JP2011238714A - 機能性デバイスの製造方法並びに薄膜トランジスタ及び圧電式インクジェットヘッド - Google Patents
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Abstract
【解決手段】熱処理することにより機能性固体材料となる機能性液体材料を準備する第1工程と、基材上に機能性液体材料を塗布することにより、機能性固体材料の前駆体組成物層を形成する第2工程と、前駆体組成物層を80℃〜200℃の範囲内にある第1温度に加熱することにより、前駆体組成物層の流動性を予め低くしておく第3工程と、前駆体組成物層を80℃〜300℃の範囲内にある第2温度に加熱した状態で前駆体組成物層に対して型押し加工を施すことにより、前駆体組成物層に型押し構造を形成する第4工程と、前駆体組成物層を第2温度よりも高い第3温度で熱処理することにより、前駆体組成物層から機能性固体材料層を形成する第5工程とをこの順序で含む機能性デバイスの製造方法。
【選択図】図1
Description
従来の薄膜トランジスタ900は、図25に示すように、ソース電極950及びドレイン電極960と、ソース電極950とドレイン電極960との間に位置するチャネル層940と、チャネル層940の導通状態を制御するゲート電極920と、ゲート電極920とチャネル層940との間に形成され、強誘電体材料からなるゲート絶縁層930とを備える。なお、図25において、符号910は絶縁性基板を示す。
次に、図26(b)に示すように、ゲート電極920の上方から、ゾルゲル法により、BLT(Bi3.25La0.75Ti3O12)又はPZT(Pb(Zr0.4Ti0.6)O3)からなるゲート絶縁層930(200nm)を形成する。
次に、図26(c)に示すように、ゲート絶縁層930上に、RFスパッタ法により、ITOからなるチャネル層940(5nm〜15nm)を形成する。
次に、図26(d)に示すように、チャネル層940上に、電子ビーム蒸着法により、Ti(30nm)及びPt(30nm)を真空蒸着してソース電極950及びドレイン電極960を形成する。
次に、RIE法及びウェットエッチング法(HF:HCl混合液)により、素子領域を他の素子領域から分離する。
これにより、図26(e)及び図26(f)に示すような、薄膜トランジスタ900を製造することができる。
従来の薄膜トランジスタ900においては、図27に示すように、ゲート電圧が3V(VG=3V)のときのオン電流として約10−4A、オン/オフ比として1×104、電界効果移動度μFEとして10cm2/Vs、メモリウインドウとして約2Vの値が得られている。
また、機能性固体材料層がゲート絶縁層である場合には、機能性固体材料として、上記した金属酸化物セラミックスのうち各種常誘電体材料又は各種強誘電体材料を用いることができる。
また、機能性固体材料層がソース層、ドレイン層又はチャネル層である場合には、機能性固体材料として、上記した金属酸化物セラミックスのうち各種半導体材料又は各種導電体材料を用いることができる。
[22]本発明の薄膜トランジスタにおいては、前記チャネル領域のキャリア濃度及び層厚は、前記薄膜トランジスタがオフ状態のときに、前記チャネル領域全体が空乏化するような値に設定されていることが好ましい。
この場合において、薄膜トランジスタがエンハンスメント型のトランジスタである場合には、ゲート電極に0Vの制御電圧を印加したときに薄膜トランジスタがオフ状態となるため、このようなときにチャネル領域全体が空乏化するような値に設定されていればよく、薄膜トランジスタがディプレッション型のトランジスタである場合には、ゲート電極に負の制御電圧を印加したときに薄膜トランジスタがオフ状態となるため、このようなときにチャネル領域全体が空乏化するような値に設定されていればよい。
図1は、実施形態1に係る機能性デバイスの製造方法を説明するために示す図である。図1(a)〜図1(f)は各工程図である。
図2は、実施形態2に係る機能性デバイスの製造方法を説明するために示す図である。図2(a)は第4工程で前駆体組成物層20に型押し加工を施した直後における前駆体組成物層22の様子を示す図であり、図2(b)は前駆体組成物層22を熱処理することにより前駆体組成物層22から機能性固体材料層30を形成する途中における前駆体組成物層22の様子を示す図であり、図2(c)は前駆体組成物層22から機能性固体材料層30を形成する工程が終了した後における機能性固体材料層30の様子を示す図である。
図3は、実施形態3に係る機能性デバイスの製造方法を説明するために示す図である。図3(a)は第4工程で前駆体組成物層20に型押し加工を施した直後における前駆体組成物層22の様子を示す図であり、図3(b)は第4工程終了後に前駆体組成物層22を全面エッチングする様子を示す図であり、図3(c)は前駆体組成物層22から機能性固体材料層30を形成する工程が終了した後における機能性固体材料層30の様子を示す図である。
図4は、実施形態4に係る機能性デバイスの製造方法を説明するために示す図である。図4(a)は第4工程で前駆体組成物層20に型押し加工を施した直後における前駆体組成物層22の様子を示す図であり、図4(b)は前駆体組成物層22を熱処理することにより前駆体組成物層22から機能性固体材料層30を形成する途中における前駆体組成物層22の様子を示す図であり、図4(c)は前駆体組成物層22から機能性固体材料層30を形成する工程が終了した後における機能性固体材料層30の様子を示す図である。
図5は、実施形態5に係る機能性デバイスの製造方法を説明するために示す図である。図5(a)は第4工程で前駆体組成物層20に型押し加工を施した直後における前駆体組成物層22の様子を示す図であり、図5(b)は第4工程終了後に前駆体組成物層22を全面エッチングする様子を示す図であり、図5(c)は前駆体組成物層22から機能性固体材料層30を形成する工程が終了した後における機能性固体材料層30の様子を示す図である。
1.実施形態6に係る薄膜トランジスタ100
図6は、実施形態6に係る薄膜トランジスタ100を説明するために示す図である。図6(a)は薄膜トランジスタ100の平面図であり、図6(b)は図6(a)のA1−A1断面図であり、図6(c)は図6(a)のA2−A2断面図である。
実施形態6に係る薄膜トランジスタ100は、以下に示す薄膜トランジスタの製造方法(実施形態6に係る薄膜トランジスタの製造方法)により製造することができる。以下、工程順に説明する。
まず、熱処理することにより金属酸化物セラミックス(酸化ニッケルランタン)からなる機能性固体材料となる機能性液体材料を準備する(第1工程)。具体的には、金属無機塩(硝酸ランタン(六水和物)及び酢酸ニッケル(四水和物))を含有する溶液(溶媒:2ーメトキシエタノール)を準備する。
まず、熱処理することにより金属酸化物セラミックス(PZT)からなる機能性固体材料となる機能性液体材料を準備する。具体的には、機能性液体材料として、金属アルコキシドを含有する溶液(三菱マテリアル株式会社製、PZTゾルゲル溶液)を準備する(第1工程)。
まず、熱処理することにより金属酸化物セラミックス(ITO)からなる機能性固体材料となる機能性液体材料を準備する(第1工程)。具体的には、機能性液体材料として、金属カルボン酸塩を含有する溶液(株式会社高純度化学研究所製の機能性液体材料(商品名:ITO−05C)、原液:希釈液=1:1.5)を準備する。なお、当該機能性液体材料には、完成時にチャネル領域142のキャリア濃度が1×1015cm−3〜1×1021cm−3の範囲内になるような濃度の不純物が添加されている。
実施形態6に係る薄膜トランジスタ100によれば、チャネル領域142を構成する材料として酸化物導電性材料を用いているためキャリア濃度を高くすることができ、また、ゲート絶縁層130を構成する材料として強誘電体材料を用いているため低い駆動電圧で高速にスイッチングすることができ、その結果、従来の薄膜トランジスタ900の場合と同様に、大きな電流を低い駆動電圧で高速に制御することが可能となる。
1.実施形態7に係る薄膜トランジスタ200
図10は、実施形態7に係る薄膜トランジスタ200を説明するために示す図である。図10(a)は薄膜トランジスタ200の平面図であり、図10(b)は図10(a)のA1−A1断面図であり、図10(c)は図10(a)のA2−A2断面図である。
まず、熱処理することにより金属酸化物セラミックス(ITO)からなる機能性固体材料となる機能性液体材料を準備する(第1工程)。具体的には、機能性液体材料として、金属カルボン酸塩を含有する溶液(株式会社高純度化学研究所製の機能性液体材料(商品名:ITO−05C))を準備する。なお、当該機能性液体材料には、完成時にチャネル領域242のキャリア濃度が1×1015cm−3〜1×1021cm−3の範囲内になるような濃度の不純物が添加されている。
まず、熱処理することにより金属酸化物セラミックス(PZT)からなる機能性固体材料となる機能性液体材料を準備する(第1工程)。具体的には、機能性液体材料として、金属アルコキシドを含有する溶液(三菱マテリアル株式会社製、PZTゾルゲル溶液)を準備する。
まず、熱処理することにより金属酸化物セラミックス(酸化ニッケルランタン)からなる機能性固体材料となる機能性液体材料を準備する(第1工程)。具体的には、金属無機塩(硝酸ランタン(六水和物)及び酢酸ニッケル(四水和物))を含有する溶液(溶媒:2ーメトキシエタノール)を準備する。
図13は、実施形態8に係る圧電式インクジェットヘッド300を説明するために示す図である。図13(a)は圧電式インクジェットヘッド300の断面図であり、図13(b)及び図13(c)は圧電式インクジェットヘッド300がインクを吐出するときの様子を示す図である。
実施形態8に係る圧電式インクジェットヘッド300は、図13(a)に示すように、キャビティ部材340と、キャビティ部材340の一方側に取り付けられ、圧電体素子320が形成された振動板350と、キャビティ部材340の他方側に取り付けられ、ノズル孔332が形成されたノズルプレート330と、キャビティ部材340、振動板350及びノズルプレート330によって画成されるインク室360とを備える。振動板350には、インク室360に連通しインク室360にインクを供給するためのインク供給口352が設けられている。
このような構造を有する圧電式インクジェットヘッド300は、圧電体素子320(第1電極層322、圧電体層324及び第2電極層326)及びキャビティ部材340がともに、本発明の機能性デバイスの製造方法を用いて形成されたものである。以下、実施形態8に係る圧電式インクジェットヘッド300の製造方法を工程順に説明する。
(1−1)第1電極層322の形成
まず、熱処理することにより金属酸化物セラミックス(酸化ニッケルランタン)からなる機能性固体材料となる機能性液体材料を準備する(第1工程)。具体的には、金属無機塩(硝酸ランタン(六水和物)及び酢酸ニッケル(四水和物))を含有する溶液(溶媒:2ーメトキシエタノール)を準備する。
まず、熱処理することにより金属酸化物セラミックス(PZT)からなる機能性固体材料となる機能性液体材料を準備する(第1工程)。具体的には、機能性液体材料として、金属アルコキシドを含有する溶液(三菱マテリアル株式会社製、PZTゾルゲル溶液)を準備する(第1工程)。
まず、熱処理することにより金属酸化物セラミックス(酸化ニッケルランタン)からなる機能性固体材料となる機能性液体材料を準備する(第1工程)。具体的には、金属無機塩(硝酸ランタン(六水和物)及び酢酸ニッケル(四水和物))を含有する溶液(溶媒:2ーメトキシエタノール)を準備する。
図15(d)に示すように、インク供給口352を有する振動板350と圧電体素子320とを接着剤を用いて貼り合わせる。
まず、熱処理することにより金属酸化物セラミックス(石英ガラス)となる機能性液体材料を準備する(第1工程)。具体的には、機能性液体材料として、金属アルコキシド(イソプロピルシリケート(Si(OC3H7)4)を含有する溶液を準備する。
図16(d)に示すように、キャビティ部材340と、ノズル孔332を有するノズルプレート330とを接着剤を用いて貼り合わせる。
図16(e)に示すように、圧電体層320からダミー基板310を取り外す。これにより、実施形態8に係る圧電式インクジェットヘッド300が完成する。
実施形態8に係る圧電式インクジェットヘッド300によれば、圧電体素子320(第1電極層322、圧電体層324及び第2電極層326)並びにキャビティ部材340が型押し成形技術を用いて形成されたものであるため、圧電式インクジェットヘッドを、従来よりも大幅に少ない原材料及び製造エネルギーを用いて、かつ、従来よりも短工程で製造することが可能となる。
実施例1は、型押し成形技術を用いて本発明の薄膜トランジスタを製造することができることを示す実施例である。
図17は、実施例1に係る薄膜トランジスタの製造方法を説明するために示す図である。図17(a)〜図17(d)は各工程図であり、図17(e)は図17(d)の符号R3で示す部分を横方向に引き延ばした図である。
図18は、実施例1に用いる型押し成形加工装置700を説明するために示す図である。なお、図18中、符号710は下型、符号712は断熱板、符号714はヒーター、符号716は載置部、符号718は吸引部、符号720は上型、符号722はヒーター、符号724は固定部、符号726は石英ガラス基材を示す。
図20は、実施例1に用いる凹凸型M13を説明するために示す図である。図20(a)は凹凸型M13の平面図であり、図20(b)は図20(a)における領域R6の拡大平面図であり、図20(c)は図20(b)のA4−A4断面図である。
実施形態6に係る薄膜トランジスタの製造方法におけるゲート電極形成工程と同様の方法により、酸化ニッケルランタン(LNO)からなるゲート電極420を形成した(図17(a)及び図17(b)参照。)。ゲート電極420の層厚は100nmである。
実施形態6に係る薄膜トランジスタの製造方法におけるゲート絶縁膜形成工程と同様の方法により、PZTからなるゲート絶縁層430を形成した(図17(c)参照。)。ゲート絶縁層430の層厚は140nmである。
実施形態6に係る薄膜トランジスタの製造方法における酸化物導電体層形成工程と同様の方法により、ITOからなる酸化物導電体層440を形成した(図17(d)及び図17(e)参照。)。酸化物導電体層440の層厚は、チャネル領域442において20nm、ソース/ドレイン領域444において100nmである。
(1)薄膜トランジスタ400の構造
図21は、実施例1に係る薄膜トランジスタ400を説明するために示す図である。図21(a)は複数の薄膜トランジスタ400が配置されている様子を示す平面図であり、図21(b)は図21(a)における符号R7で示す領域を拡大して示す図であり、図21(c)は図21(a)における符号R8で示す領域を拡大して示す図である。
まず、酸化物導電体層440の端部を1%フッ酸によりウェットエッチングし、下部のゲート電極420を露出させ、ゲート電極用のプローブを押し当てた。その後、上記したように、領域P1と領域P2とに各プローブを接触させ、さらには、領域P3と領域P4とに各プローブを接触させることにより、薄膜トランジスタ400における電気特性(ドレイン電流IDとゲート電圧VGとの間のID−VG特性、ドレイン電流IDとドレイン電圧VDとの間のID−VD特性)を半導体パラメータアナライザー(アジレント製)を用いて測定した。
実施例2は、前駆体組成物層を80℃〜300℃の範囲内にある第2温度に加熱することによって、前駆体組成物層の塑性変形能力が高くなることを示す実施例である。
スピンコート法を用いて、基材上に機能性液体材料を100nmの層厚で塗布し(例えば、200rpm・25秒)、その後、基材をホットプレート上に置き150℃で30秒間乾燥させることにより、100nmの層厚の前駆体組成物層を形成した。基材としては、「シリコン基板の表面を酸化してSiO2層を形成した基板」と、「Pt基板」を用いた。機能性液体材料としては、「金属アルコキシドを含有する溶液(三菱マテリアル株式会社製、PZTゾルゲル溶液)」及び「金属カルボン酸塩を含有する溶液(豊島製作所製、PZTゾルゲル溶液)」を用いた。
エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製のプローブ顕微鏡「S−IMAGE」に米国アナシスインスツルメンツ社のカンチレバーユニット「nano−TA2」を取り付けてナノサーマル顕微鏡とする。そして、当該ナノサーマル顕微鏡のカンチレバーを、種々の加重条件、温度条件(室温、100℃、200℃、300℃、400℃)、離型処理条件(離型処理有り、離型処理無し)の下で、上記の前駆体組成物層に押し込み、前駆体組成物層に対するカンチレバーの押し込み状態をプローブ顕微鏡のDFMモードで観察することにより行った。
「金属アルコキシドを含有する溶液(三菱マテリアル株式会社製、PZTゾルゲル溶液)」を用いて形成した前駆体組成物層及び「金属カルボン酸塩を含有する溶液(豊島製作所製、PZTゾルゲル溶液)」を用いて形成した前駆体組成物層のいずれも、どの加重条件においても、室温及び400℃では前駆体組成物層に対してカンチレバーが押し込まれなかったが、100℃、200℃及び300℃では前駆体組成物層に対してカンチレバーが押し込まれた。
図24からも把握できるように、基材上に機能性液体材料を塗布することにより機能性固体材料の前駆体組成物層を形成した場合、当該前駆体組成物層を形成した初期の時点では、前駆体組成物層が柔らかすぎて塑性変形能力が低く、良好な型押し成形を実施することができない(符号S1参照。)。これに対して、当該前駆体組成物層を加熱して乾燥させた場合には、前駆体組成物層の固化反応がある程度進むため、また、主溶媒が除去されるため、前駆体組成物層の流動性が低くなって前駆体組成物層がちょうどよい硬さになる(符号S2参照。)。しかしながら、この前駆体組成物層を室温で型押し成形したのでは、前駆体組成物層が硬くなりすぎて、塑性変形能力が再び低下する(符号S3参照。)。そこで、固化反応がある程度進んだ状態の前駆体組成物層を100℃〜300℃の範囲内にある第2温度に再び加熱することとしたのである。これにより、前駆体組成物層の硬度を低くすることで前駆体組成物層の塑性変形能力を再び高くして、良好な型押し成形を実施することが可能となる(符号S4参照。)。
Claims (26)
- 熱処理することにより金属酸化物セラミックス又は金属からなる機能性固体材料となる機能性液体材料を準備する第1工程と、
基材上に前記機能性液体材料を塗布することにより、前記機能性固体材料の前駆体組成物層を形成する第2工程と、
前記前駆体組成物層を80℃〜200℃の範囲内にある第1温度に加熱することにより、前記前駆体組成物層の流動性を予め低くしておく第3工程と、
前記前駆体組成物層を80℃〜300℃の範囲内にある第2温度に加熱した状態で前記前駆体組成物層に対して型押し加工を施すことにより、前記前駆体組成物層に型押し構造を形成する第4工程と、
前記前駆体組成物層を前記第2温度よりも高い第3温度で熱処理することにより、前記前駆体組成物層から前記機能性固体材料層を形成する第5工程とをこの順序で含むことを特徴とする機能性デバイスの製造方法。 - 請求項1に記載の機能性デバイスの製造方法において、
前記第4工程においては、1MPa〜20MPaの範囲内にある圧力で型押し加工を施すことを特徴とする機能性デバイスの製造方法。 - 請求項1又は2に記載の機能性デバイスの製造方法において、
前記第4工程においては、80℃〜300℃の範囲内にある第4温度に加熱した型を用いて型押し加工を施すことを特徴とする機能性デバイスの製造方法。 - 請求項1〜3のいずれかに記載の機能性デバイスの製造方法において、
前記第4工程においては、少なくとも前記前駆体組成物層の表面に対する離型処理又は前記型の型押し面に対する離型処理を施した後、前記前駆体組成物層に対して型押し加工を施すことを特徴とする機能性デバイスの製造方法。 - 請求項1〜4のいずれかに記載の機能性デバイスの製造方法において、
前記機能性液体材料は、金属アルコキシドを含有する溶液、金属有機酸塩を含有する溶液、金属無機酸塩を含有する溶液、金属ハロゲン化物を含有する溶液、金属、窒素及び水素を含有する無機化合物を含有する溶液、金属水素化物を含有する溶液、金属ナノ粒子を含有する溶液又はセラミックス微粒子を含有する溶液であることを特徴とする機能性デバイスの製造方法。 - 請求項5に記載の機能性デバイスの製造方法において、
前記機能性液体材料は、金属アルコキシドを含有する溶液、金属有機酸塩を含有する溶液又は金属無機酸塩を含有する溶液であり、
前記第4工程における前記前駆体組成物層から前記機能性固体材料層への体積収縮率は、30%〜90%の範囲内にあることを特徴とする機能性デバイスの製造方法。 - 請求項5に記載の機能性デバイスの製造方法において、
前記機能性液体材料は、金属ハロゲン化物を含有する溶液、金属、窒素及び水素を含有する無機無機化合物を含有する溶液、金属水素化物を含有する溶液、金属ナノ粒子を含有する溶液又はセラミックス微粒子を含有する溶液であり、
前記第5工程における前記前駆体組成物層から前記機能性固体材料層への体積収縮率は、1%〜30%の範囲内にあることを特徴とする機能性デバイスの製造方法。 - 請求項5〜7のいずれかに記載の機能性デバイスの製造方法において、
前記第5工程においては、酸素含有雰囲気で熱処理することにより、金属酸化物セラミックスからなる機能性固体材料層を形成することを特徴とする機能性デバイスの製造方法。 - 請求項5〜7のいずれかに記載の機能性デバイスの製造方法において、
前記第5工程においては、還元雰囲気で熱処理することにより、金属からなる機能性固体材料層を形成することを特徴とする機能性デバイスの製造方法。 - 請求項1〜9のいずれかに記載の機能性デバイスの製造方法において、
前記第4工程においては、前記第5工程における熱処理により、最も層厚が薄い領域でクラックが発生するような型押し構造を形成することを特徴とする機能性デバイスの製造方法。 - 請求項1〜9のいずれかに記載の機能性デバイスの製造方法において、
前記第4工程と前記第5工程との間に、型押し加工が施された前記前駆体組成物層のうち最も層厚が薄い領域において前記前駆体組成物層が完全に除去されるような条件で、前記前駆体組成物層を全体的にエッチングする工程をさらに含むことを特徴とする機能性デバイスの製造方法。 - 請求項10又は11に記載の機能性デバイスの製造方法において、
前記機能性固体材料層が結晶構造を有する機能性固体材料からなり、
前記基材又は基材の表面における結晶構造と、前記機能性固体材料層の結晶構造が同一又は類似の結晶構造であることを特徴とする機能性デバイスの製造方法。 - 請求項10又は11に記載の機能性デバイスの製造方法において、
前記第2工程においては、前記基材として、表面に前記前駆体組成物層に対する親和性の異なる2つの領域を有する基材を用い、
前記第4工程においては、前記2つの領域のうち前記前駆体組成物層に対する親和性が相対的に高い第1領域においては、前記2つの領域のうち前記前駆体組成物層に対する親和性が相対的に低い第2領域においてよりも層厚が厚くなるように、前記前駆体組成物層に型押し構造を形成することを特徴とする機能性デバイスの製造方法。 - 請求項1〜13のいずれかに記載の機能性デバイスの製造方法において、
前記機能性デバイスは、薄膜トランジスタであり、
前記機能性固体材料層は、前記薄膜トランジスタにおけるゲート電極層、ゲート絶縁層、ソース層、ドレイン層、チャネル層及び配線層のうち少なくとも1つの層であることを特徴とする機能性デバイスの製造方法。 - 請求項1〜13のいずれかに記載の機能性デバイスの製造方法において、
前記機能性デバイスは、圧電体層を備えるアクチュエーターであり、
前記機能性固体材料層は、前記圧電体層であることを特徴とする機能性デバイスの製造方法。 - 請求項1〜13のいずれかに記載の機能性デバイスの製造方法において、
前記機能性デバイスは、基材上に複数の格子層を備える光学デバイスであり、
前記機能性固体材料層は、前記格子層であることを特徴とする機能性デバイスの製造方法。 - ソース領域及びドレイン領域並びにチャネル領域を含む酸化物導電体層と、
前記チャネル領域の導通状態を制御するゲート電極と、
前記ゲート電極と前記チャネル領域との間に形成され強誘電体材料又は常誘電体材料からなるゲート絶縁層とを備え、
前記チャネル領域の層厚は、前記ソース領域の層厚及び前記ドレイン領域の層厚よりも薄いことを特徴とする薄膜トランジスタであって、
前記チャネル領域の層厚が前記ソース領域の層厚及び前記ドレイン領域の層厚よりも薄い前記酸化物導電体層は、請求項1〜12のいずれかに記載の機能性デバイスの製造方法を用いて形成されたものであることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 請求項17に記載の薄膜トランジスタにおいて、
前記酸化物導電体層、前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁層はすべて、前記機能性液体材料を用いて形成されたものであることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 請求項17又は18に記載の薄膜トランジスタにおいて、
前記酸化物導電体層、前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁層はすべて、真空プロセスを用いることなく形成されたものであることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 請求項17〜19のいずれかに記載の薄膜トランジスタにおいて、
前記酸化物導電体層、前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁層は、すべて酸化物材料からなることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 請求項20に記載の薄膜トランジスタにおいて、
前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁層はともに、ペロブスカイト構造を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 請求項17〜21のいずれかに記載の薄膜トランジスタにおいて、
前記チャネル領域のキャリア濃度及び層厚は、前記薄膜トランジスタがオフ状態のときに、前記チャネル領域全体が空乏化するような値に設定されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 請求項22に記載の薄膜トランジスタにおいて、
前記チャネル領域のキャリア濃度は、1×1015cm−3〜1×1021cm−3の範囲内にあり、
前記チャネル領域の層厚は、5nm〜100nmの範囲内にあることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - キャビティ部材と、
前記キャビティ部材の一方側に取り付けられ、圧電体層が形成された振動板と、
前記キャビティ部材の他方側に取り付けられ、ノズル孔が形成されたノズルプレートと、
前記キャビティ部材、前記振動板及び前記ノズルプレートによって画成されるインク室とを備える圧電式インクジェットヘッドであって、
前記圧電体層及び/又は前記キャビティ部材は、請求項1〜12のいずれかに記載の機能性デバイスの製造方法を用いて形成されたものであることを特徴とする圧電式インクジェットヘッド。 - 請求項24に記載の圧電式インクジェットヘッドにおいて、
前記キャビティ部材、振動板及び圧電体層はともに、前記機能性液体材料を用いて形成されたものであることを特徴とする圧電式インクジェットヘッド。 - 請求項24又は25に記載の圧電式インクジェットヘッドにおいて、
前記キャビティ部材、振動板及び前記圧電体層はともに、真空プロセスを用いることなく形成されたものであることを特徴とする圧電式インクジェットヘッド。
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