JP2003151362A - 導電膜および導電膜の製造方法 - Google Patents
導電膜および導電膜の製造方法Info
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- JP2003151362A JP2003151362A JP2002060115A JP2002060115A JP2003151362A JP 2003151362 A JP2003151362 A JP 2003151362A JP 2002060115 A JP2002060115 A JP 2002060115A JP 2002060115 A JP2002060115 A JP 2002060115A JP 2003151362 A JP2003151362 A JP 2003151362A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】湿式形成導電膜における従来の３５０〜４００
℃以上（ＩＴＯ微粒子の場合）、１５０〜２００℃以上
（金属微粒子の場合）、よりも低い熱処理温度で、プラ
スチック基材も適用可能な導電膜およびその製造方法を
提供することを課題とする。 【解決手段】 少なくとも導電層を有する導電膜の製造
方法において、少なくとも導電性微粒子とバインダと金
属イオンを含む前駆導電層を還元処理し、導電層を形成
することを特徴とする導電膜の製造方法およびそれによ
り製造された導電膜を提供するものである。
℃以上（ＩＴＯ微粒子の場合）、１５０〜２００℃以上
（金属微粒子の場合）、よりも低い熱処理温度で、プラ
スチック基材も適用可能な導電膜およびその製造方法を
提供することを課題とする。 【解決手段】 少なくとも導電層を有する導電膜の製造
方法において、少なくとも導電性微粒子とバインダと金
属イオンを含む前駆導電層を還元処理し、導電層を形成
することを特徴とする導電膜の製造方法およびそれによ
り製造された導電膜を提供するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＥＬ，ＰＤＰ，Ｌ
ＣＤ，ＣＲＴ等の各種表示装置の電磁波遮蔽膜および電
極、あるいは太陽電池の電極として有用な導電膜および
その製造方法に関する。特に透明電極等に用いられる透
明導電膜に関する。またプリント配線板などに用いるこ
とのできるパターニングされた導電膜に関する。また、
詳しくは、これまでより低い熱処理温度で形成され、よ
って広範な基材に対応可能な導電膜およびその製造方法
に関する。
ＣＤ，ＣＲＴ等の各種表示装置の電磁波遮蔽膜および電
極、あるいは太陽電池の電極として有用な導電膜および
その製造方法に関する。特に透明電極等に用いられる透
明導電膜に関する。またプリント配線板などに用いるこ
とのできるパターニングされた導電膜に関する。また、
詳しくは、これまでより低い熱処理温度で形成され、よ
って広範な基材に対応可能な導電膜およびその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、導電膜は錫ドープ酸化インジウム
（ＩＴＯ）等の導電性酸化物、あるいは銀等の金属から
なる薄膜をスパッタリングや蒸着等のドライプロセスに
より導電層を成膜することで一般的に得られてきたが、
ドライプロセスは成膜が高真空中で行われるため、成膜
工程が複雑かつ高コストであるという本質的な問題点が
あった。
（ＩＴＯ）等の導電性酸化物、あるいは銀等の金属から
なる薄膜をスパッタリングや蒸着等のドライプロセスに
より導電層を成膜することで一般的に得られてきたが、
ドライプロセスは成膜が高真空中で行われるため、成膜
工程が複雑かつ高コストであるという本質的な問題点が
あった。
【０００３】これに対し近年、導電層の低コストな形成
方法として湿式塗工に代表されるウェットプロセスが盛
んに試みられてきた。湿式塗工材料としてはＩＴＯ微粒
子や金属微粒子等の導電材料をバインダや分散安定剤と
ともに分散媒に分散させたものが一般的に用いられてい
る。このうちＩＴＯ微粒子を用いた導電膜は、塗工層中
の微粒子間の粒界抵抗のため達成可能な表面抵抗は低く
とも１０3Ω／□〜１０4Ω／□であり、電磁波遮蔽ある
いは電極として必要なレベルの導電性を得ることができ
ない。また、３５０℃〜４００℃以上の高温熱処理によ
り低抵抗化も可能であるが、基材がガラスに限定されて
しまう。
方法として湿式塗工に代表されるウェットプロセスが盛
んに試みられてきた。湿式塗工材料としてはＩＴＯ微粒
子や金属微粒子等の導電材料をバインダや分散安定剤と
ともに分散媒に分散させたものが一般的に用いられてい
る。このうちＩＴＯ微粒子を用いた導電膜は、塗工層中
の微粒子間の粒界抵抗のため達成可能な表面抵抗は低く
とも１０3Ω／□〜１０4Ω／□であり、電磁波遮蔽ある
いは電極として必要なレベルの導電性を得ることができ
ない。また、３５０℃〜４００℃以上の高温熱処理によ
り低抵抗化も可能であるが、基材がガラスに限定されて
しまう。
【０００４】一方、金属微粒子は体積固有抵抗率が前記
導電性酸化物と比較し１／１００オーダーで小さいこと
に加え、前記導電性酸化物微粒子あるいはバルク状態の
前記金属微粒子と比較し、低温で粒子同士の融着が生じ
ることが一般的に知られている。このため、金属微粒子
は湿式塗工用の導電材料として用いた場合、比較的低温
の熱処理で前記用途に必要なレベルの導電性を得ること
が可能であり、導電材料としての研究対象の最近の主流
となってきている。
導電性酸化物と比較し１／１００オーダーで小さいこと
に加え、前記導電性酸化物微粒子あるいはバルク状態の
前記金属微粒子と比較し、低温で粒子同士の融着が生じ
ることが一般的に知られている。このため、金属微粒子
は湿式塗工用の導電材料として用いた場合、比較的低温
の熱処理で前記用途に必要なレベルの導電性を得ること
が可能であり、導電材料としての研究対象の最近の主流
となってきている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記金
属微粒子を用いた場合でも、前記用途に要求されるレベ
ルの導電性を発現させるのに必要な熱処理温度は１５０
℃〜２００℃以上であり、フィルム基材の耐熱性を考慮
した場合十分低いとはいえず、使用可能な基材が限定さ
れるという問題点は依然解決されていない。本発明はこ
の問題点を鑑みてなされたものであり、従来よりも低い
熱処理温度で、上記用途に必要な導電性を示す導電膜を
提供することを課題とする。
属微粒子を用いた場合でも、前記用途に要求されるレベ
ルの導電性を発現させるのに必要な熱処理温度は１５０
℃〜２００℃以上であり、フィルム基材の耐熱性を考慮
した場合十分低いとはいえず、使用可能な基材が限定さ
れるという問題点は依然解決されていない。本発明はこ
の問題点を鑑みてなされたものであり、従来よりも低い
熱処理温度で、上記用途に必要な導電性を示す導電膜を
提供することを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、少な
くとも導電性微粒子とバインダと金属イオンとを含む前
駆導電層を還元処理した導電層を有することを特徴とす
る導電膜である。
くとも導電性微粒子とバインダと金属イオンとを含む前
駆導電層を還元処理した導電層を有することを特徴とす
る導電膜である。
【０００７】請求項２の発明は、前記導電性微粒子が金
属微粒子および／または導電性酸化物微粒子であること
を特徴とする請求項１記載の導電膜である。
属微粒子および／または導電性酸化物微粒子であること
を特徴とする請求項１記載の導電膜である。
【０００８】請求項３の発明は、前記金属微粒子がＡ
ｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｐｔのいずれか、あるい
はそれらの２種類以上の組み合わせまたは合金であるこ
とを特徴とする請求項２記載の導電膜である。
ｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｐｔのいずれか、あるい
はそれらの２種類以上の組み合わせまたは合金であるこ
とを特徴とする請求項２記載の導電膜である。
【０００９】請求項４の発明は、前記導電性酸化物微粒
子が酸化錫、アンチモン錫酸化物またはインジウム錫酸
化物から選択された一種類以上を含むことを特徴とする
請求項２または３記載の導電膜である。
子が酸化錫、アンチモン錫酸化物またはインジウム錫酸
化物から選択された一種類以上を含むことを特徴とする
請求項２または３記載の導電膜である。
【００１０】請求項５の発明は、前記バインダがＳｉ，
Ａｌ，Ｔｉ，Ｚｒの各種アルコキシドから選択された一
種類以上を出発物質として形成されたものであることを
特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の導電膜であ
る。
Ａｌ，Ｔｉ，Ｚｒの各種アルコキシドから選択された一
種類以上を出発物質として形成されたものであることを
特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の導電膜であ
る。
【００１１】請求項６の発明は、前記金属イオンがＡｇ
イオン，Ａｕイオン，Ｐｄイオン，Ｐｔイオンから選択
される一種類以上を含むことを特徴とする請求項１〜５
のいずれかに記載の導電膜である。
イオン，Ａｕイオン，Ｐｄイオン，Ｐｔイオンから選択
される一種類以上を含むことを特徴とする請求項１〜５
のいずれかに記載の導電膜である。
【００１２】請求項７の発明は、前記前駆導電層がさら
に光塩基発生剤を含むことを特徴とする請求項１〜６の
いずれかに記載の導電膜である。
に光塩基発生剤を含むことを特徴とする請求項１〜６の
いずれかに記載の導電膜である。
【００１３】請求項８の発明は、前記導電層が透明であ
り、かつ膜全体の可視光域の光線透過率が５０％以上で
あることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の
導電膜である。
り、かつ膜全体の可視光域の光線透過率が５０％以上で
あることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の
導電膜である。
【００１４】請求項９の発明は、少なくとも導電層を有
する導電膜の製造方法において、少なくとも導電性微粒
子とバインダと金属イオンを含む前駆導電層を還元処理
し、導電層を形成することを特徴とする導電膜の製造方
法である。
する導電膜の製造方法において、少なくとも導電性微粒
子とバインダと金属イオンを含む前駆導電層を還元処理
し、導電層を形成することを特徴とする導電膜の製造方
法である。
【００１５】請求項１０の発明は、前記導電層が、導電
性微粒子とバインダ形成物質と金属イオンを少なくとも
含む塗布液を基材に塗布乾燥した後、熱処理を行い形成
されることを特徴とする請求項９記載の導電膜の製造方
法である。
性微粒子とバインダ形成物質と金属イオンを少なくとも
含む塗布液を基材に塗布乾燥した後、熱処理を行い形成
されることを特徴とする請求項９記載の導電膜の製造方
法である。
【００１６】請求項１１の発明は、前記前駆導電層が、
導電性微粒子を少なくとも含む塗布液を基材に塗布し、
続いて該塗布面上にバインダ形成物質を少なくとも含む
塗布液を塗布乾燥した後、熱処理を行い形成され、かつ
該各塗布液のうち少なくとも一つが金属イオンを含むこ
とを特徴とする請求項９記載の導電膜の製造方法であ
る。
導電性微粒子を少なくとも含む塗布液を基材に塗布し、
続いて該塗布面上にバインダ形成物質を少なくとも含む
塗布液を塗布乾燥した後、熱処理を行い形成され、かつ
該各塗布液のうち少なくとも一つが金属イオンを含むこ
とを特徴とする請求項９記載の導電膜の製造方法であ
る。
【００１７】請求項１２の発明は、前記熱処理温度が１
５０℃以下であることを特徴とする請求項１０または１
１記載の導電膜の製造方法である。
５０℃以下であることを特徴とする請求項１０または１
１記載の導電膜の製造方法である。
【００１８】請求項１３の発明は、前記導電性微粒子が
金属微粒子および／または導電性酸化物微粒子であるこ
とを特徴とする請求項９〜１２のいずれかに記載の導電
膜の製造方法である。
金属微粒子および／または導電性酸化物微粒子であるこ
とを特徴とする請求項９〜１２のいずれかに記載の導電
膜の製造方法である。
【００１９】請求項１４の発明は、前記金属微粒子がＡ
ｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｐｔのいずれか、あるい
はそれらの２種類以上の組み合わせまたは合金であるこ
とを特徴とする請求項１３記載の導電膜の製造方法であ
る。
ｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｐｔのいずれか、あるい
はそれらの２種類以上の組み合わせまたは合金であるこ
とを特徴とする請求項１３記載の導電膜の製造方法であ
る。
【００２０】請求項１５の発明は、前記導電性酸化物微
粒子が酸化錫、アンチモン錫酸化物またはインジウム錫
酸化物から選択された一種類以上を含むことを特徴とす
る請求項１３または１４記載の導電膜の製造方法であ
る。
粒子が酸化錫、アンチモン錫酸化物またはインジウム錫
酸化物から選択された一種類以上を含むことを特徴とす
る請求項１３または１４記載の導電膜の製造方法であ
る。
【００２１】請求項１６の発明は、前記バインダがＳ
ｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｚｒの各種アルコキシドから選択され
た一種類以上を出発物質として形成されたものであるこ
とを特徴とする請求項９〜１５のいずれかに記載の導電
膜の製造方法である。
ｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｚｒの各種アルコキシドから選択され
た一種類以上を出発物質として形成されたものであるこ
とを特徴とする請求項９〜１５のいずれかに記載の導電
膜の製造方法である。
【００２２】請求項１７の発明は、前記バインダ形成物
質がＳｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｚｒの各種アルコキシドおよび
それらの加水分解物から選択された一種類以上であるこ
とを特徴とする請求項１０〜１６のいずれかに記載の導
電膜の製造方法である。
質がＳｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｚｒの各種アルコキシドおよび
それらの加水分解物から選択された一種類以上であるこ
とを特徴とする請求項１０〜１６のいずれかに記載の導
電膜の製造方法である。
【００２３】請求項１８の発明は、前記金属イオンがＡ
ｇイオン，Ａｕイオン，Ｐｄイオン，Ｐｔイオンから選
択される一種類以上を含むことを特徴とする請求項９〜
１７のいずれかに記載の導電膜の製造方法である。
ｇイオン，Ａｕイオン，Ｐｄイオン，Ｐｔイオンから選
択される一種類以上を含むことを特徴とする請求項９〜
１７のいずれかに記載の導電膜の製造方法である。
【００２４】請求項１９の発明は、前記還元処理が、前
記前駆導電層の熱処理工程を含むことを特徴とする請求
項９〜１８のいずれかに記載の導電膜の製造方法であ
る。
記前駆導電層の熱処理工程を含むことを特徴とする請求
項９〜１８のいずれかに記載の導電膜の製造方法であ
る。
【００２５】請求項２０の発明は、前記還元処理が前記
前駆導電層の還元剤処理工程を含むことを特徴とする請
求項９〜１９のいずれかに記載の導電膜の製造方法であ
る。
前駆導電層の還元剤処理工程を含むことを特徴とする請
求項９〜１９のいずれかに記載の導電膜の製造方法であ
る。
【００２６】請求項２１の発明は、前記還元剤処理工程
が前記前駆導電層を還元剤溶液に浸漬する操作を含むこ
とを特徴とする請求項２０記載の導電膜の製造方法であ
る。
が前記前駆導電層を還元剤溶液に浸漬する操作を含むこ
とを特徴とする請求項２０記載の導電膜の製造方法であ
る。
【００２７】請求項２２の発明は、前記還元剤処理工程
が前記前駆導電層を還元剤を含む蒸気に曝す操作を含む
ことを特徴とする請求項２０記載の導電膜の製造方法で
ある。
が前記前駆導電層を還元剤を含む蒸気に曝す操作を含む
ことを特徴とする請求項２０記載の導電膜の製造方法で
ある。
【００２８】請求項２３の発明は、前記還元処理が前記
前駆導電層に紫外線を照射する工程を含むことを特徴と
する請求項９〜２２のいずれかに記載の導電膜の製造方
法である。
前駆導電層に紫外線を照射する工程を含むことを特徴と
する請求項９〜２２のいずれかに記載の導電膜の製造方
法である。
【００２９】請求項２４の発明は、前記前駆導電層が光
塩基発生剤を含むことを特徴とする請求項２３記載の導
電膜の製造方法である。
塩基発生剤を含むことを特徴とする請求項２３記載の導
電膜の製造方法である。
【００３０】請求項２５の発明は、前記導電層が透明で
あり、かつ膜全体の可視光域の光線透過率が５０％以上
であることを特徴とする請求項９〜２４のいずれかに記
載の導電膜の製造方法である。
あり、かつ膜全体の可視光域の光線透過率が５０％以上
であることを特徴とする請求項９〜２４のいずれかに記
載の導電膜の製造方法である。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、図１に本発明の一実施形態
について具体例を示し説明する。本実施形態における導
電膜２は、主として基材１と導電層３からなるが、必要
に応じ導電層以外の機能層を設けることも可能である。
例として、機械強度付与を目的としたハードコート層、
あるいは低反射性付与を目的とした単層または多層構成
の反射防止層など挙げられるが、特に、機械強度と低反
射性を同時に付与できるものとして、表面硬度が高く屈
折率の比較的小さいシリカ層が好適に用いられる。シリ
カ層の形成は、例えば各種アルコキシシランの加水分解
物を含む塗布液を、導電層２上に均一に塗布して成膜す
る方法により行うことができる。塗布方法としては、ス
ピンコート、ナイフコート、スプレーコート、ディップ
コート等が挙げられるが、特にスピンコートが好まし
い。塗布後は塗膜を乾燥し、好ましくは焼き付け処理を
行うことにより強固な膜が形成される。
について具体例を示し説明する。本実施形態における導
電膜２は、主として基材１と導電層３からなるが、必要
に応じ導電層以外の機能層を設けることも可能である。
例として、機械強度付与を目的としたハードコート層、
あるいは低反射性付与を目的とした単層または多層構成
の反射防止層など挙げられるが、特に、機械強度と低反
射性を同時に付与できるものとして、表面硬度が高く屈
折率の比較的小さいシリカ層が好適に用いられる。シリ
カ層の形成は、例えば各種アルコキシシランの加水分解
物を含む塗布液を、導電層２上に均一に塗布して成膜す
る方法により行うことができる。塗布方法としては、ス
ピンコート、ナイフコート、スプレーコート、ディップ
コート等が挙げられるが、特にスピンコートが好まし
い。塗布後は塗膜を乾燥し、好ましくは焼き付け処理を
行うことにより強固な膜が形成される。
【００３２】本実施形態における導電層３は、少なくと
も基材１上に形成され、導電性微粒子３１とバインダ３
２と金属イオン３３ａを少なくとも含む前駆導電層３ａ
の還元処理により形成。また、該導電膜２の製造方法
は、基材１上に導電性微粒子３１とバインダ３２と金属
イオン３３ａを含む前駆導電層３ａを形成する「前駆導
電層形成工程」、および、前駆導電層の還元処理を行う
「還元処理工程」を含む。以下に、前記各工程別に詳細
な説明を行う。
も基材１上に形成され、導電性微粒子３１とバインダ３
２と金属イオン３３ａを少なくとも含む前駆導電層３ａ
の還元処理により形成。また、該導電膜２の製造方法
は、基材１上に導電性微粒子３１とバインダ３２と金属
イオン３３ａを含む前駆導電層３ａを形成する「前駆導
電層形成工程」、および、前駆導電層の還元処理を行う
「還元処理工程」を含む。以下に、前記各工程別に詳細
な説明を行う。
【００３３】［前駆導電層形成工程］前駆導電層３ａ
は、導電性微粒子３１とバインダ３２と金属イオン３３
ａを含み、還元処理により導電性が向上する層であり、
基材１上に形成される。
は、導電性微粒子３１とバインダ３２と金属イオン３３
ａを含み、還元処理により導電性が向上する層であり、
基材１上に形成される。
【００３４】基材１は、特に限定されるものではなく、
各種ガラス基材をはじめ適当な機械的剛性をもつ公知の
プラスチックフィルムもしくはシートの中から適宜選択
して用いることができる。透明導電膜として用いる場合
は、ガラス、透明プラスチック、透明シートなどの透明
基材が好ましい。透明プラスチック、透明シートの具体
例としては、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピ
レン、トリアセチルセルロース、ジアセチルセルロース
等のフィルムが挙げられる。
各種ガラス基材をはじめ適当な機械的剛性をもつ公知の
プラスチックフィルムもしくはシートの中から適宜選択
して用いることができる。透明導電膜として用いる場合
は、ガラス、透明プラスチック、透明シートなどの透明
基材が好ましい。透明プラスチック、透明シートの具体
例としては、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピ
レン、トリアセチルセルロース、ジアセチルセルロース
等のフィルムが挙げられる。
【００３５】導電性微粒子３１としては、金属微粒子、
導電性酸化物微粒子、あるいはその両者を用いることが
可能であるが、導電膜の導電性を重視する場合は金属微
粒子、導電膜を透明導電膜とする場合で透明性を重視す
る場合は導電性酸化物微粒子を用いることが好ましい。
導電性酸化物微粒子、あるいはその両者を用いることが
可能であるが、導電膜の導電性を重視する場合は金属微
粒子、導電膜を透明導電膜とする場合で透明性を重視す
る場合は導電性酸化物微粒子を用いることが好ましい。
【００３６】金属微粒子としてはＡｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃ
ｕ，Ｐｄ，Ｐｔのいずれか、あるいはそれらの２種類以
上の組み合わせまたは合金を用いることが可能である
が、特に導電性と透明性の観点からＡｇを主体とするこ
とが好ましく、さらに色調や化学的安定性の観点からＡ
ｕもしくはＰｄを含むことが特に好ましい。
ｕ，Ｐｄ，Ｐｔのいずれか、あるいはそれらの２種類以
上の組み合わせまたは合金を用いることが可能である
が、特に導電性と透明性の観点からＡｇを主体とするこ
とが好ましく、さらに色調や化学的安定性の観点からＡ
ｕもしくはＰｄを含むことが特に好ましい。
【００３７】金属微粒子はＣａｒｅｙＬｅａが１８８９
年に発表した方法（Ａｍ．Ｊ．Ｓｃｉ．，ｖｏｌ．３
７，ｐｐ．４９１，１８８９）に代表される数多くの公
知技術により比較的容易に製造可能である。例えばＰｄ
とＡｇの合金微粒子は、ＰｄとＡｇの硝酸塩水溶液をク
エン酸等の分散安定剤の存在下において硫酸第一鉄等の
還元剤で還元することで得られる。その他の金属微粒子
についても、原理的には、分散安定剤の存在下で金属イ
オンを還元する方法により製造可能である。
年に発表した方法（Ａｍ．Ｊ．Ｓｃｉ．，ｖｏｌ．３
７，ｐｐ．４９１，１８８９）に代表される数多くの公
知技術により比較的容易に製造可能である。例えばＰｄ
とＡｇの合金微粒子は、ＰｄとＡｇの硝酸塩水溶液をク
エン酸等の分散安定剤の存在下において硫酸第一鉄等の
還元剤で還元することで得られる。その他の金属微粒子
についても、原理的には、分散安定剤の存在下で金属イ
オンを還元する方法により製造可能である。
【００３８】導電性酸化物微粒子としては、酸化錫、ア
ンチモン錫酸化物またはインジウム錫酸化物のいずれ
か、あるいはそれらの組み合わせを用いることが可能で
あるが、導電性の観点からインジウム錫酸化物が好まし
い。本発明で用いるインジウム錫酸化物微粒子は、例え
ば、インジウムと錫の各塩化物水溶液とアルカリ水溶液
とを反応させて共沈水酸化物を得、これを焼成する方法
などの公知の方法で製造可能であるが、市販品としても
一般に広く入手可能である。
ンチモン錫酸化物またはインジウム錫酸化物のいずれ
か、あるいはそれらの組み合わせを用いることが可能で
あるが、導電性の観点からインジウム錫酸化物が好まし
い。本発明で用いるインジウム錫酸化物微粒子は、例え
ば、インジウムと錫の各塩化物水溶液とアルカリ水溶液
とを反応させて共沈水酸化物を得、これを焼成する方法
などの公知の方法で製造可能であるが、市販品としても
一般に広く入手可能である。
【００３９】透明導電膜とする場合、前記各種導電性微
粒子の粒径は透明性の観点から一次粒径１００ｎｍ以下
であることが好ましく、５０ｎｍ以下であることが特に
好ましい。一次粒径が１００ｎｍ以上であると、透明性
の低下のみならずヘーズが発生しやすくなり、視認性の
悪化につながる。
粒子の粒径は透明性の観点から一次粒径１００ｎｍ以下
であることが好ましく、５０ｎｍ以下であることが特に
好ましい。一次粒径が１００ｎｍ以上であると、透明性
の低下のみならずヘーズが発生しやすくなり、視認性の
悪化につながる。
【００４０】バインダ３２としては、Ｓｉ，Ａｌ，Ｔ
ｉ，Ｚｒの金属各種アルコキシドおよびそれらの加水分
解物から選択された一種類以上を含むバインダ形成物質
から形成されるものを用いることができる。金属アルコ
キシドの具体例としては、テトラエトキシシラン、メチ
ルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、
クロルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラ
ン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロ
キシプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエ
チル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、アル
ミニウムトリイソプロポキシド、アルミニウムトリブト
キシド、アルミニウムジイソプロポキシドエチルアセト
アセテート、チタニウムテトライソプロポキシド、チタ
ニウムジイソプロポキシ（ビス−２，４−ペンタンジオ
ネート）、ジルコニウムテトラブトキシド等が挙げられ
る。
ｉ，Ｚｒの金属各種アルコキシドおよびそれらの加水分
解物から選択された一種類以上を含むバインダ形成物質
から形成されるものを用いることができる。金属アルコ
キシドの具体例としては、テトラエトキシシラン、メチ
ルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、
クロルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラ
ン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロ
キシプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエ
チル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、アル
ミニウムトリイソプロポキシド、アルミニウムトリブト
キシド、アルミニウムジイソプロポキシドエチルアセト
アセテート、チタニウムテトライソプロポキシド、チタ
ニウムジイソプロポキシ（ビス−２，４−ペンタンジオ
ネート）、ジルコニウムテトラブトキシド等が挙げられ
る。
【００４１】これらの各種金属アルコキシドは、後述の
金属イオン種あるいは還元処理法などの各種条件におい
て好ましいものが適宜選択して用いられる。バインダは
過剰に存在すると導電性が低下するので、バインダ含量
は導電層全体に対して１０重量％以下であることが好ま
しい。
金属イオン種あるいは還元処理法などの各種条件におい
て好ましいものが適宜選択して用いられる。バインダは
過剰に存在すると導電性が低下するので、バインダ含量
は導電層全体に対して１０重量％以下であることが好ま
しい。
【００４２】金属イオン３３ａは、後述の還元処理によ
り前駆導電層中で還元析出されるものであり、Ａｇ，Ａ
ｕ，Ｐｄ，Ｐｔから選択される一種類以上を含むものを
用いることができる。金属イオンの具体例としては、Ａ
ｇイオン，Ａｕイオン，Ｐｄイオン，Ｐｔイオン等の貴
金属イオンなどが挙げられ、バインダ種類あるいは還元
処理法等の各種条件において好ましいものが適宜選択し
て用いられる。
り前駆導電層中で還元析出されるものであり、Ａｇ，Ａ
ｕ，Ｐｄ，Ｐｔから選択される一種類以上を含むものを
用いることができる。金属イオンの具体例としては、Ａ
ｇイオン，Ａｕイオン，Ｐｄイオン，Ｐｔイオン等の貴
金属イオンなどが挙げられ、バインダ種類あるいは還元
処理法等の各種条件において好ましいものが適宜選択し
て用いられる。
【００４３】前駆導電層３ａの形成方法は大きく以下の
２つに分類される。 １）導電性微粒子とバインダ形成物質と金属イオンを少
なくとも含む塗布液を基材に塗布乾燥した後、熱処理を
行う方法。 ２）導電性微粒子を少なくとも含む塗布液を基材に塗布
し、続いて該塗布面上にバインダ形成物質を少なくとも
含む塗布液を塗布乾燥した後、熱処理を行い形成する方
法（但し、該塗布液のうち少なくとも一方が金属イオン
を含む）。 前述のバインダ種、金属イオン種、あるいは後述の還元
処理法等の各種条件においてより好適な方法が用いられ
る。
２つに分類される。 １）導電性微粒子とバインダ形成物質と金属イオンを少
なくとも含む塗布液を基材に塗布乾燥した後、熱処理を
行う方法。 ２）導電性微粒子を少なくとも含む塗布液を基材に塗布
し、続いて該塗布面上にバインダ形成物質を少なくとも
含む塗布液を塗布乾燥した後、熱処理を行い形成する方
法（但し、該塗布液のうち少なくとも一方が金属イオン
を含む）。 前述のバインダ種、金属イオン種、あるいは後述の還元
処理法等の各種条件においてより好適な方法が用いられ
る。
【００４４】塗布液は全面塗工しても良いし、パターン
状に塗布しても良い。全面塗工する場合の塗布方法とし
ては、スピンコート、ナイフコート、スプレーコート、
ディップコート等が挙げられるが、特にスピンコートが
好ましい。熱処理はバインダの硬化を主目的に行われる
が、熱処理温度は各種フィルム基材の耐熱性の還点から
１５０℃以下が好ましく、特に１２０℃以下が好まし
い。従来技術では十分な導電性を発現させるため、前駆
導電層の形成には、導電性微粒子として金属微粒子を用
いた場合でも１５０℃〜２００℃以上での熱処理が必要
であり、使用可能な基材はガラスと耐熱性の高い一部の
フィルムに限定されていた。本発明では、後述の還元処
理により導電性を向上させ、ひいては成膜時の熱処理温
度を広汎なフィルム基材に対応可能なレベルまで下げる
ことが可能となった。
状に塗布しても良い。全面塗工する場合の塗布方法とし
ては、スピンコート、ナイフコート、スプレーコート、
ディップコート等が挙げられるが、特にスピンコートが
好ましい。熱処理はバインダの硬化を主目的に行われる
が、熱処理温度は各種フィルム基材の耐熱性の還点から
１５０℃以下が好ましく、特に１２０℃以下が好まし
い。従来技術では十分な導電性を発現させるため、前駆
導電層の形成には、導電性微粒子として金属微粒子を用
いた場合でも１５０℃〜２００℃以上での熱処理が必要
であり、使用可能な基材はガラスと耐熱性の高い一部の
フィルムに限定されていた。本発明では、後述の還元処
理により導電性を向上させ、ひいては成膜時の熱処理温
度を広汎なフィルム基材に対応可能なレベルまで下げる
ことが可能となった。
【００４５】また、パターン状に塗布する場合、グラビ
ア印刷法、オフセット印刷法、活版印刷法インクジェッ
ト法などの印刷法などにすることでパターニングするこ
とができる。また、パターニングにより微細な網目構造
にすることにより、透明導電膜とすることもできし、プ
リント配線体のようなパターン状導電膜とすることもで
きる。
ア印刷法、オフセット印刷法、活版印刷法インクジェッ
ト法などの印刷法などにすることでパターニングするこ
とができる。また、パターニングにより微細な網目構造
にすることにより、透明導電膜とすることもできし、プ
リント配線体のようなパターン状導電膜とすることもで
きる。
【００４６】また、塗布する際、膜厚を制御することで
透明導電膜とすることができる。例えば、前記前駆導電
層は導電性微粒子としてＡｇなどの金属を用いた場合、
膜厚を１０〜２０ｎｍ程度にすることで、その後の処理
により透明な導電層が得られる。また、透明な導電膜と
する場合、膜全体の可視光域の光線透過率が５０％以
上、好ましくは７０％以上であるとよい。
透明導電膜とすることができる。例えば、前記前駆導電
層は導電性微粒子としてＡｇなどの金属を用いた場合、
膜厚を１０〜２０ｎｍ程度にすることで、その後の処理
により透明な導電層が得られる。また、透明な導電膜と
する場合、膜全体の可視光域の光線透過率が５０％以
上、好ましくは７０％以上であるとよい。
【００４７】［還元処理工程］前記前駆導電層３ａの還
元処理は以下の３種類に大きく分類される。 １）熱処理による還元 ２）還元剤を用いた還元 ３）紫外線処理による還元 前述のバインダ種、金属イオン種等の各種条件において
より好適な方法が、選択的にあるいは組み合わせて用い
られる。還元処理により前駆透明導電層３ａ中で還元析
出した金属３３は、導電性微粒子３１間の導通パスとし
て作用する結果、微粒子間の粒界抵抗が減少し導電性を
向上させる。以下に、前記各種還元処理について説明す
る。
元処理は以下の３種類に大きく分類される。 １）熱処理による還元 ２）還元剤を用いた還元 ３）紫外線処理による還元 前述のバインダ種、金属イオン種等の各種条件において
より好適な方法が、選択的にあるいは組み合わせて用い
られる。還元処理により前駆透明導電層３ａ中で還元析
出した金属３３は、導電性微粒子３１間の導通パスとし
て作用する結果、微粒子間の粒界抵抗が減少し導電性を
向上させる。以下に、前記各種還元処理について説明す
る。
【００４８】熱処理による還元は、大気中あるいは還元
性雰囲気下で前駆導電層を加熱保持することにより行わ
れる。処理温度は各種フィルム基材の耐熱性の観点から
１５０℃以下が好ましく、特に１２０℃以下が好まし
い。系によっては、熱処理によるゲル収縮に伴うシネレ
シスにより金属が前駆導電層の表面にブリードアウトす
る場合があるが、熱処理前に前駆導電層をモノエチルア
ミン等のアミン化合物の蒸気に曝すことにより防ぐこと
が可能である。
性雰囲気下で前駆導電層を加熱保持することにより行わ
れる。処理温度は各種フィルム基材の耐熱性の観点から
１５０℃以下が好ましく、特に１２０℃以下が好まし
い。系によっては、熱処理によるゲル収縮に伴うシネレ
シスにより金属が前駆導電層の表面にブリードアウトす
る場合があるが、熱処理前に前駆導電層をモノエチルア
ミン等のアミン化合物の蒸気に曝すことにより防ぐこと
が可能である。
【００４９】還元剤を用いた還元は、還元剤を含む蒸気
あるいは還元剤を含む溶液に前駆導電層を曝すことで行
われる。本発明のバインダは金属アルコキシドから形成
される多孔質アルコキシゲルであるため、還元剤はバイ
ンダ中を拡散し前駆導電層中の金属イオンを還元するこ
とが可能である。還元剤は、特に限定されるものではな
く、例えばヒドラジンやホルムアルデヒド、ヒドロキシ
ルアミン等を用いることができる。
あるいは還元剤を含む溶液に前駆導電層を曝すことで行
われる。本発明のバインダは金属アルコキシドから形成
される多孔質アルコキシゲルであるため、還元剤はバイ
ンダ中を拡散し前駆導電層中の金属イオンを還元するこ
とが可能である。還元剤は、特に限定されるものではな
く、例えばヒドラジンやホルムアルデヒド、ヒドロキシ
ルアミン等を用いることができる。
【００５０】紫外線による還元は、前駆導層に紫外線を
照射することで行われる。紫外線の光源としては、特に
限定されるものではなく、高圧水銀灯、低圧水銀灯、超
高圧水銀灯、メタルハライドランプ、カーボンアーク、
キセノンアーク、エキシマランプ、エキシマレーザ、等
を用いることが可能であるが、波長がより短い低圧水銀
灯、エキシマランプ、エキシマレーザが好ましい。紫外
線照射強度や照射時間等の照射条件は、前駆導電層の組
成および成膜条件などにより適宜決定される。また、紫
外線による還元においては、還元反応を進行させるため
に、光塩基発生剤を併用することが好ましい系も存在す
る。光塩基発生剤とは、紫外線等の光照射による光分解
あるいは加水分解により、アミンやヒドラジン誘導体等
の塩基を発生する化合物であり、例えば、アシルオキシ
ム、カルバモイルオキシム、フルオレノンオキシム誘導
体、ベンゾフェノンオキシム誘導体が挙げられる。光塩
基発生剤は、特に限定されるものではなく、各系におい
て適宜好適なものが用いられる。
照射することで行われる。紫外線の光源としては、特に
限定されるものではなく、高圧水銀灯、低圧水銀灯、超
高圧水銀灯、メタルハライドランプ、カーボンアーク、
キセノンアーク、エキシマランプ、エキシマレーザ、等
を用いることが可能であるが、波長がより短い低圧水銀
灯、エキシマランプ、エキシマレーザが好ましい。紫外
線照射強度や照射時間等の照射条件は、前駆導電層の組
成および成膜条件などにより適宜決定される。また、紫
外線による還元においては、還元反応を進行させるため
に、光塩基発生剤を併用することが好ましい系も存在す
る。光塩基発生剤とは、紫外線等の光照射による光分解
あるいは加水分解により、アミンやヒドラジン誘導体等
の塩基を発生する化合物であり、例えば、アシルオキシ
ム、カルバモイルオキシム、フルオレノンオキシム誘導
体、ベンゾフェノンオキシム誘導体が挙げられる。光塩
基発生剤は、特に限定されるものではなく、各系におい
て適宜好適なものが用いられる。
【００５１】なお、上記のいずれの還元処理において
も、金属イオンの還元析出は多孔質アルコキシゲルの微
細孔中で生じるため、析出する金属の形態は、還元条件
のみならずバインダ組成および成膜条件に大きく依存す
る。すなわち、バインダ組成・前駆導電層の成膜条件に
より金属の形態を制御の可能性を示唆するものであり、
例えば、特異なアスペクト比を有する金属を析出させる
ことで、導電性を効果的に向上させることができる。
も、金属イオンの還元析出は多孔質アルコキシゲルの微
細孔中で生じるため、析出する金属の形態は、還元条件
のみならずバインダ組成および成膜条件に大きく依存す
る。すなわち、バインダ組成・前駆導電層の成膜条件に
より金属の形態を制御の可能性を示唆するものであり、
例えば、特異なアスペクト比を有する金属を析出させる
ことで、導電性を効果的に向上させることができる。
【００５２】また、本発明の導電膜はエレクトロルミネ
ッセンスディスプレイ、プラズマディスプレイ、液晶デ
ィスプレイ、ブラウン管ディスプレイなどの各種ディス
プレイの電極として用いることができる。
ッセンスディスプレイ、プラズマディスプレイ、液晶デ
ィスプレイ、ブラウン管ディスプレイなどの各種ディス
プレイの電極として用いることができる。
【００５３】
【実施例】以下、本発明を、透明導電膜として用いた例
により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に
よって制限されるものではない。まず、各実施例および
比較例に共通な溶液の調製方法および各種評価方法につ
いて示す。
により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に
よって制限されるものではない。まず、各実施例および
比較例に共通な溶液の調製方法および各種評価方法につ
いて示す。
【００５４】［Ａｇ微粒子分散液の調製］硫酸第一鉄７
水和物１１ｇ、クエン酸ナトリウム２水和物１２．８
ｇ、水酸化ナトリウム０．５ｇを蒸留水に溶解させた溶
液５３ｇに、硝酸銀２ｇを蒸留水に溶解させた溶液２０
ｇを加え、コロイド状銀微粒子を生成させた。生成した
銀微粒子を遠心分離により回収し、硝酸アンモニウム水
溶液で洗浄し不純物を除去した後、蒸留水に再分散さ
せ、Ａｇ微粒子分散液（Ａｇ濃度＝４重量％）を得た。
水和物１１ｇ、クエン酸ナトリウム２水和物１２．８
ｇ、水酸化ナトリウム０．５ｇを蒸留水に溶解させた溶
液５３ｇに、硝酸銀２ｇを蒸留水に溶解させた溶液２０
ｇを加え、コロイド状銀微粒子を生成させた。生成した
銀微粒子を遠心分離により回収し、硝酸アンモニウム水
溶液で洗浄し不純物を除去した後、蒸留水に再分散さ
せ、Ａｇ微粒子分散液（Ａｇ濃度＝４重量％）を得た。
【００５５】［透明導電膜の評価］
（表面抵抗率）三菱化学（株）製 ロレスタＡＰ（ＭＣ
Ｐ−Ｔ４００）を用い４端針法にて測定を行った。 （透過率）（株）村上色彩技術研究所製 反射・透過率
計（ＨＲ−１００）を用い測定を行った。各実施例およ
び比較例の評価結果は全て表１に示した。
Ｐ−Ｔ４００）を用い４端針法にて測定を行った。 （透過率）（株）村上色彩技術研究所製 反射・透過率
計（ＨＲ−１００）を用い測定を行った。各実施例およ
び比較例の評価結果は全て表１に示した。
【００５６】＜実施例１＞
（バインダ形成溶液の調製）テトラエトキシシラン４．
１６ｇ、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン
４．１９ｇ、Ｎ−（β−アミノエチル）−γ−アミノプ
ロピルトリメトキシシラン３．４０ｇに、０．１Ｎ塩酸
６．８ｇを添加し加水分解を行った後、エタノールを添
加し、濃度がシリカ換算で４重量％のバインダ形成溶液
を調製した。 （前駆導電層形成用塗布液の調製）前駆導電層形成用の
塗布液として下記からなる組成物を調製した。 Ａｇ微粒子分散液 ２０ｇ エタノール ２０ｇ 硝酸銀 ０．０３ｇ バインダ形成溶液 １ｇ （前駆導電層の形成）前記塗布液をスピンコータを用い
ガラス基材に塗布（１５０ｒｐｍ−３０秒）した後、乾
燥熱処理（６０℃−５分）を行い、前駆導電層を形成し
た。 （還元処理）前記前導電層の熱処理による還元処理（１
２０℃−３０分、大気中）を行い、導電層を得、実施例
１の透明導電膜とした。
１６ｇ、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン
４．１９ｇ、Ｎ−（β−アミノエチル）−γ−アミノプ
ロピルトリメトキシシラン３．４０ｇに、０．１Ｎ塩酸
６．８ｇを添加し加水分解を行った後、エタノールを添
加し、濃度がシリカ換算で４重量％のバインダ形成溶液
を調製した。 （前駆導電層形成用塗布液の調製）前駆導電層形成用の
塗布液として下記からなる組成物を調製した。 Ａｇ微粒子分散液 ２０ｇ エタノール ２０ｇ 硝酸銀 ０．０３ｇ バインダ形成溶液 １ｇ （前駆導電層の形成）前記塗布液をスピンコータを用い
ガラス基材に塗布（１５０ｒｐｍ−３０秒）した後、乾
燥熱処理（６０℃−５分）を行い、前駆導電層を形成し
た。 （還元処理）前記前導電層の熱処理による還元処理（１
２０℃−３０分、大気中）を行い、導電層を得、実施例
１の透明導電膜とした。
【００５７】＜実施例２＞
（バインダ形成溶液の調製）実施例１と同様にバインダ
形成溶液を調製した。 （前駆透明導電層形成用塗布液の調製）前駆導電層形成
用の塗布液として下記からなる組成物を調製した。 ＩＴＯ微粒子分散液（三菱マテリアル製、固形分１５％） ５．３ｇ 蒸留水 １４．７ｇ エタノール ２０ｇ 硝酸銀 ０．０３ｇ バインダ形成溶液 １ｇ （前駆導電層の形成）前記塗布液を用い、実施例１と同
様に前駆導電層を形成した。 （還元処理）実施例１と同様の方法で前記前駆導電層の
還元処理を行い、導電層を得、実施例２の透明導電膜と
した。
形成溶液を調製した。 （前駆透明導電層形成用塗布液の調製）前駆導電層形成
用の塗布液として下記からなる組成物を調製した。 ＩＴＯ微粒子分散液（三菱マテリアル製、固形分１５％） ５．３ｇ 蒸留水 １４．７ｇ エタノール ２０ｇ 硝酸銀 ０．０３ｇ バインダ形成溶液 １ｇ （前駆導電層の形成）前記塗布液を用い、実施例１と同
様に前駆導電層を形成した。 （還元処理）実施例１と同様の方法で前記前駆導電層の
還元処理を行い、導電層を得、実施例２の透明導電膜と
した。
【００５８】＜実施例３＞
（バインダ形成溶液の調製）アルミニウムトリブトキシ
ド１２．３ｇのエタノール溶液に、０．１Ｎ塩酸５．１
ｇを添加し加水分解を行った後、エタノールを添加し、
濃度がアルミナ換算で４重量％のバインダ形成溶液を調
製した。 （前駆導電層形成用塗布液の調製）前駆導電層形成用の
塗布液として下記からなる組成物を調製した。 Ａｇ微粒子分散液 ２０ｇ エタノール ２０ｇ 塩化金酸４水和物 ０．０２ｇ バインダ形成溶液 １ｇ （前駆導電層の形成）前記塗布液をスピンコータを用い
ガラス基材に塗布（１５０ｒｐｍ−３０秒）した後、乾
燥熱処理（１２０℃−３０分）を行い前駆導電層を形成
した。 （還元処理）前駆透明導電層をヒドラジンのエタノール
溶液（５重量％）に室温で３０分浸漬することで還元処
理を行い、導電層を得、実施例３の透明導電膜とした。
ド１２．３ｇのエタノール溶液に、０．１Ｎ塩酸５．１
ｇを添加し加水分解を行った後、エタノールを添加し、
濃度がアルミナ換算で４重量％のバインダ形成溶液を調
製した。 （前駆導電層形成用塗布液の調製）前駆導電層形成用の
塗布液として下記からなる組成物を調製した。 Ａｇ微粒子分散液 ２０ｇ エタノール ２０ｇ 塩化金酸４水和物 ０．０２ｇ バインダ形成溶液 １ｇ （前駆導電層の形成）前記塗布液をスピンコータを用い
ガラス基材に塗布（１５０ｒｐｍ−３０秒）した後、乾
燥熱処理（１２０℃−３０分）を行い前駆導電層を形成
した。 （還元処理）前駆透明導電層をヒドラジンのエタノール
溶液（５重量％）に室温で３０分浸漬することで還元処
理を行い、導電層を得、実施例３の透明導電膜とした。
【００５９】＜実施例４＞
（バインダ形成溶液の調製）チタニウムテトライソプロ
ポキシド１４．２ｇ、ジエタノールアミン５．３ｇのイ
ソプロパノール溶液に、０．１Ｎ塩酸３．４ｇを添加し
加水分解を行った後、イソプロパノールを添加し、濃度
がチタニア換算で４重量％のバインダ形成溶液を調製し
た。 （前駆導電層形成用塗布液の調製）前駆導電層形成用の
塗布液として下記からなる組成物を調製した。 Ａｇ微粒子分散液 ２０ｇ エタノール ２０ｇ 硝酸銀 ０．０３ｇ バインダ形成溶液 １ｇ （前駆導電層の形成）前記塗布液を用い、実施例３と同
様に前駆導電層を形成した。 （還元処理）前駆導電層をホルムアルデヒド蒸気に室温
で３０分間曝すことで還元処理を行い、導電層を得、実
施例４の透明導電膜とした。
ポキシド１４．２ｇ、ジエタノールアミン５．３ｇのイ
ソプロパノール溶液に、０．１Ｎ塩酸３．４ｇを添加し
加水分解を行った後、イソプロパノールを添加し、濃度
がチタニア換算で４重量％のバインダ形成溶液を調製し
た。 （前駆導電層形成用塗布液の調製）前駆導電層形成用の
塗布液として下記からなる組成物を調製した。 Ａｇ微粒子分散液 ２０ｇ エタノール ２０ｇ 硝酸銀 ０．０３ｇ バインダ形成溶液 １ｇ （前駆導電層の形成）前記塗布液を用い、実施例３と同
様に前駆導電層を形成した。 （還元処理）前駆導電層をホルムアルデヒド蒸気に室温
で３０分間曝すことで還元処理を行い、導電層を得、実
施例４の透明導電膜とした。
【００６０】＜実施例５＞
（バインダ形成溶液の調製）テトラエトキシシラン５．
２ｇ、Ｎ−（β−アミノエチル）−γ−アミノプロピル
トリエトキシシラン６．７ｇに、０．１Ｎ塩酸６．８ｇ
を添加し加水分解を行った後、エタノールを添加し、濃
度がシリカ換算で４重量％のバインダ形成溶液を調製し
た。 （前駆導電層形成用塗布液の調製）前駆導電層形成用の
塗布液として下記からなる組成物を調製した。 Ａｇ微粒子分散液 ２０ｇ エタノール ２０ｇ 塩化金酸４水和物 ０．０２ｇ バインダ形成溶液 １ｇ （前駆導電層の形成）前記塗布液を用い、実施例３と同
様に前駆導電層を形成した。 （還元処理）前駆導電層の紫外線照射（低圧水銀灯：２
５４ｎｍ、２ｍＪ／ｃｍ2）による還元処理を行い、導
電層を得、実施例５の透明導電膜とした。
２ｇ、Ｎ−（β−アミノエチル）−γ−アミノプロピル
トリエトキシシラン６．７ｇに、０．１Ｎ塩酸６．８ｇ
を添加し加水分解を行った後、エタノールを添加し、濃
度がシリカ換算で４重量％のバインダ形成溶液を調製し
た。 （前駆導電層形成用塗布液の調製）前駆導電層形成用の
塗布液として下記からなる組成物を調製した。 Ａｇ微粒子分散液 ２０ｇ エタノール ２０ｇ 塩化金酸４水和物 ０．０２ｇ バインダ形成溶液 １ｇ （前駆導電層の形成）前記塗布液を用い、実施例３と同
様に前駆導電層を形成した。 （還元処理）前駆導電層の紫外線照射（低圧水銀灯：２
５４ｎｍ、２ｍＪ／ｃｍ2）による還元処理を行い、導
電層を得、実施例５の透明導電膜とした。
【００６１】＜実施例６＞
（バインダ形成溶液の調製）テトラエトキシシラン１
０．４ｇに、０．１Ｎ塩酸６．８ｇを添加し加水分解を
行った後、エタノールを添加し、濃度がシリカ換算で４
重量％のバインダ形成溶液を調製した。 （前駆導電層形成用塗布液の調製）前駆導電層形成用の
塗布液として下記からなる組成物を調製した。 Ａｇ微粒子分散液 ２０ｇ エタノール ２０ｇ 硝酸銀 ０．０３ｇ バインダ形成溶液 １ｇ Ｃ6Ｈ5ＣＨ2ＣＯＯＮ＝Ｃ（ＣＨ2）Ｃ6Ｈ5 ０．００１ｇ （前駆導電層の形成）前記塗布液を用い、実施例３と同
様に前駆導電層を形成した。 （還元処理）実施例５と同様の方法で前記前駆導電層の
還元処理を行い、導電層を得、実施例５の透明導電膜と
した。
０．４ｇに、０．１Ｎ塩酸６．８ｇを添加し加水分解を
行った後、エタノールを添加し、濃度がシリカ換算で４
重量％のバインダ形成溶液を調製した。 （前駆導電層形成用塗布液の調製）前駆導電層形成用の
塗布液として下記からなる組成物を調製した。 Ａｇ微粒子分散液 ２０ｇ エタノール ２０ｇ 硝酸銀 ０．０３ｇ バインダ形成溶液 １ｇ Ｃ6Ｈ5ＣＨ2ＣＯＯＮ＝Ｃ（ＣＨ2）Ｃ6Ｈ5 ０．００１ｇ （前駆導電層の形成）前記塗布液を用い、実施例３と同
様に前駆導電層を形成した。 （還元処理）実施例５と同様の方法で前記前駆導電層の
還元処理を行い、導電層を得、実施例５の透明導電膜と
した。
【００６２】＜比較例１〜６＞実施例１〜６における前
駆導電層形成用の塗布液の各種金属塩を除いた塗布液
を、それぞれ実施例１〜６の前駆導電層の形成と同様の
方法で成膜したものを、それぞれ比較例１〜６の透明導
電膜とした。
駆導電層形成用の塗布液の各種金属塩を除いた塗布液
を、それぞれ実施例１〜６の前駆導電層の形成と同様の
方法で成膜したものを、それぞれ比較例１〜６の透明導
電膜とした。
【００６３】
【表１】
【００６４】［評価結果］表１に示された結果から明ら
かなように、本発明で得られた透明導電膜は、前駆導電
層中に導入した金属イオンを様々な方法で還元処理する
こで、透明性が若干減少するものの導電性が著しく改善
することが認められる。
かなように、本発明で得られた透明導電膜は、前駆導電
層中に導入した金属イオンを様々な方法で還元処理する
こで、透明性が若干減少するものの導電性が著しく改善
することが認められる。
【００６５】
【発明の効果】本発明の導電膜は、還元処理により、金
属イオンが導電性微粒子間に金属として析出し、導通パ
スとして導電性の向上に寄与するため、導電性向上のた
め従来必要であった高温での熱処理が不要であり、耐熱
性に乏しいフィルム基材を含む広汎な基材に対応可能で
ある。また、導電性微粒子、膜厚の制御により透明導電
膜とすることができる。また、前駆導電層をパターニン
グすることで、プリント配線体などのパターン状導電膜
とすることができる。
属イオンが導電性微粒子間に金属として析出し、導通パ
スとして導電性の向上に寄与するため、導電性向上のた
め従来必要であった高温での熱処理が不要であり、耐熱
性に乏しいフィルム基材を含む広汎な基材に対応可能で
ある。また、導電性微粒子、膜厚の制御により透明導電
膜とすることができる。また、前駆導電層をパターニン
グすることで、プリント配線体などのパターン状導電膜
とすることができる。
【００６６】
【図１】本発明の還元処理前の一実施例を示す層構成図
である。
である。
【図２】本発明の還元処理後の一実施例を示す層構成図
である。
である。
１ 基材
２ 透明導電膜
３ 導電層
３ａ 前駆導電層
３１ 導電性微粒子
３２ バインダ
３３ 金属
３３ａ 金属イオン
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2H092 GA11 GA31 GA64 HA04 HA11
MA10 MA12 MA13 MA37 NA27
NA28 PA01
4M104 BB02 BB04 BB06 BB07 BB08
BB09 BB36 DD51 DD78 DD81
DD86 GG05
5G307 FA01 FA02 FB01 FB02 FC03
5G323 BA01 BA02 BA05 BB02 BC01
BC02
Claims (25)
- 【請求項１】少なくとも導電性微粒子とバインダと金属
イオンとを含む前駆導電層を還元処理した導電層を有す
ることを特徴とする導電膜。 - 【請求項２】前記導電性微粒子が金属微粒子および／ま
たは導電性酸化物微粒子であることを特徴とする請求項
１記載の導電膜。 - 【請求項３】前記金属微粒子がＡｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃ
ｕ，Ｐｄ，Ｐｔのいずれか、あるいはそれらの２種類以
上の組み合わせまたは合金であることを特徴とする請求
項２記載の導電膜。 - 【請求項４】前記導電性酸化物微粒子が酸化錫、アンチ
モン錫酸化物またはインジウム錫酸化物から選択された
一種類以上を含むことを特徴とする請求項２または３記
載の導電膜。 - 【請求項５】前記バインダがＳｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｚｒの
各種アルコキシドから選択された一種類以上を出発物質
として形成されたものであることを特徴とする請求項１
〜４のいずれかに記載の導電膜。 - 【請求項６】前記金属イオンがＡｇイオン，Ａｕイオ
ン，Ｐｄイオン，Ｐｔイオンから選択される一種類以上
を含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載
の導電膜。 - 【請求項７】前記前駆導電層がさらに光塩基発生剤を含
むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の導
電膜。 - 【請求項８】前記導電層が透明であり、かつ導電膜全体
の可視光域の光線透過率が５０％以上であることを特徴
とする請求項１〜７のいずれかに記載の導電膜。 - 【請求項９】少なくとも導電層を有する導電膜の製造方
法において、少なくとも導電性微粒子とバインダと金属
イオンを含む前駆導電層を還元処理し、導電層を形成す
ることを特徴とする導電膜の製造方法。 - 【請求項１０】前記前駆導電層が、導電性微粒子とバイ
ンダ形成物質と金属イオンを少なくとも含む塗布液を基
材に塗布乾燥した後、熱処理を行い形成されることを特
徴とする請求項９記載の導電膜の製造方法。 - 【請求項１１】前記導電層が、導電性微粒子を少なくと
も含む塗布液を基材に塗布し、続いて該塗布面上にバイ
ンダ形成物質を少なくとも含む塗布液を塗布乾燥した
後、熱処理を行い形成され、かつ該各塗布液のうち少な
くとも一つが金属イオンを含むことを特徴とする請求項
９記載の導電膜の製造方法。 - 【請求項１２】前記熱処理温度が１５０℃以下であるこ
とを特徴とする請求項１０または１１記載の導電膜の製
造方法。 - 【請求項１３】前記導電性微粒子が金属微粒子および／
または導電性酸化物微粒子であることを特徴とする請求
項９〜１２のいずれかに記載の導電膜の製造方法。 - 【請求項１４】前記金属微粒子がＡｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃ
ｕ，Ｐｄ，Ｐｔのいずれか、あるいはそれらの２種類以
上の組み合わせまたは合金であることを特徴とする請求
項１３記載の導電膜の製造方法。 - 【請求項１５】前記導電性酸化物微粒子が酸化錫、アン
チモン錫酸化物またはインジウム錫酸化物から選択され
た一種類以上を含むことを特徴とする請求項１３または
１４記載の導電膜の製造方法。 - 【請求項１６】前記バインダがＳｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｚｒ
の各種アルコキシドから選択された一種類以上を出発物
質として形成されたものであることを特徴とする請求項
９〜１５のいずれかに記載の導電膜の製造方法。 - 【請求項１７】前記バインダ形成物質がＳｉ，Ａｌ，Ｔ
ｉ，Ｚｒの各種アルコキシドおよびそれらの加水分解物
から選択された一種類以上であることを特徴とする請求
項１０〜１６のいずれかに記載の導電膜の製造方法。 - 【請求項１８】前記金属イオンがＡｇイオン，Ａｕイオ
ン，Ｐｄイオン，Ｐｔイオンから選択される一種類以上
を含むことを特徴とする請求項９〜１７のいずれかに記
載の導電膜の製造方法。 - 【請求項１９】前記還元処理が、前記前駆導電層の熱処
理工程を含むことを特徴とする請求項９〜１８のいずれ
かに記載の導電膜の製造方法。 - 【請求項２０】前記還元処理が前記前駆導電層の還元剤
処理工程を含むことを特徴とする請求項９〜１９のいず
れかに記載の導電膜の製造方法。 - 【請求項２１】前記還元剤処理工程が前記前駆導電層を
還元剤溶液に浸漬する操作を含むことを特徴とする請求
項２０記載の導電膜の製造方法。 - 【請求項２２】前記還元剤処理工程が前記前駆導電層を
還元剤を含む蒸気に曝す操作を含むことを特徴とする請
求項２０記載の導電膜の製造方法。 - 【請求項２３】前記還元処理が前記前駆導電層に紫外線
を照射する工程を含むことを特徴とする請求項９〜２２
のいずれかに記載の導電膜の製造方法。 - 【請求項２４】前記前駆導電層が光塩基発生剤を含むこ
とを特徴とする請求項２３記載の導電膜の製造方法。 - 【請求項２５】前記導電層が透明であり、かつ膜全体の
可視光域の光線透過率が５０％以上であることを特徴と
する請求項９〜２４のいずれかに記載の導電膜の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002060115A JP2003151362A (ja) | 2001-08-31 | 2002-03-06 | 導電膜および導電膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001264146 | 2001-08-31 | ||
| JP2001-264146 | 2001-08-31 | ||
| JP2002060115A JP2003151362A (ja) | 2001-08-31 | 2002-03-06 | 導電膜および導電膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003151362A true JP2003151362A (ja) | 2003-05-23 |
Family
ID=26621434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002060115A Pending JP2003151362A (ja) | 2001-08-31 | 2002-03-06 | 導電膜および導電膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003151362A (ja) |
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-
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- 2002-03-06 JP JP2002060115A patent/JP2003151362A/ja active Pending
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