JP5131447B2 - 光学素子、光集積デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
102、502 シリコン熱酸化膜
103、503 下部電極
104、504 CVD−SiO2膜
105、703 Mn含有STO(SrTiO3)層
106、704 Mn非含有STO(SrTiO3)層
107 クラッド層
108 PZT層(コア層)
109、508 上部電極
110、509 金属電極
505 Mn含有SrTiO3層(上部クラッド層)
506 Mn非含有SrTiO3層(下部クラッド層)
507 PLZT層(コア層)
702 シリコン熱酸化膜(クラッド層)
705 コア層
Claims (26)
- 基板上に形成される下部電極と、前記下部電極に対向する上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に形成され、両電極間を絶縁するシリコン絶縁膜と、前記下部電極と前記上部電極との間に形成された光導波路とを有し、
前記導波路は、電気光学材料から成ると共に、電気光学効果を有するコア層と、前記コア層の導波路方向の周囲のうち少なくとも前記下部電極と前記上部電極との対向方向に形成されたクラッド層とによって構成され、
前記クラッド層のうちの少なくとも前記シリコン絶縁膜に接する部分は、化学式ABO 3 または化学式(Bi 2 O 2 )(A m−1 B m O 3m+1 )(m=1、2、3、4、5)で表される高誘電率酸化物に添加物を含有し、
前記化学式ABO 3 で表される前記高誘電率酸化物は、
Aとして、バリウム(Ba)、ストロンチウム(Sr)、カルシウム(Ca)、リチウム(Li)、カリウム(K)のうち少なくとも1種以上、
Bとして、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、ニオブ(Nb)、亜鉛(Zn)、タングステン(W)のうち少なくとも1種以上を含む酸化物であり、
前記化学式(Bi 2 O 2 )(A m−1 B m O 3m+1 )(m=1、2、3、4、5)で表される前記高誘電率酸化物は、
Aとして、バリウム(Ba)、ストロンチウム(Sr)、鉛(Pb)、カルシウム(Ca)、カリウム(K)、ビスマス(Bi)のうち少なくとも1種以上、
Bとして、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、タングステン(W)のうち少なくとも1種以上を含む酸化物であり、
前記添加物は、マンガン(Mn)、ケイ素(Si)、マグネシウム(Mg)、バナジウム(V)、クロム(Cr)、鉄(Fe)、モリブデン(Mo)、ルテニウム(Ru)、スカンジウム(Sc)、イットリウム(Y)、ランタン(La)、ネオジム(Nd)、ガドリニウム(Gd)のうち少なくとも1種以上であることを特徴とする光学素子。 - 請求項1に記載の光学素子において、前記高誘電率酸化物はチタン酸ストロンチウム(SrTiO3)であることを特徴とする光学素子。
- 請求項2に記載の光学素子において、チタン酸ストロンチウム(SrTiO 3 )への添加物はマンガン(Mn)であることを特徴とする光学素子。
- 請求項3に記載の光学素子において、チタン酸ストロンチウム(SrTiO 3 )への添加物マンガン(Mn)含有量が、チタン酸ストロンチウム(SrTiO3)に対するMn2O3のモル比として0.5%以上、5%以下であることを特徴とする光学素子。
- 請求項3または4に記載の光学素子において、前記Mnを含有したチタン酸ストロンチウム(SrTiO3)の膜厚は30nm以上であることを特徴とする光学素子。
- 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の光学素子において、前記下部電極は透明電極から構成される一方、前記上部電極は透明電極と金属電極から構成され、前記クラッド層には、前記透明電極が接していることを特徴とする光学素子。
- 請求項1乃至6のいずれか一項に記載の光学素子において、前記コア層がチタン酸ジルコン酸鉛、或いはLaを含有するチタン酸ジルコン酸鉛を主たる成分とすることを特徴とする光学素子。
- 請求項1乃至7のいずれか一項に記載の光学素子において、前記クラッド層の前記高誘電率酸化物に前記添加物を含有し、前記シリコン絶縁膜に接する前記部分は、前記下部電極と接することを特徴とする光学素子。
- 請求項1乃至8のいずれかに記載の光学素子が、前記下部電極および前記上部電極に電気信号を印加することで光を制御する光変調器、光スイッチであることを特徴とする光学素子。
- 請求項1乃至9のいずれか一項に記載の光学素子において、前記クラッド層は、化学式ABO 3 または化学式(Bi 2 O 2 )(A m−1 B m O 3m+1 )(m=1、2、3、4、5)で表される高誘電率酸化物に添加物を含有し、前記シリコン絶縁膜に接する層と、前記高誘電率酸化物に添加物を含有しない層との少なくとも二層以上の高誘電率酸化物の積層構造であることを特徴とする光学素子。
- 請求項1乃至10のいずれかに記載の光学素子を基板上に少なくとも1つ備え、前記基板上に少なくとも2以上の光学素子が集積化されたことを特徴とする光集積デバイス。
- 請求項11の光集積デバイスにおいて、光学素子がレーザー、電気光変換器、光電気変換器、光増幅器、光スイッチまたは光フィルターのすくなくともいずれか1つであることを特徴とする光集積デバイス。
- 請求項1乃至10のいずれかに記載の光学素子、或いは請求項11または12に記載の光集積デバイスであって、同一基板上に光学素子以外に電子回路が集積化されたことを特徴とする光集積デバイス。
- 請求項13に記載の光集積デバイスにおいて、前記電子回路は、論理演算回路または記憶装置であることを特徴とする光集積デバイス。
- 基板上に形成される下部電極と、前記下部電極に対向する上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に形成され、両電極間を絶縁するシリコン絶縁膜と、前記下部電極と前記上部電極との間に形成された光導波路とを有し、
前記導波路は、電気光学材料から成ると共に、電気光学効果を有するコア層と、前記コア層の導波路方向の周囲のうち少なくとも前記下部電極と前記上部電極との対向方向に形成されたクラッド層とによって構成され、
前記クラッド層のうちの少なくとも前記シリコン絶縁膜に接する部分は、化学式ABO 3 または化学式(Bi 2 O 2 )(A m−1 B m O 3m+1 )(m=1、2、3、4、5)で表される高誘電率酸化物に添加物を含有し、
前記化学式ABO 3 で表される前記高誘電率酸化物は、
Aとして、バリウム(Ba)、ストロンチウム(Sr)、カルシウム(Ca)、リチウム(Li)、カリウム(K)のうち少なくとも1種以上、
Bとして、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、ニオブ(Nb)、亜鉛(Zn)、タングステン(W)のうち少なくとも1種以上を含む酸化物であり、
前記化学式(Bi 2 O 2 )(A m−1 B m O 3m+1 )(m=1、2、3、4、5)で表される前記高誘電率酸化物は、
Aとして、バリウム(Ba)、ストロンチウム(Sr)、鉛(Pb)、カルシウム(Ca)、カリウム(K)、ビスマス(Bi)のうち少なくとも1種以上、
Bとして、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、タングステン(W)のうち少なくとも1種以上を含む酸化物であり、
前記添加物は、マンガン(Mn)、ケイ素(Si)、マグネシウム(Mg)、バナジウム(V)、クロム(Cr)、鉄(Fe)、モリブデン(Mo)、ルテニウム(Ru)、スカンジウム(Sc)、イットリウム(Y)、ランタン(La)、ネオジム(Nd)、ガドリニウム(Gd)のうち少なくとも1種以上である光学素子の製造方法であって、
前記クラッド層を形成する工程は、前記添加物を含有する前記高誘電率酸化物を前記シリコン絶縁膜上に形成する工程を含むことを特徴とする光学素子の製造方法。 - 請求項15に記載の光学素子の製造方法において、前記クラッド層は、化学式ABO 3 または化学式(Bi 2 O 2 )(A m−1 B m O 3m+1 )(m=1、2、3、4、5)で表される高誘電率酸化物に添加物を含有し、前記シリコン絶縁膜に接する層と、前記高誘電率酸化物に添加物を含有しない層との少なくとも二層以上の高誘電率酸化物の積層構造であり、
前記クラッド層を形成する工程は、前記添加物を含有する前記層を前記シリコン絶縁膜上に形成する工程と、前記高誘電率酸化物に添加物を含有しない前記層を前記添加物を含有する前記層上に形成する工程とを含み、二層以上の高誘電率酸化物の積層構造を形成することを特徴とする光学素子の製造方法。 - 請求項16に記載の光学素子の製造方法において、前記クラッド層を形成する工程は、
前記添加物を含有した前記高誘電率酸化物をターゲットとしたスパッタ法により、前記高誘電率酸化物に前記添加物を含む前記層を前記シリコン絶縁膜上に形成する工程と、
続いて、前記添加物を含有しない前記高誘電率酸化物をターゲットしたスパッタ法により、前記高誘電率酸化物に添加物を含有しない前記層を形成する工程とを含むことを特徴とする光学素子の製造方法。 - 請求項16に記載の光学素子の製造方法において、前記高誘電率酸化物はチタン酸ストロンチウム(SrTiO 3 )であることを特徴とする光学素子の製造方法。
- 請求項18に記載の光学素子の製造方法において、チタン酸ストロンチウム(SrTiO 3 )への添加物はマンガン(Mn)であることを特徴とする光学素子の製造方法。
- 請求項16に記載の光学素子の製造方法において、前記クラッド層を形成する工程は、
Sr、Ti、Mnの有機金属化合物を原料とするCVD法により、SrTiO 3 にMnを含む層を前記シリコン絶縁膜上に形成する工程と、
続いて、Sr、Tiの有機金属化合物のみを原料とするCVD法により、SrTiO 3 にMnを含有しない層を形成する工程とを含むことを特徴とする光学素子の製造方法。 - 請求項19に記載の光学素子の製造方法において、チタン酸ストロンチウム(SrTiO 3 )へのMn含有量が、チタン酸ストロンチウム(SrTiO3)に対するMn2O3のモル比として0.5%以上、5%以下であることを特徴とする光学素子の製造方法。
- 請求項19乃至21のいずれか一項に記載の光学素子の製造方法において、前記Mnを含有したSrTiO3層の膜厚は30nm以上であることを特徴とする光学素子の製造方法。
- 請求項15乃至22のいずれか一項に記載の光学素子の製造方法において、前記下部電極は透明電極から構成される一方、前記上部電極は透明電極と金属電極から構成され、前記クラッド層には、前記透明電極が接するように形成されることを特徴とする光学素子の製造方法。
- 請求項15乃至23のいずれか一項に記載の光学素子の製造方法において、前記クラッド層の前記高誘電率酸化物に前記添加物を含有し、前記シリコン絶縁膜に接する前記層は、前記下部電極と接するように形成されることを特徴とする光学素子の製造方法。
- 請求項15乃至24のいずれか一項に記載の光学素子の製造方法において、前記コア層が、超微粒子脆性材料に機械的衝撃力を負荷して前記超微粒子脆性材料を接合させ成形体を形成されることを特徴とする光学素子の製造方法。
- 請求項25に記載の光学素子の製造方法において、前記超微粒子脆性材料がチタン酸ジルコン酸鉛、或いはLaを含有するチタン酸ジルコン酸鉛を主たる成分とすることを特徴とする光学素子の製造方法。
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