JP3464590B2 - 透明導電膜付き基板およびその製造方法 - Google Patents
透明導電膜付き基板およびその製造方法Info
- Publication number
- JP3464590B2 JP3464590B2 JP16352697A JP16352697A JP3464590B2 JP 3464590 B2 JP3464590 B2 JP 3464590B2 JP 16352697 A JP16352697 A JP 16352697A JP 16352697 A JP16352697 A JP 16352697A JP 3464590 B2 JP3464590 B2 JP 3464590B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- metal layer
- layer
- area
- catalyst
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Description
も透明性にも優れた透明導電膜付き基板およびその製造
方法に関する。
板型各種表示装置などに使用される透明電極、あるい
は、ショウウインド、冷蔵庫、自動車等のデフロスター
用透明ヒータ、または建物、自動車等の窓や各種表示装
置に使用される電磁波遮蔽あるいは熱線遮蔽用等の基板
に適する透明導電膜付き基板の需要が増加してきた。
ウムや酸化スズ等の透明導電性酸化物からなる薄膜をス
パッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法とい
った物理的プロセスによる成膜方法で基板上に形成させ
たものが一般的である。
は、導電層が透明導電性酸化物で形成されているもの
は、透明性においては優れているものの導電性において
限界があり、そのために大きな面積の基板では抵抗が悪
くなり適用できない場合もでてきている。また、導電性
の優れた材料としては金属があるが、金属膜を前記の方
法により基板上に形成させた透明導電膜付き基板では、
導電性には優れているものの、透明性の点で実用上の問
題点があった。このように、前記物理的手法による透明
導電膜の形成方法では、成膜に最適な条件範囲が狭く、
また、成膜時には真空容器を必要とするため、結果とし
て成膜コストが高く、さらに、大面積の基板に成膜でき
ないという欠点もあった。
法では、例えば、錫やインジウムを含む化合物からゾル
ゲル法や熱分解法を用いて成膜する方法や、金属微粒子
を含む塗布液を基板に塗布して透明導電膜付き基板を製
造する方法が知られているが、これらの方法で得られる
透明導電膜の導電性は、いずれも導電性の点で、前記物
理的プロセスにより得られる透明導電膜よりも劣るとい
う問題点があった。
基板では、透明基板に金属ワイヤーやカーボンワイヤー
で形成された網を張り付けたり、挟み込んだりしたもの
が開発されているが、これらの透明導電膜付き基板で
は、金属ワイヤーやカーボンワイヤー径が数10μm以
上と大きいので、斜め方向からの入射光を遮蔽してしま
い、その結果として透明性が要求を満たすような優れた
ものではなかった。さらには、これらの透明導電膜付き
基板では、ワイヤーが目視できてしまうために、表示素
子などに用いられる場合には、著しい画質の低下を招く
という問題点を生じていた。
おけるこれらの問題点に鑑みてなされたものであって、
その解決のための具体的な課題は、優れた導電性を有す
るとともに透明性が良好である透明導電膜付き基板およ
びその製造方法を提供することにある。
透明導電膜付き基板は、基板上に形成された網目構造を
有する触媒層と該触媒層上に形成された金属層とを有
し、前記網目構造の開口径が200μm以下であり、前記
金属層の線幅が0.1〜10μmであり、前記金属層の厚み
が0.1〜10μmであり、前記網目構造における開口部の
面積と前記金属層の面積との割合が金属層面積/開口部
面積=5/5以下であることを特徴とするものであり、
基板上に網目構造を有する金属層が形成されるため、所
望の導電性が得られるとともに良好な透明性が得られ
る。
記触媒層を構成する触媒成分にはAu,Ag,Pt,P
d,Rh,Re,Os,Ru,Irの金属触媒微粒子を
1種以上含むことを特徴とし、触媒活性の高い成分によ
り網目構造を有する触媒層が形成され、前記触媒層上に
効果的に金属層を形成することができ、高い導電性と良
好な透明性を併せ持つ透明導電膜付き基板が得られる。
記触媒層を構成する触媒成分にはZnO,Zn(OH)
2 ,TiO2 ,Nb2 O3 ,SrTiO3 ,Fe
2 O3 ,SnO2 ,WO3 ,MoO3 ,V2 O5 ,Zr
O2 ,Bi2 O3 ,ZnS,CdS,PbS,Bi2 S
3 ,SiC,Si、またはK4 Nb6 O18,KTi2 N
bO7 ,K3 Ti5 NbO14,KTiNbO4 等で示さ
れるニオブ酸アルカリ化合物やニオブ酸チタン酸アルカ
リ化合物の、光触媒微粒子を1種以上含むことを特徴と
し、触媒活性の高い成分により網目構造を有する触媒層
が形成され、金属層形成時にその光触媒効果を利用し
て、前記触媒層上に効果的に金属層を形成することがで
き、高い導電性と良好な透明性を併せ持つ透明導電膜付
き基板が得られる。
記金属層を構成する金属成分にはAu,Pt,Ag,C
u,Pd,In,Sn,W,Ni,Pb,Fe,Cr,
Znの1種以上を含むことを特徴とし、網目構造に形成
された触媒層上に析出して網目構造の金属層を形成し、
高い導電性と良好な透明性を併せ持つ透明導電膜付き基
板が得られる。
口径が200μm以下であり、前記金属層の線幅が0.1〜10
μmであり、前記金属層の厚みが0.1〜10μmであり、
前記網目構造における開口部の面積と前記金属層の面積
との割合が金属層面積/開口部面積=5/5以下である
透明導電膜付き基板の製造方法は、請求項2記載の触媒
成分を含有する塗布液をスプレー法により基板に塗布し
て網目構造の触媒層を形成し、次いで、その基板を請求
項4記載の金属成分を含む無電解メッキ液に浸漬する
か、あるいは、その無電解メッキ液を前記基板上に塗布
して、前記触媒層上に網目状の金属層を形成させること
を特徴とするもので、網目状に連結した触媒層を形成
し、その触媒層を利用して触媒層上にのみ金属層を設け
ることができるようにして、高い導電性と良好な透明性
を併せ持つ透明導電膜付き基板を容易に製造できるよう
にするものである。
口径が200μm以下であり、前記金属層の線幅が0.1〜10
μmであり、前記金属層の厚みが0.1〜10μmであり、
前記網目構造における開口部の面積と前記金属層の面積
との割合が金属層面積/開口部面積=5/5以下である
透明導電膜付き基板の製造方法は、請求項3記載の触媒
成分を含有する塗布液を、スプレー法にて基板に塗布し
て網目構造の触媒層を形成し、次いで、その基板を請求
項4記載の金属成分を含む無電解メッキ液に浸漬するか
あるいはその無電解メッキ液を前記触媒層を形成した基
板上に塗布するとともに、前記基板上に放射線を照射し
て、前記触媒層上に網目状金属層を形成させることを特
徴とするもので、網目状に連結した触媒層を形成し、そ
の光触媒効果を利用して触媒層上にのみ金属層を設ける
ことができるようにして、効果的に網目構造を有する金
属層を形成させ、高い導電性と良好な透明性を併せ持つ
透明導電膜付き基板を容易に製造できるようにするもの
である。
口径が200μm以下であり、前記金属層の線幅が0.1〜10
μmであり、前記金属層の厚みが0.1〜10μmであり、
前記網目構造における開口部の面積と前記金属層の面積
との割合が金属層面積/開口部面積=5/5以下である
透明導電膜付き基板の製造方法は、請求項2記載の触媒
成分を含有する塗布液を、網目状溝部を有する基板に塗
布して網目構造の触媒層を形成し、次いで、その基板を
請求項4記載の金属成分を含む無電解メッキ液に浸漬す
るか、あるいは、その無電解メッキ液を前記触媒層を形
成した基板上に塗布することによって、前記触媒層上に
網目状の金属層を形成させることを特徴とするもので、
網目状溝部に形成した触媒層を利用して触媒層上にのみ
金属層を設けることができるようにして、高い導電性と
良好な透明性を併せ持つ透明導電膜付き基板を容易に製
造できるようにするものである。
口径が200μm以下であり、前記金属層の線幅が0.1〜10
μmであり、前記金属層の厚みが0.1〜10μmであり、
前記網目構造における開口部の面積と前記金属層の面積
との割合が金属層面積/開口部面積=5/5以下である
透明導電膜付き基板の製造方法は、請求項3記載の触媒
成分を含有する塗布液を、網目状溝部を有する基板に塗
布して網目構造の触媒層を形成し、次いで、その基板を
請求項4記載の金属成分を含む無電解メッキ液に浸漬す
るかあるいはその無電解メッキ液を前記触媒層を形成し
た基板上に塗布するとともに、前記基板上に放射線を照
射して、前記触媒層上に網目状金属層を形成させること
を特徴とするもので、網目状溝部に形成した触媒層の光
触媒効果を利用して効果的に触媒層上にのみ金属層を設
けることができるようにして、高い導電性と良好な透明
性を併せ持つ透明導電膜付き基板を容易に製造できるよ
うにするものである。
詳細に説明する。ただし、この実施の形態は、本発明の
趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するもの
であり、特に指定のない限り、発明内容を限定するもの
ではない。
スチック等の透明基板上に、網目状に連結した触媒層を
形成させ、その触媒層上にのみ金属層を設けることによ
って網目状金属層を形成し、透明導電膜付き基板とする
ものである。すなわち、この透明導電膜付き基板の導電
性は、触媒層上に形成された網目状に連結した金属層に
よって発揮され、また、透明性は、前記金属層が網目状
に開口した構造をとることによって確保される。
面で無電解メッキ液中の還元剤から電子をもらい受け、
その電子を無電解メッキ中の析出させるべき金属イオン
に供与することによって、触媒層上に金属を還元析出さ
せる働きをするものである。また、光触媒層では、光触
媒粒子は半導体であるので、そのエネルギキャップに相
当する波長以上のエネルギをもつ放射線を吸収すること
によって、価電子帯の電子が伝導帯に移り、その電子を
無電解メッキ液中の金属イオンに供与することによって
光触媒層上に金属が還元析出する。
ない。また、網目状に連結した触媒層上に形成される金
属層の厚みは 0.05 μm以上、好ましくは 0.1μm以上
の厚みとすることで優れた導電性を付与することが可能
となる。
ると触媒層上に形成される金属層が島状になり、金属層
が連結されなくなるために導電性は著しく悪化する。ま
た、金属層が 10 μmを超えるような場合では、導電性
はそれ以上に向上しないばかりでなく、金属層の厚みが
厚くなりすぎると、斜め方向から入射する可視光を遮蔽
してしまうために、表示装置などで用いられる場合に
は、視野角の低下を招き、好ましくない。従って、金属
層の厚みは 0.1〜 10 μmに設定するのが好適である。
このような金属層を形成することにより、表面抵抗で10
-3〜102 Ω/□レベルの優れた導電性を発揮させること
が可能となる。
の面積は、金属層面積/開口部面積=5/5以下とす
る。すなわち、本発明における透明導電膜付き基板の透
明性は、金属層が不透明な材料であるために金属層面積
/開口部面積で決定されるから、金属層面積/開口部面
積=5/5を超えるような場合では透明性が悪く、極め
て視認性の悪い透明導電膜付き基板となる。
目の平均的な開口径は、200 μm以下とする。200 μm
以上になると網目構造の金属層部分が肉眼で認識できる
ために透明導電膜付き基板の外観を損ねてしまう。ま
た、網目の平均的な大きさが 0.5μmと可視光波長より
小さい場合には、可視光の透過性が低下するので好まし
くない。したがって、網目構造の開口径は可視光波長以
上 200μm以下の範囲になるようにすることが望まし
い。
0.1〜 10 μmの範囲が好ましい。金属層の線幅がこの
範囲を超えて小さい場合には金属層が連結した網目状に
なりずらく、導電性の低下を招き、一方、金属層の線幅
がこの範囲を超えて大きい場合には金属層の網目構造が
肉眼で認識できたり、あるいは透明性の向上が計れなか
ったりするので好ましくない。このような構造を有する
金属層とすることによって、透過率 40 %以上の良好な
透明性を発揮させることが可能となる。
は、触媒層上にのみ優先的に金属層を析出させる必要が
あるために、触媒能の高い貴金属材料、具体的にはA
u,Ag,Pt,Pd,Rh,Re,Os,Ru,Ir
の金属微粒子、あるいは光照射により触媒能を発揮する
ことのできる光触媒材料、具体的にはZnO,Zn(O
H)2 ,TiO2 ,Nb2 O3 ,SrTiO3 ,Fe2
O3 ,SnO2 ,WO3 ,MoO3 ,V2 O5 ,ZrO
2 ,Bi2 O3 ,ZnS,CdS,PbS,Bi
2S3 ,SiC,Si、または、K4 Nb6 O18,KT
i2 NbO7 ,K3 Ti5NbO14,KTiNbO4 等
で示されるニオブ酸アルカリ化合物やニオブ酸チタン酸
アルカリ化合物の、光触媒微粒子が好適である。
を含む混合系、あるいは光触媒種に金属触媒種を担持さ
せた触媒も用いることが可能である。また、触媒微粒子
の大きさは、特に制限はないが、粒子の大きさが小さい
方が触媒活性が強くなるので、平均粒径 0.001〜0.1 μ
mの触媒微粒子を用いることがより効果的である。
は、導電性が良好で、かつメッキ法で触媒上に析出可能
な金属種としてAu,Pt,Ag,Cu,Pd,In,
Sn,W,Ni,Pb,Fe,Cr,Zn,Coが好ま
しい。これらの金属種は単独あるいは2種以上の成分か
らなるAg−Pd,Pd−Cu,Ni−B,Ni−Co
−P等の合金でも差し支えない。
されないが、例えば、前記触媒微粒子を分散させた塗布
液をスプレー法にて基板上に塗布し乾燥させることによ
って容易に作成できる。スプレー法を適用した網目構造
を有する触媒層の生成過程は、図1に示すように、ま
ず、スプレーノズルから吹き出された塗布液の液滴1が
基板2に衝突することで液滴が押し潰されたクレーター
状の塗布液の膜1aが形成され(図1(A),
(B))、その後、クレーター状の塗布液の膜1aから
溶剤が蒸発してゆく(図1(C))。この溶剤の蒸発過
程において、膜1a中に残存する溶剤の表面張力が蒸発
の進行につれて大きくなるように塗布液の溶剤調整をし
ておくと、基板2に対する濡れ性が低下することが駆動
力となって液の凝集が引き起こされ、クレーター状の塗
布液の膜は液滴1つ1つに対応したリング3を形成し
(図1(D))、各リング3が連結した網目状構造の触
媒層4が形成される(図1(E))。
布液の配合により制御する。スプレー条件としては、ス
プレーノズル構造、ノズル径、噴霧圧、ノズルと基板と
の距離、基板温度等の制御要因があり、また、塗布液の
配合には、溶剤配合、触媒成分の固形分量やバインダー
成分の添加量などの制御要因がある。目的とする触媒層
の網目構造を得るためには、これらの制御要因の最適値
を実験的に求めた上で適用する。
方法としては、網目状溝部を有するガラスやプラスチッ
ク等の透明基板上に、その溝部のみに触媒層を形成させ
る方法を適用することもできる。この形成方法では、透
明基板上の網目構造溝部は、基板に細いスクラッチ傷を
付けることにより得られる。
表面に細かい傷を付けられるものであれば、研磨粉、研
磨紙、ブラシ等のいずれの用具形態であっても良く、材
質についても金属、セラミック、プラスチック等のよう
にガラス、プラスチック基板に傷を付けられるものであ
ればいずれの材質であっても良い。
らの用具を用いて、基板上を何方向かに擦ることによ
り、網目状溝が得られる。ここで目的とする溝の幅、深
さ、溝間隔を持つ網目状溝を得るには、前記用具の材
質、径等の選定、および、基板を擦る際の回数、荷重等
の制御要因につき、予め実験的に求めた最適な制御要因
を適用して調整する。
透明基板上に触媒層を形成、その後、水洗を行うことに
よって得られる。すなわち、網目状溝部を有する透明基
板上に、前記触媒微粒子を分散させた塗布液を塗布した
り、基板を液に浸漬することによって触媒層を形成す
る。その後、透明基板の洗浄を行うことにより溝部以外
の触媒層を除去し、網目状溝部の触媒層のみを残すこと
によって、網目状触媒層を形成する。この網目状構造
は、適切な溝間距離、溝線幅の網目状溝部を有する透明
基板の選択、塗料中の触媒固形分濃度、塗布条件、洗浄
条件等の制御要因につき、予め実験的に求めた最適な制
御要因によって調整することが好ましい。
明する。金属触媒微粒子からなる触媒層上への金属層の
形成方法は、析出させるべき金属成分を含有する無電解
メッキ液に、前記網目構造の触媒層を有する基板を浸漬
させたり、あるいは、基板上に無電解メッキ液を塗布す
ることによって、触媒層上にのみ金属層を析出・生成さ
せて、網目構造の導電層を形成させる。
属層の形成方法は、析出させるべき金属成分を含有する
無電解メッキ液に、前記網目構造の触媒層を有する基板
を浸漬させたり、あるいは、基板上に無電解メッキ液を
塗布するとともに、前記基板上に放射線を照射して、光
触媒微粒子が放射線を吸収することにより、光触媒微粒
子中の電子を無電解メッキ液の金属イオンに供与し、触
媒層上にのみ金属層を析出・生成させて、網目構造の導
電層を形成させる。
て、光触媒微粒子に照射させる放射線としては、紫外
線、可視光線、電子線等が挙げられるが、特に紫外線が
好ましい。また、放射線源としては、水銀ランプ、メタ
ルハライドランプ、キセノンランプ、エキシマレーザ等
が用いられる。
と、触媒層だけでなく、開口部にも金属メッキ膜が生成
し始めるため、透明性を低下させる原因となって好まし
くないから、無電解メッキの主な制御要因である温度−
時間条件については、実験的に見出した最適条件を適用
して調整する。
を適用することにより、容易に透明導電膜付き基板を製
造することができる。この実施形態の透明導電膜付き基
板では、使用目的に応じて、導電層上に透明性を有する
各種樹脂のオーバーコート層を設けたり、透明性のフィ
ルムを張り付けて使用しても差し支えない。
入れて溶解させた溶液にクエン酸ナトリウム2水塩 2.8
gを純水 219gに溶解させた溶液を加えて攪拌混合し、
それを還元材である水素化ホウ素ナトリウム 0.18 gを
純水 3620 gに溶解させた溶液を加えてPdコロイドを
生成した。ついで、この液を限外濾過装置にて洗浄して
不純物を除去し、Pdコロイド固形分が1wt%になる
まで濃縮して、Pdコロイド分散液を調整した。この場
合におけるpdコロイドの平均粒径は 0.005μmであっ
た。
#100 平均粒径 0.01μm)1gを純水 99 gに入れ、
サンドミルにて解砕分散させてZnO固形分が1wt%
のZnO分散液を調整した。
ST−01 平均粒径0.02 μm)1gを純水 99 gに
入れ、サンドミルにて解砕分散させてTiO2固形分が
1wt%のTiO2 分散液を網整した。
し、その基板を 150℃で乾燥して網目構造を有する触媒
層を基板上に形成させた。
ッキ液(奥野製薬工業(株)製OPC−カッパー)に 4
0 ℃で3分間浸漬し、触媒層上にCuの無電解メッキ層
を形成させることにより透明導電膜付き基板を作成し
た。
行い、その結果を表1に示した。 金属層の網目構造評価;金属網目の平均線幅、平均線間隔および平均開口径等 について走査電子顕微鏡により観察し測定した。 金属層の厚みはトンネル電子顕微鏡にて測定した。 表面抵抗 ;2端子の直流抵抗測定により算出した。 透過率 ;分光光度計により膜の透過率を測定した。
をもつ触媒層が形成された基板を、実施例1と同様の無
電解Cuメッキ液に 40 ℃で5分間浸漬し、触媒層上に
Cuの無電解メッキ層を形成させることにより透明導電
膜付き基板を作成した。実施例1と同様の評価を行い、
その結果を表1に示した。
した後、その基板を 150℃で乾燥して網目構造を有する
触媒層を基板状に形成させた。
ッキ液(奥野製薬工業(株)製OPC−カッパー)に 4
0 ℃で15分間浸漬し、触媒層上にCuの無電解メッキ
層を形成させることにより透明導電膜付き基板を作成し
た。 透明導電膜付き基板の評価 実施例1と同様の評価を行い、その結果を表1に示し
た。
し、その基板を 150℃で乾燥することにより網目構造を
有する触媒層を基板状に形成させた。
酸化ナトリウム 2.5gを溶解させた溶液 60 gを加えて
沈殿物を生成させ、 10 %アンモニア水を加えて沈殿物
を再溶解させて、溶液Aを調整した。次いで、還元液と
して、ブドウ糖 45 g、酒石酸 4gを純水 1000 gに溶
解させた溶液にエタノールを加えて、溶液Bを調整し
た。溶液Aと溶被Bを混合して、無電解Agメッキ液を
調整した。
無電解Agメッキ液に25℃で 10 分間、 500W水銀ラン
プにより照射しながら浸漬し、触媒層上にAgの無電解
メッキ層を形成させることにより透明導電膜付き基板を
作成した。 透明導電膜付き基板の評価 実施例1と同様の評価を行い、その結果を表1に示し
た。
し、その基板を 150℃で乾燥して、網目構造を有する触
媒層を基板上に形成させた。
で調整した無電解Agメッキ液に 25 ℃で 10 分間、 5
00W水銀ランプにより照射しながら浸漬し、触媒層上に
Agの無電解メッキ層を形成させることにより透明導電
膜付き基板を作成した。 透明導電膜付き基板の評価 実施例1と同様の評価を行い、その結果を表1に示し
た。
均溝幅 2.0μm、平均溝深さ 1.0μm、平均溝間距離 2
0 μmの網目状溝部が形成された基板に、スピンコータ
ー装置によりで得られた触媒含有塗布液を 150rpm
で塗布し、乾燥を行い、その後、基板を純水で5分間洗
浄して、網目状構造を有する触媒層を基板上に形成させ
た。
ッキ液(奥野製薬工業(株)製OPC−750 )に 25 ℃
で 5分間浸漬し、触媒層上にCuの無電解メッキ層を形
成させることにより透明導電膜付き基板を作成した。 透明導電膜付き基板の評価 実施例1と同様の評価を行い、その結果を表2に示し
た。
層を形成し、ついで基板を5分間水洗を行い網目状触媒
層を形成した。実施例6と同様の無電解メッキ液に前記
基板を 25 ℃で 10 分間浸漬し、触媒層にCuの無電解
メッキ層を形成して、透明導電膜付き基板を作成した。
実施例1と同様の評価を行い、その結果を表2に示し
た。
1000)で擦り、平均溝幅 5.0μm、平均溝深さ 1.0μ
m、平均溝間距離 50 μmの網目状溝部が形成された透
明基板に、実施例6と同様に触媒層を形成し、その後、
基板を純水で5分間洗浄して、網目状構造を有する触媒
層を基板上に形成させた。こうして得られた触媒層が形
成された基板を、無電解Cuメッキ液(奥野製薬工業
(株)製OPC−750 )に 25 ℃で 30 分間浸漬し、触
媒層上にCuの無電解メッキ層を形成させることにより
透明導電膜付き基板を作成した。実施例1と同様の評価
を行い、その結果を表2に示した。
り、平均溝幅 2.0μm、平均溝深さ 1.0μm、平均溝間
距離 50 μmの網目状溝部が形成された基板に、スピン
コーター装置によりで得られた触媒含有塗布液を 150
rpmで塗布し、乾燥を行い、その後、基板を純水で5
分間洗浄して、網目状構造を有する触媒層を基板上に形
成させた。
で調整した無電解Agメッキ液に、 25 ℃で 10 分間、
500W水銀ランプにより照射しながら浸漬し、触媒層上
にAgの無電解メッキ層を形成させることにより透明導
電膜付き基板を作成した。 透明導電膜付き基板の評価 実施例1と同様の評価を行い、その結果を表2に示し
た。
目状構造を有する触媒層を基板上に形成させた。 金属層の形成 で得られた触媒層が形成された基板を、実施例9と同
様にして、触媒層上にAgの無電解メッキ層を形成さ
せ、透明導電膜付き基板を作成した。 透明導電膜付き基板の評価 実施例1と同様の評価を行い、その結果を表2に示し
た。
透明導電膜付き基板では、基板上に形成された網目構造
を有する触媒層と該触媒層上に形成された金属層とを有
し、前記網目構造の開口径が200μm以下であり、前記
金属層の線幅が0.1〜10μmであり、前記金属層の厚み
が0.1〜10μmであり、前記網目構造における開口部の
面積と前記金属層の面積との割合が金属層面積/開口部
面積=5/5以下であることによって、所望の導電性が
得られるとともに良好な透明性が確保され、表示装置等
によって要望されている透明電極あるいは電磁波遮蔽ま
たは熱線遮蔽用基板に適する高い導電性と優れた透明性
を併せ持つ基板を提供することができる。
前記触媒層を構成する触媒成分にはAu,Ag,Pt,
Pd,Rh,Re,Os,Ru,Irの金属触媒微粒子
を1種以上含むことから、触媒活性の高い成分により網
目構造を有する触媒層が形成でき、前記触媒層上に効果
的に金属層を形成することにより、高い導電性と良好な
透明性を併せ持つ透明導電膜付き基板を得ることができ
る。
前記触媒層を構成する触媒成分にはZnO,Zn(O
H)2 ,TiO2 ,Nb2 O3 ,SrTiO3 ,Fe2
O3 ,SnO2 ,WO3 ,MoO3 ,V2 O5 ,ZrO
2 ,Bi2 O3 ,ZnS,CdS,PbS,Bi
2 S3 ,SiC,Si、またはK4 Nb6 O18,KTi
2 NbO7 ,K3 Ti5 NbO14,KTiNbO4 等で
示されるニオブ酸アルカリ化合物やニオブ酸チタン酸ア
ルカリ化合物の、光触媒微粒子を1種以上含むことか
ら、触媒活性の高い成分により網目構造を有する触媒層
が形成され、金属層形成時にその光触媒効果を利用し
て、前記触媒層上に効果的に金属層を形成することがで
き、高い導電性と良好な透明性を併せ持つ透明導電膜付
き基板を得ることができる。
金属成分にAu,Pt,Ag,Cu,Pd,In,S
n,W,Ni,Pb,Fe,Cr,Znの1種以上を含
むことから、網目構造に形成された触媒層上に析出して
網目構造の金属層を形成することによって、高い導電性
と良好な透明性を併せ持つ透明導電膜付き基板を得るこ
とができる。
が200μm以下であり、金属層の線幅が0.1〜10μmであ
り、前記金属層の厚みが0.1〜10μmであり、前記網目
構造における開口部の面積と前記金属層の面積との割合
が金属層面積/開口部面積=5/5以下である透明導電
膜付き基板の製造方法では、網目状に連結した触媒層を
形成し、その触媒層を利用して触媒層上にのみ金属層を
設けることができるようにして、高い導電性と優れた透
明性を併せ持つ透明導電膜付き基板を容易に製造でき、
表示装置等の透明電極あるいは電磁波遮蔽または熱線遮
蔽用基板に適する材料を安価にし、また大型化すること
ができる。
が200μm以下であり、金属層の線幅が0.1〜10μmであ
り、前記金属層の厚みが0.1〜10μmであり、前記網目
構造における開口部の面積と前記金属層の面積との割合
が金属層面積/開口部面積=5/5以下である透明導電
膜付き基板の製造方法では、網目状に連結した触媒層を
形成し、その光触媒効果を利用して効果的に触媒層上に
のみ金属層を設けることができ、高い導電性と良好な透
明性を併せ持つ透明導電膜付き基板を容易に製造でき、
表示装置等の透明電極あるいは電磁波遮蔽または熱線遮
蔽用基板に適する材料を安価にし、また大型化すること
ができる。
が200μm以下であり、金属層の線幅が0.1〜10μmであ
り、前記金属層の厚みが0.1〜10μmであり、前記網目
構造における開口部の面積と前記金属層の面積との割合
が金属層面積/開口部面積=5/5以下である透明導電
膜付き基板の製造方法では、網目状溝部に触媒層を形成
して効果的に網目状触媒層を形成させることができ、そ
の触媒層上に網目状金属層を形成できて、高い導電性と
良好な透明性を併せ持つ大型化可能な透明導電膜付き基
板を容易に製造できる。
が200μm以下であり、金属層の線幅が0.1〜10μmであ
り、前記金属層の厚みが0.1〜10μmであり、前記網目
構造における開口部の面積と前記金属層の面積との割合
が金属層面積/開口部面積=5/5以下である透明導電
膜付き基板の製造方法では、網目状溝部に形成した触媒
層の光触媒効果を利用して、効果的に触媒層上にのみ金
属層を設けることができ、高い導電性と良好な透明性を
併せ持つ大型化可能な透明導電膜付き基板を容易に製造
できる。
媒層の生成過程を示す製造工程説明図であり、(A)は
塗布液の液滴が基板に衝突する状態、(B)は基板に衝
突した液滴がクレータ状の膜を形成した状態、(C)は
クレータ状の膜から溶剤が蒸発していく状態、(D)は
溶剤が蒸発してリング状に固化した状態、(E)は各液
滴がリング状に固化して連結し網目状構造を形成した状
態である。
Claims (8)
- 【請求項1】基板上に形成された網目構造を有する触媒
層と該触媒層上に形成された金属層とを有し、前記網目
構造の開口径が200μm以下であり、前記金属層の線幅
が0.1〜10μmであり、前記金属層の厚みが0.1〜10μm
であり、前記網目構造における開口部の面積と前記金属
層の面積との割合が金属層面積/開口部面積=5/5以
下であることを特徴とする透明導電膜付き基板。 - 【請求項2】前記触媒層を構成する触媒成分には、A
u,Pt,Ag,Pd,Rh,Re,Os,Ru,Ir
の金属触媒微粒子を1種以上含むことを特徴とする請求
項1記載の透明導電膜付き基板。 - 【請求項3】前記触媒層を構成する触媒成分には、Zn
O,Zn(OH)2,TiO2,Nb2O3,SrTi
O3,Fe2O3,SnO2,WO3,MoO3,V2
O5,ZrO2,Bi2O3,ZnS,CdS,Pb
S,Bi2S3,SiC,Si、または、K4Nb6O
18,KTi2NbO7,K3Ti5NbO14,KT
iNbO4等で示されるニオブ酸アルカリ化合物やニオ
ブ酸チタン酸アルカリ化合物の、光触媒微粒子を1種以
上含むことを特徴とする請求項1〜2記載の透明導電膜
付き基板。 - 【請求項4】前記金属層を構成する金属成分にはAu,
Ag,Pt,Cu,Pd,In,Sn,W,Ni,P
b,Fe,Cr,Znの1種以上を含むことを特徴とす
る請求項1〜3記載の透明導電膜付き基板。 - 【請求項5】請求項2記載の触媒成分を含有する塗布液
をスプレー法により基板に塗布して網目構造の触媒層を
形成し、次いで、その基板を請求項4記載の金属成分を
含む無電解メッキ液に浸漬するか、あるいは、その無電
解メッキ液を前記基板上に塗布して、前記触媒層上に網
目状の金属層を形成させることを特徴とする前記網目構
造の開口径が200μm以下であり、前記金属層の線幅が
0.1〜10μmであり、前 記金属層の厚みが0.1〜10μmで
あり、前記網目構造における開口部の面積と前記金属層
の面積との割合が金属層面積/開口部面積=5/5以下
である透明導電膜付き基板の製造方法。 - 【請求項6】請求項3記載の触媒成分を含有する塗布液
を、スプレー法にて基板に塗布して網目構造の触媒層を
形成し、次いで、その基板を請求項4記載の金属成分を
含む無電解メッキ液に浸漬するかあるいはその無電解メ
ッキ液を前記触媒層を形成した基板上に塗布するととも
に、前記基板上に放射線を照射して、前記触媒層上に網
目状金属層を形成させることを特徴とする前記網目構造
の開口径が200μm以下であり、前記金属層の線幅が0.1
〜10μmであり、前記金属層の厚みが0.1〜10μmであ
り、前記網目構造における開口部の面積と前記金属層の
面積との割合が金属層面積/開口部面積=5/5以下で
ある透明導電膜付き基板の製造方法。 - 【請求項7】請求項2記載の触媒成分を含有する塗布液
を、網目状溝部を有する基板に塗布して網目構造の触媒
層を形成し、次いで、その基板を請求項4記載の金属成
分を含む無電解メッキ液に浸漬するか、あるいは、その
無電解メッキ液を前記触媒層を形成した基板上に塗布す
ることによって、前記触媒層上に網目状の金属層を形成
させることを特徴とする前記網目構造の開口径が200μ
m以下であり、前記金属層の線幅が0.1〜10μmであ
り、前記金属層の厚みが0.1〜10μmであり、前記網目
構造における開口部の面積と前記金属層の面積との割合
が金属層面積/開口部面積=5/5以下である透明導電
膜付き基板の製造方法。 - 【請求項8】請求項3記載の触媒成分を含有する塗布液
を、網目状溝部を有する基板に塗布して網目構造の触媒
層を形成し、次いで、その基板を請求項4記載の金属成
分を含む無電解メッキ液に浸漬するかあるいはその無電
解メッキ液を前記触媒層を形成した基板上に塗布すると
ともに、前記基板上に放射線を照射して、前記触媒層上
に網目状金属層を形成させることを特徴とする前記網目
構造の開口径が200μm以下であり、前記金属層の線幅
が0.1〜10μmであり、前記金属層の厚みが0.1〜10μm
であり、前記網目構造における開口部の面積と前記金属
層の面積との割 合が金属層面積/開口部面積=5/5以
下である透明導電膜付き基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16352697A JP3464590B2 (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | 透明導電膜付き基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16352697A JP3464590B2 (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | 透明導電膜付き基板およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10340629A JPH10340629A (ja) | 1998-12-22 |
JP3464590B2 true JP3464590B2 (ja) | 2003-11-10 |
Family
ID=15775554
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16352697A Expired - Fee Related JP3464590B2 (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | 透明導電膜付き基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3464590B2 (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3656612B2 (ja) * | 2001-06-08 | 2005-06-08 | 株式会社村田製作所 | 金属膜およびその製造方法ならびに積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
JP4997973B2 (ja) * | 2004-10-08 | 2012-08-15 | 東レ株式会社 | 電磁波シールドフィルム |
CN101909420A (zh) | 2005-09-30 | 2010-12-08 | 富士胶片株式会社 | 导电薄膜的生产方法和用于导电薄膜生产的感光材料 |
JP2007227906A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-09-06 | Toray Ind Inc | 導電性基板およびその製造方法 |
JP4716023B2 (ja) * | 2006-03-27 | 2011-07-06 | Tdk株式会社 | 透明シールドケースの製造方法 |
CA2648457A1 (en) | 2006-04-05 | 2007-10-11 | Shotaro Tanaka | Method for producing conductive substrate and conductive substrate |
JP5082357B2 (ja) * | 2006-09-22 | 2012-11-28 | 東レ株式会社 | 網目状金属微粒子積層基板の製造方法 |
JP5207728B2 (ja) | 2006-12-21 | 2013-06-12 | 富士フイルム株式会社 | 導電膜およびその製造方法 |
JP2008204632A (ja) | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 薄片状化合物 |
JP2009016700A (ja) * | 2007-07-09 | 2009-01-22 | Toray Ind Inc | 網目状金属微粒子積層基板及び透明導電性基板の製造方法 |
JP5571870B2 (ja) * | 2007-09-21 | 2014-08-13 | 株式会社東芝 | 極微細構造を有する光透過型金属電極およびその製造方法 |
WO2009054273A1 (ja) * | 2007-10-26 | 2009-04-30 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 透明導電性フィルム及びその製造方法 |
CN107272978B (zh) | 2008-02-28 | 2020-09-15 | 3M创新有限公司 | 触屏传感器 |
JP5478126B2 (ja) | 2008-06-25 | 2014-04-23 | 富士フイルム株式会社 | 導電膜形成用感光材料、導電性材料及びエレクトロルミネッセンス素子 |
JP2010093040A (ja) * | 2008-10-08 | 2010-04-22 | Bridgestone Corp | 光透過性電磁波シールド材及びその製造方法 |
JP4927070B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2012-05-09 | 日本写真印刷株式会社 | 透明導電性シートとその製造方法、加飾成形品 |
FR2961219B1 (fr) * | 2010-06-09 | 2012-07-13 | Essilor Int | Procede de preparation a basse temperature de revetements mesostructures electroconducteurs |
CN103184440B (zh) * | 2011-12-27 | 2015-12-02 | 比亚迪股份有限公司 | 一种表面选择性金属化的制品及其制备方法 |
JP6136517B2 (ja) * | 2013-04-18 | 2017-05-31 | 大日本印刷株式会社 | 導電性メッシュ、導電性メッシュシート、タッチパネル装置および画像表示装置 |
DE102013114572A1 (de) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | Leibniz-Institut Für Neue Materialien Gemeinnützige Gmbh | Verfahren zur Herstellung strukturierter metallischer Beschichtungen |
-
1997
- 1997-06-06 JP JP16352697A patent/JP3464590B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH10340629A (ja) | 1998-12-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3464590B2 (ja) | 透明導電膜付き基板およびその製造方法 | |
KR100621050B1 (ko) | 투명도전성구조체와 그 제조방법 및 투명도전성구조체의 제조에 사용되는 투명도전층 형성용도포액과 그 제조방법 | |
KR100728508B1 (ko) | 광촉매 활성을 갖는 제품 | |
EP1020890B1 (en) | Transparent conductive layered structure and method of producing the same, and coating liquid for forming transparent conductive layer used in production of transparent conductive layered structure and method of producing the same | |
SK284548B6 (sk) | Spôsob výroby zrkadla neobsahujúceho vrstvu medi a zrkadlo | |
JPH11170420A (ja) | 透明導電膜およびその製造方法 | |
JP3402215B2 (ja) | 導電膜形成用塗布液および導電膜 | |
JP5387925B2 (ja) | 赤外線遮蔽材料微粒子分散体、赤外線遮蔽体、及び赤外線遮蔽材料微粒子の製造方法、並びに赤外線遮蔽材料微粒子 | |
CN112652424A (zh) | 碳纳米管复合透明导电薄膜的制备方法 | |
JP2000268639A (ja) | 透明導電性基材とその製造方法および透明導電性基材の製造に用いられる透明導電層形成用塗液とその製造方法 | |
JP3473272B2 (ja) | 導電膜形成用塗布液および導電膜 | |
JP4904714B2 (ja) | 赤外線遮蔽材料微粒子分散体、赤外線遮蔽体、及び赤外線遮蔽材料微粒子の製造方法、並びに赤外線遮蔽材料微粒子 | |
JP2002038053A (ja) | 透明導電層形成用塗液 | |
JP3224123B2 (ja) | 計器用カバーガラス | |
JP2003151362A (ja) | 導電膜および導電膜の製造方法 | |
JPH11170421A (ja) | 透明導電膜およびその製造方法 | |
KR100357946B1 (ko) | 투명 도전막의 제조방법 | |
JPH06144874A (ja) | 熱線反射膜及びその製造方法 | |
JP2001279304A (ja) | 鎖状金属コロイド分散液及びその製造方法 | |
JP2003109435A (ja) | 透明導電膜およびその製造方法 | |
JP3649603B2 (ja) | 多孔質光触媒被膜ガラスおよびその被覆方法 | |
JP3520705B2 (ja) | 導電膜形成用塗布液、導電膜とその製造方法 | |
CN1528946A (zh) | 溅射装置 | |
JPH11203943A (ja) | 透明導電性基材とその製造方法およびこの基材が適用された表示装置 | |
JP3972686B2 (ja) | 導電膜および導電膜の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080822 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090822 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090822 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100822 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110822 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120822 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |