JP2007035471A - 導電膜または配線の製法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 導電性酸化物粉を液状媒体に分散させた分散液またはペースト中に200nm以下の金属粒子を分散配合し,この分散液またはペーストを基板に塗布し,次いで電磁波を照射して該分散液またはペースト中の粒子を焼結する導電膜または配線の製法である。また,導電性酸化物粉を液状媒体に分散させた分散液またはペースト中に50nm以下の金属粒子を分散配合し,この分散液またはペーストを基板に塗布し,次いで400℃以下の温度で熱処理して該分散液またはペースト中の粒子を焼結する導電膜または配線の製法である。
【選択図】 なし
Description
あることが基本的に求められている。しかし,種々の要因により,その抵抗を低域まで低下させるには導電性酸化物の種類に応じてそれぞれ限界がある。本発明はこの限界を超えて,簡易に透明導電膜や配線の抵抗を低下させることを目的としたものである。またITO粒子を焼結させるためには一般に400℃以上の加熱が必要であり、フィルム上へ塗布したITO粒子の焼結は不可能であった。本発明はこれを可能とすることも目的の一つとする。
ができる。
ことも出来る。オーバーコート層は膜強度向上、耐候性、反射低減、導電率向上などの目的で、用途に応じ用いられる。
比表面積(g/m2):BET法(一点法)によって求めた。
平均粒径(nm):TEM写真中の200個の径をノギスで測定し,倍率換算してその平均値を求めた。
BET粒径(nm):下式を用いた求めた。
BET粒径(nm)=6/(ρ×BET法による比表面積)×109
ただし,ρは真比重(g/m3)である。例えばITOの場合の真比重ρは7.13×109g/m3の値を用いた。
シート抵抗:三菱化学株式会社製のLoresta HPを用いて四探針方式により測定した。
光透過率:日本電色工業株式会社製のNDH2000 を用いて全光透過率をJIS7361−1の規格に準拠した方法で測定した。
SnO2を15%含有したITO粉末(BET粒径30nm)5gと,混合溶剤(エタノール:プロパノール=7:3)20gと,アニオン系分散剤0.25gとを,遊星ボールミル(フリッチェ製P−5型、容器容量80mL,PSZ0.3mmボール) に入れ、回転数300rpmで30分間回転させた。得られた分散液にエタノールを加えて、ITO粉末の含有量=2%,残部がエタノールおよびプロパノールからなる塗料を作製した。
フィルム基板上に塗料を塗布するまでは前記の対照例1と同様に行った。得られた塗膜付きのフィルム基板を電気炉に入れて200℃×1時間の熱処理を行なった。熱処理合金の塗膜の抵抗値は800Ω/ □、透明度は85%であり,対照例2のものと殆んど変化はなかった。
まず,下記の方法で銀ナノ粒子の分散液を製造した。すなわち,溶媒兼還元剤としてイソブタノール(和光純薬株式会社製の特級)140mLに,有機保護材としてオレイルアミン(和光純薬株式会社製のMw=267)186mLと,銀化合物としての硝酸銀結晶( 関東化学株式会社製)19gと添加し、マグネットスターラーにて撹拌して硝酸銀を溶解させる。これらの溶液を還流器のついた容器に移してオイルバスに載せ、容器内に不活性ガスとしてN2を吹き込みながら、いずれも100℃の温度で還流を行った後,108℃迄温度を上げて再び還流し、反応を終了した。
実施例1と同様の液相法で,平均粒径が10nm,50nm,100nmおよび200nmの銀粒子の分散液を製造し,これらの分散液と対照例1で用いたITO粉末とを,いずれも銀含有量が0.1wt%となる量でケロシンに分散させて,銀粒子の平均粒径10nm(実施例2−1),50nm(実施例2−2),100nm(実施例2−3)および200nm(実施例2−4)の4種の複合分散液を作製し,これらの複合分散液から塗料を作製し,実施例1と同様の条件でマイクロ波を照射した。得られた各導電膜の膜抵抗と光透過率を測定し,その結果を表1に示した。
使用したITO粉末のBET粒径が8nmのもの(実施例3−1)と,84nmのもの(実施例3−2)であった以外は,実施例1−2を繰り返した。得られた各導電膜の膜抵抗と光透過率を測定し,その結果を表1に示した。
マイクロ波加熱に代えて,200℃×1時間の電気炉加熱を行なった以外は,実施例2−1と,実施例2−2を繰り返した。得られた各導電膜の膜抵抗と光透過率を測定し,その結果を表1に示した。
Claims (12)
- 導電性酸化物粉を液状媒体に分散させた分散液またはペースト中に200nm以下の金属粒子を分散配合し,この分散液またはペーストを基板に塗布し,次いで電磁波を照射して該分散液またはペースト中の粒子を焼結する導電膜または配線の製法。
- 電磁波は周波数が1GHz〜1THzのマイクロ波である請求項1に記載の導電膜または配線の製法。
- 導電性酸化物粉は,BET法による比表面積から計算される平均粒径が1nm以上200nm以下である請求項1または2に記載の導電膜または配線の製法。
- 導電性酸化物粉に対する金属粒子の割合は重量百分率で0.1%以上である請求項1,2または3に記載の導電膜または配線の製法。
- 導電性酸化物粉はスズ含有インジウムであり,金属粒子は銀である請求項1〜4のいずれかに記載の導電膜または配線の製法。
- 導電性酸化物粉を液状媒体に分散させた分散液またはペースト中に50nm以下の金属粒子を分散配合し,この分散液またはペーストを基板に塗布し,次いで400℃以下の温度で熱処理して該分散液またはペースト中の粒子を焼結する導電膜または配線の製法。
- 導電性酸化物粉は,BET法による比表面積から計算される平均粒径が1nm以上200nm以下である請求項6に記載の導電膜または配線の製法。
- 導電性酸化物粉に対する金属粒子の割合は重量百分率で0.1%以上である請求項6または7に記載の導電膜または配線の製法。
- 導電性酸化物粉はスズ含有インジウムであり,金属粒子は銀である請求項6〜8のいずれかに記載の導電膜または配線の製法。
- 基板が高分子フイルムである請求項1または9のいずれかに記載の導電膜または配線の製法。
- 導電性酸化物粉を液状媒体に分散させた分散液またはペーストにおいて、200nm以下の金属粒子を該導電性酸化物粉に対して0.1重量%以上配合したことを特徴とする分散液またはペースト。
- 導電性酸化物粉はスズ含有インジウムであり,金属粒子は銀である請求項11に記載の分散液またはペースト。
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