CN109087976B - 一种发光二极管外延片的制备方法及其发光二极管外延片 - Google Patents
一种发光二极管外延片的制备方法及其发光二极管外延片 Download PDFInfo
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 63
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 10
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 abstract description 6
- 230000006798 recombination Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 208
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 28
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 7
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 7
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical group [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AUCDRFABNLOFRE-UHFFFAOYSA-N alumane;indium Chemical compound [AlH3].[In] AUCDRFABNLOFRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 231100000987 absorbed dose Toxicity 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- -1 trimethyl ethyl Chemical group 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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- Toxicology (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种发光二极管外延片的制备方法及其发光二极管外延片，属于半导体技术领域。制备方法包括：采用化学气相沉积技术在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层、P型半导体层和接触层；对所述接触层的表面进行质子辐射，降低所述接触层的电阻率。本发明通过对接触层的表面进行质子辐射，改变接触层晶体的微观结构，影响接触层内缺陷的形态和数量，降低接触层的电阻率，可以提高接触层的载流子迁移率，有利于P型半导体层的空穴迁移到有源层中，提高有源层中的空穴数量，进而增加有源层中电子的空穴的辐射复合发光，最终改善LED的发光效率。而且接触层的电阻率降低，还可以降低外延片的串联电阻，最终降低LED的正向电压。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管外延片的制备方法及其发光二极管外延片。
背景技术
发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种能发光的半导体电子元件。LED因具有节能环保、可靠性高、使用寿命长等优点而受到广泛的关注，近年来在背光源和显示屏领域大放异彩，并且开始向民用照明市场进军。对于民用照明来说，光效和使用寿命是主要的衡量标准，因此增加LED的发光效率和提高LED的抗静电能力对于LED的广泛应用显得尤为关键。
外延片是LED制备过程中的初级成品。现有的LED外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层依次层叠在衬底上。P型半导体层用于提供进行复合发光的空穴，N型半导体层用于提供进行复合发光的电子，有源层用于进行电子和空穴的辐射复合发光，衬底用于为外延材料提供生长表面；衬底的材料通常选择蓝宝石，N型半导体层等的材料通常选择氮化镓，蓝宝石和氮化镓为异质材料，两者之间存在较大的晶格失配，缓冲层用于缓解衬底和N型半导体层之间的晶格失配。另外，为了实现与芯片工艺中的电极之间形成良好的欧姆接触，通常会在P型半导体层上设置重掺杂的接触层。
在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：
蓝宝石和氮化镓之间晶格失配产生的应力和缺陷会随着外延生长而延伸到接触层，加上接触层为重掺杂，因此接触层中的缺陷浓度很高，高浓度的缺陷会束缚载流子的迁移，造成LED的发光效率较低。
发明内容
本发明实施例提供了一种发光二极管外延片的制备方法及其发光二极管外延片，能够解决现有技术接触层内高浓度的缺陷会束缚载流子的迁移、造成LED的发光效率较低的问题。所述技术方案如下：
一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管外延片的制备方法，所述制备方法包括：
采用化学气相沉积技术在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层、P型半导体层和接触层；
对所述接触层的表面进行质子辐射，降低所述接触层的电阻率。
可选地，质子辐射的辐射剂量为1015ions/cm2～1018ions/cm2。
可选地，质子辐射的辐射能量为4.5MeV～6MeV。
可选地，质子辐射时所述接触层所处环境的压力为10-4Torr～10-2Torr。
可选地，质子辐射时所述接触层所处环境的温度为20℃～80℃。
可选地，所述对所述接触层的表面进行质子辐射，降低所述接触层的电阻率，包括：
利用质子加速器提供的质子流轰击所述接触层的表面。
优选地，所述质子束的电流强度为150nA～250nA。
优选地，所述质子束的直径为2.5cm～5.5cm。
优选地，轰击的时长为40min～80min。
另一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层、P型半导体层和接触层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述有源层、所述P型半导体层和所述接触层依次层叠在所述衬底上，所述接触层的表面为经过质子辐射处理的表面。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过对接触层的表面进行质子辐射，改变接触层晶体的微观结构，影响接触层内缺陷的形态和数量，降低接触层的电阻率，可以提高接触层的载流子迁移率，有利于P型半导体层的空穴迁移到有源层中，提高有源层中的空穴数量，进而增加有源层中电子的空穴的辐射复合发光，最终改善LED的发光效率。而且接触层的电阻率降低，还可以降低外延片的串联电阻，最终降低LED的正向电压。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种发光二极管外延片的制备方法的流程图；
图2是本发明实施例提供的一种发光二极管外延片的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
本发明实施例提供了一种发光二极管外延片的制备方法，图1为本发明实施例提供的发光二极管外延片的制备方法的流程图，参见图1，该制备方法包括：
步骤101：采用化学气相沉积技术在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层、P型半导体层和接触层。
具体地，该步骤101可以包括：
控制温度为400℃～600℃(优选为500℃)，压力为400torr～600torr(优选为500torr)，在衬底上生长厚度为15nm～35nm(优选为25nm)的缓冲层；
控制温度为1000℃～1200℃(优选为1100℃)，压力为400Torr～600Torr(优选为500torr)，持续时间为5分钟～10分钟(优选为8分钟)，对缓冲层进行原位退火处理；
控制温度为1000℃～1200℃(优选为1100℃)，压力为100torr～500torr(优选为300torr)，在缓冲层上生长厚度为1μm～5μm(优选为3μm)的N型半导体层，N型半导体层中N型掺杂剂的掺杂浓度为1018cm-3～1019cm-3(优选为5*1018cm-3)；
控制压力为100torr～500torr(优选为300torr)，在N型半导体层上生长有源层，有源层包括交替生长的多个量子阱和多个量子垒；量子阱的数量和量子垒的数量相同，量子垒的数量为5个～15个(优选为10个)；量子阱的厚度为2.5nm～3.5nm(优选为3nm)，量子阱的生长温度为720℃～829℃(优选为770℃)；量子垒的厚度为9nm～20nm(优选为15nm)，量子垒的生长温度为850℃～959℃(优选为900℃)；
控制温度为850℃～1080℃(优选为960℃)，压力为100torr～300torr(优选为200torr)，在有源层上生长厚度为100nm～800nm(优选为450nm)的P型半导体层，P型半导体层中P型掺杂剂的掺杂浓度为1018cm-3～1019cm-3(优选为5*1018cm-3)；
控制温度为850℃～1050℃(优选为950℃)，压力为100torr～300torr(优选为200torr)，在P型半导体层上生长厚度为5nm～300nm(优选为150nm)的接触层。
具体地，衬底的材料可以采用[0001]晶向的蓝宝石，缓冲层的材料可以采用氮化镓(GaN)。N型半导体层的材料可以采用N型掺杂的氮化镓。量子阱的材料可以采用氮化铟镓(InGaN)，量子垒的材料可以采用氮化镓。P型半导体层的材料可以采用P型掺杂的氮化镓。P型接触层的材料可以采用P型掺杂的氮化铟镓。
可选地，在步骤101之前，该制备方法还可以包括：
控制温度为1000℃～1200℃(优选为1100℃)，在氢气气氛中对衬底进行1分钟～10分钟(优选为8分钟)的退火处理；
对衬底进行氮化处理。
采用上述步骤对衬底的表面进行清洗，避免杂质掺入外延片中，影响整体的晶体质量，降低LED的发光效率。
可选地，在缓冲层上生长N型半导体层之前，该制备方法还可以包括：
控制温度为1000℃～1100℃(优选为1050℃)，压力为100torr～500torr(优选为300torr)，在缓冲层上生长厚度为1μm～5μm(优选为3μm)的未掺杂氮化镓层。
相应地，N型半导体层生长在未掺杂氮化镓层上。
利用未掺杂氮化镓层缓解衬底和N型半导体层之间的晶格失配。
在具体实现时，缓冲层为首先在衬底上低温生长的一层较薄的氮化镓，因此也称为低温缓冲层。再在低温缓冲层进行氮化镓的纵向生长，会形成多个相互独立的三维岛状结构，称为三维成核层；然后在所有三维岛状结构上和各个三维岛状结构之间进行氮化镓的横向生长，形成二维平面结构，称为二维恢复层；最后在二维生长层上高温生长一层较厚的氮化镓，称为高温缓冲层。本实施例中将三维成核层、二维恢复层和高温缓冲层统称为未掺杂氮化镓层。
可选地，在N型半导体层上生长有源层之前，该制备方法还可以包括：
控制温度为800℃～1100℃(优选为950℃)，压力为100torr～500torr(优选为300torr)，在N型半导体层上生长厚度为50nm～500nm(优选为100nm)的应力释放层。
相应地，有源层生长在应力释放层上。
具体地，应力释放层的材料可以采用镓铟铝氮(AlInGaN)，可以有效释放蓝宝石和氮化镓晶格失配产生的应力，改善外延片的晶体质量，提高LED的发光效率。
优选地，铝组分的摩尔含量可以小于0.2，铟组分的摩尔含量可以小于0.05，避免造成不良影响。
可选地，在有源层上生长P型半导体层之前，该制备方法还可以包括：
控制温度为850℃～1080℃(优选为960℃)，压力为200torr～500torr(优选为350torr)，在有源层上生长厚度为50nm～150nm(优选为100nm)的电子阻挡层。
具体地，电子阻挡层的材料可以采用P型掺杂的氮化铝镓(AlGaN)，如AlyGa1-yN，0.1＜y＜0.5。
步骤102：对接触层的表面进行质子辐射，降低接触层的电阻率。
在本实施例中，质子辐射是粒子辐射的一种，由一定能量的质子(即氢核)组成，通过离位损伤(将原子撞离其正常位置)产生空位、间隙原子等晶体缺陷，影响材料性能。对接触层的表面进行质子辐射，接触层的表面会形成一个具有特殊性质的表面层。
具体来说，质子辐射可以产生位移效应。位移效应是由于入射粒子与物质原子核发生碰撞，将一部分能量交给晶格原子，当这部分能量超过位移域能时，将导致晶格原子离开正常的晶格位置成为间隙原子，而在原来的晶格位置留下一个空位，形成所谓的弗伦克尔(英文：Frenkel)缺陷。对接触层的表面进行质子辐射，形成的Frenkel缺陷对蓝宝石和氮化镓之间晶格失配产生并延伸到接触层的缺陷造成影响，接触层内的间隙原子和空位会聚合或重组，引起接触层内微观结构的变化，在不影响晶体性质的同时提高载流子的迁移率。
本发明实施例通过对接触层的表面进行质子辐射，改变接触层晶体的微观结构，影响接触层内缺陷的形态和数量，降低接触层的电阻率，可以提高接触层的载流子迁移率，有利于P型半导体层的空穴迁移到有源层中，提高有源层中的空穴数量，进而增加有源层中电子的空穴的辐射复合发光，最终改善LED的发光效率。而且接触层的电阻率降低，还可以降低外延片的串联电阻，最终降低LED的正向电压。
可选地，质子辐射的辐射剂量可以为1015ions/cm2～1018ions/cm2，如5*1016ions/cm2。
如果质子辐射的辐射剂量小于1015ions/cm2，则可能由于质子辐射的辐射剂量太少而无法有效降低接触层的电阻率，LED的发光效率和正向电压几乎没有变化；如果质子辐射的辐射剂量大于1018ions/cm2，则可能由于质子辐射的辐射剂量太多而引入新的缺陷到接触层中，影响外延片整体的晶体质量，降低LED的发光效率。
可选地，质子辐射的辐射能量可以为4.5MeV～6MeV，如5MeV。
如果质子辐射的辐射能量小于4.5MeV，则可能由于质子辐射的辐射能量太低而无法有效改变接触层内的缺陷，造成接触层的电阻率没有变化，最终造成LED的发光效率和正向电压没有变化；如果质子辐射的辐射能量大于6MeV，则可能由于质子辐射的辐射能量太高而对接触层的主体结构造成破坏，影响LED的发光效率。
其中，辐射剂量为质子辐射表面单位面积辐射的质子总数。辐射能量用于衡量由质子辐射导致的能量吸收剂量，描述单位质量物体吸收质子辐射的大小。
可选地，质子辐射时接触层所处环境的压力可以为10-4Torr～10-2Torr，如10- 3Torr。
如果质子辐射时接触层所处环境的压力小于10-4Torr，则可能由于环境压力太低而造成质子运动太快，对接触层造成意外损伤，导致不良影响；如果质子辐射时接触层所处环境的压力大于10-2Torr，则可能由于环境压力太高而影响质子作用在接触层上。
可选地，质子辐射时接触层所处环境的温度可以为20℃～80℃，如50℃。
如果质子辐射时接触层所处环境的温度小于20℃，则可能由于环境温度太低而造成质子不活跃，影响质子辐射P型半导体层；如果质子辐射时接触层所处环境的温度高于80℃，则可能由于环境温度太高而造成质子过于活跃，导致不良影响。
可选地，该步骤102可以包括：
利用质子加速器提供的质子流轰击接触层的表面。
利用现有的设备执行步骤102，实现更为简单方便。
具体地，质子加速器可以采用KIRAMS公司生产的MC-50cyclotron。
优选地，质子束的电流强度可以为150nA～250nA，如200nA。
如果质子束的电流强度小于150nA，则可能由于质子束的电流强度太低而无法有效降低接触层的电阻率，LED的发光效率和正向电压几乎没有变化；如果质子束的电流强度大于250nA，则可能由于质子束的电流强度太高而引入新的缺陷到接触层中，影响外延片整体的晶体质量，降低LED的发光效率。
优选地，质子束的直径可以为2.5cm～5.5cm，如4cm。
如果质子束的直径小于2.5cm，则可能由于质子束的直径太小而导致质子束过于集中，进而对接触层的主体结构造成破坏，影响LED的发光效率；如果质子束的直径大于5.5cm，则可能由于质子束的直径太大而导致质子束过于分散，无法有效改变接触层内的缺陷，造成接触层的电阻率没有变化，最终造成LED的发光效率和正向电压没有变化。
优选地，轰击的时长可以为40min～80min，如60min。
如果轰击的时长小于40min，则可能由于辐射时间太短而无法有效改变接触层内的缺陷，造成接触层的电阻率没有变化，最终造成LED的发光效率和正向电压没有变化；如果轰击的时长大于80min，则可能由于辐射时间太长而对接触层的主体结构造成破坏，影响LED的发光效率。
步骤103：对接触层进行退火处理。该步骤103为可选步骤。
通过退火处理消除部分缺陷和杂质态。
可选地，退火处理的温度可以为700℃～800℃，实现效果较好。
可选地，退火处理的时间可以为15min～30min，实现效果较好。
可选地，在步骤103之后，该制备方法还可以包括：
控制温度为650℃～850℃(优选为750℃)，持续时间为5分钟～15分钟(优选为10分钟)，在氮气气氛中进行退火处理。
需要说明的是，上述控制的温度和压力分别为反应腔中的温度和压力。实现时以三甲基镓或三甲基乙作为镓源，高纯氮气作为氮源，三甲基铟作为铟源，三甲基铝作为铝源，N型掺杂剂选用硅烷，P型掺杂剂选用二茂镁。
图1所示的制备方法的一种具体实现可以包括：
步骤201：控制温度为500℃，压力为500torr，在衬底上生长厚度为25nm的缓冲层。
步骤202：控制温度为1100℃，压力为500torr，持续时间为8分钟，对缓冲层进行原位退火处理。
步骤203：控制温度为1100℃，压力为300torr，在缓冲层上生长厚度为3μm的N型半导体层，N型半导体层中N型掺杂剂的掺杂浓度为5*1018cm-3。
步骤204：控制压力为300torr，在N型半导体层上生长有源层，有源层包括交替生长的10个量子阱和10个量子垒；量子阱的厚度为3nm，量子阱的生长温度为770℃；量子垒的厚度为15nm，量子垒的生长温度为900℃。
步骤205：控制温度为960℃，压力为200torr，在有源层上生长厚度为450nm的P型半导体层，P型半导体层中P型掺杂剂的掺杂浓度为5*1018cm-3。
步骤206：控制温度为950℃，压力为200torr，在P型半导体层上生长厚度为150nm的接触层。
步骤207：利用质子加速器提供的质子流轰击接触层的表面，对接触层的表面进行质子辐射，降低接触层的电阻率，质子辐射的辐射剂量为5*1016ions/cm2，质子辐射的辐射能量为5MeV，质子辐射时接触层所处环境的压力为10-3Torr，温度为50℃，质子束的电流强度为200nA，质子束的直径为4cm，轰击的时长为60min。
将得到的外延片制成芯片，与没有进行质子辐射相比，芯片的正向电压降低了3％～5％，发光能效提高了3％～5％。
本发明实施例提供了一种发光二极管外延片，图2为本发明实施例提供的发光二极管外延片的结构示意图，参见图2，该发光二极管外延片包括衬底10、缓冲层20、N型半导体层30、有源层40、P型半导体层50和接触层60，缓冲层20、N型半导体层30、有源层40、P型半导体层50和接触层60依次层叠在衬底10上。
在本实施例中，接触层60的表面为经过质子辐射处理的表面。
具体地，衬底10的材料可以采用蓝宝石。缓冲层20的材料可以采用氮化镓(GaN)。N型半导体层30的材料可以采用N型掺杂的氮化镓。有源层40可以包括多个量子阱和多个量子垒，多个量子阱和多个量子垒交替层叠设置；量子阱的材料可以采用氮化铟镓(InGaN)，量子垒的材料可以采用氮化镓。P型半导体层50的材料可以采用P型掺杂的氮化镓。接触层60的材料可以采用P型掺杂的氮化铟镓。
更具体地，缓冲层20的厚度可以为15nm～35nm(优选为25nm)。N型半导体层30的厚度可以为1μm～5μm(优选为3μm)，N型半导体层30中N型掺杂剂的掺杂浓度为1018cm-3～1019cm-3(优选为5*1018cm-3)。量子阱的数量和量子垒的数量相同，量子垒的数量可以为5个～15个(优选为10个)；量子阱的厚度可以为2.5nm～3.5nm(优选为3nm)，量子垒的厚度可以为9nm～20nm(优选为15nm)。P型半导体层60的厚度可以为100nm～800nm(优选为450nm)，P型半导体层50中P型掺杂剂的掺杂浓度为1018cm-3～1019cm-3(优选为5*1018cm-3)。接触层60的厚度可以为5nm～300nm(优选为150nm)。
可选地，如图2所示，该发光二极管外延片还可以包括未掺杂氮化镓层70，未掺杂氮化镓层70设置在缓冲层20和N型半导体层30之间，以缓解衬底和N型半导体层之间的晶格失配。
具体地，未掺杂氮化镓层70的厚度可以为1μm～5μm(优选为3μm)。
可选地，如图2所示，该发光二极管外延片还可以包括应力释放层80，应力释放层80设置在N型半导体层30和有源层40之间，以释放蓝宝石和氮化镓晶格失配产生的应力。
具体地，应力释放层80的材料可以采用镓铟铝氮(AlInGaN)；其中，铝组分的摩尔含量可以小于0.2，铟组分的摩尔含量可以小于0.05；应力释放层80的厚度可以为50nm～500nm(优选为100nm)。
可选地，如图2所示，该发光二极管外延片还可以包括电子阻挡层90，电子阻挡层90设置在有源层40和P型半导体层50之间，以避免电子跃迁到P型半导体层中与空穴进行非辐射复合而降低LED的发光效率。
具体地，电子阻挡层90的材料可以采用P型掺杂的氮化铝镓(AlGaN)，如AlyGa1-yN，0.1＜y＜0.5；电子阻挡层90的厚度可以为50nm～150nm(优选为100nm)。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
采用化学气相沉积技术在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层、P型半导体层和接触层；
对所述接触层的表面进行质子辐射，降低所述接触层的电阻率，质子辐射的辐射剂量为1015ions/cm2～1018ions/cm2，质子辐射的辐射能量为4.5MeV～6MeV。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，质子辐射时所述接触层所处环境的压力为10-4Torr～10-2Torr。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，质子辐射时所述接触层所处环境的温度为20℃～80℃。
4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述对所述接触层的表面进行质子辐射，降低所述接触层的电阻率，包括：
利用质子加速器提供的质子流轰击所述接触层的表面。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述质子束的电流强度为150nA～250nA。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述质子束的直径为2.5cm～5.5cm。
7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，轰击的时长为40min～80min。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810630343.4A CN109087976B (zh) | 2018-06-19 | 2018-06-19 | 一种发光二极管外延片的制备方法及其发光二极管外延片 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810630343.4A CN109087976B (zh) | 2018-06-19 | 2018-06-19 | 一种发光二极管外延片的制备方法及其发光二极管外延片 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109087976A CN109087976A (zh) | 2018-12-25 |
| CN109087976B true CN109087976B (zh) | 2020-04-14 |
Family
ID=64840030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810630343.4A Active CN109087976B (zh) | 2018-06-19 | 2018-06-19 | 一种发光二极管外延片的制备方法及其发光二极管外延片 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109087976B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109950154B (zh) * | 2019-01-31 | 2021-03-23 | 西安电子科技大学 | 一种GaN器件栅金属/半导体界面的改善方法 |
| CN111105999A (zh) * | 2019-12-12 | 2020-05-05 | 广东省半导体产业技术研究院 | 一种led发光器件及其制备方法、辐照处理装置 |
| CN114823999B (zh) * | 2022-06-24 | 2023-02-28 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种具有氮极性接触层的led外延结构及其制备方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100401542C (zh) * | 2005-11-17 | 2008-07-09 | 淮阴师范学院 | 一种提高氮化镓(GaN)基半导体材料发光效率的方法 |
| DE102005061797B4 (de) * | 2005-12-23 | 2020-07-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzdiodenchip mit Stromaufweitungsschicht und Verfahren zu dessen Herstellung |
| KR20110043282A (ko) * | 2009-10-21 | 2011-04-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
| JP5718093B2 (ja) * | 2010-03-04 | 2015-05-13 | 古河電気工業株式会社 | 半導体発光素子 |
-
2018
- 2018-06-19 CN CN201810630343.4A patent/CN109087976B/zh active Active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| GaN基材料和器件的质子辐照效应;谷文萍等;《半导体技术》;20160703;第41卷(第7期);第514-518页 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109087976A (zh) | 2018-12-25 |
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