DE102008034616A1 - Prägefolie und deren Verwendung sowie Verfahren zur Herstellung von Strukturelementen aus Kupfer - Google Patents

Prägefolie und deren Verwendung sowie Verfahren zur Herstellung von Strukturelementen aus Kupfer Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Prägefolie (1a), welche in dieser Reihenfolge ein flexibles, insbesondere elektrisch isolierendes Substrat (2), eine Ablöseschicht (3) und mindestens eine von der Ablöseschicht (3) ablösbare Metallschicht (4) aufweist, wobei die mindestens eine Metallschicht (4), senkrecht zur Ebene der Ablöseschicht (3) gesehen, deckungsgleich zur Ablöseschicht (3) angeordnet ist, wobei die Ablöseschicht (3) eine metallische Ablöseschicht (3) ist, die aus Aluminium, Silber, Gold oder deren Legierungen gebildet ist, und wobei die mindestens eine Metallschicht (4) aus Kupfer gebildet ist. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung von Strukturelementen (8) aus Kupfer und eine Verwendung der Prägefolie (1a) in einem solchen Verfahren.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Prägefolie, welche in dieser Reihenfolge ein flexibles, insbesondere elektrisch isolierendes Substrat, eine Ablöseschicht und mindestens eine von der Ablöseschicht ablösbare Metallschicht aufweist. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung von Strukturelementen aus Kupfer sowie eine Verwendung der Prägefolie in einem derartigen Verfahren.
  • Prägefolien der eingangs genannten Art sind, unter anderem aus DE 2800635 B1 , bekannt, wobei Ablöseschichten aus Wachs oder Trennlack, häufig auch Ablöseschichten auf Silikon-Basis, eingesetzt werden.
  • Weiterhin sind unterschiedliche Verfahren zur Herstellung von Strukturelementen aus Kupfer, wie beispielsweise Antennenstrukturen, Leiterbahnstrukturen, elektrisch leitenden Anschlussflächen, Elektrodenflächen, Spulenelementen und dergleichen auf elektrisch isolierenden Trägern hinreichend bekannt.
  • Bei der Massenproduktion von elektronischen Bauelementen oder Schaltungen ist meist eine Strukturierung, d. h. eine bereichsweise oder musterförmige Ausgestaltung, der elektrisch leitenden Funktionsschichten der einzelnen Bauelemente sowie gegebenenfalls deren Verbindungsleitungen zur Ausbildung von Schaltungen erforderlich. Dabei werden Strukturelemente wie elektrisch leitende Anschlussflächen, Elektrodenflächen, Leiterbahnstrukturen, Antennenstrukturen, Spulenelemente usw. aus elektrisch leitendem Material auf einem elektrisch isolierenden Träger ausgebildet und weitere Funktionsschichten wie Halbleiterschichten, elektrisch isolierende Schichten, Haftvermittlerschichten usw. daran angrenzend ausgebildet, um Bauelemente und Schaltungen auf dem Träger aufzubauen.
  • Als elektrisch isolierende Träger sind dabei zunehmend flexible, d. h. biegsame Träger, wie zum Beispiel Folien aus Kunststoff oder Folien enthaltend eine Oberfläche aus Kunststoff im Einsatz, die während der Ausbildung der einzelnen Schichten der Bauelemente und Schaltungen kontinuierlich von Rolle zu Rolle transportiert werden können. Flexible Träger ermöglichen somit in einfacher Weise eine Massenproduktion von dünnen, flexiblen und kostengünstigen Bauelementen und/oder Schaltungen, sofern die einzelnen Schichten, mit denen die Bauelemente und Schaltungen aufgebaut werden, jeweils oder in Summe eine so geringe Schichtdicke aufweisen, dass die Flexibilität des Trägers nicht oder nur unwesentlich beeinträchtigt wird.
  • Bei einem bekannten Verfahren zur Herstellung von Strukturelementen wird eine metallische Dünnfilmschicht, beispielsweise durch Aufdampfen oder Sputtern, auf dem elektrisch isolierenden Träger gebildet und anschließend galvanisch verstärkt.
  • Alternativ wird zur Bildung von Strukturelementen ein Verfahren eingesetzt, bei dem auf den Träger eine Leitpaste, ein Leitkleber oder ein leitfähiger Lack musterförmig in relativ hoher Schichtdicke bzw. als Dickfilm aufgedruckt, verfestigt und anschließend galvanisch verstärkt wird.
  • Ein weiteres Verfahren zur Herstellung von Strukturelementen auf elektrisch isolierenden Trägern ist aus WO 2005/039868 A2 bekannt. Hier wird als elektrisch isolierender Träger bevorzugt eine flexible, dünne Trägerfolie aus Kunststoff eingesetzt. Auf der Trägerfolie wird eine Kleberschicht bereitgestellt, die mit einer elektrisch leitenden Schicht verbunden wird, welche auf einer Prägefolie bzw. Transferfolie bereitgestellt ist. Solche Prägefolien weisen bekanntermaßen eine selbsttragende Schicht bzw. ein Substrat und eine meist nicht selbsttragende Übertragungslage auf, die von der selbsttragenden Schicht bzw. dem Substrat ablösbar ist. Die Übertragungslage wird aus mindestens einer Schicht gebildet, wie beispielsweise einer Metallschicht zur Ausbildung einer Leiterbahnstruktur.
  • Es ist nun Aufgabe der Erfindung, ein besonders kostengünstiges Verfahren zur Herstellung von Strukturelementen aus Kupfer und eine Prägefolie anzugeben, die sich für einen Einsatz in einem derartigen Verfahren eignet.
  • Die Aufgabe wird für die Prägefolie, welche in dieser Reihenfolge ein flexibles, insbesondere elektrisch isolierendes Substrat, eine Ablöseschicht und mindestens eine von der Ablöseschicht ablösbare Metallschicht aufweist, gelöst, indem die mindestens eine Metallschicht senkrecht zur Ebene der Ablöseschicht gesehen deckungsgleich zur Ablöseschicht angeordnet ist, indem die Ablöseschicht eine metallische Ablöseschicht ist, die aus Aluminium, Silber, Gold oder deren Legierungen gebildet ist und indem die mindestens eine Metallschicht aus Kupfer gebildet ist.
  • Es hat sich überraschend gezeigt, dass eine Schicht aus Aluminium, Silber, Gold oder deren Legierungen als Ablöseschicht in einer Prägefolie eingesetzt werden kann, um mindestens eine daran unmittelbar angrenzende Kupferschicht vollständig oder weitgehend rückstandsfrei auszuprägen. Die metallische Ablöseschicht hat den zusätzlichen Vorteil, dass diese aufgrund ihrer hohen elektrischen Leitfähigkeit unmittelbar in einem elektrolytischen Bad chemisch stromlos und/oder galvanisch, d. h. unter Stromeinfluss, mit der mindestens einen Metallschicht aus Kupfer plattiert werden kann. Die metallische Ablöseschicht weist demnach eine Doppelfunktion auf, nämlich die einer herkömmlichen Ablöseschicht und weiterhin die einer Anlagerungsschicht, auf der eine unmittelbare, zielgenaue Metallabscheidung aus einem elektrolytischen Bad möglich ist. Die Adhäsion zwischen der metallischen Ablöseschicht und der mindestens einen Metallschicht aus Kupfer ist dabei so gut, dass ein verarbeitbarer Prägefolienverbund ausgebildet werden kann, jedoch auch gering genug, so dass die mindestens eine Metallschicht mittels eines simplen Klebestreifens von der Ablöseschicht abgezogen und somit auch in einem herkömmlichen Prägeverfahren abgeprägt werden kann. Im Vergleich ist die Adhäsion im Bereich der Klebeverbindung zwischen der mindestens einen Metallschicht und einem damit mittels einer Kleberschicht verklebten Träger weitaus höher als die Adhäsion zwischen der metallischen Ablöseschicht und einer Kupferschicht.
  • Besonders bevorzugt ist es, wenn die mindestens eine Metallschicht der Prägefolie auf der metallischen Ablöseschicht durch chemisch stromloses und/oder galvanisches Plattieren gebildet ist. Bei diesem Verfahren wird keine Maske oder dergleichen benötigt, um die mindestens eine Metallschicht genau in Form der bzw. deckungsgleich zur Ablöseschicht auszubilden.
  • Um Material zu sparen und die Kosten zu senken, hat es sich dabei bewährt, wenn die Ablöseschicht der Prägefolie musterförmig, d. h. lediglich bereichsweise, auf dem vorzugsweise elektrisch isolierenden, flexiblen Substrat angeordnet ist.
  • Die Aufgabe wird für das Verfahren zur Herstellung mindestens eines Strukturelements aus Kupfer auf einem, insbesondere elektrisch isolierenden Träger durch folgende Schritte gelöst:
    • a) Bereitstellen eines flexiblen elektrisch isolierenden Substrats mit einer musterförmig darauf angeordneten, metallischen Ablöseschicht aus Aluminium, Silber, Gold oder deren Legierungen;
    • b) Plattieren der Ablöseschicht in einem elektrolytischen Bad mit mindestens einer Metallschicht aus Kupfer;
    • c) Bereitstellen des Trägers;
    • d) Verkleben einer Seite des Trägers mit zumindest einem Bereich der mindestens einen Metallschicht, wobei eine Adhäsion zwischen dem Träger und der mindestens einen Metallschicht im Bereich der Verklebung größer ausgebildet wird als eine Adhäsion zwischen der mindestens einen Metallschicht und der Ablöseschicht; und
    • e) Trennen des Trägers vom Substrat, wobei die mindestens eine Metallschicht im Bereich der Verklebung von der Ablöseschicht abgelöst wird und auf dem Träger in Form des mindestens einen Strukturelements aus Kupfer verbleibt.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht eine besonders kostengünstige und materialsparende Herstellung von Strukturelementen aus Kupfer, insbesondere in Form von Antennenstrukturen, Leiterbahnstrukturen, elektrisch leitenden Anschlussflächen, Elektrodenflächen, Spulenelementen und dergleichen, wobei die Strukturelemente mit Abmessungen in einer Richtung von minimal etwa 100 μm realisiert werden können. Strukturelemente aus Kupfer mit einer Längen- und/oder Breitenabmessung im Bereich von 200 μm bis 5 mm haben sich bewährt, wobei selbstverständlich auch deutlich größer dimensionierte Strukturelemente erzeugt werden können.
  • Eine Verwendung einer erfindungsgemäßen Prägefolie mit einer musterförmig ausgestalteten metallischen Ablöseschicht in einem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung mindestens eines Strukturelements aus Kupfer auf einem Träger, umfassend die Schritte
    Bereitstellen der Prägefolie unter Durchführung der Schritte a) und b) des Verfahrens und anschließendes Durchführen der Schritte c) bis e) des Verfahrens,
    ist ideal. Die Schritte a) und b) des Verfahrens beschreiben dabei im Wesentlichen die Bildung der Prägefolie und können somit zeitlich und räumlich entkoppelt von den weiteren Verfahrensschritten c) bis e) erfolgen.
  • Nachfolgend sind weitere, bevorzugte Ausgestaltungen der Prägefolie und des Verfahrens angegeben.
  • Aus Kostengründen hat sich insbesondere eine metallische Ablöseschicht bewährt, die aus Aluminium gebildet ist. In Vergleich zu Silber und insbesondere im Vergleich zu Gold und Legierungen enthaltend diese Edelmetalle ist der Preis für Aluminium derzeit vernachlässigbar gering.
  • Für die metallische Ablöseschicht hat sich eine Schichtdicke im Bereich von 1 μm bis 36 μm als vorteilhaft erwiesen.
  • Vorzugsweise wird die metallische Ablöseschicht in mindestens einem ersten Bereich in der Umrissform des zu bildenden, mindestens einen Strukturelements ausgebildet. Dabei wird in der Praxis eine Vielzahl von ersten Bereichen, die auf dem Substrat gleich oder unterschiedlich geformt nebeneinander vorliegen können, vorgesehen. Sofern die ersten Bereiche nicht elektrisch leitend miteinander verbunden sind oder besonders geringe Abmessungen aufweisen, so dass eine elektrische Kontaktierung der Ablöseschicht zur galvanischen Abscheidung von Kupfer eher schwierig ist, kann mindestens ein zweiter Bereich der Ablöseschicht in Form mindestens einer Hilfsleiterbahn ausgebildet sein. Eine solche Hilfsleiterbahn verbessert eine elektrische Kontaktierbarkeit der metallischen Ablöseschicht, wobei die ersten Bereiche der Ablöseschicht gegebenenfalls miteinander, in jedem Fall aber jeweils mit einer externen Stromquelle, elektrisch leitend verbunden werden können. Die mindestens eine Metallschicht, die nicht nur in den ersten Bereichen, sondern auch in den zweiten Bereichen der Ablöseschicht abgeschieden wird, kann zwar, aber muss nicht auf den Träger übertragen werden. Je nach Anordnung der Verklebung kann die mindestens eine Metallschicht lediglich in den ersten Bereichen, welche die zu bildenden Strukturelemente aus Kupfer tragen, auf den Träger übertragen werden.
  • Um die mindestens eine Metallschicht einwandfrei und gut haftend auf der Ablöseschicht zu erzeugen, hat es sich bewährt, wenn die Ablöseschicht vor dem Schritt b) des Verfahrens chemisch und/oder physikalisch gereinigt wird. Dazu eignet sich insbesondere ein nasschemisches Ätzen oder ein Plasmaätzen.
  • Die mindestens eine Metallschicht weist insbesondere eine Schichtdicke im Bereich von etwa 1 μm bis 50 μm, insbesondere im Bereich von etwa 1 μm bis 20 μm, auf. Hierbei ist die Gesamtschichtdicke angegeben, die auch bei einem Vorliegen von mehreren Metallschichten aus Kupfer für die Summe der Schichtdicken aller Metallschichten zusammen bevorzugt ist. Diese Gesamtschichtdicke entspricht somit auch der Dicke der im erfindungsgemäßen Verfahren auf dem Träger gebildeten Strukturelemente aus Kupfer.
  • Es hat sich bewährt, wenn die mindestens eine Metallschicht so ausgebildet ird, dass sie mindestens eine mittels elektrolytischer Galvanisierung bzw. galvanisch abgeschiedene Kupferschicht umfasst. Die Abscheidung in einem galvanischen Prozess, bei dem im Galvanikbad elektrischer Strom fließt, ist dazu geeignet, innerhalb kurzer Zeit eine hohe Menge an Kupfer abzuscheiden. Vorzugsweise wird die mindestens eine galvanisch abgeschiedene Kupferschicht mit einer Schichtdicke im Bereich von 1 μm bis 30 μm, insbesondere von etwa 18 μm, ausgebildet.
  • Weiterhin hat es sich bewährt, wenn die mindestens eine Metallschicht so ausgebildet wird, dass sie mindestens eine mittels chemischer Galvanisierung gebildete bzw. mindestens eine chemisch stromlos abgeschiedene Kupferschicht umfasst. Eine solche Kupferschicht hat sich insbesondere zur Abscheidung direkt auf der metallischen Ablöseschicht bewährt, um die elektrische Leitfähigkeit der Ablöseschicht, insbesondere einer aus Aluminium, noch zu verbessern und eine nachfolgende galvanische Abscheidung von Kupfer zu verbessern. Die mindestens eine chemisch stromlos abgeschiedene Kupferschicht wird insbesondere mit einer Schichtdicke im Bereich von 100 nm bis 1 μm ausgebildet. Zur Erzielung höherer Schichtdicken wird bei chemisch stromlos abgeschiedenen Metallschichten eine lange Verweildauer der Ablöseschicht im elektrolytischen Bad benötigt, so dass dies weniger wirtschaftlich ist.
  • Besonders bevorzugt ist es daher, wenn die Ablöseschicht in Schritt b) in einem ersten elektrolytischen Bad chemisch stromlos mit einer ersten Kupferschicht plattiert wird und die erste Kupferschicht anschließend in einem zweiten elektrolytischen Bad galvanisch mit einer zweiten Kupferschicht plattiert wird. Der gebildete Verbund an Metallschichten aus Kupfer weist ein besonders gutes Ablöseverhalten gegenüber Aluminium auf.
  • Auf einer Ablöseschicht aus elektrisch besonders gut leitendem Metall wie Silber, das gegenüber einer Ablöseschicht aus Aluminium eine wesentlich höhere elektrische Leitfähigkeit aufweist, kann auf eine stromlos abgeschiedene Kupferschicht verzichtet werden und die Ablöseschicht unmittelbar galvanisch mit Kupfer plattiert werden.
  • Das flexible, insbesondere elektrisch isolierende Substrat weist bevorzugt eine Schichtdicke im Bereich von 12 μm bis 2 mm auf. Vorzugsweise ist ein flexibles elektrisch isolierendes Substrat, auf welchem sich die metallische Ablöseschicht befindet, durch eine Kunststofffolie, insbesondere aus PET, PE, PC, PVC, Polyimid, oder zumindest durch eine Materiallage oder ein Laminat mit elektrisch isolierender Oberfläche gebildet. Unter einem elektrisch isolierenden Substrat wird somit auch ein Substrat verstanden, das lediglich auf der Seite eine elektrisch isolierende Oberfläche aufweist, auf der die metallische Ablöseschicht angeordnet ist.
  • Das flexible Substrat wird vorzugsweise während der Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens kontinuierlich von Rolle zu Rolle transportiert.
  • In Schritt d) des Verfahrens wird die eine Seite des Trägers mit der, dem Substrat abgewandten Seite der mindestens einen Metallschicht insbesondere mittels mindestens einer Kleberschicht und/oder einer Grundierungsschicht verklebt.
  • Es hat sich bewährt, wenn dazu die mindestens eine Kleberschicht vor Schritt d) insbesondere vollflächig auf die eine Seite des Trägers aufgebracht wird. Aber auch ein lediglich musterförmiger Auftrag der mindestens einen Kleberschicht auf dem Träger ist möglich.
  • Die mindestens eine Kleberschicht kann alternativ dazu oder in Ergänzung dazu vor dem Schritt d) bereichsweise auf die, dem Substrat abgewandte Seite der mindestens einen Metallschicht aufgebracht werden, wobei die mindestens eine Metallschicht von der mindestens einen Kleberschicht komplett oder lediglich teilweise bedeckt sein kann.
  • Durch einen partiellen oder musterförmigen Auftrag von Kleber auf den Träger oder die mindestens eine Metallschicht ist es möglich, lediglich ausgewählte Bereiche der mindestens einen Metallschicht im Prägeverfahren abzulösen, beispielsweise in Form der Strukturelemente, eines Musters, eines Texts und dergleichen. So kann beispielsweise ein Ablösen der mindestens einen Metallschicht in Hilfsbereichen der Ablöseschicht, z. B. von Hilfsleiterbahnen, zuverlässig verhindert werden, die während der galvanischen Abscheidung einer Metallschicht lediglich zur elektrischen Kontaktierung von Bereichen der Ablöseschicht dienen bzw. benötigt werden, auf denen Strukturelemente ausgeformt werden, wenn auf den Hilfsbereichen keine Kleberschicht angeordnet wird. Dagegen wird insbesondere in den Bereichen der Ablöseschicht, auf denen Strukturelemente aus Kupfer aufgebaut sind die ausgeprägt werden sollen, eine Kleberschicht zwischen der mindestens einen Metallschicht und dem Träger angeordnet, welche beim Prägen an dem Träger haftet und die Metallschicht so fest am Träger fixiert, dass die Metallschicht sich von der Ablöseschicht lösen lässt.
  • Die Prägefolie weist daher insbesondere auf ihrer dem Substrat abgewandten Seite zumindest im Bereich der mindestens einen Metallschicht mindestens eine Kleberschicht auf. Die Kleberschicht kann dabei vollflächig oder lediglich im Bereich der mindestens einen Metallschicht aufgetragen sein, wobei die mindestens eine Metallschicht von der mindestens einen Kleberschicht komplett oder lediglich teilweise bedeckt sein kann.
  • Weiterhin kann die mindestens eine Kleberschicht sich auch über die freiliegenden, d. h. von der Ablöseschicht unbedeckten Bereiche des Substrats erstrecken, insbesondere wenn der Träger ohne Kleberschicht oder lediglich mit musterförmig ausgebildeter Kleberschicht vorliegt.
  • Insbesondere ist die mindestens eine Kleberschicht so ausgebildet, dass sie mindestens eine Heißkleberschicht umfasst. Das Verkleben der einen Seite des Trägers mit der dem Substrat abgewandten Seite der mindestens einen Metallschicht erfolgt in einem solchen Fall bevorzugt mittels Heißprägens. Beim Heißprägen wird das Substrat bzw. die Prägefolie unter Druck gegen den Träger gepresst und die mindestens eine Kleberschicht gleichzeitig erwärmt, so dass die Heißkleberschicht klebrig wird und eine Klebeverbindung zwischen dem Träger und der mindestens einen Metallschicht ausbildet. Nach dem Abkühlen der Heißkleberschicht und einer Druckentlastung ist die Klebeverbindung so stark, dass das Substrat vom Träger abgezogen werden kann, wobei zumindest die verklebten Bereiche der mindestens einen Metallschicht von der Ablöseschicht gelöst werden und auf dem Träger verbleiben.
  • Alternativ kann die mindestens eine Kleberschicht so ausgebildet sein, dass sie mindestens eine, unter Bestrahlung, insbesondere UV-Bestrahlung, vernetzende Kleberschicht umfasst. Das Verkleben der einen Seite des Trägers mit der dem Substrat abgewandten Seite der mindestens einen Metallschicht erfolgt beispielsweise, indem die strahlungsvernetzende Kleberschicht bereits vor einem Zusammenfügen des Trägers und des Substrats mit der mindestens einen Metallschicht bestrahlt und zur Vernetzung angeregt wird. Nach dem in Kontakt bringen von Träger und mindestens einer Metallschicht vernetzt die Kleberschicht und bildet eine feste Klebeverbindung aus.
  • Alternativ kann eine Aktivierung bzw. Vernetzung der strahlungsvernetzenden Kleberschicht mittels Strahlung auch erst nach einem Zusammenfügen von Träger und Substrat erfolgen, sofern entweder der Träger oder das Substrat inklusive der Ablöseschicht und der mindestens einen Metallschicht, bzw. die zur Durchführung des Verfahrens verwendete Prägefolie, für die eingesetzte Bestrahlungsart durchlässig ist.
  • Es hat sich aus Kostengründen bewährt, wenn das Substrat mit der bereichsweise darauf angeordneten Ablöseschicht nach dem in Schritt e) des Verfahrens erfolgten Ablösen der mindestens einen Metallschicht chemisch und/oder physikalisch gereinigt wird und mindestens ein weiteres Mal zur Herstellung mindestens eines weiteren Strukturelements unter Durchführung der Schritte a) bis e) verwendet wird. Dabei kann das Substrat mit der bereichsweise darauf angeordneten Ablöseschicht zum Aufbau einer neuen Prägefolie verwendet und insbesondere erneut im erfindungsgemäßen Verfahren eingesetzt werden
  • Der Träger, auf dem die Strukturelemente aus Kupfer gebildet werden, ist vorzugsweise flexibel, d. h. biegsam, ausgebildet. Der Träger kann aber auch starr ausgebildet sein. Insbesondere ist der Träger als flexible Trägerfolie mit einer Foliendicke insbesondere im Bereich von 12 μm bis 2 mm ausgebildet. Für den Träger hat es sich bewährt, wenn dieser aus einem elektrisch isolierenden Material oder zumindest an seiner Oberfläche, die die Strukturelemente aufnimmt, aus einem elektrisch isolierenden Material gebildet ist. Zum Beispiel eignen sich als flexible Träger Folien aus elektrisch isolierendem Kunststoff oder Folien enthaltend eine Oberfläche aus elektrisch isolierendem Kunststoff, die während der Durchführung des Verfahrens kontinuierlich von Rolle zu Rolle transportiert werden können.
  • Die 1a bis 5h sollen den Aufbau von Prägefolien und die Durchführung eines Verfahrens beispielhaft erläutern. So zeigt
  • 1a einen Querschnitt durch eine erste Prägefolie;
  • 1b eine Ansicht der ersten Prägefolie aus 1a auf Seiten der mindestens einen Metallschicht;
  • 2 einen Querschnitt durch eine zweite Prägefolie;
  • 3 im Querschnitt ein Verkleben der ersten Prägefolie mit einem Träger;
  • 4 im Querschnitt ein Trennen von Substrat und Träger gemäß 3;
  • 5a bis 5f einen Verfahrensablauf in Querschnittsdarstellung;
  • 5g den abgetrennten Träger aus 5f auf Seiten der Strukturelemente; und
  • 5h das abgetrennte Substrat gemäß 5f auf Seiten der Ablöseschicht.
  • 1a zeigt einen Querschnitt A-A' durch einen Ausschnitt aus einer ersten Prägefolie 1a. Die Prägefolie 1a umfasst ein flexibles elektrisch isolierendes Substrat 1 aus PET-Folie in einer Schichtdicke im Bereich von etwa 12 bis 75 μm, insbesondere von 36 bis 50 μm. Auf dem Substrat 2 befindet sich eine musterförmig ausgestaltete metallische Ablöseschicht 3 aus Aluminium, welche eine Schichtdicke im Bereich von etwa 1 bis 25 μm, insbesondere von etwa 18 μm, aufweist.
  • Das Substrat 2 und die metallische Ablöseschicht 3 können ausgehend von einer handelsüblichen PET-Al-Verbundfolie der SIKA-Werke gebildet werden, welche eine vollflächige Aluminiumschicht auf einer Seite einer PET-Folie bereitstellt. Die vollflächige Aluminiumschicht kann in Form des gewünschten Musters zur Bildung von ersten Bereichen zum Aufbau von Strukturelementen und ggf. zweiten Bereichen zur Bildung von Hilfsleiterbahnen bereichsweise entfernt werden, um die musterförmige Ablöseschicht 3 auszubilden. Dazu können hinreichend bekannte chemische und/oder mechanische Abtragsverfahren, wie beispielsweise Fräsen, Ätzen oder eine Laserablation, zur bereichsweisen Entfernung des Aluminiums vom Substrat 2 eingesetzt werden
  • Auf der Ablöseschicht 3 ist in elektrolytischen Bädern mindestens eine Metallschicht 4 aus Kupfer abgeschieden, wobei die mindestens eine Metallschicht 4 eine chemisch stromlos abgeschiedene erste Kupferschicht 4a in einer Schichtdicke von 100 nm umfasst. Die erste Kupferschicht 4a ist direkt auf die Ablöseschicht 3 abgeschieden, wobei ein wässriges erstes elektrolytisches Bad verwendet wurde, umfassend:
    30 g/l Kupfersulfat
    150 g/l Kaliumnatriumtartrat
    48 g/l Natriumhydroxid
  • Auf die erste Kupferschicht 4a wurde nachfolgend in einem zweiten elektrolytischen Bad eine zweite Kupferschicht mit einer Schichtdicke im Bereich von etwa 1 bis 30 μm, insbesondere von etwa 20 μm, galvanisch aufgebracht, wobei die Ablöseschicht 3 an eine externe, hier nicht dargestellte Stromquelle angeschlossen wurde.
  • Ein geeignetes zweites elektrolytisches Bad, um Kupfer galvanisch abzuscheiden, weist folgende Zusammensetzung (in Gewichtsteilen) auf:
    1000 Teile H2O dest.
    50 Teile CuSO4
    10 Teile H2SO4 (98%ig)
    5 Teile L-Ascorbinsäure
  • Um aus einem derartigen zweiten Bad eine Kupferschicht von beispielsweise 12 μm Schichtdicke galvanisch abzuscheiden, werden vorzugsweise folgende Parameter gewählt:
    Stromdichte ca. 12 A/dm2
    Abscheidedauer ca. 1,5–2 min
    Bad-Temperatur 50°C
  • Die Dicke der Metallschicht wird dabei umso größer, je höher die Stromdichte und/oder die Abscheidedauer sind.
  • Die mindestens eine Metallschicht 4 wird dabei deckungsgleich zur Ablöseschicht 3 auf dieser abgeschieden.
  • 1b zeigt zur Verdeutlichung eine Ansicht der ersten Prägefolie 1a aus 1a auf Seiten der mindestens einen Metallschicht 4, von welcher hier lediglich die auf der Ablöseschicht 3 und der ersten Kupferschicht 4a liegende zweite Kupferschicht erkennbar ist. Die Ablöseschicht 3 wurde musterförmig auf dem Substrat 2 ausgebildet, wobei hier drei nebeneinander angeordnete, mäanderförmige erste Bereiche aus Aluminium ausgebildet wurden, welche jeweils die Umrissform eines zu bildenden Strukturelements aus Kupfer aufweisen. Die mindestens eine Metallschicht 4 ist somit ebenfalls mäanderförmig
  • 2 zeigt einen Querschnitt durch einen Ausschnitt aus einer zweiten Prägefolie 1b. Die Prägefolie 1b umfasst ebenfalls ein flexibles elektrisch isolierendes Substrat 1 aus PET-Folie in einer Schichtdicke im Bereich von etwa 12 bis 75 μm, insbesondere von etwa 36 bis 50 μm. Auf dem Substrat 2 befindet sich eine musterförmig ausgestaltete, metallische Ablöseschicht 3 aus Silber, welche eine Schichtdicke im Bereich von etwa 1 bis 25 μm, insbesondere von etwa 12 μm, aufweist. Auf der Ablöseschicht 3 ist in einem elektrolytischen Bad die mindestens eine Metallschicht 4' aus Kupfer abgeschieden, wobei die mindestens eine Metallschicht 4' unter gleichen Bedingungen wie die zweite Kupferschicht 4b gemäß den 1a und 1b mit einer Schichtdicke im Bereich von etwa 1 bis 30 μm, insbesondere von etwa 12 μm, aus einem elektrolytischen Bad galvanisch abgeschieden wurde. Die Ablöseschicht 3 wurde dazu an eine externe, hier nicht dargestellte Stromquelle angeschlossen. Die mindestens eine Metallschicht 4' ist deckungsgleich zur Ablöseschicht 3 auf dieser abgeschieden.
  • 3 zeigt die erste Prägefolie 1a aus 1a im Querschnitt und weiterhin einen Träger 5 aus PET im Querschnitt, der auf seiner der Prägefolie 1a zugewandten Seite mit einer Kleberschicht 6a aus einer Heißkleberschicht bedeckt ist. Ein Verkleben der mindestens einen Metallschicht 4 der Prägefolie 1a mit der dem Träger 5 erfolgt unter Druck- und Temperatureinfluss. Dazu werden der Träger 5 und die Prägefolie 1a zusammen zwischen zwei in Pfeilrichtung rotierenden beheizten glatten Prägezylindern 7a, 7b hindurch geführt und gegeneinander gedrückt, wobei die Kleberschicht 6a erweicht und die mindestens eine Metallschicht 4 mit dem Träger 5 verklebt.
  • 4 zeigt ein Trennen von Substrat 2 und Träger 5, wie in 3 dargestellt, im Querschnitt. Dabei wird das flexible Substrat 2 inklusive der Ablöseschicht 3 von der mindestens einen Metallschicht 4 abgezogen. Auf dem Träger 5 verbleiben Strukturelemente 8 aus Kupfer, welche durch die mindestens eine Metallschicht 4 gebildet sind und mittels der Kleberschicht 6a auf dem Träger 5 fixiert sind. Das Substrat 2 inklusive der Ablöseschicht 3 kann wiederverwendet werden und ggf. zum Aufbau einer neuen Prägefolie eingesetzt werden. Sofern auf der Ablöseschicht 3 und/oder auf dem Substrat 2 noch Verunreinigungen, insbesondere in Form kleinster, auf der Ablöseschicht 2 verbliebener Partikel der Metallschicht 4 oder auf dem Substrat in Form von Kleberresten der Kleberschicht 6a, vorhanden sind, wird die Ablöseschicht 3 und/oder das Substrat 2 vor einer Wiederverwendung gereinigt.
  • Die 5a bis 5f zeigen schematisch einen möglichen Ablauf für ein erfindungsgemäßes Verfahren in Querschnittsdarstellung.
  • 5a zeigt ein flexibles elektrisch isolierendes Substrat 2 aus PET-Folie. Auf dieser befindet sich bereichsweise eine metallische Ablöseschicht 3 aus Aluminium. Eine Draufsicht auf das Substrat 2 auf Seiten der Ablöseschicht 3 ist in 5h dargestellt, wobei ersichtlich ist, dass die einzelnen Bereiche der Ablöseschicht 3 mäanderförmig ausgestaltet sind, um ebenso geformte Strukturelemente 8 aus Kupfer (siehe 5g) auszubilden,.
  • 5b zeigt die Anordnung gemäß 5a, wobei auf die metallische Ablöseschicht 3 chemisch stromlos eine erste Kupferschicht 4a plattiert wurde. 5c zeigt die Anordnung aus 5b, wobei auf die erste Kupferschicht galvanisch eine zweite Kupferschicht 4b aufgebracht wurde. Die erste Kupferschicht 4a und die zweite Kupferschicht 4b bilden zusammen die mindestens eine Metallschicht 4. Bis hier erfolgt die Bildung der einzelnen Schichten wie zu den 1a und 1b für die Bildung der ersten Prägefolie 1a oben beschrieben.
  • Auf die mindestens eine Metallschicht 4 wird nun eine Kleberschicht 6a aufgebracht, die hier aus einem, unter UV-Bestrahlung vernetzenden ersten Kleber gebildet wird. Das Ergebnis ist in 5d dargestellt.
  • 5e zeigt nun ein Verkleben der mindestens einen Metallschicht 4 mit einem für UV-Strahlung transparenten Träger 5 aus PET, der auf seiner der Kleberschicht 6a zugewandten Oberfläche eine Grundierungsschicht 6b in Form einer Haftvermittlerschicht aufweist. Der Träger 5 und das Substrat 2 werden derart angeordnet, dass die Kleberschicht 6a und die Grundierungsschicht 6b zueinander zeigen. Dieser Verbund wird zwischen zwei rotierenden Druckzylindern 7a, 7b hindurch gefördert, wobei das Verkleben der mindestens einen Metallschicht 4 mit dem Träger 5 unter Druck und gleichzeitiger UV-Bestrahlung erfolgt. Dazu ist der Druckzylinder 7a UV-transparent ausgebildet und weist in seinem Inneren eine UV-Strahlungsquelle 9 auf. Die von der UV-Strahlungsquelle ausgesandte ultraviolette Strahlung gelangt durch den UV-transparenten Druckzylinder 7a, den UV-transparenten Träger 5 und die UV-transparente Grundierungsschicht 6b zur unter UV-Bestrahlung vernetzenden Kleberschicht 6a und bewirkt deren Vernetzung, wobei die mindestens eine Metallschicht 4 mit dem Träger 5 verklebt wird.
  • 5f zeigt die Anordnung gemäß 5e nach einer Trennung des Trägers 5 vom Substrat 2 und der Ablöseschicht 3. Auf dem Träger 5 und der Grundierungsschicht 6b verbleiben einzelne Strukturelemente 8 (siehe auch 5g) aus Kupfer. Auf der dem Substrat 2 abgewandten Seite der Ablöseschicht 3 befinden sich nur noch geringfügige Verunreinigungen 10 in Form von Partikeln aus Kupfer, die noch von der mindestens einen Metallschicht 4 stammen.
  • 5g zeigt den abgetrennten Träger 5 mit der Grundierungsschicht 6b aus 5f auf Seiten der darauf gebildeten Strukturelemente 8 aus Kupfer, die eine mäanderförmige Umrissform aufweisen und als Antennenstrukturen eingesetzt werden können.
  • 5h zeigt das abgetrennte Substrat 2 gemäß 5f auf Seiten der Ablöseschicht 3 und nach einer Reinigung, bei welcher die Verunreinigungen 10 entfernt wurden. Das Substrat 2 inklusive der Ablöseschicht 3 kann nun ein weiteres Mal wie in 5a verwendet werden, um beispielsweise den in den 5b bis 5f gezeigten Verfahrensschritten zugeführt werden.
  • Das gereinigte Substrat 2 inklusive der Ablöseschicht 3 kann dabei unzählige Male in einem erfindungsgemäßen Verfahren oder zur Ausbildung einer erfindungsgemäßen Prägefolie wiederverwendet werden, bis entweder die Oberflächenqualität der Ablöseschicht ungenügend wird oder die Ablöseschicht zu dünn oder unvollständig wird.
  • Die 1a bis 5h sollen das erfindungsgemäße Verfahren und die erfindungsgemäße Prägefolie lediglich beispielhaft erläutern. Ein Fachmann ist in Kenntnis der Erfindung aber ohne weiteres in der Lage, beliebige weitere Prägefolien mit vollflächig oder musterförmig ausgebildeten metallischen Ablöseschichten herstellen und funktionierende Verfahrensabläufe wählen, die zur Bildung von diversen Strukturelementen aus Kupfer mit anderen Umrissformen, Anordnungen, Verschaltungen usw., auf Trägern geeignet sind.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • - DE 2800635 B1 [0002]
    • - WO 2005/039868 A2 [0008]

Claims (23)

  1. Prägefolie (1a, 1b), welche in dieser Reihenfolge ein flexibles, insbesondere elektrisch isolierendes Substrat (2), eine Ablöseschicht (3) und mindestens eine von der Ablöseschicht (3) ablösbare Metallschicht (4) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Metallschicht (4) senkrecht zur Ebene der Ablöseschicht (3) gesehen deckungsgleich zur Ablöseschicht (3) angeordnet ist, dass die Ablöseschicht (3) eine metallische Ablöseschicht (3) ist, die aus Aluminium, Silber, Gold oder deren Legierungen gebildet ist und dass die mindestens eine Metallschicht (4) aus Kupfer gebildet ist.
  2. Prägefolie nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Ablöseschicht (3) musterförmig auf dem Substrat (2) angeordnet ist.
  3. Prägefolie nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Metallschicht (4) auf der metallischen Ablöseschicht (3) durch chemisch stromloses und/oder galvanisches Plattieren gebildet ist.
  4. Prägefolie nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Prägefolie (1a, 1b) auf ihrer dem Substrat (2) abgewandten Seite zumindest im Bereich der mindestens einen Metallschicht (4) mindestens eine Kleberschicht aufweist.
  5. Prägefolie nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Metallschicht (4) eine Schichtdicke im Bereich von etwa 1 μm bis 50 μm, insbesondere im Bereich von etwa 1 μm bis 20 μm, aufweist.
  6. Prägefolie nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Ablöseschicht (3) eine Schichtdicke im Bereich von 1 μm bis 36 μm aufweist.
  7. Prägefolie nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das flexible, insbesondere elektrisch isolierende Substrat (2) durch eine Kunststofffolie gebildet ist.
  8. Prägefolie nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass das flexible, insbesondere elektrisch isolierende Substrat (2) eine Schichtdicke im Bereich von 12 μm bis 2 mm aufweist.
  9. Verfahren zur Herstellung mindestens eines Strukturelements (8) aus Kupfer auf einem, insbesondere elektrisch isolierenden Träger (5) umfassend folgende Schritte: a) Bereitstellen eines flexiblen, elektrisch isolierenden Substrats (2) mit einer musterförmig darauf angeordneten, metallischen Ablöseschicht (3) aus Aluminium, Silber, Gold oder deren Legierungen; b) Plattieren der Ablöseschicht (3) in einem elektrolytischen Bad mit mindestens einer Metallschicht (4) aus Kupfer; c) Bereitstellen des Trägers (5); d) Verkleben einer Seite des Trägers (5) mit zumindest einem Bereich der mindestens einen Metallschicht (4), wobei eine Adhäsion zwischen dem Träger (5) und der mindestens einen Metallschicht (4) im Bereich der Verklebung größer ausgebildet wird als eine Adhäsion zwischen der mindestens einen Metallschicht (4) und der Ablöseschicht (3); und e) Trennen des Trägers (5) vom flexiblen elektrisch isolierenden Substrat (2), wobei die mindestens eine Metallschicht (4) im Bereich der Verklebung von der Ablöseschicht (3) abgelöst wird und auf dem Träger (5) in Form des mindestens einen Strukturelements (8) aus Kupfer verbleibt.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Ablöseschicht (3) vor dem Schritt b) chemisch und/oder physikalisch gereinigt wird.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Metallschicht (4) derart ausgebildet wird, dass sie mindestens eine galvanisch abgeschiedene Kupferschicht (4b) umfasst.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine galvanisch abgeschiedene Kupferschicht (4b) mit einer Schichtdicke im Bereich von 1 μm bis 30 μm ausgebildet wird.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Metallschicht (4) derart ausgebildet wird, dass sie mindestens eine chemisch stromlos abgeschiedene Kupferschicht (4a) umfasst.
  14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine chemisch stromlos abgeschiedene Kupferschicht (4a) mit einer Schichtdicke im Bereich von 100 nm bis 1 μm ausgebildet wird.
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Ablöseschicht (3) in Schritt b) in einem ersten elektrolytischen Bad chemisch stromlos mit einer ersten Kupferschicht (4a) plattiert wird und die erste Kupferschicht anschließend in einem zweiten elektrolytischen Bad galvanisch mit einer zweiten Kupferschicht (4b) plattiert wird.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt d) die eine Seite des Trägers (5) mit der, dem Substrat (2) abgewandten Seite der mindestens einen Metallschicht (4) mittels mindestens einer Kleberschicht (6a) und/oder einer Grundierungsschicht (6b) verklebt wird.
  17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Kleberschicht (6a) vor Schritt d) vollflächig auf die eine Seite des Trägers aufgebracht wird.
  18. Verfahren nach Anspruch 16 oder Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Kleberschicht (6a) vor Schritt d) bereichsweise auf die, dem Substrat (2) abgewandte Seite der mindestens einen Metallschicht (4) aufgebracht wird, optional weiterhin auf die freiliegenden Bereiche des Substrats (2) aufgebracht wird.
  19. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (2) mit der bereichsweise darauf angeordneten Ablöseschicht (3) nach dem in Schritt e) erfolgten Ablösen der mindestens einen Metallschicht (4) chemisch und/oder physikalisch gereinigt wird und mindestens ein weiteres Mal zur Herstellung mindestens eines weiteren Strukturelements (8) unter Durchführung der Schritte a) bis e) verwendet wird.
  20. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass der Träger (5) flexibel ausgebildet wird, insbesondere als flexible Trägerfolie mit einer Foliendicke im Bereich von 12 μm bis 2 mm ausgebildet wird.
  21. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass der Träger (5) aus elektrisch isolierendem Kunststoff gebildet wird.
  22. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass das mindestens eine Strukturelement als Antennenstruktur, Leiterbahnstruktur, elektrisch leitende Anschlussfläche, Elektrodenstruktur oder Spulenelement ausbildet wird.
  23. Verwendung einer Prägefolie (1a, 1b) nach Anspruch 2 oder Anspruch 2 in Verbindung mit einem der Ansprüche 3 bis 8 in einem Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 22 zur Herstellung mindestens eines Strukturelements (8) aus Kupfer auf einem Träger (5), umfassend folgende Schritte: Bereitstellen der Prägefolie (1a, 1b) unter Durchführung der Schritte a) und b) des Verfahrens und anschließendes Durchführen der Schritte c) bis e) des Verfahrens.
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