JP3810678B2 - 光導波路装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光導波路装置に係り、特に、光信号の経路の切り換えや光の偏向を行いうる光導波路装置及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
光信号は、伝搬速度が速いため高速なデータ通信が可能である。このため、基幹通信システムのような長距離伝送では、光通信が主流となっている。近年、光通信の伝送帯域は増大の一途をたどり、波長多重化(WDM:Wavelength Division Multiplex)方式の進展と相俟って、高速かつ大容量化が進んでいる。
【0003】
基幹通信ネットワークにおける光ファイバー網のハードウェアのインフラストラクチャーを構築するためには、光信号の経路を切り替えるための光偏向器が必要となる。
【0004】
これまで、光偏向器としては、機械式のマイクロミラーが用いられてきた。また、より高集積化を可能とし、高速かつ低損失の光通信を実現することを目的として、強誘電体の電気光学効果による屈折率の変化を利用した光偏向器も提案されている。
【0005】
強誘電体の電気光学効果による屈折率の変化を利用した光偏向器としては、例えば、プリズム型ドメイン反転光偏向素子やプリズム型電極光偏向素子が提案されている(Q. Chen et al., J. Lightwave Tech. vol.12(1994) 1401 、特開昭62−47627号公報等を参照)。これらの光偏向器は、Ti拡散型導波路やプロトン交換型光導波路をLiNbO3単結晶基板上に形成することにより構成されている。これらの光偏向器では、LiNbO3単結晶基板と光導波路を挟んで電極が形成されており、電極間隔は、LiNbO3単結晶基板の厚さである0.5mm程度となっていた。このため、例えば、600V程度の高い駆動電圧を印加しなければ光を偏向することができなかった。また、例えば、600V程度の高い駆動電圧を印加したとしても、僅か0.5°程度の偏向角度しか得られず、実用化に必要な偏向角度を得ることができなかった。
【0006】
一方、特開平9−5797号公報には、高い電気光学定数を有する強誘電体のPLZT((Pb1-xLax)(ZryTi1-y)O3)を用いた光偏向素子が開示されている。この光偏向素子は、NbがドープされたSTO(SrTiO3)よりなる導電性単結晶基板(以下、STO基板という)の(100)面上に、厚さ600nmの(Pb0.88La0.12)(Zr0.4Ti0.6)O3よりなる薄膜導波路層をエピタキシャル成長することにより構成されている。この光偏向素子によれば、例えば−12Vから+12Vの範囲で印加電圧を適宜設定することにより最大で10.8°の偏向角度を得ることが可能である。
【0007】
ところで、チャネル数が64以上の大規模光スイッチを有する光クロスコネクト装置を実用化するためには、64チャネル以上の光スイッチを同一基板上に形成することが望ましい。この場合、光スイッチに光信号を導入するためのチャネル導波路のピッチを0.7mmとすると、最低でも0.7mm×64=44.8mmの幅を有する基板を用いることが必要となる。STO単結晶基板は、PZT(Pb(Zr1-xTix)O3)やPLZTとの格子整合性が良好であるため、PZTやPLZTを用いた光導波路を形成するのには適している。しかし、STO単結晶基板は、大型の単結晶を得ることが非常に困難であるとともに非常に高価である。このため、STO単結晶基板を用いた場合には、チャネル数の多い光クロスコネクト装置等を低廉に提供することができなかった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
一方、酸化マグネシウム単結晶基板(以下、MgO基板という)は、PZT、PLZTとの格子整合性が比較的良好である。しかも、MgO基板は4インチφ基板の量産が可能であり、STO基板に比べて安価である。このため、MgO基板を用いれば、チャネル数の多い光クロスコネクト装置等を低廉に提供することができると考えられる。
【0009】
しかし、MgOの熱膨張係数は14.5×10-6/℃であり、光導波路層の材料となるPZTの熱膨張係数7.5×10-6/℃に比べて非常に大きい。このため、PZT膜を結晶化するために800K以上の高温の熱処理を行うと、PZT膜に非常に大きな応力が加わり、光導波路層が破損してしまう。
【0010】
本発明の目的は、MgO基板上にPLZT、PZT等のペロブスカイト酸化物よりなる光導波路層を破損することなく形成し得る光導波路装置及びその製造方法を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、酸化マグネシウム基板と、前記酸化マグネシウム基板上に形成された光導波路層とを有する光導波路装置であって、前記光導波路層は、強誘電体又は反強誘電体よりなるコア層と、前記コア層の上下に形成された上部クラッド層及び下部クラッド層を有し、前記強誘電体は、Pb、Ti、及びOから構成されるペロブスカイト型の結晶構造を有する強誘電体、Pb、Zr、Ti、及びOから構成されるペロブスカイト型の結晶構造を有する強誘電体、Pb、La、Zr、Ti、及びOから構成されるペロブスカイト型の結晶構造を有する強誘電体、又はPb、La、Ti、及びOから構成されるペロブスカイト型の結晶構造を有する強誘電体からなり、前記反強誘電体は、AサイトにPbが80%以上の割合で存在し、BサイトにSnが5%以上50%以下の割合で存在するペロブスカイト型の結晶構造を有する反強誘電体からなり、前記酸化マグネシウム基板と前記光導波路層との間に形成され、前記酸化マグネシウム基板及び前記光導波路層とほぼ格子整合し、室温から700℃までの平均熱膨張係数が8.0×10−6〜13.0×10−6/℃の範囲内である応力緩和層を更に有し、前記応力緩和層は、AサイトにPb、La、Ba、Sr又はCaのうち少なくともいずれかを含み、BサイトにTi、Sn、Zr、又はHfのうち少なくともいずれかを含むペロブスカイト型の結晶構造を有する材料よりなることを特徴とする光導波路装置により達成される。
【0012】
また、上記目的は、酸化マグネシウム基板上に、光導波路層を形成する工程を有する光導波路装置の製造方法であって、前記光導波路層を形成する工程では、強誘電体又は反強誘電体よりなるコア層と、前記コア層の上下に形成された上部クラッド層及び下部クラッド層を有する前記光導波路層を形成し、前記強誘電体は、Pb、Ti、及びOから構成されるペロブスカイト型の結晶構造を有する強誘電体、Pb、Zr、Ti、及びOから構成されるペロブスカイト型の結晶構造を有する強誘電体、Pb、La、Zr、Ti、及びOから構成されるペロブスカイト型の結晶構造を有する強誘電体、又はPb、La、Ti、及びOから構成されるペロブスカイト型の結晶構造を有する強誘電体からなり、前記反強誘電体は、AサイトにPbが80%以上の割合で存在し、BサイトにSnが5%以上50%以下の割合で存在するペロブスカイト型の結晶構造を有する反強誘電体からなり、前記酸化マグネシウム基板と前記光導波路層との間に、前記酸化マグネシウム基板及び前記光導波路層とほぼ格子整合し、室温から700℃までの平均熱膨張係数が8.0×10−6〜13.0×10−6/℃の範囲内である応力緩和層を形成する工程を更に有し、前記応力緩和層は、AサイトにPb、La、Ba、Sr又はCaのうち少なくともいずれかを含み、BサイトにTi、Sn、Zr、又はHfのうち少なくともいずれかを含むペロブスカイト型の結晶構造を有する材料よりなることを特徴とする光導波路装置の製造方法により達成される。
【0013】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施形態による光導波路装置及びその製造方法について図1乃至図4を用いて説明する。図1は本実施形態による光導波路装置の構造を示す概略図である。
【0014】
(光導波路装置)
まず、本実施形態による光導波路装置について図1を用いて説明する。図1(a)は本実施形態による光導波路装置の構造を示す上面図、図1(b)は図1(a)のA−A′線断面図である。
【0015】
図1(b)に示すように、MgO基板10上には、厚さ1000nmのSTOよりなる応力緩和層12が形成されている。応力緩和層12の格子定数は3.91オングストロームであり、MgO基板10の格子定数である4.20オングストロームと値が近い。このため、応力緩和層12は、MgO基板10と格子整合性が良好であり、MgO基板10上にエピタキシャル成長されている。また、応力緩和層12に用いられるSTOの800Kでの熱膨張係数は9×10-6/℃である。この値は、MgOの熱膨張係数14.5×10-6/℃と後述するコア層18に用いられるPZTの熱膨張係数7.5×10-6/℃との間の値となっている。
【0016】
応力緩和層12上には、厚さ200nmのPtよりなる平面形状が三角形の下部電極14が形成されている。Ptよりなる下部電極14の格子定数は3.92オングストロームである。
【0017】
下部電極14が形成された応力緩和層12上には、厚さ2000nmのPLZTよりなる下部クラッド層16が形成されている。下部クラッド層16に用いられるPLZTの組成は、例えば(Pb0.91La0.09)(Zr0.65Ti0.35)O3となっている。下部クラッド層16の格子定数は4.08オングストロームである。このため、下部クラッド層16は、応力緩和層12と格子整合性が良好であり、応力緩和層12上にエピタキシャル成長することができる。なお、下部クラッド層16の屈折率は2.49である。
【0018】
下部クラッド層16上には、厚さ2000nmのPZTよりなるコア層18とが形成されている。コア層18に用いられるPZTの組成は、例えばPb(Zr0.52Ti0.48)O3となっている。コア層18の格子定数は4.04オングストロームである。このため、コア層18は、下部クラッド層16と格子整合性が良好であり、下部クラッド層16上にエピタキシャル成長されている。なお、コア層18の屈折率は2.56である。
【0019】
コア層18上には、2000nmのPLZTよりなる上部クラッド層20が形成されている。上部クラッド層20に用いられるPLZTの組成は、例えば(Pb0.91La0.09)(Zr0.65Ti0.35)O3となっている。上部クラッド層20の格子定数は4.08オングストロームである。したがって、上部クラッド層20は、コア層18と格子整合性が良好であり、コア層18上にエピタキシャル成長されている。なお、上部クラッド層20の屈折率は2.49である。
【0020】
上部クラッド層20上には、厚さ200nmのPtよりなる平面形状が三角形の上部電極22が形成されている。上部電極22の格子定数は3.92オングストロームである。
【0021】
こうして、MgO基板10上に、下部クラッド層16及び上部クラッド層20にコア層18が挟まれてなるスラブ導波路層24が形成されている。
【0022】
スラブ導波路層24が形成されたMgO基板10の一端には、図1(a)に示すように、複数のレンズ26が設けられている。各レンズ26には、それぞれ光信号が入力されるチャネル導波路28が接続されている。
【0023】
MgO基板10のレンズ26が設けられている端に対向する端には、各レンズ26に対応して複数のレンズ30が設けられている。各レンズ30には、光信号が出力されるチャネル導波路32が接続されている。
【0024】
チャネル導波路28が接続された各レンズ26の近傍の領域には、チャネル導波路32から入力された光信号を偏向するためのプリズム領域34が形成されている。本明細書中では、下部電極14と上部電極22との間に挟まれ、電界を印加することにより屈折率を変化させうる領域を、プリズム領域34という。
【0025】
なお、図1(b)の断面図では、レンズ26、30及びチャネル導波路28、32については省略している。
【0026】
本実施形態による光導波路装置は、MgO基板10とPLZT、PZTよりなるスラブ導波路層24との間に、STOよりなる応力緩和層12が形成されていることに主な特徴の一つがある。
【0027】
MgOの熱膨張係数は14.5×10-6/℃であり、光導波路の材料であるPZTの熱膨張係数7.5×10-6/℃に比べて非常に大きい。このため、単にMgO基板上にPZT膜やPLZT膜を形成した場合には、PZT膜やPLZT膜を結晶化するための800K以上の高温の熱処理を行うと、PZT膜やPLZT膜に大きな応力が加わり破損してしまうとともに、MgO基板自体が割れてしまう場合がある。
【0028】
このため、本実施形態では、MgO基板10上に形成したスラブ導波路層24に加わる応力を緩和すべく応力緩和層12を設けている。かかる応力緩和層12として要求される条件としては、第一に、MgO基板10上にエピタキシャル成長し、その上層に形成する膜のエピタキシャル成長を阻害しないために、酸化マグネシウム及びPZTとの格子整合性がある程度良好なことである。第二に、応力緩和層12の材料の熱膨張係数の値がPZTの熱膨張係数の値よりも大きく酸化マグネシウムの熱膨張係数の値よりも小さいことである。
【0029】
応力緩和層12の材料であるSTOは、格子定数が3.9オングストロームである。さらに、800Kでの線膨張係数が9×10-6/℃である。したがって、応力緩和層12の材料としてSTOを用いれば、エピタキシャル成長できるとともに、MgO基板10上に形成したPLZT、PZTよりなるスラブ導波路層24に熱処理の際に加わる応力を緩和することができる。
【0030】
次に、本実施形態による光導波路装置の動作について説明する。
【0031】
チャネル導波路28の端部からレンズ26を介してスラブ導波路層24に導入される信号光は、コア層18内部を全反射しながら伝搬する。
【0032】
この際、プリズム領域34の下部電極14と上部電極22との間に所定の電圧を印加すると、電気光学効果によりプリズム領域34においてスラブ導波路層24の光の屈折率が変化する。
【0033】
このため、信号光はプリズム領域34を通過する際に、プリズム領域34の屈折率の変化に応じて偏向される。したがって、下部電極14と上部電極22との間に印加する電圧を適宜制御することにより、信号光を所定の偏向角度で偏向することができ、所望のチャネル導波路32に信号光を導くことができる。
【0034】
このように、本実施形態による光導波路装置は、各チャネル導波路28から入射された光信号を、プリズム領域34の屈折率を適宜変化させることにより所望の偏向角度で偏向して、所望のチャネル導波路32に出力先を切り換える光クロスコネクト装置として機能する。
【0035】
ところで、特開2000−47271号公報には、MgO基板上にSTOよりなるバッファ層を介してPZTよりなるコア層とSTOよりなるクラッド層が形成された光導波路装置が開示されている。
【0036】
本実施形態による光導波路装置は、MgO基板上にSTOよりなるバッファ層を介してPZTよりなるコア層とSTOよりなるクラッド層が形成された光導波路装置と比較して、以下のような点で有利である。
【0037】
図2は、MgO基板上にSTOよりなるバッファ層を介してPZTよりなるコア層とSTOよりなるクラッド層を形成した場合におけるコア層の厚さと規格化伝搬定数との関係を示すグラフである。図3は本実施形態による光導波路装置におけるコア層の厚さと規格化伝搬定数との関係を示すグラフである。
【0038】
MgO基板上にSTOよりなるバッファ層を介してPZTよりなるコア層とSTOよりなるクラッド層が形成された光導波路装置の場合、図2から明らかなように、TE0モードのみが伝搬可能なシングルモード導波路を得るためのコア層の厚さは約0.8μm以下に限定されてしまう。このため、光導波路層の設計において制約がある。
【0039】
一方、本実施形態による光導波路装置の場合、図3から明らかなように、TE0モードのみが伝搬可能なシングルモード導波路を得るためのコア層18の厚さは約3.2μm以下であればよい。
【0040】
このように下部クラッド層16と応力緩和層12とが別個に形成されている本実施形態による光導波路装置では、コア層18を厚くしてもシングルモード導波路を得ることができる。したがって、本実施形態によれば、光導波路の設計において高い自由度を確保することが可能となる。また、コア層18を厚くすることができるので、スラブ導波路層24のコア層18とチャネル導波路28、32とを光学的に結合することが容易になる。
【0041】
上述のように、本実施形態による光導波路装置によれば、MgO基板10上にPLZT、PZTよりなるスラブ導波路層24を形成する場合に、MgO基板10とスラブ導波路層24の材料の熱膨張係数の差に起因してスラブ導波路層24に加わる応力を応力緩和層12を設けることにより緩和し得るので、安価なMgO基板10を用いて光導波路装置を提供することができる。また、シングルモード導波路を得るためのコア層18の厚さを厚くすることができるため、光導波路層の設計の自由度を向上することができる。
【0042】
(光導波路装置の製造方法)
次に、本実施形態による光導波路装置の製造方法について図4を用いて説明する。図4は本実施形態による光導波路装置の製造方法を示す工程断面図である。なお、以下に示す成膜方法や、成膜条件、厚さ等は例示であり、これに限定されるものではない。
【0043】
まず、MgO基板10上に、スパッタ法により厚さ1000nmのSTOよりなる応力緩和層12を形成する(図4(a))。成膜条件は、例えば、基板温度を600℃、スパッタ装置のRF出力を1.43W/cm2、ガス圧を20mTorr、酸素分圧を10%とすることができる。
【0044】
次いで、応力緩和層12上に、スパッタ法により厚さ200nmのPt膜を形成する。成膜条件は、例えば、基板温度を600℃、スパッタ装置のRF出力を1.6W/cm2、Arガス圧を0.1Paとすることができる。次いで、このPt膜を所定の三角形にパターニングする。これにより、Ptよりなる下部電極14が形成される(図4(b))。
【0045】
次いで、塗布熱分解法により、下部電極14を形成した応力緩和層12上にPLZT膜を形成する。具体的には、まず、スピンコート法によりPLZT膜を塗布する。塗布条件は、例えば、3000rpm、30秒間とすることができる。この後、PLZT膜を440℃でベークし、更に、650℃、10分間の熱処理により結晶化する。このような工程を20回繰り返すことにより、厚さ2000nmのPLZTよりなる下部クラッド層16が形成される。なお、PLZTの組成は、例えば(Pb0.91La0.09)(Zr0.65Ti0.35)O3とする。
【0046】
次いで、塗布熱分解法により、下部クラッド層16上にPZT膜を形成する。具体的には、まず、スピンコート法によりPZT膜を塗布する。塗布条件は、例えば、3000rpm、30秒間とすることができる。この後、PZT膜を440℃でベークし、更に、650℃、10分間の熱処理により結晶化する。このような工程を20回繰り返すことにより、厚さ2000nmのPZTよりなるコア層18が形成される。なお、PZTの組成は、例えば、Pb(Zr0.52Ti0.48)O3とする。
【0047】
次いで、塗布熱分解法により、コア層18上にPLZT膜を形成する。具体的には、まず、スピンコート法によりPLZT膜を塗布する。塗布条件は、例えば、3000rpm、30秒間とすることができる。この後、PLZT膜を440℃でベークし、更に、650℃、10分間の熱処理により結晶化する。このような工程を20回繰り返すことにより、厚さ2000nmのPLZTよりなる上部クラッド層20が形成される。なお、PLZTの組成は、例えば、下部クラッド層16と同様に(Pb0.91La0.09)(Zr0.65Ti0.35)O3とする。
【0048】
こうして、PLZTよりなる下部クラッド層16と、PZTよりなるコア層18と、PLZTよりなる上部クラッド層20とよりなるスラブ導波路層24が形成される(図4(c))。
【0049】
次いで、上部クラッド層20上に、スパッタ法により厚さ200nmのPt膜を形成する。成膜条件は、例えば、基板温度を450℃、Arガス圧を0.1Paとすることができる。次いで、このPt膜を所定の三角形にパターニングする。これにより、Ptよりなる上部電極22を形成される(図4(d))。
【0050】
次いで、レンズ26、30やチャネル導波路28、32を設ける。こうして、本実施形態による光導波路装置が製造される。
【0051】
(評価結果)
本実施形態による光導波路装置の評価結果について説明する。
【0052】
比較例としては、応力緩和層を形成しないで光導波路装置を作製した。なお、比較例による光導波路装置は、応力緩和層を形成しない点を除いては、実施例、即ち本実施形態による光導波路装置と同一条件で作製した。また、MgO基板として、実施例及び比較例ともに20mm×20mm×0.3mmの大きさのものを用いた。
【0053】
実施例による光導波路装置と、比較例による応力緩和層が形成されていない光導波路装置とについて、650℃の結晶化アニール後に両者の状態を評価した。
【0054】
実施例による光導波路装置については、スラブ導波路層やMgO基板の破壊は観察されなかった。このことから、応力緩和層によりスラブ導波路層に加わる応力が緩和されていることがわかる。
【0055】
一方、比較例による光導波路装置では、結晶化アニールのプロセス中にMgO基板自体が割れてしまった。
【0056】
上記の結果から、本実施形態によれば、応力緩和層が形成されているため、スラブ導波路層24を結晶化するための高温の熱処理を行ってもスラブ導波路層やMgO基板自体の破壊を効果的に防止できることがわかる。
【0057】
(変形例)
次に、本実施形態による光導波路装置の変形例ついて図5を説明する。図5は本変形例による光導波路装置の構造を示す断面図である。
【0058】
本変形例による光導波路装置は、図1に示す光導波路装置の場合と下部電極14の形成されている位置が異なるものである。すなわち、図1に示す光導波路装置では応力緩和層12上に下部電極14が形成されていたが、本変形例による光導波路装置は、応力緩和層12の下に下部電極14が形成されていることに主な特徴がある。
【0059】
図5に示すように、MgO基板10上に、Ptよりなる下部電極14が形成されている。下部電極14上が形成されたMgO基板10上には、STOよりなる応力緩和層12が形成されている。応力緩和層12上には、PLZTよりなる下部クラッド層16と、PZTよりなるコア層18と、PLZTよりなる上部クラッド層20とが順次積層されている。プリズム領域34の上部クラッド層20上には、Ptよりなる上部電極22が形成されている。なお、図5では、図1(b)と同様に、レンズ26、30及びチャネル導波路28、32の構造を省略している。
【0060】
このように、応力緩和層12の下に下部電極14が形成されていてもよい。
【0061】
[変形実施形態]
本発明の上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
【0062】
例えば、上記実施形態では、光クロスコネクト装置としての光導波路装置を説明したが、本発明による光導波路装置はこれに限定されるものではない。
【0063】
また、上記実施形態では、STOよりなる応力緩和層12を形成していたが、応力緩和層12の材料はSTOに限定されるものではない。応力緩和層12の材料としては、MgO基板10との格子整合性が良好であり、かつ、平均熱膨張係数が、室温から700℃までの間で、光導波路層24の平均熱膨張係数の値よりも大きく、MgO基板10の平均熱膨張係数の値よりも小さいものであればよい。具体的には、応力緩和層12の室温から700℃までの平均熱膨張係数が、望ましくは8.0×10-6〜13.0×10-6/℃の範囲内、より望ましくは9.0×10-6〜12.0×10-6/℃の範囲内であればよい。例えば、(Sr1-y,Ba)TiO3やPb(Zr1-xTix)O3等のような、ペロブスカイト型の結晶構造を有する材料であって、AサイトにはPb、La、Ba、Sr又はCaのうち少なくともいずれかを含み、BサイトにはTi、Sn、Zr、Hfのうち少なくともいずれかを含むものを、応力緩和層12の材料として適用することができる。
【0064】
なお、応力緩和層12は、十分な応力緩和効果を得るためには、少なくともその厚さが10nm以上、望ましくは0.3〜10μmとすることができる。
【0065】
また、上記実施形態では、PZTよりなるコア層18を形成していたが、コア層18の材料はペロブスカイト酸化物の強誘電体であればPZTに限定されるものではない。例えば、Pb、Ti、及びOから構成されるペロブスカイト型の結晶構造を有する強誘電体、Pb、Zr、Ti、及びOから構成されるペロブスカイト型の結晶構造を有する強誘電体、Pb、La、Zr、Ti、及びOから構成されるペロブスカイト型の結晶構造を有する強誘電体、又はPb、La、Ti、及びOから構成されるペロブスカイト型の結晶構造を有する強誘電体をコア層18の材料として適用することができる。
【0066】
また、コア層18の材料を、ペロブスカイト型の結晶構造を有する複合酸化物よりなる反強誘電体であって、AサイトにPbが80%以上の割合で存在し、BサイトにSnが5%以上50%以下の割合で存在するものとしてもよい。ここで、反強誘電体とは、一般に、キュリー点以下で結晶格子が2つの副格子に分かれ、各副格子の分極の大きさが等しく向きが反対となっているため全体としての自発分極が零となっている物質であって、電界を印加すると各副格子の分極の向きがそろう物質をいう。コア層18の材料としてこのような反強誘電体を用いた場合、下部電極14及び上部電極22により室温下で電圧を印加することにより、コア層18を強誘電体に相転移させることができる。そして、印加電圧を零に戻しても、コア層18の強誘電性を維持することができる。このため、印加電圧を零に戻しても、コア層18に自発歪を残存させることができ、屈折率の変化を保持することができる。なお、コア層18に自発歪を残存させることにより屈折率の変化を保持する技術については、例えば特願2001−293761号明細書に開示されている。
【0067】
また、上記実施形態では、PLZTよりなる下部クラッド層16及び上部クラッド層20を形成していたが、これらの材料もPLZTに限定されるものではない。
【0068】
また、上記実施形態では、Ptよりなる下部電極14及び上部電極22を形成していたが、これらの材料はPtに限定されるものではない。
【0069】
また、上記実施形態では、STOよりなる応力緩和層12をスパッタ法により形成していたが、応力緩和層12の形成方法はこれに限定されるものではない。例えば、レーザアブレーション法や、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法により形成することができる。また、有機化合物を塗布して焼成するゾルゲル法やMOD(Metal Organic Decomposition)法、CSD(Chemical Solution Deposition)法等の溶液法を適用することもできる。
【0070】
同様に、PLZTよりなる下部クラッド層16及び上部クラッド層20、PZTよりなるコア層18の形成方法についても、上記実施形態で用いた方法に限定されるものではない。
【0071】
上述のように、本発明による光導波路装置及びその製造方法の特徴をまとめると以下のようになる。
【0072】
(付記1) 酸化マグネシウム基板と、前記酸化マグネシウム基板上に形成され、強誘電体又は反強誘電体よりなるコア層を有する光導波路層とを有する光導波路装置であって、前記酸化マグネシウム基板と前記光導波路層との間に形成され、前記酸化マグネシウム基板及び前記光導波路層とほぼ格子整合し、室温から700℃までの平均熱膨張係数が8.0×10-6〜13.0×10-6/℃の範囲内である応力緩和層を更に有することを特徴とする光導波路装置。
【0073】
(付記2) 付記1記載の光導波路装置において、前記応力緩和層の室温から700℃までの平均熱膨張係数は、9.0×10-6〜12.0×10-6/℃の範囲内であることを特徴とする光導波路装置。
【0074】
(付記3) 付記1又は2記載の光導波路装置において、前記光導波路層は、前記コア層の上下に形成された上部クラッド層及び下部クラッド層を更に有することを特徴とする光導波路装置。
【0075】
(付記4) 付記1乃至3のいずれかに記載の光導波路装置において、前記酸化マグネシウム基板と前記光導波路層との間に形成された下部電極と、前記下部電極に対向するように前記光導波路層上に形成された上部電極とを更に有することを特徴とする光導波路装置。
【0076】
(付記5) 付記4記載の光導波路装置において、前記下部電極は、前記応力緩和層の上又は下に形成されていることを特徴とする光導波路装置。
【0077】
(付記6) 付記4乃至5のいずれかに記載の光導波路装置において、前記下部電極及び/又は前記上部電極は三角形の平面形状を有し、前記下部電極及び前記上部電極は、前記光導波路層に所定の電圧を印加することにより前記コア層の屈折率を変化することを特徴とする光導波路装置。
【0078】
(付記7) 付記1乃至6のいずれかに記載の光導波路装置において、前記応力緩和層は、AサイトにPb、La、Ba、Sr又はCaのうち少なくともいずれかを含み、BサイトにTi、Sn、Zr、又はHfのうちのいずれかを含むペロブスカイト型の結晶構造を有する材料よりなることを特徴とする光導波路装置。
【0079】
(付記8) 付記7記載の光導波路装置において、前記応力緩和層は、SrTiO3よりなることを特徴とする光導波路装置。
【0080】
(付記9) 付記1乃至8のいずれかに記載の光導波路装置において、前記コア層は、Pb、Ti、及びOから構成されるペロブスカイト型の結晶構造を有する強誘電体、Pb、Zr、Ti、及びOから構成されるペロブスカイト型の結晶構造を有する強誘電体、Pb、La、Zr、Ti、及びOから構成されるペロブスカイト型の結晶構造を有する強誘電体、又はPb、La、Ti、及びOから構成されるペロブスカイト型の結晶構造を有する強誘電体よりなることを特徴とする光導波路装置。
【0081】
(付記10) 付記1乃至8のいずれかに記載の光導波路装置において、前記コア層は、AサイトにPbが80%以上の割合で存在し、BサイトにSnが5%以上50%以下の割合で存在するペロブスカイト型の結晶構造を有する反強誘電体よりなることを特徴とする光導波路装置。
【0082】
(付記11) 付記1乃至10のいずれかに記載の光導波路装置において、前記応力緩和層の厚さは、0.3〜10μmであることを特徴とする光導波路装置。
【0083】
(付記12) 酸化マグネシウム基板上に、強誘電体又は反強誘電体よりなるコア層を有する光導波路層を形成する工程を有する光導波路装置の製造方法であって、前記酸化マグネシウム基板と前記光導波路層との間に、前記酸化マグネシウム基板及び前記光導波路層とほぼ格子整合し、室温から700℃までの平均熱膨張係数が8.0×10-6〜13.0×10-6/℃の範囲内である応力緩和層を形成する工程を更に有することを特徴とする光導波路装置の製造方法。
【0084】
【発明の効果】
以上の通り、本発明によれば、酸化マグネシウム基板と、酸化マグネシウム基板上に形成され、強誘電体又は反強誘電体よりなるコア層を有する光導波路層とを有する光導波路装置において、酸化マグネシウム基板と光導波路層との間に形成され、酸化マグネシウム基板及び光導波路層とほぼ格子整合し、室温から700℃までの平均熱膨張係数が所定の範囲内の範囲内である応力緩和層を形成するので、酸化マグネシウム基板上に形成されたPLZT、PZT等のペロブスカイト酸化物よりなる光導波路層に加わる応力を緩和することができる。したがって、光導波路層や酸化マグネシウム基板自体を破損することなく光導波路装置を構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態による光導波路装置の構造を示す概略図である。
【図2】MgO基板上にSTOよりなるバッファ層を介してPZTよりなるコア層とSTOよりなるクラッド層が形成された光導波路装置におけるコア層の厚さと規格化伝搬定数との関係を示すグラフである。
【図3】本発明の一実施形態による光導波路装置におけるコア層の厚さと規格化伝搬定数との関係を示すグラフである。
【図4】本発明の一実施形態による光導波路装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図5】本発明の一実施形態による光導波路装置の変形例を示す断面図である。
【符号の説明】
10…MgO基板
12…応力緩和層
14…下部電極
16…下部クラッド層
18…コア層
20…上部クラッド層
22…上部電極
24…スラブ導波路層
26…レンズ
28…チャネル導波路
30…レンズ
32…チャネル導波路
34…プリズム領域
Claims (6)
- 酸化マグネシウム基板と、前記酸化マグネシウム基板上に形成された光導波路層とを有する光導波路装置であって、
前記光導波路層は、強誘電体又は反強誘電体よりなるコア層と、前記コア層の上下に形成された上部クラッド層及び下部クラッド層を有し、
前記強誘電体は、Pb、Ti、及びOから構成されるペロブスカイト型の結晶構造を有する強誘電体、Pb、Zr、Ti、及びOから構成されるペロブスカイト型の結晶構造を有する強誘電体、Pb、La、Zr、Ti、及びOから構成されるペロブスカイト型の結晶構造を有する強誘電体、又はPb、La、Ti、及びOから構成されるペロブスカイト型の結晶構造を有する強誘電体からなり、
前記反強誘電体は、AサイトにPbが80%以上の割合で存在し、BサイトにSnが5%以上50%以下の割合で存在するペロブスカイト型の結晶構造を有する反強誘電体からなり、
前記酸化マグネシウム基板と前記光導波路層との間に形成され、前記酸化マグネシウム基板及び前記光導波路層とほぼ格子整合し、室温から700℃までの平均熱膨張係数が8.0×10−6〜13.0×10−6/℃の範囲内である応力緩和層を更に有し、
前記応力緩和層は、AサイトにPb、La、Ba、Sr又はCaのうち少なくともいずれかを含み、BサイトにTi、Sn、Zr、又はHfのうち少なくともいずれかを含むペロブスカイト型の結晶構造を有する材料よりなる
ことを特徴とする光導波路装置。 - 請求項1記載の光導波路装置において、
前記上部クラッド層及び前記下部クラッド層は、Pb、La、Zr、Ti、及びOから構成されるペロブスカイト型の結晶構造を有する強誘電体よりなる
ことを特徴とする光導波路装置。 - 請求項1又は2記載の光導波路装置において、
前記酸化マグネシウム基板と前記光導波路層との間に形成された下部電極と、
前記下部電極に対向するように前記光導波路層上に形成された上部電極とを更に有する
ことを特徴とする光導波路装置。 - 請求項3記載の光導波路装置において、
前記下部電極は、前記応力緩和層の上又は下に形成されている
ことを特徴とする光導波路装置。 - 請求項3又は4記載の光導波路装置において、
前記下部電極及び/又は前記上部電極は三角形の平面形状を有し、
前記下部電極及び前記上部電極は、前記光導波路層に所定の電圧を印加することにより前記コア層の屈折率を変化する
ことを特徴とする光導波路装置。 - 酸化マグネシウム基板上に、光導波路層を形成する工程を有する光導波路装置の製造方法であって、
前記光導波路層を形成する工程では、強誘電体又は反強誘電体よりなるコア層と、前記コア層の上下に形成された上部クラッド層及び下部クラッド層を有する前記光導波路層を形成し、
前記強誘電体は、Pb、Ti、及びOから構成されるペロブスカイト型の結晶構造を有する強誘電体、Pb、Zr、Ti、及びOから構成されるペロブスカイト型の結晶構造を有する強誘電体、Pb、La、Zr、Ti、及びOから構成されるペロブスカイト型の結晶構造を有する強誘電体、又はPb、La、Ti、及びOから構成されるペロブスカイト型の結晶構造を有する強誘電体からなり、
前記反強誘電体は、AサイトにPbが80%以上の割合で存在し、BサイトにSnが5%以上50%以下の割合で存在するペロブスカイト型の結晶構造を有する反強誘電体からなり、
前記酸化マグネシウム基板と前記光導波路層との間に、前記酸化マグネシウム基板及び前記光導波路層とほぼ格子整合し、室温から700℃までの平均熱膨張係数が8.0×10−6〜13.0×10−6/℃の範囲内である応力緩和層を形成する工程を更に有し、
前記応力緩和層は、AサイトにPb、La、Ba、Sr又はCaのうち少なくともいずれかを含み、BサイトにTi、Sn、Zr、又はHfのうち少なくともいずれかを含むペロブスカイト型の結晶構造を有する材料よりなる
ことを特徴とする光導波路装置の製造方法。
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