TWI485070B - 透明導電膜 - Google Patents

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Takashi Hinotsu
Koji Tanoue
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Description

透明導電膜
本發明是關於含有透明導電性微粒子的透明導電膜，和將含有透明導電性微粒子的流動性材料塗佈於基板上來製造透明導電膜的透明導電膜之製造方法。
由於ITO(含錫氧化銦)、SnO2 (氧化錫)、IZO(含鋅氧化銦)等的可見光透過性及視覺透明性良好，並顯示高導電性，故被用於液晶顯示器、觸控面板、感測器、太陽電池、有機．無機EL、電子紙等之透明導電膜。
這些透明導電膜雖可以濺鍍法等之物理性手法加以製造，但此製造方法卻有製造裝置及製造成本昂貴的缺點。相對於此，藉由在玻璃或高分子膜等之基板上，塗佈將ITO、SnO2 、IZO等之透明導電性微粒子分散於溶劑等之微粒子分散液的手法，可能以低價製造透明導電膜，並期望以此製造方法來成膜。
但是，將分散液塗佈於基板上所製造之透明導電膜，與使用濺鍍法等之物理性手法所製造的透明導電膜相比電阻較高。其理由是因為，由微粒子形成透明導電膜，所以粒子界面增加。又，為了提高分散性而在粒子表面附著之界面活性劑係成為使電阻增加的要因。
為了降低透明導電膜的電阻，藉由以高溫燒成，使附著於粒子表面的界面活性劑分解而燒結微粒子即可。但是，在高分子膜上塗佈透明導電性微粒子所得到之塗膜，在膜之特性上無法以高溫燒成，所以無法造成微粒子間之燒結。
為了解決此問題，特開平11－242916號公報所記載之透明導電膜的製造技術，係對透明導電性微粒子之塗膜照射微波來進行粒子間之燒結。由於使用微波且僅加熱介電質損耗大之物，可使被加熱物自體直接且同時地發熱，而可能將被加熱物比較均勻地加熱。又，由於與一般之外部加熱方法相比，沒有基材之熱變質，故有不使膜損耗而可燒成對象物質這樣的特徵。
然而，以先前所示之特開平11－242916號公報的透明導電膜之製造技術所製造的透明導電度之電阻為102 Ω/□(薄片電阻；sheet resistance)以上，比以物理性手法所得到的透明導電膜之電阻102 ~1 Ω/□還大。又，可見光透過率係降低成80%左右，且視覺透明性亦降低。如此，上述專利文獻1之製造技術係難以製造低電阻且可見光透過性及視覺透明性優異的透明導電膜。
本發明是鑑於上述問題所作成，其目的為：在將含有透明導電性微粒子的分散液等之流動性材料塗佈於基板上來製造透明導電膜之際，使比習知電阻更低且可見光透過性及視覺透明性更優異的透明導電膜之製造成為可能。
本發明人等，就使用將含有透明導電性微粒子的分散液等之流動性材料塗佈於基板上之手法的習知周知之透明導電膜的製造技術，為了製造低電阻且可見光透過性及視覺透明性優異的透明導電膜而廣泛進行研究的結果，係得到以下之理解。
本發明人等係發現，對形成於基板上的透明導電性微粒子之塗膜加壓之後，藉由照射微波，可促進透明導電性微粒子之粒子間的燒結，並促進塗膜的低電阻化。特別是，得知在使用線壓200 kg/cm以上之輥壓機來對塗膜加壓，使得塗膜之膜密度變成3.0 g/cm3 以上的情況，可更加促進低電阻化，而得到非常低電阻的透明導電膜。又，發現以上述方式，藉由在對塗膜加壓後照射微波所製造之透明導電膜，係具備高可見光透過率及視覺透明性。特別是，在使用粒徑為100 nm以下之含錫氧化銦來作為透明導電性微粒子的情況，可使透明導電膜的可見光透過率及視覺透明性成為非常高之值。舉例來說，可得到表面電阻低於102 Ω/□、可見光透過率85%以上的透明導電膜，來作為根據以上之理解所製造的透明導電膜之一例。
此外，發現在照射微波之際，例如在進行使金屬發泡片等之導電性發泡片接地至透明導電性微粒子膜的情況，因放電被抑制，故不會對係為基板之膜造成損害，而可安定地製造透明導電膜。
本發明是根據相關理解所作成。亦即，根據本發明，可提供特徵如下之透明導電膜的製造方法：將含有透明導電性微粒子的流動性材料塗佈於基板上而形成塗膜，在對前述塗膜施加壓力後，照射電磁波來燒結前述透明導電性微粒子。
上述透明導電膜之製造方法中，亦可對前述塗膜的表面施加壓力，使得前述塗膜的密度變成3.0 g/cm3 以上。
上述透明導電膜之製造方法中，亦可以輥壓機對前述塗膜的表面施加壓力。
上述透明導電膜之製造方法中，前述輥壓機的線壓亦可為200 kg/cm以上。
上述透明導電膜之製造方法中，前述電磁波亦可為頻率1 GHz~1 THz的微波。
上述透明導電膜之製造方法中，在前述電磁波的照射之際，亦可於前述塗膜之下舖設導電性發泡片來防止放電。
上述透明導電膜之製造方法中，亦可在惰性氣體氛圍下進行前述電磁波之照射。
上述透明導電膜之製造方法中，前述透明導電性微粒子亦可為BET粒徑100 nm以下之含錫氧化銦。
又，根據本發明，可提供特徵如下之透明導電膜：塗佈透明導電性微粒子分散溶媒，燒結粒子後的電阻低於100 Ω/□(薄片電阻)，霧度低於2%，而總透光率為85%以上。
上述透明導電膜中，透明導電性微粒子亦可為含有氧化錫的氧化銦，其粒徑亦可為100 nm以下。
根據本發明，藉由將含有透明導電性微粒子的流動性材料塗佈於基板上而形成塗膜，並在對前述塗膜的表面施加壓力後，照射電磁波來促進透明導電性微粒子之燒結，則可能不對例如高分子膜等之基板造成損害，而製造非常低電阻且可見光透過性及視覺透明性優異的透明導電膜。因此，具備與使用濺鍍法等之物理性手法所製造之透明導電膜同等以上的特性之透明導電膜，係可能使用將含有透明導電性微粒子的流動性材料塗佈於基板上來製造透明導電膜的製造方法，而以低價加以製造。
以下將參照圖面，並就本發明之較佳實施形態加以說明。另外，本說明書及圖面中，對實質上具有同樣功能結構之元件係標以同樣之符號，因而省略重複說明。
圖1是顯示與本發明實施形態有關的透明導電膜之製造方法的順序之流程圖。以下將使用圖1，就與本發明實施形態有關的透明導電膜之製造方法加以說明。
(步驟0)開始透明導電膜之製造。
(步驟1)製作含有透明導電性粒子的流動性材料。本實施形態是藉由將含Sn(錫)之氧化銦(In2 O3 (亦稱為ITO))當作透明導電性粒子分散於醇系之溶媒中，而製作作為流動性材料之分散液。另外，透明導電性粒子的粒徑係以100 nm以下為佳。
除了含Sn之In2 O3 (ITO)以外，亦可使用例如含Zn之In2 O3 (IZO)、含F之In2 O3 (FTO)、含Sb之SnO2 (ATO)、ZnO、含Al之ZnO(AZO)、含Ga之ZnO(GZO)、CdSnO3 、Cd2 SnO4 、TiO2 、CdO等，來作為透明導電性粒子。又，此等可單獨加以使用，亦可任意組合兩種類以上。在這之中，特別是以將In或Sn當作主體的金屬氧化物，在兼顧導電性及透明性方面為佳。
在透明導電性微粒子由In和Sn所構成的情況，以使Sn的含有量為20wt%以下為佳。這是因為，一旦透明導電性微粒子中所含有的Sn之量太多，則會造成載子之散亂而使電阻惡化。又，更佳為5~15wt%。這是因為，一旦透明導電性微粒子中所含有的Sn之量太少，則載子密度會變低而使電阻惡化。
又，對流動性材料之透明導電性微粒子的重量比以5~50wt%為佳。更佳為10~40wt%。這是因為，一旦對流動性材料之透明導電性粒子的重量比太少，則流動性材料的黏滯度會變得太小，而在於後述之步驟2將流動性材料塗佈於基板上之際，塗膜的膜厚度恐怕會變得不均勻。又，一旦對流動性材料之透明導電性微粒子的重量比太大，則微粒子的分散安定性會惡化，而有塗膜後之膜密度變低的可能性。
(步驟2)將於上述步驟1所製作之流動性材料塗佈於基板。本實施形態是將作為流動性材料的分散液塗佈於作為透明基板之一例的高分子膜。可使用例如三醋酸纖維素、二醋酸纖維素、硝化纖維素、聚苯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚醯亞胺等當作材料來作為透明基板。其中，以使用透明性優異、便宜的聚對苯二甲酸乙二酯為佳。
在本實施形態，係藉由使用3 μm的塗佈器(applicator)，將作為流動性材料的ITO分散液塗佈於高分子膜上而施加塗膜。除了使用塗佈器以外，亦可使用例如輥塗、網版印刷、噴塗、浸塗及旋塗等周知之方法，來作為將流動性材料塗佈於基板的方法。
(步驟3)使塗佈於基板之塗膜乾燥。乾燥溫度係以設定成用來作為基板之高分子膜的軟化點以下為佳。具體說明的話，例如在膜使用聚對苯二甲酸乙二酯(PET)的情況，係以將乾燥溫度設定成80℃以下為佳。
(步驟4)對塗膜施加壓力。在本實施形態，以使用於圖2顯示概略性側面圖之輥壓機1使塗膜2之密度變成3.0 g/cm3 以上的方式，對塗膜2的表面施加壓力。如圖2所示，輥壓機1具備：軸方向相互平行(垂直於圖2之紙面)配置的樹脂輥5、兩個金屬輥6、7及導輥8。樹脂輥5及導輥8係以例如逆時針方向旋轉的方式所構成。另一方面，兩個金屬輥6、7係在其側面與樹脂輥5的側面相互接觸之狀態，以例如順時針方向旋轉的方式所構成。藉由以上之結構，輥壓機1係將作為具備塗膜2之基板的高分子膜10朝虛線箭頭所示之方向運送，使得塗膜2可被夾持同時通過樹脂輥5及金屬輥6之間，而與高分子膜10壓縮在一起。此外，由樹脂輥5及金屬輥6所壓縮的塗膜2及高分子膜10係經由導輥8來變更其行進方向，而被夾持同時通過樹脂輥5及金屬輥7之間來進行第二次的壓縮。在本實施形態，輥壓機1之線壓係設定為200 kg/cm以上。因此，使用輥壓機1對塗膜2施加壓力，可使得塗膜2之密度變成3.0 g/cm3 以上。如上所述，由於對塗膜2施以輥壓機1，故粒子間之接觸變佳，且膜密度提高。同時，由於塗膜表面變得光滑，故所製造之透明導電膜的可見光透過率及視覺透明性係大幅提升。另外，除了如上述使用輥壓機1以外，亦可使用例如壓片機(sheet press)等周知之加壓手段來作為對塗膜2施加壓力的方法。
(步驟5)藉由對塗膜照射電磁波而燒結塗膜之透明導電性微粒子來形成透明導電膜。在本實施形態係使用例如微波來作為電磁波。在此情況，一旦將塗膜的密度設定成很大之值，則因透明導電性微粒子彼此的接觸變多而促進燒結，故可使微波燒成後的電阻變小。例如，為了使微波燒成後的電阻低於102 Ω/□(薄片電阻)，可使塗膜的密度為3.0 g/cm3 以上。
在本實施形態，以1000 W對塗膜照射頻率2.45 GHz之微波10分鐘來當作電磁波。在此情況，因用來作為基板的高分子膜之介電損耗很少，即使照射微波也不會造成吸收，故高分子膜不會被加熱。相對於此，因施加於高分子膜的氧化物之塗膜的介電損耗很大，故照射微波便會產生熱。利用此點，可選擇性地僅加熱高分子膜上之塗膜。又，氧化物之塗膜因為具有微波高速反應性能，故可藉由加熱時間或輸出調整而容易地進行對必要溫度之到達時間的控制。
在本實施形態，如圖3所示，施加有塗膜2的高分子膜10係載置於例如發泡Ni片等之導電性發泡片11之上，且對此塗膜2照射微波(圖3中，虛線箭頭15)。此時，在塗膜2係配置於高分子膜10的下面側，並使塗膜2與導電性發泡片11接觸的狀態下照射微波。另外，從高分子膜10的上面側(亦即，導電性發泡片11的相反側之表面)照射微波。另外，對於塗膜2的微波之照射係在氮氛圍下進行。
(步驟6)依據上述步驟1~5的順序，完成在基板，也就是高分子膜上之透明導電膜的製造。
根據以上之實施形態，於製造透明導電膜之際，藉由將含有透明導電性微粒子的流動性材料塗佈於基板上而形成塗膜，並在對此塗膜施加壓力後照射電磁波，可促進構成塗膜之透明導電性微粒子間的燒結，而可能製造和以將含有透明導電性微粒子的流動性材料塗佈於基板上的習知周知之透明導電膜的製造技術所製造的透明導電膜相比，電阻更低，且可見光透過性及視覺透明性優異的透明導電膜。特別是，在對塗膜加壓之際，在加壓使得塗膜的膜密度為3.0 g/cm3 以上的情況，會更加促進低電阻化，而可使其電阻非常低。因此，具備與使用濺鍍法等之物理性手法所製造之透明導電膜同等以上的特性之透明導電膜，係可能使用依據將含有透明導電性微粒子的流動性材料塗佈於基板上之順序的透明導電膜之製造方法，而以低價加以製造。
特別是，在使用粒徑100 nm以下之含錫氧化銦來作為透明導電性微粒子的情況，可能不產生塗膜內之光的散射，而製造視覺透明性非常高的透明導電膜。又，由於粒徑很小，故在使用例如輥壓機等對塗膜施加壓力之際，可充分地提高膜密度，而適當地促進照射微波之際的粒子間之燒結，並可使所製造之透明導電膜的電阻更低。
此外，在對塗膜施加壓力之際，於使用圖2所示之輥壓機1的情況，可均等地對塗膜的表面全體施加壓力，使塗膜的密度在表面全體大致均勻，所製造之透明導電膜的特性在表面全體變得均勻，而可能製造高品質的透明導電膜。特別是，在將輥壓機1的線壓設定為200 kg/cm以上的情況，可使塗膜的膜密度為3.0 g/cm3 以上，故可能如上所述，製造和使用習知周知之製造技術的情況相比，具備非常低之電阻及非常高之可見光透過率的透明導電膜。
又，在對塗膜照射微波之際，藉由將導電性發泡片接地至透明導電性微粒子膜，可抑制放電，而避免造成例如高分子膜等，也就是基板融化等之損害。此外，亦有防止塗膜及基板局部性變為高溫而損傷基板的效果。
以上雖參照附圖同時說明本發明之較佳實施形態，但本發明不限於相關範例。熟習該項技藝者當可在申請專利範圍所記載之技術性思想之範疇內，推想得到各種變更例或修正例，故應了解這些變更例或修正例當然亦屬於本發明之技術範圍。
上述實施形態中，雖然係就含有透明導電性粒子的流動性材料為分散液的情況加以說明，但含有透明導電性粒子的流動性材料亦可為例如半液體、糊劑、溶融物、溶液、分散液、懸濁液或粒狀材料等。又，可使用球磨機、珠磨機、砂磨機、塗料搖動器(paint shaker)等之方法來作為使流動性材料塗料化之情況的塗料化之方法。於製作流動性材料之際，可使用例如水、乙醇、酮、乙醚、酯等之溶媒來作為混入透明導電性粒子的溶媒。又，亦可視情況添加界面活性劑、黏結劑等。
上述實施形態中，雖然係就塗佈流動性材料的透明基板為使用例如三醋酸纖維素、二醋酸纖維素、硝化纖維素、聚苯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚醯亞胺等作為材料之高分子膜的情況加以說明，但塗佈流動性材料的透明基板亦可為以這些以外當作材料的高分子膜，且亦可為高分子膜以外。又，塗佈流動性材料的基板亦可不透明。
上述實施形態中，雖然係就以1000W對塗膜照射2.45 GHz之微波10分鐘來當作電磁波的情況加以說明，但照射之電磁波的頻率亦可為1 GHz~1 THz。又，微波的照射輸入電力亦可為例如500~1000 W等其他之值。微波的照射時間一旦太長，則熱會傳達到基板而造成損害，由於此原因，以例如1~10分鐘為佳。
上述實施形態中，雖然係就使用發泡Ni片來作為導電性發泡片11的情況加以說明，但亦可使用電子傳導性良好、放熱性優異之任意材料所構成的薄片來作為導電性發泡片11。
上述實施形態中，雖然係就在氮氛圍下進行對圖3所示之塗膜2照射電磁波的情況加以說明，但在照射電磁波之際，亦可在大氣氛圍、惰性氛圍或還原氛圍等其他氛圍中進行。另外，在於大氣氛圍中照射電磁波的情況，塗膜2的導電氧化物係氧化使得塗膜2中的載子減少，故與在惰性氛圍或還原氛圍中照射微波的情況相比，係有電阻惡化的可能性，因此，以在惰性氛圍或還原氛圍中對塗膜2進行微波之照射為佳。
範例
本發明係使用實施例與比較例來加以說明。
圖4所示之表1中，實施例1~6的各資料係顯示使用本發明之製造方法所製造的透明導電膜之各特性，而比較例1~4的各資料係顯示使用習知周知之製造方法所製造的透明導電膜之各特性。
表1所示之各資料的特性係如以下方式加以測定。
<BET粒徑>透明導電膜(塗膜)之透明導電性微粒子的BET粒徑係由下述公式加以計算。
BET粒徑(nm)＝6/(ρ×比表面積)×109
但是，ρ為透明導電性微粒子的真比重，例如，在透明導電性微粒子為ITO(含錫氧化銦)的情況，ρ＝7.13×109 (g/m3 )。又，比表面積係以BET法(一點法)所求得。
<表面電阻>透明導電膜(塗膜)之表面電阻係使用三菱化學股份有限公司製之LorestaHP，以四探針法加以測定。
<總透光率及霧度>透明導電膜(塗膜)之透光率及霧度係使用日本電色工業股份有限公司製之NDH2000加以測定。光源係使用鹵素燈。
<膜厚度>透明導電膜(塗膜)之膜厚度係使用日本電子公司製JSM－6700F之掃描型電子顯微鏡，以倍率10000倍加以觀察測定。
<膜之密度>透明導電膜(塗膜)之密度係依以下之順序加以測定。預先將成為基板的PET膜切割為5(cm)×5(cm)，並測定重量。接著，將在塗佈導電性微粒子後乾燥且加壓之基板(下述公式之「施加有塗膜的基板」)切割為5(cm)×5(cm)，並測定重量。接著，使用掃描型電子顯微鏡來測定塗膜的膜厚度，根據由測定所得到的重量及膜厚度，經由下述公式求得膜之密度。另外，輥壓後的基板厚度不會變化，基板重量亦不變化。
(膜密度)＝{(施加有塗膜的基板重量)－(基板重量)}/{(塗膜的面積)×(塗膜的膜厚度)}
接著，就上述表1所示之各資料(實施例1~6及比較例1~4)，說明製造透明導電膜之際的各條件。
[實施例1]實施例1之資料顯示使用本發明之製造方法而依以下之順序所製造的透明導電膜之各特性。首先，將含有15wt%之SnO2 來作為透明導電性粒子的ITO粉末(BET粒徑30 nm)7.5 g，與醇系之溶媒17.5 g及陰離子系界面活性劑0.225 g混合，利用行星式球磨機(Fritsch製P－5型，容器容量80 ml，珠粒PSZ 0.3 mm)，以300 rpm旋轉30分鐘，製作作為流動性材料的分散液。將以此方式所得之ITO含量30wt%的ITO分散液，利用塗佈器(送膜速度5 m/min)塗佈於作為基板之PET膜(東麗製Lumiror 100T霧度1.5%總透光率89%)上，並以80℃之溫度加以乾燥。之後，使用圖2所示之輥壓機(送膜速度2.5 m/min)，以線壓200 kg/cm對此PET膜加壓，使PET膜上的塗膜之密度為3.0 g/cm3 。在家用微波爐(2.45 GHz)內的托盤上鋪設發泡Ni片，在此發泡Ni片上配置所製造之透明導電膜。此時，以透明導電膜之塗膜面與發泡Ni片接觸的方式，使塗膜面朝下而設置作為基板之膜。之後，在氮氛圍下，對此透明導電膜以1000 W照射頻率2.45 GHz之微波10分鐘。依以上之順序所得之透明導電膜係如上述表1的實施例1之資料所示，表面電阻為60 Ω/□，總透光率為86.4%，且霧度為1.7%。
[實施例2]實施例2之資料顯示除了以500 W進行微波照射以外，以和實施例1之資料的情況相同之順序所製造的透明導電膜之各特性。
[實施例3]實施例3之資料顯示除了微波照射的時間為5分鐘以外，以和實施例1相同之順序所製造的透明導電膜之各特性。
[實施例4]實施例4之資料顯示除了微波照射的時間為5分鐘以外，以和實施例2相同之順序所製造的透明導電膜之各特性。
[實施例5]實施例5之資料顯示除了輥壓機之線壓為300 kg/cm以外，以和實施例1相同之順序所製造的透明導電膜之各特性。
[實施例6]實施例6之資料顯示除了輥壓機之線壓為300 kg/cm以外，以和實施例2相同之順序所製造的透明導電膜之各特性。
[比較例1]比較例1之資料顯示使用習知周知之製造方法而依以下之順序所製造的透明導電膜之各特性。亦即，比較例1之透明導電膜係將以和實施例1相同之順序所製作的分散液，以塗佈器塗佈於基板上，並以80℃加以乾燥而成之膜，之後，不進行輥壓及微波燒成任一者來加以製造。另外，此透明導電膜的膜密度為2.6 g/cm3 。
[比較例2]比較例2之資料顯示使用習知周知之製造方法而依以下之順序所製造的透明導電膜之各特性。亦即，比較例2之透明導電膜係將以和實施例1之情況相同的方式所製作之分散液，以塗佈器塗佈於基板上，並以80℃加以乾燥，之後，施以輥壓但不進行微波處理來加以製造。
[比較例3]比較例3之資料顯示使用習知周知之製造方法而依以下之順序所製造的透明導電膜之各特性。亦即，比較例3之透明導電膜係將以和實施例1之情況相同的方式所製作之分散液，以塗佈器塗佈於基板上，並以80℃加以乾燥後，不施以輥壓而以1000 W照射微波10分鐘來加以製造。
[比較例4]比較例4之資料顯示使用習知周知之製造方法而依以下之順序所製造的透明導電膜之各特性。亦即，比較例4之透明導電膜係將以和實施例1之情況相同的方式所製作之分散液，以塗佈器塗佈於基板上，並以80℃加以乾燥後，施以輥壓，並利用電爐在氮氛圍下以100℃加熱來加以製造。
如上述表1之實施例1~6的資料所示，在使用本發明之製造方法所製造的透明導電膜之情況，可知藉由將含有透明導電性粒子的流動性材料塗佈於基板上而形成塗膜，並在使用輥壓機對塗膜施加壓力後，照射微波來促進透明導電性粒子之燒結，可達成低於100 Ω/□的表面電阻，其遠比如上述表1之比較例1~4的資料所示，使用習知周知之製造方法所製造的透明導電膜之表面電阻650~20000(Ω/□)之值還低。另外，如比較例1及3的資料所示，在於製造之際不對塗膜施加壓力的情況，可知透明導電膜的膜密度會變成2.6(g/cm3 )非常小，因此所製造之透明導電膜的表面電阻會變得非常大。
另外，在上述表1之實施例1~6，由於使用發泡Ni片來進行燒成，故會防止放電，並可不對膜造成損害而進行燒成。相對於此，在不鋪設發泡Ni片而進行微波照射的情況，塗膜恐怕會因放電使得局部變為高溫而消失。因此，在進行微波照射之際，係以鋪設發泡Ni片之類的導電性發泡片為佳。
此外，如上述表1之實施例1~6的資料所示，所製造之透明導電膜的總透光率係變為85%以上，且此值係與比較例1~4的資料所示之使用習知周知之製造方法所製造的透明導電膜之總透光率74.7~86.4相同或更高，故可知藉由本發明之製造方法所製造的透明導電膜之可見光透過性優異。又，如上述表1之實施例1~6的資料所示，所製造的透明導電膜之霧度為1.5~1.8%，此值係與比較例1~4的資料所示之使用習知周知之製造方法所製造的透明導電膜之霧度1.7~12.5相同或更低，故可知藉由本發明之製造方法所製造的透明導電膜係保持高視覺透明性。
1．．．輥壓機
2．．．塗膜
5．．．樹脂輥
6、7．．．金屬輥
8．．．導輥
10．．．高分子膜
11．．．導電性發泡片
15．．．微波
圖1是顯示與本發明實施形態有關的透明導電膜之製造方法的順序之流程圖。
圖2是在使用與本發明實施形態有關的製造方法來製造透明導電膜之際所使用的輥壓機1之概略性側面圖。
圖3是說明在使用與本發明實施形態有關的製造方法來製造透明導電膜之際，對施加於作為基板的高分子膜10上之塗膜2照射微波的順序之說明圖。
圖4是顯示實施例之結果的表1。

Claims (2)

  1. 一種透明導電膜，乃是將含有透明導電性微粒子的流動性材料塗佈於基板上後而形成塗膜，在對前述塗膜施加壓力之際，是進行藉由線壓200kg/cm以上之輥壓機的壓力施加使得前述塗膜之密度變成3.0g/cm3 以上，在對前述塗膜施加壓力後照射頻率為1GHz~1THz的微波之電磁波，來燒結前述透明導電性微粒子而被製造出；燒結後的電阻低於100Ω/□，霧度低於2%，而總透光率為85%以上。
  2. 如申請專利範圍第1項之透明導電膜，其中，透明導電性微粒子為含有氧化錫的氧化銦，其粒徑為100nm以下。
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