DE10225680B4

DE10225680B4 - Herstellverfahren für eine Metallschicht sowie Herstellverfahren für ein laminiertes keramisches Elektronikbauelement

Info

Publication number: DE10225680B4
Application number: DE10225680.2A
Authority: DE
Inventors: Teppei Akiyoshi
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2001-06-08
Filing date: 2002-06-10
Publication date: 2014-07-31
Anticipated expiration: 2022-06-11
Also published as: KR20020093640A; JP3656612B2; GB0212286D0; US6967163B2; CN100463084C; CN1391242A; KR100486759B1; GB2377227B; GB0213112D0; GB2377227A; DE10225680A1; TW574416B; JP2003055775A; US20030022492A1

Abstract

Herstellverfahren für eine Metallschicht, welches Folgendes umfasst: einen ersten Schritt des Bildens einer aus einem stromlosen Beschichtungs-Katalysatormaterial auf einem Tragelement (1) mit Hilfe einer vakuumdünnschichtbildenden Anlage gefertigten ersten Metallschicht (2), die in jedem Bereich von 1 × 105 nm2 in der Inselstruktur oder in der Netzstruktur vorliegt, wobei der erste Schritt beendet wird, bevor die erste Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht heranwächst, und einen zweiten Schritt des Bildens einer zweiten Metallschicht durch Bilden einer Schicht aus einem Metall, während stromloses Beschichten unter Verwendung der ersten Metallschicht als Katalysator durchgeführt wird.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Herstellverfahren für eine Metallschicht sowie ein Herstellverfahren für ein laminiertes keramisches Elektronikbauelement. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung ein Herstellverfahren für eine Metallschicht, die im Grunde durch stromloses Beschichten gebildet wird und welche zur Verwendung als in einem laminierten keramischen Elektronikbauelement vorgesehene Innenleiterschicht geeignet ist.
Ein laminiertes keramisches Elektronikbauelement, zum Beispiel ein Vielschicht-Keramikkondensator, wird mit einer Innenleiterschicht, beispielsweise einer Innenelektrode, versehen. Die Innenleiterschicht kann durch verschiedene Verfahren gebildet werden. Zu typischen Beispielen zählen: Bilden der Innenleiterschicht durch die Verwendung eines Dickschichtausbildungsprozesses, wie zum Beispiel Drucken und Härten einer leitenden Paste, oder Bilden der Innenleiterschicht durch die Verwendung eines Dünnschichtausbildungsprozesses, wie zum Beispiel ein Vakuumdünnschichtausbildungsverfahren, z. B. Vakuumverdampfen oder Vakuumsputtern, oder ein Nassbeschichtungsverfahren, zum Beispiel ein stromloses Beschichtungsverfahren oder ein Galvanisierverfahren.
Das Verfahren zum Ausbilden der Innenleiterschicht mit Hilfe des letzteren Dünnschichtausbildungsprozesses, d. h. ein Herstellverfahren für eine Metallschicht, ist für die vorliegende Erfindung besonders relevant.
Ein Herstellverfahren für eine Metallschicht mit Hilfe eines Dünnschichtausbildungsprozesses ist zum Beispiel aus der JP 6-302469 A bekannt, welche ein Verfahren offenbart, bei dem eine erste Metallschicht mit einer Dicke von 0,1 bis 0,3 μm auf einer organischen Schicht (Tragelement) mittels eines Vakuum-Dünnschichtausbildungsverfahrens durch eine Maske gebildet wird. Eine zweite Metallschicht wird auf der ersten Metallschicht durch stromloses Beschichten gebildet und daher wird eine Metallschicht mit einer vorbestimmten Dicke hergestellt.
Die auf der organischen Schicht ausgebildete Metallschicht muss in einem solchen Zustand sein, dass die organische Schicht durch einen Schritt, zum Beispiel Übertragen von der organischen Schicht auf eine ungesinterte Keramikschicht, abgezogen werden kann, um als Innenleiterschicht des laminierten keramischen Elektronikbauelements verwendet zu werden.
Das in der JP 6-302469 A beschriebene Verfahren leidet jedoch unter den nachstehend beschriebenen Problemen.
Wird die Metallschicht so ausgebildet, dass kein Defekt auftritt, gibt es insofern Probleme, dass das Abziehen zwischen der Metallschicht und dem Tragelement und weiterhin die Übertragung der Metallschicht auf die ungesinterte Keramiklage unmöglich sind. Die Zeit für diese Übertragung wird verlängert, ein Teil der Metallschicht wird nicht übertragen und verbleibt auf dem Tragelement und daher kommt es zu Brechen oder Rissbildung in der Metallschicht und dergleichen.
Zur Bewältigung dieser Probleme ist ein Verfahren, bei welchem das Anhaften zwischen dem Tragelement und der Metallschicht verringert wird, effektiv. Daher wurden Maßnahmen ergriffen, bei welchen zum Beispiel einige Kniffe bei der Kombination des Materials für das Tragelement und des Materials für die erste Metallschicht angewendet wurden. Es wurden auch einige Kniffe bei der Schichtherstellbedingung bezüglich des Dünnschichtausbildungsverfahrens zum Bilden der ersten Metallschicht angewendet.
Wenn das Haften zwischen dem Tragelement und der Metallschicht abnimmt, wie dies vorstehend beschrieben ist, kommt es dagegen wahrscheinlich zu Ablösen in der Metallschicht aufgrund einer Innenspannung, welche in der Metallschicht während der Bildung der ersten Metallschicht durch die Vakuum-Dünnschichtausbildungsvorrichtung oder während des stromlosen Beschichtens oder Waschen mit Wasser nach dem stromlosen Beschichten zum Bilden der zweiten Metallschicht auftritt. Daher kommt es zu dem Problem, dass wahrscheinlich Defekte, wie teilweises Ablösen und Rissbildung, in der Metallschicht auftreten.
Zur Lösung dieses Problems wird ein Verfahren entwickelt, bei welchem zur Vermeidung des Auftretens des durch Ablösen während der Bildung der Metallschicht bedingten Defekts das Haftvermögen zum Halten der Metallschicht auf dem Tragelement sichergestellt wird, während das Haftvermögen so wenig wie möglich verringert wird, um die Formentrenneigenschaft innerhalb des Haftbereichs zu verbessern. Zur Verwirklichung dieses Verfahrens wurde ein Verfahren zum präzisen Steuern des Haftens zwischen dem Tragelement und der Metallschicht vorgeschlagen. Die JP 7-66072 A offenbart zum Beispiel das Festlegen des Verhältnisses der offenen Nadelstichfläche der ersten Metallschicht auf 1% bis 70%. Die Metallschicht kann auf einem Tragelement, welche ein Tragelement ist, zuverlässig gehalten werden, während die zum Abziehen der Metallschicht von dem Tragelement erforderliche Kraft gesteuert wird.
Jedoch verschlechtert das Hemmen des Ablösens, welches während der Bildung der Metallschicht auftritt, mit solch einer herkömmlichen Technik eine Formentrenneigenschaft zwischen dem Tragelement und der Metallschicht. Daher wurde das Problem mit der eingangs erwähnten JP 6-302469 A , nämlich dass Ablösen zwischen dem Tragelement und der Metallschicht und weiterhin Übertragung auf die ungesinterte Keramiklage unmöglich sind, dass die Zeit für die Übertragung verlängert wurde, dass ein Teil der Metallschicht nicht übertragen wurde und auf dem Tragelement verblieben ist und daher Bruch- oder Rissbildung bei der Metallschicht aufgetreten sind, nicht adäquat überwunden.
Die JP 7-66072 A beschreibt eine Technik, bei welcher die erste Metallschicht verdampft wird, bis die Dicke in der Größenordnung von 0,1 μm liegt. Wenn das Verdampfen durchgeführt wird, bis eine solche Dicke erreicht ist, wächst die erste Metallschicht bei dem nachstehend beschriebenen Dünnschichtwachstumsprozess zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht. Wie in der eingangs erwähnten Schrift beschrieben wird, liegt, selbst wenn ein Nadelstich ausgebildet wird, die Größe desselben in dem Beispiel bei 1 μm und im Allgemeinen bei 0,5 μm oder mehr.
Dadurch können zwar gleichmäßige kontinuierliche Schichten über einigen Bereichen von 1 × 10⁵ nm² erreicht werden, doch können nur ein oder zwei Grenzlinien von Nadelstichen in manchen Bereichen von 1 × 10⁵ nm² beobachtet werden und andere Bereiche von 1 × 10⁵ nm² können Teil des Nadelstichs werden können sich in einem derartigen Zustand befinden, dass innerhalb des Bereichs desselben keine Metallschicht vorliegt.
Demgemäss wird bei der herkömmlichen Technik der in 5 gezeigte Zustand, bei welchem die Metallschicht sich in der Inselstruktur oder in der Netzstruktur über jedem Bereich von 1–10⁵ befindet, nicht verwirklicht. Das heißt, dass die Steuerung des Ablösens basierend auf der in der JP 7-66072 A beschriebenen Technik eine sogenannte Makrosteuerung des Ablösens ist. Daher kommt es zu einem Problem bezüglich der Kombination des für die erste Metallschicht verwendeten Metalls und des Trägerelements, und bezüglich der Schichtherstellbedingung bei dem Dünnschichtausbildungsverfahren, wenn die Bedingung das Aufweisen einer starken Formentrenneigenschaft vorsieht. Da es in der Metallschicht zu Rissbildung kommen kann und die Metallschicht sich aufgrund von Innenspannungen, die in dem anderen Teil, nicht dem Nadelstich, in der Metallschicht während der Schichtherstellung oder während des Beschichtens oder während des Waschens mit Wasser nach dem Beschichten auftreten, ablösen kann, ist es schwierig, die Metallschicht ohne Defekte, wie zum Beispiel Ablösen und Rissbildung, auszubilden.
Wie vorstehend beschrieben gibt es nur einen Kompromiss zwischen der Ausbildung der Metallschicht ohne Defekte, wie zum Beispiel Ablosen, und der Verwirklichung einer ausgezeichneten Formentrenneigenschaft zwischen dem Tragelement und der Metallschicht. Daher ist es schwierig, eine diese beiden Bedingungen erfüllende Metallschicht stabil zu erzeugen.
Aus der US 4 354 911 A ist ein Verfahren zur Herstellung von Metallschichten bekannt.
Die EP 0 485 176 B1 offenbart ein Verfahren zum Herstellen einer keramischen Elektronikkomponente aus mehreren ungebrannten Keramiklagen, bei dem jede der mehreren ungebrannten Keramiklagen durch Herstellen einer ersten Metallschicht auf einem Träger durch Dampfniederschlagung und Herstellen einer zweiten Metallschicht auf der ersten Metallschicht durch Naßplattierung erzeugt wird. Der Naßplattiervorgang kann stromloses Plattieren umfassen. Ferner kann eine dritte Metallschicht zwischen der ersten und zweiten Metallschicht hergestellt werden.
ZUSAMMENFASSENDE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
Demgemäss besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, ein Herstellverfahren für eine Metallschicht zur Hand zu geben, welches die eingangs erwähnten Probleme überwinden oder abschwächen kann. Somit ist die Erfindung darauf ausgerichtet, sowohl die Anforderung einer ausgezeichneten Formentrenneigenschaft vom -Tragelement und die Anforderungen, dass das Auftreten von Defekten, z. B. Ablösen und Rissbildung, während der Schichtherstellung durch die Vakuum-Dünnschichtausbildungsvorrichtung oder während der Metallschichtbildung durch Beschichten oder Waschen mit Wasser nach dem Beschichten unwahrscheinlich wird, zu erfüllen.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein laminiertes keramisches Elektronikbauelement mit der durch Anwendung des eingangs erwähnten Herstellverfahrens für die Metallschicht hergestellten Metallschicht und ein Herstellverfahren für das laminierte keramische Elektronikbauelement zur Hand zu geben.
Nach einer ersten Ausgestaltung der Erfindung wird ein Herstellverfahren für eine Metallschicht zur Hand gegeben, welches Folgendes umfasst: einen ersten Schritt des Bildens einer ersten Metallschicht bestehend aus einem stromlosen Beschichtungskatalysatormaterial auf einem Tragelement unter Verwendung einer Vakuum-Dünnschichtausbildungsanlage, wobei der erste Schritt beendet wird, bevor die erste Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht heranwächst, und einen zweiten Schritt des Bildens einer zweiten Metallschicht durch Bilden einer Schicht aus einem Metall, während stromloses Beschichten unter Verwendung der ersten Metallschicht als Katalysator ausgeführt wird.
Die erste Metallschicht kann sich in der Inselstruktur (Inselphase), in der Netzstruktur (Kanalphase oder Lochphase), in Form eines Cluster oder in Form eines Atoms oder Moleküls befinden. Die Metallschicht liegt in jedem Bereich von 1 × 10⁵ nm² vorzugsweise in der Inselstruktur oder in der Netzstruktur vor und bevorzugter in der Inselstruktur.
Die erste Metallschicht enthält vorzugsweise mindestens ein Metall gewählt aus der Gruppe bestehend aus Palladium, Silber, Gold, Platin, Nickel, Kobalt, Rhodium und Iridium.
Die erste Metallschicht ist bevorzugter eine Metallschicht gewählt aus der Gruppe bestehend aus einer Palladiumschicht mit einer Dicke von weniger als 10 nm, einer Silberschicht mit einer Dicke von weniger als 20 nm und einer Goldschicht mit einer Dicke von weniger als 20 nm.
Die zweite Metallschicht enthält vorzugsweise mindestens ein Metall gewählt aus der Gruppe bestehend aus Nickel, Kupfer, Silber, Palladium, Platin, Kobalt und Rhodium.
Eine zweite Ausgestaltung der Erfindung gibt ein Herstellverfahren für eine Metallschicht zur Hand, welches Folgendes umfasst: einen ersten Schritt des Bildens einer ersten Metallschicht gefertigt aus einem stromlosen Beschichtungs-Keimmaterial auf einem Tragelement unter Verwendung einer Vakuum-Dünnschichtausbildungsanlage, wobei der erste Schritt beendet wird, bevor die erste Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht heranwächst; einen zweiten Schritt des Bildens einer zweiten Metallschicht gefertigt aus einem stromlosen Beschichtungs-Katalysatormaterial durch Adhäsion während des Anwendens des Tauchbeschichtens aufgrund einer ionischen Verdrängungsreaktion an mindestens der Oberfläche der ersten Metallschicht; sowie einen dritten Schritt des Bildens einer dritten Metallschicht durch Ausbilden einer Schicht aus einem Metall, während stromloses Beschichten unter Verwendung der zweiten Metallschicht als Katalysator angewendet wird.
Die erste Metallschicht kann in jeder Form vorliegen, in der sie nicht eine gleichmäßige kontinuierliche Schicht ist, ähnlich wie bei der ersten Ausgestaltung. Die Metallschicht liegt in jedem Bereich von 1 × 10⁵ nm² in der Inselstruktur oder in der Netzstruktur vor und vorzugsweise in der Inselstruktur.
Vorzugsweise enthält die erste Metallschicht mindestens ein Metall gewählt aus der Gruppe bestehend aus Silber, Aluminium, Cadmium, Kobalt, Kupfer, Chrom, Eisen, Gallium, Indium, Mangan, Nickel, Blei, Zinn und Zink und die zweite Metallschicht enthält mindestens ein Metall, welches aus der Gruppe bestehend aus Palladium, Platin, Gold, Silber, Rhodium und Iridium gewählt wird und welches ein Metall ist, das als Ersatz für das in der ersten Metallschicht enthaltene Metall dienen kann.
Bevorzugter noch ist die erste Metallschicht eine Metallschicht gewählt aus der Gruppe bestehend aus einer Kupferschicht mit einer Dicke von weniger als 30 nm, einer Silberschicht mit einer Dicke von weniger als 20 nm und einer Eisenschicht mit einer Dicke von weniger als 10 nm.
Vorzugsweise enthält die dritte Metallschicht mindestens ein Metall gewählt aus der Gruppe bestehend aus Nickel, Kupfer, Silber, Palladium, Platin, Kobalt und Rhodium.
In der ersten oder zweiten Ausgestaltung wird die Zeit zum Durchführen des ersten Schritts vorzugsweise gesteuert, um den ersten Schritt zu beenden, bevor die erste Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht wächst.
In dem oben erwähnten Fall wird vorzugsweise ein Vorbereitungsschritt ausgeführt, um eine kritische Zeit für das Wachstum der ersten Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht zu ermitteln, indem die erste Metallschicht unter den gleichen Schichtausbildungsbedingungen wie beim ersten Schritt gebildet wird, wobei lediglich die Bedingung bezüglich der Zeit mitaufgenommen wird, dadurch gekennzeichnet, dass als Zeit zum Durchführen des ersten Schritts eine Zeit kürzer als diese kritische Zeit gewählt wird.
Vorzugsweise ist die erste Metallschicht bei dem ersten Schritt durch das Ausbilden durch eine Maske strukturiert.
Vorzugsweise wurde die Oberfläche des Tragelements, auf welchem die erste Metallschicht ausgebildet werden soll, einer Formentrennbehandlung unterzogen.
Vorzugsweise wird das Tragelement als folienförmiges verwendet.
Für das Tragelement wird ein beliebiges Material verwendet und es wird zum Beispiel ein organisches Material, Kohlenstoff, Metall oder Metalloxid verwendet.
Die vorliegende Erfindung sieht auch eine Metallschicht vor, die durch eines der vorstehend erwähnten Herstellverfahren erzeugt wurde.
Vorzugsweise wird diese. Metallschicht zum Bilden einer Innenleiterschicht verwendet, die in einem laminierten keramischen Elektronikbauelement angebracht werden soll.
Die vorliegende Erfindung betrifft auch ein laminiertes keramisches Elektronikbauteil, das mit mehreren laminierten Keramikschichten und einer Innenleiterschicht versehen ist, die sich entlang einer bestimmten Grenzfläche zwischen den Keramikschichten erstreckt. In einem solchen laminierten keramischen Elektronikbauteil, welches die vorliegende Erfindung verkörpert, wird die Innenleiterschicht durch die vorstehend erwähnte Metallschicht verwirklicht.
Zu den typischen Beispielen der vorstehend erwähnten laminierten keramischen Elektronikbauelemente gehört ein Vielschicht-Keramikkondensator.
Die vorliegende Erfindung gibt auch eine durch das vorstehend erwähnte Herstellverfahren erzeugte Metallschicht, die auf dem Tragelement ausgebildet ist, zur Hand. Das Herstellverfahren für ein laminiertes keramisches Elektronikbauelement, welches die vorliegende Erfindung verkörpert, wird wie nachstehend beschrieben durch Aufbringen der Metallschicht auf das Tragelement durchgeführt.
Weiterhin sieht die Erfindung ein Herstellverfahren für ein laminiertes keramisches Elektronikbauelement vor, welche Folgendes umfasst: das Ausbilden einer ersten Metallschicht gefertigt aus einem stromlosen Beschichtungs-Katalysatormaterial auf einem Tragelement mit Hilfe einer Vakuum-Dünnschichtausbildungsanlage, wobei das Ausbilden beendet wird, bevor die erste Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht wächst; das Ausbilden einer zweiten Metallschicht durch Herstellen einer Schicht aus einem Metall, während stromloses Beschichten unter Verwendung der ersten Metallschicht als Katalysator angewendet wird; das Erzeugen eines Komplexes, welcher die Metallschicht und eine ungesinterte Keramiklage durch Ausbilden der ungesinterten Keramiklage auf dem Tragelement, so dass die Metallschicht abgedeckt wird, umfasst; das Erzeugen eines ungesinterten Laminats durch Laminieren mehrerer Komplexe; das Abziehen des Tragelements von jedem der Komplexe und das Härten des ungesinterten Laminats.
Weiterhin gibt die Erfindung ein Herstellverfahren für ein laminiertes keramisches Elektronikbauelement zur Hand, welches Folgendes umfasst: Ausbilden einer ersten Metallschicht gefertigt aus einem stromlosen Beschichtungs-Katalysatormaterial auf einem Tragelement mit Hilfe einer Vakuum-Dünnschichtausbildungsanlage, wobei das Ausbilden beendet wird, bevor die erste Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht wächst; das Ausbilden einer zweiten Metallschicht durch Herstellen einer Schicht aus einem Metall, während stromloses Beschichten unter Verwendung der ersten Metallschicht als Katalysator angewendet wird; das Herstellen einer ungesinterten Keramiklage; das Erzeugen eines Komplexes, welcher die Metallschicht und die ungesinterte Keramiklage umfasst, durch Übertragen der Metallschicht von dem Tragelement zu der ungesinterten Keramiklage; das Erzeugen eines ungesinterten Laminats durch Laminieren mehrerer Komplexe und das Härten des ungesinterten Laminats.
Die vorliegende Erfindung gibt weiterhin ein laminiertes keramisches Elektronikbauelement zur Hand, welches durch das vorstehend erwähnte Herstellverfahren erzeugt wurde.
Wie vorstehend beschrieben wird in Ausführungen des Herstellverfahrens für die Metallschicht nach der vorliegenden Erfindung die erste Metallschicht des stromlosen Beschichtungs-Katalysator- oder Keimmaterials so ausgebildet, dass sie keine gleichmäßige kontinuierliche Schicht wird, und dann wird die zweite Metallschicht durch stromloses Beschichten unter Verwendung der ersten Metallschicht als Katalysator gebildet. Alternativ wird die zweite Metallschicht, die ein Katalysator für stromloses Beschichten werden soll, durch eine ionische Verdrängungsreaktion an mindestens der Oberfläche der ersten Metallschicht ausgebildet und dann wird die dritte Metallschicht durch stromloses Beschichten unter Verwendung der zweiten Metallschicht als Katalysator ausgebildet.
Aufgrund dieses Vorgehens kann selbst bei Verwendung der Kombination eines Tragelements und einer Metallschicht oder der Schichtherstellbedingungen, die ausgezeichnete Formentrenneigenschaften für das Tragelement von Metallschicht geben, das Auftreten von Defekten, zum Beispiel Ablösen und Rissbildung in der Metallschicht, während der Bildung der ersten Metallschicht oder während des stromlosen Beschichtens für das Bilden der zweiten oder dritten Metallschicht oder während des anschließenden Waschens mit Wasser unwahrscheinlich gehalten werden.
Bei dem Herstellverfahren für die Metallschicht, welche die vorliegende Erfindung verkörpert, wird wie vorstehend beschrieben der stromlose Beschichtungskatalysator bzw. das Keimmaterial der ersten Metallschicht so gebildet, dass diese keine gleichmäßige kontinuierliche Schicht wird. Wurde die Schichtbildung durchgeführt, bis die erste Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht heranwuchs, so wurde festgestellt, dass sich manchmal die erste Metallschicht während des folgenden stromlosen Beschichtens oder Waschen mit Wasser ablöste. Wenn jedoch die Schichtherstellung beendet war, bevor die erste Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht herangewachsen war, war das Ablösen der ersten Metallschicht während des folgenden stromlosen Beschichtens oder Waschens mit Wasser unwahrscheinlich. Die vorliegende Erfindung beruht auf dieser Feststellung.
Als Grund für das Auftreten des Phänomens, aus welchem sich die vorstehend erwähnte Feststellung ableitet, wird angenommen, dass sich bei einer diskontinuierlichen ersten Metallschicht die Innenspannung des Überzugs der Beschichtung, d. h. die zweite oder dritte Metallschicht, während des stromlosen Beschichtens aus irgendeinem Grund entspannt.
Daher kann bei Erzeugen eines laminierten keramischen Elektronikbauelements mit Hilfe der Metallschicht gemäss der vorliegenden Erfindung eine ausgezeichnete Übertragung der Metallschicht auf die ungesinterte Keramiklage zuverlässig verwirklicht werden. Die für die Übertragung erforderliche Zeit kann verringert und weiterhin die Ausbeute des laminierten keramischen Elektronikbauteils verbessert werden.
Bei dem Herstellverfahren für die Metallschicht, welche die vorliegende Erfindung verkörpert, kann bei Herstellen der ersten Metallschicht in der Inselstruktur oder einer Netzstruktur in jedem Bereich von 1 × 10⁵ nm² selbst bei Ausbilden der Metallschicht unter der zuvor erwähnten Bedingung, dass eine ausgezeichnete Formentrenneigenschaft verwirklicht werden kann, die das Verhindern eines Auftretens von Defekten zuverlässiger verwirklicht werden.
Wenn bei der Bildung der ersten Metallschicht eine Maske verwendet wird, kann, selbst wenn der Schritt zum Beispiel der Photolithographie und des Ätzens nicht vorgenommen wird, eine strukturierte Metallschicht erzeugt und daher der Schritt zum Erzeugen einer strukturierten Metallschicht vereinfacht werden.
Die Zeit für das Durchführen des Schritts des Ausbildens der ersten Metallschicht wird so gesteuert, dass er beendet ist, bevor die erste Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht heranwächst. Zur Ermittlung dieser Zeit wird eine kritische Zeit für das Wachstum der ersten Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht festgestellt. Wird eine kürzere Zeit als diese kritische Zeit als Zeit für das Durchführen des Schritts des Ausbildens der ersten Metallschicht gewählt, kann die Zeit für das Durchführen des Schritts des Ausbildens der ersten Metallschicht mühelos ermittelt werden. Sobald diese Zeit ermittelt ist, kann bei der folgenden Herstellung der Metallschicht die erste Metallschicht stabil ausgebildet werden, ohne dass sie eine gleichmäßige kontinuierliche Schicht wird.
KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Nun werden Ausführungen der Erfindung beispielhaft und unter Bezug auf die Begleitzeichnungen beschrieben. Hierbei sind:
1A und 1b Schnittansichten zur Erläuterung einer Ausführung eines Herstellverfahrens für eine Metallschicht, welche die vorliegende Erfindung verkörpert, wobei die in diesem Herstellverfahren enthaltenen typischen Schritte gezeigt werden;
2 eine Schnittansicht, welche die Bedingung der Bildung der in 1A gezeigten ersten Metallschicht 2 unter weiterer Vergrößerung zeigt;
3A bis 3C Schnittansichten, welche eine erste Ausführung eines Herstellverfahrens für ein laminiertes keramisches Elektronikbauelement gemäss der vorliegenden Erfindung erläutert und in diesem Herstellverfahren enthaltene typische Schritte zeigt;
4A bis 4C Schnittansichten, welche eine zweite Ausführung eines Herstellverfahrens für ein laminiertes keramisches Elektronikbauelement gemäss der vorliegenden Erfindung erläutern und in diesem Herstellverfahren enthaltene typische Schritte zeigen;
5 eine Elektronenmikroaufnahme der ersten Metallschicht nach Beispiel 1, die in Experiment 1 erzeugt wurde.
BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGEN
1A und 1B sowie 2 erläutern eine erste Ausführung eines Herstellverfahrens für eine erfindungsgemäße Metallschicht.
Bezüglich der Herstellung einer geplanten Metallschicht, wie in 1A gezeigt, wird ein erster Schritt des Bildens einer ersten Metallschicht 2, die aus einem solchen Material gefertigt wird, dass ein Katalysator für das stromlose Beschichten auf einem Tragelement 1 durch die Verwendung einer Vakuum-Dünnschichtausbildungsanlage entsteht, ausgeführt. Hierbei wird vorzugsweise eine Maske 3 verwendet und die Metallschicht 2 wird durch Ausbilden der ersten Metallschicht 2 durch diese Maske 3 strukturiert.
Beispiele für die oben erwähnte Vakuum-Dünnschichtausbildungsanlage umfassen eine Vakuumverdampfungsvorrichtung, eine Sputtervorrichtung, eine Laserablationsvorrichtung, eine Ionenbeschichtungsvorrichtung, eine Clusterionenstrahlvorrichtung und eine Molekularstrahlepitaxieeinrichtung (MBE-Vorrichtung).
Ein organisches Material, Kohlenstoff, Metall oder Metalloxid können als Material für das Tragelement 1 verwendet werden. Vorzugsweise besitzt das Tragelement 1 eine Oberfläche, auf welcher die erste Metallschicht 2 auszubilden ist, welche einer Formentrennbehandlung unterzogen wurde. Wenn ein Material mit einer geringen Adhäsion gegenüber der ersten Metallschicht 2 als Material für das Tragelement 1 verwendet wird, kann die Formentrennbehandlung für die Oberfläche des Tragelements 1 unterbleiben.
Wird zum Beispiel ein organisches Material wie Fluorharz oder Silikonharz als Material für das Tragelement 1 verwendet, kann eine ausgezeichnete Formentrenneigenschaft vermittelt werden, selbst wenn die Formentrennbehandlung unterbleibt.
Das Tragelement 1 kann die Form einer Platte mit relativ hoher Steifigkeit oder die Form einer Schicht mit Biegsamkeit aufweisen.
Ist das Tragelement 1 folienförmig, kann, da dieses walzenförmig gewickelt werden kann, die Konfiguration der Herstellungsvorrichtung vereinfacht werden, bei der die Metallschicht kontinuierlich erzeugt wird, und ferner kann eine hohe Produktivität erwartet werden. Da der Lagerraum verringert werden kann, wenn die Metallschicht in Masse gefertigt wird, und das Gewicht und Volumen verringert werden können, wenn die erzeugten Metallschichten transportiert werden, können weiterhin Lager- und Transportkosten verringert werden.
Wenn ein folienförmiges Tragelement 1 verwendet wird, für gewöhnlich das aus Polyethylenterephthalat hergestellte Element, das gleichwertig mit der beim Spritzgießen einer ungesinterten Keramikplatte verwendeten Trägerfolie ist, kann die beim Spritzgießen einer ungesinterten Keramikplatte verwendete Trägerfolie abgelenkt werden. In diesem Fall ist es wünschenswert, daß die Oberfläche der Trägerfolie einer Entformungs-Behandlung mit einem Fluorharz oder Silikonharz unterzogen wird, um ein müheloses Ablösen durchzuführen. Als Material für das folienförmige Tragelement 1 kann Polypropylen, etc. neben Polyethylenterephthalat verwendet werden und es kann auch eine aus Edelstahl, etc. gefertigte Schicht an Stelle der organischen Schicht verwendet werden.
Es kann zumindest ein aus der Gruppe bestehend aus Palladium, Silber, Gold, Platin, Nickel, Kobalt, Rhodium und Iridium gewähltes Metall als das die erste Metallschicht 2, welche zum Katalysator für das stromlose Beschichten wird, bildende Material verwendet werden. Diese Metalle können allein oder in einer diese Metalle enthaltenden Legierung verwendet werden.
Zur Verwirklichung einer ausgezeichneten Katalyse ist es erforderlich, eine Passivierung aufgrund der Bildung einer Oxidschicht zu verhindern. Daher ist es nach Bilden der ersten Metallschicht 2 erforderlich, umgehend einen nachstehend beschriebenen Schritt des stromlosen Beschichtens auszuführen bzw. so zu steuern, dass die Bildung der Oxidschicht verhindert wird. Im Hinblick auf das Durchführen einer mühelosen Steuerung ist die Verwendung von Edelmetallen bevorzugt. Vor allem Palladium ist aufgrund der hohen Katalyse bezüglich der verschiedenen Beschichtungslösungen wünschenswert. Effektiv ist auch eine Durchführung des nachstehend beschriebenen stromlosen Beschichtens nach einer Behandlung zum Entfernen der passiven Schicht.
Bei erfindungsgemäßen Ausführungen ist es wichtig, den ersten Schritt des Bildens der ersten Metallschicht zu beenden, bevor die erste Metallschicht 2 zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht heranwächst.
Die durch den ersten Schritt gebildete erste Metallschicht 2 kann in jeder Form vorliegen, solange sie keine gleichmäßige kontinuierliche Schicht ist, wie in 2 gezeigt. Die erste Metallschicht kann beispielsweise die Inselstruktur (Inselphase), die Netzstruktur (Kanalphase oder Lochphase), die Form eines Atoms, die Form eines Moleküls, die Form eines Cluster oder dergleichen haben. Insbesondere ist die erste Metallschicht 2 vorzugsweise keine gleichmäßige kontinuierliche Schicht in jedem Bereich von 1 × 10⁵ nm². Die Form der ersten Metallschicht 2 ist vorzugsweise die Inselstruktur oder die Netzstruktur, bevorzugter die Inselstruktur oder die Netzstruktur in der Kanalphase und am bevorzugtesten die Inselstruktur.
Im Allgemeinen treten beim Wachstumsprozess der Dünnschicht das Eintreffen eines Atoms an dem Tragelement, die Migration, die Bildung eines Keims, das Wachstum des Keims und das Zusammenwachsen in dieser Reihenfolge auf. Das Wachstum zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht erfolgt über die Phasen der Inselstruktur und der Netzstruktur. Die für das Wachstum zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht erforderliche Zeit schwankt abhängig von den Schichtherstellungsbedingungen, zum Beispiel den Sorten und Bedingungen des Materials, an dem angehaftet werden soll, und des Tragelements und auch abhängig von den in einer vakuumdünnschichtausbildenden Anlage eingestellten Bedingungen. Sobald die Dicke eine maximale Größenordnung im oberen zweistelligen Nanometer-Bereich erreicht hat, kommt es jedoch im Allgemeinen zum Heranwachsen der gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht. Die Erfahrung des Erfinders zeigt, dass bei Dicken von 10 nm oder mehr, 20 nm oder mehr, 30 nm oder mehr, 20 nm oder mehr und 10 nm oder mehr bezüglich Palladium, Silber, Kupfer, Gold bzw. Eisen die verdampften Schichten bei praktisch allen Tragelementen und Verdampfungsbedingungen zu gleichmäßigen kontinuierlichen Schichten heranwachsen.
Wenn daher das Herstellverfahren für die die vorliegende Erfindung verkörpernde Metallschicht ausgeführt wird, wird vorzugsweise vorab ein Vorbereitungsschritt ausgeführt, bei welchem die Schichtherstellbedingung ermittelt wird. Dies kann beispielsweise die Art des Materials einschließen, welches die erste Metallschicht 2 und das Tragelement 1 bildet, sowie die in der vakuumdünnschichtausbildenden Anlage eingestellten Bedingungen mit Ausnahme der Bedingung bezüglich Zeit. Unter dieser festgelegten Schichtherstellbedingung wird die erste Metallschicht 2 gebildet und daher wird die kritische Zeit für das Wachstum der ersten Metallschicht 2 zu der gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht festgestellt.
In einer praktischen Massenproduktionsphase wird der erste Schritt zum Bilden der ersten Metallschicht 2 bei einer Zeit durchgeführt, die kürzer als die in dem oben erwähnten Vorbereitungsschritt festgestellte kritische Zeit ist. Dort wo die Schicht kontinuierlich auf langen Strecken der Schicht zum Bilden des Tragelements gefertigt wird, wird die oben erwähnte Zeit durch die Transportgeschwindigkeit der Schicht gesteuert. Jedoch muss die erste Metallschicht 2 natürlich mit einer adäquaten Adhäsionskraft gebildet werden, um als Katalysatorkeime für das stromlose Beschichten in dem späteren Schritt des stromlosen Beschichtens zu funktionieren.
Wie in 1B gezeigt, wird der zweite Schritt des Bildens der zweiten Metallschicht 4 durch Fertigen einer Schicht aus einem bestimmten Metall durchgeführt, während das stromlose Beschichten mit Hilfe der ersten Metallschicht 2 als Katalysator ausgeübt wird.
Bei dem stromlosen Beschichten zum Bilden der zweiten Metallschicht 4 wird ein stromloses Beschichtungsbad verwendet. Dieses kann zum Beispiel aus mindestens einem Metall gewählt aus der Gruppe bestehend aus Nickel, Kupfer, Silber, Palladium, Platin, Kobalt und Rhodium bestehen.
Diese zweite Metallschicht 4 bildet den Hauptteil der sich ergebenden Metallschicht. Die zweite Metallschicht 4 besteht im Hinblick auf die elektrische Leitfähigkeit, die Kosten, etc. bei Einsatz dieser Metallschicht als Innenleiterschicht eines laminierten keramischen Elektronikbauelements und Einsatzmöglichkeit einer reduzierenden Atmosphäre bei der Wärmebehandlung zum Erzeugen des laminierten keramischen Elektronikbauteils wünschenswerterweise aus Kupfer oder Nickel. In diesem Fall können zum Beispiel ein stromloses Verkupferungsbad, ein stromloses Nickel-Phosphor-Legierungs-Beschichtungsbad und ein stromloses Nickel-Bor-Legierungs-Beschichtungsbad als stromloses Beschichtungsbad verwendet werden.
Wenn es dagegen nicht möglich ist, bei der Wärmebehandlungsphase zum Erzeugen des laminierten keramischen Elektronikbauelements eine reduzierende Atmosphäre einzusetzen, besteht die zweite Metallschicht 4 aus Silber, Palladium, Platin oder einer Legierung derselben.
Durch Mischen der oben erwähnten verschiedenen Metalle mit anderen Metallelementen als Eutektoid hergestellte Legierungen können verwendet werden. Daneben können auch stromlose Beschichtungsbäder aus Kobalt-Phosphor, Kobalt-Bor, Rhodium, etc. verwendet werden.
Wie in 1A gezeigt wird bei dem ersten Schritt eine Maske 3 zum Bilden der ersten Metallschicht 2 verwendet, und die erste Metallschicht 2 wird dadurch strukturiert. Wenn das stromlose Beschichten bei dem zweiten Schritt durchgeführt wird, wird daher die zweite Metallschicht 4 nur an dem Teil ausgebildet, an dem die erste Metallschicht 2 ausgebildet wurde, und daher kann die Metallschicht als Ganzes strukturiert werden. Metallmasken und verschiedene Maskenschichten können zum Beispiel als solche Maske 3 verwendet werden.
Das Verfahren zum Strukturieren ist nicht auf das oben erwähnte Verfahren mit Hilfe der Maske 3 beschränkt. Verfahren mit Hilfe verschiedener Resists, zum Beispiel einem Photoresist, sind möglich. Ein Verfahren, bei welchem Ätzen nach dem Ausbilden der ersten Metallschicht 2 durchgeführt wird, und ein Verfahren, bei welchem Ätzen nach dem Ausbilden der zweiten Metallschicht 4 durchgeführt wird, sind ebenfalls möglich.
Im Hinblick auf eine Vereinfachung des Prozesses ist jedoch das Verfahren mit Hilfe der Maske 3, beispielsweise einer Metallmaske, vorteilhaft, da die Maske 3 mühelos aufgebracht oder entfernt werden kann, wiederholt verwendet werden kann und ein Strukturierzustand in der Phase verwirklicht wurde, in welcher die erste Metallschicht 2 gebildet wurde.
Das Herstellverfahren für die die vorliegende Erfindung verkörpernde Metallschicht kann auch wie nachstehend beschrieben ausgeführt werden.
In dieser zweiten Ausführung verwendet der erste Schritt des Bildens der ersten Metallschicht auf dem Tragelement eine vakuumdünnschichtbildende Anlage. Als Material zum Bilden der ersten Metallschicht wird ein Material verwendet, welches ein Keim für das stromlose Beschichten wird, aber keine Katalyse bezüglich des stromlosen Beschichtens haben darf.
Dieser erste Schritt wird beendet, bevor die erste Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht heranwächst. Dies ist ähnlich wie bei der ersten Ausführung. Die erste Metallschicht liegt vorzugsweise in jedem Bereich von 1 × 10⁵ nm² in der Inselstruktur oder in einer Netzstruktur vor. Dies ist ebenfalls ähnlich wie bei der ersten Ausführung.
Anschließend wird die Oberfläche der bzw. die ganze erste Metallschicht durch ein als Katalysator für die stromlose Beschichtung dienendes Material substituiert, um zu einem Keim für das stromlose Beschichten durch Tauchbeschichtung zu werden, und dadurch wird der zweite Schritt des Bildens einer zweiten Metallschicht durchgeführt. Diese zweite Metallschicht wird, wie vorstehend beschrieben, aufgrund einer ionischen Verdrängungsreaktion an mindestens der Oberfläche der ersten Metallschicht ausgebildet und daher wird in ähnlicher Weise wie bei der ersten Metallschicht keine gleichmäßige kontinuierliche Schicht aufgebaut.
Insbesondere wird bei diesem zweiten Schritt das Tragelement, an welchem die erste Metallschicht ausgebildet wurde, in eine Lösung aus einem Metall eingetaucht, die bezüglich der stromlosen Beschichtungslösung katalytisch ist. Die Substitutionsreaktion läuft aufgrund der Differenz des Gleichgewichtspotentials der Oxidationsreduktion in diesem eingetauchten Zustand weiter ab und die zweite Metallschicht wird ausgebildet. Daher ist es erforderlich, dass das Gleichgewichtspotential der Oxidationsreduktion des die erste Metallschicht bildenden Metalls unedler als das des die zweite Metallschicht bildenden Metalls ist. Umgekehrt ist es erforderlich, dass das Gleichgewichtspotential der Oxidationsreduktion des die zweite Metallschicht bildenden Metalls edler als das des die erste Metallschicht bildenden Metalls ist.
Wie vorstehend beschrieben muss die erste Metallschicht nicht unbedingt eine Katalyse bezüglich der stromlosen Beschichtungslösung haben. Sie kann zum Beispiel aus mindestens einem Metall gewählt aus der Gruppe bestehend aus Silber, Aluminium, Kadmium, Kobalt, Kupfer, Chrom, Eisen, Gallium, Indium, Mangan, Nickel, Blei, Zinn oder Zink bestehen.
Von diesen Metallen wirken Kadmium, Blei, Zinn und Zink als Katalysatorgifte und daher ist es besser, ein anderes Metall zu verwenden, wenn eine Glanzschicht erforderlich ist.
Andererseits kann eine wässrige Lösung aus Palladiumchlorid-Chlorwasserstoffsäure und dergleichen als katalytische Lösung eines Metalls, das für das Bilden der zweiten Metallschicht verwendet wird, eingesetzt werden. Diese Lösung wird im Allgemeinen als Aktivierungslösung für die Vorbehandlung des stromlosen Beschichtens verwendet. Natürlich können von anderen Metallen mit Katalyse diejenigen verwendet werden, die ein edleres Gleichgewichtspotential der Oxidationsreduktion als das des Materials, das die erste Metallschicht bildet, aufweisen. D. h. diejenigen Metalle, die für das in der ersten Metallschicht enthaltene Metall substituiert werden können. Zum Beispiel können Platin, Gold, Silber, Rhodium und Iridium sowie Palladium verwendet werden.
Die in den ersten oder zweiten Metallschichten beispielhaft enthaltenen Metalle können allein oder als eine eines dieser Metalle enthaltende Legierung verwendet werden.
Der dritte Schritt des Bildens einer dritten Metallschicht wird durch Herstellen einer Schicht aus einem Metall bei Durchführen des stromlosen Beschichtens mit Hilfe der oben erwähnten zweiten Metallschicht als Katalysator durchgeführt. Da dieser dritte Schritt dem zweiten Schritt des Bildens der zweiten Metallschicht 4 in der oben erwähnten ersten Ausführung entspricht und diesem im Wesentlichen gleicht, findet die oben erwähnte Erläuterung auch hierauf Anwendung.
Wie vorstehend beschrieben, kann die in der ersten oder zweiten Ausführung erzeugte Metallschicht beim Bilden einer Innenleiterschicht eines laminierten keramischen Elektronikbauelements, zum Beispiel einer Innenelektrode zum Bilden der Kapazität eines Vielschicht-Keramikkondensators, vorteilhaft verwendet werden.
3A bis 3C zeigen eine erste Ausführung eines Herstellverfahrens für ein erfindungsgemäßes laminiertes keramisches Elektronikbauelement.
In 3A werden die durch die ersten oder zweiten Ausführungen des Herstellverfahrens für die erfindungsgemäße Metallschicht erzeugten Metallschichten 11 an dem Tragelement 12 ausgebildet gezeigt. Die Metallschichten 11 werden in dem an dem Tragelement 12 ausgebildeten Zustand, wie in 3A gezeigt, dargestellt.
Wie in 3B gezeigt, wird ein Komplex 14 bestehend aus den Metallschichten 11 und einer ungesinterten Keramikschicht 13 durch Formen der ungesinterten Keramikschicht 13 auf dem Tragelement 12 zum Abdecken der Metallschichten 11 erzeugt.
Wie in 3C gezeigt, wird ein ungesintertes Laminat 15 durch Laminieren von mehreren Komplexen 14 erzeugt. Da 3C eine Zwischenphase während des Laminierens der Komplexe 14 zeigt, wird in der Zeichnung nur ein Teil des ungesinterten Laminats gezeigt. 3A zeigt, dass dem an einer oberen Position angeordneten Komplex 14 beim Laminieren Vorrang gegeben wird.
Wie in 3C gezeigt, wird der Komplex 14 durch das Tragelement 12 gestützt, bis es an dem Komplex 14 laminiert wird, welcher zuvor laminiert wurde. Daher werden bei jedem Laminieren eines Komplexes 14 mehrere Komplexe 14 wiederholt durch Ausüben von Druck von der Seite des Tragelements 12, wie durch Pfeil 16 gezeigt, durch Druck gebondet. Danach wird das Tragelement 12 abgezogen, wie durch Pfeil 17 angezeigt.
Der Schritt des Ablösens des Tragelements 12 kann vor dem Schritt des Laminierens jedes Komplexes 14 erfolgen.
Wenn das ungesinterte Laminat 15 für die Herstellung eines Vielschicht-Keramikkondensators verwendet wird, erfolgt das Ausrichten der Metallschichten 11, damit eine Innenelektrode zum Bilden der Kapazität durch die einander gegenüberliegenden Metallschichten 11 mit der ungesinterten Keramikschicht 13 dazwischen beim Schritt des Laminierens konfiguriert wird.
Das ungesinterte Laminat 15 wird geschnitten, um einen Laminatchip für ein einzelnes laminiertes keramisches Elektronikbauelement herzustellen. Ggf. wird es anschließend einem Schritt des Entfettens und einem Schritt des Wärmebehandelns unterzogen.
Dann werden Endelektroden, etc. an der äußeren Fläche des wärmebehandelten Laminats ausgebildet und daher wird ein geplantes laminiertes keramisches Elektronikbauteil, beispielsweise ein Vielschicht-Keramikkondensator, fertiggestellt.
4A bis 4C sind Diagramme zur Erläuterung einer zweiten Ausführung des Herstellverfahrens für das erfindungsgemäße laminierte keramische Elektronikbauelement.
In 4A werden die Metallschichten 21 an dem Tragelement 22 ähnlich wie in 3A ausgebildet gezeigt.
In 4A wird eine auf einer Trägerfolie 23 geformte ungesinterte Keramikschicht 24 gezeigt.
Wie vorstehend beschrieben werden die an dem Tragelement 22 ausgebildeten Metallschichten 21 und die an der Trägerfolie 23 geformte ungesinterte Keramikschicht 24 jeweils erzeugt und dann werden die folgenden Schritte nacheinander ausgeführt.
Wie in 4B gezeigt, wird ein Schritt des Bildens eines Komplexes 25 aus den Metallschichten 21 und der ungesinterten Keramikschicht 24 durch Übertragen der Metallschichten 21 von dem Tragelement 22 auf die ungesinterte Keramikschicht 24 ausgeführt.
Insbesondere werden die auf dem Tragelement 22 ausgebildeten Metallschichten 21 und die von der Trägerfolie 23 gestützte ungesinterte Keramikschicht 24 einander überlappend angeordnet und in diesem Zustand werden das Tragelement 22 und die Trägerfolie 23 in Richtung des Überlappens gepresst. Dann wird das Tragelement 22 wie durch Pfeil 26 gezeigt abgelöst und dadurch werden die Metallschichten 21 von dem Tragelement 22 auf die ungesinterte Keramikschicht 24 übertragen.
Wie in 4C gezeigt, wird ein Schritt des Bildens eines ungesinterten Laminats 27 durch Laminieren von mehreren Komplexen 25 durchgeführt. In 4C wird ähnlich zu 3C nur ein Teil des ungesinterten Laminats 27 in der Zeichnung gezeigt, und die Zeichnung zeigt, dass einem an einer oberen Position angeordneten Komplex 25 beim Laminieren Vorrang gegeben wird.
Der Komplex 25 wird durch die Trägerfolie 23 gestützt, bis er an dem vorher laminierten Komplex 25 laminiert wird. Dann wird nach dem Laminieren des Komplexes 25 von der Seite der Trägerfolie 23 aus Druck ausgeübt, wie durch einen Pfeil 28 angezeigt, die Komplexe 25 werden wiederholt durch Druck miteinander gebondet und dann wird die Trägerfolie 23 abgezogen, wie durch Pfeil 29 angezeigt, so dass das ungesinterte Laminat 27 erzeugt wird.
Der Schritt des Ablösens der Trägerfolie 23 kann vor dem Schritt des Laminierens jedes Komplexes 25 durchgeführt werden.
Das so erzeugte ungesinterte Laminat 27 wird in ähnlicher Weise wie bei der oben erwähnten ersten Ausführung geschnitten und ggf. einem Schritt des Entfettens und Wärmebehandelns unterzogen. Dann werden Endelektroden etc. ausgebildet und daher wird ein geplantes laminiertes keramisches Elektronikbauelement, beispielsweise ein Vielschicht-Keramikkondensator, erzeugt.
Die erfindungsgemäßen Ausführungen können auf laminierte keramische Elektronikbauelemente, zum Beispiel vielschichtige keramische Tragelemente, laminierte Keramikinduktoren und laminierte Filter sowie Mehrschicht-Keramikkondensatoren, angewendet werden.
Als Nächstes werden Beispiele beschrieben, die zum Nachweis der Wirkungen bei erfindungsgemäßen Ausführungen durchgeführt wurden.
Beispiel 1
In Beispiel 1 wurden jeweils Beispiele und Vergleichsbeispiele bezüglich des Herstellverfahrens für die Metallschicht ausgeführt und Beurteilungen derselben vorgenommen.
1. Beispiel 1

(1) Eine aus Polyethylenterephthalat bestehende Schicht, auf welcher eine Formentrennlage auf Siliconbasis ausgebildet wurde, wurde als Tragelement erzeugt. Es wurde eine Metallmaske aus Edelstahl in einer Dicke von 0,2 mm hergestellt, auf welcher an den Teilen, die zu den mehreren Innenelektroden für einen Vielschicht-Keramikkondensator werden würden, Öffnungen platziert wurden.
(2) Die oben erwähnte Metallmaske wurde nah an die Oberfläche des Tragelements aufgebracht, auf welchem die Formentrennlage ausgebildet worden war. Durch 10 Sekunden langes Verdampfen von Palladium auf den Öffnungen der Metallmaske bei einer Schichtherstellungsgeschwindigkeit von 1 Å/sek. auf der Basis einer Quarzresonator-Dickenlehre mittels einer Vakuumverdampfungsanlage wurde durch diese Metallmaske eine erste Metallschicht ausgebildet.

Die aus Palladium gebildete erste Metallschicht wurde mit einem Elektronenmikroskop (TEM) untersucht und es wurde nachgewiesen, dass das Palladium in jedem Bereich von 1 × 10⁵ nm² in der Inselstruktur vorlag.
5 ist eine Elektronenmikroaufnahme der vorstehend erwähnten ersten Metallschicht. In 5 bezeichnet Bezugsziffer 1 das Tragelement und Bezugsziffer 2 die erste Metallschicht.

(3) Das Tragelement, auf welchem die erste Metallschicht ausgebildet worden war, wurde in ein stromloses Nickel-Phosphor-Legierungs-Beschichtungsbad unter Verwendung von phosphiniger Säure als Reduktionsmittel eingetaucht, um eine zweite Metallschicht auszubilden. Bei diesem stromlosen Beschichten betrug die Badtemperatur 80°C und die Eintauchzeit lag bei 50 Sekunden.

Die Schichtdicke der so gebildeten Metallschicht betrug 0,7 μm.
Diese Metallschicht hatte keine Fehler und wies ausgezeichnete Formentrenneigenschaften auf.
2. Beispiel 2

(1) Es wurden ein Tragelement und eine Metallmaske hergestellt, die denen in (1) Beispiel 1 ähnelten.
(2) Die oben erwähnte Metallmaske wurde nah an die Oberfläche der Seite der Formentrennlage des oben erwähnten Tragelements aufgebracht. Durch 10 Sekunden langes Verdampfen von Eisen auf den Öffnungen der Metallmaske bei einer Schichtherstellungsgeschwindigkeit von 2 Å/sek. auf der Basis einer Quarzresonator-Dickenlehre mittels einer Vakuumverdampfungsanlage wurde durch diese Metallmaske eine erste Metallschicht ausgebildet.

Die aus Eisen gebildete erste Metallschicht wurde mit einem Elektronenmikroskop (TEM) untersucht und es wurde nachgewiesen, dass das Eisen in jedem Bereich von 1 × 10⁵ nm² in der Inselstruktur vorlag.

(3) Palladium wurde für die Oberfläche der aus Eisen hergestellten ersten Metallschicht durch ein einminütiges Eintauchen des Tragelements, an welchem die erste Metallschicht ausgebildet worden war, in eine wässrige Lösung aus Palladiumchlorid-Chlorwasserstoffsäure substituiert und dadurch wurde die aus Palladium hergestellte zweite Metallschicht gebildet.
(4) Das Tragelement, auf welchem die zweite Metallschicht ausgebildet worden war, wurde in ein stromloses Nickel-Phosphor-Legierungs-Beschichtungsbad ähnlich dem von Schritt (3) des Beispiels 1 bei einer ähnlichen Eintauchzeit eingetaucht und daher wurde durch stromloses Beschichten eine dritte Metallschicht ausgebildet.

Die Schichtdicke der so gebildeten Metallschicht betrug 0,7 μm.
Diese Metallschicht hatte keine Fehler und wies ausgezeichnete Formentrenneigenschaften auf.
3. Beispiel 3

(1) Es wurden ein Tragelement und eine Metallmaske hergestellt, die denen in (1) Beispiel 1 ähnelten.
(2) Die oben erwähnte Metallmaske wurde nah an die Oberfläche der Seite der Formentrennlage des oben erwähnten Tragelements aufgebracht. Durch 16 Sekunden langes Verdampfen von Silber auf den Öffnungen der Metallmaske bei einer Schichtherstellungsgeschwindigkeit von 6 Å/sek. auf der Basis einer Quarzresonator-Dickenlehre mittels einer Vakuumverdampfungsanlage wurde durch diese Metallmaske eine erste Metallschicht ausgebildet.

Die aus Silber gebildete erste Metallschicht wurde mit einem Elektronenmikroskop (TEM) untersucht und es wurde nachgewiesen, dass die erste Metallschicht in jedem Bereich von 1 × 10⁵ nm² in der Inselstruktur vorlag.

(3) Das Tragelement, auf welchem die erste Metallschicht ausgebildet worden war, wurde in ein stromloses Nickel-Phosphor-Legierungs-Beschichtungsbad ähnlich dem von Schritt (3) des Beispiels 1 bei einer ähnlichen Eintauchzeit eingetaucht und daher wurde durch stromloses Beschichten eine zweite Metallschicht ausgebildet.

Die Schichtdicke der so gebildeten Metallschicht betrug 0,6 μm.
Diese Metallschicht hatte keine Fehler und wies ausgezeichnete Formentrenneigenschaften auf.
4. Beispiel 4

(1) Es wurden ein Tragelement und eine Metallmaske hergestellt, die denen in (1) Beispiel 1 ähnelten.
(2) Die oben erwähnte Metallmaske wurde nah an die Oberfläche der Seite der Formentrennlage des oben erwähnten Tragelements aufgebracht. Durch 10 Sekunden langes Verdampfen von Silber auf den Öffnungen der Metallmaske bei einer Schichtherstellungsgeschwindigkeit von 5 Å/sek. auf der Basis einer Quarzresonator-Dickenlehre mittels einer Vakuumverdampfungsanlage wurde durch diese Metallmaske eine erste Metallschicht ausgebildet.

(3) Palladium wurde für die Oberfläche der aus Silber hergestellten ersten Metallschicht durch ein einminütiges Eintauchen des Tragelements, an welchem die erste Metallschicht ausgebildet worden war, in eine wässrige Lösung aus Palladiumchlorid-Chlorwasserstoffsäure ersetzt und dadurch wurde die aus Palladium hergestellte zweite Metallschicht gebildet.
(4) Das Tragelement, auf welchem die zweite Metallschicht ausgebildet worden war, wurde in ein stromloses Nickel-Phosphor-Legierungs-Beschichtungsbad ähnlich dem von Schritt (3) des Beispiels 1 bei einer ähnlichen Eintauchzeit eingetaucht und daher wurde durch stromloses Beschichten eine dritte Metallschicht ausgebildet.

Die Schichtdicke der so gebildeten Metallschicht betrug 0,7 μm.
Diese Metallschicht hatte keine Fehler und wies ausgezeichnete Formentrenneigenschaften auf.
5. Beispiel 5

(1) Es wurden ein Tragelement und eine Metallmaske hergestellt, die denen in (1) Beispiel 1 ähnelten.
(2) Die oben erwähnte Metallmaske wurde nah an die Oberfläche der Seite der Formentrennlage des oben erwähnten Tragelements aufgebracht. Durch 30 Sekunden langes Verdampfen von Kupfer auf den Öffnungen der Metallmaske bei einer Schichtherstellungsgeschwindigkeit von 4 Å/sek. auf der Basis einer Quarzresonator-Dickenlehre mittels einer Vakuumverdampfungsanlage wurde durch diese Metallmaske eine erste Metallschicht ausgebildet.

Die aus Kupfer gebildete erste Metallschicht wurde mit einem Elektronenmikroskop (TEM) untersucht und es wurde nachgewiesen, dass die erste Metallschicht in jedem Bereich von 1 × 10⁵ nm² in der Inselstruktur vorlag.

(3) Palladium wurde für die Oberfläche der aus Kupfer hergestellten ersten Metallschicht durch ein einminütiges Eintauchen des Tragelements, an welchem die erste Metallschicht ausgebildet worden war, in eine wässrige Lösung aus Palladiumchlorid-Chlorwasserstoffsäure substituiert und dadurch wurde die aus Palladium hergestellte zweite Metallschicht gebildet.
(4) Das Tragelement, auf welchem die zweite Metallschicht ausgebildet worden war, wurde in ein stromloses Nickel-Phosphor-Legierungs-Beschichtungsbad ähnlich dem von Schritt (3) des Beispiels 1 bei einer ähnlichen Eintauchzeit eingetaucht und daher wurde durch stromloses Beschichten eine dritte Metallschicht ausgebildet.

Die Schichtdicke der so gebildeten Metallschicht betrug 0,7 μm.
Diese Metallschicht hatte keine Fehler und wies ausgezeichnete Formentrenneigenschaften auf.
6. Vergleichsbeispiel 1

(1) Es wurden ein Tragelement und eine Metallmaske hergestellt, die denen in (1) Beispiel 1 ähnelten.
(2) Die oben erwähnte Metallmaske wurde nah an die Oberfläche der Seite der Formentrennlage des oben erwähnten Tragelements aufgebracht. Durch 100 Sekunden langes Verdampfen von Palladium auf den Öffnungen der Metallmaske bei einer Schichtherstellungsgeschwindigkeit von 1 Å/sek. auf der Basis einer Quarzresonator-Dickenlehre mittels einer Vakuumverdampfungsanlage wurde durch diese Metallmaske eine erste Metallschicht ausgebildet.

Die aus Palladium gebildete erste Metallschicht wurde mit einem Elektronenmikroskop (TEM) untersucht und es wurde nachgewiesen, dass die erste Metallschicht in jedem Bereich von 1 × 10⁵ nm² eine gleichmäßige kontinuierliche Schicht war.

(3) Es wurde ein Eintauchen in ein stromloses Nickel-Phosphor-Legierungs-Beschichtungsbad ähnlich dem von Schritt (3) des Beispiels 1 bei einer ähnlichen Eintauchzeit durchgeführt und daher wurde ein Arbeitsschritt zum Bilden einer zweiten Metallschicht durch stromloses Beschichten durchgeführt.

Die zweite Metallschicht löste sich jedoch während dieses stromlosen Beschichtens und während des Wasserwaschens nach dem Beschichten zusammen mit der ersten Metallschicht ab und daher ließ sich keine Metallschicht mit ausgezeichneten Eigenschaften bilden.
7. Vergleichsbeispiel 2

(1) Es wurden ein Tragelement und eine Metallmaske hergestellt, die denen in (1) Beispiel 1 ähnelten.
(2) Die oben erwähnte Metallmaske wurde nah an die Oberfläche der Seite der Formentrennlage des oben erwähnten Tragelements aufgebracht. Durch 100 Sekunden langes Verdampfen von Nickel auf den Öffnungen der Metallmaske bei einer Schichtherstellungsgeschwindigkeit von 10 Å/sek. auf der Basis einer Quarzresonator-Dickenlehre mittels einer Vakuumverdampfungsanlage wurde durch diese Metallmaske eine erste Metallschicht ausgebildet.

Die aus Nickel gebildete erste Metallschicht wurde mit einem Rasterelektronenmikroskop (SEM) untersucht und es wurde nachgewiesen, dass die erste Metallschicht in jedem Bereich von 1 × 10⁵ nm² eine gleichmäßige kontinuierliche Schicht war.

(3) Das Tragelement, auf welchem die erste Metallschicht ausgebildet worden war, wurde in ein stromloses Nickel-Phosphor-Legierungs-Beschichtungsbad ähnlich dem von Schritt (3) des Beispiels 1 bei einer ähnlichen Eintauchzeit eingetaucht und daher wurde durch stromloses Beschichten eine zweite Metallschicht ausgebildet

Die Schichtdicke der so gebildeten Metallschicht betrug 0,8 μm.
Diese Metallschicht wies eine mangelhafte Formentrenneigenschaft auf und wurde nicht übertragen, als eine Übertragung auf eine ungesinterte Keramikschicht versucht wurde.
[Experiment 2]
Bei diesem Experiment wurde ein Vielschicht-Keramikkondensator unter Verwendung der Metallschicht von Beispiel 1 in Experiment 1 als Innenelektrode hergestellt.
Eine ungesinterte 7 μm dicke Keramikschicht, die Bariumtitanat als primäres Material enthielt, wurde auf einem Tragelement, auf welchem eine Metallschicht ausgebildet worden war, mittels eines Schabklingenverfahrens ausgebildet.
Ein mit mehreren Metallschichten und mehreren ungesinterten Keramikschichten versehenes ungesintertes Laminat wurde durch wiederholtes Druckbonden von mehreren Komplexen, die jeweils aus der miteinander laminierten ungesinterten Keramikschicht und der Metallschicht bestanden, erzeugt. Das Druckbonden der Komplexe mit einander wurde durch Druckausübung von der Tragelementseite aus durchgeführt.
Die Abzieheigenschaft der Metallschicht von dem Tragelement war während dieses Schritts ausgezeichnet.
Das ungesinterte Laminat wurde auf eine vorbestimmte Größe zugeschnitten und dann bei einer Temperatur von 1.200°C wärmebehandelt. Dann wurde eine Endelektrode ausgebildet und somit wurde ein Vielschicht-Keramikkondensator erzeugt.
Es sind verschiedene Abwandlungen der beschriebenen Ausführung möglich und liegen für den Fachmann nahe, ohne vom Schutzumfang, der durch die folgenden Patentansprüche festgelegt wird, abzuweichen.

Claims

Herstellverfahren für eine Metallschicht, welches Folgendes umfasst: einen ersten Schritt des Bildens einer aus einem stromlosen Beschichtungs-Katalysatormaterial auf einem Tragelement (1) mit Hilfe einer vakuumdünnschichtbildenden Anlage gefertigten ersten Metallschicht (2), die in jedem Bereich von 1 × 10⁵ nm² in der Inselstruktur oder in der Netzstruktur vorliegt, wobei der erste Schritt beendet wird, bevor die erste Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht heranwächst, und einen zweiten Schritt des Bildens einer zweiten Metallschicht durch Bilden einer Schicht aus einem Metall, während stromloses Beschichten unter Verwendung der ersten Metallschicht als Katalysator durchgeführt wird.
Herstellverfahren für eine Metallschicht, welches Folgendes umfasst: einen ersten Schritt des Bildens einer aus einem stromlosen Beschichtungs-Keimmaterial auf einem Tragelement mit Hilfe einer vakuumdünnschichtbildenden Anlage gefertigten ersten Metallschicht, die in jedem Bereich von 1 × 10⁵ nm² in der Inselstruktur oder in der Netzstruktur vorliegt, wobei der erste Schritt beendet wird, bevor die erste Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht heranwächst, einen zweiten Schritt des Bildens einer zweiten Metallschicht aus einem stromlosen Beschichtungs-Katalysatormaterial durch Adhäsion während des Anwendens der Eintauchbeschichtung aufgrund einer ionischen Verdrängungsreaktion an mindestens der Oberfläche der ersten Metallschicht, und einen dritten Schritt des Bildens einer dritten Metallschicht durch Herstellen einer Schicht aus einem Metall, während stromloses Beschichten unter Verwendung der zweiten Metallschicht als Katalysator durchgeführt wird.
Herstellverfahren für die Metallschicht nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Metallschicht mindestens ein Metall gewählt aus der Gruppe bestehend aus Palladium, Silber, Gold, Platin, Nickel, Kobalt, Rhodium und Iridium umfasst.
Herstellverfahren für die Metallschicht nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Metallschicht eine Metallschicht gewählt aus der Gruppe bestehend aus einer Palladiumschicht mit einer Dicke von unter 10 nm, einer Silberschicht mit einer Dicke von unter 20 nm und einer Goldschicht mit einer Dicke von unter 20 nm umfasst.
Herstellverfahren für die Metallschicht nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Metallschicht mindestens ein Metall gewählt aus der Gruppe bestehend aus Silber, Aluminium, Cadmium, Kobalt, Kupfer, Chrom, Eisen, Gallium, Indium, Mangan, Nickel, Blei, Zinn und Zink umfasst und die zweite Metallschicht mindestens ein Metall umfasst, welches aus der Gruppe bestehend aus Palladium, Platin, Gold, Silber, Rhodium und Iridium gewählt wird und welches ein Metall ist, das für das in der ersten Metallschicht enthaltene Metall substituiert werden kann.
Herstellverfahren für die Metallschicht nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Metallschicht eine Metallschicht gewählt aus der Gruppe bestehend aus einer Kupferschicht mit einer Dicke von unter 30 nm, einer Silberschicht mit einer Dicke von unter 20 nm und einer Eisenschicht mit einer Dicke von unter 10 nm umfasst.
Herstellverfahren für die Metallschicht nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die während des Ausführens des stromlosen Beschichtens gebildete Metallschicht mindestens ein Metall gewählt aus der Gruppe bestehend aus Nickel, Kupfer, Silber, Palladium, Platin, Kobalt und Rhodium umfasst.
Herstellverfahren für die Metallschicht nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Metallschicht bei dem ersten Schritt durch Ausbilden durch eine Maske strukturiert wird.
Herstellverfahren für die Metallschicht nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als Tragelement eines mit einer Oberfläche, auf welcher die erste Metallschicht ausgebildet werden soll, welches einer Formentrennbehandlung unterzogen wurde, verwendet wird.
Herstellverfahren für ein laminiertes keramisches Elektronikbauelement, welches Folgendes umfasst: das Bilden einer aus einem stromlosen Beschichtungs-Katalysatormaterial auf einem Tragelement (12) mit Hilfe einer vakuumdünnschichtbildenden Anlage gefertigten ersten Metallschicht (11), die in jedem Bereich von 1 × 10⁵ nm² in der Inselstruktur oder in der Netzstruktur vorliegt, wobei das Bilden beendet wird, bevor die erste Metallschicht (11) zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht heranwächst, das Bilden einer zweiten Metallschicht (11) durch Bilden einer Schicht aus einem Metall, während stromloses Beschichten unter Verwendung der ersten Metallschicht (11) als Katalysator durchgeführt wird. das Erzeugen eines die Metallschicht (11) und eine ungesinterte Keramikschicht (13) umfassenden Komplexes (14) durch Ausbilden der ungesinterten Keramikschicht (13) auf dem Tragelement (12), um die Metallschicht (11) abzudecken; das Erzeugen eines ungesinterten Laminats (15) durch Laminieren von mehreren der Komplexe (14), das Abziehen des Tragelements (12) von jedem der Komplexe (14) und das Wärmebehandeln des ungesinterten Laminats (15).
Herstellverfahren für ein laminiertes keramisches Elektronikbauelement, welches Folgendes umfasst: das Bilden einer aus einem stromlosen Beschichtungs-Katalysatormaterial auf einem Tragelement mit Hilfe einer vakuumdünnschichtbildenden Anlage gefertigten ersten Metallschicht, die in jedem Bereich von 1 × 10⁵ nm² in der Inselstruktur oder in der Netzstruktur vorliegt, wobei das Bilden beendet wird, bevor die erste Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht heranwächst, das Bilden einer zweiten Metallschicht durch Bilden einer Schicht aus einem Metall, während stromloses Beschichten unter Verwendung der ersten Metallschicht als Katalysator durchgeführt wird. das Herstellen einer ungesinterten Keramikschicht; das Erzeugen eines die Metallschicht und eine ungesinterte Keramikschicht umfassenden Komplexes durch Übertragen der Metallschicht von dem Tragelement auf die ungesinterte Keramikschicht, das Erzeugen eines ungesinterten Laminats durch Laminieren von mehreren der Komplexe und das Wärmebehandeln des ungesinterten Laminats.
Herstellverfahren für ein laminiertes keramisches Elektronikbauelement, welches Folgendes umfasst: das Bilden einer aus einem stromlosen Beschichtungs-Keimmaterial auf einem Tragelement mit Hilfe einer vakuumdünnschichtbildenden Anlage gefertigten ersten Metallschicht, die in jedem Bereich von 1 × 10⁵ nm² in der Inselstruktur oder in der Netzstruktur vorliegt, wobei dieser erste Schritt beendet wird, bevor die erste Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht heranwächst, das Bilden einer aus einem stromlosen Beschichtungs-Katalysatormaterial gefertigten zweiten Metallschicht durch Adhäsion während des Ausführens von Eintauchbeschichten aufgrund einer ionischen Verdrängungsreaktion an mindestens der Oberfläche der ersten Metallschicht, das Bilden einer dritten Metallschicht durch Fertigen einer Schicht aus einem Metall, während stromloses Beschichten unter Verwendung der zweiten Metallschicht als Katalysator ausgeführt wird, das Erzeugen eines die Metallschicht und eine ungesinterte Keramikschicht umfassenden Komplexes durch Ausbilden der ungesinterten Keramikschicht auf dem Tragelement, um die Metallschicht abzudecken; das Erzeugen eines ungesinterten Laminats durch Laminieren von mehreren der Komplexe, das Abziehen des Tragelements von jedem der Komplexe und das Wärmebehandeln des ungesinterten Laminats.
Herstellverfahren für ein laminiertes keramisches Elektronikbauelement, welches Folgendes umfasst: das Bilden einer aus einem stromlosen Beschichtungs-Keimmaterial auf einem Tragelement mit Hilfe einer vakuumdünnschichtbildenden Anlage gefertigten ersten Metallschicht, die in jedem Bereich von 1 × 10⁵ nm² in der Inselstruktur oder in der Netzstruktur vorliegt, wobei dieser erste Schritt beendet wird, bevor die erste Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht heranwächst, das Bilden einer aus einem stromlosen Beschichtungs-Katalysatormaterial gefertigten zweiten Metallschicht durch Adhäsion während des Ausführens von Eintauchbeschichten aufgrund einer ionischen Verdrängungsreaktion an mindestens der Oberfläche der ersten Metallschicht, das Bilden einer dritten Metallschicht durch Fertigen einer Schicht aus einem Metall, während stromloses Beschichten unter Verwendung der zweiten Metallschicht als Katalysator ausgeführt wird, das Erzeugen einer ungesinterten Keramikschicht, das Erzeugen eines die Metallschicht und die ungesinterte Keramikschicht umfassenden Komplexes durch Übertragen der Metallschicht von dem Tragelement auf die ungesinterte Keramikschicht, das Erzeugen eines ungesinterten Laminats durch Laminieren von mehreren der Komplexe und das Wärmebehandeln des ungesinterten Laminats.