JP2014154584A - p型III族窒化物半導体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】pコンタクト層14上に、ITOからなる透明電極15を形成した。次に、pクラッド層13、pコンタクト層14のp型化、および透明電極15のアニールを、以下のようにして同時に行った。ウェハをマイクロ波加熱装置に導入し、窒素雰囲気でウェハに周波数5.8GHzのマイクロ波を照射して、3〜30分間、300〜450℃に加熱した。これにより、pクラッド層13、pコンタクト層14中のMgは活性化され、pクラッド層13、pコンタクト層14はp型化した。また同時に、透明電極15がアニールされて結晶性が向上し、低抵抗化、高透過率化した。
【選択図】図2
Description
実施例1、2では、p型不純物としてMgを用いたが、Mg以外にもZn、Be、Caなどを用いることもできる。
11:n型層
12:発光層
13:pクラッド層
14、24:pコンタクト層
15:透明電極
17:n電極
18:p電極
Claims (9)
- p型不純物がドープされたIII 族窒化物半導体を、窒素を含むガス雰囲気中でマイクロ波加熱し、p型不純物を活性化することにより、前記III 族窒化物半導体をp型化する、
ことを特徴とするp型III 族窒化物半導体の製造方法。 - 前記マイクロ波加熱をする前に、p型不純物がドープされた前記III 族窒化物半導体上に透明電極を形成し、
その後、前記マイクロ波加熱をすることによって、前記III 族窒化物半導体をp型化するとともに、前記透明電極をアニールする、
ことを特徴とする請求項1に記載のp型III 族窒化物半導体の製造方法。 - 前記III 族窒化物半導体へのp型不純物のドープは、p型不純物を供給しながらIII 族窒化物半導体を結晶成長させることにより行う、ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のp型III 族窒化物半導体の製造方法。
- 前記III 族窒化物半導体へのp型不純物のドープは、イオン注入により行う、ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のp型III 族窒化物半導体の製造方法。
- 前記マイクロ波加熱は、300〜450℃で行う、ことを特徴とする請求項3に記載のp型III 族窒化物半導体の製造方法。
- III 族窒化物半導体上に透明電極を形成後、そのIII 族窒化物半導体にp型不純物をイオン注入し、
その後、不活性ガス雰囲気中でマイクロ波加熱することによって、p型不純物を活性化して、前記III 族窒化物半導体をp型化するとともに、前記透明電極をアニールする、
ことを特徴とするp型III 族窒化物半導体の製造方法。 - 前記マイクロ波加熱は、400〜600℃で行う、ことを特徴とする請求項4または請求項6に記載のp型III 族窒化物半導体の製造方法。
- 前記窒素を含むガス雰囲気は、窒素雰囲気である、ことを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載のp型III 族窒化物半導体の製造方法。
- 前記マイクロ波加熱は、3〜30分間行う、ことを特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載のp型III 族窒化物半導体の製造方法。
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