige Elektrode bildet, so dass Titancarbid eine Funktion eines Unterdrückens einer Trennung der rückseitigen Elektrode hat. Zusätzlich ist in der Nickelsilizidschicht 4, die Titancarbid enthält, es bevorzugter, dass das Verhältnis der Anzahl von Kohlenstoffatomen, die in Titancarbid in der obersten Oberfläche enthalten sind, zur Gesamtanzahl von Kohlenstoffatomen, die in der obersten Oberfläche abgelagert sind, nicht niedriger als 12% ist, um eine Trennung der Elektrode davon zu verhindern. Im Übrigen kann, auch wenn das Verhältnis niedriger als 12% ist, die Trennung unterdrückt werden, um einen Effekt zur Verbesserung der Ausbeute zu erlangen.
  • 4 ist eine Schnittansicht, die einen Schritt eines Bildens eines Kontaktlochs zeigt. Wie in 4 gezeigt, wird ein Teil der isolierenden Schicht 3 durch Ätzen entfernt, um ein Kontaktloch zu bilden.
  • 5 ist eine Schnittansicht, die einen Schritt eines Bildens der Schottky-Elektrode 6 zeigt. Zum Beispiel wird eine Schicht aus Titan als eine Schottky-Elektrode in dem Teil des SiC-Substrats 1 gebildet, der durch Ätzen freigelegt ist, und ein Schottky-Kontakt wird durch nachfolgendes Erhitzen gebildet. Die Erhitzungstemperatur beträgt ungefähr 400 bis 600°C. Die Erhitzungsatmosphäre besteht aus Argon oder Helium. In diesem Fall wird ein Teil des Kohlenstoffs, der in der Nickelsilizidschicht enthalten ist, auf der Oberfläche der Nickelsilizidschicht, die Titancarbid enthält, abgelagert, so dass die Kohlenstoffschicht 5 gebildet wird, wie in 5 gezeigt. Die Kohlenstoffschicht 5 wird in mehreren Atomschichten und lokal abgelagert.
  • 6 ist eine Schnittansicht, die einen Schritt eines Bildens der Oberflächenelektrode 7 zeigt. Wie in 6 gezeigt, ist die Schottky-Elektrode 6 zum Beispiel mit Aluminium abgedeckt, das als die Oberflächenelektrode 7 dient.
  • 7 ist eine Schnittansicht, die einen Schritt zum Entfernen der Kohlenstoffschicht 5 zeigt, die auf der Nickelsilizidschicht 4 gebildet ist, die Titancarbid enthält. Wie in 7 gezeigt, wird ein Rücksputtern angewendet, um die Kohlenstoffschicht 5 zu entfernen, die auf der Oberfläche der Nickelsilizidschicht 4 ausgebildet ist. Es ist bevorzugt, dass das Rücksputtern bei einem Argon-Druck ausgeführt wird, der nicht niedriger als 0,1 Pa und nicht höher als 1 Pa ist, und mit einer RF-Leistung nicht niedriger als 100 W und nicht höher als 300 W.
  • 8 ist eine Schnittansicht, die einen Schritt eines Bildens einer Beschichtung aus Metallschichten zeigt, um als die rückseitige Elektrode 8 zu dienen. Die rückseitige Elektrode 8, die aus einer Beschichtung besteht, in der Titan, Nickel und Gold in dieser Reihenfolge aufgebracht sind, wird auf der Nickelsilizidschicht 4, die Titancarbid enthält, gebildet, von der die Kohlenstoffschicht 5 entfernt wurde.
  • Danach wird das Substrat, auf dem alle Schichtbildungsoperationen abgeschlossen sind, in eine Dice-Form gebracht. Somit kann ein Chip einer SiC-Schottky-Diode erlangt werden.
  • Die Schottky-Barrieren-Diode wurde beschrieben. Jedoch ist die SiC-Halbleitervorrichtung gemäß der Erfindung nicht auf die Schottky-Diode beschränkt, sondern kann für verschiedene Halbleitervorrichtungen unter Verwendung von SiC, wie MOSFETs, auf dieselbe Weise angewendet werden.
  • (Beispiel 1)
  • 9 ist eine Ansicht zur Erläuterung einer Schottky-Diode (FLR-SBD) mit einer Feldbegrenzungsringstruktur, die in diesem Beispiel hergestellt wird. Diese FLR-SBD wird ebenfalls in demselben Verfahren, das oben in den 1 bis 9 beschrieben wird, hergestellt.
  • Zuerst wurden durch Ioneninjektion ein n-Typ-Bereich für einen Kanal-Stopper, ein p-Typ-Bereich (p-Typ-Störstelle-Ioneninjektion-Bereich) 14 für eine Abschlussstruktur und ein p-Typ-Bereich für eine FLR-Struktur 16 auf einem SiC-Substrat (hochkonzentriertes n-Typ-Substrat) 12 gebildet, wo eine epitaxiale Schicht (niedrig-konzentrierte n-Typ-Driftschicht) 13 gebildet wurde.
  • Danach, um Phosphor zu aktivieren, das zur Bildung des n-Typ-Bereichs für den Kanal-Stopper injiziert wurde, und Aluminium, das zur Bildung des p-Typ-Bereichs 14 für die Abschlussstruktur und des p-Typ-Bereichs für die FLR-Struktur 16 injiziert wurde, wurde eine Aktivierung bei 1620°C in einer Argon-Atmosphäre für 180 Sekunden durchgeführt. Danach wurde eine SiO2-Schicht mit einer Dicke von 500 nm auf der Oberflächenseite des Substrats durch Verwendung einer Atmosphärendruck-CVD(Chemical Vapor Deposition)-Vorrichtung gebildet.
  • Andererseits wurde eine Nickelschicht mit einer Dicke von 60 nm und eine Titanschicht mit einer Dicke von 20 nm auf der Rückseite des SiC-Substrats 12 in dieser Reihenfolge unter Verwendung einer Sputtervorrichtung aufgebracht, um die Rückseite des Substrats zu beschichten. Eine Hitzebehandlung bei 1050°C in einer Argon-Atmosphäre für zwei Minuten wurde auf das beschichtete SiC-Substrat 12 unter Verwendung einer „schnelle thermische Ausheilung(RTA – rapid thermal annealing)”-Vorrichtung angewendet, die mit einer Infrarot-Lampe vorgesehen ist. Aufgrund der Hitzebehandlung reagierten Silicium-Atome in dem SiC-Substrat 12 mit Nickel, um Nickelsilizid zu erzeugen, so dass ein ohmscher Kontakt erlangt werden konnte. Zusätzlich reagierten Kohlenstoffatome in dem SiC-Substrat 12 mit Titan, um Titancarbid zu erzeugen, das auf der Oberfläche von Nickelsilizid abgelagert wurde. In diesem Fall verblieben nicht-reagierende Kohlenstoffatome in der Nickelsilizidschicht. Das Verhältnis der Anzahl von Kohlenstoffatomen, die in Titancarbid in der obersten Oberfläche der Nickelsilizidschicht enthalten sind, zu der Gesamtanzahl von Kohlenstoffatomen, die auf der Oberfläche abgelagert werden, war nicht niedriger als 12%. Hier wurde die Anzahl von Kohlenstoffatomen durch eine XPS-Analyse berechnet. Die Berechnung basierte auf dem Verhältnis zwischen dem Gesamtwert einer Vielzahl von C1s-Spitze-Intensitäten, die aufgrund einer chemischen Verschiebung erscheinen, und der Spitze-Intensität, abgeleitet von TiC in den C1s-Spitzen, beobachtet in der Nähe von 283 eV.
  • Ein Kontaktloch wurde in der Oxidschicht auf der Oberflächenseite des SiC-Substrats 12 unter Verwendung einer Fluorwasserstoffpufferlösung gebildet (siehe 4), und eine Schicht aus Titan für eine Schottky-Elektrode 15 wurde durch eine Sputtervorrichtung ausgebildet, eine Dicke von 200 nm zu haben. Danach wurde eine Behandlung bei 500°C in einer Argon-Atmosphäre für 5 Minuten unter Verwendung einer RTA(rapid thermal annealing)-Vorrichtung angewendet, die mit einer Infrarot-Lampe vorgesehen ist (siehe 5). In diesem Fall wurde Kohlenstoff in der Nickelsilizidschicht abgelagert, so dass eine dünne Kohlenstoffschicht gebildet wurde. Danach wurde eine Schicht aus Aluminium für eine Oberflächenelektrode mit 5000 nm Dicke unter Verwendung der Sputtervorrichtung schnell ausgebildet (siehe 6). Nachdem die Schicht der Oberflächenelektrode gebildet wurde, wurde das SiC-Substrat 12 umgedreht und ein Argon-Rücksputtern wurde bei einem Druck von 0,5 Pa und mit einer RF-Leistung von 300 W für 3 Minuten ausgeführt, um so die Kohlenstoffschicht zu entfernen, die auf der Oberfläche der Nickelsilizidschicht gebildet wurde (siehe 7). Dann wurden Titan mit einer Dicke von 70 nm, Nickel mit einer Dicke von 700 nm und Gold mit einer Dicke von 200 nm kontinuierlich auf der Nickelsilizidschicht aufgebracht unter Verwendung einer Aufdampfungsvorrichtung, um eine rückseitige Elektrode (ohmsche Elektrode) 11 einer Metall-Beschichtung zu bilden (siehe 8).
  • Das SiC-Substrat 12, in dem die oben angeführte Elektrodenstruktur gebildet wurde, wurde in Dice-Form gebracht. Als ein Ergebnis war es möglich, eine SiC-Schottky-Diode zu erlangen, bei der die rückseitige Elektrode 11 nicht getrennt wurde, aber eine „Ein”-Spannung (Vf) bei Raumtemperatur 1,7 V betrug.
  • (Vergleichsbeispiel 1)
  • Als nächstes wird ein Verfahren zur Herstellung einer SiC-Halbleitervorrichtung in einem Vergleichsbeispiel 1 beschrieben. In dem oben angeführten Beispiel 1 wurde eine Ni-Schicht, auf der eine Ti-Schicht gebildet wurde, erhitzt, um Nickelsilizid zu erlangen, das Titancarbid enthält, wenn ein rückseitige Elektrode gebildet wurde. Andererseits ist das Vergleichsbeispiel 1 ein Beispiel, bei dem eine Ni-Schicht erhitzt wurde, ohne dass eine Ti-Schicht darauf ausgebildet ist. Durch Ioneninjektion wurden ein n-Typ-Bereich für einen Kanal-Stopper, ein p-Typ-Bereich für eine Abschlussstruktur und ein p-Typ-Bereich für eine FLR(floating limiting ring)-Struktur auf einem SiC-Substrat gebildet, wobei eine epitaxiale Schicht gebildet wurde. Danach, um Phosphor zu aktivieren, das zur Bildung des n-Typ-Bereichs für den Kanal-Stopper injiziert wurde, und Aluminium, das zur Bildung des p-Typ-Bereichs für die Abschlussstruktur und des p-Typ-Bereichs für die FLR-Struktur injiziert wurde, wurde eine Aktivierung bei 1620°C in einer Argon-Atmosphäre für 180 Sekunden durchgeführt.
  • Dann wurde eine SiO2-Schicht mit einer Dicke von 500 nm auf der Oberflächenseite des Substrats durch Verwendung einer Atmosphärendruck-CVD-Vorrichtung ausgebildet. Danach wurde die Rückseite des Substrats mit einer Nickelschicht mit einer Dicke von 60 nm unter Verwendung einer Sputtervorrichtung beschichtet. Danach wurde eine Hitzebehandlung bei 1050°C in einer Argon-Atmosphäre für zwei Minuten auf das beschichtete SiC-Substrat auf dieselbe Weise wie in Beispiel 1 angewendet, das heißt unter Verwendung einer RTA(rapid thermal annealing)-Vorrichtung, die mit einer Infrarot-Lampe vorgesehen ist. Aufgrund der Hitzebehandlung reagierten Silicium-Atome in dem SC-Substrat mit Nickel, so dass Nickelsilizid erzeugt wurde. Nachdem die Silizidschicht gebildet wurde, wurde eine Schicht einer Oberflächenelektrode in demselben Vorgang wie in Beispiel 1 gebildet. Danach wurde das Substrat umgedreht und Argon-Rücksputtern wurde bei einem Druck von 0,5 Pa und mit einer RF-Leistung von 300 W für 3 Minuten ausgeführt. Dann wurde eine Kohlenstoffschicht, die auf der Oberfläche der Nickelsilizidschicht gebildet wurde, entfernt. Danach wurden Metallschichten, die ähnlich sind zu denjenigen in Beispiel 1, d. h. eine Ti-Schicht, eine Ni-Schicht und eine Au-Schicht, auf die Nickelsilizidschicht in einer Reihenfolge einer zunehmenden Entfernung von dem Substrat aufgebracht, so dass die Beschichtung dieser Metallschichten als eine rückseitige Elektrode gebildet wurde. Das derart erlangte SiC-Substrat wurde in Dice-Form gebracht. Als ein Ergebnis wurde die rückseitige Elektrode in einer Schnittstelle zwischen der Nickelsilizidschicht und der Titanschicht in der rückseitigen Elektrode getrennt.
  • (Vergleichsbeispiel 2)
  • In dem Vergleichsbeispiel 2 wurde dasselbe Verfahren wie in Beispiel 1 verwendet, bis eine Schicht aus Aluminium für eine Oberflächenelektrode gebildet wurde. Danach wurde eine rückseitige Elektrode gebildet, die keinem Rücksputtern unterzogen wurde. Ein somit erlangtes SiC-Substrat wurde in Dice-Form gebracht. Als ein Ergebnis wurde die rückseitige Elektrode in einer Schnittstelle zwischen einer Nickelsilizidschicht und einer Titanschicht in der rückseitigen Elektrode getrennt.
  • (Beispiel 2)
  • Verschiedene Fälle in Bezug auf das Verhältnis der Anzahl von Kohlenstoffatomen, die in Titancarbid in der obersten Oberfläche einer Nickelsilizidschicht enthalten sind, zu der Gesamtanzahl von Kohlenstoffatomen, die in der obersten Oberfläche abgelagert sind, wurden untersucht. Jede SiC-Schottky-Diode wurde wie folgt auf dieselbe Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, außer dass die Dicke einer Titanschicht zum Erzeugen der Nickelsilizidschicht, die Titancarbid enthält, variiert wurde.
  • Durch eine Ioneninjektion wurden ein n-Typ-Bereich für einen Kanal-Stopper, ein p-Typ-Bereich für eine Abschlussstruktur und ein p-Typ-Bereich für eine FLR(floating limiting ring)-Struktur auf einem SiC-Substrat gebildet, wobei eine epitaxiale Schicht gebildet wurde. Danach, um Phosphor zu aktivieren, das zur Bildung des n-Typ-Bereichs für den Kanal-Stopper injiziert wurde, und Aluminium, das zur Bildung des p-Typ-Bereichs für die Abschlussstruktur und des p-Typ-Bereichs für die FLR-Struktur injiziert wurde, wurde eine Aktivierung bei 1620°C in einer Argon-Atmosphäre für 180 Sekunden durchgeführt. Danach wurde eine SiO2-Schicht mit einer Dicke von 500 nm auf der Oberflächenseite des Substrats durch Verwendung einer Atmosphärendruck-CVD(Chemical Vapor Deposition)-Vorrichtung gebildet. Im Anschluss wurde die Rückseite des Substrats mit einer Titanschicht mit einer Dicke von A nm und einer Nickelschicht mit einer Dicke von 60 nm unter Verwendung einer Sputtervorrichtung beschichtet und eine Hitzebehandlung bei 1050°C in einer Argon-Atmosphäre für zwei Minuten wurde auf das beschichtete Substrat unter Verwendung einer RTA(rapid thermal annealing)-Vorrichtung angewendet, so dass Titancarbid und Nickelsilizid erzeugt wurden.
  • Eine Vielzahl von Ti- und Ni-Schichten mit verschiedenen Schichtdicken wurden gebildet und erhitzt, so dass Nickelsilizidschichten, die Titancarbid enthalten, mit verschiedenenem Verhältnis zwischen Ti und Ni gebildet werden konnten. Insbesondere wurde die Menge an erzeugtem Titancarbid durch Variieren der Sputter-Dicke A der Titanschicht von 0 bis 40 nm bei der Herstellung der Nickelsilizidschicht variiert. Somit wurde die Haftung jeder rückseitigen Elektrode evaluiert.
  • 10 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen der Konzentration von Kohlenstoffatomen, abgeleitet von TiC, und dem Vorliegen einer Trennung zeigt. In 10 bezeichnet die Ordinate das Zusammensetzungsverhältnis (Atom-%) von Kohlenstoff C und die Abszisse bezeichnet jede Probe A bis O. Weiße Kreise bezeichnen ein Fehlen einer Trennung und schwarze Kreise bezeichnen ein Vorhandensein einer Trennung. Aus 10 wird bewiesen, dass es eine Korrelation gibt, bei der die rückseitige Elektrode nicht getrennt wird, wenn die Konzentration von Kohlenstoffatomen, abgeleitet von TiC, nicht niedriger als 12% ist.
  • Zum Beispiel war in dem Fall, in dem eine Schichtbildung durchgeführt wurde, so dass die Dicke A der Titanschicht 10 nm war und die Dicke der Nickelschicht 60 nm war, die Anzahl von Kohlenstoffatomen, die in Titancarbid in der obersten Oberfläche enthalten sind, 6% der Gesamtanzahl von Kohlenstoffatomen, die in der Oberfläche abgelagert wurden. Danach wurde eine rückseitige Elektrode auf dieselbe Weise wie in Beispiel 1 gebildet. Ein derart erlangtes Substrat wurde in Dice-Form gebracht. Als Ergebnis wurde die rückseitige Elektrode in einer Schnittstelle zwischen der Nickelsilizidschicht und der Titanschicht getrennt.
  • Es gibt Fälle, in denen eine Trennung stattgefunden hat, wenn das Verhältnis niedriger als 12% war. Jedoch wurde die Rate der Trennung im Vergleich zu dem Vergleichsbeispiel 1 und dem Vergleichsbeispiel 2 reduziert, so dass die Ausbeute verbessert wurde.
  • (Beispiel 3)
  • 11 ist eine Ansicht, die ein weiteres Beispiel der Schottky-Diode gemäß dem Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt. Anstelle der Schottky-Diode, die in Beispiel 1 dargestellt und beschrieben wurde, kann eine Schottky-Diode (SBD – Schottky barrier diode) mit einer JBS(junction barrier Schottky)-Struktur 17, die in 11 gezeigt wird, auf dieselbe Weise wie in Beispiel 1 hergestellt werden. Eine Nickelschicht mit einer Dicke von 60 nm und eine Titanschicht mit einer Dicke von 20 nm wurden gebildet und sequentiell in einer Reihenfolge einer zunehmenden Entfernung von dem SiC-Substrat 12 aufgebracht, und eine Nickelsilizidschicht, die Titancarbid enthält, wurde durch Hitzebehandlung hergestellt. Danach wurden Kohlenstoffatome, die während der nachfolgenden Herstellungsschritte abgelagert wurden, durch Rücksputtern entfernt. Nachdem die rückseitige Elektrode 11 gebildet wurde, wurde das SiC-Substrat 12 in Dice-Form gebracht. Als Ergebnis trat keine Trennung in der rückseitigen Elektrode 11 auf.
  • Wie aus den Ergebnissen der Beispiele und der Vergleichsbeispiele, die oben beschrieben wurden, offensichtlich ist, kann eine Trennung einer rückseitigen Elektrode in einer SiC-Halbleitervorrichtung gemäß der Erfindung zufriedenstellend unterdrückt werden, und die SiC-Halbleitervorrichtung hat eine höhere Zuverlässigkeit.
  • Das oben erwähnte Ausführungsbeispiel und die Beispiele wurden beschrieben, um ein Verständnis der Erfindung zu erleichtern. Die Erfindung ist nicht auf diese Formen beschränkt.
  • Industrielle Anwendbarkeit
  • Die Schottky-Diode gemäß der Erfindung kann als eine Schottky-Diode mit einer hohen Spannungsfestigkeit von 1000 V oder höher verwendet werden, und ein „Ein”-Widerstand kann reduziert werden, während ein Leck unterdrückt wird. Somit ist die Erfindung nützlich bei einer Reduzierung der Chipfläche und einer Reduzierung des Preises pro Produkteinheit. Zusätzlich ist es möglich, eine Diode mit großer Leistungsfähigkeit herzustellen, die für einen Inverter für einen industriellen Elektromotor, einen Shinkansen-Zugwagen, etc. angewendet werden kann, der einen hohen Strom benötigt. Es ist daher möglich, zu einer hohen Effizienz und einer Miniaturisierung einer Vorrichtung beizutragen.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    SiC-Substrat
    2
    Schutzring
    3
    isolierende Schicht
    4
    Nickelsilizidschicht, die Titancarbid enthält
    5
    Kohlenstoffschicht
    6
    Schottky-Elektrode
    7
    Oberflächenelektrode
    8
    rückseitige Elektrode
    11
    Ohmsche Elektrode
    12
    hochkonzentriertes n-Typ-Substrat
    13
    niedrigkonzentrierte n-Driftschicht
    14
    p-Typ-Störstelle-Ioneninjektion-Bereich
    15
    Schottky-Elektrode
    16
    FLR-Struktur
    17
    JBS-Struktur

Claims (9)

  1. Ein Verfahren zur Herstellung einer SiC-Halbleitervorrichtung, bei dem eine Elektrodenstruktur in einem SiC-Halbleiter gebildet wird, dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren aufweist: Erzeugen einer Nickelsilizidschicht, die Titancarbid enthält, durch Erhitzen, nachdem eine Schicht, die Nickel und Titan enthält, auf dem SiC-Halbleiter gebildet ist; Entfernen einer Kohlenstoffschicht, die in einer Oberfläche der Nickelsilizidschicht erzeugt wird, durch Rücksputtern; und Bilden einer Metallschicht durch Aufbringen einer Titanschicht, einer Nickelschicht und einer Goldschicht sequentiell auf die Nickelsilizidschicht, die Titancarbid enthält.
  2. Ein Verfahren zur Herstellung einer SiC-Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass: die Kohlenstoffschicht, die in der Oberfläche der Nickelsilizidschicht, die Titancarbid enthält, erzeugt wird, derart ausgebildet ist, dass das Verhältnis der Anzahl von Kohlenstoffatomen, die in Titancarbid in der obersten Oberfläche enthalten sind, zu der Gesamtanzahl von Kohlenstoffatomen in der obersten Oberfläche nicht niedriger als 12% ist.
  3. Ein Verfahren zur Herstellung einer SiC-Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass: die Schicht, die Nickel und Titan enthält, durch sequentielles Aufbringen einer Nickelschicht und einer Titanschicht auf die Oberfläche des SiC-Halbleiters gebildet wird.
  4. Ein Verfahren zur Herstellung einer SiC-Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass: die Kohlenstoffschicht, die in der Oberfläche der Nickelsilizidschicht erzeugt wird, aus Kohlenstoffatomen besteht, die in einer bis neun Atomschichten oder lokal auf der Oberfläche der Nickelsilizidschicht abgelagert sind.
  5. Ein Verfahren zur Herstellung einer SiC-Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass: die SiC-Halbleitervorrichtung eine rückseitige Elektrodenstruktur hat, die eine ohmsche Elektrode der Nickelsilizidschicht, die Titancarbid enthält, und eine rückseitige Elektrode der Metallschicht umfasst, als die Elektrodenstruktur, und eine Schottky-Elektrode und eine Oberflächenelektrode als eine Oberflächenelektrodenstruktur.
  6. Ein Verfahren zur Herstellung einer SiC-Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass: das Rücksputtern ein Argon-Rücksputtern ist, bei dem ein Druck von Argon-Gas nicht niedriger als 0,1 Pa und nicht höher als 1 Pa ist, und eine RF-Leistung nicht niedriger als 100 W und nicht höher als 600 W ist.
  7. Eine SiC-Halbleitervorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass sie in einem Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6 hergestellt wird.
  8. Eine SiC-Halbleitervorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass sie aufweist: eine Elektrodenstruktur, in der eine Nickelsilizidschicht, die Titancarbid enthält, eine Titanschicht, eine Nickelschicht und eine Goldschicht sequentiell auf einen SiC-Halbleiter aufgebracht sind.
  9. Eine SiC-Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass: in der Nickelsilizidschicht, die Titancarbid enthält, eine Nickelsilizidschicht und eine Titancarbidschicht sequentiell in der Reihenfolge einer zunehmenden Entfernung von dem SiC-Halbleiter aufgebracht sind.
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