JP2005141981A - 結晶性ito膜、ito膜の結晶化方法、透明導電性フィルム、タッチパネル及び色素増感型太陽電池 - Google Patents
結晶性ito膜、ito膜の結晶化方法、透明導電性フィルム、タッチパネル及び色素増感型太陽電池 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005141981A JP2005141981A JP2003375806A JP2003375806A JP2005141981A JP 2005141981 A JP2005141981 A JP 2005141981A JP 2003375806 A JP2003375806 A JP 2003375806A JP 2003375806 A JP2003375806 A JP 2003375806A JP 2005141981 A JP2005141981 A JP 2005141981A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- ito film
- transparent conductive
- ito
- microwave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Hybrid Cells (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
【解決手段】高分子フィルム等の基材上に形成されたITO膜にマイクロ波を照射することにより、ITO膜を選択的に加熱して結晶化させる。マイクロ波であれば、ITO膜と高分子フィルム等の基材との吸収の差を利用して、高分子フィルム等の基材上に形成されたITO膜のみを選択的に加熱して結晶化させることができる。このため、基材が耐熱性の低い高分子フィルムであっても短時間の加熱でITO膜の結晶化が可能となり、摺動耐久性及び耐酸性に優れた透明導電性フィルムを実現することができる。この結晶性ITO膜が高分子フィルム上に形成された透明導電性フィルム。この透明導電性フィルムを備えるタッチパネル及び色素増感型太陽電池。
【選択図】図1
Description
マグネトロンDCスパッタ装置にITOターゲット(SnO2含有割合:5重量%)とSiターゲットをセットし、片面にUV系硬化型アクリル系ハードコート層が成膜された厚さ188μmのPETフィルムを真空チャンバーにセットし、ターボ分子ポンプで5×10−4Paまで排気した後、Arガスを160sccm、O2ガスを40sccmの流量で混合ガスとして導入し、0.5Paとなるように調整した。その後、Siターゲットに4kWの電力を印加し、PETフィルムのハードコート層成膜面と反対側の面に約50nmの膜厚のSiO2膜を成膜した。次いで、真空チャンパー内を再度排気した後、Arガスを197sccm、O2ガスを3sccmの流量で混合ガスとして導入し、0.5Paとなるように調整した後、ITOターゲットに4kWの電力を印加し、SiO2膜上に約30nmの膜厚のITO膜を成膜した。
透明導電フィルムの透明導電膜(被覆層)面側をマイクロドットスペーサ付のITOガラス基板と対向させてこれらを張り合わせ、透明導電フィルムのハードコート層形成面をポリアセタール樹脂製の入力ペン(先端部0.8R)を用い、250gfの荷重をかけて往復摺動筆記試験を行った。試験後、リニアリティ値の測定を行い、リニアリティ値が1.5%以下のものを良好、1.5%を超えるものを不良とした。また、外観を観察した。
実施例1において、マイクロ波の照射を行わなかったこと以外は同様にして透明導電性フィルムを作製し、この透明導電性フィルムについて、実施例1と同様にして表面抵抗値を測定すると共に摺動筆記試験を行い、結果を表1に示した。
マグネトロンDCスパッタ装置にITOターゲット(SnO2含有割合:5重量%)をセットし、真空チャンバーに厚さ188μmのPETフィルムをセットし、ターボ分子ポンプで5×10−4Paまで排気した後、Arガスを197sccm、O2ガスを3sccmの流量で混合ガスとして導入し、0.5Paとなるように調整した。その後、ITOターゲットに4kWの電力を印加し、PETフィルム上に約300nmの膜厚のITO膜を成膜した。
実施例2において、マイクロ波の照射を行わなかったこと以外は同様にして透明導電性フィルムを得、同様に耐酸性の評価を行って、結果を表2に示した。
2 透明導電膜
3 下部電極
4 高分子フィルム
5 透明導電膜
6 上部電極
7 スペーサ
8 ハードコート層
11 基板
12 透明導電膜
13 色素吸着半導体膜
13A,3B 半導体膜
14 色素増感型半導体電極
15 対向電極
16 電解質
17 スペーサ
Claims (25)
- 基材上に形成された結晶性ITO膜であって、該結晶性ITO膜は、基材上に形成されたITO膜にマイクロ波が照射されることにより選択的に加熱されて結晶化されたものであることを特徴とする結晶性ITO膜。
- 請求項1において、該基材が高分子フィルムであることを特徴とする結晶性ITO膜。
- 請求項2において、該高分子フィルムとITO膜との間に緩衝層が設けられていることを特徴とする結晶性ITO膜。
- 請求項3において、該緩衝層が珪素酸化物、珪素窒化物及び珪素酸窒化物よりなる群から選ばれる1種又は2種以上を主成分とすることを特徴とする結晶性ITO膜。
- 請求項1ないし4のいずれか1項において、該ITO膜は、スパッタリング又はイオンプレーティングにより成膜されたものであることを特徴とする結晶性ITO膜。
- 請求項1ないし5のいずれか1項において、該マイクロ波が300MHz〜300GHzのマイクロ波であることを特徴とする結晶性ITO膜。
- 請求項6において、該マイクロ波が2.45〜28GHzのマイクロ波であることを特徴とする結晶性ITO膜。
- 請求項1ないし7のいずれか1項において、該ITO膜のSnO2含有割合が10重量%以下であることを特徴とする結晶性ITO膜。
- 基材上に形成された非結晶性ITO膜にマイクロ波を照射して該ITO膜のみを選択的に加熱して結晶化させることを特徴とするITO膜の結晶化方法。
- 請求項9において、該基材が高分子フィルムであることを特徴とするITO膜の結晶化方法。
- 請求項10において、該高分子フィルムとITO膜との間に緩衝層が設けられていることを特徴とするITO膜の結晶化方法。
- 請求項11において、該緩衝層が珪素酸化物、珪素窒化物及び珪素酸窒化物よりなる群から選ばれる1種又は2種以上を主成分とすることを特徴とするITO膜の結晶化方法。
- 請求項9ないし12のいずれか1項において、該ITO膜は、スパッタリング又はイオンプレーティングにより成膜されたものであることを特徴とするITO膜の結晶化方法。
- 請求項9ないし13のいずれか1項において、該マイクロ波が300MHz〜300GHzのマイクロ波であることを特徴とするITO膜の結晶化方法。
- 請求項14において、該マイクロ波が2.45〜28GHzのマイクロ波であることを特徴とするITO膜の結晶化方法。
- 請求項9ないし15のいずれか1項において、該ITO膜のSnO2含有割合が10重量%以下であることを特徴とするITO膜の結晶化方法。
- 高分子フィルムと、該高分子フィルム上に形成された結晶性ITO膜とを備えてなる透明導電性フィルムであって、該結晶性ITO膜は、高分子フィルム上に形成されたITO膜にマイクロ波が照射されることにより選択的に加熱されて結晶化されたものであることを特徴とする透明導電性フィルム。
- 請求項17において、該高分子フィルムとITO膜との間に緩衝層が設けられていることを特徴とする透明導電性フィルム。
- 請求項18において、該緩衝層が珪素酸化物、珪素窒化物及び珪素酸窒化物よりなる群から選ばれる1種又は2種以上を主成分とすることを特徴とする透明導電性フィルム。
- 請求項17又は18において、該ITO膜は、スパッタリング又はイオンプレーティングにより成膜されたものであることを特徴とする透明導電性フィルム。
- 請求項17ないし20のいずれか1項において、該マイクロ波が300MHz〜300GHzのマイクロ波であることを特徴とする透明導電性フィルム。
- 請求項21において、該マイクロ波が2.45〜28GHzのマイクロ波であることを特徴とする透明導電性フィルム。
- 請求項17ないし22のいずれか1項において、該ITO膜のSnO2含有割合が10重量%以下であることを特徴とする透明導電性フィルム。
- 請求項17ないし23のいずれか1項に記載の透明導電性フィルムを備えることを特徴とするタッチパネル。
- 請求項17ないし23のいずれか1項に記載の透明導電性フィルムを備えることを特徴とする色素増感型太陽電池。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003375806A JP4438381B2 (ja) | 2003-11-05 | 2003-11-05 | 結晶性ito膜、ito膜の結晶化方法、透明導電性フィルム、タッチパネル及び色素増感型太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003375806A JP4438381B2 (ja) | 2003-11-05 | 2003-11-05 | 結晶性ito膜、ito膜の結晶化方法、透明導電性フィルム、タッチパネル及び色素増感型太陽電池 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005141981A true JP2005141981A (ja) | 2005-06-02 |
JP4438381B2 JP4438381B2 (ja) | 2010-03-24 |
Family
ID=34687068
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003375806A Expired - Fee Related JP4438381B2 (ja) | 2003-11-05 | 2003-11-05 | 結晶性ito膜、ito膜の結晶化方法、透明導電性フィルム、タッチパネル及び色素増感型太陽電池 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4438381B2 (ja) |
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007035471A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Dowa Holdings Co Ltd | 導電膜または配線の製法 |
JP2008085323A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-04-10 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 太陽電池用透明電極基板 |
WO2008114620A1 (ja) * | 2007-03-19 | 2008-09-25 | Asahi Glass Company, Limited | 導電体の製造方法 |
JP2008251529A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-10-16 | Nitto Denko Corp | 粘着剤層付き透明導電性フィルムおよびその製造方法 |
WO2010050575A1 (ja) | 2008-10-29 | 2010-05-06 | 富士フイルム株式会社 | 色素、これを用いた光電変換素子、光電気化学電池、および色素の製造方法 |
JP2010251704A (ja) * | 2009-04-17 | 2010-11-04 | Lg Display Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
EP2302650A2 (en) | 2009-09-28 | 2011-03-30 | Fujifilm Corporation | Method of producing photoelectric conversion element, photoelectric conversion element, and photoelectrochemical cell |
EP2306479A2 (en) | 2009-09-28 | 2011-04-06 | Fujifilm Corporation | Method of producing photoelectric conversion element, photoelectric conversion element, and photoelectrochemical cell |
US7939749B2 (en) | 2004-06-03 | 2011-05-10 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Solar cell and method of manufacturing the same |
JP2012043693A (ja) * | 2010-08-20 | 2012-03-01 | Nof Corp | 色素増感太陽電池用透明導電フィルム |
WO2012173192A1 (ja) * | 2011-06-17 | 2012-12-20 | 日東電工株式会社 | 導電性積層体、パターン配線付き透明導電性積層体、および光学デバイス |
JP2013016428A (ja) * | 2011-07-06 | 2013-01-24 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 絶縁部形成方法及び導電パターン形成基板の製造方法 |
JP2013054727A (ja) * | 2011-09-01 | 2013-03-21 | Tpk Touch Solutions (Xiamen) Inc | タッチオンレンズデバイス及びタッチオンレンズデバイスを製造するための方法 |
JP2013193440A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Sekisui Nano Coat Technology Co Ltd | 光透過性導電性フィルム、その製造方法及びその用途 |
JP2013193442A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Sekisui Nano Coat Technology Co Ltd | 光透過性導電性フィルム、その製造方法及びその用途 |
KR101315104B1 (ko) * | 2011-09-07 | 2013-10-07 | 전자부품연구원 | 극초단파를 이용한 ιτο 박막 제조 방법 |
JP2014154584A (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-25 | Toyoda Gosei Co Ltd | p型III族窒化物半導体の製造方法 |
JP2015522927A (ja) * | 2012-06-26 | 2015-08-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 電気化学デバイスのマイクロ波急速熱処理 |
KR20150114541A (ko) | 2013-02-06 | 2015-10-12 | 미쓰비시 쥬시 가부시끼가이샤 | 투명 적층 필름, 투명 도전성 필름 및 가스 배리어성 적층 필름 |
JP2016131221A (ja) * | 2015-01-15 | 2016-07-21 | 豊田合成株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
WO2017085933A1 (ja) * | 2015-11-18 | 2017-05-26 | 国立大学法人東北大学 | 薄膜の製造方法、薄膜材料の製造方法、垂直磁気記録層、複層膜基板及び磁気記録装置 |
US9828669B2 (en) | 2008-05-21 | 2017-11-28 | Applied Materials, Inc. | Microwave rapid thermal processing of electrochemical devices |
JP2019038208A (ja) * | 2017-08-28 | 2019-03-14 | 積水化学工業株式会社 | 積層体及び太陽電池並びに積層体及び太陽電池の製造方法 |
-
2003
- 2003-11-05 JP JP2003375806A patent/JP4438381B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7939749B2 (en) | 2004-06-03 | 2011-05-10 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Solar cell and method of manufacturing the same |
JP2007035471A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Dowa Holdings Co Ltd | 導電膜または配線の製法 |
JP2008085323A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-04-10 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 太陽電池用透明電極基板 |
JP2008251529A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-10-16 | Nitto Denko Corp | 粘着剤層付き透明導電性フィルムおよびその製造方法 |
WO2008114620A1 (ja) * | 2007-03-19 | 2008-09-25 | Asahi Glass Company, Limited | 導電体の製造方法 |
JP5133978B2 (ja) * | 2007-03-19 | 2013-01-30 | 旭硝子株式会社 | 導電体の製造方法 |
US9828669B2 (en) | 2008-05-21 | 2017-11-28 | Applied Materials, Inc. | Microwave rapid thermal processing of electrochemical devices |
EP2845882A2 (en) | 2008-10-29 | 2015-03-11 | Fujifilm Corporation | Dye, Photoelectric Conversion Element and Photoelectrochemical Cell |
WO2010050575A1 (ja) | 2008-10-29 | 2010-05-06 | 富士フイルム株式会社 | 色素、これを用いた光電変換素子、光電気化学電池、および色素の製造方法 |
JP2010251704A (ja) * | 2009-04-17 | 2010-11-04 | Lg Display Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
EP2302650A2 (en) | 2009-09-28 | 2011-03-30 | Fujifilm Corporation | Method of producing photoelectric conversion element, photoelectric conversion element, and photoelectrochemical cell |
EP2306479A2 (en) | 2009-09-28 | 2011-04-06 | Fujifilm Corporation | Method of producing photoelectric conversion element, photoelectric conversion element, and photoelectrochemical cell |
JP2012043693A (ja) * | 2010-08-20 | 2012-03-01 | Nof Corp | 色素増感太陽電池用透明導電フィルム |
JP2013001009A (ja) * | 2011-06-17 | 2013-01-07 | Nitto Denko Corp | 導電性積層体、パターン配線付き透明導電性積層体、および光学デバイス。 |
WO2012173192A1 (ja) * | 2011-06-17 | 2012-12-20 | 日東電工株式会社 | 導電性積層体、パターン配線付き透明導電性積層体、および光学デバイス |
US9674946B2 (en) | 2011-06-17 | 2017-06-06 | Nitto Denko Corporation | Conductive laminate, transparent conductive laminate with patterned wiring, and optical device |
JP2013016428A (ja) * | 2011-07-06 | 2013-01-24 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 絶縁部形成方法及び導電パターン形成基板の製造方法 |
JP2013054727A (ja) * | 2011-09-01 | 2013-03-21 | Tpk Touch Solutions (Xiamen) Inc | タッチオンレンズデバイス及びタッチオンレンズデバイスを製造するための方法 |
KR101315104B1 (ko) * | 2011-09-07 | 2013-10-07 | 전자부품연구원 | 극초단파를 이용한 ιτο 박막 제조 방법 |
JP2013193442A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Sekisui Nano Coat Technology Co Ltd | 光透過性導電性フィルム、その製造方法及びその用途 |
JP2013193440A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Sekisui Nano Coat Technology Co Ltd | 光透過性導電性フィルム、その製造方法及びその用途 |
JP2015522927A (ja) * | 2012-06-26 | 2015-08-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 電気化学デバイスのマイクロ波急速熱処理 |
JP2014154584A (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-25 | Toyoda Gosei Co Ltd | p型III族窒化物半導体の製造方法 |
KR20150114541A (ko) | 2013-02-06 | 2015-10-12 | 미쓰비시 쥬시 가부시끼가이샤 | 투명 적층 필름, 투명 도전성 필름 및 가스 배리어성 적층 필름 |
JP2016131221A (ja) * | 2015-01-15 | 2016-07-21 | 豊田合成株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
WO2017085933A1 (ja) * | 2015-11-18 | 2017-05-26 | 国立大学法人東北大学 | 薄膜の製造方法、薄膜材料の製造方法、垂直磁気記録層、複層膜基板及び磁気記録装置 |
JP2019038208A (ja) * | 2017-08-28 | 2019-03-14 | 積水化学工業株式会社 | 積層体及び太陽電池並びに積層体及び太陽電池の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4438381B2 (ja) | 2010-03-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4438381B2 (ja) | 結晶性ito膜、ito膜の結晶化方法、透明導電性フィルム、タッチパネル及び色素増感型太陽電池 | |
US20060234065A1 (en) | Transparent electroconductive substrate, dye-sensitized solar cell electrode, and dye-sensitized solar cell | |
EP1605479A2 (en) | Flexible dye-sentitized solar cell using conducting metal substrate | |
TWI390743B (zh) | Pigment for a dye-sensitized solar cell, an electrode for a dye-sensitized solar cell, and a method of manufacturing the same | |
US20070095390A1 (en) | Solar cell and manufacturing method thereof | |
JP4479221B2 (ja) | 薄膜の処理方法 | |
JP2003123859A (ja) | 有機色素増感型金属酸化物半導体電極及びこの半導体電極を有する太陽電池 | |
JP2008277019A (ja) | 光電気セルおよび該光電気セル用多孔質半導体膜形成用塗料 | |
JP4384389B2 (ja) | 金属酸化物半導体膜の形成方法、有機色素増感型金属酸化物半導体電極及びこの半導体電極を有する太陽電池 | |
JP2000285979A (ja) | 光増感型太陽光発電セル | |
JP4068993B2 (ja) | 透明導電性積層フィルム | |
Chang et al. | Atmospheric-pressure-plasma-jet particulate TiO2 scattering layer deposition processes for dye-sensitized solar cells | |
JP2002231326A (ja) | 光電変換素子及びその製造方法 | |
JP4665263B2 (ja) | 透明導電性フィルムおよびこれを用いたタッチパネル | |
JP2005071901A (ja) | 透明導電性積層フィルム | |
JP2004047261A (ja) | 光電極、光電極の製造方法および太陽電池 | |
KR20200041228A (ko) | Pdms 코팅된 기판을 이용한 인듐-주석 산화물의 솔-젤 기반 증착방법 | |
JP5135520B2 (ja) | 色素増感太陽電池 | |
JP2000214330A (ja) | 透明導電性偏光フィルム、タッチパネル及び液晶表示素子 | |
JP4085295B2 (ja) | ペン入力タッチパネル用透明導電性フィルムの製造方法、ペン入力透明タッチパネルおよび液晶表示素子 | |
JP4380214B2 (ja) | 色素増感型太陽電池の製造方法 | |
JP2002280087A (ja) | 光電極及びこれを備えた色素増感型太陽電池 | |
JP4284566B2 (ja) | 透明導電性フィルム、タッチパネルおよび液晶表示素子 | |
US20230096082A1 (en) | Electrochromic device including graphene electrodes, and method for making the same | |
JP2005228611A (ja) | 色素増感型太陽電池の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060613 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090729 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091013 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091119 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091215 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091228 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130115 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130115 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140115 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |