JPH11238692A - 窒化物半導体の低抵抗化方法 - Google Patents
窒化物半導体の低抵抗化方法Info
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- JPH11238692A JPH11238692A JP3946298A JP3946298A JPH11238692A JP H11238692 A JPH11238692 A JP H11238692A JP 3946298 A JP3946298 A JP 3946298A JP 3946298 A JP3946298 A JP 3946298A JP H11238692 A JPH11238692 A JP H11238692A
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- semiconductor nitride
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ｐ型不純物をドープした窒化物半導体を低抵
抗にできる従来の技術よりも進歩した、他の新規な技術
を提供する。 【構成】 ｐ型不純物をドープした窒化物半導体を成長
させた後、その窒化物半導体のバンドギャップエネルギ
ー以上のエネルギーを含む電磁波を照射する第工程と、
実質的に活性な水素を含まない雰囲気中において、その
窒化物半導体を熱処理する工程とを行う。電磁波照射に
より窒化物半導体に電子を供給して、ｐ型不純物を結合
した水素を解離することにより、前記窒化物半導体の抵
抗率を低下させる。
抗にできる従来の技術よりも進歩した、他の新規な技術
を提供する。 【構成】 ｐ型不純物をドープした窒化物半導体を成長
させた後、その窒化物半導体のバンドギャップエネルギ
ー以上のエネルギーを含む電磁波を照射する第工程と、
実質的に活性な水素を含まない雰囲気中において、その
窒化物半導体を熱処理する工程とを行う。電磁波照射に
より窒化物半導体に電子を供給して、ｐ型不純物を結合
した水素を解離することにより、前記窒化物半導体の抵
抗率を低下させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はｐ型不純物をドープした
窒化物半導体（ＩｎaＡｌbＧａ1-a-bＮ、０≦a、０≦
b、a＋b≦１）をさらに低抵抗化する方法に関する。
窒化物半導体（ＩｎaＡｌbＧａ1-a-bＮ、０≦a、０≦
b、a＋b≦１）をさらに低抵抗化する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】窒化物半導体はｐ型窒化物半導体層とｎ
型窒化物半導体層との間にＩｎＧａＮよりなる井戸層を
有する活性層を挟んだダブルへテロ構造のものが既に実
用化されている。そのｐ型窒化物半導体は、ｐ型不純物
をドープした窒化物半導体を成長させた後、実質的に水
素を含まない雰囲気中において、４００℃以上で熱処理
することによって得られる（Jpn.J.Appl.Phys.31,L139
(1992)、特許第２５４０７９１号）。この熱処理による
窒化物半導体のｐ型化方法は、ｐ型不純物をドープして
も高抵抗なｉ型しか得られなかった従来の窒化物半導体
に画期的な飛躍をもたらし、現在のｐｎ接合デバイスの
基本技術となっている。
型窒化物半導体層との間にＩｎＧａＮよりなる井戸層を
有する活性層を挟んだダブルへテロ構造のものが既に実
用化されている。そのｐ型窒化物半導体は、ｐ型不純物
をドープした窒化物半導体を成長させた後、実質的に水
素を含まない雰囲気中において、４００℃以上で熱処理
することによって得られる（Jpn.J.Appl.Phys.31,L139
(1992)、特許第２５４０７９１号）。この熱処理による
窒化物半導体のｐ型化方法は、ｐ型不純物をドープして
も高抵抗なｉ型しか得られなかった従来の窒化物半導体
に画期的な飛躍をもたらし、現在のｐｎ接合デバイスの
基本技術となっている。
【０００３】その後、窒化物半導体のｐ型化について
は、電極形成時に電極と一緒にアニールする技術、窒素
プラズマ中でアニールする技術、成長後に反応容器内を
ゆっくり冷やす技術等も提案されている。
は、電極形成時に電極と一緒にアニールする技術、窒素
プラズマ中でアニールする技術、成長後に反応容器内を
ゆっくり冷やす技術等も提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明はｐ型
不純物をドープした窒化物半導体を低抵抗にするため、
従来の技術よりも進歩した、他の新規な技術を提供する
ことにある。
不純物をドープした窒化物半導体を低抵抗にするため、
従来の技術よりも進歩した、他の新規な技術を提供する
ことにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の窒化物半導体の
低抵抗化方法は、ｐ型不純物をドープした窒化物半導体
を成長させた後、その窒化物半導体のバンドギャップエ
ネルギー以上のエネルギーを含む光を照射する第１の工
程と、実質的に活性な水素を含まない雰囲気中におい
て、その窒化物半導体を熱処理する第２の工程とを行う
ことにより、前記窒化物半導体の抵抗率を低下させるこ
とを特徴とする。なお、第１の工程と第２の工程とは別
々に行うこともできるが、同時に行う方が効果的であ
り、さらに好ましい。
低抵抗化方法は、ｐ型不純物をドープした窒化物半導体
を成長させた後、その窒化物半導体のバンドギャップエ
ネルギー以上のエネルギーを含む光を照射する第１の工
程と、実質的に活性な水素を含まない雰囲気中におい
て、その窒化物半導体を熱処理する第２の工程とを行う
ことにより、前記窒化物半導体の抵抗率を低下させるこ
とを特徴とする。なお、第１の工程と第２の工程とは別
々に行うこともできるが、同時に行う方が効果的であ
り、さらに好ましい。
【０００６】また本発明の方法では、前記熱処理温度が
２００℃以上であることを特徴とする。
２００℃以上であることを特徴とする。
【０００７】さらに、前記光照射を行うときの波長は、
主発光波長が４００ｎｍ以下の光であることを特徴とす
る。具体的には紫外線、Ｘ線等を照射することが望まし
い。
主発光波長が４００ｎｍ以下の光であることを特徴とす
る。具体的には紫外線、Ｘ線等を照射することが望まし
い。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１はｐ型不純物をドープした窒
化物半導体層の抵抗率と、熱処理温度との関係を、本発
明の方法と、従来の方法とで比較して示す図である。具
体的には、Ｍｇをドープしたアズグローン（as-grown）
のＧａＮ層に主発光波長３６５ｎｍ（≒３．４ｅＶ＝Ｇ
ａＮのバンドギャップエネルギー）の紫外線を照射しな
がら、窒素雰囲気中で１０分間、熱処理した時の抵抗率
が低下する状態を示している。なお、従来の方法は紫外
線を照射しない他は同様にして熱処理している。
化物半導体層の抵抗率と、熱処理温度との関係を、本発
明の方法と、従来の方法とで比較して示す図である。具
体的には、Ｍｇをドープしたアズグローン（as-grown）
のＧａＮ層に主発光波長３６５ｎｍ（≒３．４ｅＶ＝Ｇ
ａＮのバンドギャップエネルギー）の紫外線を照射しな
がら、窒素雰囲気中で１０分間、熱処理した時の抵抗率
が低下する状態を示している。なお、従来の方法は紫外
線を照射しない他は同様にして熱処理している。
【０００９】いずれの方法においても、熱処理により窒
化物半導体の抵抗率が低下する。熱処理による低抵抗化
の作用としては次のようなことが考えられている。即
ち、ＧａＮ成長中に、主として原料ガスとして用いられ
るアンモニアのような、原料に水素を含む原料ガスが、
成長中、若しくは成長後に、反応容器内において分解し
て、活性な水素ができ、この活性化水素が半導体層内に
おいて、例えばＭｇ−Ｈのようにｐ型不純物と結びつい
て複合体を形成する。ｐ型不純物と結びついた水素はｐ
型不純物を不活性化して、正常なアクセプタとして作用
するのを妨げている。そこで熱処理を行うことにより、
Ｍｇ−Ｈの水素を熱的に解離させ、この水素を半導体層
中から追い出し、ｐ型不純物を正常なアクセプターとし
て作用させるということである。
化物半導体の抵抗率が低下する。熱処理による低抵抗化
の作用としては次のようなことが考えられている。即
ち、ＧａＮ成長中に、主として原料ガスとして用いられ
るアンモニアのような、原料に水素を含む原料ガスが、
成長中、若しくは成長後に、反応容器内において分解し
て、活性な水素ができ、この活性化水素が半導体層内に
おいて、例えばＭｇ−Ｈのようにｐ型不純物と結びつい
て複合体を形成する。ｐ型不純物と結びついた水素はｐ
型不純物を不活性化して、正常なアクセプタとして作用
するのを妨げている。そこで熱処理を行うことにより、
Ｍｇ−Ｈの水素を熱的に解離させ、この水素を半導体層
中から追い出し、ｐ型不純物を正常なアクセプターとし
て作用させるということである。
【００１０】さらに本発明のように、紫外線を照射しな
がら行う方が、従来の方法に比べて、同一抵抗率を得る
ための熱処理温度を低下させることができる。これは次
のような作用による。即ちＧａＮのバンドギャップエネ
ルギー以上の電磁波を照射すると、ＧａＮ中の価電子帯
にある電子が励起される。この電子がＭｇ−ＨのＨ+と
結合してＨを中性化し、Ｍｇ−Ｈ複合体からＨを解離す
ると考えられる。即ち、窒化物半導体のバンドギャップ
エネルギーよりも大きなエネルギーを有する電磁波を照
射することによって、水素に電子を供給して、その水素
を窒化物半導体中から出すのである。しかし、電磁波照
射のエネルギーは小さく熱処理に比較して小さいので、
電磁波照射だけでは大きな抵抗率の低下は望めない。そ
こで、熱処理を加えてやることにより、Ｍｇ−ＨのＨを
熱的に解離すると共に、電子が供給されたＨを結晶中か
ら出て行きやすくするのである。そのため、従来の方法
に比べて低温で熱処理の効果が得られる。従って、本発
明の方法では第１の工程と第２の工程とは特に同時に行
う必要はなく、先に第１の工程を行い、次に第２の工程
を行っても良いが、最も望ましくは第１の工程と、第２
の工程とを同時に行うと、最も効果的に抵抗を下げるこ
とができる。また、電磁波の作用としては、紫外線のよ
うな窒化物半導体のバンドギャップエネルギー以上の電
磁波を照射することにより、Ｍｇ−Ｈ複合体の電子状態
が励起され、複合体の分解が起こりやすくなったとも推
察できる。
がら行う方が、従来の方法に比べて、同一抵抗率を得る
ための熱処理温度を低下させることができる。これは次
のような作用による。即ちＧａＮのバンドギャップエネ
ルギー以上の電磁波を照射すると、ＧａＮ中の価電子帯
にある電子が励起される。この電子がＭｇ−ＨのＨ+と
結合してＨを中性化し、Ｍｇ−Ｈ複合体からＨを解離す
ると考えられる。即ち、窒化物半導体のバンドギャップ
エネルギーよりも大きなエネルギーを有する電磁波を照
射することによって、水素に電子を供給して、その水素
を窒化物半導体中から出すのである。しかし、電磁波照
射のエネルギーは小さく熱処理に比較して小さいので、
電磁波照射だけでは大きな抵抗率の低下は望めない。そ
こで、熱処理を加えてやることにより、Ｍｇ−ＨのＨを
熱的に解離すると共に、電子が供給されたＨを結晶中か
ら出て行きやすくするのである。そのため、従来の方法
に比べて低温で熱処理の効果が得られる。従って、本発
明の方法では第１の工程と第２の工程とは特に同時に行
う必要はなく、先に第１の工程を行い、次に第２の工程
を行っても良いが、最も望ましくは第１の工程と、第２
の工程とを同時に行うと、最も効果的に抵抗を下げるこ
とができる。また、電磁波の作用としては、紫外線のよ
うな窒化物半導体のバンドギャップエネルギー以上の電
磁波を照射することにより、Ｍｇ−Ｈ複合体の電子状態
が励起され、複合体の分解が起こりやすくなったとも推
察できる。
【００１１】熱処理温度は、図に示すように２００℃以
上、さらに好ましくは３００℃以上、最も好ましくは４
００℃以上の温度で行うことが望ましい。またこの温度
は照射する電磁波のエネルギーによって変化させること
もできる。例えば、Ｘ線のようなエネルギーの大きな電
磁波を照射すると熱処理温度をさらに低下させることが
できる。また紫外線を照射しながら、２００℃前後にお
いて長時間行っても抵抗率を低下させることはできる
が、工業的に短時間で処理する目的では、４００℃以上
で行うことが望ましい。なお本請求項において活性な水
素とは、例えばアンモニアが分解してできた水素、水素
プラズマのように、窒化物半導体に再ドープされて、そ
の窒化物半導体を高抵抗にする水素であり、この活性水
素を熱処理中に含むと、窒化物半導体が高抵抗となる。
上、さらに好ましくは３００℃以上、最も好ましくは４
００℃以上の温度で行うことが望ましい。またこの温度
は照射する電磁波のエネルギーによって変化させること
もできる。例えば、Ｘ線のようなエネルギーの大きな電
磁波を照射すると熱処理温度をさらに低下させることが
できる。また紫外線を照射しながら、２００℃前後にお
いて長時間行っても抵抗率を低下させることはできる
が、工業的に短時間で処理する目的では、４００℃以上
で行うことが望ましい。なお本請求項において活性な水
素とは、例えばアンモニアが分解してできた水素、水素
プラズマのように、窒化物半導体に再ドープされて、そ
の窒化物半導体を高抵抗にする水素であり、この活性水
素を熱処理中に含むと、窒化物半導体が高抵抗となる。
【００１２】
【実施例】［実施例１］ＭＯＶＰＥ法により２インチφ
のサファイア基板の上に、５００℃においてＧａＮより
なるバッファ層を２００オングストロームの膜厚で成長
させ、その上にＭｇを１×１０20／cm3ドープしたＧａ
Ｎ層を４μｍの膜厚で成長させる。このＧａＮ層は抵抗
率が１０5／Ω・cm2であり、ほとんどホール測定ができ
ない。
のサファイア基板の上に、５００℃においてＧａＮより
なるバッファ層を２００オングストロームの膜厚で成長
させ、その上にＭｇを１×１０20／cm3ドープしたＧａ
Ｎ層を４μｍの膜厚で成長させる。このＧａＮ層は抵抗
率が１０5／Ω・cm2であり、ほとんどホール測定ができ
ない。
【００１３】成長後、そのウェーハを石英管よりなる熱
処理装置に移し、その石英管の外からＧａＮ層面に、主
発光波長３５０ｎｍの紫外線（トプコンＦＩ−５Ｌ）を
照射しながら、窒素雰囲気中、６００℃で１０分間熱処
理を行う。
処理装置に移し、その石英管の外からＧａＮ層面に、主
発光波長３５０ｎｍの紫外線（トプコンＦＩ−５Ｌ）を
照射しながら、窒素雰囲気中、６００℃で１０分間熱処
理を行う。
【００１４】熱処理後、そのＧａＮ層のホール測定を行
うと抵抗率は２Ω・cmであり、ホールキャリア濃度は、
５×１０17／cm3と優れたｐ型特性を示し、さらに３μ
ｍの深さでエッチングして、同様にホール測定を行って
も、ほぼ同一のキャリア濃度を示し、深さ方向に対して
も均一にｐ型化していることが判明した。
うと抵抗率は２Ω・cmであり、ホールキャリア濃度は、
５×１０17／cm3と優れたｐ型特性を示し、さらに３μ
ｍの深さでエッチングして、同様にホール測定を行って
も、ほぼ同一のキャリア濃度を示し、深さ方向に対して
も均一にｐ型化していることが判明した。
【００１５】［実施例２］実施例１において、ｐ型不純
物としてＢｅを用いＢｅを１×１０20／cm3ドープする
他は同様にしたところ、抵抗率は１０Ω・cmであり、ホ
ールキャリア濃度は、１×１０17／cm3とｐ型特性を示
し、深さ方向に対しても同様にｐ型化されていた。
物としてＢｅを用いＢｅを１×１０20／cm3ドープする
他は同様にしたところ、抵抗率は１０Ω・cmであり、ホ
ールキャリア濃度は、１×１０17／cm3とｐ型特性を示
し、深さ方向に対しても同様にｐ型化されていた。
【００１６】［実施例３］実施例１において、温度を４
００℃にして、単位面積あたりの紫外線強度を４倍にし
たランプを使用したところ、１時間で実施例１とほぼ同
等の特性を有するｐ型が得られた。
００℃にして、単位面積あたりの紫外線強度を４倍にし
たランプを使用したところ、１時間で実施例１とほぼ同
等の特性を有するｐ型が得られた。
【００１７】［実施例４］実施例３において、主発光波
長３１５ｎｍのＵＶランプを用い、強度を実施例３とほ
ぼ同一にして照射したところ、実施例３よりも短時間で
同等の特性を有するｐ型が得られた。
長３１５ｎｍのＵＶランプを用い、強度を実施例３とほ
ぼ同一にして照射したところ、実施例３よりも短時間で
同等の特性を有するｐ型が得られた。
【００１８】［実施例５］図２は本発明の方法を用いて
得られたＬＥＤ素子の構造を示す模式的な断面図であ
り、以下この図を元に述べる。
得られたＬＥＤ素子の構造を示す模式的な断面図であ
り、以下この図を元に述べる。
【００１９】サファイア（Ｃ面）よりなる基板１の上
に、 ２００オングストロームのＧａＮよりなるバッファ層２ １μｍのアンドープＧａＮよりなる第１の窒化物半導体
層３ ３μｍのＳｉドープＧａＮよりなる第２の窒化物半導体
層４ １００オングストロームのアンドープＧａＮよりなる第
３の窒化物半導体層５ ３０オングストロームのアンドープＩｎ0.4Ｇａ0.6Ｎ層
よりなる活性層６ ０．１μｍのＭｇを１×１０20／cm3ドープしたｐ型Ａ
ｌ0.1Ｇａ0.9Ｎよりなるｐ側クラッド層７ ０．１μｍのＭｇを１×１０20／cm3ドープしたｐ型Ｇ
ａＮよりなるｐ側コンタクト層８を順に積層する。
に、 ２００オングストロームのＧａＮよりなるバッファ層２ １μｍのアンドープＧａＮよりなる第１の窒化物半導体
層３ ３μｍのＳｉドープＧａＮよりなる第２の窒化物半導体
層４ １００オングストロームのアンドープＧａＮよりなる第
３の窒化物半導体層５ ３０オングストロームのアンドープＩｎ0.4Ｇａ0.6Ｎ層
よりなる活性層６ ０．１μｍのＭｇを１×１０20／cm3ドープしたｐ型Ａ
ｌ0.1Ｇａ0.9Ｎよりなるｐ側クラッド層７ ０．１μｍのＭｇを１×１０20／cm3ドープしたｐ型Ｇ
ａＮよりなるｐ側コンタクト層８を順に積層する。
【００２０】ウェーハ積層後、実施例１と同じく石英製
の熱処理装置に入れ、３１５ｎｍのＵＶランプを照射し
ながら窒素雰囲気中、６００℃で熱処理したところ、ｐ
コンタクト層８は実施例１とほぼ同一のキャリア濃度を
有するｐ型となり、クラッド層７はそれよりもキャリア
濃度の小さいｐ型となった。
の熱処理装置に入れ、３１５ｎｍのＵＶランプを照射し
ながら窒素雰囲気中、６００℃で熱処理したところ、ｐ
コンタクト層８は実施例１とほぼ同一のキャリア濃度を
有するｐ型となり、クラッド層７はそれよりもキャリア
濃度の小さいｐ型となった。
【００２１】その後、最上層のｐ側コンタクト層８の表
面に所定の形状のマスクを形成し、ＲＩＥ（反応性イオ
ンエッチング）装置でｐ側コンタクト層側からエッチン
グを行い、図２に示すように第２の窒化物半導体層４の
表面を露出させる。
面に所定の形状のマスクを形成し、ＲＩＥ（反応性イオ
ンエッチング）装置でｐ側コンタクト層側からエッチン
グを行い、図２に示すように第２の窒化物半導体層４の
表面を露出させる。
【００２２】エッチング後、最上層にあるｐ側コンタク
ト層のほぼ全面に膜厚２００オングストロームのＮｉと
Ａｕを含む透光性のｐ電極９と、そのｐ電極９の上にボ
ンディング用のＡｕよりなるｐパッド電極１０を０．５
μｍの膜厚で形成する。一方エッチングにより露出させ
た第２の窒化物半導体層４の表面にはＷとＡｌを含むｎ
電極１１を形成する。最後にｐ電極９の表面を保護する
ためにＳｉＯ2よりなる絶縁膜１２を図２に示すように
形成した後、ウェーハをスクライブにより分離して３５
０μｍ角のＬＥＤ素子とする。
ト層のほぼ全面に膜厚２００オングストロームのＮｉと
Ａｕを含む透光性のｐ電極９と、そのｐ電極９の上にボ
ンディング用のＡｕよりなるｐパッド電極１０を０．５
μｍの膜厚で形成する。一方エッチングにより露出させ
た第２の窒化物半導体層４の表面にはＷとＡｌを含むｎ
電極１１を形成する。最後にｐ電極９の表面を保護する
ためにＳｉＯ2よりなる絶縁膜１２を図２に示すように
形成した後、ウェーハをスクライブにより分離して３５
０μｍ角のＬＥＤ素子とする。
【００２３】このＬＥＤ素子は順方向電圧２０ｍＡ、Ｖ
ｆ３．４Ｖにおいて、５２０ｎｍの純緑色発光を示し
た。
ｆ３．４Ｖにおいて、５２０ｎｍの純緑色発光を示し
た。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の方法を用
いることにより、従来よりも低温でｐ型窒化物半導体が
得られる。本発明の方法はレーザ素子、ＬＥＤ素子等窒
化物半導体を用いたあらゆる電子デバイスに適用可能で
ある。
いることにより、従来よりも低温でｐ型窒化物半導体が
得られる。本発明の方法はレーザ素子、ＬＥＤ素子等窒
化物半導体を用いたあらゆる電子デバイスに適用可能で
ある。
【図１】 ｐ型不純物をドープした窒化物半導体層の抵
抗率と、熱処理温度との関係を本発明の方法と従来の方
法とで比較して示す図。
抗率と、熱処理温度との関係を本発明の方法と従来の方
法とで比較して示す図。
【図２】 本発明の方法を用いて得られたＬＥＤ素子の
構造を示す模式断面図。
構造を示す模式断面図。
１・・・サファイア基板 ２・・・バッファ層 ３・・・第１の窒化物半導体層 ４・・・第２の窒化物半導体層（コンタクト層） ５・・・第３の窒化物半導体層 ６・・・活性層 ７・・・ｐ側クラッド層 ８・・・ｐ側コンタクト層 ９・・・ｐ電極 １０・・・ｐパッド電極 １１・・・ｎ電極 １２・・・絶縁膜
Claims (4)
- 【請求項１】 ｐ型不純物をドープした窒化物半導体を
成長させた後、その窒化物半導体のバンドギャップエネ
ルギー以上のエネルギーを含む電磁波を照射する第１の
工程と、実質的に活性な水素を含まない雰囲気中におい
て、その窒化物半導体を熱処理する第２の工程とを行う
ことにより、前記窒化物半導体の抵抗率を低下させるこ
とを特徴とする窒化物半導体の低抵抗化方法。 - 【請求項２】 前記第１の工程と第２の工程とを同時に
行うことを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体の
低抵抗化方法。 - 【請求項３】 前記熱処理温度が２００℃以上であるこ
とを特徴とする請求項１または２に記載の窒化物半導体
の低抵抗化方法。 - 【請求項４】 前記電磁波は主発光波長が４００ｎｍ以
下の光であることを請求項１乃至３の内のいずれか１項
に記載の窒化物半導体の低抵抗化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3946298A JPH11238692A (ja) | 1998-02-23 | 1998-02-23 | 窒化物半導体の低抵抗化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3946298A JPH11238692A (ja) | 1998-02-23 | 1998-02-23 | 窒化物半導体の低抵抗化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11238692A true JPH11238692A (ja) | 1999-08-31 |
Family
ID=12553728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3946298A Withdrawn JPH11238692A (ja) | 1998-02-23 | 1998-02-23 | 窒化物半導体の低抵抗化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11238692A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000031084A (ja) * | 1998-05-08 | 2000-01-28 | Samsung Electron Co Ltd | 化合物半導体薄膜のｐ型への活性化方法 |
| EP1179859A2 (en) * | 2000-08-10 | 2002-02-13 | Sony Corporation | Method of heat-treating nitride compound semiconductor layer and method of producing semiconductor device |
| US7056755B1 (en) | 1999-10-15 | 2006-06-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | P-type nitride semiconductor and method of manufacturing the same |
| JP2007173854A (ja) * | 2007-01-29 | 2007-07-05 | Sony Corp | 窒化物化合物半導体層の熱処理方法及び半導体素子の製造方法 |
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