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Gebiet der Erfindung
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Die vorliegende Erfindung betrifft eine nicht-flüchtige Speichervorrichtung und insbesondere eine nicht-flüchtige Speichervorrichtung mit einer schwebenden Falle, im folgenden als nicht-flüchtige Floating-Trap-Speichervorrichtung bezeichnet.
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Hintergrund der Erfindung
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Es gibt zwei Arten von nicht-flüchtigen Speichervorrichtungen, nämlich Speichervorrichtungen vom Floating-Gate-Typ und Speichervorrichtungen vom Floating-Trap-Typ. Eine Floating-Gate-Speichervorrichtung kann ein Steuergate und ein leitendes Floating-Gate, das durch eine Isolationsschicht von einem Substratkanal isoliert ist, enthalten. Floating-Gate-Speichervorrichtungen können durch ein Speichern von Ladungen als freie Ladungsträger auf dem leitenden Floating-Gate programmiert werden.
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Floating-Trap-Speichervorrichtungen können eine nicht-leitende Ladungsspeicherschicht zwischen einer Gate-Elektrode und einem Substrat enthalten. Floating-Trap-Speichervorrichtungen können durch das Speichern von Ladungen in den Traps (Fallen) in der nicht-leitenden Ladungsspeicherschicht programmiert werden.
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Floating-Gate-Speichervorrichtungen haben im allgemeinen eine dickere Tunnelisolationsschicht, als die Floating-Trap-Speichervorrichtungen, um eine vergleichbare Zuverlässigkeit für die gespeicherten Ladungen vorzusehen. Eine dickere Tunnelisolationsschicht kann zu einer vergrößerten Betriebsspannung für die Speichervorrichtung und einer vergrößerten Komplexität der damit assoziierten Peripherieschaltung führen. Folglich kann es schwieriger sein, eine hohe Integrationsdichte und einen niedrigen Leistungsverbrauch für Floating-Gate-Speichervorrichtungen als für Floating-Trap-Speichervorrichtungen vorzusehen.
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Ein SONOS(silicon-Oxide-nitride-Oxide-semiconductor)-Aufbau einer herkömmlichen Floating-Trap-Speichervorrichtung wird in 1 gezeigt. Die Speichervorrichtung enthält eine Tunnelisolationsschicht 20, eine Ladungsspeicherschicht 22, eine Blockierung- bzw. Sperrisolationsschicht 24 und eine Gate-Elektrode 27, die aufeinanderfolgend auf einem aktiven Bereich eines P-Halbleitersubstrats 10 aufgebracht ist. Eine N+-Störstellendiffusionsschicht 28 ist auf einem aktiven Bereich auf gegenüberliegenden Seiten der Gate-Elektrode 27 ausgebildet. Die Tunnelisolationsschicht 20 enthält ein thermisches Oxidmaterial und die Ladungsspeicherschicht 22 enthält Siliziumnitrid-Material.
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Ein Energiebanddiagramm einer Floating-Trap-Speichereinheit wird in 2 gezeigt, die einen Schnitt entlang einer Linie I-I' in der 1 darstellt. Es werden in intrinsische Energiebandlücken für die Materialien entsprechend dem Halbleitersubstrat 10, der Tunnelisolationsschicht 20, der Ladungsspeicherschicht 22, der Sperrisolationsschicht 24 und der Gate-Elektrode 27 gezeigt. Unterschiede zwischen den Energiebandlücken führen zu Potenzialbarrieren an den Schnittstellen zwischen den Materialien.
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Beispielsweise kann die Ladungsspeicherschicht 22 Siliziumnitrid enthalten, welches eine Energiebandlücke von ungefähr 5 eV aufweist. Die entsprechenden Potenzialbarrieren zwischen der Tunnelisolationsschicht 20 und der Ladungsspeicherschicht 22 können ungefähr 1 eV bzw. 2 eV für das Leitungsband und das Valenzband betragen.
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Eine Siliziumnitridschicht ist bekannt dafür, daß sie drei Fallenwerte (trap levels) aufweist. Eine Fallenmitte (trap center) der Siliziumnitridschicht enthält ein Siliziumatom, das drei Stickstoffatome verbindet und eine offene Bindung (dangling bond) aufweist. Wenn kein Elektron mit der offenen Bindung verbunden ist (d. h., ein Loch damit verbunden ist), kann dieser Zustand als ein erster Fallenwert E1 bezeichnet werden. Wenn ein Elektron sich mit der offenen Bindung verbindet, kann dieser Zustand als ein zweiter Fallenwert E2 bezeichnet werden, welcher höher als der erste Fallenwert E1 ist. Wenn zwei Elektronen sich mit der freien Bindung verbinden, kann der Zustand als ein dritter Fallenwert E3 bezeichnet werden, welcher höher als der zweite Fallenwert E2 ist.
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Eine nicht-flüchtige Floating-Trap-Speichervorrichtung verwendet Fallenwerte, wie sie beispielsweise in einer Siliziumnitridschicht zu finden sind, für Speichervorgänge. Wenn eine positive Spannung an die Gate-Elektrode 27 angelegt wird, tunneln Elektronen durch die Tunnelisolationsschicht 20, um in der Ladungsspeicherschicht 22 gefangen zu werden. Da die Elektronen sich in der Ladungsspeicherschicht 22 ansammeln erhöht sich eine Schwellwertspannung der Speichervorrichtung und die Speichervorrichtung wird programmiert.
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Wenn im Gegensatz dazu eine negative Spannung an die Gate-Elektrode 27 angelegt wird, wie in 3 gezeigt, werden gefangene Elektronen zu dem Halbleitersubstrat 10 durch die Tunnelisolationsschicht 20 entladen. Dementsprechend werden Löcher in dem ersten Fallenwert E1 von dem Halbleitersubstrat 10 durch die Tunnelisolationsschicht 20 gefangen. Folglich wird die Schwellwertspannung der Speichervorrichtung verringert und die Speichervorrichtung wird gelöscht.
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Um die Speichervorrichtung zu programmieren sollten die Ladungsmengen von dem Kanal relativ groß im Vergleich zu den Ladungsmengen von der Gate-Elektrode sein. Wenn beispielsweise eine positive Spannung an die Gate-Elektrode angelegt wird und falls die Menge der Löcher, die von der Gate-Elektrode zu der Floating-Trap-Schicht geliefert wird, gleich der Menge der Elektronen ist, die von dem Kanal zu der Floating-Trap vorgesehen werden, gleichen sich negative Ladungen und positive Ladungen aus und umgekehrt. Dementsprechend wird die Schwellwertspannung nicht verändert und ein Programmieren kann ausgeschlossen werden.
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Wenn die Dicke der Siliziumoxidschicht, die als eine Tunneloxidschicht dient, kleiner oder gleich 2 nm ist, kann der Stromfluß von einem direkten Tunneln einen Stromfluß von einem F-N-Tunneln übersteigen, und ein Löschvorgang kann auftreten. Wenn eine Sperroxidschicht eine Dicke von ungefähr 5 nm aufweist, wird eine Ladung hauptsächlich durch F-N-Tunneln bewegt und die Menge an Ladungen von dem Kanal kann größer sein, als die Menge der Ladungen von der Gate-Elektrode. Wenn im Gegensatz dazu die Dicke der Tunnelisolationsschicht kleiner oder gleich 2 nm ist, und die Sperrisolationsschicht dicker als die Tunnelisolationsschicht ist, werden die Ladungen bei Lösch- und Programmierungsvorgängen hauptsächlich von dem Kanal vorgesehen, und die Schwellwertspannung kann leichter gesteuert werden.
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Die Dicke der Siliziumoxidschicht kann die Datenbeibehaltungszeit der Speichervorrichtung beeinflussen. Wenn beispielsweise die Dicke der Siliziumoxidschicht 2 nm oder weniger beträgt, können in der Floating-Trap gespeicherte Ladungen leichter verloren gehen und die Datenbeibehaltungszeit der Speichervorrichtung kann sich verkürzen. Wenn die Dicke der Siliziumoxidschicht 2 nm oder größer ist, kann die Datenbeibehaltungszeit verlängert sein, aber der primäre Fluß an Ladungen zu der Floating-Trap wird durch ein F-N-Tunneln verursacht sein. Ein F-N-Tunneln kann leichter ausgeführt werden, da eine effektive Masse der Ladungsträger kleiner wird und das elektrische Feld auf dem Ladungsträgerweg stärker wird.
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Herkömmliche Vorgänge zum Programmieren und Löschen einer Floating-Trap-Speichervorrichtung werden im folgenden beschrieben. Während einer frühen Phase eines Programmierungsvorgangs, wenn die Tunnelisolationsschicht und die Sperrisolationsschicht Oxidmaterialien sind und eine Spannung an die Gate-Elektrode angelegt wird, kann das erzeugte elektrische Feld durch die folgende Gleichung 1 beschrieben werden.
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Die Symbole „ot”, „ob” und „SIN” stellen die Tunnelschicht, die Blockisolationsschicht bzw. die Siliziumnitridschicht dar. Das Symbol „E” stellt das elektrische Feld dar, „Vg” stellt die Spannung einer Gate-Elektrode dar, „Φms” stellt eine Differenz einer Arbeitsfunktion bzw. der Austrittsarbeit zwischen dem Substrat und der Gate-Elektrode dar, „Φb” stellt ein Substratoberflächenpotential dar, „X” stellt die Dicke der Oxidschicht dar und „ε” stellt eine Dielektrizitätskonstante dar.
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Während der frühen Phase des Programmierungsvorgangs, wenn eine positive Spannung an die Gate-Elektrode angelegt wird, wird ein Loch von der Gate-Elektrode zu der Floating-Trap bewegt und eine Elektron wird von dem Kanal zu dem Floating-Trap bewegt. Wenn mehr Elektronen zur Gate-Elektrode gelangen, als Löcher, vergrößert sich die Schwellwertspannung. Da Elektronen in der Floating-Trap der Ladungsspeicherschicht gefangen werden und sich darin ansammeln, kann das an die Sperrisolationsschicht angelegte Feld stärker werden als das an die Tunnelisolationsschicht angelegte elektrische Feld. Wenn es einmal stärker ist, werden zunehmend gefangene Elektronen über die Sperrisolationsschicht entladen, oder Löcher werden zunehmend von der Gate-Elektrode injiziert, so daß ein Anwachsen der Schwellwertspannung begrenzt wird.
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Während eines Löschvorgangs, wenn eine relativ niedrige Spannung an der Gate-Elektrode anliegt, bewegen sich Elektronen durch ein F-N-Tunneln von der Elektrode zu der Floating-Trap und Löcher bewegen sich von dem Kanal zu der Floating-Trap. Da die effektive Masse von Elektronen geringer ist als die der Löcher, fließen Elektronen von der Gate-Elektrode leichter zu dem Kanal, als Löcher. In einer frühen Phase des Löschvorgangs, wenn die Floating-Trap der Siliziumnitridschicht (d. h., die Ladungsspeicherschicht) gleichförmig mit Elektronen angefüllt ist, kann die Ladungsmenge Q negativ sein. Bei einer negativen Ladungsmenge Q kann die Sperrisolationsschicht und die Tunnelisolationsschichten durch die folgenden Gleichungen 2 und 3 beschrieben werden. Gleichung 2
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Gleichung 3
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Die Symbole „ot”, „ob” und „SIN” stellen die Tunnelschicht, die Sperrisolationsschicht bzw. die Siliziumnitridschicht dar. Das Symbol „E” stellt das elektrische Feld dar, „Vg” stellt die Spannung einer Gate-Elektrode dar, „Φms” stellt eine Differenz einer Arbeitsfunktion bzw. der Austrittsarbeit zwischen dem Substrat und der Gate-Elektrode dar, „Φb” stellt ein Substratoberflächenpotential dar, „X” stellt die Dicke der Oxidschicht dar und „Q” stellt die Ladungsmenge auf der Siliziumnitridschicht dar.
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Wenn die Dicke der Tunnelisolationsschicht 2 nm oder mehr beträgt, werden Ladungen bei der Tunnelisolationsschicht und der Sperrisolationsschicht durch ein F-N-Tunneln bewegt. Während eines Löschvorgangs kann die von der Gate-Elektrode vorgesehene Menge an Elektronen die Menge an Löchern übersteigen, die von dem Kanal vorgesehen werden, und die Floating-Trap kann eine negative Ladung ansammeln, welche es schwierig macht, die Schwellwertspannung zum Löschen des Speichers ausreichend abzusenken.
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Aus der
JP 2001-077 319 A und aus der
US 6 011 725 A ist jeweils eine nichtflüchtige Floating-Trap-Speichervorrichtung mit einer nicht-leitfähigen Ladungsspeicherschicht bekannt.
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Aus der
US 5 619 051 A ist eine nicht-flüchtige Floating-Gate-Speichervorrichtung bekannt, bei der zum Verringern der Betriebsspannung die Dielektrizitätskonstante einer dielektrischen Schicht zwischen dem Floating-Gate und dem Steuergate größer als die Dielektrizitätskonstante der dielektrischen Schicht zwischen dem Floating-Gate und dem Kanalbereich gewählt wird.
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Aus der
DE 30 32 364 C3 ist eine nicht-flüchtige Floating-Trap-Speichervorrichtung vom MANOS-Typ bekannt, bei der eine Al
2O
3-Schicht als eine Sperrisolationsschicht, eine Si
3N
4-Schicht als Ladungsspeicherschicht und eine SiO
2-Schicht als Tunnelisolationsschicht verwendet wird.
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Die Druckschrift
WO 02/035 610 A1 ist gemäß § 3(2) Nr. 2 PatG für die Neuheit der vorliegenden Erfindung relevanter Stand der Technik soweit die dieser Druckschrift entsprechende PCT-Anmeldung die Priorität der als
JP 2002-203 917 A veröffentlichten japanischen Patentanmeldung wirksam in Anspruch nimmt. In der
WO 02/035 610 A1 und in der
JP 2002-203 917 A ist jeweils eine nicht-flüchtige Floating-Trap-Speichervorrichtung beschrieben, bei der als Sperrisolationsschicht eine dielektrische Schicht aus einem der folgenden Materialien verwendet wird: SiO
2, SiN
x, SiN
xO
y, Al
2O
3, Ta
2O
5, ZrO
2 oder HfO
2.
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Kurzfassung der Erfindung
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Es ist Aufgabe der Erfindung, eine Floating-Trap-Speichervorrichtung bereitzustellen, mit der ein schnelleres und effizienteres Programmieren und Löschen der Speicherzelle ermöglicht wird.
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Die Aufgabe wird gelöst durch eine nicht-flüchtige Floating-Trap-Speichervorrichtung nach Anspruch 1. Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
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Kurze Beschreibung der Zeichnungen
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1 zeigt eine Querschnittsansicht eines SONOS-(silicon Oxide nitride Oxide semiconductor)-Aufbau einer herkömmlichen Floating-Trap-Speichervorrichtung.
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2 zeigt ein Energiebanddiagramm einer herkömmlichen Floating-Trap-Speichervorrichtung entlang einer Linie I-I' in 1.
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3 zeigt ein Energiebanddiagramm eines Energiebandes und eines Ladungsträgerflusses, wenn eine Spannung an eine Gate-Elektrode einer herkömmlichen Speichervorrichtung angelegt wird, die in 2 gezeigt ist.
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4 zeigt ein Energiebanddiagramm einer Floating-Trap-Speichervorrichtung gemäß einiger Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung.
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5 zeigt ein Energiebanddiagramm einer Floating-Trap-Speichervorrichtung gemäß zusätzlicher Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung.
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6 zeigt ein Energiebanddiagramm einer Floating-Trap-Speichervorrichtung gemäß weiteren Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung.
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7 zeigt ein Energiebanddiagramm einer Floating-Trap-Speichervorrichtung gemäß zusätzlichen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung.
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8 zeigt eine Draufsicht einer Speichervorrichtung gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung.
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9 zeigt eine Querschnittsansicht entlang einer Bitleitung einer Speichervorrichtung, wie etwa der Speichervorrichtung von 8, gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung.
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10 zeigte eine Querschnittsansicht entlang einer Bitleitung einer Speichervorrichtung, wie etwa der Speichervorrichtung in 8, gemäß weiteren Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung.
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Detaillierte Beschreibung der Erfindung
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Die vorliegende Erfindung wird im Folgenden unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung, in welcher bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung gezeigt werden, eingehender beschrieben. Die Erfindung kann jedoch in vielen verschiedenen Formen verkörpert sein und sollte nicht so ausgelegt werden, als daß sie auf die hierin dargelegten Ausführungsformen begrenzt sei. Vielmehr sind diese Ausführungsformen dazu vorgesehen, daß die Erfindung sorgfältig und vollständig ist, und vermitteln einem Fachmann das Konzept der Erfindung vollständig. Bei den Zeichnungen sind die Dicken der Schichten und Bereiche aus Gründen der Klarheit vergrößert dargestellt. Es ist ebenso offensichtlich, daß wenn eine Schicht als „auf” einer anderen Schicht oder Substrat seiend bezeichnet wird, diese direkt auf einer anderen Schicht oder Substrat sein kann oder ebenso dazwischenliegende Schichten aufweisen kann. Wenn im Gegensatz dazu ein Element als „direkt auf” einem anderen Element seiend bezeichnet wird, sind keine dazwischenliegenden Elemente vorhanden.
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Ein Energiebanddiagramm einer Floating-Trap-Speichervorrichtung gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung ist in
4 gezeigt. Die in dem Energiebanddiagramm dargestellte Floating-Trap-Speichervorrichtung kann ein Substrat
10, eine Tunnelisolationsschicht
20, eine Ladungsspeicherschicht
22, eine dielektrische Schicht
34 und eine Gate-Elektrode
27 enthalten. Die dielektrische Schicht
34 kann als eine Blockierungs- bzw. Sperrisolationsschicht dienen. Am Anfang eines Programmierungsvorgangs der Speichervorrichtung können die elektrischen Feldintensitäten der Tunnelisolationsschicht
20 und der Sperrisolationsschicht
34 durch die folgenden Gleichungen 4 und 5 beschrieben werden. Gleichung 4
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Gleichung 5
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Die Symbole „ot”, „ob” und „n” stellen die Tunnelschicht 20, die Sperrisolationsschicht 34 bzw. die Ladungsspeicherschicht 22 dar. Das Symbol „E” stellt das elektrische Feld dar, „Vg” stellt die Spannung einer Gate-Elektrode 27 dar, „Φms” stellt eine Differenz einer Arbeitsfunktion bzw. Austrittsarbeit zwischen dem Substrat 10 und der Gate-Elektrode 27 dar, „Φb” stellt ein Substratoberflächenpotential dar, „X” stellt die Dicke der Oxidschicht dar und „ε” stellt eine Dielektrizitätskonstante dar.
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Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung kann eine Dielektrizitätskonstante der dielektrischen Schicht 34 höher sein als eine Dielektrizitätskonstante der Tunnelisolationsschicht 20. Eine höhere Dielektrizitätkonstante für die dielektrische Schicht 34 kann eine höhere elektrische Feldintensität für die Tunnelisolationsschicht 20 als für die dielektrische Schicht 34 vorsehen (siehe Gleichung 5). Wenn eine derartige Speichervorrichtung programmiert wird, können Elektronen leichter über die Tunnelisolationsschicht 20 injiziert werden und eine höhere Menge an Elektronen kann von dem Kanal zu der Gate-Elektrode 27 fließen. Folglich kann ein Programmieren der Speichervorrichtung schneller erfolgen.
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Gemäß Gleichung 4 und 1 kann während eines Programmierens der Floating-Trap-Speichervorrichtung gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung ein elektrisches Feld in einer Tunneloxidschicht
20 (hierin im Folgenden als „EF
P” bezeichnet) stärker sein als ein elektrisches Feld in der Tunneloxidschicht
20 (hierin im Folgenden als „EF
P” bezeichnet werden) sein. Wenn „EF
P” positiv ist, wird ein positives Ergebnis erzielt, wenn „EF
P” von „EF
P” subtrahiert wird, wie durch Gleichung 6 gezeigt. Gleichung 6
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Das Symbol „ε(ob)” stellt eine hohe Dielektrizitätskonstante der dielektrischen Schicht 34 dar. Die hohe Dielektrizitätskonstante kann einen schnelleren Programmiervorgang der Speichervorrichtung verglichen mit einer herkömmlichen Speichervorrichtung an die eine gleichwertige Spannung angelegt ist, wie sie in 2 gezeigt ist, vorsehen.
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Eine Beziehung der elektrischen Feldstärken der Tunnelisolationsschicht 20 und der dielektrischen Schicht 34 während eines Löschvorgangs kann durch die folgenden Gleichungen 7 und 8 beschrieben werden.
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Gleichung 8
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Eob = (Eot + Q / ε(ot)) ε(ot) / ε(ob)
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Das Symbol „Q” stellt eine Ladungsmenge in der Ladungsspeicherschicht 22 dar und weist einen negativen Wert auf, das Symbol, „ε(ob)” stellt eine Dielektrizitätskonstante einer dielektrischen Schicht 34 dar und „ε(ot)” stellt eine dielektrische Schicht einer Tunnelisolationsschicht 20 dar.
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Wenn „ε(ob)” ausreichend größer als „ε(ot)” ist, kann das elektrische Feld der Tunnelisolationsschicht 20 stärker werden als das elektrische Feld der dielektrischen Schicht 34. Die Veränderung in der Ladungsmenge, die durch eine Ladungsträgerbewegung durch die Tunnelisolationsschicht 20 (d. h., ein Einfließen der Kanallöcher und ein Herausfließen der Elektronen aus der Ladungsspeicherschicht 22) verursacht wird, kann größer sein, als die Veränderung bei der Ladungsmenge, die durch eine Ladungsträgerbewegung über die dielektrische Schicht 34 (d. h., einfließende Elektronen von der Gate-Elektrode 27) verursacht wird. In einem derartigen Fall kann die Schwellwertspannung durch das Einfließen von Kanallöchern bei der Ladungsspeicherschicht 22 leichter verringert werden und ein Löschbetrieb kann leichter durchgeführt werden.
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Während eines Löschbetriebs kann das an die Tunnelisolationsschicht 20 der Speichervorrichtung der 4 angelegte elektrische Feld stärker werden als das an die Tunnelisolationsschicht 20 der Speichervorrichtung der 2 angelegte Feld werden, wie es zum Beispiel durch Gleichung 6 gezeigt wird. Auf diese Art und Weise kann die Geschwindigkeit des Löschvorgangs vergrößert werden.
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Gemäß 5 wird eine Speichervorrichtung gemäß weiteren Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung gezeigt. Die Speichervorrichtung enthält ein Halbleitersubstrat 10, eine Tunnelisolationsschicht 20, eine Ladungsspeicherschicht 22, eine Blockierungs- bzw. Sperrisolationsschicht 44 und eine Gate-Elektrode 27. Die Sperrisolationsschicht 44 kann eine dielektrische Schicht 34 und eine Siliziumoxidschicht 36 zwischen der Ladungsspeicherschicht 22 und der Gate-Elektrode 27 enthalten. Insbesondere kann die Siliziumoxidschicht 36 zwischen der dielektrischen Schicht 34 und der Gate-Elektrode 27 angeordnet sein.
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Gemäß 6 wird eine Speichervorrichtung gemäß weiteren Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung gezeigt. Die Speichervorrichtung kann ein Halbleitersubstrat 10, eine Tunnelisolationsschicht 20, eine Ladungsspeicherschicht 22, eine Sperrisolationsschicht 54 und eine Gate-Elektrode 27 enthalten. Die Sperrisolationsschicht 54 enthält eine dielektrische Schicht 34, die eine hohe Dielektrizitätskonstante aufweist, und eine Siliziumoxidschicht 38 zwischen der Ladungsspeicherschicht 22 und der Gate-Elektrode 27. Insbesondere kann die dielektrische Schicht 34 zwischen der Siliziumoxidschicht 38 und der Gate-Elektrode 27 angeordnet sein.
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Gemäß 7 wird eine Speichervorrichtung gemäß weiteren Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung gezeigt. Die Speichervorrichtung enthält ein Halbleitersubstrat 10, eine Tunnelisolationsschicht 20, eine Ladungsspeicherschicht 22, eine Sperrisolationsschicht 64 und eine Gate-Elektrode 27, die aufeinanderfolgend angeordnet sind. Die Sperrisolationsschicht 64 enthält eine erste Siliziumoxidschicht 36 zwischen einer hoch-dielektrischen Schicht 34 und einer Gate-Elektrode 27 und eine zweite Siliziumoxidschicht 38 zwischen der hoch-dielektrischen Schicht 34 und der Ladungsspeicherschicht 22.
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Gleichungen 4 bis 7 beschreiben die jeweiligen elektrischen Felder der Ausführungsformen der Speichervorrichtungen in 4 bis 7. Beispielsweise kann bei den Ausführungsformen der 5 bis 7 eine Dielektrikums-Konstante ”ε(ob)” der Sperrisolationsschicht in Bezug zu Dielektrizitätskonstanten der dielektrischen Schichten und der Oxidschicht der Blockisolationsschichten gesetzt werden. Wenn eine Sperrisolationsschicht dieser Ausführungsformen die gleiche Dicke wie die Sperrisolationsschicht der in 2 gezeigten Speichervorrichtung aufweist, wird das elektrische Feld von der Dielektrizitätskonstanten und der Dicke der dielektrischen Schicht abhängen. Die Oxidschicht der Sperrisolationsschicht kann eine Durchschlagsspannung der Sperrisolationsschicht erhöhen. Die Oxidschicht kann ebenso die Haftkraft zwischen der hoch-dielektrischen Schicht und der Gate-Elektrode oder zwischen der hoch-dielektrischen Schicht und der Ladungsspeicherschicht verbessern.
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Gemäß weiteren Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung kann die dielektrische Schicht 34 ein Metalloxid oder ein Metallnitrid eines Gruppe-III-Elements oder eines Gruppe-VB-Elements in dem Mendelejewschen Periodensystem aufweisen. Gemäß anderen Ausführungsformen kann die dielektrischen Schicht 34 ein dotiertes Metalloxid oder dotiertes Metalloxidnitrid aufweisen, in welchem ein Metalloxid mit einem Gruppe-N-Element des Mendelejewschen Periodensystems dotiert ist. Das Gruppe-N-Element kann den Leckstrom von der Speichervorrichtung verringern. Das Gruppe-N-Element kann mit einem Metalloxid von ungefähr 0,1 bis 30 Gewichtsprozent dotiert werden. Die dielektrische Schicht 34 kann ebenso eine Verbindung aus der folgenden Gruppe aufweisen: HfO2, Hf1-xAlxOy, HfxSi1-xO2, Hf-Si-Oxynitrid, ZrO2, ZrxSi1-xO2, und Zr-Si-Oxynitrid aufweisen.
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Die dielektrische Schicht 34 kann Al2O3 aufweisen, das beispielsweise eine Dielektrizitätskonstante von 10 und eine Energiebandlücke von 8,3 eV aufweist, oder ZrO2 aufweisen, das beispielsweise eine Dielektrizitätskonstante von 25 und eine Energiebandlücke von 8,3 eV aufweist. Die dielektrische Schicht 34 kann ebenso ein Material aus der folgenden Gruppe aufweisen: AlO, Al2O3, Ta2O5, TiO2, PZT[Pb(Zr, Ti)O3], PbTiO3, PbZrO3, PZT[(Pb, La)(Zr, Ti)O3], PbO, SrTiO3, BaTiO3, V2O5, BST[Ba, Sr)TiO3], SBT(SrBi2Ta2O9), Bi4Ti3O12.
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Die Ladungsspeicherschicht 22 kann eines oder mehrere von Si3N4, Siliziumoxynitrid, und siliziumreichem Oxid aufweisen.
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Gemäß 8 bis 10 werden Speichervorrichtungen gemäß weiteren Ausführungsformen der Erfindung gezeigt. Eine Vielzahl von aktiven Bereichen ACT sind auf einem Halbleitersubstrat 10 angeordnet. Die aktiven Bereiche ACTs sind parallel zueinander entlang einer Richtung des Substrats 10 angeordnet. Eine gemeinsame Source-Leitung CSL kreuzt über die aktiven Bereiche ACT. Bitleitungsplugs DC sind mit jeweiligen aktiven Bereichen ACT verbunden und von der gemeinsamen Source-Leitung CSL durch einen vorbestimmten Abstand getrennt. Die Bitleitungsplugs DC sind parallel zu der gemeinsamen Source-Leitung CSL.
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Eine Reihenauswahl-Gate-Elektrode 117s und eine Masseauswahl-Gate-Elektrode 117g sind parallel zueinander und kreuzen über die aktiven Bereiche ACT zwischen der gemeinsamen Source-Leitung CSL und den Bitleitungsplugs DC. Die Reihenauswahl-Gate-Elektrode 117s ist zu den Bitleitungsplugs DC benachbart und die Masseauswahl-Gate-Elektrode 117g ist zu der gemeinsamen Source-Leitung benachbart.
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Zwischen der Reihenauswahl-Gate-Elektrode 117s und der Masseauswahl-Gate-Elektrode 117g kreuzen eine Vielzahl von Speicher-Gate-Elektroden 117m die aktiven Bereiche ACT. Die Speicher-Gate-Elektroden 117m sind parallel zueinander. Eine Tunnelisolationsschicht 110, eine Ladungsspeicherschicht 112 und eine Blockisolationsschicht 114 werden zwischen den aktiven Bereichen und der Speicher-Gate-Elektroden 117m aufeinanderfolgend aufgebracht. Die Tunnelisolationsschicht 110, die Ladungsspeicherschicht 112 und die Sperrisolationsschicht 114 können die gleichen Materialien wie zuvor beschrieben aufweisen.
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Ein Störstellen dotierter Bereich 102 ist auf den gegenüberliegenden Seiten der Reihenauswahl-Gate-Elektrode 117s, der Masseauswahl-Gate-Elektrode 117g und der Speicher-Gate-Elektrode 117m angeordnet. Die gemeinsame Source-Leitung CSL ist mit dem jeweiligen störstellendotierten Bereich (Source-Bereich) 102s verbunden, der zu der Masseauswahl-Elektrode 117g benachbart ist. Die Isolationszwischenschicht 120 deckt die Oberfläche eines Halbleitersubstrats einschließlich der Gate-Elektroden 117g, 117m und 117s und der gemeinsamen Source-Leitung CSL ab. Die Bitleitungsplugs DC werden mit den störstellendotieten Bereichen (Drain-Bereichen) 102d verbunden, die benachbart zu der Reihenauswahl-Gate-Elektrode 117s sind. Eine Vielzahl von Bitleiungen BL sind auf der Isolationszwischenschicht 120 derart ausgebildet, daß sie die Gate-Elektroden 117g, 117m und 117s überkreuzen. Die Bitleitungen BL sind elektrisch mit den Bitleitungsplugs DC verbunden.
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Speicherzellen können an den Schnittpunkten der jeweiligen Speicher-Gate-Elektroden 117m und der aktiven Bereiche ACT vorgesehen sein. Auswahltransistoren können an Schnittpunkten der jeweiligen Auswahlgates 117s und 117g und den jeweiligen aktiven Bereichen ACT vorgesehen sein.
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Wie es in 9 gezeigt ist, kann die Speichervorrichtung eine Tunnelisolationsschicht 110, eine Ladungsspeicherschicht 112 und eine Sperrisolationsschicht 114 enthalten, die zwischen der Masseauswahl-Gate-Elektrode 117g, der Reihenauswahl-Gate-Elektrode 117s und den aktiven Bereichen (ACT in 8) aufeinanderfolgend aufgebracht sind. Eine negative Spannung kann an die Masseauswahl-Gate-Elektrode 117g und an die Reihenauswahl-Gate-Elektrode 117s angelegt werden, um die Schwellwertspannung des Auswahltransistors während Speichervorgängen zu erniedrigen.
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Gemäß weiteren Ausführungsformen, wie in 10 gezeigt, kann die Speichervorrichtung eine Gate-Isolationsschicht 116 zwischen jeder der Masseauswahl-Gate-Elektrode 117g und der Reihenauswahl-Gate-Elektrode 117s und den aktiven Bereichen (ACT in 8) enthalten. Die Gate-Isolationsschicht 116 kann ein Siliziumoxid, ein Siliziumoxynitrid oder Kombinationen daraus aufweisen.
